TW587324B - Wiring substrate and semiconductor device - Google Patents

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TW587324B
TW587324B TW091137307A TW91137307A TW587324B TW 587324 B TW587324 B TW 587324B TW 091137307 A TW091137307 A TW 091137307A TW 91137307 A TW91137307 A TW 91137307A TW 587324 B TW587324 B TW 587324B
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Tatsuya Hirai
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

587324 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於布線基板及其半導體裝置。尤爲具體而 言，是關於搭載半導體元件以形成半導體裝置用之布線基 板及使用此之半導體裝置。 【先前技術】 圖1 3爲顯示使用先前之布線基板6 1 0所形成之半導體裝 置6 00的立體圖。但是，圖1 3中，爲說明內部構造以剖開 局部之狀態作顯示。 如圖13所示，半導體裝置600係將半導體元件4搭載於 布線基板6 1 0上，利用封裝樹脂6將其封裝而形成者。 布線基板6 1 0包括基板2。於基板2之背面設置金屬球 8。金屬球8係介由通孔1 0，連接形成於基板2之表面上 之基板上布線42。此外，半導體元件4之表面上設有電極 1 4，電極1 4係藉由焊線1 6連接於基板上布線4 2。/ 圖14爲包含顯示半導體裝置600之局部透視圖的俯視 圖。圖14中，在透視封裝樹脂6的狀態下，顯示半導體裝 置 6 0 0。 如圖1 4所示，布線基板6 1 0於其中央具有由抗蝕層1 8 所覆被的部分，該抗蝕層1 8上介由晶片黏接材搭載半導體 元件4。 此外，基板上布線4 2具備焊線設置部4 4及連接線4 6。 焊線設置部4 4係以繞基板2之外周部1周之排列方式配置 於基板2之外周部。連接線4 6之一端係與焊線設置部4 4 5 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 連接，而另一端與連接金屬球之連接部10連接。 【發明內容】 (發明所欲解決之問題） 然而’即使在使用與如上述之布線基板6 1 〇相同的布線 基板6 1 0 ’搭載大小不同的半導體元件的情況，也有利用 焊線1 6連接半導體元件4的電極1 4及焊線設置部4 4的必 要。但是，於布線基板6 1 0上，焊線設置部44係以繞基板 2之外周部1周之排列方式，對應外部電極8，以相同數量 設置成一列。 據此，例如，在半導體元件小的情況，焊線丨6的長度變 長，在充塡封裝樹脂6的情況等，易造成焊線1 6彼此間之 接觸。另一方面，在半導體元件大的情況，電極1 4與焊線 設置部4 4相互接近，易造成焊線1 6與半導體元件4的端 部間的接觸。 l· 如此’若焊線1 6彼此間接觸，會嚴重波及到半導體裝置 本身的信賴性。因此，在將大小互異的半導體元件搭載於 布線基板的情況，有製造配合半導體元件之尺寸以使焊線 設置部移動的布線基板，且應用此之必要。 · 但是，近年，半導體元件越來越多樣化、多品種化。據 此，要配合各種半導體元件來製造布線基板，以對應多品 種化的半導體元件極爲困難，另一方面，還會牽涉到製造 時間、費用增加等。 據此，本發明係用以解決如上的問題，其目的在於，提 供在指定的焊線長度內，可適用大小互異之半導體元件的 6 312/發明說明書(補件)/92·03/91137307 半導體封裝基板。 (解決問題之手段） 本發明之布線基板’具備搭載半導體元件之搭載部；連 7 接外部電極用的多個外部端子；及連接於上述多個外部端 V 子之各個端子的多個基板上布線，上述各基板上布線係爲 包括多個連接形成於上述半導體元件之表面的電極用的電 極連接部者。 此外，本發明之布線基板，係爲以沿上述布線基板之中 Φ 心部爲中心的放射線的方向的方式配置上述基板上布線 者。 此外，本發明之布線基板，係以繞上述搭載部之外周多 列之方式配置上述電極連接部， 上述各基板上布線，係爲包括上述多列中配置於互異之 2列以上的上述電極連接部者。 此外，本發明之布線基板，係以繞上述搭載部之外周3 列以上之多列之方式配置上述電極連接部， 鲁 上述基板上布線，係爲包括在1基板上布線與從上述布 線基板之內側計數被配置爲奇數列的電極連接部連接的情 況，則旁鄰之基板上布線連接偶數列的電極連接部者。 其次，本發明之半導體裝置，具備本發明之布線基板； 及搭載於上述布線基板上之含有多個電極的半導體元件， ' 係爲將上述半導體元件上之各電極連接於上述各基板上布 w 線之上述電極連接部位中1個電極連接部者。 此外，本發明之半導體裝置，具備本發明之布線基板； 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 及搭載於上述布線基板上之含有多個電極的半導體元件， 係爲將上述半導體元件上之各電極連接於以圍繞上述多列 之方式配置的上述電極連接部中配置於1或2列以上任意 列的電極連接部者。 此外，本發明之半導體裝置，係爲由抗蝕層覆被上述各 基板上布線的多個電極連接部中不需要的電極連接部者。 【實施方式】 (發明之實施形態） 以下，依照圖式說明本發明之實施形態。又，各圖中， 對於相同或相當之部分則賦予相同的元件符號，簡略化乃 至省略該說明。 (實施形態1) 圖1爲顯示本發明之實施形態1之半導體裝置丨00的立 體圖。圖1中，爲說明半導體裝置100的內部構造，以剖 開局部之狀態作顯示。 如圖1所示，半導體裝置1 00包括：布線基板1 1 〇、搭 載於布線基板1 1 0上之半導體元件4及封裝樹脂6。 布線基板1 1 0包括基板2。於基板2之背面形成金屬球 8。此外，金屬球8連接形成於基板2之表面上之連接部 1 0，介由連接部1 0連接形成於基板2表面上之基板上布線 12 ° 此外，半導體元件4之表面上設有多個電極1 4。半導體 元件4係搭載於布線基板1 1 0之表面上，各電極1 4係藉由 焊線1 6連接於基板上布線1 2。在該狀態下，半導體元件4 8 312/發明說明書(補件)/92-〇3/911373〇7 587324 係藉由封裝樹脂6而被封裝於布線基板1 1 0上，構成半導 體裝置100。 圖2爲說明布線基板1 1 0的構造用的俯視圖。在此，圖 2僅顯示藉由通過布線基板1 1 0的中心〇的直交座標軸所 分割成的4個部分中之右上部分、亦即第1象限部分。但 是，關於圖2中未顯示之右下、左下、左上部分、亦即第 2至4象限部分，也以中心點〇爲中心具有點對稱之相同 配置。 如圖2所示，布線基板1 1 〇的中央部設有由抗蝕層1 8 所覆被的部分。此外，於布線基板1 1 〇上，以由上述布線 基板之中心點0爲中心之呈放射線狀的配置方式，於抗蝕 層1 8的外周部設有基板上布線1 2。基板上布線1 2係設置 爲與半導體元件的電極1 4具有相同的個數。 各基板上布線1 2包括2個焊線設置部2 0、2 2及連接線 24。連接線24之一端係與各焊線設置部22、20連接，而 另一端與連接部1 0連接。/ 各焊線設置部20、22，係以分別圍繞由抗蝕層1 8所覆 被之部分外側的方式，從內側順序配置並行排列成爲2列 20A、22Α。此外，在布線基板1 10之整體上，其配置於各 列20A、22A的焊線設置部20、22的個數，分別與設於半 導體元件4的表面全體的電極1 4的個數一致。此外，各焊 線設置部20、22係藉由於銅等的金屬上施以電鍍來形成。 如此，各基板上布線1 2係由連接線24 —條條地連接列 20A之焊線設置部20及列22A之焊線設置部22所構成， 9 312/發明說明書(補件)/92-03/911373〇7 587324 以沿中心點◦爲中心之放射線方向的方式，從各連接部1 〇 進行配置。 圖3爲包含說明半導體裝置1 0 0用的局部透視圖的俯視 ·: 圖。圖3與圖2相同，僅顯示第1象限部分。 ι 如圖3所示，半導體元件4係搭載於由抗蝕層1 8所覆被 的部分上。半導體元件4之表面上形成各電極1 4，藉由焊 線1 6連接於列2 Ο Α之焊線設置部2 0。也就是說，在此， 因半導體元件4之尺寸小，，僅使用配置於內側列20A的焊 線設置部2 0，而於焊線設置部2 2未連接焊線1 6。/ ^ 在如上述所構成的半導體裝置1 00中，於連接與外部電 極連接的組成端子的金屬球8的連接部1 0，連接藉由連接 線24所連接的焊線設置部20。此外，於該焊線設置部20 藉由焊線1 6連接半導體元件4的電極1 4。據此，可從外 部電極將電信號供給連接電極1 4的半導體元件4的能動元 件。 若如上述構成，即可配合半導體元件4的大小尺寸，連 φ 接配置於內側的焊線設置部20及電極1 4。據此，即使在 半導體元件4的尺寸小的情況，也可抑制連接電極1 4及焊 線設置部20的焊線1 6的長度超過指定以上之長度。藉此， 可阻止焊線1 6彼此間的接觸，可獲得高信賴性的半導體裝 置。 · 又，實施形態1中，說明了在2列之焊線設置部中僅使 L 用配置於列20A上的焊線設置部20的情況。此在半導體 元件4小的情況，可有效抑制焊線1 6的長度增長。但是， 10 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 本發明中，並不僅限於半導體元件4小的情況，例如，在 半導體元件較大，若將焊線1 6連接於列20A上的焊線設 置部20，反而會造成焊線1 6與半導體元件4的邊緣部接 觸的情況，只要使用外側列22A上的焊線設置部22即可。 此外，例如，也可在右邊側及上邊側，使用配置於列20A 上的焊線設置部20,在左邊側及下邊側，使用配置於列22A 上的焊線設置部22等，呈規律變化地選擇性使用焊線設置 部，以對應半導體元件的尺寸大小。 此外，上述實施形態1中，以繞布線基板1 1 0二周之方 式設置2列之焊線設置部。但是，本發明並不僅限於並行 排列2列之焊線設置部，根據必要也可以圍繞數周之方式 設置多列的焊線設置部，只要依照半導體元件4的尺寸大 小，使用適當列之焊線設置部即可。此外，也可爲在右邊 側及上邊側僅設置1列之焊線設置部，在左邊側及下邊側 配置多列之焊線設置部者等，在各邊上並行排列列數互異 之焊線設置部者。如此之構成，也只要在設有多列之焊線 設置部的各邊側上，使用適當位置之焊線設置部連接焊線 16即可，藉此，可使1塊半導體裝置用基板適用於尺寸大 小互異之半導體元件。 此外，爲使焊線設置部彼此間具有充裕的配置間隔，實 施形態1中，係呈放射線狀配置基板上布線1 2。但是，本 發明並不僅限於此種配置，只要爲可使焊線設置部的配置 間隔具有某種程度的充裕間隔者，可於布線基板1 1 0之外 周邊沿平行或垂直之方向配置基板上布線等，也可配置於 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 其他的配置位置。 此外，貫施形態1中，各焊線設置部2 〇、2 2係藉由於銅 等的金屬上施以電鍍來形成者，但是，本發明中，焊線設 V 置部並不僅限於此種形成者。 此外，貫施形態1中，未使用之焊線設置部22係以原狀 悲藉由封裝樹脂6所封裝。但是，爲提升信賴性，也可由 抗餓層等覆被焊線设直部2 2。此外，實施形態1中，係使 用抗鈾層’只要爲可保護焊線設置部者，並不限於抗蝕層 者。 _ 又’實施形態1中’說明了背面具有金屬球之BGA (Ball G r i d Α ι· r a y :球狀柵極陣列封裝體）的情況。但是，本發明 並不僅限於B G A方式，例如，還可廣泛應用於背面不~存在 金屬球，而僅由島組成之LG A (Land Grid Array :島狀柵極 陣列封裝體）等。此外，例如，還可適用於非利用焊線設置 半導體元件的電極、及基板上布線者之封裝體。該情況只 要於各基板上布線同樣連接多個焊線設置部，選擇任一之 鲁 焊線設置部，直接或間接地連接電極與基板上布線即可。 (實施形態2) 圖4爲顯示本發明之實施形態2之半導體裝置200的立 體圖，圖4中，爲說明半導體裝置200的內部構造，以剖 開局部之狀態作顯示。 · 如圖4所示，半導體裝置200與實施形態1說明之半導 ·· 體裝置1 00相同，係將半導體元件4搭載於布線基板2 1 0 上。此外，在藉由焊線1 6連接半導體元件4上之電極1 4 12 31 w發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 及形成於布線基板2 1 〇上的基板上布線2 6的狀態下，藉由 封裝樹脂6所封裝形成。 如此，半導體裝置200雖與半導體裝置1〇〇類似，但其 布線基板2 1 0之基板上布線26與布線基板u 〇之基板上布 線12不同。 圖5爲說明半導體裝置2〇〇的布線基板2丨〇用的俯視 圖。又，圖5中’與圖2相同，僅顯示第1象限部分。 如圖5所示，布線基板2 1 0的中央部設有由抗鈾層1 8 所覆被的部分。此外，於布線基板21 〇上，以沿上述布線 基板之中心點◦爲中心之放射線方向的配置方式，於抗蝕 層1 8的外周部設有基板上布線2 6。此外，基板上布線2 6 係δ又爲與半導體兀件4的電極1 4的個數一致。 各基板上布線2 6分別包括2個焊線設置部2 8和3 2、或 是30和34，以及連接線24。各連接線24之一端係與各焊 線設置部28和32、或是30和34連接，而另一端與連接 部1 0連接。 各焊線設置部28、30、32及34，係以分別圍繞由抗蝕 層1 8所覆被之部分外側4周的方式，配置爲4列。詳細而 言，於由抗蝕層1 8所覆被之部分外側，以從內側向外周順 序並行排列成4列28Α、30Α、32Α及34Α之狀態，設置多 個焊線設置部28、30、32及34。此外，以使沿自布線基 板2 1 0之中心的放射線方向連結各焊線設置部2 8和3 2的 連接線部分，及沿放射線方向連結各焊線設置部3 0和3 2 的連結線部分，形成位置互不交集的方式’配置位置呈錯 13 312/發明說明書(補件)/92-03/911373〇7 587324 開狀地配置列2 8 A、列3 2 A之焊線設置部2 8和3 2及列 30A、列34A之焊線設置部30和34。此外，在布線基板 210之整體’配置於各列28A、30A、32A及34A的各焊線 設置部28、30、32及34的個數，分別與設於半導體元件 4的表面全體的電極1 4的一半個數一致。 此外，在某一基板上布線2 6包括焊線設置部2 8和3 2 的情況，則其相鄰之基板上布線2 6包括焊線設置部3 0和 3 4。也就是說，布線基板2 1 0上交錯配置，藉由連接線2 4 連接焊線設置部2 8和3 2所構成的基板上布線2 6，及藉由 連接線24連接焊線設置部30和34所構成的基板上布線 26。此外，該基板上布線26係連接於連接部1 〇，從連接 部1 0以沿中心點〇爲中心之放射線方向的方式進行配置。 圖6爲包含顯示半導體裝置200用的局部透視圖的俯視 圖。圖6中，以透視封裝樹脂6的狀態來顯示半導體裝置 2 0 0。此外’圖6與圖2及圖3之情況相同，僅顯示第1象 限部分。 半導體裝置2 0 0係如以上所構成之布線基板2 1 0上搭載 有半導體元件4，藉由封裝樹脂6封裝所構成。 如圖6所示，半導體元件4係搭載於由抗蝕層丨8所覆被 的部分上。半導體元件4之表面上形成各電極丨4，藉由焊 線1 6分別連接於最內周之列2 8 A之焊線設置部2 8，或是 其外周側之列3 0 A之焊線設置部3 0。具體而言，如圖6所 示，在藉由焊線1 6，將某電極1 4連接於焊線設置部2 8的 情況，相鄰之電極14則連接於焊線設置部30。如此，於 14 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 各邊中，鄰接之電極1 4相互錯開地連接於焊線設置部28 或3 0。也就是說，布線基板2 1 0上交錯配置有含有焊線設 置部2 8和3 2的基板上布線’2 6，及含有焊線設置部3 0和 34的基板上布線26。據此，若於每一基板上布線26視之， 成爲連接內側之焊線設置部2 8和3 0之狀態。 其他部分因與實施形態1相同而省略說明。 若如上述構成，即可配合半導體元件4的大小尺寸，使 用配置於內周側的焊線設置部2 8或3 0。據此，即使在半 導體元件4相對於布線基板2 1 0爲尺寸小的情況，也可抑 制焊線1 6的長度超過指定以上之長度造成的焊線1 6彼此 間的接觸，及焊線1 6與半導體元件4端部的接觸，可獲得 高信賴性的半導體裝置。 又，實施形態2中，係呈放射線狀交錯配置由連接線24 連接4列之焊線設置部中配置於列28 A及32A上的焊線設 置部2 8、3 2的基板上布線2 6，及由連接線2 4連接配置於 列3 Ο A及3 4 A上的焊線設置部3 0、3 4的基板上布線2 6。 若爲如此之構成，因於各列28A、30A 、32A及34A之每 一列中，可使各焊線設置部2 8、3 0、3 2及3 4的個數，分 別與半導體元件4的電極1 4的一半個數一致，從而可抑制 焊線設置部的密集化。 此外，實施形態2中，說明了以繞布線基板2 1 0之外周 部分4周之方式設置4列之焊線設置部的情況。但是，本 發明並不僅限於並行排列4列之焊線設置部，根據必要也 可爲設置多列的焊線設置部者，即使在焊線設置部不爲4 15 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 列的情況，同樣，只要在某一基板上布線爲連接從內側計 數之第奇數列（實施形態2中爲列28 A、32 A)的焊線設置部 者的情況，其相鄰之基板上布線則連接從內側計數之第偶 數列（實施形態2中爲列30A、34 A)的焊線設置部者即可。 此外，與實施形態1相同，本發明中，基板上布線也無 左右上下對稱配置的必要，例如，可在右邊側及上邊側， 焊線設置部只配置各1列之基板上布線，而僅在左邊側及 下邊側，如實施形態2之說明，配置基板上布線。如此之 構成，也可以1種類之布線基板2 1 0對應於尺寸大小互異 之半導體元件4的搭載。 此外，實施形態2中，說明了使用B G A的情況。但是’ 本發明並不僅限於BGA方式，還可廣泛應用於LGA等之 其他的封裝體。 (實施形態3) 圖7爲說明本發明之實施形態3之布線基板3 1 0用的俯 視圖。又，圖7也與圖2相同，僅顯示第1象限部分。 實施形態3之布線基板3 1 0與半導體裝置200中使用的 布線基板2 1 0類似。 但是，實施形態3之布線基板3 1 0中，係由抗蝕層3 ό 覆被配置爲4列之焊線設置部中配置於外周側之2列 32Α、34Α的焊線設置部32、34。 圖8爲包含顯示半導體裝置3 00的局部透視圖用的俯視 圖。圖8中，係以透視封裝樹脂6的狀態來顯示半導體裝 置300。此外，圖6也與圖2之情況相同，僅顯示第1象 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 16 587324 限部分。 半導體裝置3 0 0係將半導體元件4搭載於如上述構成的 布線基板3 1 0上，由封裝樹脂6封裝而形成。 ? 如圖8所示，半導體元件4係搭載於如上述構成的布線 。 基板3 1 〇上，半導體元件4上之各電極1 4，藉由焊線1 6 分別交錯連接於焊線設置部2 8或3 0。此外，未由焊線1 6 連接之外周側的焊線設置部3 2、3 4，係由如上述之抗蝕層 3 6所覆被。在該狀態下，藉由封裝樹脂6將半導體元件4 0 封裝於布線基板3 1 0上。 其他部分因與實施形態2相同而省略說明。 如上所述，半導體裝置300中，係藉由抗蝕層覆被焊線 設置部中未連接焊線1 6之部分加以保護。據此，可獲得高 信賴性的半導體裝置。 又，實施形態3中，與實施形態2相同，說明了有關以 繞外周部分4周之方式設置4列之焊線設置部2 8〜3 4的情 況。但是，本發明如實施形態2之說明，並不僅限於4列 φ 之焊線設置部的情況，也可爲設置多列者，此外，也可於 左右上下邊側，非對稱並行排列不同之列數，該情況，藉 由抗蝕層覆被未使用之列之焊線設置部即可。 此外，實施形態3中，說明了使用B G A的情況，但是本 發明還可廣泛應用於LGA等之其他的封裝體。 · (實施形態4) \ 圖9爲說明本發明之實施形態4之半導體裝置的布線基 板410用的俯視圖。又，圖9也與圖2相同，僅顯示第1 17 312/發明說明書(補件)/92·〇3/911373〇7 587324 象限部分。 實施形態4之布線基板4 1 0與半導體裝置2 0 0中使用的 布線基板2 1 0類似。 但是，如圖9所示，實施形態4之布線基板410中，抗 蝕層1 8 ,係以覆被至配置於列30A之焊線設置部30爲止、 亦即覆被至焊線設置部2 8及3 0的方式’形成於基板2的 表面上。 圖10爲包含顯示半導體裝置400的局部透視圖用的俯視 圖。圖1 0中，係以透視封裝樹脂6的狀態來顯示半導體裝 置4 00。此外，圖10也與圖2之情況相同，僅顯示第1象 限部分。 半導體裝置400係將半導體元件4搭載於如上述構成的 布線基板4 1 0上，由封裝樹脂6封裝而形成。 如圖1 0所示，半導體元件4係搭載於抗蝕層1 8上。半 導體元件4上配置之電極1 4，藉由焊線1 6分別交錯連接 於焊線設置部3 2或3 4。具體而言，在某電極1 4連接於焊 線設置部3 2的情況，則相鄰之電極係設置於焊線設置部 3 4，將電極錯開設置於焊線設置部3 2或3 4。又，實施形 態4中，焊線設置部2 8及3 0係藉由抗蝕層1 8所保護，不 用於與電極1 4的連接。 其他部分因與實施形態1〜3相同而省略說明。 如上所述，在所搭載之半導體元件4大的情況，可使用 外周側的焊線設置部。據此，無論是尺寸大之半導體元件， 還是尺寸小之半導體元件均可適用於相同的布線基板 18 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 410 °587324 此外，因未使用之焊線設置部係藉由抗蝕層1 8加以保 護，因而，可獲得高信賴性的半導體裝置。 - 又，實施形態4中，雖藉由抗蝕層1 8覆被未使用之焊線 設置部，但是，本發明並不限於由抗蝕層1 8所覆被者。 此外，實施形態4中，也與實施形態2相同，說明了有 關以繞外側4周之方式設置4列之焊線設置部2 8〜3 4的情 況。但是，如實施形態2之說明，本發明並不僅限於4列 之焊線設置部的情況，也可爲設置多列者，此外，也可於 左右上下邊側，非對稱並行排列不同之列數。該情況，也 可藉由抗蝕層1 8覆被未使用之焊線設置部者。 此外，實施形態4中，說明了使用BGA的情況，但是本 發明還可廣泛應用於LGA等之其他的封裝體。 (實施形態5) 圖1 1爲說明本發明之實施形態5之半導體裝置的布線基 板5 10用的俯視圖。又，圖1 1也與圖2相同，僅顯示第1 φ 象限部分。 實施形態5之布線基板5 1 0與實施形態2之半導體裝置 2 00中使用的布線基板210類似。 但是，如圖1 1所示，布線基板5 10中，抗蝕層1 8係覆 被至列28A之焊線設置部28爲止、最外周之列34A之焊 _ 線設置部3 4係由抗蝕層3 8所覆被。 ~ 圖1 2爲顯示實施形態5之半導體裝置5 00的俯視圖。圖 12中，係以透視封裝樹脂6的狀態來顯示半導體裝置5 00。 19 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 此外，圖1 2也與圖2之情況相同，僅顯示第1象限部分。 半導體裝置500係將半導體元件4搭載於如上述構成的 布線基板5 1 0上，由封裝樹脂6封裝而形成。 如圖12所示，焊線16僅連接於列30A、32A之焊線設 置部3 0、3 2，而未連接於列2 8 A、3 4 A之焊線設置部2 8、 3 4。具體而言，在某電極1 4藉由焊線1 6連接於焊線設置 部30的情況，則相鄰之電極1 4係連接於焊線設置部32， 交錯連接焊線設置部30和32。 根據如上之構成，配合半導體元件4之尺寸，選擇必要 的焊線設置部，即可進行焊線1 6的連接。據此，可將相同 尺寸的布線基板適用於尺寸互異之半導體元件，此外，該 情況也可抑制焊線超過指定長度，因而，可獲得高信賴性 的半導體裝置。 又，實施形態5中，係藉由抗蝕層1 8覆被最內周之列 28A之焊線設置部28，藉由抗蝕層38覆被最外周之列34A 之焊線設置部3 4。但是，本發明並不限於由此種抗蝕層所 覆被者。 此外，實施形態5中，也與實施形態2相同，說明了有 關以繞外側4周之方式設置4列之焊線設置部28〜34的情 況。但是，如實施形態2之說明，本發明並不僅限於4列 之焊線設置部的情況，也可爲設置多列者，此外’也可於 左.右上下邊側，非對稱並行排列不同之列數。該情況’也 可藉由抗蝕層覆被不需要之焊線設置部者。 此外，實施形態5中，說明了使用BGA的情況，但是本 20 312/發明說明書(補件V92-03/91137307 發明還可廣泛應用於LGA等之其他的封裝體。 又’本發明中，搭載部顯示搭載於部線基板上之半 元件用的部分，例如，相當於由實施形態1〜5中之抗 1 8所覆被的部分。此外，本發明中，外部端子顯示連 部電極用而設的端子，例如，相當於實施形態1〜5中 屬球8。此外，本發明中，電極連接部顯示與形成於: 體元件表面的電極直接或間接連接的部位，例如，相 實施形態1〜5中之焊線設置部20、22、28、30、32、 (發明效果） 如上述之說明，本發明中，於配置於布線基板上之 板上布線，分別設置多個電極連接部，因而，可配合 之半導體元件的尺寸大小，使用適當位置之電極連接 連接電極。據此，即使將1種類之布線基板用於大小 之半導體元件的搭載，連接用之焊線也不會增長而超 定長度以外，此外，可容易組裝半導體裝置。據此， 合半導體元件的尺寸大小準備布線基板的必要，可獲 信賴性的半導體裝置，且，可抑制製造時間、製造成 增大。 此外，關於又抗蝕層覆被未連接電極的部分，可保 使用之電極連接部，藉此，可獲得高信賴性的半導體缓 【圖式簡單說明】 圖1爲顯示本發明之實施形態1之半導體裝置的立骨 圖2爲說明本發明之實施形態1之半導體裝置的布 板的構造用的俯視圖。 312/發明說明書(補件)/92-〇3/911373〇7 導體 t鈾層 接外 之金 羊導 當於 34 ° 各基 搭載 埠來 互異 過指 無配 得高 本的 護未 ，置。 I圖。 線基 21 587324 圖3爲包含說明本發明之實施形態1之半導體裝置用的 局部透視圖的俯視圖。 圖4爲顯示本發明之實施形態2之半導體裝置的立體圖。 圖5爲說明本發明之實施形態2之半導體裝置的布線基 板用的俯視圖。 圖6爲包含顯示本發明之實施形態2之半導體裝置的局 部透視圖的俯視圖。 圖7爲說明本發明之實施形態3之半導體裝置的布線基 板用的俯視圖。 圖8爲包含顯示本發明之實施形態3之半導體裝置的局 部透視圖的俯視圖。 圖9爲說明本發明之實施形態4之半導體裝置的布線基 板用的俯視圖。 圖1 0爲包含顯示本發明之實施形態4之半導體裝置的局 部透視圖的俯視圖。 圖1 1爲說明本發明之實施形態5之半導體裝置的布線基 板用的俯視圖。 圖1 2爲包含顯示本發明之實施形態5之半導體裝置的局 部透視圖的俯視圖。 圖13爲說明先前之半導體裝置用的立體圖。 圖1 4爲包含顯示先前之半導體裝置之局部透視圖的俯 視圖。 (元件符號說明） 2 基板 22 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 4 半導體元件 6 封裝樹脂 8 金屬球 10 連接部 10 通孔（圖13) 12 基板上布線 1 4 電極 16 焊線 18 抗蝕層 20 焊線設置部 20A 列 22 焊線設置部 22A 列 24 連接線 26 基板上布線 28 焊線設置部 28 A 列 30 焊線設置部 30A 列 32 焊線設置部 32A 列 34 焊線設置部 34 A 列 36 抗蝕層 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307 587324 38 抗 蝕 層 42 基 板 上 布 線 44 焊 線 設 置 部 46 連 接 線 100 半 導 體 裝 置 110 布 線 基 板 200 半 導 體 裝 置 210 布 線 基 板 300 半 導 體 裝 置 3 10 布 線 基 板 400 半 導 體 裝 置 4 10 布 線 基 板 500 半 導 體 裝 置 5 10 布 線 基 板 600 半 導 體 裝 置 610 布 線 基 板 312/發明說明書(補件)/92-03/91137307

Claims (1)

  1. 93e 2. 12 替換本 拾、申請專利範圍 1. 一種布線基板，其特徵爲：具備 搭載半導體元件之搭載部； 連接外部電極用的多個外部端子；及 多個基板上布線，連接於上述多個外部端子之各個端 子；且 上述各基板上布線，包括多個連接形成於上述半導體元 件之表面的電極用的電極連接部，而於上述各基板上布 線，選擇上述多個電極連接部之中的任一個，以可與上述 電極連接。 2. 如申請專利範圍第1項之布線基板，其中，上述基板 上布線係以沿上述布線基板之中心部爲中心的放射線方向 的方式所配置。 3 .如申請專利範圍第1項之布線基板，其中，上述電極 連接部，係於上述搭載部之外周以圍繞多列之方式所配置， 上述各基板上布線，包括上述多列中配置於互異之2列 以上的上述電極連接部。 4.如申請專利範圍第2項之布線基板，其中，上述電極 連接部，係於上述搭載部之外周以圍繞多列之方式所配置’ 上述各基板上布線，包括上述多列中配置於互異之2列 以上的上述電極連接部。 5 .如申請專利範圍第3項之布線基板，其中，上述電極 連接部，係於外周以圍繞3列以上之多列方式所配置， 上述基板上布線，包括在1基板上布線連接從上述布線 25 3 26V總檔 \91 \91137307\91137307(替換)-1 587324 基板之內側計數被配置爲奇數列的電極連接部的情況，旁 鄰之基板上布線包括連接配置於偶數列的電極連接部。 6. —種半導體裝置，其特徵爲：具備 申請專利範圍第1至5項中任一項之布線基板；及 半導體元件，搭載於上述布線基板上，且含有多個電極， 將上述半導體元件上之各電極連接於上述各基板上布 線之上述電極連接部位中1個電極連接部。 7 .如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中，由抗蝕 層覆被上述各基板上布線的多個電極連接部中不需要的電 極連接部。 8. —種半導體裝置，其特徵爲：具備 申請專利範圍第3至5項中任一項之布線基板；及 半導體元件，搭載於上述布線基板上，且含有多個電極， 將上述半導體元件上之各電極連接於以圍繞上述多列 之方式配置的上述電極連接部中配置於1或2列以上之任 意列的電極連接部。 26 326\總檔\91 \91137307\91137307(替換)-1
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