TW588564B - Organic electroluminescence element-use transparent substrate and element - Google Patents
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588564 A7 B7 五、發明説明(彳) 技術領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關有機電激發光元件用基板及使用該基板 之有機電激發光元件。 先行技術 有機電激發光元件因近年來平面顯示器之需求升高而 多受囑目。如Tang 及 Vanslyke 所提議(Appl. Phys. Lett·,51, 913,1987),該元件之構造包括形成在玻璃基板上之陽極、 正孔輸送層、電子輸送發光層及陰極。此外亦知有,取代 玻璃基板改用薄膜基板以實現輕量、撓性之元件 (Semiconductor FPD World 2001,6,152),上述元件構造中 之陰極使用透明材料,再於其上設透明膜,自陰極側射出 發光的採用頂射方式之元件 (Semiconductor FPD World 2001,4,13 6)等。有機電激發光元件具有優於向來用作平 面顯示器之液晶元件之點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即,係自行發光之元件,且視角依賴性小、耗電低、 可製成極薄之元件。然而,作爲平面顯示器仍多有問題尙 待解決。其一乃元件之發光壽命短。目前對此已能改良元 件要素發光層材料至達1萬小時左右之壽命,但用作平面顯 示器元件其壽命尙屬不足。此外,有長久顯示靜止畫面時 產生點亮像素與非點亮像素之亮度差,成爲可見殘像之殘 像現象之問題。 影響發光壽命之因素所在多有,並已知爲提高發光亮 度而施加高電壓於元件時更縮短其壽命。然而使用有機電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 - 588564 A7 B7 五、發明説明(2 ) 激發光元件之顯示器,其發光亮度在施加低電壓時有所不 足,爲確保白天室外之顯示器之視認性,必須施加高電壓, 提高發光亮度。如此之有機電激發光元件,已陷入爲延長 壽命發光亮度非減弱不可,而爲提高視認性壽命即縮短之 兩難。 爲解決此一問題,向來已有改良有機電激發光元件之 發光層材料的努力。亦即,爲實現低施加電壓下之高發光 亮度的高內部能量效率的發光層材料之開發。 另一方面,根據Thompson等人,代表有機電激發光元 件之發光效率的外部能量效率,係以元件之內部能量效率 與光射出效率之積表之 (Optics Letters 22,6,396,1977) 。亦即,爲提升有機電激發光元件之發光效率,除提升內 部能量效率以外,亦須提升光射出效率。 光射出效率,乃自元件之透明基板正面射往大氣中之 發光占元件之發光的比率。即,發光層之發光往大氣射出 時,須通過若干折射率不同之媒體界面,而依斯湼耳折射 律,以其臨界角以上之角度入射於各界面之入射光,或於 界面全反射波導於層中而消失或由層側面射出,按其比率 由元件正面射出之光減少。 根據上述Thompsoon等人,有機電激發光元件之光射出 效率約在0.175,發光層所產生之光約有18%射出元件外, 其餘約82%則消失於元件或自元件側面射出。 因此,提升光射出效率乃重要課題,向來已有種種嘗 試。已見揭示者有,於透明電極、發光層形成粒界使可見 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 588564 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3 ) 光散射者(日本專利特公平3 - 1 8320號公報),透明基板係 其一表面經粗面化之玻璃基板,使發光散射者(特開昭 6 1 - 1 5669 1號公報),於電極與有機層界面附近設散射區域 者(特開平09 - 1 29375號公報)。然此等嘗試皆有打亂元 件各層的膜厚之虞,因會造成絕緣破壞及元件發光不均, 從元件的量產性之觀點尙非完美。 此外,有於透明基板與發光層之間,以光學干涉膜等 作抗反射處理者之揭示(特開平2 - 56892、特開平 3 - 297090號公報)。但此等對折射率大之無機電激發光元 件尙具效果,而於折射率較小之有機電激發光元件,不僅 透明基板與發光層側透明電極之界面,透明基板與大氣界 面之全反射亦係大問題,故效果無法充分提升。 再者,上述發明之目的係在防止外部光穿過透明基板 於元件背面之鏡面電極反射,使元件之對比等顯示品質下 降,而從光的射出之觀點,其折射率、膜厚之設定則大異 其趣。 因此,有機電激發光元件的光射出效率低之問題依然 尙待解決。 本發明即基於以上背景而完成,其目的在提供可改善 有機電激發光元件之光射出效率的透明基板,及使用該基 板,發光效率高且量產性優之有機電激發光元件。 發明之揭示 本發明提供具以下特徵之有機電激發光元件用透明基 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --裝- 、11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -6- 588564 A7 _B7 _ 五、發明説明(4 ) 板,及使用該基板之有機電激發光元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (1) 一種有機電激發光元件用透明基板,係有機電激發 光元件之透明基板,其特徵爲:於其兩面設具有對來自發 光層之發光可減少反射量之折射率及膜厚的至少1層所成之 光學干涉膜。 (2) 上述(1)之有機電激發光元件用透明基板,其中 光學干涉膜之折射率在1.1至2.3,膜厚在10至25,000奈米。 (3) 上述(1)或(2)之有機電激發光元件用透明基 板,其中光學干涉膜係高折射率與低折射率膜之多層膜, 或具不同膜厚之多層膜。 (4) 上述(1)、 ⑵或(3)之有機電激發光元件用 透明基板,其中光學干涉膜係金屬氧化之溶膠凝膠材料塗 布於透明基板,煅燒而成。 (5) 上述(4)之有機電激發光元件用透明基板,其中 金屬氧化物之溶膠凝膠材料,係金屬烷氧化物於酸性化合 物或鹼性化合物之存在下,於有機溶劑中聚縮合反應而得 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 (6) 上述(5)之有機電激發光元件用透明基板,其中 金屬烷氧化物係烷氧基矽烷、或鈦、銷、鋁或鉬之四烷氧 化物。 (7) 上述(1)至(6)中任一之有機電激發光元件用 透明基板,其中光學干涉膜係將金屬氧化物之溶膠凝膠材 料以浸沾法於透明基板兩面成膜煅燒而得。 (8) 上述(1)至(7)中任一項之有機電激發光元件 本紙張尺度適财酬家縣(CNS ) A4規格(21GX297公釐) 一 588564 A7 B7 五、發明説明(5) 用透明基板,其中透明基板係石英玻璃、鈉鈣玻璃或有機 膜。 (9) 一種有機電激發光元件,具有上述(1)至(8)中 任一之有機電激發光元件用透明基板。 圖面之簡單說明 第1圖··本發明之透明基板用在有機電激發光元件時之 剖視圖。 第2圖:以往使用透明基板時來自發光層之光散失於內 部之情形的剖視圖。 第3圖:使用本發明之透明基板時,來自發光層之光由 基板正面射出之情形的剖視圖。 符號說明 1 透明基板 2 透明電極 3 具有發光層之有機層 4 電極 5 於透明電極與透明電極之界面反射,導波於元件內之光 6 於透明基板與大氣之界面反射,波導於元件內之光 7 不於界面全反射,自元件射出之光 8a, 8b 本發明之光學干涉層 9 本發明之有機電激發光元件用透明基板 10 經本發明之光學干涉層的作用自元件射出之光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _)·裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _8_ 588564 Α7 Β7 五、發明説明(6) 11 有機電激發光元件 θ 1透明電極與透明基板之界面的全反射角 θ2透明基板與大氣之界面的全反射角 主要元件對照表 1 透明基板 2 透明電極 3 有機層 3 發光層 4 電極 9 透明基板 發明之最佳實施形態 第1圖示使用本發明之透明基板的有機電激發光元件之 例。第1圖之構造的元件,通常係於本發明之透明基板9上 依序堆積透明電極2、含發光層之有機層3、電極4而成。此 等堆積層極薄,若透明基板表面粗則有絕緣破壞之虞。因 此,本發明之透明基板9之元件側表面須予充分平滑化。 又,頂射方式之元件構造亦可採用本發明,該方式係 形成發光元件於其它基板後,與本發明之透明基板9組合而 成。 使用本發明之具光學干涉膜之透明基板9,自有機電激 發光元件之發光層3以近乎垂直之角度射入該透明基板9之 光,因各膜界面之反射光與入射光之相位相反,起干渉作 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ί- 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 588564 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7 ) 用而反射光減少,而根據界面的光動量不滅定律,穿透光 以等量增加。因此即可自透明基板正面射出更多的光。 另一方面,使用第2圖之習知無光學干涉膜之透明基板 1時,產生自發光層3的光之中,以臨界角0!以上之角度射 入透明基板1之光5全反射。全反射之光再於另一電極表面4 全反射,一再重複光即波導於元件內而消失。以臨界角0 ! 以下之角度射入透明基板1內之光,再於透明基板與大氣之 界面起反射、折射,以臨界角以上之角度射入之光6全 反射,波導於透明基板1內,無法自基板正面射出。 若使用如第3圖,本發明之具光學干涉膜之透明基板, 原理目前雖尙不明,自發光層以臨界角0:及以上之 角度射入與透明基板之界面的光,亦可多少自透明基板正 面射出。因此僅使用本發明之透明基板,通常之有機電激 發光元件的外部發光效率即可大幅提升,因而,兼得前敘 之有機電激發光元件的發光亮度及壽命成爲可能。 又本發明之透明基板因具兩面有光學干涉膜之構造, 有可採用浸沾法等,低成本製作大面積基板的塗布方法之 優點。 用在本發明之透明基板係石英玻璃、鈉鈣玻璃、有機 膜等之透明基體。亦可於表面形成彩色濾光片、黑格陣。 於該透明基板之兩面形成對來自發光元件之發光反射量可 減少之折射率及膜厚的至少1層所成之光學干涉膜。例如, 設有1層之光學千涉膜時,基於次式設定膜厚及折射率,使 反射率爲極小。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _!·裝·
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -10- 588564 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(8 ) R= { (η2 - rux nt) + (n2 + ngX n:) } 透明基板與透明電極相貼形成有反射性界面,於該界 面設單層膜使特定波長λ之反射爲零之條件係,光學干涉 膜之膜厚爲d,其折射率爲η,透明基板之折射率爲ng,透明 電極折射率爲nt,N爲任意自然數時,n= (ngX nt) 1/2且nx d =( λ + 4) xN。通常,用於顯示器之抗反射膜時,因考慮所有 波長的可見光之反射,λ係依中心波長520奈米設定。本發 明中Ν通常係用1至50。 上式即表示必須滿足,膜之折射率係基板折射率之平 方根之振幅條件及其光學厚度係中心波長的1/4之Ν倍之相 位條件。例如,透明基板之折射率爲1.5,透明電極之折射 率爲2.0時,須用折射率1.73之單層膜,而設定中心波長爲 520奈米時nx d= 130奈米,單層膜之厚度可係約75奈米之Ν倍 。如此,本發明之光學干涉膜,折射率通常係以1.1至2.3爲 佳,1.2至1.9尤佳。又,膜厚通常係以10至500奈米之N倍爲 佳,50至200奈米之N倍爲尤佳,通常以10至25,000奈米爲佳, 50至10,000奈米爲尤佳。 爲於更寬之波長範圍壓低反射,亦可用2層膜等之多層 膜。較佳之2層膜之構造有二。其一係折射率之差較佳者爲 0.01至1.00,依序重疊高折射率膜及低折射率膜而成膜,設 定膜厚以壓低各膜之反射率。另一構造亦同,各膜厚度較 佳者爲中心波長之1/4之N倍及1/2之N倍。 爲於更寬之波長範圍壓低反射率,更可用3層以上多層 之光學干涉膜。本發明之光學干涉膜之構成材料,若可依 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 588564 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7五、發明説明(9 ) 上式得恰當之折射率及膜厚,有機低分子、有機高分子、 無機金屬氧化物均可使用,較佳者爲金屬烷氧化物之聚縮 合溶膠凝膠材料。該溶膠凝膠材料係金屬烷氧化物於酸性 化合成物或鹼性化合物之存在下,有機溶劑中聚縮合反應 而得。 該酸性化合物有例如硝酸、鹽酸等之無機酸,草酸、 醋酸等有機酸。鹼性化合物有例如氨等。上述金屬烷氧化 物有例如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷、 四丁氧基矽烷等四烷氧基矽烷類,甲基三甲氧基矽烷、甲 基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷 、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丁基三甲氧基 矽烷、丁基三乙氧基矽烷、戊基三甲氧基矽烷、戊基三乙 氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、庚基 三甲氧基矽烷、庚基三乙氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、 辛基三乙氧基矽烷、硬脂基三甲氧基矽烷、硬脂基三乙氧 基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3 -氯丙基三曱氧基矽烷、3-氯丙基三乙氧基矽烷、3 -羥 丙基三甲氧基矽烷、3 -羥丙基三乙氧基矽烷、3 -環氧 丙氧基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧氧基三乙氧基矽烷、3 -甲基丙烯醯氧基三甲氧基矽烷、3-曱基丙烯醯氧基三 乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、三 氟丙基三甲氧基矽烷、三氟丙基三乙氧基矽烷等三烷氧基 矽烷類,或二甲基二曱氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷等 二烷氧基矽烷類等,四乙氧化鈦、四丙氧化鈦、四丁氧化 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 588564 A7 B7 五、發明説明(1〇) 鈦等四烷氧化鈦化合物,四乙氧化鍩、四丙氧化銷、四丁 氧化銷等四院興化銷化合物,二丁氧化錦、二異丙氧化金呂 、三乙氧化鋁等三烷氧化鋁化合物,二乙氧化鋇等二烷氧 化鋇化合物,五丙氧化鉬、五丁氧化鉅等五烷氧化組化合 物、四甲氧化铈、四丙氧化鈽等四烷氧化鈽化合物、三丙 氧化釔等三烷氧化釔化合物、五甲氧化銷、五乙氧化鍩、 五丙氧化鍩等五烷氧化鍩化合物、二甲氧化鎘、二乙氧化 鎘等二烷氧化鎘化合物等,此等可單獨或組合2種以上使用 〇 上述烷氧基矽烷中,較適用者有四甲氧基矽烷、四乙 氧基矽烷等四烷氧基矽烷,甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙 氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷等三烷 氧基矽烷、四烷氧化鈦化合物、四烷氧化鉻化合物、三烷 氧化鋁化合物、五烷氧化鉬化合物。 用於上述烷氧基矽烷及金屬烷氧化物之聚縮合反應, 以及用於溶解金屬鹽之有機溶劑有例如,甲醇、乙醇、丙 醇、丁醇等醇類,丙酮、丁酮等酮類,苯、曱苯、二甲苯 等芳族烴類,乙二醇、丙二醇、己二醇等二醇類,乙基溶 纖劑、丁基溶纖劑、乙基卡必醇、丁基卡必醇、二乙基溶 纖劑、二乙基卡必醇等二醇醚類,N -甲基吡咯烷酮、二甲 基甲醯胺等,此等可單獨或混合2種以上使用。爲提高塗布 液之長期保存性,防止塗布於基材時之乾燥不均,水解完 後可將副產之低沸點醇類餾出,使塗布液中之溶劑高沸點 化、高粘度化。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' ~ -13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝· 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 588564 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 \J/ 1- X— /f\ 明説 明發五 製解 的溶 板物 基合 明縮 透聚 用物 件化 元氧 光烷 發屬 激金 電述 機上 有將 之 , 明先 發首 本。 明便 說一 次之 其法 方 造 於上述有機溶劑,製成塗布液。 以浸沾、旋塗、轉印、刷塗、輥塗、噴霧等常用塗布 法將該塗布液塗布於透明基板之兩面。從量產性之觀點, 以使用能於一次操作順利塗布於兩面,大面積化也容易之 浸沾法爲佳。所得塗膜,隨其材質以金屬烷氧化物爲原料 者於50至8(TC乾燥後,於100°C以上,較佳者爲100至500°C 煅燒0.5至1小時。該加熱硬化可用烘烤爐、熱板等裝置施行 〇 然後,形成塗布膜之透明基板隨其所需以硏磨、壓製 、透明平坦化膜之塗布等方法平滑化。 在此係以單層膜之情形作說明,重複上述過程可製成 多數層之光學干涉膜。當然,多數層光學干涉膜之各層的 組成、膜厚及折射率可係各自獨立。 以下藉實施例更詳細說明本發明,但此等係僅用以例 示,本發明不限於此。 實施例1 以浸沾法於玻璃基板之兩面,將氧化矽系溶膠凝膠被 覆材料(日產化學工業公司製商品名LR-201A)成膜爲 膜厚103奈米。該基板以烘箱於510°C加熱煅燒30分鐘。自烘 箱取出,塗膜之折射率經測出爲1.26。該基板的550奈米波 長之光的反射率爲2% 。未施以本處理之玻璃基板的反射率 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 588564 A7 B7 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 五、發明説明(12) 爲4%,可知本處理減降反射率。 實施例2 以浸沾法於玻璃基板之兩面,將(氧化矽 +無機氧 化物)系之溶膠凝膠被覆材料(日產化學工業公司製商品 名Η - 7000、Η - 1000、LR - 202)各以膜厚103奈米層合成 膜。該基板於烘箱以510 °C加熱30分鐘煅燒。自烘箱取出, 該基板的550奈米波長之光的反射率經測出爲0.3% 。未施 以本處理之玻璃基板的反射率爲4%,可知本處理降低反射 率。 實施例3 爲作比較,各用上述實施例1及實施例2所得具光學干 涉層之透明基板,及未形成光學干涉層之透明基板,製成 有機電激發光元件。於各透明基板之一光學干涉層上,以 濺鍍法將銦錫氧化物(IT0)以100奈米成膜作爲透明電極 。此時片電阻値爲20歐姆/平方公分。 於該表面依序形成正孔輸送層,材料係本案申請人先 前申請之特願2000 - 341775號之低聚苯胺衍生物(苯胺五 量體溶解於DMF,摻雜以3倍莫耳當量5 -磺基水楊酸)70 奈米之厚度,發光層N,N’ -雙(1 -萘基)—n,N,-二苯 基-1,1’ -雙酚-4,4’ -二胺(α — NPD) 50奈米厚, 電子輸送層參(8 -經基喹啉)纟S (Alq3) 50奈米厚。隨後 蒸鍍鎂-銀合金形成陰極,厚200奈米。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 588564 A7 _B7_ 五、發明説明(13) 以10伏特電壓施加於如此製成之有機電激發光元件之 二電極,從透明基板正面測出發光量,以比較例之値爲1, 比較以實施例1及實施例2之透明基板製成的元件之測定値 〇 結果實施例1之元件爲1.2,實施例2之元件爲1,3,由此 確認,使用本發明之透明基板,可大幅提升習知構造之有 機電激發光元件的面發光亮度。 產業上之利用可能性 如以上詳細說明,本發明之有機電激發光元件用基板 量產性優,且用該基板構成元件即可製成光往外射出之效 率提升的有機電激發光元件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝·
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -16-
Claims (1)
- 588564 A8 B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍 第9 1 1 2089 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 2年1 1月20日修正 1. 一種有機電激發光元件用透明基板,係有機電激發 光元件之透明基板,其特徵爲:於該透明基板之兩面,設 可對來自發光層之發光減少反射量之折射率及膜厚的至少1 層所成之光學干涉膜。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件用透明 基板,其中光學干涉膜折射率1.1至2.3,膜厚10至25,Ό00奈 3. 如申請專利範圍第1或2項之有機電激發光元件用透 明基板,其中光學干涉膜係高折射率膜,及低折射率膜所 成之多層膜,或具不同膜厚之多層膜。 4. 如申請專利範圍第1或2項之有機電激發光元件用透· 明基板,其中光學干涉膜係以金屬氧化物溶膠凝膠材料塗 布煅燒於透明基板而成。 5. 如申請專利範圍第4項之有機電激發光元件用透明 基板,其中金屬氧化物之溶膠凝膠材料,係金屬烷氧化物 於酸性化合物或鹼性化合物之存在下,於有機溶劑中聚縮 合反應而得。 6. 如申請專利範圍第5項之有機電激發光元件用透明 基板,其中金屬烷氧化物係烷氧基矽烷,或鈦、錐、鋁或 鉅之四烷氧基化合物。 7. 如申請專利範圍第1或2項之有機電激發光元件用透 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)~' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 588564、申請專利範圍 明基板’其中光學干涉膜係以浸沾法將金屬氧化物之溶膠 凝膠材料於透明基板之兩面成膜煅燒而成。 8.如申請專利範圍第丨或2項之有機電激發光元件用透 明S板’其中透明基板係石英玻璃、鈉鈣玻璃或有機膜。 9· 一種有機電激發光元件,其特徵爲:具有如申請專 利範圍第1至8項中任一項之有機電激發光元件用透明基板 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001276422 | 2001-09-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW588564B true TW588564B (en) | 2004-05-21 |
Family
ID=19101127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091120891A TW588564B (en) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | Organic electroluminescence element-use transparent substrate and element |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20040247875A1 (zh) |
| EP (1) | EP1435761A4 (zh) |
| JP (1) | JPWO2003026356A1 (zh) |
| KR (1) | KR100863171B1 (zh) |
| CN (1) | CN1633826A (zh) |
| TW (1) | TW588564B (zh) |
| WO (1) | WO2003026356A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI458131B (zh) * | 2011-06-27 | 2014-10-21 | Lextar Electronics Corp | 半導體發光元件 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4703108B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2011-06-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
| WO2005059050A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 低屈折率及び撥水性を有する被膜 |
| JP4887784B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2012-02-29 | 日産化学工業株式会社 | 低屈折率及び大きい水接触角を有する被膜 |
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- 2002-09-12 CN CNA028176529A patent/CN1633826A/zh active Pending
- 2002-09-12 KR KR1020047001474A patent/KR100863171B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-12 JP JP2003529817A patent/JPWO2003026356A1/ja active Pending
- 2002-09-12 EP EP02765518A patent/EP1435761A4/en not_active Withdrawn
- 2002-09-12 US US10/489,099 patent/US20040247875A1/en not_active Abandoned
- 2002-09-12 WO PCT/JP2002/009372 patent/WO2003026356A1/ja not_active Ceased
- 2002-09-12 TW TW091120891A patent/TW588564B/zh not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR100863171B1 (ko) | 2008-10-13 |
| KR20040035703A (ko) | 2004-04-29 |
| EP1435761A4 (en) | 2010-03-10 |
| CN1633826A (zh) | 2005-06-29 |
| JPWO2003026356A1 (ja) | 2005-01-06 |
| EP1435761A1 (en) | 2004-07-07 |
| WO2003026356A1 (en) | 2003-03-27 |
| US20040247875A1 (en) | 2004-12-09 |
| US20080075849A1 (en) | 2008-03-27 |
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