JPH11174487A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH11174487A JPH11174487A JP34466597A JP34466597A JPH11174487A JP H11174487 A JPH11174487 A JP H11174487A JP 34466597 A JP34466597 A JP 34466597A JP 34466597 A JP34466597 A JP 34466597A JP H11174487 A JPH11174487 A JP H11174487A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高コントラスト比が期待される2層直交積層型
のゲストホスト液晶表示装置を強固に保持する液晶セル
構造。 【解決手段】有機高分子膜からなるセパレータで2層の
液晶層を隔て、上下基板に棒状形状のスペーサ部を形成
し、上下基板のスペーサ部は棒状形状の長手方向がほぼ
直交し、かつ該スペーサ部がセパレータの同一部分を保
持する。
のゲストホスト液晶表示装置を強固に保持する液晶セル
構造。 【解決手段】有機高分子膜からなるセパレータで2層の
液晶層を隔て、上下基板に棒状形状のスペーサ部を形成
し、上下基板のスペーサ部は棒状形状の長手方向がほぼ
直交し、かつ該スペーサ部がセパレータの同一部分を保
持する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】液晶表示装置はこれまで携帯
型のパーソナルコンピュータ等のインターフェイスとし
て普及してきた。今後あらゆる電子機器において高機能
化とネットワーク化が進展し、これに伴い液晶表示装置
の適用範囲も広がることが予想される。液晶表示装置の
総数の増大に伴い、液晶表示装置自体もより一層の低消
費電力化が必要になる。
型のパーソナルコンピュータ等のインターフェイスとし
て普及してきた。今後あらゆる電子機器において高機能
化とネットワーク化が進展し、これに伴い液晶表示装置
の適用範囲も広がることが予想される。液晶表示装置の
総数の増大に伴い、液晶表示装置自体もより一層の低消
費電力化が必要になる。
【0002】本発明の属する利用分野は液晶表示装置で
あり、特に2つの液晶層を有する2層積層型の液晶表示
装置である。
あり、特に2つの液晶層を有する2層積層型の液晶表示
装置である。
【0003】
【従来の技術】反射型カラー液晶表示装置は前述の低消
費電力化の要求に答えるものであり、その低消費電力は
自ら光源を持たずに周囲の光を利用して表示を行うこと
に依る。反射型カラー液晶表示装置に入射した光は、使
用者に到達するまでに液晶層を通過し、反射板で反射さ
れ、再び液晶層を通過する過程を経る。反射型カラー液
晶表示装置に特有の問題に視差があるが、これは前述の
過程において光が2つ以上の画素を通過することに起因
する。視差が生じると、表示色の色純度とコントラスト
比が著しく低下し、視認性が著しく損なわれる。
費電力化の要求に答えるものであり、その低消費電力は
自ら光源を持たずに周囲の光を利用して表示を行うこと
に依る。反射型カラー液晶表示装置に入射した光は、使
用者に到達するまでに液晶層を通過し、反射板で反射さ
れ、再び液晶層を通過する過程を経る。反射型カラー液
晶表示装置に特有の問題に視差があるが、これは前述の
過程において光が2つ以上の画素を通過することに起因
する。視差が生じると、表示色の色純度とコントラスト
比が著しく低下し、視認性が著しく損なわれる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】2層積層型の液晶表示
装置には、例えば2層の液晶層の配向方向を直交させた
ゲストホスト方式(2層直交GH方式)等がある。2層
直交GH方式はゲストホスト方式のコントラスト比を向
上する方式として従来より着目されており、前述の視差
の解消が2層直交GH方式実現のための課題であった。
2層直交GH方式はカラーフィルタと2つの液晶層と液
晶セル内に内蔵された反射膜から構成されるが、視差解
消のためにはこれらを一画素の短辺(100μm程度)
よりも短い距離内に積層しなければならない。より具体
的には、2層の液晶層を隔てる層を薄くしなければなら
ない。これに加えて、2層の液晶層を安定して保持する
ことが課題である。
装置には、例えば2層の液晶層の配向方向を直交させた
ゲストホスト方式(2層直交GH方式)等がある。2層
直交GH方式はゲストホスト方式のコントラスト比を向
上する方式として従来より着目されており、前述の視差
の解消が2層直交GH方式実現のための課題であった。
2層直交GH方式はカラーフィルタと2つの液晶層と液
晶セル内に内蔵された反射膜から構成されるが、視差解
消のためにはこれらを一画素の短辺(100μm程度)
よりも短い距離内に積層しなければならない。より具体
的には、2層の液晶層を隔てる層を薄くしなければなら
ない。これに加えて、2層の液晶層を安定して保持する
ことが課題である。
【0005】特開平7−159805 号公報では2層の液晶層
の間に厚さ数μmの誘電体層をセパレータとして配置し
ている。第一の液晶層は上側基板とセパレータにより保
持され、第二の液晶層はセパレータと下側基板により保
持される。これによりカラーフィルタと2つの液晶層と
反射膜は数十μm程度の距離内に積層され、視差が解消
される。
の間に厚さ数μmの誘電体層をセパレータとして配置し
ている。第一の液晶層は上側基板とセパレータにより保
持され、第二の液晶層はセパレータと下側基板により保
持される。これによりカラーフィルタと2つの液晶層と
反射膜は数十μm程度の距離内に積層され、視差が解消
される。
【0006】
【課題を解決するための手段】第一の保持部材のスペー
サと第二の保持部材のスペーサを、その形状が基板法線
方向から見て棒状になる様に形成し、かつ棒の長手方向
が基板法線方向から見て直交する様に形成したことによ
り、位置合わせに誤差が生じた場合でもセパレータの同
一部分を保持することができる。
サと第二の保持部材のスペーサを、その形状が基板法線
方向から見て棒状になる様に形成し、かつ棒の長手方向
が基板法線方向から見て直交する様に形成したことによ
り、位置合わせに誤差が生じた場合でもセパレータの同
一部分を保持することができる。
【0007】第一の保持部材のスペーサと第二の保持部
材のスペーサを、その形状が基板法線方向から見て棒状
になる様に形成することにより、スペーサの形状が充分
に単純であるため、液晶組成物の封入行程において液晶
組成物がスペーサの周囲に充分にまわり込み、スペーサ
の周囲に液晶組成物が存在しない部分は生じない。
材のスペーサを、その形状が基板法線方向から見て棒状
になる様に形成することにより、スペーサの形状が充分
に単純であるため、液晶組成物の封入行程において液晶
組成物がスペーサの周囲に充分にまわり込み、スペーサ
の周囲に液晶組成物が存在しない部分は生じない。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に具体
的に説明する。
的に説明する。
【0009】(実施例1)図1に本発明の液晶表示装置
の透視図を示す。一対の基板の内の第1の基板11はホ
ウケイサンガラス製であり、厚さは0.7mm であり、共
通電極17,平坦化層14,カラーフィルタ13が順次
積層されている。共通電極はITO製であり、層厚は1
000Åである。平坦化層はエポキシ樹脂製であり、層
厚は2μmである。カラーフィルタは染色法で作成し、
透過率が極小になる波長での透過率はR,G,Bいずれ
のカラーフィルタでも50%から60%である。
の透視図を示す。一対の基板の内の第1の基板11はホ
ウケイサンガラス製であり、厚さは0.7mm であり、共
通電極17,平坦化層14,カラーフィルタ13が順次
積層されている。共通電極はITO製であり、層厚は1
000Åである。平坦化層はエポキシ樹脂製であり、層
厚は2μmである。カラーフィルタは染色法で作成し、
透過率が極小になる波長での透過率はR,G,Bいずれ
のカラーフィルタでも50%から60%である。
【0010】一対の基板の内の第2の基板12は第1の
基板と同じ材質と厚さであり、反射電極16,絶縁層2
3,アクティブ素子15が順次積層されている。反射電
極はAl製であり、層厚は2000Åである。絶縁層は
SiNx製であり、層厚は1μmである。アクティブ素
子は逆スタガ型の薄膜トランジスタである。反射電極は
1画素を形成し、その形状は概略長方形状であり、大き
さは約100μm×300μmである。反射電極とアク
ティブ素子はスルーホールで接続されている。
基板と同じ材質と厚さであり、反射電極16,絶縁層2
3,アクティブ素子15が順次積層されている。反射電
極はAl製であり、層厚は2000Åである。絶縁層は
SiNx製であり、層厚は1μmである。アクティブ素
子は逆スタガ型の薄膜トランジスタである。反射電極は
1画素を形成し、その形状は概略長方形状であり、大き
さは約100μm×300μmである。反射電極とアク
ティブ素子はスルーホールで接続されている。
【0011】セパレータは垂直配向性のポリイミド系高
分子の薄膜であり、膜厚は2μmである。このポリイミ
ド系高分子は側鎖に長鎖アルキル基を有し、微視的に見
るとセパレータの表面は長鎖アルキル基によって覆われ
ていると考えられる。長鎖アルキル基はセパレータの平
面法線方向に向かって伸びており、液晶分子は長鎖アル
キル基に沿う様に配向し、その結果として垂直配向にな
ると考えられる。尚、図1には後述するシール部やスペ
ーサは含まれていない。
分子の薄膜であり、膜厚は2μmである。このポリイミ
ド系高分子は側鎖に長鎖アルキル基を有し、微視的に見
るとセパレータの表面は長鎖アルキル基によって覆われ
ていると考えられる。長鎖アルキル基はセパレータの平
面法線方向に向かって伸びており、液晶分子は長鎖アル
キル基に沿う様に配向し、その結果として垂直配向にな
ると考えられる。尚、図1には後述するシール部やスペ
ーサは含まれていない。
【0012】その後の両基板に対する処理と組み立てを
図2に示す。両基板に対する処理は基本的に同じである
ため、図2(a)〜(f)では第2の基板のみを示して
いる。また、図2(a)〜(f)では第2の基板上の各
層は省略されている。第2の基板の各層が積層されてい
る側に、光反応性有機高分子31を5μmの厚さで形成
する(図2(a))。光反応性有機高分子はポリイミド
系の高分子からなる日立化成製のTL1708であり、
例えば波長365nmの光を照射すると光照射部が硬化
して溶媒に対して不溶になる。フォトリソグラフにより
光反応性有機高分子をエッチング加工し、シール部37
とスペーサ部36を形成した(図2(b)〜(d))。
図2に示す。両基板に対する処理は基本的に同じである
ため、図2(a)〜(f)では第2の基板のみを示して
いる。また、図2(a)〜(f)では第2の基板上の各
層は省略されている。第2の基板の各層が積層されてい
る側に、光反応性有機高分子31を5μmの厚さで形成
する(図2(a))。光反応性有機高分子はポリイミド
系の高分子からなる日立化成製のTL1708であり、
例えば波長365nmの光を照射すると光照射部が硬化
して溶媒に対して不溶になる。フォトリソグラフにより
光反応性有機高分子をエッチング加工し、シール部37
とスペーサ部36を形成した(図2(b)〜(d))。
【0013】その後、シール部とスペーサ部の上側に光
配向性の有機高分子38を塗付した(図2(e))。光
配向性有機高分子はパラメトキシ桂皮酸を側鎖に有する
ポリビニルエステルであり、光照射によりパラメトキシ
桂皮酸が光2量化反応を起こす。照射光に直線偏光を用
いれば光反応で生じる化学結合の方向を制御し、更には
液晶の配向方向を制御する。この時、液晶分子の配向方
向は直線偏光の振動方向に対して垂直になる。光照射に
より配向処理して配向膜19とした後(図2(f))、
セパレータ20を第1の基板と第2の基板の間に挟む様
にして組み立てる(図2(g))。
配向性の有機高分子38を塗付した(図2(e))。光
配向性有機高分子はパラメトキシ桂皮酸を側鎖に有する
ポリビニルエステルであり、光照射によりパラメトキシ
桂皮酸が光2量化反応を起こす。照射光に直線偏光を用
いれば光反応で生じる化学結合の方向を制御し、更には
液晶の配向方向を制御する。この時、液晶分子の配向方
向は直線偏光の振動方向に対して垂直になる。光照射に
より配向処理して配向膜19とした後(図2(f))、
セパレータ20を第1の基板と第2の基板の間に挟む様
にして組み立てる(図2(g))。
【0014】図3(a),(b)は組み立て後の液晶セル
を基板法線方向から見たものであり、図3(a)は表示
部の一部分の拡大図である。図3(a)において、第1
の基板のスペーサ部はハッチングして示してある。第1
の基板のスペーサ部も、第2の基板のスペーサ部も棒状
であり、その長さは15μm、幅は5μmである。ま
た、その分布する位置は両者とも等しく、かつ棒状の形
状の長手方向が直交している。
を基板法線方向から見たものであり、図3(a)は表示
部の一部分の拡大図である。図3(a)において、第1
の基板のスペーサ部はハッチングして示してある。第1
の基板のスペーサ部も、第2の基板のスペーサ部も棒状
であり、その長さは15μm、幅は5μmである。ま
た、その分布する位置は両者とも等しく、かつ棒状の形
状の長手方向が直交している。
【0015】図3は数十枚作成した本発明の液晶表示装
置の中でも最も高い位置精度でフォトリソグラフィと組
み立てを行うことができたものの1つであり、両基板の
スペーサ部がその中心部で重なっている。
置の中でも最も高い位置精度でフォトリソグラフィと組
み立てを行うことができたものの1つであり、両基板の
スペーサ部がその中心部で重なっている。
【0016】以上の様にして、液晶セルの構造を両基板
のスペーサ部がセパレータの同一部分を保持する構造と
した。尚、スペーサ部の分布数は1平方mmあたり100
個とした。
のスペーサ部がセパレータの同一部分を保持する構造と
した。尚、スペーサ部の分布数は1平方mmあたり100
個とした。
【0017】第2の基板の液晶配向方向46は、同基板
スペーサ部の棒状形状の長手方向に平行である。即ち、
第1の基板の配向膜に配向処理をする際の直線偏光の振
動方向48は、同基板スペーサ部の棒状形状の長手方向
に対して直交する様にした。第1の基板の液晶配向方向
についても第2の基板と同様である。
スペーサ部の棒状形状の長手方向に平行である。即ち、
第1の基板の配向膜に配向処理をする際の直線偏光の振
動方向48は、同基板スペーサ部の棒状形状の長手方向
に対して直交する様にした。第1の基板の液晶配向方向
についても第2の基板と同様である。
【0018】図4に第1の基板のシール部35と第2の
基板のシール部37の分布を示す。両基板のシール部は
基板法線方向から見て重なり合い、かつ表示部を囲む様
に分布する。図4下部の一部でシール部は分布しておら
ず、この部分が液晶材料を真空封入するための封入口4
1,42である。尚、図4では両基板のシール部の封入
口の位置が基板法線方向から見て重なり合っているが、
封入口の位置は必ずしも重なり合っていなくても良い。
基板のシール部37の分布を示す。両基板のシール部は
基板法線方向から見て重なり合い、かつ表示部を囲む様
に分布する。図4下部の一部でシール部は分布しておら
ず、この部分が液晶材料を真空封入するための封入口4
1,42である。尚、図4では両基板のシール部の封入
口の位置が基板法線方向から見て重なり合っているが、
封入口の位置は必ずしも重なり合っていなくても良い。
【0019】液晶層には三菱化成株式会社製のL121
−4を用い、上記の封入口から真空封入して液晶層を形
成した。L121−4は誘電率異方性が正であり、2色
性色素を含み、ほぼ無彩色を呈する。各液晶層はハイブ
リッド配向であり、その配向方向は互いに直交してい
る。
−4を用い、上記の封入口から真空封入して液晶層を形
成した。L121−4は誘電率異方性が正であり、2色
性色素を含み、ほぼ無彩色を呈する。各液晶層はハイブ
リッド配向であり、その配向方向は互いに直交してい
る。
【0020】以上の様にして、2層直交積層型のゲスト
ホスト液晶セルとした。液晶セルの上面には光散乱体を
積層し、液晶セルの上方に位置する光源からの光を有効
に利用できる様にした。
ホスト液晶セルとした。液晶セルの上面には光散乱体を
積層し、液晶セルの上方に位置する光源からの光を有効
に利用できる様にした。
【0021】反射率の印加電圧依存性は図4に示した様
にノーマリクローズ型であり、同条件で測定したMgO
板の表面輝度を100%としている。0Vにおいて反射
率は1.5% であり、12Vにおいて13%、20Vに
おいて16%である。表示部の全面に同一の電圧を印加
して、印加電圧を変えながら表示状態を観察したとこ
ろ、特に目立った表示むらは観察されなかった。
にノーマリクローズ型であり、同条件で測定したMgO
板の表面輝度を100%としている。0Vにおいて反射
率は1.5% であり、12Vにおいて13%、20Vに
おいて16%である。表示部の全面に同一の電圧を印加
して、印加電圧を変えながら表示状態を観察したとこ
ろ、特に目立った表示むらは観察されなかった。
【0022】本発明の液晶表示装置を机の表面に対して
基板平面が垂直になる様にして立て、その状態からこれ
を倒す動作を10回繰り返した。その後に再び先程と同
様にして表示状態を観察したが、やはり特に目立った表
示むらは観察されなかった。以上の様に、2層直交積層
型のゲストホスト液晶表示装置において、両基板のスペ
ーサ部がセパレータの同一部分を保持する構造としたこ
とにより、表示が均一でかつ衝撃にも強い液晶表示装置
が得られた。
基板平面が垂直になる様にして立て、その状態からこれ
を倒す動作を10回繰り返した。その後に再び先程と同
様にして表示状態を観察したが、やはり特に目立った表
示むらは観察されなかった。以上の様に、2層直交積層
型のゲストホスト液晶表示装置において、両基板のスペ
ーサ部がセパレータの同一部分を保持する構造としたこ
とにより、表示が均一でかつ衝撃にも強い液晶表示装置
が得られた。
【0023】(実施例2)実施例1の液晶表示装置と同
時に作成した液晶表示装置の1つを検査した。図7は図
3と同様、基板法線方向から見たこの液晶表示装置の表
示部の拡大図である。実施例1の液晶表示装置に比べて
フォトリソグラフまたは組み立ての精度は悪く、両基板
の位置が約5μmだけ左右にずれている。しかし、この
場合でも両基板のスペーサ部は図7に示した様に重なり
合い、セパレータの同一部分を保持する構造とすること
ができた。
時に作成した液晶表示装置の1つを検査した。図7は図
3と同様、基板法線方向から見たこの液晶表示装置の表
示部の拡大図である。実施例1の液晶表示装置に比べて
フォトリソグラフまたは組み立ての精度は悪く、両基板
の位置が約5μmだけ左右にずれている。しかし、この
場合でも両基板のスペーサ部は図7に示した様に重なり
合い、セパレータの同一部分を保持する構造とすること
ができた。
【0024】表示特性を測定したところ、実施例1の液
晶表示装置とほぼ同様であった。また、実施例1と同様
の衝撃試験を行った後に表示の均一性を見たところ、特
に目立った表示むらは観察されなかった。
晶表示装置とほぼ同様であった。また、実施例1と同様
の衝撃試験を行った後に表示の均一性を見たところ、特
に目立った表示むらは観察されなかった。
【0025】以上の様に、スペーサ部の形状を棒状と
し、両基板のスペーサ部の長手方向が直交する様にした
ことにより、組み立ての精度が低下した場合でも表示が
均一でかつ衝撃に強い液晶表示装置が得られた。
し、両基板のスペーサ部の長手方向が直交する様にした
ことにより、組み立ての精度が低下した場合でも表示が
均一でかつ衝撃に強い液晶表示装置が得られた。
【0026】(実施例3)実施例1の液晶表示装置にお
いて、セパレータの材質と配向処理方法を変えた。セパ
レータはポリエチレンテレフタレートとし、その両面に
両基板と同様の光配向膜を塗付し、配向処理を施した。
両面の光配向膜の配向方向は、相対する基板の配向方向
と等しくした。各液晶層の配向状態は実施例1とは異な
りホモジニアス配向である。以上の様にして、2層直交
積層型のゲストホスト液晶セルとした。
いて、セパレータの材質と配向処理方法を変えた。セパ
レータはポリエチレンテレフタレートとし、その両面に
両基板と同様の光配向膜を塗付し、配向処理を施した。
両面の光配向膜の配向方向は、相対する基板の配向方向
と等しくした。各液晶層の配向状態は実施例1とは異な
りホモジニアス配向である。以上の様にして、2層直交
積層型のゲストホスト液晶セルとした。
【0027】実施例1と同様に反射率の印加電圧依存性
はノーマリクローズ型であり、0Vにおいて反射率は
0.7% であり、12Vにおいて12%、20Vにおい
て15%であった。
はノーマリクローズ型であり、0Vにおいて反射率は
0.7% であり、12Vにおいて12%、20Vにおい
て15%であった。
【0028】各液晶層をホモジニアス配向としたことに
より、反射率の最低値が低下し、より高コントラスト比
の表示が得られた。
より、反射率の最低値が低下し、より高コントラスト比
の表示が得られた。
【0029】(比較例1)実施例1の液晶表示装置にお
いて、スペーサ部の形状を直径5μmの円状にした。フ
ォトリソグラフまたは組み立ての精度のばらつきは実施
例1と同程度であり、図8に示した様に、実施例2と同
様両基板の位置が約5μmだけ左右にずれたものもでき
た。この液晶表示装置では、両基板のスペーサ部はセパ
レータの同一部分を充分に保持しない。
いて、スペーサ部の形状を直径5μmの円状にした。フ
ォトリソグラフまたは組み立ての精度のばらつきは実施
例1と同程度であり、図8に示した様に、実施例2と同
様両基板の位置が約5μmだけ左右にずれたものもでき
た。この液晶表示装置では、両基板のスペーサ部はセパ
レータの同一部分を充分に保持しない。
【0030】表示特性を測定したところ、表示面の各部
分でばらつきが見られた。表示の均一性を観察したとこ
ろ、表示むらが見られた。実施例1と同様の衝撃試験を
行うと、表示むらはより顕著になった。
分でばらつきが見られた。表示の均一性を観察したとこ
ろ、表示むらが見られた。実施例1と同様の衝撃試験を
行うと、表示むらはより顕著になった。
【0031】図5はスペーサ部を含む面内での断面図で
あり、この時の液晶表示装置の状態を示す。両基板のス
ペーサ部がセパレータの同一部分を保持しないため、第
一の基板に応力が加わると、図6に示した様に最も強度
の低いセパレータ部に応力が集中する。その結果、セパ
レータは破断して凹凸が生じる。衝撃試験による表示む
らの顕在化は、この様にして生じたセパレータの凹凸に
起因すると思われる。以上の様に、スペーサ部の形状を
実施例1から変えたことにより、製造プロセスの精度低
下が生じると両基板のスペーサ部がセパレータの同一部
分を保持しない液晶表示装置が発生した。そのため、表
示の均一性や耐衝撃性が低下した。
あり、この時の液晶表示装置の状態を示す。両基板のス
ペーサ部がセパレータの同一部分を保持しないため、第
一の基板に応力が加わると、図6に示した様に最も強度
の低いセパレータ部に応力が集中する。その結果、セパ
レータは破断して凹凸が生じる。衝撃試験による表示む
らの顕在化は、この様にして生じたセパレータの凹凸に
起因すると思われる。以上の様に、スペーサ部の形状を
実施例1から変えたことにより、製造プロセスの精度低
下が生じると両基板のスペーサ部がセパレータの同一部
分を保持しない液晶表示装置が発生した。そのため、表
示の均一性や耐衝撃性が低下した。
【0032】(比較例2)実施例1の液晶表示装置にお
いて、両基板のスペーサ部の長手方向を平行にした。製
造プロセスの精度のばらつきは実施例1と同程度であ
り、図9に示した様に、実施例2と同様両基板の位置が
約5μmだけ左右にずれたものもできた。この液晶表示
装置では、両基板のスペーサ部はセパレータの同一部分
を保持しない。
いて、両基板のスペーサ部の長手方向を平行にした。製
造プロセスの精度のばらつきは実施例1と同程度であ
り、図9に示した様に、実施例2と同様両基板の位置が
約5μmだけ左右にずれたものもできた。この液晶表示
装置では、両基板のスペーサ部はセパレータの同一部分
を保持しない。
【0033】表示特性を測定したところ、比較例1と同
様に表示面の各部分でばらつきが見られた。表示の均一
性を観察したところ、表示むらが見られた。実施例1と
同様の衝撃試験を行うと、表示むらはより顕著になっ
た。
様に表示面の各部分でばらつきが見られた。表示の均一
性を観察したところ、表示むらが見られた。実施例1と
同様の衝撃試験を行うと、表示むらはより顕著になっ
た。
【0034】以上の様に、スペーサ部の長手方向の向き
を実施例1から変えたことにより、製造プロセスの精度
低下が生じると両基板のスペーサ部がセパレータの同一
部分を保持しない液晶表示装置が発生し、表示の均一性
や耐衝撃性が低下した。
を実施例1から変えたことにより、製造プロセスの精度
低下が生じると両基板のスペーサ部がセパレータの同一
部分を保持しない液晶表示装置が発生し、表示の均一性
や耐衝撃性が低下した。
【0035】
【発明の効果】本発明に基づく施策を行うことにより、
視差を解消した高コントラスト比の2層直交GH方式を
実現でき、かつ表示を均一にし、衝撃にも強い液晶表示
装置が得られる。
視差を解消した高コントラスト比の2層直交GH方式を
実現でき、かつ表示を均一にし、衝撃にも強い液晶表示
装置が得られる。
【図1】本発明の実施例である液晶表示装置の透視図で
ある。
ある。
【図2】本発明の液晶表示装置の製造過程の一部を示す
図である。
図である。
【図3】基板法線方向から見た本発明の液晶表示装置を
示す図である。
示す図である。
【図4】(a),(b)は本発明の液晶表示装置の反射率
の印加電圧依存性を示す特性図である。
の印加電圧依存性を示す特性図である。
【図5】比較例1の液晶表示装置の断面図である。
【図6】比較例1の液晶表示装置に応力が加えられた場
合の状態を示す図である。
合の状態を示す図である。
【図7】(a),(b)は実施例2の液晶表示装置の表示
部の拡大図である。
部の拡大図である。
【図8】(a),(b)は比較例1の液晶表示装置の表示
部の拡大図である。
部の拡大図である。
【図9】(a),(b)は比較例2の液晶表示装置の表示
部の拡大図である。
部の拡大図である。
11…第一の基板、12…第二の基板、13…カラーフ
ィルタ、14…平坦化層、15…アクティブ素子、16
…反射電極、17…共通電極、18…第一の配向膜、1
9…第二の配向膜、20…セパレータ、21…第一の液
晶層、22…第二の液晶層、23…絶縁層、31…光反
応性有機高分子、32…フォトマスク、33…未反応
部、34…第一の基板のスペーサ部、35…第一の基板
のシール部、36…第二の基板のスペーサ部、37…第
二の基板のシール部、38…光配向性有機高分子、41
…第一の基板の封入口、42…第二の基板の封入口、4
5…第一の基板の液晶配向方向、46…第二の基板の液
晶配向方向、47…第一の基板の配向処理時の直線偏光
振動方向、48…第二の基板の配向処理時の直線偏光振
動方向。
ィルタ、14…平坦化層、15…アクティブ素子、16
…反射電極、17…共通電極、18…第一の配向膜、1
9…第二の配向膜、20…セパレータ、21…第一の液
晶層、22…第二の液晶層、23…絶縁層、31…光反
応性有機高分子、32…フォトマスク、33…未反応
部、34…第一の基板のスペーサ部、35…第一の基板
のシール部、36…第二の基板のスペーサ部、37…第
二の基板のシール部、38…光配向性有機高分子、41
…第一の基板の封入口、42…第二の基板の封入口、4
5…第一の基板の液晶配向方向、46…第二の基板の液
晶配向方向、47…第一の基板の配向処理時の直線偏光
振動方向、48…第二の基板の配向処理時の直線偏光振
動方向。
Claims (5)
- 【請求項1】対向して配置された一対の基板と、その一
対の基板に挟持されたセパレータと、第一の基板とセパ
レータに挟持された第一の液晶層と、第二の基板とセパ
レータに挟持された第二の液晶層と、第一の基板とセパ
レータとの間隔を保持する様に形成された第一のスペー
サと、第二の基板とセパレータとの間隔を保持する様に
形成された第二のスペーサと、第一の基板とセパレータ
との対向面端部に形成された第一のシール部と、第二の
基板とセパレータとの対向面端部に形成された第二のシ
ール部からなり、第一のスペーサと第二のスペーサの分
布が一致し、第一のシール部と第二のシール部の分布が
一致する液晶表示装置。 - 【請求項2】対向して配置された一対の基板と、その一
対の基板に挟持されたセパレータと、第一の基板とセパ
レータに挟持された第一の液晶層と、第二の基板とセパ
レータに挟持された第二の液晶層と、第一の基板とセパ
レータとの間隔を保持する様に形成された第一のスペー
サと、第二の基板とセパレータとの間隔を保持する様に
形成された第二のスペーサと、第一の基板とセパレータ
との対向面端部に形成された第一のシール部と、第二の
基板とセパレータとの対向面端部に形成された第二のシ
ール部からなり、第一のスペーサと第二のスペーサがセ
パレータの同一部分を保持し、第一のシール部と第二の
シール部がセパレータの同一部分を保持する液晶表示装
置。 - 【請求項3】請求項1と2記載の液晶表示装置におい
て、第一のスペーサと第二のスペーサの形状が棒状であ
り、かつその長手方向が異なる液晶表示装置。 - 【請求項4】請求項3の液晶表示装置において、第一の
スペーサと第二のスペーサの形状が棒状であり、かつそ
の長手方向が直交する液晶表示装置。 - 【請求項5】請求項1ないし3記載の液晶表示装置にお
いて、第一の液晶層の配向方向が第一のスペーサの棒状
形状の長手方向に一致し、第二の液晶層の配向方向が第
二のスペーサの棒状形状の長手方向に一致する液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34466597A JPH11174487A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34466597A JPH11174487A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11174487A true JPH11174487A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18371041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34466597A Pending JPH11174487A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11174487A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100801209B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2008-02-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정표시장치 |
JP2013167902A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-08-29 | Japan Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
US8994908B2 (en) | 2009-07-08 | 2015-03-31 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
JP2017102491A (ja) * | 2017-03-13 | 2017-06-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
US10379404B2 (en) | 2012-03-06 | 2019-08-13 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device, manufacturing method of the same and electronic equipment |
-
1997
- 1997-12-15 JP JP34466597A patent/JPH11174487A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100801209B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2008-02-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정표시장치 |
US8994908B2 (en) | 2009-07-08 | 2015-03-31 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
US9417485B2 (en) | 2009-07-08 | 2016-08-16 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
US10379404B2 (en) | 2012-03-06 | 2019-08-13 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device, manufacturing method of the same and electronic equipment |
US10962842B2 (en) | 2012-03-06 | 2021-03-30 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
US11397355B2 (en) | 2012-03-06 | 2022-07-26 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
US11774806B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-10-03 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
JP2013167902A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-08-29 | Japan Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2017102491A (ja) * | 2017-03-13 | 2017-06-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
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