WO2012086666A1

WO2012086666A1 - 液晶パネルおよび液晶表示装置

Info

Publication number: WO2012086666A1
Application number: PCT/JP2011/079589
Authority: WO
Inventors: 洋典岩田; 雄一川平; 村田　充弘; 松本　俊寛
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2010-12-22
Filing date: 2011-12-21
Publication date: 2012-06-28

Abstract

液晶パネル（２）の基板（１０）は絶縁層（１３）を挟んで下層側の共通電極（１２）と上層側の画素電極（１４）とを備え、基板（２０）は共通電極（２２）を備えている。共通電極（１２・２２）はスリット電極である。共通電極（２２）の枝電極（２２ａ_２）は、平面視で画素電極（１４）の枝電極（１４ａ_２）間にのみ配置され、その電極幅（Ｌ３）は枝電極（１４ａ_２）間の電極間隔（Ｓ１）の８５％以下である。

Description

液晶パネルおよび液晶表示装置

　本発明は液晶パネルおよび液晶表示装置に関するものであり、より詳しくは、電圧無印加時に液晶分子が基板垂直方向に配向する垂直配向型の液晶セルに斜め電界を印加することで光の透過を制御する液晶パネルおよび該液晶パネルを備えた液晶表示装置に関するものである。

　液晶表示装置は、各種表示装置のなかでも薄型で軽量かつ消費電力が小さいといった利点を有している。このため、近年、ＣＲＴ（陰極線管）に代わって、ＴＶ（テレビション）、モニタ、携帯電話等のモバイル機器等の様々な分野で広く用いられている。

　液晶表示装置の表示方式は、液晶セル内で液晶をどのように配列させるかによって決定される。液晶表示装置の表示方式としては、各種表示方式が知られている。

　そのなかの一つとして、画素構成が単純で、かつ、優れた視野角特性を有し、垂直配向による高コントラスト性を得ることができる表示方式として、電界無印加時に液晶分子が基板に垂直方向に配向する垂直配向型の液晶セルを使用し、同一基板上に形成された第１電極および第２電極に電圧を印加して電位差を与えることで生じる電気場によって液晶分子を再配列させて表示を行う表示方式が知られている。

　以下に、このように同一基板上に形成された第１電極と第２電極との間に生じる横向きの電界（横電界）により表示を行ういわゆる横電界駆動方式を用いた垂直配向型の液晶パネルにおける典型的なセル構成について説明する。

　図２１は、このように垂直配向型の液晶セルに横電界を印加する表示方式を用いた典型的な液晶パネルにおける液晶セル内の液晶分子のダイレクタ分布を模式的に示す図である。

　図２１に示すように、上記表示方式を用いた液晶パネル１００における液晶セル１０５は、典型的には、一対の基板１１０・１２０間に、誘電率異方性が正の液晶層１３０が挟持され、一方の基板１１０は、ガラス基板１１１上に、ベタ状の共通電極１１２（対向電極）、絶縁層１１３、櫛歯状の画素電極１１４、配向膜１１５がこの順に設けられ、他方の基板１２０は、ガラス基板１２１上に、配向膜１２２が設けられた構成を有している。

　配向膜１１５・１２２には、電界無印加時に液晶分子１３１を基板１１０・１２０に垂直方向に配向させる垂直配向膜が使用される。

　なお、上記したように、一方の基板１１０は、同一基板上に対の電極が絶縁層を介して設けられる、いわゆるＦＦＳモードの表示方式を用いた液晶パネルにおける電極基板（アレイ基板）の電極構成に類似の構成を有している。

　したがって、以下、このような構成を有する対の電極をＦＦＳ構造の電極と称し、このような構成を有する基板をＦＦＳ構造の基板と称する。また、このような構成を有する液晶パネルを、ＦＦＳ構造の液晶パネルと称する。

　但し、ここで言うＦＦＳ構造の液晶パネルは、電極構成に上記したようにＦＦＳ構造を採用しているにすぎず、いわゆるＦＦＳモードの液晶パネルとは異なるものである。

　上記したように横電界駆動方式を用いた垂直配向型の液晶パネル１００においては、図２１に示すように、対となる共通電極１１２と画素電極１１４との間に横電界（この場合は斜め横向きの電界）を印加することで、液晶分子１３１のダイレクタ分布が、櫛歯電極である画素電極１１４における電極ラインである枝電極１１４ａ_２の中央部分を中心に対称構造を有し、液晶セル１０５内に弓なり状（ベンド状）の液晶配向分布が形成される。

　このため、液晶分子１３１が、電源ＯＦＦ時は上記したように垂直配向し、電源ＯＮ時には、自己ダイレクタが電極ラインである枝電極１１４ａ_２の中央部分を中心に相殺補償するように配列する。

　このため、上記表示方式は、ベンド配向に基づく高速応答性、自己ダイレクタの相殺補償型配列による広視野角、垂直配向に起因する高コントラストを実現することができる。

　また、上記したようにＦＦＳ構造の電極を用いた液晶パネル１００では、画素電極１１４と共通電極１１２とが絶縁層１１３を挟んで設けられており、両電極間の電極間隔が小さいため、低電圧で強い電界が発生し、櫛歯状の画素電極１１４付近の液晶分子１３１が応答するために、低電圧化が可能である。

　しかしながら、このような液晶パネル１００では、アレイ基板である一方の基板１１０に設けられた対の電極間のみで電界を発生させる。

　このため、このような液晶パネル１００は、電界の弱い、対向基板である他方の基板１２０の近傍や櫛歯状の画素電極１１４における電極ライン間の中心部分における液晶分子１３１が応答し難く、高い透過率が得られ難いという問題点を有している。

　これに対し、横電界駆動方式を用いた垂直配向型の液晶パネルにおいて対向基板側にも電極を設けた例として、例えば、特許文献１に記載の液晶パネルが知られている。

　図２２は、特許文献１に記載の液晶パネルの概略構成を示す断面図である。

　図２２に示す液晶パネル２００は、下側基板２０１上に、面形電極２０２、絶縁膜２０３、線形電極２０４がこの順に形成され、上側基板２１１上に、開口部２１３（スリット）を有する上部電極２１２が形成された構成を有している。

　なお、図２２では、配向膜および液晶層の図示は省略しているが、図２１に示す液晶パネル１００同様、下側基板２０１および上側基板２１１における互いの対向面にそれぞれ垂直配向膜が設けられているとともに、これら下側基板２０１と上側基板２１１とで誘電率異方性が正の液晶層が挟持された構成を有している。

　面形電極２０２は、一定の幅を有し、横方向に長く形成されている。線形電極２０４は、面形電極２０２よりも狭い幅を有し、絶縁膜２０３上には、多数の線形電極２０４が、互いに平行に形成されている。面形電極２０２は、線形電極２０４と少なくとも一部分が重畳しており、線形電極２０４間で連続的な面を有している。

　なお、図２２に示す液晶表示装置では、線形電極２０４間の中央真上に、上部電極２１２の開口部２１３が形成されている。

　このように、特許文献１では、対向基板である上側基板２１１上に、透明電極からなる上部電極２１２を配置して電気場を大きくすることで、高速応答化を図っている。

日本国公開特許公報「特開平１１－３１６３８３号公報（１９９９年１１月１６日公開）」

　しかしながら、特許文献１に記載の液晶パネル２００は、線形電極１０４近傍および上部電極２１２の開口部２１３近傍以外の領域では、縦電界成分が大きくなり、それらの領域では垂直配向した誘電率異方性が正の液晶は応答しない。このため、上記液晶パネル２００でも、高い透過率を得ることはできない。

　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、液晶パネルにおける液晶分子の応答性を向上させて高透過率化を実現することにある。

　本願発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、電極構造を工夫することで、液晶分子の応答性を向上させ、高透過率化を実現することができることを見出して本発明を完成させるに至った。

　ここで、液晶分子の応答性とは、応答速度ではなく、液晶分子が初期の配向状態から電界によりいかに大きく回転できるかを示す。

　すなわち、本発明は、電極構造を工夫して液晶分子がより回転できるような電界分布を作り出すことで、高透過率化を実現するものである。

　本発明にかかる液晶パネルは、上記の課題を解決するために、互いに対向配置された第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板と第２の基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記第１の基板は、絶縁層を挟んで下層側に設けられた共通電極および上層側に設けられた画素電極を備え、上記第１の基板および第２の基板における互いの対向面に、電界無印加時に上記液晶層における液晶分子を上記各基板に垂直に配向させる垂直配向膜が設けられた液晶パネルであって、上記第２の基板に、さらに共通電極が設けられており、上記画素電極および第２の基板に設けられた共通電極は、それぞれ、幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極であり、上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記第２の基板に設けられた共通電極における各枝電極は、上記画素電極における枝電極とは重畳せず、上記画素電極における隣り合う枝電極間にのみ配置されており、上記第２の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であり、上記液晶層が、上記画素電極と上記第１の基板および第２の基板にそれぞれ設けられた各共通電極との間に発生する電界で駆動されることを特徴としている。

　本発明によれば、上記構成とすることで、各共通電極と画素電極との間で発生する斜め電界により、液晶分子の応答性を向上させ、高透過率化を実現することができる。

　また、本発明にかかる液晶パネルは、上記の課題を解決するために、互いに対向配置された第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板と第２の基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記第１の基板は、絶縁層を挟んで下層側に設けられた共通電極および上層側に設けられた画素電極を備え、上記第１の基板および第２の基板における互いの対向面に、電界無印加時に上記液晶層における液晶分子を上記各基板に垂直に配向させる垂直配向膜が設けられた液晶パネルであって、上記画素電極および共通電極は、それぞれ、幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極であり、上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記共通電極における枝電極が、上記画素電極における隣り合う枝電極間および上記画素電極における枝電極の真下に配置されており、上記共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であり、上記液晶層が、上記第１の基板にそれぞれ設けられた画素電極と共通電極との間に発生する電界で駆動されることを特徴としている。

　本発明によれば、上記構成とすることで、第２の基板に電極を設けない場合であっても、上記共通電極と画素電極との間で発生する斜め電界により、液晶分子の応答性を向上させ、高透過率化を実現することができる。

　また、本発明にかかる液晶表示装置は、上述した何れかの液晶パネルを備えている。

　したがって、本発明によれば、従来よりも液晶分子の応答性が向上された、高透過率の液晶表示装置を提供することができる。

　上記したように、第１の基板に設けられた共通電極とは別に、第２の基板に、幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極からなる共通電極を、その枝電極が、第１の基板に設けられた画素電極における枝電極と重畳しないように配置するとともに、上記第２の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅を、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下とすることで、各共通電極と画素電極との間で発生する斜め電界により、液晶分子の応答性を向上させ、液晶パネルおよび液晶表示装置の高透過率化を実現することができる。

　また、上記したように、第１の基板に、それぞれ幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極からなる画素電極および共通電極が設けられ、各基板に垂直な方向から見たときに、上記共通電極における枝電極が、上記画素電極における隣り合う枝電極間および上記画素電極における枝電極の真下に配置されており、上記共通電極における枝電極の電極幅が、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下である場合にも、上記共通電極と画素電極との間で発生する斜め電界により、液晶分子の応答性を向上させ、液晶パネルおよび液晶表示装置の高透過率化を実現することができる。

本発明の実施の形態１にかかる液晶パネルにおける液晶セルの概略構成を、斜め電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置の概略構成を模式的に示す分解断面図である。本発明の実施の形態１にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ｃ）は、対向基板側電極の概略構成の一例を示す平面図である。図１に示す液晶セルにおける各電極への電圧印加条件の一例を示す図である。実施例１におけるシミュレーションで、図４において画素電極に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子のダイレクタ分布、等電位曲線を示す図である。本発明の実施の形態１にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ｃ）は、対向基板側電極の概略構成の他の例を示す平面図である。本発明の実施の形態２にかかる液晶パネルにおける液晶セルの概略構成を、斜め電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。本発明の実施の形態２にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ｃ）は、対向基板側電極の概略構成の一例を示す平面図である。（ａ）は、図７に示す液晶セルにおける各電極への電圧印加条件を示す図であり、（ｂ）は、実施例６におけるシミュレーションで、（ａ）において画素電極に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子のダイレクタ分布、等電位曲線を示す図である。本発明の実施の形態２にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ｃ）は、対向基板側電極の概略構成の他の例を示す平面図である。本発明の実施の形態３にかかる液晶パネルにおける液晶セルの概略構成を、斜め電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。本発明の実施の形態３にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成を示す平面図であり、（ｃ）は、対向基板側電極の概略構成の一例を示す平面図である。（ａ）は、図１１に示す液晶セルにおける各電極への電圧印加条件を示す図であり、（ｂ）は、実施例８におけるシミュレーションで、（ａ）において画素電極に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子のダイレクタ分布、等電位曲線を示す図である。本発明の実施の形態３にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成を示す平面図であり、（ｃ）は、対向基板側電極の概略構成の他の例を示す平面図である。本発明の実施の形態４にかかる液晶パネルにおける液晶セルの概略構成を、斜め電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。本発明の実施の形態４にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の一例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成の一例を示す平面図である。（ａ）は、図１５に示す液晶セルにおける各電極への電圧印加条件を示す図であり、（ｂ）は、実施例１１におけるシミュレーションで、（ａ）において画素電極に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子のダイレクタ分布、等電位曲線を示す図である。本発明の実施の形態４にかかる液晶セルにおける各電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ａ）はアレイ基板における上層電極の概略構成の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は、アレイ基板における下層電極の概略構成の他の例を示す平面図である。開口率と電極間隔Ｓ１との関係を示すグラフである。実質透過率と電極間隔Ｓ１との関係を示すグラフである。垂直配向型の液晶セルに横電界を印加する表示方式を用いた典型的な液晶パネルにおける液晶セル内の液晶分子のダイレクタ分布を模式的に示す図である。特許文献１に記載の液晶パネルの概略構成を示す断面図である。（ａ）は、図２１に示す液晶セルにおける各電極への電圧印加条件を示す図であり、（ｂ）は、上記シミュレーションで、（ａ）において画素電極に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子のダイレクタ分布、等電位曲線を示す図である。比較例２のシミュレーションで、図４において画素電極に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子のダイレクタ分布、等電位曲線を示す図である。図２２に示す構成を有するモデルを用いたシミュレーションで、線形電極および上部電極にそれぞれ室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子のダイレクタ分布、等電位曲線を示す図である。

　以下に、本発明について詳細に説明する。

　〔実施の形態１〕
　本発明の実施の一形態について図１乃至図６の（ａ）～（ｃ）、および図２１～図２４に基づいて説明すれば以下の通りである。

　＜液晶表示装置の概略構成＞
　まず、本実施の形態にかかる液晶表示装置の全体の概略構成について説明する。

　図２は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の概略構成を模式的に示す分解断面図である。

　本実施の形態にかかる液晶表示装置１は、図２に示すように、液晶パネル２（液晶表示パネル、液晶表示素子）、液晶パネル２を駆動する駆動回路３、液晶パネル２の背面側に設けられ、液晶パネル２の背面側から液晶パネル２に光を照射するバックライト４（照明装置）を備えている。

　なお、駆動回路３およびバックライト４の構成は従来と同じである。したがって、これらの構成については、その説明を省略する。

　＜液晶パネル２の概略構成＞
　次に、上記液晶パネル２の全体の概略構成について説明する。

　図２に示すように、液晶パネル２は、液晶セル５と、偏光板６・７と、必要に応じて位相差板８・９と、を備えている。液晶パネル２は、液晶セル５に、偏光板６・７および必要に応じて位相差板８・９を貼り合わせることにより形成される。

　偏光板６・７は、基板１０・２０における液晶層３０との対向面とは反対側の面にそれぞれ設けられる。また、位相差板８・９は、図２に示すように、例えば、基板１０・２０と偏光板６・７との間に、必要に応じて設けられる。なお、位相差板８・９は、液晶パネル２の一方の面にのみ設けられていてもよい。また、正面透過光のみを利用する表示装置の場合には、位相差板８・９は必ずしも必須ではない。

　偏光板６・７は、例えば、偏光板６・７の透過軸が互いに直交し、かつ、液晶セル５に設けられたスリットを有する電極における、スリットを介して隣り合う各電極部（枝電極）がそれぞれ延伸される方向と偏光板６・７の透過軸とが４５゜の角度をなすように配置される。

　液晶パネル２は、横電界駆動方式として斜め横電界（以下、単に「斜め電界」と記す）を用いて駆動を行う垂直配向型の液晶パネルである。液晶パネル２は、電界無印加時に、液晶セル５において液晶分子が基板面に垂直に配向するとともに、互いに対向して設けられた対の基板のうち少なくとも一方の基板に対の電極として下層電極および上層電極を備え、これら対の電極間に斜め横方向に発生する斜め電界によって駆動される。なお、上記「垂直」には、「略垂直」も含まれる。

　以下に、液晶セル５の概略構成について説明する。

　＜液晶セル５の概略構成＞
　図１は、本実施の形態にかかる液晶パネル２における液晶セル５の要部の概略構成を、横電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。

　図１に示すように、液晶セル５は、アレイ基板（電極基板）および対向基板として、互いに対向して配置された一対の基板１０・２０を備えている。これら基板１０・２０間には、表示用の媒質層として液晶層３０が挟持されている。

　これら基板１０・２０のうち少なくとも一方の基板、つまり、少なくとも観察者側の基板は、絶縁基板（液晶層保持部材、ベース基板）として、ガラス基板等の透光性基板、好適には透明基板、を備えている。以下、本実施の形態では、絶縁基板として、それぞれガラス基板を用いた場合を例に挙げて説明するが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

　また、以下の説明では、表示面側（観察者側）の基板を上側の基板とし、他方の基板を下側の基板として説明するとともに、下側の基板１０としてアレイ基板を使用し、上側の基板２０として対向基板を使用した場合を例に挙げて説明する。

　しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、対向基板を下側の基板とし、アレイ基板を上側の基板としても構わない。

　次に、液晶セル５における各構成について説明する。

　＜基板１０＞
　基板１０（第１の基板）は上記したようにアレイ基板である。上記基板１０としては、例えば、図示しないスイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたＴＦＴ基板等を用いることができる。

　基板１０は、図１に示すように、例えば、ガラス基板１１上に、共通電極１２（下層電極、第１の共通電極（対向電極）、第１の電極）、絶縁層１３（アレイ側絶縁層）、画素電極１４（上層電極、第２の電極）、配向膜１５が、この順に積層された構成を有している。

　対の電極である共通電極１２および画素電極１４は、それぞれ、スリット（スペース部）を有する電極であり、パターン化された電極部（電極ライン）とスペース部（電極非形成部）とを有している。なお、共通電極１２および画素電極１４の構造（形状）については、後で詳述する。

　絶縁層１３は、共通電極１２を覆うように、基板１０における表示領域全体にベタ状に形成されている。

　配向膜１５は、電界無印加時に液晶層３０の液晶分子３１を基板面に垂直に配向させるいわゆる垂直配向膜である。配向膜１５は、画素電極１４を覆うように、絶縁層１３上にベタ状に形成されている。

　＜基板２０＞
　基板２０（第２の基板）は対向基板である。基板２０は、図１に示すように、例えば、ガラス基板２１上に、共通電極２２（対向基板側電極、第２の共通電極（対向電極）、第３の電極）、配向膜２３が設けられた構成を有している。

　共通電極２２は、共通電極１２および画素電極１４と同様に、スリット（スペース部）を有する電極であり、パターン化された電極部（電極ライン）とスペース部（電極非形成部）とを有している。

　なお、画素電極１４および共通電極１２・２２の電極構成については後で詳述する。

　配向膜２３は、配向膜１５同様、いわゆる垂直配向膜である。配向膜１５が、基板１０における表示領域全体にベタ状に形成されているのと同様に、配向膜２３は、基板２０における表示領域全体にベタ状に形成されている。

　なお、図１では、共通電極２２がガラス基板２１に接触して設けられている場合を例に挙げて図示しているが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

　例えば、ガラス基板２１と共通電極２２との間に、必要に応じて、図示しない、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等の各色のカラーフィルタおよびブラックマトリクス等が設けられていてもよい。すなわち、上記基板２０は、図示しないカラーフィルタが設けられたカラーフィルタ基板であってもよい。

　また、基板１０・２０が、図示しないアンダーコート膜やオーバーコート膜等を備えていてもよいことは言うまでも無い。

　＜液晶層３０＞
　上記液晶パネル２における液晶セル５は、例えば、上記基板１０と基板２０とを、スペーサ（図示せず）を介してシール剤（図示せず）によって貼り合わせ、両基板１０・２０間の空隙に、液晶材料を含む媒質を封入することにより形成される。

　上記液晶材料は、ｐ（ポジ）型の液晶材料であってもよく、ｎ（ネガ）型の液晶材料であってもよい。

　なお、本実施形態では、主に、図１並びに後述する実験例に示すように、上記液晶材料として、ｐ型の液晶材料を用いた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記液晶材料としてｎ型の液晶材料を用いた場合であっても、ｐ型の液晶材料を用いた場合と同様の原理により、同様の結果を得ることができる。

　本実施形態において、ｐ型液晶材料としては、例えばｐ型ネマチック液晶材料を用いることができる。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

　上記液晶パネル２および液晶表示装置１は、電界の印加により、液晶セル５内に電界強度の分布を形成し、液晶材料のベンド配列を実現するものである。本実施の形態では、屈折率異方性Δｎの大きな液晶材料や誘電率異方性Δεの大きな液晶材料が好適に使用される。このようなｐ型液晶材料としては、ＣＮ（シアノ）系液晶材料（カイラルネマチック系液晶材料）の他、Ｆ（フッ素）系液晶材料が挙げられる。

　＜基板１０・２０における各層の材料並びにその形成方法＞
　次に、上記基板１０・２０における各層の材料並びにその形成方法の一例について説明する。但し、以下に示す各構成要素の寸法、材質、形状、並びに、その相対配置等はあくまで一実施形態に過ぎず、これらによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。

　共通電極１２・２２および画素電極１４には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）等の透明電極材料が好適に用いられる。但し、上記したように基板１０を背面側の基板として用いる場合、共通電極１２および画素電極１４は、必ずしも透明電極である必要はなく、アルミニウム等の金属電極からなっていてもよい。同様に、基板２０を背面側の基板として用いる場合、共通電極２２は、必ずしも透明電極である必要はなく、アルミニウム等の金属電極からなっていてもよい。また、これら電極は、互いに同じ電極材料にて形成されていてもよく、それぞれ異なる電極材料にて形成されていてもよい。

　これら電極を形成（積層）する方法は特に限定されるものではなく、スパッタリング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法等、従来公知の各種方法を適用することができる。また、画素電極１４および共通電極１２をパターン形成する方法も特に限定されるものではなく、フォトリソグラフィ等の公知のパターニング方法を用いることができる。

　これら電極の膜厚は特に限定されるものではないが、好適には１００Å～２０００Åの範囲内において設定される。

　また、絶縁層１３としては、例えば、後述する窒化シリコン（ＳｉＮ）（比誘電率ε＝６．９）等の無機絶縁材料からなる無機絶縁膜を用いることができる。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、アクリル系樹脂（例えば比誘電率ε＝３．７）等の有機絶縁材料からなる有機絶縁膜を用いても構わない。

　絶縁層１３の膜厚は、絶縁層１３の種類（例えば無機絶縁膜であるか有機絶縁膜であるか等）にもよるが、例えば、１０００Å～３００００Åの範囲内において設定される。

　絶縁層１３の膜厚は、絶縁層１３の種類に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではないが、薄い方が、液晶分子３１がよく動くとともに、液晶パネル２の薄型化を図ることができることから好ましい。但し、格子欠陥による絶縁性不良および膜厚ムラの防止の観点からは、絶縁層１３の膜厚は、１０００Å以上であることが好ましい。

　絶縁層１３を形成（積層）する方法は、特に限定されるものではなく、スパッタリング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ、塗布等、用いる絶縁材料等に応じて、従来公知の各種方法を適用することができる。

　また、配向膜１５は、例えば、絶縁層１３上に、画素電極１４を覆うように、垂直配向規制力を有する配向膜材料を塗布することで形成することができる。また、配向膜２３は、例えば、共通電極２２上に、該共通電極２２を覆うように、垂直配向規制力を有する配向膜材料を塗布することで形成することができる。

　＜画素電極１４および共通電極１２・２２の電極構成＞
　前記したように、共通電極１２・２２および画素電極１４は、それぞれ、スリット（スペース部）を有するスリット電極であり、パターン化された電極部（電極ライン）とスペース部（電極非形成部）とを有している。

　図３の（ａ）～（ｃ）は、順に、図１に示す液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２、対向基板側電極である共通電極２２の概略構成を示す平面図である。

　以下、本実施の形態では、図３の（ａ）～（ｃ）に示すように、共通電極１２・２２および画素電極１４として、それぞれ、櫛歯状構造を有する、いわゆる櫛歯電極を用いた場合を例に挙げて説明するものとするが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

　図１および図３の（ａ）に示すように、画素電極１４は、パターン化された電極部１４ａとスペース部１４ｂ（スリット）とを有する櫛歯電極であり、より具体的には、幹電極１４ａ_１（幹ライン）と、櫛歯の歯にあたる、幹電極１４ａ_１から延びる枝電極１４ａ_２（分岐ライン）とで構成されており、枝電極１４ａ_２が、スペース部１４ｂを挟んで一定の間隔で設けられた構成を有している。

　なお、図１では、画素電極１４の電極部１４ａの断面として、枝電極１４ａ_２の断面が図示されている。

　また、図１および図３の（ｂ）に示すように、共通電極１２は、パターン化された電極部１２ａとスペース部１２ｂとを有する櫛歯電極であり、より具体的には、幹電極１２ａ_１（幹ライン）と、櫛歯の歯にあたる、幹電極１２ａ_１から延びる枝電極１２ａ_２（分岐ライン）とで構成されている。なお、図１では、共通電極１２の電極部１２ａの断面として、枝電極１２ａ_２の断面が図示されている。

　図１および図３の（ｃ）に示すように、共通電極２２は、パターン化された電極部２２ａとスペース部２２ｂとを有する櫛歯電極であり、より具体的には、幹電極２２ａ_１（幹ライン）と、櫛歯の歯にあたる、幹電極２２ａ_１から延びる枝電極２２ａ_２（分岐ライン）とで構成されている。なお、図１では、共通電極２２の電極部２２ａの断面として、枝電極２２ａ_２の断面が図示されている。

　本実施の形態では、画素電極１４の電極部１４ａ（特に枝電極１４ａ_２）は、共通電極１２のスペース部１２ｂの中央の真上（開口部中央の真上）に配置されている。言い換えれば、共通電極１２の電極部１２ａ（特に枝電極１２ａ_２）は、画素電極１４のスペース部１４ｂの中央の真下（開口部中央の真下）に配置されている。

　画素電極１４の電極部１４ａと共通電極１２の電極部１２ａ（特に枝電極１２ａ_２）とは、互いに重畳しない位置並びに大きさに形成されている。

　また、共通電極２２の電極部２２ａ（特に枝電極２２ａ_２）は、画素電極１４のスペース部１４ｂの中央の真上（開口部中央の真上）に配置されており、画素電極１４の電極部１４ａ（特に枝電極１４ａ_２）とは重畳しない位置並びに大きさに形成されている。

　すなわち、本実施の形態では、共通電極２２の電極部２２ａ（特に枝電極２２ａ_２）は、基板１０に設けられた共通電極１２の電極部１２ａ（特に枝電極１２ａ_２）に重畳して設けられている。

　なお、１つの画素内に設けられる共通電極１２・２２および画素電極１４の歯（つまり、電極部１２ａ・２２ａ・１４ａを構成する各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２・１４ａ_２）の数は特に限定されず、画素ピッチと、共通電極１２・２２および画素電極１４における各Ｌ／Ｓとの関係等において決定される。

　ここで、Ｌは、ライン電極の電極幅であり、各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２・１４ａ_２の電極幅を示す。

　また、Ｓは、電極間隔であり、隣り合う枝電極１２ａ_２・１２ａ_２間の電極間隔、または隣り合う枝電極２２ａ_２・２２ａ_２間の電極間隔、または隣り合う枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の電極間隔を示す。すなわち、Ｓは、スペース部１２ｂ・２２ｂ・１４ｂの幅を示す。

　例えば、画素ピッチがＰμｍであり、画素電極１４の電極幅Ｌ（すなわち、電極ラインとなる各枝電極１４ａ_２の幅）がＬμｍ、電極間隔Ｓ（すなわち、スペースとなる各枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の距離）がＳμｍであり、枝電極１４ａ_２の本数をＸとすると、Ｌ×Ｘ＋Ｓ×（Ｘ＋１）＝Ｐを満足するように、各パラメータが決定される。

　なお、以下、説明の便宜上、図１および図３の（ａ）～（ｃ）に示すように、枝電極１４ａ_２の電極幅ＬをＬ１とし、隣り合う枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の電極間隔ＳをＳ１とし、枝電極１２ａ_２の電極幅ＬをＬ２とし、隣り合う枝電極１２ａ_２・１２ａ_２間の電極間隔ＳをＳ２とし、枝電極２２ａ_２の電極幅ＬをＬ３とし、隣り合う枝電極２２ａ_２・２２ａ_２間の電極間隔ＳをＳ３とする。

　本実施の形態では、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％とすると、上下の各基板に形成された共通電極１２・２２における枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の電極幅Ｌ２・Ｌ３が、それぞれ、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下（つまり、Ｌ２＜０．８５×Ｓ１、Ｌ３＜０．８５×Ｓ１）となるように設定されている。

　例えば、電極間隔Ｓ１が１０μｍであるとすると、電極幅Ｌ２・Ｌ３は、８．５μｍ以下に設定される。

　なお、本実施の形態において、Ｓ２、Ｓ３は、それぞれＳ２＝（Ｓ１－Ｌ２）＋Ｌ１、Ｓ３＝（Ｓ１－Ｌ３）＋Ｌ１で示される。

　電極幅Ｌ１・Ｌ２・Ｌ３および電極間隔Ｓ１・Ｓ２・Ｓ３は、上記関係式を満足するものであれば、特に限定されるものではない。

　しかしながら、上記液晶パネル２において、表示原理上、画素電極１４の上部は液晶分子３１の傾きが小さく、光が透過しない。このため、電極幅Ｌ１は、小さければ小さいほど好ましい。

　現状では、作製できる最も小さな電極幅は技術的に２μｍとされている。このため、電極幅Ｌ１は、誤差を考慮して２μｍ～５μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ～３μｍの範囲内であることがより好ましく、２μｍ～２．６μｍの範囲内であることが特に好ましい。但し、将来的には、電極幅Ｌ１の下限は、この限りではない。

　一方、電極間隔Ｓ１は、特に限定されるものではないが、開口率の観点から、４μｍ以上、１２μｍ以下であることが好ましい。なお、電極間隔Ｓ１の好適な範囲については、後述する実施の形態で詳しく検証する。但し、後述する実施の形態に示すように、電極間隔Ｓ１は、例えば１２μｍを超えても十分な実質透過率を得ることができる。したがって、上記電極間隔Ｓ１は、上記範囲内とすることが好ましいが、上記範囲内にのみ限定されるものではない。

　また、上記したように電極幅Ｌ２・Ｌ３は電極間隔Ｓ１の８５％以下（但し、０％よりも大きいことは言うまでもない）に設定される。

　このとき、図１に示すように枝電極１４ａ_２の数と枝電極１２ａ_２の数と枝電極２２ａ_２の数とがそれぞれ等しい場合、画素ピッチをＰμｍ、枝電極１４ａ_２の本数（すなわち、枝電極１２ａ_２、枝電極２２ａ_２の各本数）をＸ、電極幅Ｌ２・Ｌ３および電極間隔Ｓ２・Ｓ３を、それぞれＬ２μｍ、Ｌ３μｍ、Ｓ２μｍ、Ｓ３μｍとすると、電極間隔Ｓ２・Ｓ３は、それぞれ、Ｌ２×Ｘ＋Ｓ２×（Ｘ＋１）＝Ｐ、Ｌ３×Ｘ＋Ｓ３×（Ｘ＋１）＝Ｐを満足するように決定される。

　但し、電極幅Ｌ２と電極幅Ｌ３とは、上記条件を満足していれば、必ずしも同じである必要はない。また、電極間隔Ｓ２と電極間隔Ｓ３とは、上記条件を満足していれば、必ずしも同じである必要はない。

　さらに言えば、枝電極１４ａ_２の本数と枝電極１２ａ_２の本数と枝電極２２ａ_２の本数とは、必ずしも同じである必要はなく、それぞれ独立して設定が可能である。

　なお、各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２・１４ａ_２は、それぞれ、直線状に形成されていてもよく、Ｖ字状あるいはジグザグ状に形成されていてもよい。

　＜液晶パネル２の表示方式＞
　次に、上記液晶パネル２の表示方式について説明する。

　本実施の形態にかかる液晶パネル２は、横電界（斜め電界）を用いて駆動を行う垂直配向型の液晶パネルである。

　液晶パネル２は、前記したように、基板１０・２０の表面に配向膜１５・２２として垂直配向膜が設けられた構成を有しており、電圧無印加時に、液晶分子３１の長軸方向が基板面に垂直なホメオトロピック配向を示している。

　このような液晶パネル２では、液晶分子３１が、電源ＯＦＦ時は垂直配向し、電源ＯＮ時には、自己ダイレクタが、画素電極１４における電極ラインである枝電極１４ａ_２の中央部分を中心に相殺補償するように配列する。

　このため、液晶パネル２は、横電界（斜め電界）駆動方式を用いた垂直配向型の液晶パネル特有の効果であるベンド配向に基づく高速応答性、自己ダイレクタの相殺補償型配列による広視野角、垂直配向に起因する高コントラストを実現することができる。

　また、上記液晶パネル２は、同一の基板に設けられた対の電極である画素電極１４と共通電極１２とが絶縁膜１３を挟んで設けられており、両電極間の電極間隔が小さいため、低電圧で強い電界が発生し、画素電極１４付近の液晶分子３１が応答するために、低電圧化が可能である。

　しかしながら、前記したように、同一の基板に設けられた対の電極間のみで電界を発生させた場合、電界の弱い対向基板近傍や櫛歯電極間の中心部分における液晶分子が応答し難く、高い透過率が得られ難い。

　そこで、本実施の形態では、図１に示すように、対向基板である基板２０上における、画素電極１４の開口部である枝電極１４ａ_２間のスペース部１４ｂの中央直上に相当する位置に、共通電極２２を設けている。

　本実施の形態において、画素電極１４は、図示しないドレイン電極で、信号線およびＴＦＴ等のスイッチング素子に接続されており、映像信号に応じた信号が印加される。また、共通電極１２と共通電極２２とは同電位に設定されている。

　図４は、液晶セル５における画素電極１４および共通電極１２・２２への電圧印加条件の一例を示す図である。

　本実施の形態では、図４に示すように、例えば、共通電極１２・２２を何れも０Ｖに設定し、画素電極１４に印加する電圧を変化させている。なお、後述する実施例に示すように、画素電極１４における各枝電極１４ａ_２には、何れも同じ電圧が印加される。

　液晶パネル２において、表示は、画素電極１４と共通電極１２・２２との間に電位差が与えられることで行われる。

　この電位差により、図１に示すように、画素電極１４と共通電極１２・２２との間に斜め電界が発生し、画素電極１４と共通電極１２・２２との間の電気力線が半円状に湾曲する。液晶分子３１は、液晶セル５内の電界強度分布、および界面からの束縛力に応じて配列する。

　このように、上記液晶パネル２においては、画素電極１４と共通電極１２・２２との間に発生する斜め電界により液晶分子３１を回転させることで、液晶パネル２を透過する光量を制御して表示が行われる。

　このように、本実施の形態では、基板２０上における、画素電極１４の開口部である枝電極１４ａ_２間のスペース部１４ｂの中央直上に相当する位置に、共通電極２２を設けることによって、共通電極２２と画素電極１４との間に斜め電界を発生させて電気場を大きくし、基板２０側の液晶分子３１が応答し易い構造とした。

　また、本実施の形態では、このとき、基板２０上に配置する共通電極２２は、櫛歯電極である画素電極１４とは重畳させず、上記したように枝電極１４ａ_２間のスペース部１４ｂの中央直上にのみ配置した。

　また、本願発明者らは、液晶パネル１００・２００のように下層電極が全面に形成されていると、櫛歯電極近傍で発生するフリンジ電界が斜め電界の発生を妨げ、液晶分子の応答性を悪化させることを見出した。

　このため、本実施の形態では、下層電極である共通電極１２をベタ状ではなく、スペース部１２ｂ（スリット）を有する構成とし、共通電極１２における枝電極１２ａ_２と画素電極１４における枝電極１４ａ_２との間で発生する斜め電界により液晶分子３１の応答性を向上させることで、高透過率化を実現した。

　このとき、特に、本実施の形態では、下層電極である共通電極１２を画素電極１４における枝電極１４ａ_２の間の中央真下にのみ設けた。

　このように、本実施の形態では、電極構造を工夫して液晶分子３１がより回転できるような電界分布を作り出すことで、高透過率化を実現した。

　また、本願発明者らは、上記したように液晶パネル２に三層の電極を設ける場合、各共通電極１２・２２における各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の幅が狭いほど上下の基板１０・２０間における、液晶分子３１が応答し難い領域が小さくなり、この結果、各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の幅が狭くなるに従って高い透過率を得ることができることを見出した。

　そして、特に、前記したように、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％とすると、上下の各基板に形成された共通電極１２・２２における枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の電極幅Ｌ２・Ｌ３が、それぞれ、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下であるとき高透過率化を実現できることが判った。

　＜実施例および比較例＞
　以下、実施例および比較例を用いて上記液晶パネル２の製造方法についてより具体的に説明するとともに、上記効果について、実験並びにシミュレーションにより立証を行う。

　〔実施例１〕
　まず、図１に示すように、ガラス基板１１上に、スパッタリング法により、下層電極として、ＩＴＯからなる櫛歯状の共通電極１２を、厚み＝１４００Å、電極幅Ｌ２＝２．５μｍ、電極間隔Ｓ２＝１０μｍにて形成した。

　次に、スパッタリング法により、上記共通電極１２の表面全面を覆うように、比誘電率ε＝６．９の窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜した。これにより、上記共通電極１２上に、上記ＳｉＮからなる、膜厚３０００Åの絶縁層１３（誘電体層）を形成した。

　続いて、上記絶縁層１３上に、上層電極として、ＩＴＯからなる櫛歯状の画素電極１４を、厚み＝１４００Å、電極幅Ｌ１＝２．５μｍ、電極間隔Ｓ＝１０μｍにて形成した。このとき、画素電極１４の各枝電極１４ａ_２が、共通電極１２の各枝電極１２ａ_２間の中央真上に位置するように上記画素電極１４を形成した。

　次いで、上記絶縁層１３上に、上記画素電極１４を覆うように、ＪＳＲ社製の配向膜塗料「ＪＡＬＳ－２０４」（商品名、固形分５ｗｔ．％、γ－ブチロラクトン溶液）を、スピンコート法にて塗布した。その後、２００℃にて２時間焼成することにより、上記絶縁層１３上に、垂直配向膜である配向膜１５が設けられた基板１０を形成した。

　一方、ガラス基板１１と同様のガラス基板２１上に、スパッタリング法により、対向基板側電極として、ＩＴＯからなる櫛歯状の共通電極２２を、厚み＝１４００Å、電極幅Ｌ２＝２．５μｍ、電極間隔Ｓ２＝１０μｍにて形成した。

　次いで、上記ガラス基板２１上に、上記共通電極２２を覆うように、配向膜１５と同じ材料、同じプロセスにて、配向膜２３を成膜することにより、基板２０を形成した。配向膜１５・２２の乾燥膜厚は何れも１０００Åであった。

　その後、上記基板１０・２０のうち一方の基板に、スペーサとして、直径３．７５μｍの樹脂ビーズ「ミクロパールＳＰ２０３７５」（商品名、積水化学工業株式会社製）を分散させた。一方、上記一方の基板に対峙する他方の基板上に、シール剤として、シール樹脂「ストラクトボンドＸＮ－２１Ｓ」（商品名、三井東圧化学工業株式会社製）を印刷した。

　次に、上記基板１０・２０を貼り合わせ、１３５℃で１時間焼成することにより、液晶セル５を作製した。

　その後、上記液晶セル５に、液晶材料として、メルク株式会社製のポジ型液晶材料（Δε＝２２、Δｎ＝０．１５）を真空注入法にて封入することにより、液晶層３０を形成した。

　続いて、上記液晶セル５の表裏面に、偏光板６・７を、偏光板６・７の透過軸が直交し、かつ各枝電極１２ａ_２・１４ａ_２・２２ａ_２が延伸される方向と偏光板６・７の透過軸とが４５゜の角度をなすように貼合した。これにより、図１に示す構成を有する液晶パネル２（液晶表示素子）を作製した。

　このようにして作製した液晶パネル２を、図２に示すようにバックライト４上に載置して駆動することにより、該液晶パネル２の正面の電圧－透過率変化（以下、「実測Ｔ」と記す）を、Ｔｏｐｃｏｎ社製の「ＢＭ５Ａ」で測定した。なお、実測Ｔにおける透過率は、液晶パネル２の輝度／バックライト４の輝度により求めた。

　一方、液晶パネル２として、図１に示すＦＦＳ構造を有するモデルを、上記実測と同じ条件で駆動したときの電圧－透過率変化（以下、「ＳｉｍＴ」と記す）を、シンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いてシミュレーションにより求めた。

　上記ＳｉｍＴ、実測Ｔ、画素電極１４の電極幅Ｌ１／電極間隔Ｓ１、共通電極１２の電極幅Ｌ２／電極間隔Ｓ２、共通電極２２の電極幅Ｌ３／電極間隔Ｓ３、画素電極１４の電極間隔Ｓ１に対する共通電極１２の電極幅Ｌ２の割合（百分率、以下「割合Ｘ２」と記す）、画素電極１４の電極間隔Ｓ１に対する共通電極２２の電極幅Ｌ３の割合（百分率、以下「割合Ｘ３」と記す）を表１に併せて示す。

　また、図５に、上記シミュレーションで、図４において画素電極１４に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子３１のダイレクタ分布、等電位曲線を示す。なお、本実施例では、図４に示すように、共通電極１２・２２は、０Ｖに設定している。

　〔比較例１〕
　まず、図２１に示すように、ガラス基板１１と同様のガラス基板１１１上に、共通電極１１２として、ＩＴＯからなるベタ状の電極を、スパッタ法にて、上記ガラス基板１１１の片面全面に渡って形成した。

　次に、スパッタリング法により、上記共通電極１１２の表面全面を覆うように、実施例１と同じ比誘電率ε＝６．９の窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜した。これにより、上記共通電極１１２上に、上記ＳｉＮからなる、膜厚３０００Åの絶縁層１１３（誘電体層）を形成した。

　続いて、上記絶縁層１１３上に、上層電極として、ＩＴＯからなる、電極幅Ｌ＝２．５μｍ、電極間隔Ｓ＝８．０μｍの櫛歯状の画素電極１１４を作製した。なお、上記画素電極１１４および共通電極１１２の厚みは何れも１４００Åとした。

　次いで、上記絶縁層１１３上に、上記画素電極１１４を覆うように、実施例１と同じＪＳＲ社製の配向膜塗料「ＪＡＬＳ－２０４」（商品名、固形分５ｗｔ．％、γ－ブチロラクトン溶液）を、スピンコート法にて塗布した。その後、実施例１と同じく２００℃にて２時間焼成することにより、上記絶縁層１１３上に、垂直配向膜である配向膜１１５が設けられた基板１１０を形成した。

　一方、ガラス基板２１と同様のガラス基板１２１上に、配向膜１５と同じ材料、同じプロセスにて、配向膜１２２のみを成膜することにより、基板１２０を形成した。このようにして得られた配向膜１１５・１２２の乾燥膜厚は何れも１０００Åであった。

　その後、上記基板１１０・１２０のうち一方の基板に、スペーサとして、実施例１と同じく直径３．７５μｍの樹脂ビーズ「ミクロパールＳＰ２０３７５」（商品名、積水化学工業株式会社製）を分散させた。一方、上記一方の基板に対峙する他方の基板上に、シール剤として、実施例１と同じくシール樹脂「ストラクトボンドＸＮ－２１Ｓ」（商品名、三井東圧化学工業株式会社製）を印刷した。

　次に、上記基板１０・２０を貼り合わせ、実施例１と同じく１３５℃で１時間焼成することにより、比較用の液晶セル１０５を作製した。

　その後、上記液晶セル１０５に、液晶材料として、実施例１と同じメルク株式会社製のポジ型液晶材料（Δε＝２２、Δｎ＝０．１５）を真空注入法にて封入することにより、液晶層１３０を形成した。

　続いて、上記液晶セル１０５の表裏面に、実施例１と同様の偏光板（図示せず）を、該偏光板の透過軸が直交し、かつ枝電極１１４ａ_２が延伸される方向と偏光板の透過軸とが４５゜の角度をなすように貼合した。これにより、図２１に示す構成を有する比較用の液晶パネル１００（液晶表示素子）を作製した。

　このようにして作製した液晶パネル１００の実測Ｔを、実施例１と同様にして測定した。

　一方、液晶パネル１００として、図２１に示すＦＦＳ構造を有するモデルを、上記実測と同じ条件で駆動したときのＳｉｍＴを、実施例１と同様に、シンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いてシミュレーションにより求めた。

　上記ＳｉｍＴおよび実測Ｔを表１に併せて示す。

　また、図２３の（ａ）に、上記シミュレーションにおける各電極への電圧印加条件を示すとともに、図２３の（ｂ）に、上記シミュレーションで、図２３の（ａ）において画素電極１１４に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子３１のダイレクタ分布、等電位曲線を示す。なお、本比較例では、図２３の（ａ）に示すように、共通電極１１２は、０Ｖに設定している。

　実施例１および比較例１で得られたＳｉｍＴは、実測Ｔに近い値が得られた。したがって、ＳｉｍＴと実測Ｔとの電圧－透過率（Ｖ－Ｔ）曲線との相関性はほぼ同じ結果が得られることが判った。そこで、以下の実施例および比較例においては、実施例１と同様にシンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いて、シミュレーションのみを行った。

　〔比較例２、実施例２～４〕
　実施例１において、共通電極１２の電極幅Ｌ２および共通電極２２の電極幅Ｌ３を、画素電極１４の電極間隔Ｓ１と同じ１０μｍを基準に、その９０％（９．０μｍ、比較例２）、８５％（８．５μｍ、実施例２）、５０％（５μｍ、実施例３）、１０％（１．０μｍ、実施例４）とした以外は、実施例１と同様の条件を用いて、上記したように共通電極１２・２２の電極幅Ｌ２・Ｌ３をそれぞれ変更したときの各液晶パネル２のＳｉｍＴを求めた。なお、何れの場合も、図４に示すように、共通電極１２・２２は、０Ｖに設定した。

　上記ＳｉｍＴ、画素電極１４の電極幅Ｌ１／電極間隔Ｓ１、共通電極１２の電極幅Ｌ２／電極間隔Ｓ２、共通電極２２の電極幅Ｌ３／電極間隔Ｓ３、割合Ｘ２、割合Ｘ３を表１に併せて示す。

　また、図２４に、比較例２のシミュレーションで、図４において画素電極１４に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子３１のダイレクタ分布、等電位曲線を示す。

　実施例１～４および比較例２に示す結果から、図１に示すように液晶パネル２に三層の電極を設ける場合、各共通電極１２・２２における各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の幅が狭いほど上下の基板１０・２０間における、液晶分子３１が応答し難い領域が小さくなり、各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の幅が狭くなるに従って高い透過率を得ることができることが確認できた。

　また、実施例１～４および比較例１、２に示す結果から、共通電極１２・２２の電極幅Ｌ２・Ｌ３が８．５μｍ以下であるとき、典型的なＦＦＳ構造を有する液晶パネル１００と比べて最大透過率（５Ｖでの透過率）が高くなることが判った。

　以上の結果から、図１に示すように、対向基板である基板２０に、スペース部２２ｂ（スリット）を有する共通電極２２を、その枝電極２２ａ_２が画素電極１４の枝電極１４ａ_２に重畳しないようにスペース部１４ｂの真上に配置し、かつ、下層電極である共通電極１２がスペース部１２ｂ（スリット）を有し、画素電極１４の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに共通電極１２・２２の電極幅Ｌ２・Ｌ３をそれぞれ上記電極間隔Ｓ１の８５％以下とすることで、高透過率化を実現できることが確認できた。

　＜変形例＞
　本実施の形態では、上記したように、主に、共通電極１２・２２および画素電極１４としてそれぞれ櫛歯電極を用いた場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、これら共通電極１２・２２および画素電極１４は、前記したように、それぞれ、スリット（スペース部）を有するスリット電極であり、パターン化された電極部（電極ライン）とスペース部（電極非形成部）とを有していればよい。

　そこで、以下の説明では、スリット（スペース部）を有する電極として、ベタ状の電極（面電極）の中央部に開口部（スリット）が設けられてなる電極を用いた場合を例に挙げて説明する。

　なお、以下の説明においては、画素電極１４および共通電極１２・２２の電極構成における変更点について説明するものとし、特に言及しない構成については、同じ説明が適用されるものとする。また、説明の便宜上、本実施形態で既に説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

　＜画素電極１４および共通電極１２・２２の電極構成＞
　図６の（ａ）～（ｃ）は、順に、本変形例の液晶パネル２の液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２、対向基板側電極である共通電極２２の概略構成を示す平面図である。なお、本変形例の液晶パネル２の断面図は、図１と同じである。

　図３の（ａ）～（ｃ）に示すように、櫛歯電極からなる共通電極１２・２２および画素電極１４が、ベタ状の電極に、その一端から対向する他端に向かって複数の切り込みを入れることでその一端にスペース部として複数の切欠き（スリット）を有する櫛歯形状を有しているのに対し、図６の（ａ）～（ｃ）に示す共通電極１２・２２および画素電極１４は、ベタ状の電極の中央部にスペース部として複数の開口部（開口窓、スリット）が設けられ、各端部が繋がった形状を有している。

　すなわち、本変形例における画素電極１４は、図６の（ａ）に示すように、パターン化された電極部１４ａとして、枠状（額縁状）の幹電極１４ａ_１と、該枠状の幹電極１４ａ_１の一端から対向する他端に延びる縞状の枝電極１４ａ_２（分岐ライン）とを有し、枝電極１４ａ_２が、スペース部１４ｂを挟んで一定の電極間隔で設けられた構成を有している。

　同様に、本変形例における共通電極１２は、図６の（ｂ）に示すように、パターン化された電極部１２ａとして、枠状（額縁状）の幹電極１２ａ_１と、該枠状の幹電極１２ａ_１の一端から対向する他端に延びる縞状の枝電極１２ａ_２（分岐ライン）とを有し、枝電極１２ａ_２が、スペース部１２ｂを挟んで一定の電極間隔で設けられた構成を有している。

　また、本変形例における共通電極２２は、図６の（ｃ）に示すように、パターン化された電極部２２ａとして、枠状（額縁状）の幹電極２２ａ_１と、該枠状の幹電極２２ａ_１の一端から対向する他端に延びる縞状の枝電極２２ａ_２（分岐ライン）とを有し、枝電極２２ａ_２が、スペース部２２ｂを挟んで一定の電極間隔で設けられた構成を有している。

　なお、本変形例でも、画素電極１４における枝電極１４ａ_２は、共通電極１２のスペース部１２ｂの中央の真上（開口部中央の真上）に配置されており、共通電極１２における枝電極１２ａ_２とは重畳しない位置並びに大きさ（電極幅）に形成されている。

　また、共通電極２２における枝電極２２ａ_２は、画素電極１４のスペース部１４ｂの中央の真上（開口部中央の真上）に配置されており、画素電極１４における枝電極１４ａ_２とは重畳しない位置並びに大きさ（電極幅）に形成されている。

　また、本比較例でも、共通電極２２の電極部２２ａ（特に枝電極２２ａ_２）は、基板１０に設けられた共通電極１２の電極部１２ａ（特に枝電極１２ａ_２）に重畳して設けられている。

　なお、本変形例でも、各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２・１４ａ_２は、それぞれ、直線状に形成されていてもよく、Ｖ字状あるいはジグザグ状に形成されていてもよいことは言うまでもない。

　＜実施例＞
　以下、実施例を用いて本変形例に記載の液晶パネル２の製造方法について説明するとともに、以下の実施例における実験結果から、その効果について説明する。

　〔実施例５〕
　実施例１において、画素電極１４および共通電極１２・２２の形状を、図３の（ａ）～（ｃ）に示す櫛歯形状から、図６の（ａ）～（ｃ）に示すスリット形状に変更した以外は、実施例１と同様の条件並びに方法を用いて、図１に示す構成を有する液晶パネル２を作製した。

　すなわち、本実施例では、実施例１と同じく、画素電極１４および共通電極１２・２２の各電極幅Ｌ１～Ｌ３をそれぞれ２．５μｍとし、画素電極１４および共通電極１２・２２の各電極間隔Ｓ１～Ｓ３をそれぞれ１０μｍとした。すなわち、本実施例では、割合Ｘ２および割合Ｘ３をそれぞれ２５％とした。

　その後、このようにして作製した液晶パネル２の実測Ｔを、実施例１と同様にして測定した。

　上記実測Ｔを、実施例１における実測Ｔと合わせて表２に示す。

　表２に示す結果から、実施例１において、画素電極１４および共通電極１２・２２の形状を、図３の（ａ）～（ｃ）に示す櫛歯形状から、図６の（ａ）～（ｃ）に示すスリット形状に変更したときの実測Ｔは、実施例１の実測Ｔと近い値が得られることが判った。

　このことから、画素電極１４および共通電極１２・２２の形状を、図３の（ａ）～（ｃ）に示す櫛歯形状から、図６の（ａ）～（ｃ）に示すスリット形状に変更した場合でも、変更前と同様の結果が得られることが判った。

　したがって、本変形例においても、図１に示すように、対向基板である基板２０に、スペース部２２ｂ（スリット）を有する共通電極２２を、その枝電極２２ａ_２が画素電極１４の枝電極１４ａ_２に重畳しないようにスペース部１４ｂの真上に配置し、かつ、下層電極である共通電極１２がスペース部１２ｂ（スリット）を有し、画素電極１４の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに共通電極１２・２２の電極幅Ｌ２・Ｌ３をそれぞれ上記電極間隔Ｓ１の８５％以下とすることで、高透過率化を実現することができる。

　また、本実施の形態では、上記したように、主に、画素電極１４および共通電極１２・２２が、何れも櫛歯電極もしくは何れも開口窓を有するスリット電極である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、実施例１～５に示す結果から、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、画素電極１４および共通電極１２・２２のうち何れか１つまたは２つが櫛歯電極であり、残りが開口窓を有するスリット電極であってもよいことは明らかである。

　〔実施の形態２〕
　本発明の実施の一形態について図７乃至図１０の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態では、前記実施の形態１との相違点について説明するものとし、特に言及しない構成については、実施の形態１と同じ説明が適用されるものとする。また、説明の便宜上、前記実施の形態１と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　＜液晶セル５の概略構成＞
　図７は、本実施の形態にかかる液晶パネル２の液晶セル５の要部の概略構成を、斜め電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態でも、図７では、画素電極１４の電極部１４ａおよび共通電極１２・２２の電極部１２ａ・２２ａの断面として、それぞれ、枝電極１４ａ_２・１２ａ_２・２２ａ_２の断面が図示されている。

　また、図８の（ａ）～（ｃ）は、順に、図７に示す液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２、対向基板側電極である共通電極２２の概略構成を示す平面図である。

　以下、本実施の形態では、図８の（ａ）～（ｃ）に示すように、共通電極１２・２２および画素電極１４として、それぞれ、櫛歯状構造を有する、いわゆる櫛歯電極を用いた場合を例に挙げて説明するものとするが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

　本実施の形態にかかる液晶パネル２は、以下の点を除けば、実施の形態１における図１に示す液晶パネル２と同じ構造を有している。

　すなわち、本実施の形態にかかる液晶パネル２は、図７に示すように、基板１０における共通電極１２が、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の中央真下に加え、各枝電極１４ａ_２の真下にも設けられている。

　このため、本実施の形態において、Ｓ２、Ｓ３は、それぞれＳ２＝（Ｓ１－Ｌ２）／２、Ｓ３＝（Ｓ１－Ｌ３）＋Ｌ１で示される。

　また、本実施の形態でも、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％とすると、共通電極１２・２２における枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の電極幅Ｌ２・Ｌ３は、それぞれ、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下に設定される。

　なお、本実施の形態でも、各枝電極１２ａ_２・２２ａ_２・１４ａ_２は、それぞれ、直線状に形成されていてもよく、Ｖ字状あるいはジグザグ状に形成されていてもよい。

　〔比較例３、実施例６～７〕
　実施例１において、共通電極２２の電極幅Ｌ３を、画素電極１４の電極間隔Ｓ１と同じ１０μｍを基準に、その９０％（９．０μｍ、比較例３）、２５％（２．５μｍ、実施例６）、８５％（８．５μｍ、実施例７）とした。また、図６に示すように、共通電極１２の枝電極１２ａ_２を、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の中央真下（すなわち、共通電極２２の枝電極２２ａ_２の真下）および各枝電極１４ａ_２の真下に設けた。

　上記した点を除けば、実施例１と同様の条件を用いて、上記したように共通電極１２・２２の電極幅Ｌ２・Ｌ３をそれぞれ変更したときの各液晶パネル２のＳｉｍＴを求めた。

　上記ＳｉｍＴ、画素電極１４の電極幅Ｌ１／電極間隔Ｓ１、共通電極１２の電極幅Ｌ２／電極間隔Ｓ２、共通電極２２の電極幅Ｌ３／電極間隔Ｓ３、割合Ｘ２、割合Ｘ３を表３に併せて示す。

　また、図９の（ａ）に、上記液晶パネル２を用いたシミュレーションにおける各電極への電圧印加条件を示すとともに、図９の（ｂ）に、実施例６におけるシミュレーションで、図９の（ａ）において画素電極１４に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子３１のダイレクタ分布、等電位曲線を示す。なお、上記実施例および比較例では、何れも、図９の（ａ）に示すように、共通電極１２は、０Ｖに設定している。

　表３に示す結果から、実施例１と割合Ｘ２・Ｘ３が同じ実施例６とは、ほぼ等しいＳｉｍＴが得られることが判る。同様に、実施例２と割合Ｘ２・Ｘ３が同じ実施例７と、比較例２と割合Ｘ２・Ｘ３が同じ比較例３とは、それぞれほぼ等しいＳｉｍＴが得られることが判る。

　このことから、画素電極１４における各枝電極１４ａ_２の真下に配置した枝電極１２ａ_２は、液晶分子３１の応答に殆ど影響を与えておらず、この場合にも、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに、各共通電極１２・２２における枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の電極幅Ｌ２・Ｌ３が、それぞれ、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下であるとき、高透過率化を実現できることが判る。

　また、図９の（ｂ）に示す結果から、図７に示す液晶パネル２では、各枝電極１４ａ_２と、絶縁層１３を挟んで各枝電極１４ａ_２の真下に配置された枝電極１２ａ_２との間には容量が形成されることが判る。この容量は、液晶パネル２の補助容量として利用することができる。

　＜変形例＞
　上述した説明では、主に、共通電極１２・２２および画素電極１４としてそれぞれ櫛歯電極を用いた場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、実施の形態１同様、本実施の形態でも、これら共通電極１２・２２および画素電極１４は、それぞれ、スリット（スペース部）を有する電極であり、パターン化された電極部（電極ライン）とスペース部（電極非形成部）とを有していればよい。

　＜画素電極１４および共通電極１２・２２の電極構成＞
　図１０の（ａ）～（ｃ）は、順に、本変形例にかかる液晶パネル２の液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２、対向基板側電極である共通電極２２の概略構成を示す平面図である。なお、本変形例の液晶パネル２の断面図は、図７と同じである。

　図１０の（ａ）・（ｃ）に示すように、本変形例における画素電極１４および共通電極２２は、図６の（ａ）・（ｃ）に示す画素電極１４および共通電極２２と同じ構造を有している。また、図１０の（ｂ）に示すように、本変形例における共通電極１２は、枝電極１２ａ_２が、図６の（ｂ）に示す共通電極１２の枝電極１２ａ_２よりも小さなピッチで形成されていることを除けば、図６の（ｂ）に示す共通電極１２と同じ構造を有している。

　すなわち、共通電極１２における枝電極１２ａ_２は、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の中央真下および各枝電極１４ａ_２の真下に配置されている。また、共通電極２２における枝電極２２ａ_２は、画素電極１４のスペース部１４ｂの中央の真上（開口部中央の真上）に配置されており、画素電極１４における枝電極１４ａ_２とは重畳しない位置並びに大きさ（電極幅）に形成されている。画素電極１４の枝電極１４ａ_２に重畳していない共通電極１２の電極部１２ａ（特に枝電極１２ａ_２）は、基板２０に設けられた共通電極２２の電極部２２ａ（特に枝電極２２ａ_２）に重畳して設けられている。

　このように画素電極１４および共通電極１２・２２として、図１０の（ａ）～（ｃ）に示すスリット電極を用いた場合、実施例１～７の結果から、画素電極１４における各枝電極１４ａ_２の真下に配置した枝電極１２ａ_２は、液晶分子３１の応答に殆ど影響を与えず、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに、各共通電極１２・２２における枝電極１２ａ_２・２２ａ_２の電極幅Ｌ２・Ｌ３が、それぞれ、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下であるとき、高透過率化を実現できることは明白である。

　また、各枝電極１４ａ_２と、絶縁層１３を挟んで各枝電極１４ａ_２の真下に配置された枝電極１２ａ_２との間には容量が形成され、この容量は、液晶パネル２の補助容量として利用することができることも明白である。

　さらに、実施例１～７の結果から、画素電極１４および共通電極１２・２２のうち何れか１つまたは２つが櫛歯電極であり、残りが開口窓を有するスリット電極であってもよいことは明らかである。

　〔実施の形態３〕
　本発明の実施の一形態について図１１乃至図１４の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態では、前記実施の形態１との相違点について説明するものとし、特に言及しない構成については、実施の形態１と同じ説明が適用されるものとする。また、説明の便宜上、前記実施の形態１と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　＜液晶セル５の概略構成＞
　図１１は、本実施の形態にかかる液晶パネル２の液晶セル５の要部の概略構成を、斜め電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。

　また、図１２の（ａ）～（ｃ）は、順に、図１１に示す液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２、対向基板側電極である共通電極２２の概略構成を示す平面図である。

　本実施の形態にかかる液晶パネル２は、図１１および図１２の（ｂ）に示すように、実施の形態１における図１に示す液晶パネル２において、基板１０における共通電極１２として、ベタ状の共通電極を備えた構成を有している。言い換えれば、本実施の形態にかかる液晶パネル２は、基板１０に代えて、図２１に示す基板１１０を備えたに等しい構成を有している。

　なお、本実施の形態でも、図１１では、画素電極１４の電極部１４ａおよび共通電極２２の電極部２２ａの断面として、それぞれ、枝電極１４ａ_２・２２ａ_２の断面が図示されている。

　図１１に示すように、本実施の形態でも、実施の形態１、２と同じく、基板２０における共通電極２２は、画素電極における隣り合う枝電極１４ａ_２間の中央真上に相当する位置に配されている。このため、Ｓ３は、Ｓ３＝（Ｓ１－Ｌ３）＋Ｌ１で示される。

　また、本実施の形態でも、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％とすると、共通電極２２における枝電極２２ａ_２の電極幅Ｌ３は、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下に設定される。

　なお、本実施の形態でも、各枝電極２２ａ_２・１４ａ_２は、それぞれ、直線状に形成されていてもよく、Ｖ字状あるいはジグザグ状に形成されていてもよい。

　〔実施例８〕
　実施例１において、櫛歯状の共通電極１２に代えて、ＩＴＯからなるベタ状の共通電極１２を、スパッタ法にて、ガラス基板１１の片面全面に、厚み１４００Åで形成した点を除けば、実施例１と同様の材料およびプロセスを用いて図１１に示す構成を有する液晶パネル２（液晶表示素子）を作製した。

　このようにして作製した液晶パネル２の実測Ｔを、実施例１と同様にして測定した。

　一方、液晶パネル２として、図１１に示すＦＦＳ構造を有するモデルを、上記実測と同じ条件で駆動したときのＳｉｍＴを、実施例１と同様に、シンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いてシミュレーションにより求めた。

　上記ＳｉｍＴおよび実測Ｔ、画素電極１４の電極幅Ｌ１／電極間隔Ｓ１、共通電極２２の電極幅Ｌ３／電極間隔Ｓ３、割合Ｘ３を表４に併せて示す。

　また、図１３の（ａ）に、上記液晶パネル２を用いたシミュレーションにおける各電極への電圧印加条件を示すとともに、図１３の（ｂ）に、上記シミュレーションで、図１３の（ａ）において画素電極１４に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子３１のダイレクタ分布、等電位曲線を示す。なお、図１３の（ａ）に示すように、共通電極１２は、０Ｖに設定している。

　実施例８で得られたＳｉｍＴは、実測Ｔに近い値が得られた。したがって、図１１に示す構成を有する液晶パネル２においても、ＳｉｍＴと実測Ｔとの電圧－透過率（Ｖ－Ｔ）曲線との相関性はほぼ同じ結果が得られることが判った。そこで、以下の実施例および比較例においては、実施例８と同様にシンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いて、シミュレーションのみを行った。

　〔比較例４、実施例９〕
　実施例８において、共通電極２２の電極幅Ｌ３を、画素電極１４の電極間隔Ｓ１と同じ１０μｍを基準に、その９０％（９．０μｍ、比較例４）、８５％（８．５μｍ、実施例９）とした。

　上記した点を除けば、実施例８と同様の条件を用いて、上記したように共通電極２２の電極幅Ｌ３をそれぞれ変更したときの各液晶パネル２のＳｉｍＴを求めた。

　上記ＳｉｍＴ、画素電極１４の電極幅Ｌ１／電極間隔Ｓ１、共通電極２２の電極幅Ｌ３／電極間隔Ｓ３、割合Ｘ３を表４に併せて示す。

　表４に示す結果から、画素電極１４の下層の共通電極１２がベタ状である場合には、各枝電極１４ａ_２の真下近傍の共通電極１２が斜め電界の発生を妨げるために、実施例１～４と比較して高透過率化の効果は小さいことが判る。

　しかしながら、表４に示す結果から、図１１に示す構造を有する液晶パネル２を用いた場合にも、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに、共通電極２２における枝電極２２ａ_２の電極幅Ｌ３が、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下であるとき、高透過率化を実現できることが判る。

　＜変形例＞
　図１２の（ａ）～（ｃ）に示したように、上述した説明では、共通電極２２および画素電極１４としてそれぞれ櫛歯電極を用いた場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、実施の形態１同様、本実施の形態でも、これら共通電極２２および画素電極１４は、それぞれ、スリット（スペース部）を有する電極であり、パターン化された電極部（電極ライン）とスペース部（電極非形成部）とを有していればよい。

　＜画素電極１４および共通電極１２・２２の電極構成＞
　図１４の（ａ）～（ｃ）は、順に、本変形例にかかる液晶パネル２の液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２、対向基板側電極である共通電極２２の概略構成を示す平面図である。なお、本変形例の液晶パネル２の断面図は、図７と同じである。

　図１４の（ａ）・（ｃ）に示すように、本変形例における画素電極１４および共通電極２２は、図６の（ａ）・（ｃ）に示す画素電極１４および共通電極２２と同じ構造を有している。また、図１４の（ｂ）に示すように、本変形例における共通電極１２は、図１１の（ｂ）に示す共通電極１２と同じ構造を有している。

　すなわち、共通電極１２はベタ状の電極であり、共通電極２２における枝電極２２ａ_２は、画素電極１４のスペース部１４ｂの中央の真上に配置されており、画素電極１４における枝電極１４ａ_２とは重畳しない位置並びに大きさ（電極幅）に形成されている。

　なお、本変形例でも、各枝電極２２ａ_２・１４ａ_２は、それぞれ、直線状に形成されていてもよく、Ｖ字状あるいはジグザグ状に形成されていてもよいことは言うまでもない。

　〔実施例１０〕
　実施例８において、画素電極１４および共通電極２２の形状を、図１２の（ａ）・（ｃ）に示す櫛歯形状から、図１４の（ａ）・（ｃ）に示すスリット形状に変更した以外は、実施例８と同様の条件並びに方法を用いて、図１１に示す構成を有する液晶パネル２を作製した。

　すなわち、本実施例では、実施例８と同じく、画素電極１４および共通電極２２の各電極幅Ｌ１・Ｌ３をそれぞれ２．５μｍとし、画素電極１４および共通電極２２の各電極間隔Ｓ１・Ｓ３をそれぞれ１０μｍとした。すなわち、本実施例では、割合Ｘ３を２５％とした。

　その後、このようにして作製した液晶パネル２の実測Ｔを、実施例８と同様にして測定した。

　上記実測Ｔを、実施例８における実測Ｔと合わせて表５に示す。

　表５に示す結果から、図１４の（ｂ）に示すように共通電極１２にベタ状の電極を用いた場合にも、実施例８において、画素電極１４および共通電極２２の形状を、図１２の（ａ）・（ｃ）に示す櫛歯形状から、図１４の（ａ）・（ｃ）に示すスリット形状に変更したときの実測Ｔは、実施例８の実測Ｔと近い値が得られることが判った。

　このことから、本実施の形態でも、画素電極１４および共通電極２２の形状を上記したように変更した場合でも、変更前と同様の結果が得られることが判った。

　したがって、本変形例においても、画素電極１４の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに共通電極２２の電極幅Ｌ３を上記電極間隔Ｓ１の８５％以下とすることで、高透過率化を実現することができることが判る。

　また、本実施の形態でも、上記したように、主に、画素電極１４および共通電極２２が、何れも櫛歯電極もしくは何れも開口窓を有するスリット電極である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、実施例８～１０に示す結果から、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、画素電極１４および共通電極２２のうち何れか一方が櫛歯電極であり、他方が開口窓を有するスリット電極であってもよいことは明らかである。

　また、実施例１～１０に示す結果から、基板２０に、上述した条件を満たす共通電極２２が設けられている場合、下層の共通電極１２は、ベタ状電極であってもスリット電極であってもよいことが判るとともに、下層の共通電極１２を、スリット状、特に、Ｌ２＜０．８５×Ｓ１を満足するスリット状とすることで、液晶分子３１の応答性をさらに向上させることができ、高い高透過率化の効果を得ることができることが判る。

　〔実施の形態４〕
　本発明の実施の一形態について図１５乃至図１８の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態では、前記実施の形態１、２との相違点について説明するものとし、特に言及しない構成については、実施の形態１、２と同じ説明が適用されるものとする。また、説明の便宜上、前記実施の形態１と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　＜液晶セル５の概略構成＞
　図１５は、本実施の形態にかかる液晶パネル２の液晶セル５の要部の概略構成を、斜め電界印加時における液晶分子のダイレクタ分布と併せて模式的に示す断面図である。

　また、図１６の（ａ）・（ｂ）は、順に、図１５に示す液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２の概略構成を示す平面図である。

　本実施の形態にかかる液晶パネル２は、図１５に示すように、基板２０に共通電極２２が設けられていない点を除けば、実施の形態２における図７に示す液晶パネル２と同じ構造を有している。

　すなわち、本実施の形態にかかる液晶パネル２は、図１５に示すように、基板１０における共通電極１２が、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の中央真下に加え、各枝電極１４ａ_２の真下にも設けられている。一方、基板２０に電極は設けられていない。

　なお、本実施の形態でも、図１５では、画素電極１４の電極部１４ａおよび共通電極２２の電極部２２ａの断面として、それぞれ、枝電極１４ａ_２・２２ａ_２の断面が図示されている。

　また、本実施の形態において、Ｓ２は、Ｓ２＝（Ｓ１－Ｌ２）／２で示される。

　また、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２・１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％とすると、共通電極１２における枝電極１２ａ_２の電極幅Ｌ２は、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下に設定される。

　なお、本実施の形態でも、各枝電極１２ａ_２・１４ａ_２は、それぞれ、直線状に形成されていてもよく、Ｖ字状あるいはジグザグ状に形成されていてもよい。

　〔実施例１１〕
　実施例１において、共通電極１２の枝電極１２ａ_２を、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の中央真下（すなわち、共通電極２２の枝電極２２ａ_２の真下）および各枝電極１４ａ_２の真下に設けた。また、ガラス基板２１上に、共通電極２２を設けることなく、配向膜１５と同じ材料、同じプロセスにて、配向膜２３のみを直接成膜することにより、基板２０を形成した。

　上記した点を除けば、実施例１と同様の材料およびプロセスを用いて図１５に示す構成を有する液晶パネル２（液晶表示素子）を作製した。

　一方、液晶パネル２として、図１５に示すＦＦＳ構造を有するモデルを、上記実測と同じ条件で駆動したときのＳｉｍＴを、実施例１と同様に、シンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いてシミュレーションにより求めた。

　上記ＳｉｍＴおよび実測Ｔ、画素電極１４の電極幅Ｌ１／電極間隔Ｓ１、共通電極１２の電極幅Ｌ２／電極間隔Ｓ２、割合Ｘ２を表６に併せて示す。

　また、図１７の（ａ）に、上記液晶パネル２を用いたシミュレーションにおける印加電圧を示すとともに、図１７の（ｂ）に、上記シミュレーションで、図１７の（ａ）において画素電極１４に室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子３１のダイレクタ分布、等電位曲線を示す。なお、図１７の（ａ）に示すように、共通電極１２は、０Ｖに設定している。

　実施例１１で得られたＳｉｍＴは、実測Ｔに近い値が得られた。したがって、図１５に示す構成を有する液晶パネル２においても、ＳｉｍＴと実測Ｔとの電圧－透過率（Ｖ－Ｔ）曲線との相関性はほぼ同じ結果が得られることが判った。そこで、以下の実施例および比較例においては、実施例１１と同様にシンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いて、シミュレーションのみを行った。

　〔比較例５、実施例１２〕
　実施例１１において、共通電極１２の電極幅Ｌ２を、画素電極１４の電極間隔Ｓ１と同じ１０μｍを基準に、その９０％（９．０μｍ、比較例５）、８５％（８．５μｍ、実施例１２）とした。

　上記した点を除けば、実施例１１と同様の条件を用いて、上記したように共通電極２２の電極幅Ｌ２をそれぞれ変更したときの各液晶パネル２のＳｉｍＴを求めた。

　上記ＳｉｍＴ、画素電極１４の電極幅Ｌ１／電極間隔Ｓ１、共通電極１２の電極幅Ｌ２／電極間隔Ｓ２、割合Ｘ２を表６に併せて示す。

　表６に示す結果から、図１５に示す液晶パネル２は、基板２０に共通電極２２が存在しないために、画素電極１４と共通電極２２との間で発生する斜め電界強度分、電界強度が弱くなるため、実施例１～１０と比較して高透過率化の効果が小さいことが判る。また、この場合にも、実施例５・６同様、画素電極１４における各枝電極１４ａ_２の真下に配置した枝電極１２ａ_２は、液晶分子３１の応答に殆ど影響を与えておらず、この場合にも、画素電極１４における隣り合う枝電極１４ａ_２間の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに、共通電極１２における枝電極１２ａ_２の電極幅Ｌ２が、上記電極間隔Ｓ１の８５％以下であるとき、高透過率化を実現できることが判る。

　また、図１７の（ｂ）に示す結果から、本実施の形態によれば、各枝電極１４ａ_２と、絶縁層１３を挟んで各枝電極１４ａ_２の真下に配置された枝電極１２ａ_２との間には容量が形成されることが判る。この容量は、図７に示す液晶パネル２同様、液晶パネル２の補助容量として利用することができる。

　＜変形例＞
　図１６の（ａ）・（ｂ）に示したように、上述した説明では、共通電極１２および画素電極１４としてそれぞれ櫛歯電極を用いた場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、実施の形態１同様、本実施の形態でも、これら共通電極１２および画素電極１４は、それぞれ、スリット（スペース部）を有する電極であり、パターン化された電極部（電極ライン）とスペース部（電極非形成部）とを有していればよい。

　＜画素電極１４および共通電極１２・２２の電極構成＞
　図１８の（ａ）・（ｂ）は、順に、本変形例にかかる液晶パネル２の液晶セル５における、上層電極である画素電極１４、下層電極である共通電極１２の概略構成を示す平面図である。なお、本変形例の液晶パネル２の断面図は、図１１と同じである。

　図１８の（ａ）・（ｂ）に示すように、本変形例における画素電極１４および共通電極１２は、図１０の（ａ）・（ｂ）に示す画素電極１４および共通電極１２と同じ構造を有している。

　なお、本変形例でも、各枝電極１２ａ_２・１４ａ_２は、それぞれ、直線状に形成されていてもよく、Ｖ字状あるいはジグザグ状に形成されていてもよいことは言うまでもない。

　〔実施例１３〕
　実施例１１において、画素電極１４および共通電極１２の形状を、図１６の（ａ）・（ｃ）に示す櫛歯形状から、図１８の（ａ）・（ｃ）に示すスリット形状に変更した以外は、実施例１１と同様の条件並びに方法を用いて、図１５に示す構成を有する液晶パネル２を作製した。

　すなわち、本実施例では、実施例１５と同じく、画素電極１４および共通電極２２の各電極幅Ｌ１・Ｌ２をそれぞれ２．５μｍとし、画素電極１４の電極間隔Ｓ１、共通電極１２の電極間隔Ｓ２をそれぞれ１０μｍ、３．８μｍとした。このように、本実施例では、割合Ｘ２を２５％とした。

　その後、このようにして作製した液晶パネル２の実測Ｔを、実施例１１と同様にして測定した。

　上記実測Ｔを、実施例１１における実測Ｔと合わせて表２に示す。

　表７に示す結果から、図１５に示す構成を有する液晶パネル２を用いた場合にも、実施例１１において、画素電極１４および共通電極１２の形状を、図１６の（ａ）・（ｂ）に示す櫛歯形状から、図１８の（ａ）・（ｂ）に示すスリット形状に変更したときの実測Ｔは、実施例１１の実測Ｔと近い値が得られることが判った。

　このことから、本実施の形態でも、画素電極１４および共通電極１２の形状を上記したように変更した場合でも、変更前と同様の結果が得られることが判った。

　したがって、上記変形例においても、画素電極１４の電極間隔Ｓ１を１００％としたときに共通電極１２の電極幅Ｌ２を上記電極間隔Ｓ１の８５％以下とすることで、高透過率化を実現することができることが判る。

　また、本実施の形態でも、上記したように、主に、画素電極１４および共通電極１２が、何れも櫛歯電極もしくは何れも開口窓を有するスリット電極である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、実施例１１～１３に示す結果から、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、画素電極１４および共通電極１２のうち何れか一方が櫛歯電極であり、他方が開口窓を有するスリット電極であってもよいことは明らかである。

　〔比較例６〕
　また、比較のために、特許文献１に記載の図２２に示す構成を有するモデルを用いたシミュレーションで、線形電極２０４および上部電極２１２にそれぞれ室温（２５℃）で５Ｖの電圧を印加したときの透過率、液晶分子３１のダイレクタ分布、等電位曲線を、図２５に示す。なお、面形電極２０２は、０Ｖに設定した。

　なお、線形電極２０４の電極幅は５μｍ、電極間隔は１５μｍとした。上部電極２１２の開口部２１３の幅は５μｍとした。また、セル厚を３．４μｍとした以外は、各層の厚みは、実施例１と同様に設定した。シミュレーションには、実施例１と同様に、シンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いた。

　図２５に示すように、特許文献１に記載の図２２に示す液晶パネル２００は、線形電極１０４近傍および上部電極２１２の開口部２１３近傍以外の領域では、縦電界成分が大きくなり、それらの領域では液晶分子が応答せず、高い透過率を得ることができないことが判る。

　〔実施の形態５〕
　本発明の実施の一形態について図１９および図２０に基づいて説明すれば以下の通りである。また、説明の便宜上、実施の形態１～４と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　なお、本実施の形態では、実施の形態１～４に記載の各液晶パネル２における好ましい電極間隔Ｓ１について、開口率の観点から説明する。

　＜開口率について＞
　実施の形態１～４に記載の各実施例および比較例における透過率は、何れも無限平面内での透過率である。実際に液晶パネル２を作製する場合には、画素のサイズが問題となる。

　１００×３００μｍ程度の画素を想定した場合、電極間隔Ｓ１および電極幅Ｌ１が決まれば枝電極１４ａ_２の本数は自ずと決定される。枝電極１４ａ_２の本数は、電極間隔Ｓ１が小さなものほどが多く、電極間隔Ｓ１が大きなものほど少ない結果となる。

　ここで、実質透過部分（暗線を除く部分）が開口部となる。開口部の面積が大きいほど透過部分が増加するため、電極間隔Ｓ１は自ずと限定される。

　そこで、横幅（枝電極１４ａ_２の配列方向の幅）が１００μｍの画素を想定した場合の各画素のスペース部分（画素電極１４の電極部１４ａを除く部分）を開口率として算出した結果を、電極間隔Ｓ１、電極幅Ｌ１、枝電極１４ａ_２の本数（ライン本数）と併せて表７に示す。また、このときの電極間隔Ｓ１と開口率との関係を図１９に示す。なお、開口率は、電極間隔Ｓ１、電極幅Ｌ１、およびライン本数から算出することができる。

　なお、上記関係は、電極幅Ｌ１に対して比例関係を有している。このため、電極幅Ｌ１を変更した場合にも、同様のカーブ（傾向）が得られる。

　したがって、表７および図１９に示す結果から判るように、開口率は、電極間隔Ｓ１が４μｍよりも小さくなると、急激に低下する。このため、電極間隔Ｓ１は、開口率の観点からすれば、４μｍ以上とすることが好ましい。

　＜実質透過率について＞
　ＴＦＴパネル等の液晶パネルを用いた液晶表示装置の実質透過率は、上記開口率と無限平面内での透過率、カラーフィルタの透過率（２８％程度）の掛け算で算出される。

　そこで、実施の形態１～４に示す各液晶パネル２において共通電極１２・２２の電極幅Ｌ２・Ｌ３を電極間隔Ｓ１の２５％とし、シミュレーションにより電極間隔Ｓ１を変化させた。すなわち、実施例１（実施の形態１）、実施例６（実施の形態２）、実施例８（実施の形態３）、実施例１１（実施の形態４）で用いた各モデルにおいて、共通電極１２・２２の電極幅Ｌ２・Ｌ３が電極間隔Ｓ１の２５％となるように、シミュレーションにより電極間隔Ｓ１を変化させた。

　なお、上記シミュレーションには、実施例１と同様に、シンテック社製の「ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲ」を用いた。

　このときの実質透過率を、電極間隔Ｓ１、無限平面内での５Ｖ印加時の透過率、開口率と併せて表９に示す。また、図２０に、上記実質透過率と電極間隔Ｓ１との関係を示す。

　表９および図２０に示すように、実施の形態１～４の何れの構成を有する液晶パネル２においても、電極間隔Ｓ１が１２．０μｍを越えると実質透過率が急激に低下することが確認された。

　したがって、実質透過率の観点から、何れの液晶パネル２においても、電極間隔Ｓ１は１２．０μｍ以下であることが好ましい。また、図２０に示すように、実施の形態１～４の何れの構成を有する液晶パネル２においても、電極間隔Ｓ１が４μｍである場合を境に実質透過率が急激に低下する。したがって、開口率（図１９および表９参照）の観点だけでなく実質透過率の観点からも、何れの液晶パネル２においても、電極間隔Ｓ１は４μｍ以上とすることが好ましい。

　但し、表９、表１０、図１９、図２０から判るように、電極間隔Ｓ１が１２μｍよりも大きい場合でも、十分な開口率および実質透過率を得ることができる。したがって、上記電極間隔Ｓ１は、上記範囲内とすることが好ましいが、上記範囲内にのみ限定されるものではない。

　＜要点概要＞
　以上のように、上述した各実施の形態は、電極構造を工夫して液晶分子がより回転できるような電界分布を作り出すことで、高透過率化を実現するものである。

　電極構造を工夫することで、液晶分子の応答性を向上させ、高透過率化を実現することができる。なお、液晶分子の応答性とは、応答速度ではなく、液晶分子が初期の配向状態から電界によりいかに大きく回転できるかを示す。

　本発明の一態様にかかる液晶パネルは、以上のように、互いに対向配置された第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板と第２の基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記第１の基板は、絶縁層を挟んで下層側に設けられた共通電極および上層側に設けられた画素電極を備え、上記第１の基板および第２の基板における互いの対向面に、電界無印加時に上記液晶層における液晶分子を上記各基板に垂直に配向させる垂直配向膜が設けられた液晶パネルであって、上記第２の基板に、さらに共通電極が設けられており、上記画素電極および第２の基板に設けられた共通電極は、それぞれ、幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極であり、上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記第２の基板に設けられた共通電極における各枝電極は、上記画素電極における枝電極とは重畳せず、上記画素電極における隣り合う枝電極間にのみ配置されており、上記第２の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であり、上記液晶層が、上記画素電極と上記第１の基板および第２の基板にそれぞれ設けられた各共通電極との間に発生する電界で駆動される。

　上記構成とすることで、各共通電極と画素電極との間で発生する斜め電界により、液晶分子の応答性を向上させ、高透過率化を実現することができる。

　上記第１の基板に設けられた共通電極は、幹電極から延びる枝電極がスリットを挟んで一定の電極間隔で設けられたスリット電極であり、上記第１の基板に設けられた共通電極が上記スリット電極である場合、上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記第１の基板に設けられた共通電極が、上記画素電極における隣り合う枝電極間に配置されており、上記第１の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であることが好ましい。

　この場合、液晶分子の応答性の向上効果が高く、高い高透過率化の効果を得ることができることが判る。

　また、この場合、上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記第１の基板に設けられた共通電極が、上記画素電極における枝電極の真下にも配置されていることが好ましい。

　第１の基板に設けられた共通電極のうち画素電極における各枝電極の真下に配置した枝電極は、液晶分子の応答に殆ど影響を与えず、この場合にも、第１の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅が、画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であるとき、高透過率化を実現することができる。

　一方、上記したように、上記第１の基板に設けられた共通電極が、画素電極における枝電極の真下にも配置されていることで、画素電極における枝電極と、絶縁層を挟んで画素電極における枝電極の真下に配置された、上記共通電極における枝電極との間には容量が形成される。この容量は、液晶パネルの補助容量として利用することができる。

　また、上記第１の基板に設けられた共通電極は、ベタ状に形成された電極であってもよい。

　上記第１の基板に設けられた共通電極がベタ状である場合には、画素電極における各枝電極の真下近傍の共通電極が斜め電界の発生を妨げる。このため、前者と比べれば、高透過率化の効果は小さいものの、この場合にも、上記したように第２の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅が、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であるとき、高透過率化を実現することができる。

　また、本発明のさらに他の一態様にかかる液晶パネルは、以上のように、互いに対向配置された第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板と第２の基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記第１の基板は、絶縁層を挟んで下層側に設けられた共通電極および上層側に設けられた画素電極を備え、上記第１の基板および第２の基板における互いの対向面に、電界無印加時に上記液晶層における液晶分子を上記各基板に垂直に配向させる垂直配向膜が設けられた液晶パネルであって、上記画素電極および共通電極は、それぞれ、幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極であり、上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記共通電極における枝電極が、上記画素電極における隣り合う枝電極間および上記画素電極における枝電極の真下に配置されており、上記共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であり、上記液晶層が、上記第１の基板にそれぞれ設けられた画素電極と共通電極との間に発生する電界で駆動される。

　上記構成とすることで、第２の基板に電極を設けない場合であっても、上記共通電極と画素電極との間で発生する斜め電界により、液晶分子の応答性を向上させ、高透過率化を実現することができる。

　また、上記各液晶パネルにおいて、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔は４μｍ以上、１２μｍ以下であることが好ましい。

　上記の構成によれば、高い開口率および実質透過率を安定して得ることができる。

　上記各液晶パネルにおいて、上記スリット電極は、櫛歯電極であってもよく、枠状の幹電極と、枠状の幹電極の一端から対向する他端に延びる縞状の枝電極とを備え、上記枝電極がスリットを挟んで一定の電極間隔で設けられたスリット電極であってもよい。

　上記の各構成によれば、何れの場合であっても、液晶分子の応答性を向上させ、高透過率化を実現することができる。

　したがって、上述した何れかの液晶パネルを備えている液晶表示装置を提供することで、従来よりも液晶分子の応答性が向上された、高透過率の液晶表示装置を提供することができる。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、また、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　本発明にかかる液晶パネルおよび液晶表示装置は、液晶分子の応答性が高く、実用的な駆動電圧で、高い透過率を有している。また、初期ベンド転移操作が不要であり、ＭＶＡモードやＩＰＳモードと同等の広視野角特性と、ＯＣＢモード並、あるいはそれ以上の高速応答性と、高コントラスト特性とを同時に実現することができる。したがって、アウトドアユースの公共掲示板や、携帯電話、ＰＤＡ等のモバイル機器等に特に好適に用いることができる。

　　１　　　液晶表示装置
　　２　　　液晶パネル
　　３　　　駆動回路
　　４　　　バックライト
　　５　　　液晶セル
　　６　　　偏光板
　　７　　　偏光板
　　８　　　位相差板
　　９　　　位相差板
　１０　　　基板
　１１　　　ガラス基板
　１２　　　共通電極
　１２ａ　　電極部
　１２ａ_１　幹電極
　１２ａ_２　枝電極
　１２ｂ　　スペース部（スリット）
　１３　　　絶縁層
　１４　　　画素電極
　１４ａ　　電極部
　１４ａ_１　幹電極
　１４ａ_２　枝電極
　１４ｂ　　スペース部（スリット）
　１５　　配向膜
　２０　　基板
　２１　　ガラス基板
　２２　　　共通電極
　２２ａ　　電極部
　２２ａ_１　幹電極
　２２ａ_２　枝電極
　２２ｂ　　スペース部（スリット）
　２３　　配向膜
　３０　　液晶層
　３１　　液晶分子

Claims

　互いに対向配置された第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板と第２の基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記第１の基板は、絶縁層を挟んで下層側に設けられた共通電極および上層側に設けられた画素電極を備え、上記第１の基板および第２の基板における互いの対向面に、電界無印加時に上記液晶層における液晶分子を上記各基板に垂直に配向させる垂直配向膜が設けられた液晶パネルであって、
　上記第２の基板に、さらに共通電極が設けられており、
　上記画素電極および第２の基板に設けられた共通電極は、それぞれ、幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極であり、
　上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記第２の基板に設けられた共通電極における各枝電極は、上記画素電極における枝電極とは重畳せず、上記画素電極における隣り合う枝電極間にのみ配置されており、
　上記第２の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であり、
　上記液晶層が、上記画素電極と上記第１の基板および第２の基板にそれぞれ設けられた各共通電極との間に発生する電界で駆動されることを特徴とする液晶パネル。
　上記第１の基板に設けられた共通電極は、幹電極から延びる枝電極がスリットを挟んで一定の電極間隔で設けられたスリット電極であり、
　上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記第１の基板に設けられた共通電極が、上記画素電極における隣り合う枝電極間に配置されており、
　上記第１の基板に設けられた共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
　上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記第１の基板に設けられた共通電極が、上記画素電極における枝電極の真下にも配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶パネル。
　上記第１の基板に設けられた共通電極はベタ状に形成された電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
　互いに対向配置された第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板と第２の基板との間に挟持された液晶層とを備え、上記第１の基板は、絶縁層を挟んで下層側に設けられた共通電極および上層側に設けられた画素電極を備え、上記第１の基板および第２の基板における互いの対向面に、電界無印加時に上記液晶層における液晶分子を上記各基板に垂直に配向させる垂直配向膜が設けられた液晶パネルであって、
　上記画素電極および共通電極は、それぞれ、幹電極から延びる複数の枝電極がスリットを挟んで一定の間隔で設けられたスリット電極であり、
　上記各基板に垂直な方向から見たときに、上記共通電極における枝電極が、上記画素電極における隣り合う枝電極間および上記画素電極における枝電極の真下に配置されており、
　上記共通電極における枝電極の電極幅は、上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔の８５％以下であり、
　上記液晶層が、上記第１の基板にそれぞれ設けられた画素電極と共通電極との間に発生する電界で駆動されることを特徴とする液晶パネル。
　上記画素電極における隣り合う枝電極間の電極間隔が４μｍ以上、１２μｍ以下であることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の液晶パネル。
　上記スリット電極が櫛歯電極であることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の液晶パネル。
　上記スリット電極は、枠状の幹電極と、枠状の幹電極の一端から対向する他端に延びる縞状の枝電極とを備え、上記枝電極がスリットを挟んで一定の電極間隔で設けられたスリット電極であることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の液晶パネル。
　請求項１～８の何れか１項に記載の液晶パネルを備えていることを特徴とする液晶表示装置。