TW583490B - Pixel structure and method of repairing the same - Google Patents
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五、發明說明(1) 屬之技術 本發明是有關於一種查 其修補方法,且特別β ω息素、、、口構(P1Xel StrUCture)及 素結構及其修補方法疋於一種能夠提高亮點修復率之晝 技術 隨著高科技之發展 或影像裝置已經成為在—。σσ,特別是數位化之視訊 些數位化之視訊或影像I^ ㊉生活中所常見的產品。這 以顯示相隨。;以由中顯顯是-個重要元件, 制裝置的運作。 了由顯不益頃取資訊,或進而控 為了配合現代生活模六、 、 趨於薄輕。傳統的陰極層:綠:訊ΐ影像裝置之體積曰漸 但是其需佔用大體積且耗電、、。闵=盗,雖然仍有其優點, 體製造技術,面板式的顯示器已被發光電技f與半導 顯示器產品,例如液晶顯示器。、夜:出成為目珂常見之 壓操作、無輻射線散射、重量_以:j不器由於具有低電 線管(cathode ray tube,簡稱^)所體積^等傳統 達到的優點,與其他平板式顯示器如每之^不叩無法 光(616。化〇11111^11311。6)顯示器,成发:水』不态及電致發 主要課題,更被視為二十一世紀顯;^年來顯示器研究的 液晶顯示器是以薄膜電晶體(thin、、、f不器的主流。而目前的 稱TFT)液晶顯示器為發展主流。1 m hansistor,簡 而薄膜電晶體液晶顯示器主要θ 板、彩色濾光陣列基板和液晶層所=薄膜電晶體陣列基 苒成,其中薄膜電晶體 10741twf.ptd 第6頁 -Γ ί :1· - Ί 583490 五、發明說明(2) = =多個以陣列排列的晝素結構所組成,而習知 二4i? t?元件(device)損壞時所造的亮點,會對畫 Π :ί 為說明晝素結構中各層之結構,故將 其刀成二個圖示(請見第丨人圖至第1C圖)作說明 至第1C圖係習知一種具有修補亮點功效的畫素 二ϋΐ示意圖。請參照第1A圖’習知的晝素結構係先 j 一,旯〇〇上形成一閘極102、一掃晦配線1〇4以及一修 補配線106,其中掃瞄配線丨〇4係與閘極1〇2連接,而上述 之閘極1 0 2、掃瞄配線1 〇 4以及修補配線丨〇 6即為第一金屬 層(又稱Ml)。之後,在基板1〇〇上形成一閘介電層(未繪 =),覆蓋住閘極1〇2、掃猫配線104以及修補配線1〇6。接 著’於閘極1 0 2上方形成一非晶石夕通道層1 〇 8。 之後,請參照第1 B圖,在非晶矽通道層丨〇8上形成一 ,極/汲極ll〇a/ll〇b,並且同時形成與源極丨丨仏連接之一 資料配線11 4 ’其中閘極1 0 2、通道層1 〇 8與源極/汲極 11〇3/11013係構成一薄膜電晶體112。此外,在形成源極/ 汲極110a/11 Ob的同時,一併在修補配線1〇6上方形成一斷 路結構116,其中斷路結構116 一端與汲極u〇b連接、另一 端與資料配線114連接。而上述之源極/汲極丨1〇a/11〇b、 資料配線114以及斷路結構11 6即為第二金屬層(又稱M2)。 隨後,請參照第1 C圖,於基板丨〇 〇上方形成一畫素電 極1 2 0 ’其中畫素電極1 2 0係藉由接觸窗丨丨8而與薄膜電晶 體11 2之汲極11 〇 b電性連接。當圖中的薄膜電晶體丨丨2發生 a 10741twf.ptd 第7頁 583490 五、發明說明(3) 故障時,可先用雷射燒斷閘極102與掃瞄配線丨〇4連接處 1 2 2 ’再利用雷射燒開斷路結構11 6與修補配線1 〇 6之間的 介電層’並藉由雷射化學氣相沈積(laser CVD)形成一層 薄金屬層連接斷路結構116與修補配線1〇6。不過,經過修 補後的晝素結構將不再具有主動式的特性與優點,而只能 避免其變成亮點。 然而’目别薄膜電晶體的設計在元件(d e v i c e)損壞時 會造成在面板形成亮/暗點的問題,尤其在形成亮點的情 況下不容易修復,且使得面板的瑕疵更為明顯。此外,當 在大尺寸之面板上加上補償膜來增加視角時,在修復完亮 點後容易因為漏光而導致在某個視角再度形成亮點。而 且,經過修補後的畫素將不再具有主動式的特性與優點, 所以利用習知方式進行的修補方法仍會在顯示上產生瑕 疯。 發明内容 法 因此,本發明之目的是提供一種晝素結構及其修補方 可於元件損壞時避免在面板形成亮/暗點。 法 本發明之另一目的是提供一種畫素結構及其修補方 以提南免點修復率。 法 本發明之再一目的是提供一種晝素結構及其修補方 以使修補後的畫素仍具有主動式的特性與優點。 根據上述與其它目的,本發明提出一種畫素結構,適 於藉由一掃描配線以及一資料配線驅動,此一晝素結構包 括一第一薄膜電晶體、一第二薄膜電晶體以及一晝素電
l〇741twf.ptd 第8頁 583490 五、發明說明(4) 極。而第一薄膜電晶體具 極,其中第一閘極電性連接於極與一第一源極/没 汲極的一端電性連接於該 ^ :田配線,而第一源極/ 有-第二間極與-第二源極/V極,。/中二/膜電晶體則具 洋置,而第二源極/汲極的一 二中第二閘極係電性 外,畫素電極電性連接於第一、電性連接於資料配線。另 二源極/汲極的另一端。、 源極/汲極的另一端以及第 本發明再提出一猶金I^ 前述之晝素結構,包括;:::構的修補方法,是用來修補 接的一端切斷,以使篦一: 源極/汲極與資料配線連 動,再藉由-雷射修補製二膜電晶體不受資料配線連驅 補導體層將第二閉極;;補導體層,並藉由修 電晶體被掃,配線與資料配線驅動生連接,以使第二薄膜 -資,適於藉由-掃描配線以及 薄膜電晶體、—電晶體、 溥膜電晶體具有一第一 旦素電極。而第一 一閘極電性連接於兮掃甲11 /、一第一源極/汲極,其中第 電性連接於該資料以:薄 極盘一篦—弟一 /專膜電日日體貝丨]具有一篦一門 二源極^極 性連接於掃描配線,且擬於貝科配第線。擬導體層則電 畫素電極電性連接_s ^於第一閘極旁。另外, 極/汲極的另—連端接於弟—源極/汲極的另-端以及第二源 10741twf.ptd $ 9頁 五、發明說明(5) 本發明又提出一種畫 剷一#又所述之晝素結構, 配線連接的一端切斷,以 連驅動,再藉由一雷射修 由修補導體層將第二閘極 薄膜電晶體被掃描配線與 本發明之晝素電極因 在平常狀態下運作,而當 將另一個備用薄膜電晶體 少’且仍舊保有主動式的 為讓本發明之上述和 顯易懂,下文特舉較佳實 說明如下: 素結構的 包括先將 使第一薄 補製程形 與擬導體 資料配線 為具有兩 其損毀時 取代之, 特性與優 其他目的 施例,並 修補方 第一源 膜電晶 成一修 層電性 驅動。 個薄m ’可利 使面板 點。 、特徵 配合所 法,是用來修補 極/汲極與資料 體不受資料配線 補導體層,並藉 連接,以使第二 電晶體 個是 用雷射修補製程 亮/暗點問題減 、和優點能更明 附圖式,作詳細 實施方式 本發明係於同一佥Ig^ ^ Α ^ , ^ 0Η ^ , ^ ι素釔構中汉计兩個薄膜電晶體,且 為评細說明其中久厣> & α ^ ^ ΡΙ ^ ® λ θ之、、、°構,故將其分成三個圖示(請見 弟2Α圖至第2C圖)作說明。
第2 Α圖至=2C圖係依照本發明之一較佳實施例之晝素 :ί之上視不意圖。請參照第2A圖,本發明之晝素結構係 基板2 0 0上形成—第一閘極2 1 2、一第二閘極2 2 2以 及掃瞄配線2〇4,其中掃瞄配線2〇4係與第一閘極212連 接’而第一閘極222係電性浮置。上述之閘極212、222以 及掃瞄配線204即為第一金屬層(又稱Μ1)。之後,在基板 20 0上形成一閑介電層(未繪示),覆蓋住閘極Μ?、222以
l〇741twf.ptd 第10頁 583490 發明說明(6) 及=目苗配線2 04。接著,於第一閘極212與第二閘極222上 方分別形成一第一通道層214與一第二通道層224,其中通 道層214、224之材質譬如是非晶矽。 然後’請參照第2B圖,分別在第一通道層2 1 4與第二 通運層224上形成一第一源極/汲極216&/21613以及一第二 源極/及極226a/226b,而且第一汲極216b與第二汲極226b 係電性相連。同時,形成與第一源極216a、第二源極226a 連接的一資料配線20 6,其中閘極212、通道層214與源極/ 沒極2 16a/2 16b係構成平常狀態下運作的第一薄膜電晶體 210 ;閘極22 2、通道層224與源極/汲極226&/22613則構成 備用的第二薄膜電晶體22〇。另外,雖然本實施例中的薄 膜電晶體2 1 0、2 2 0為底閘極結構之薄膜電晶體,但是亦可 將本發明應用於頂閘極結構之薄膜電晶體。 值付注思的疋’在第2 A圖與第2 B圖中所繪示的薄膜電 晶體210、22 0為非晶矽型態之薄膜電晶體(a — Si TFT),意 即薄膜電晶體2 1 0、2 2 0中通道層2 1 4、2 2 4的材質為非晶 矽’但熟習此項技術者在參照本案技術之後,應可推知本 案之薄膜電晶體2 1 0、2 2 0亦可以是低溫多晶石夕型態之薄膜 電晶體(Low Temperature PolySilicon-TFT ,簡稱 LTPS-TFT)。 此外’請繼續參照第2 B圖,本發明之晝素電極還可以 在形成第一源極/汲極2 16a/2 16b以及第二源極/汲極 226a/226b的同時,一併形成一擬導體層230,其中擬導體 層230 —端是藉由一第三接觸窗238而與掃瞄配線2〇4連
10741twf.ptd 第11頁 583490
接、另一端則位於第二閘極222旁。而上述之第— 極216a/216b、第二源極/汲極2263/22613、資料配線' 及擬導體層230即為第二金屬層(又稱M2)。 、本206以 隨後,請參照第2C圖,於基板20〇上方形成—查 極240—,其中畫素電極24〇係分別藉由第一接觸窗^—8 ^盥 第一薄膜電晶體21 〇之汲極2 1 6b電性連接;以及_由1、 接觸窗228而與第二薄膜電晶體22〇之汲極226b電9性 一。 ^當第2C圖中的第一薄膜電晶體2 1 0發生故障時,可 行一修補方法,而修補後的畫素結構如第3A圖所示。
外,當本發明之畫素結構是將第二閘極222與掃瞄配線 設計成相鄰配置且電性浮置時,就不需要另外形成擬 層230,而此種畫素結構經修補後將如第3β圖所示。 —
第3A圖與第3B圖係依照本發明之修補方法修補後的書 素結構之上視示意圖。請參照第3A圖,修補後的書 二 與修補前最大的不同點在於第一源極/沒極216a與資^ ,2一06連接的一端2 50被切斷,以使第一薄膜電晶體^不 受貧料配線206驅動。而且,第二閘極222與擬導體層 藉由一修補導體層310電性連接,以使第二薄膜電晶曰體22〇 被掃描配線2 0 4與資料配線2 〇 6驅動。 另外,請參照第3Β圖,於本圖中的晝素結構並不需要 另外形成擬導體層,故其修補後的晝素結構與修補前最大 的不同點在於第一源極/汲極21 6 a與資料配線2 〇 6連接的一 端250被切斷。而且,第二閘極222與資料配線2〇6藉由一 修補導體層320電性連接,以使第二薄膜電晶體22〇被掃描
10741twf.ptd 第12頁 583490 五、發明說明(8) 配線2 0 4與資料配線2 〇 6驅動。 糂a it圖古則是依照本發明之一較佳實施例之修補佥去 構的步驟流程圖。請參照第4圖,於步驟4〇〇 >補'素結 極/汲極與資料配線連接的一端切斷,以’將第一源 :不受資料配線驅動’其中將第一源極/汲極=電晶 連接的一端切斷之方法例如是雷射燒铁德、貝枓配線 420中,藉由-雷射修補製程形成—導、後’於步驟 修補導體層將第二間極與掃描配線電性體層,並藉由 膜電晶體被掃描配線與資料配線驅動,A 以使第二薄 形成方法例如雷射化學氣相沈積。 八τ乜補導體層的 μ w另/卜,當本發明之畫素電極具有擬導體声MfUe 3A圖)時,可進行步驟41〇,藉由一雷 :: 230 (睛見第 補導體層,並於第二閘極旁的區域請成—修 修補導體層將第二閉極與擬導體層電^〖“A圖)藉由 體層的形成方法例如雷射化學氣相沈積。,其中修補導 一個同一畫素結構中設計兩個薄膜電曰, -個疋在千常狀態下運作,而當 溥膜電Β曰體, 補製程將另一個備用薄膜電晶體取代‘ Γ因Τ利用雷射修 /暗點問題減少,進而大幅 因此可使面板亮 後仍保有主動式的特性與優點。‘.,/设率,並且於修補 雖然本發明已以較佳實施例揭 限定本發明,任何熟習此技藝者在不脫離然其並非用以 和範圍内,當可作各種之更動盥脫離本發明之精神 範圍當視後附之申锖 1、Θ ’因此本發明之保護 Τ 〇月專利耗圍所界定者為準。 583490
免點功效的畫素 圖式簡單說明 弟1A圖至第1C圖為習知一種具有修補 結構之上視示意圖; ^ #貫施例之畫素 苐2 A圖至苐2 C圖係依照本發明之_ 結構之上視示意圖; 第3 A圖與第3B圖係依照本發明之修補 素結構之上視示意圖;以及 修補後的畫 第4圖則是依照本發明之一較佳實施例之修查 構的步驟流程圖。 s μ〜 圖式標示說明 1 0 0、2 0 0 :基板 1 0 2、2 1 2、2 2 2 :閘極 1 0 4、2 0 4 :掃瞄配線 I 0 6 :修補配線 108、214、224 :通道層 110a/110b、216a/216b、226a/226b :源極/ 汲極 II 2、2 1 0、2 2 0 :薄膜電晶體 114 、2 0 6 :資料 配線 116 :斷路結構 118 、218 > 228 、 > 2 3 8 :接觸窗 120 、240 :晝素 電極 122 :連接處 230 :擬導體層 250 :連接端
10741twf.ptd 第14頁 583490 圖式簡單說明 2 5 2 :區域 3 1 0、3 2 0 :修補導體層 4 0 0 :將第一源極/汲極與資料配線連接的一端切斷 4 1 0 :藉由一雷射修補製程形成一修補導體層,並藉 由修補導體層將第二閘極與擬導體層電性連接 42 0 :藉由一雷射修補製程形成一修補導體層,並藉 由修補導體層將第二閘極與掃描配線電性連接
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Claims (1)
- 583490 六、申請專利範圍 1. 一種晝素結構,適於藉由一掃描配線以及一資料配 線驅動,該晝素結構包括: 一第一薄膜電晶體,該第一薄膜電晶體具有一第一閘 極與一第一源極/汲極,其中該第一閘極電性連接於該掃 描配線,而該第一源極/汲極的一端電性連接於該資料配 線; 一第二薄膜電晶體,該第二薄膜電晶體具有一第二閘 極與一第二源極/汲極,其中該第二閘極係電性浮置,而 該第二源極/汲極的一端電性連接於該資料配線;以及 一晝素電極,該晝素電極電性連接於該第一源極/汲 極的另一端以及該第二源極/沒極的另一端。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晝素結構,其中該第 一薄膜電晶體更具有一第一通道層,且該第一通道層係位 於該第一閘極與該第一源極/汲極之間。 3. 如申請專利範圍第2項所述之畫素結構,其中該第 一通道層之材質包括非晶矽以及多晶矽其中之一。 4. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構,其中該第 二薄膜電晶體更具有一第二通道層,且該第二通道層係位 於該第二閘極與該第二源極/汲極之間。 5. 如申請專利範圍第4項所述之晝素結構,其中該第 二通道層之材質包括非晶矽以及多晶矽其中之一。 6. 如申請專利範圍第1項所述之晝素結構,其中該第 一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體為頂閘極結構之薄膜電 晶體。10741twf.ptd 第16頁 583490 六 申請專利範圍 7:如申請專利範圍第i項所述之畫素 〜、 一薄膜電晶體與該第二胃@ m % 其中該$ 晶體。 ㈣電-體為底間極結構之薄:電 8.如申請專利範圍第^所述之 擬^層’其中該擬導體層電性連接-於^二’更包括— 擬導體層位於該第二閘極旁。 田配線,且該 9· 一種申請專利範圍第 包括下列步驟: 一 I、、。構的修補方法, 將該第一源極/汲極與該資料配線連接 以使該第一薄膜電晶體不受該資料配線連驅動;而切斷, 藉由一雷射修補製程形成一修補導體層, 士 補導體層將該第二閘極與該掃描配線電性連接,二讀修 二薄膜電Ba體被忒掃描配線與該資料配線驅動。吏忒第 10·如申請專利範圍第9項所述之畫素結構的修 法,其中將該第一源極/汲極與該資料配線連接—方 斷之方法包括雷射燒斷。 ’、 、—端切 11·如申請專利範圍第9項所述之畫素結構的修 法,其中該修補導體層的形成方法包括雷射化學氣相 積。 、沈 1 2 · —種申請專利範圍第8項之晝素結構的修 包括下列步驟: 罔万去’ 將該第了源極/汲極與該資料配線連接的一端切斷, 以使該第一薄膜電晶體不受該資科配線連驅動;以及 藉由一雷射修補製程形成一修補導體層,並藉由該修10741twf.ptd 第17頁 583490 六、申請專利範圍 補導體層將該第二閘極與該擬導體層電性連接,以使該第 二薄膜電晶體被該掃描配線與該資料配線驅動。 1 3.如申請專利範圍第1 2項所述之晝素結構的修補方 法,其中將該第一源極/汲極與該資料配線連接的一端切 斷之方法包括雷射燒斷。 1 4.如申請專利範圍第1 2項所述之晝素結構的修補方 法,其中該修補導體層的形成方法包括雷射化學氣相沈 積010741twf.ptd 第18頁
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US7612840B2 (en) | 2005-06-23 | 2009-11-03 | Au Optronics Corporation | Active matrix substrate and repair method of pixel unit |
TWI400538B (zh) * | 2007-10-15 | 2013-07-01 | Ricoh Co Ltd | 薄膜電晶體陣列及顯示裝置 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100354907C (zh) * | 2005-06-01 | 2007-12-12 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板以及显示面板修补方法 |
US7612840B2 (en) | 2005-06-23 | 2009-11-03 | Au Optronics Corporation | Active matrix substrate and repair method of pixel unit |
TWI400538B (zh) * | 2007-10-15 | 2013-07-01 | Ricoh Co Ltd | 薄膜電晶體陣列及顯示裝置 |
US8779434B2 (en) | 2007-10-15 | 2014-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Thin film transistor array and displaying apparatus |
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