TW590847B

TW590847B - Apparatus for edge polishing uniformity control

Info

Publication number: TW590847B
Application number: TW091106452A
Authority: TW
Inventors: Travis Robert Taylor; Cangshan Xu; Jeff Gasparitsch; Robert Taff; Kenneth J Bahng
Original assignee: Lam Res Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2002-03-29
Publication date: 2004-06-11
Also published as: KR20030090698A; JP2005510368A; CN1230278C; WO2002078904A1; US20020151256A1; EP1372909A1; CN1500028A; US6991512B2

Description

590847

學機=^明一般係關於化學機械平坦化設備，尤其關於化垣化（ChemiCal meChanical PlanariZati〇n; 備。％用中，經由平台壓力區段來改、均勻度之方法及設 ~~标之描述 i ^半導體裝置製造中，的積體電路裝置是以層’形成有具擴散區之電金屬線係被圖案化且電連，能裳置。所熟知的是，乳化石夕等介電材料和其他相關的介電層形成後，介缺少了平坦化，進一步的化而實質變得更加困難。幵> 成於介電材料中，然後移除。 _ 需要執行化學機械平坦化操作。多層結構的型式表現。在基板晶體裝置。在後續層中，内連接接至電晶體裝置以界定出所欲的圖案化後的導電層係藉由諸如二的導電層絕緣。當更多金屬層及電材料的平坦化需求便產生了。金屬層製造將因為表面狀態的變在其他應用上，金屬化線圖案係 ’再執行CMP操作將過多的材料如上所述，一CMP系統係典型地用來研磨一晶一 CMP系統典型地包含用來處理及研磨一晶圓表面之系 :舉例而口，k些疋件可以是一擴圓型研磨塾或、一 π研磨塾。研磨塾本身係典型地由—聚氨s旨材料與其他諸如不鏽鋼帶等材料之結合所組成。在操作上；1伟曰研磨帶墊運轉之後便施加及塗佈一研漿至研磨帶墊之整個

第8頁 590847

表面上。當具有研漿之帶墊以一期望速率運轉時，晶圓艮被降下至帶墊之表面。依此方式，欲進行平坦化之表面^ 實質地被研磨，就如同利用砂紙來砂磨木材一樣。之後1、再將晶圓置放於一晶圓清洗系統中清洗。 ’ 圖1 A顯示典型用於CMP系統之一康型研磨設備1 〇。線型研磨δ又備1 0將一半導體晶圓1 6上一表面物質研磨掉。、被研磨掉的物夤可為晶圓或形成於晶圓上一層或多；之基板材料。這樣的層係典型包含一或多個在CMp製程中所形成或存在的任意類型材料諸如，舉例而言，介電材料、氮化矽、金屬（例如鋁及銅）、金屬合金、半導體材料等等。典型來說，CMP可用來研磨晶圓16上一或多層而將晶圓16之一表面層平坦化。線型研磨設備1 〇利用了一研磨帶丨2，其係相對於晶圓 1 6之表面作線性運動。研磨帶丨2係一相對於輥（或主軸〇轉動之連續帶。一馬達係典型地驅動輥，俾能使輥2 〇之轉動得以讓研磨帶1 2被驅動而相對晶圓1 6作一線性運動2 2。一晶圓載體1 8將晶圓1 6固定。晶圓1 6係典型地藉由機械扣環及（或）真空固定在其位置上。晶圓載體將晶圓固定在研磨帶12上方，使得晶圓16表面與研磨帶12之一研磨面相接觸。圖1 B顯示線型研磨設備丨〇之一侧視圖。如上關於圖工a 之討論，當施加壓力至研磨帶之際，晶圓載體丨8便將晶圓 1 6固定在研磨帶1 2上方位置。研磨帶丨2係一連續帶，其典型地由一高分子材料諸如，舉例而言，由R〇del， Inc•製

jyvQ^/ jyvQ^/ 五、發明說明（3) 造而疊層在一支撐層上 2〇帶動旋轉，輥係驅動 2 在實施例中，一下方支撐著一部份的研體以抵抗支撐層之下表體軸承，其於研磨帶12 晶圓1 6之表面。不幸地塵力一般係不能被有效壓力一般係之整個接觸分佈。其中問題中以及之i c 1 〇 0 〇所研磨帶使其流體軸承平磨帶。然後面。所施加下表面上產 ’因為藉由控制，所以日日圓1 6不同部分之研磨均勻度需要與晶圓接觸移除率之參數為均勻地度係最重要的效能影響者0 構成。研磨帶1 2係由輥相對晶圓1 6作線性運動台2 4在晶圓施加區域的，平台24可用來施加流的流體因此形成了一流生了一研磨壓力以抵抗流體軸承所產生的研磨藉由流體軸承所施加至不均勻的。一般而言，表面上，所有界定材料，CMP中之邊緣不穩定最複雜問題中所欲解決圖1C顯示將邊緣效應非均勻度因子描繪出來之一線性研磨設備10。在本例中，一晶圓16係裝設在一載體18，其施加壓力13將晶圓16向下推至於平台24上移動之研磨帶& 上。然而，當晶圓與研磨帶1 2接觸時，研磨帶1 2變形了。儘管研磨帶1 2係一可壓縮介質，然研磨帶丨2係具有受限的撓性’以避免研磨帶12與晶圓16之真實形狀成為一致而形成暫時變形區2 5及2 6。因此，邊緣效應係從重新分配接觸力所導致之一不平坦接觸場之晶圓邊緣16a及16b處發生。因此，晶圓邊緣16a及16b處會有大的移除率變化發生。因此，由於習知技術之研磨帶設計無法適當控制研磨動力的事實，因此不平坦的研磨及不一致的晶圓研磨將因此導致

590847 五、發明說明（4) 晶圓產能之降低以及晶圓成本之增加。如前所述，係需要一種設備，其藉由擁有改善研磨壓力控制以及降低研磨塾變形之一平台來克服習知技術問題。【發明的綜合說明】，· 廣言之，本發明之實施例藉由提供—平台設計來滿足這些需求’該平台設計係於一CMP製程中提供了邊緣研磨均勻度控制。在一實施例中，一種用於_CMp系統中的平台係被揭露。該平台包含一内部壓力子區域組，能夠提供壓力至一設置於該平台上方之研磨墊。各個内部壓力子區域係設置在一晶圓下方及該晶圓之一周邊内。此外，該台包含一外部壓力子區域組，能夠提供壓力至一設置於該平3上方之研磨塾。各個外部壓力子區域係設置在該晶圓/ 下方及該晶圓之周邊内。依此方式，料部壓力子區域組係能夠塑型該研磨墊以達成一特定移除率。一實施樣=，· 中二各個子區域包含複數輸出孔，係能夠促進 ‘ =壓力施力口。舉例而言，各個複數個輪出孔可提供力或液體壓力至該拋光墊。該等外部 ^ —子區域可任思地作成獨立控制。第平台更包含-前緣區及-後緣區，各】^施樣悲中，該力子區域組及一外部壓力子區域組。：上所述，各個前緣區及後緣區之外^乂 m子區域及一第二外部子區域。 -種CMPI程中晶圓平坦度之改善方法係揭露於本發

IH I咖第11頁 590847

明之另設置於平台來台之一子區域式，該特定移一貫施例一晶圓及作成調整外部壓力組係設置組外部壓。知加至該晶圓一。額外的子區域組於晶圓下力子區域除率。如上所述，一外部子區域及-後緣區内施樣態中，各個外部壓力區域組可子區域。的一第區及一組及一外部子二外部所供應之如緣區及子區域組包含獨立一拋光帶周邊内之移除率曲之壓力調方及晶圓係能夠將外部壓力第二外部壓力可任後緣區可内部壓力線控制亦整來達成之*周邊外該研磨墊子區域可子區域。意地獨立包含一内又，各個前緣區係利用具有一子區域組之一藉由利用該平。該外部壓力部。依此方塑型以達成一包含獨立控制平台之一前緣調整。在此實部壓力子區域及後緣區之該調整之一第一外部子區域及一第又一實施例中，提供了一種用於CMP平坦化系統之平台。該平台配置在一線型研磨墊下方以及被設計來將一受控制流體之流動施加至該線型研磨墊下方。該平台包含一 4緣區，包含複數第一輸出孔，該前緣區定向於靠近該線型研磨墊之一上游區。該平台又包含一後緣區，包含複數第一輸出孔，該後緣區之定向於靠近該線型研磨墊之一下游區。該前緣區及該後緣區係獨立控制的以及被設計來從各個該等複數第一輸出孔及該等複數第二輸出孔獨立輸出該受控制流體之流動。又另一實施例中，提供了一種支撐一線型拋光墊之一底面之平台組件。該平台組件包含：一平台周板；一平台

第12頁 590847

以及-〇型環，係配置成/接二配工置成介面組件密接於該周邊。平及平台歧組件包含分別可控流體之流在又作中裝設平板，係區係設計該線型研 ;一平台基板上；台歧管組管組件係一平台，制區域係動至該線一實施例於線型研包含複數來經由該磨墊底面 ίί:置成與該平台介面組件連接以該平平台周板所支撐。平台歧管讯:匕έ複數分*別可控制區域。各個 Ϊ研磨分別可控制區域傳輸獨立二=可控制區域，各個該等分別可控制寺为別可控制區傳輸獨立流體之流動至〇 /在又-貫施例中，揭露了一種CMP使用中之系統。該糸統包含一研磨帶；及一晶圓載體，設置在該研磨帶上方，該晶圓載體能夠於一CMP製程中施加一晶圓至該研磨贡上。忒系統更包含一平台，配置於該研磨帶下方。該平台包含一内部壓力子區域組，能夠提供壓力至該研磨墊。各個内部壓力子區域係設置在該晶圓下方及該晶圓一周邊内。该平台更包含一外部壓力子區域組，能夠提供壓力至遠研磨墊。各個外部壓力子區域係設置在該晶圓下方及該晶圓該周邊内。依此方式，該外部壓力子區域組係更能夠將該研磨墊形狀以達成一特定移除率。在另一實施例中，揭露了一種用於化學機械平坦化操作期間裝設於線型研磨塾底面而支撐之平台。該平台係設

第13頁 590847 五、發明說明（7) 計來當一晶圓被施加至該研磨墊之一頂面時，施加一力至該線型研磨墊之底面。該晶圓係實質地被施加在該平台上，俾能界定該晶圓及該平台之間之該線型研磨墊。該平台包含：一平板，具有複數輸出孔，各個輸出孔係設計來輸出一流體流動。該等複數輸出孔係#分別集中俾能界定該等輸出孔之一第一區及一第二區。該第一區係實質定向於該晶圓之一前緣下方以及該第二區係實質定向於該晶圓之一後緣下方。該等輸出孔之該第一區及該第二區係分別被控制，俾能施加一大小不同於該晶圓之該後緣之力至該晶圓之該前緣。因為施加受控制的壓力至拋光墊之各種不同區域的有利功效，本發明之實施例係在墊變形區域進行抛光時，提供了平坦度之改善。本發明之其他樣態及優點將從下列發明實施例之詳述中連同附隨圖形而更為了解。【較佳實施例的詳細說明】本發明揭露一CMP製程中，一種提供邊緣研磨均控制之平台設計。在下列敘述中，為提供本發明之—一又了解，數個特定詳例係被提出。然而，㈣該盤了解的是，本發明係可被實施而不需要例=者當全部。在其他例子中1 了本發明之非必要性或清，並未詳述已知的製程步驟。、蝴不股to 丨匕鮮系統中的_ 其具有獨立控制晶圓不同區域之研磨壓力之獨口，晶圓研磨更加一致及有效。尤其，本發明 ^ =，俾卞σ可處理前

590847 五、發明說明（8) 緣及後緣的研磨壓力，所以任何來自研磨墊屡動力所引起，研磨壓力差以及不一致可依循一高度；领本發明之平台可包含任思數目的遷力區段，各個塵力 +區段備有複數個流孔，係用以在不同壓力下將流體輸出，藉此補償研磨墊動力之不適當。吾人-應了解的是，本發明可用於研磨任意尺寸之晶圓諸如，舉例而言，2 〇晶圓、3 0 0mm晶圓等等。本發明於研磨墊進入晶圓下方（已知研磨墊進入晶圓下方之區域係為一上游區）以及研磨墊退出晶圓（已知研磨墊出晶圓之區域係為一下游區）之時，較好用來藉由減少分裂而精細地調整前緣以及後緣之研磨。此外，本發明之實施例在CMp系統中提供了一平台，其具有獨立控制被研磨晶圓外部研磨壓力之獨特能力，以允許晶圓研磨更加一致及有效。尤其，本發明實施例之平台可獨立處理晶圓區外部數個區域之研磨壓力。因此，由 =研磨墊壓力動力所造成之研磨壓力差異及不一致可以一向度控管方式獲得補償。、本發明實施例之平台可包含任意數目晶圓區外的壓力，以及曰曰圓區内的壓力區。各個壓力區具有複數個流孔，糸用以在不同壓力下將流體輸出，藉此補償研磨塾動力之在此所使用之流體可為任意類型之氣體或液體。因此，下述之流體平台可利用氣體或液體來控制，研磨墊上與晶圓不同區域接觸之不同位置上因壓力不同而施加至晶圓之堅力此外本發明實施例可實施機械裝置諸如，舉

590847 五、發明說明（9) 例而言，壓電元件來供應壓力至研磨帶。圖2 A依本發明實施例顯示一晶圓線型研磨設備1 〇〇之曰相彳視圖。在本實施例中，製程中一載體頭丨〇 8可用來將晶圓104牢固及固定。一研磨墊1〇2較好在轉動轂112周圍形成一連續迴圈。一般來說，研磨塾1〇2係以每分鐘約4〇〇呎之速度在方向丨06上移動，然而，須注意的是，此速度會因特定的CMP操作而變。然後，當研磨墊1〇2轉動時，載體1〇8可用來將晶圓1〇4下降至研磨墊1〇之上表面上。在研磨過程中，一平台歧管組件n〇係支撐研磨墊 102。平台歧管組件11〇可利用任意類型的承或氣體軸承。一平台圍板116係將平台歧管組件u〇U 定在位置上。依獨立控制複數個輸出方式、經由，官組=110輸出之流體源114之流體壓力，可用來提供二圖5力Γ至研磨墊102來控制研磨墊輪廓。如下關於圖4至均勻度因子。入八他非圖2Β係一圖示’顯示一非旋轉晶圓相對方向之晶圓平坦化移除率。尤1 ㉝可移動 ,Λ , „ 卞九再，圖“顯不一非韓動曰冋、由命a 然而，如上所述，應注意的是，士速度會因特定的CMP择祚&嫩、 J & 此㈣曰门J _作變。當研磨墊102移動時，-截體將.晶圓104下降至研磨墊1〇2之一上表面上。了载當晶圓104不旋轉時’可察見隱藏於晶圓1〇4旋轉時、

590847 五、發明說明（10) 穴型研磨所造成的移除率性質。尤其，一快速移除率區域係叙展於晶圓104前緣，而一慢速移除率區域132係發一 f於晶圓104後緣。因此，快速移除率區〇及率U2導致了 CMP製程中的非均句度。尤其，機製程移除中，當晶圓104於方向108，旋轉時，涪著一徑向平均線134 上的移除率為平均的。因此，移除率非均圓104區域的徑向上。

^研磨率一般與研磨墊102底下、施加於研磨墊丨〇2以抵抗平台歧ί組件11 〇之研磨壓力大小成正比。因此，平坦一率係藉由調整研磨壓力來改變。圖2C顯示依本發明一貝訑例之線型研磨設備所處理之晶圓線性研磨過程1 2 〇之上視圖。如上關於圖2B所述，研磨墊1〇2在一方向106上移動所產生的摩擦，有助於研磨處理。、一貫施例中，晶圓1 0 4可具有四個不同的研磨區域。然而’吾人應了解的是，儘管此處所述之實施例具有四個研磨區域’然而，本發明可具有許多研磨區域或子區域諸如舉例而5 ，5個區域、6個區域、7個區域、8個區域、

9個區域等等。四個不同的區域可為一前緣研磨區域 1 〇 4 a (亦已知為一前緣區）、一側研磨區丨〇 4 c (亦已知為一前區）、一側研磨區1〇4b(亦已知為一後區）、及一後緣研磨區104d(亦已知為一後緣區）。如圖2 B所示，後緣區1 〇 4 d由於研磨墊變形之變化而傾向於具有較小的研磨壓力。圖2B亦顯示，前緣區1〇4a及後緣區104d的研磨壓力差異相當的大。因此，經由區域

第17頁 590847

l〇4a-d底下流體壓力的獨立控制，可在晶圓ι〇4之域上作成研磨壓力調整以提供最同£ 此，本發明之實施例除了曰圓^ 之研磨屢力。因 r , j于、了日日固區内的面積以外，亦對曰圓區外部及内侧之研磨壓力進 I對日日® 磨處理。疋仃獨立控制，以取佳化晶圓研圖3係依本發明一會絲為，丨鹿- .

-n ^ ,, 只轭例顯不’在相距研磨晶圓中心 U下所描繪之不同研磨效應圖2 0 0。圖2 〇〇亦包含一圖例說明201，指示圖2〇〇上的曲一廢H已中，前緣104a及後緣104以士 R9r 、\ 貝也例地俊緣1 U4d(如圖2C所不）之研磨率係與一戴

=磨率，以及前緣及後緣研磨率之平均值曲線（磨率+後緣研磨率）/2)作一比較。，

-曲線202顯示一前緣研磨輪廓，而一曲線2〇8顯示一 ^緣研磨輪廊。此外，一曲線2〇4顯示-動態（晶圓旋鍍 :研磨輪廓，而一曲線2 0 6顯示後緣及前緣研磨輪廓之平均，:如圖所示，後緣輪廓曲線2〇8較前緣輪廓曲線2〇2具有較低且平之一般研磨移除。為了減小邊緣研磨之大差異1本發明之實施例係利用研磨墊及晶圓之間的接觸面内外區域上由一平台所施加之流體壓力來增加CMP製程中研磨的一致性。因此，本發明可用來將曲線2 〇 2及2 〇 8平整化，而在晶圓邊緣上產生更一致的研磨。 $圖4 A係依本發明一實施例顯示一平台歧管組件11 0之二流體開口配置3 〇〇。平台歧管組件11()包含複數個子區域’各個子區域包含複數個流體輸出口。尤其，平台歧管、’且件11 0包含二個子區域，係位於被研磨晶圓之區域内，

590847 發明說明（12) 如圖4A所示之晶圓104區域；以及三個位於晶圓1〇4區域外的子區域。

子區域1 0 9 aπ包含一徑向列的複數個流體輸出口，而子區域109a’’，包含三徑向列的複數個流體輸出口。此處所利用之徑向列一詞係與其他徑向列*同圓心之環形列/且和平台歧管組件11 0具有一共用中心。此外，其中更包含一中心區11 0e，包含複數個圓形流體輸出口，係用來控制晶圓104區域内的研磨壓力以及所造成之研磨動力。

子區域1 09a，包含一徑向列的複數個輸出口，其位於晶圓104區之邊緣或稍外部。此外，兩外部子區域12仏，及 123a’^形成了兩額外獨立控制之徑向列的複數個流體輸出口。藉由將平台歧管組件丨丨〇分成各個包含複數個輸出口之五個子區域，平台歧管組件110可靈敏地、準確地及精確地控制晶圓1 04上的研磨壓力。

此外’因為晶圓1 〇4區外部、利用子區域丨23a，及 12 3a所她加之控制壓力的有利功效，因而為研磨墊變形區域^研磨提供了一有效的平坦化改善。一實施例中，當研磨，力分別設為〇%、50%、50%、50%，而留存之流體輸出設定^為0%時，便會發生有效改善。本實施例中，子區域 123a，可設為0Psi、子區域123an可設為50psi、子區域 l〇9a^可設為5〇psi以及子區域1〇9a,，可設為5〇psi。然而，吾人須 >主意的是’可利用其他的設定來達到本發明實施例所要f，移除率。此外，如關於後續圖4B及4C之說明，本發明實施例可將平台歧管組件分成額外壓力控制之控制

第19頁 590847 五、發明說明（13) 區0

圖4B係依本發明一實施例顯示一平台歧管組件1 1 〇之一流體開口配置3 5 0。本實施例中，平台歧管組件丨丨〇係被分隔成4個主要平台區1 1 0a — d來控制施加於晶圓丨〇4區之8 個不同部分之研磨壓力。平台區丨丨〇atd分別控制晶圓丨〇4 之區域104a-d(如圖2C所示）上的研磨壓力。區域n〇b包含七個徑向列之複數個流體輸出口以控制平台歧管組件丨i 〇之一第一側區上的研磨壓力。區域丨丨〇 c包含七個徑向列之複數個流體輸出口以控制平台歧管組件i丨〇之一第二側區上的研磨壓力。區域1101)及11〇(：可使用一單一控制機制而為分隔之分別控制實施或連結在一起之實施。一實施例中’各個分別控制區域諸如區域丨丨〇a — d，可設計成將獨立流體流動經由分別可控制區傳輸至線型研磨墊下方以靈敏地控制研磨壓力。另一實施例中，區域1 1 〇a(亦已知為前緣區）及區域 1 1 0 d (亦已知為後緣區）可獨立控制及設計成自前緣區中各個複數第一輸出孔及後緣區中各個複數第二輸出孔來獨立輸出一控制的流體流動。

果施例中’平台區11 0 a係一包含五個子區域之前緣區’各個子區域包含複數個流體輸出口。子區域110a，包含一控向列之複數個輪出口，其係位於晶圓丨〇 4區邊緣或補外部。此外，兩外部子區域125&，及125a”形成了兩額外獨立^制列之複數個流體輸出口。因為晶圓丨〇 4區外部利用子區域1 2 5 a及1 2 5 a"來施加控制壓力的有利功效，因而

第20頁 590847

當研磨前緣區之墊變形區時，便產生了一有效之平坦化改進。一在區域11 Oa中之其他兩個子區域係在晶圓丨〇4之區域内提供壓力。尤其，子區域110a"包含一徑向列之複數個輸出口，而子區域u〇a，，，包含昱徑向列之複數個流體輸出口。藉由將平台區11(^分成五個子區域，三個在晶圓104區外及兩個在晶圓區内，平台區11〇3可靈敏地、準確地及精確地在晶圓之前緣區i〇4a上控制研磨壓力。

此外’因為晶圓1 〇 4區外部區域之更精細控制施加之有利功效，使得子區域12 5a，及125 a，，之單一控制徑向列，於研磨墊變形區時，致能更準確的研磨壓力控管以及提供 :平坦化之有效改善。又，晶圓更外部邊緣之更精細控制施加的有利功效，令子區域11〇a，及11()a，，之單一控制徑向列’於研磨墊變形區時，更強化了平坦化能力。

、貝加例中’平台區Π 0 d係一包含五個子區域之後緣區域’各個包含複數個流體輸出口。子區域丨丨，包含一控向列之複數個流體輪出口，其係位於晶圓丨〇 4區稍外部或邊緣。此外，兩外部子區域125(1，及125d，，形成了兩個額外獨立控制之徑向列之複數個流體輸出口。如上所述，於研磨塾變形區之後緣區時，因晶圓1 04區外部利用此區域 12 5d及125dn之控制壓力所施加的有利功效，而發生一平坦化之有效改善。在區域110d中的其他兩個子區域係於晶圓1〇4區域内提供壓力。尤其，子區域丨1〇d，，，包含一徑向列之複數個

第21頁 590847

流體輸出口，而早F pn」，，，a A # & + 口。m a _ 域11 〇d 包含三徑向列之複數個流別 9 將平台區110d分成五個子區域，二個在曰 «104^ =力#確地及㈣地控制晶四4之後緣區趣上的研/ 立β舌ί月1緣區而吕’於研磨塾變形區時，因晶圓104區外 :制施加的有利功效，致使子區域125d，及125d" 之早-控㈣向列能夠更準確地控管研磨壓力以及提供平 ΐ 2 Γ ί 1丈改善。x，研磨墊變形區時，晶圓更外部邊緣更精、、、田控制施加之有利功效，令子區域11 Od,及110d，，之單一控制徑向列更強化了平坦化能力。 β平台歧管組件110更包含一中心區1106，係具有複數個圓形之流體輸出口，用來控制晶圓丨04之研磨壓力及所 k f的研磨動力。因此，本發明實施例可藉由改變及調整任思、某些、或所有區域及子區域中的流體壓力來控制晶圓104區及晶圓104區外部等兩者的流體壓力及所造成之研磨壓力。圖4C依本發明一實施例顯示一平台歧管組件11 〇之一流體開口配置3 50’ 。本實施例中，平台歧管組件11()係分隔成4、個控制施加於晶圓丨〇4之8個不同部分之研磨壓力的主要平台區110a至ll〇d。平台區11〇8至11〇(1分別控制晶圓 104之區域i〇4a至i〇4d(如圖2C所示）上的研磨壓力。區域 11 0 b包含5個徑向列之複數個輸出口以控制平台歧管組件 11 0之一第一側區域上的研磨壓力。此處所用之徑向列一 590847 五、發明說明（16) 詞係半圓形列，係與相距平台歧管組件丨1 〇中心之半徑垂直。區域1 1 0 c包含5個徑向列之複數個輸出口以控制平台歧管組件11 0之一第二側區域上的研磨壓力。吾人應了解的是，儘管此處所述之實施例不分別控制區域丨丨〇b及 11 Oc，然本發明可分別控制各個區域，丨〇a —丨丨〇d。一實施例中’各個分別控制區諸如區域11 〇 a至丨丨〇 d可被設計成將獨立流體流動經由分別控制區域傳送至線型研磨墊底面以靈敏地控制研磨壓力。

另一實施例中，區域ll〇a(亦已知為前緣區）及區域 11 〇 d (亦已知為後緣區）可被獨立控制及設計成將一控制流體w動自兩緣區中各個複數第一輸出孔及後緣區中各個複數第二輸出孔輸出。

、一貫施例中，平台區11 〇 a係一前緣區，包含三個子區域’各個子區域係包含複數個流體輸出孔。各個子區域 1 l〇a’及子區域11 〇a”包含一徑向列之複數個流體輸出孔，而子區域ll〇a，，’包含三徑向列之複數個流體輸出孔。藉由將平台區域110a分成三個子區域，各個子區域包含複數個輸出口，平台區11 0a可靈敏地、準確地及精確地控制晶圓1 0 4之剞緣區1 〇 4 a上的研磨壓力。此外，於研磨墊變形 $域日守’因為晶圓更外部之更精細控制施加的有利功效， $子區域ll〇a’及110a·,之單一控制徑向列能夠更準確的控 ^ 區域上的研磨壓力，而提供一平坦化之有效改善。一實施例中，平台區域11 〇d係一包含三子區域之後緣區’各個子區域包含複數個流體輸出孔。各個子區域

590847 五、發明說明（17) -- 11 〇d’及子區域π 0d”包含一徑向列之複數個流體輸出孔。各個三子區域11〇 d’至ii〇d，，，包含複數個輪出孔，讓平台區0 d能夠靈敏地及精確地控制晶圓1 〇 4後緣區1 〇 4 d的研磨壓力。再者，在晶圓1〇4之後緣上，因墊變形而需要一較高度之研磨壓力管理控制情形下，吟手區域11〇3，及-11 0a’ ’之單一控制徑向列能夠更準確的控管研磨壓力。一中心區11 0e包含複數個圓形流體輸出孔，其可用來控制晶圓1 0 4之研磨壓力及所造成之研磨動力。因此，本發明可藉由改變及調整任意、某些、或所有區域中之流體壓力來控制流體壓力及所造成之研磨壓力。一 ★ 圖5係本發明一實施例之一具有外部壓區段之平台歧管組件110的一侧視圖。圖5之實施例中，晶圓1〇4係二向下推至在平台歧管組件110上移動之研磨墊1〇2上。如上所述，平台歧管組件110包含五個子區域，各個包含複數個流體輸出口。子區域11〇3，包含位於晶圓1〇4區之稍外部或邊緣之，一徑向列之複數個流體輸出口。此外，兩外部子區 25a,及125a”形成兩個額外獨立控制之徑向列的複數個机體輸出口。其他兩個子區域於晶圓丨〇 4區内提供壓力。尤其，子區域1 1 〇a”包含一徑向列之複數個流體輸出口，而子區域110a，，，包含三徑向列之複數個流體輸出口。同樣地，在平台歧管組件110之後緣處，子區域110(1, 匕含位於晶圓1 04區之稍外部及邊緣附近之一徑向列之複數個流體輸出口。兩額外的外部子區域125(1，及125d,，形成了兩獨立控制徑向列之複數個流體輸出口。如上所述，子

590847

區域，1，1 Od包含一徑向列之複數個流體輸出口，而子區域 11 〇d ’’包含三徑向列之複數個流體輸出口。這兩個子區域係在晶圓104區内提供壓力。又，一具有複數個圓形流體輪出口之中心區11〇e係用來為晶圓1〇4之研磨壓力提供額外控制。 - 如圖5所不’外部壓力子區域125a，、^以”、i25d，及 12 5(1”允許研磨墊1〇2區域102&及1〇2(1内之研磨墊1〇2形狀改善。由外部壓力子區域i25a, 、125a”、125d，及125(1，，所提供之研磨墊102的形狀改善係大大地減小了邊緣效應及 k供已強化的移除率輪靡。圖6依本發明一實施例顯示一平台歧管組件11〇。本實施例中，一橡膠襯墊110一3係夾在一平台歧管組件11〇一1及 =基板11 0-4之間。因此，流體管路可連接至一將流體傳送至平台110-1的平台介面組件54〇 (顯示於圖1〇)。〇型環 110-2對一平台周板n 6(顯示於圖u)形成一密封，使得受污染的流體不會漏入至子系統。與平台介面板54〇(如圖ι〇所不），上的流管輪入口對應之位於基板11〇-4之特定輸入口，係被導引至包含複數個流體輸出口之特定區域或子區域，因此藉由特定輸入口所導入之流體控制，自各個相對區域或子區域之流體輸出可被控制。圖7依本發明一實施例，顯示平台11 0- 1之一上視圖 40 0。一實施例中，平台110 — ；ι包含四個可控制以最佳化邊緣研磨之主要區域110a —110d(如關於圖2C之敘述）。區域 110a可包含子區域110a’—110a’，，。各個子區域ιι〇〆及

第25頁 590847 五、發明說明（19) _ 1 二可包含-單-徑向列上的複數個流體輸出口十域11〇a内，來自各個子區域11〇a，_n〇a，= L糟者平台歧管組件1 i 〇而分別控制，藉此致敏^ =，體輪出壓力。吾人應了解的是，輸出至子區-域破的動 a -1丨0a上的流體可依任意方式變化而進行前 :磨壓力管理以及產生更為有效的晶圓研磨諸如二的 :’降低研磨壓力。-實施例中’較靠近邊緣二： ::於子區域110a’及110a"的輸出可用來降低前緣 =研磨壓力（降低流體壓力進而降低研磨壓力）。萨有單一徑向列上各個分別可控制的複數個流體輸出，精細的調整平台歧管組件110邊緣，藉此對研磨墊變形發生處的區域内進行研磨壓力的管理。區域110d包含子區域ii〇d，—UOd”。各個子區域li〇d，及11 Od”可由不同的流體輸出來分別管理，其允許前緣區域11 〇d内由平台歧管組件110所造成的靈敏動力流體輸出壓力變化。吾人應了解的是，子區域110(1，—u〇d”上的輸出可各別地依非降低研磨墊變形度之任意方式而變化，以及耩此讓晶圓研磨能更一致。一實施例中，子區域1 1 〇 d，及11 0dn可讓更多流體輸入其中，藉此增加來自平台的流體輸出’而增加研磨墊上的流體壓力，進而增加後緣内的研磨壓力。此一增加的後緣研磨壓力可使研磨壓力與前緣之研磨壓力相等’因而在晶圓之不同區域内產生了晶圓研磨均勻度的提昇。一實施例中，平台110-1可具有複數個分別被集中之

第26頁 590847 五、發明說明（20) 輸出孔’所以有一第一區域輸出孔及一第二區域輸出孔。然後’分別控制第一區域輸出孔及第二區域輸出孔，俾能施加不同大小之力至晶圓之前緣區及晶圓之後緣區，以及藉此有效地控制施加至晶圓前緣區及後緣區之研磨壓力。圖8依本發明實施例顯示平台1 1 (Γ- 1之一後視圖5 0 0。本實施例中’可察見通往區域11〇a-e(如圖7所示）中複數個流體輸出口之開口。開口 5 〇 2、5 〇 4、5 0 6、5 1 2、5 1 4及 516 係分別通往區域11〇〆、n〇a"、u〇a，，，、i1〇d，、 ll〇d”及ll〇d’’’中的複數個輸出口。又，開口5〇8、51〇、及518係分別通往區域h〇c、ii〇b及ll〇e中的複數個輸出口。k體係輸入至各個開口 5 〇 2 - 5 1 8，流體可分別被控制’俾平台1 1 0- 1上不同區域及包含複數個流體輸出口之子區域可經由管理而降低晶圓不同部分之間的研磨壓力差異。圖9依本發明一實施例顯示一平台介面組件5 4 0。吾人應了解的是，平台介面組件5 4 0可包含任意數目之輸入孔’係與控制的區域及（或）子區域數目有關。一實施例中’平台介面組件5 4 0包含9個輸入孔。一實施例中，兩輸入孔5 5 2將流體饋入至平台歧管組件11 〇區域11 〇 &及 110c(如圖4B及圖7所示之區域110a-110e、子區域 110a - 110a’’’及子區域ll〇d’ - ll〇d’’’）中之複數個輸出孔。此外，輸入孔558、560及554可分別饋入流體至子區域ll〇a，-ll〇a’’’中的輸出孔。此外，輸入孔558、560及 5 54可將流體分別饋入至子區域丨1()a，— 11〇a，，，之複數個輸

第27頁 590847 五、發明說明（21) 出孔中。又’輸入孔5 6 2、5 6 4及5 5 6可將流體分別饋入至子區域110d’ - 110d’’’之複數個輸出孔中。最後，一輸入孔5 6 6可將流體饋入至子區域11 〇 e。藉由改變進入輸入孔 5 5 2 - 5 6 6之流體’平台上各個區域之流體輸出可分別被控制或以任意組合方式靈敏地調整研磨墊不同部分的流體壓力（及研磨壓力），以提昇晶圓不同區域上的研磨壓力之均等，藉此產生更一致的晶圓研磨。圖1 0依本發明一實施例顯示一平台組件6 〇〇，係具有一平台歧管組件110、一平台介面組件54〇及一平台周板 11 6。吾人應了解的是，平台組件6 〇〇可為一完整設備，係具有包含内建於該完整設備中之複數個輸出孔區域；或平台組件6 0 0可包含多個設備，係包含裝設於該平台介面組件5 4 0之平台歧管組件11 0，而平台歧管組件丨丨〇係密接於平台周板116。0型環no —2在平台歧管組件11〇及平台周板 11 6之間形成一密封，使得受污染之流體不會漏入子系統中。不論平台組件60 0的結構為何，其均能經由使用平台組件6 0 0不同區域中的複數個不同輸出孔來控制流體的壓力。一實施例中，平台組件6〇〇包含平台歧管組件u〇，其具有多個δ又置於平台周板116中一凹處並與其連接之複數個輸出孔區域。平台組件6 0 0可包含輸入孔552、554、 5 58、560、562、5 64及56β，可將流體導入至平台組件6〇〇之不同區域内。吾人應了解的是，本發明可使用任意類型的流體諸如’舉例而言’氣體、液體等等來調整研磨墊上來自於平 590847 五、發明說明（22) ' --- 管組件110的壓力。本發明中，這些流體可用來平均 B曰圓上之研磨壓力。因此，藉由使用任意類型的流體組成’平板結構可控制個別輸出至平台歧管組件11〇之特定區域。儘管為了清楚了解之目的，而作了前述發明之幾分古羊述，然吾人應了解的是，在後附申請專利範圍之範圍^ ^ 特定變化及修改係可被實施的。因此，本實施例係為性非為限制性，且本發明不受限於此處特定之詳細#列示而可於後附之申請專利範圍及等效設計中進行修改、述’

第29頁 590847 圖式簡單說明圖1A顯示一典型使用於一 CMP丰絲由令说」m ^ 備；系統中之線型研磨設圖1 B顯示該線型研磨設備之一側視圖；圖1 C顯示一線型研磨設備，係緣因子； 1眾描繪邊緣效應非均勻度圖2A依本發明一實施例顯示—曰侧視圖；日日0線型研磨設備之一圖2 B係一圖示，顯示一非旋曰方向之晶圓平坦化移除率；曰曰圓相對於研磨帶移動圖2 C依本發明一實施例顯一之晶圓線型研磨處理之一上视圖.春里研磨设備所處理圖3依本發明一實施例，顯一有關之不同研磨效應之一描繪圖丁目距研磨晶圓中心矩離圖4A依本發明一實施例，顯體開口配置圖；十口歧官組件之圖4B依本發明一實施例，一體開口配置圖；不一平口歧管組件之 ==發明一實施例，顯示-平台歧管體開口配置圖；圖5係依本發明一實施例之一歧管組件之一側視圖；組件之流有外部壓力區之平台圖6依本發明一實施例，椙圖7依本發明一實施例，顯；：：歧二件; 圖8依本發明—實施例二一2圖； I、卞〇之一後視圖；

590847 圖式簡單說明圖9依本發明一實施例，顯示一平台介面組件；以及圖1 0依本發明一實施例，顯示備有一平台組件，一平台介面組件，以及一平台周板之一平台歧管組件。【符號說明】 10 線型研磨設備 12研磨帶 13壓力 1 6 半導體晶圓 16a〜16b晶圓邊緣 1 8晶圓載體 2 0 輥（或主軸） 2 2 線性運動 24 流體軸承平台 2 5 暫時變形區 2 6 暫時變形區 1 0 0晶圓線型研磨設備 1 0 2研磨墊 102a 區域 102d 區域 1 0 4晶圓 104a 前緣研磨區 1 0 4 c側研磨區 1 0 4 b側研磨區

第31頁 590847 圖式簡單說明 I 04d後緣研磨區 106 方向 108載體頭 108’方向 109a’〜109a’ ’’子區域 II 0 平台集流管組件 110a-d 主要平台區 110a’ -110d’ 子區域 110a’ ’ -110d’ ’ 子區域 110a…-110d’’’子區域 1 1 0 e 中心區 110-1平台 110-2 0型環 110-3 橡膠襯墊 1 1 0 - 4 基板 11 2 轉動轂 11 4 流體源 11 6 平台周板 123a’〜123an外部子區域 125a’〜125a11外部子區域 125b’〜125bn 外部子區域 125c’〜125cn 外部子區域 125d’〜125dn 外部子區域 1 3 0 快速移除率區域

第32頁 590847 圖式簡單說明 1 3 2 慢速移除率區域 1 3 4 徑向平均線 2 0 0研磨效應圖 2 0 1 圖例說明 2 0 2 前緣研磨輪廓曲線 ’ 2 0 8 後緣研磨輪廓曲線、、 2 0 4動態研磨輪廓曲線 2 0 6 平均值曲線 3 0 0 流體開口配置 3 5 0流體開口配置 # 3 5 0 ’流體開口配置 400 平台110-1之一上視圖 500 平台110-1之一後視圖 502 、504 、506 、508 、510 、512 、514 、516 、518 開 d 540 平台介面組件 5 5 2、5 54、556、558、5 6 0、5 62、5 64、5 6 6 輸入孔 6 0 0 平台組件

第33頁

Claims

590847 六、申請專利範圍 1. 一種用於化學機械平坦化（chemical mechanical planarization ; CMP)系統之平台，該平台配置在一線型研磨墊下方以及被設計來將一受控制流體之流動施加至該線型研磨墊下方，該平台包含：一前緣區，包含複數第一輸出孔，該前緣區定向於靠近該線型研磨墊之一上游區；以及一後緣區，包含複數第二輸出孔，該後緣區定向於靠近該線型研磨墊之一下游區’該前緣區及該後緣區係獨立控制的以及被设計來從各個該等複數第一輸出孔及該等複數第二輸出孔獨立輸出該受控制流體之流動。 2 ·如申請專利範圍第1項之用於CMP系統之平台，其中各個該前緣區及該後緣區具有一第一子區域、一第二/子區域及^一第三子區域。 3 ·如申請專利範圍第2項之用於CMP系統之平台，其中该4複數第一輸出孔係位於該第一子區域、 — 域及該第三子區域内。 _邊弟一子區 «° r規寻 4 中該第-子區域、肖第二子區域及該第三子區域係分另「可 j制=，係設計來經由該等分別可控制區域傳輸獨立流體之流動。以 5·如申請專利範圍第4項之用於CMP系統之平台，苴中該第一子區域包含該等複數第一輸出孔之—第’向、該第二^區域包含該等複數第一輸出孔之一第二彳^向及該第二子區域包含該等複數第一輪出孔之一 4第二列列

590847

六、申請專利範圍徑向列、一第四徑向列及一第五徑向列。 6.如申請專利範圍第2項之用於CMP系統之平台，中該等複數第二輸出孔係位於該第一子區域、該第_ 一域及該第三子區域内。 — 7·如申請專利範圍第6項之用於CMP系統之平$ 中該第一子區域、該第二子區域及該第三子區域’其、约分別控制區域，係設計來經由該等分別可控制區域傳私 u J 體之流動。输獨立流 8.如申請專利範圍第7項之用於CMP系統之平台中該第一子區域包含該等複數第二輸出孔之一第其列’該第二子區域包含該等複數第二輸出孔之一第t: =，以及該第三子區域包含該等複數第二輸出孔之二=向徑向列、一第四徑向列及一第五徑向列。第二含· * 種用於支撐線型研磨塾底面的平台組件，包一平台周板；平台介面組件；以及件連接，該平台歧該平A Τ Γ歧管組件’係配置成與該平台介面組管組^ ^ ^組件係配置成由該平台周板所支撐， σ · 一基板；襯塾」係配置成密接於該基板上； ’係配置成密接於該平台周邊；以及 ” σ ，該平台包含複數分別可控制區域，各個分別

第35頁 590847 六、申請專利範圍 ___ 可控制區域係設計來從該等分別之流動至該線型研磨墊底面。工區域傳輸獨立流體 10·如申請專利範圍第9項之田从丄^ 面的平台組件，其中該流體夕、、^用於支撐線型研磨墊底其中之一。〃動係氣體流動或液體流動 11·如申請專利範圍第g項之^ & 面的平台組件，j：中兮^ β \用於支撐線型研磨墊底 12 主ϋ 之流動係液體流動。面的平台組件，其中該等7用於支掉^型^磨墊底後緣區。控制£域係一丽緣區及一面的平a m:耗圍第9項之用於支撐線型研磨墊底中該等分別可控制區域係-前緣區及-後緣&以及兩側邊區。 ®的平a ί >1明專利範圍第12項之用於支撐線型研磨墊底 π制子二=，其中各個該前緣區及該後緣區具有分別可控制子區域以傳輸該獨立流體之流動。申明專利範圍第1 4項之用於支撐線型研磨墊底面的平台組件，豆由 a ，、中各個该則緣區及該後緣區具有至少三分別可控制子區域。 =·:種用於CMP系統之平台，包含： ^ 内。P壓力子區域組，能夠提供壓力至一設置於該平口上5之研磨塾’各個内部壓力子區域係設置在一晶圓下方及該晶圓之一周邊内；以及外。卩壓力子區域組，能夠提供壓力至一設置於該平

第36頁 590847

二上$之研磨塾’各個外部壓力子區域係設置在該晶圓下圓之該周邊外，該外部麼力子區域組係更能夠將该研磨墊塑型以達成一特定移除率。 17· ^申請專利範圍第16項之用於CMP系統之平台， f中各個壓力子區域包含複數輸出孔，係研磨墊上之壓力施加。 ^ 18·如申請專利範圍第16項之用於CMp系統之平台，其中各個該等複數輸出孔提供了氣體壓力至該研磨墊。 19·如申請專利範圍第17項之用於CMP系統之平台，其中各個該等複數輸出孔提供了液體壓力至該研磨墊。 2 0·如申凊專利範圍第1 7項之用於CMP系統之平台，其中該外部壓力子區域組包含一第一外部子區域及一第外部子區域。 — 21·如申請專利範圍第20項之用於CMP系統之平台， /、中衾第外邛子區域及该第一外部子區域係被獨立控制 22·如申請專利範圍第16項之用於CMp系統之平台，更包含一前緣區及一後緣區，各個該前緣區及該後緣區包含一内部壓力子區域組及一外部壓力子區域組。 23·如申請專利範圍第22項之用於CMP系統之平台，其中各個該前緣區及該後緣區之該外部壓力子區域組包含一第一外部子區域及一第二外部子區域。 24·如申請專利範圍第23項之用於cmp系統之平台，其中該第一外部子區域及該第二外部子區域係被獨立^控制 590847 六、申請專利範圍的。 2 5· —種CMP製程中晶圓平坦度的改善方法，包含下列操作：利用一平台改變壓力使其適於一研磨帶，該平台杲有設置在一晶圓下方及該晶圓一周邊内之一内部壓力子區域組；及利用該平台之一外部壓力子區域組改變壓力使其適於該研磨帶，該外部壓力子區域組係設置在該晶圓下方及該晶圓之該周邊之外部，該外部壓力子區域組更能夠塑型該研磨墊以達成一特定移除率。 26·如申請專利範圍第25項之CMP製程中晶圓平坦度的改善方法’其中該外部子區域組包含一第一外部子區域及一第二外部子區域。 27·如申請專利範圍第26項之CMP製程中晶圓平坦度的改善方法，更包含獨立調整該第一外部子區域及該第二外σ卩子區域所供應壓力的操作。 28·如申請專利範圍第25項之CMP製程中晶圓平坦度 $改善方法，更包含獨立調整該平台之一前緣區及一後緣區=，供應壓力的操作，各個該前緣區及該後緣區包含一内部壓力子區域組及一外部壓力子區域組。 Ο r\ .如申請專利範圍第28項之CMP製程中晶圓平坦度的改善方、、木，甘士 & 乃泰其中各個該前緣區及該後緣區之該外部子區 $、’且包含一第一外部子區域及一第二外部子區域。 Q π •如申請專利範圍第29項之CMP製程中晶圓平坦度

590847 六、申請專利範圍 " 的改善方法，更包含獨立調整該第一外部子區域及該第二外部子區域所提供壓力的操作。 3 1 · —種用於CMP之系統，包含：一研磨帶；一晶圓載體，設置在該研磨帶上方，該晶圓載體能夠於一 C Μ P製程中施加一晶圓至該研磨帶上；以及一平台，配置於該研磨帶下方，該平台包含：一内部壓力子區域組，能夠提供壓力至該研磨墊，各個内部壓力子區域係設置在該晶圓下方及該晶圓一周邊内；以及一外部壓力子區域組，能夠提供壓力至該研磨墊，各個外部麼力子區域係設置在該晶圓下方及該晶圓該周邊内，該外部壓力子區域組係更能夠塑型該研磨墊以達成一特定移除率。 32·如申請專利範圍第31項之用於CMP之系統，其中該外部子區域組包含一第一外部子區域及一第二外部子區域。 3 3·如申請專利範圍第32項之用於CMP之系統，其中該第一外部子區域組及該第二外部子區域組係獨立控制的，以於一CMP製程中塑型該研磨墊。 34.如申請專利範圍第31項之用於CMP之系統，其中該平台更包含一前緣區及一後緣區，各個該前緣區及該後緣區包含一内部壓力子區域組及一外部壓力子區域組。 35·如申請專利範圍第34項之用於CMP之系統，其中

第39頁 590847

各個該前緣區及該後緣區之該外部子區域之一第一外部子區域及一第二外部子區域。蜀立乜制 36. —種用於CMP操作期間裝設於支撐之平台，包含： ^况！履面而一平板，包含複數分別可控制區域'，各個該丨 ^制區係㈣來經由該等分別可控制區傳輸獨動至該線型研磨墊底面。風之· 37.如申請專利範圍第36項之用於CMp操作於線型研磨塾底面而支撐之平台’其中該裝^

包含-第-區、一第二區、—第三區及一第四區了 38·如申請專利範圍第37項之用於CMp操作期間於線型研磨墊底面而支撐之平台，其中移動時又對於該線型研磨I係一前緣區及該第二區 2 磨墊係一後緣區。、深i研之用於CMP操作期間裝設 ’其中該第三區及第四區 3 9.如申請專利範圍第3 7項於線型研磨墊底面而支撐之平台係側邊區。

4 0·如申請專利範圍第3 8 於線型研磨墊底面而支撐之平第二區包含該分別可控制區之傳送獨立流體之流動。項之用於CMP操作期間裝設台’其中各個該第一區及該子區域’各個子區域係能夠。41· 一種用於CMP操作期間裝設於線型研磨墊底面而支撐之平台，該平台係設計來於一晶圓被施加至該研磨墊之一頂面時，施加一力至該線型研磨墊之底面，該晶圓係

第40頁 590847 六、實該等該控圓於係動申請專利範圍質地被施加在該平台上俾能界定該晶圓及該平台之間之線型研磨墊，該平台包含： -平板，具有複數輸出孔’各個輪出孔係設計來輸出流體流動，該等複數輸出孔係被分別集中，俾能界定該輸出孔之-第-區及一第二區，該第—區係實質定向於 =之：前緣：方以及該第二區係實質定向於該晶圓之後緣下二：該等輸出孔之該第一區及該第二區係分別被制，俾能施加一大小不同於$ a m 之該前緣。之錢緣之力至該晶 42·如申凊專利範圍第η項線型研磨墊底面而支撐之平A '呆乍，月間裝設複數分別可控制子=台更包含：設計用來經由該等分別各個该等分別可控制子區域至該線型研磨墊之底面抆制子區域傳輸獨立流體之流