TW580435B - Method for fabricating a monolithic fluid eject device - Google Patents
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580435 五、發明說明（l) " 發明所屬之技術領域： 本發明係有關於一種單石化流體喷射裝置的製作方 法’特別是有關於一種單石化流體喷射裝置的製作過程 善0 先前技術.： 在一般 與積體電路 微機電元件 製造廠先完 統製造廠， 但是積 同之沉積金 驟，因而造 習知之 製程，因此 裝置所需的 孔等，具有 然而以 半導體製程 微機電製程 係顯示習知 圖係顯示利 示利用微機 單石化流 製造廠係 分為兩獨 成所有積 進行之後 體電路裝 屬、介電 成許多生 單石化流 不需要封 各項元件 較1¾的製 目前單石 完成所需 元成所需 單石化流 用半導體 電製程所 程中，由 ，將積體 ，故通常 程後，再 製程。 件製程中 層洞等薄 增加以及 由於運用 在晶片上 加熱器、 喷射裴置製程而 電路與加熱器等 腔與噴孔等元件 裝置的製程剖面 完成之前段製程 後段製程。請參 體喷射 為分別 立之製 體電路 的微機 置及微 層以及 產成本 體噴射 裝製程 ，如流 程精度 化流體 之驅動 之流體 體喷射 製程所 完成之 裝置製 的廉商 造流程 裝置製 電元件 機電元 ^虫刻介 的重複 裝置， ，便可 體腔、 於通常 電路裝 是在積 送入微 ’常有 膜製程 浪費。 了部分 同時形 驅動電 言，係 元件，
0弟1A 圖，其 ，第1B 見第1A 微機電 置以及 體電路 機電系< 使用相 之步 微機電 成噴射 路與噴 先利田
580435 五、發明說明（2) 供一基底1 0，如石夕 1 0上。犧牲層2 0係 案化結構層3 0於該 結構層3 0可由化學 層。形成一圖案化 熱器。電阻層4 〇係 一圖案化隔離層5 0 窗45。形成一圖案 熱器接觸窗4 5，以 70於該基底10上， 訊號傳送線路接觸 業。 形成一 覆蓋該 窗75， 基底。 由氧化 基底1 0 氣相沉 電阻層 由 HfB2 ，覆蓋 化導電 形成一圖案化犧牲層20於該基底 石夕材質所構成。接著，形成一圖 上’且覆盍該圖案化犧牲層20。 積法（CVD)所形成之一氮化矽 40於該結構層30上，以做為一加 、TaAl、TaN或TiN所構成。形成 該結構層3 0且具有一加熱器接觸 層6 0於該結構層3 〇上，並填入加 訊號傳送線路62。形成一保護層 隔離層50與該導電層6〇且具有q 使導電層露出，以利後續封裝作1 请參見第1 B圖’以濕韻刻法，例如以氫氧化鉀（κ 〇 η )溶液，蝕刻於基底1 〇背面形成一流體通道8 〇，且露出 牲層20。接著，再以氫氟酸溶液蝕刻犧牲層2〇以形成一法 體腔90。最後，在經過光阻塗佈、曝光 '顯影製程之後了 I虫刻結構層3 0，以形成一與流體腔9 〇連通之噴孔g $。至 此，完成單石化流體喷射裝置。 由上述過程，得知喷孔95的製作至少需要穿透結構； 3 〇、隔離層5 〇及保護層7 0。而於前段製程中，在進行气> 傳送線路6 2與加熱器40連結時以及製作訊號傳送線路接^ 窗7 5時’都會對隔離層5 〇與保護層7 〇進行蝕刻。因此若_ 後段製程的喷孔製程中，對隔離層5 〇與保護層7 〇合併到j 段製程’將可使後段的噴孔製程減少為僅對結構層3 〇進$
580435 五、發明說明（3) 美國專利第6，1 〇 2 ^ n味古 — 與微機電製程製作軍 〜 示 種結合半導體製程 於流體腔之上，因此對^，喷射裝置。由於結構層懸空 作相當嚴苛之控制，拇；制=之生產良率及耐久度，均需 增加製程的困難度。 發明内容··
有鑑於此，本| gjg A 射裝置的製作方法f將邱八=在於提供一種單石化流體噴 將部分後段*牛 程，將可使後段的喷孔制衣％ V驟，合併到前段製 根據上述目的，、少，提升製程效率。罐 的製作方* ’包括下列‘驟：：：！單石化流體喷射裝置 犧牲層於基底之一第一面上·捉供一基底；形成一圖案化 上，且覆蓋圖案化犧牲層；带Z f 一圖案化結構層於基底 上，以形成一加熱器；开^成二圖一圖案化電阻層於結構層 且具有一加熱器接觸窗與_第二案化隔離層，覆蓋結構層 係至少露出部分加熱器；、形成:開口 ，其中加熱器接觸窗 上，並經由加熱器接觸窗與加埶圖案化導電層於結構層 送線路，·形成一圖案化保護層連接，以形成一訊號傳 電層，且具有一訊號傳送線路接土底上，覆蓋隔離層與導丨 一第二開口；形成一流體通道接鱗窗與對應於第一開口之 面係相對於第一面，以露出基底之一第二面，且第二 流體腔；以及沿第二開口與=j層；移除犧牲層以形成一 成一與流體腔連通之噴孔。、 開口以蝕刻結構層，而形 ptd 〇535-9520TWF(Nl); A91386; j amngwo. 580435 五、發明說明（4) 根據上述目的，本發明更摇 ^ 置的製作方法，包括下列步驟：提：種J石化流體喷射裝 化犧牲層於基底之—第一面上.知七、一基底；形成—圖案 底上，且覆蓋圖案化犧牲声成一圖案化結構層於基 層上，以形成一加埶哭· ^成v —圖案化電阻層於結構 層且具有-加熱器接；窗=;力圖；化隔離層，覆蓋結構 部分加熱器；形成一圖案化導電；係：少露出 熱器接觸窗與加熱器連接，以:、了構層上，並經由加 —保護層於基底上，覆罢隔離„ —訊號傳送線路；形成 道於基板之一第二面導電層，·形成-流體通 犧牲層，移除犧牲層以；：^對於第—面，以露出钃 隔離層與結構層，以带腔，以及蝕刻保護層、 。傅滘以形成一與流體腔連通之喷孔。 晉的ϊίΐΐ目的，本發明又提供一種單石化流體喷射裝 勺衣作方法，包括下列步驟：提供一基底，·形成一圖案 化犧牲層於基底之一第一面上；形成一圖案化結構層於基 底上’且覆蓋圖案化犧牲層；形成一圖案化電阻層於結構 層上’以形成一加熱器；形成一圖案化隔離層，覆蓋結構 層且具有一加熱器接觸窗，其中加熱器接觸窗係至少露出 部分加熱器；形成一圖案化導電層於該結構層上，並填入 加熱器接觸窗，以形成一訊號傳送線路；形成一保護層於 基底上，覆蓋隔離層與導電層；蝕刻至少保護層與隔離 層，以形成一開口 .；形成一流體通道於基板之一第二面， 且第二面係相對於第一面，以露出犧牲層，移除犧牲層以 形成一流體腔；以及沿開口#刻結構層’以.形成一與流體
0535-9520TWF(Nl);A91386;j jamngwo.ptd 第9頁 580435 五、發明說明（5) 腔連通之喷孔 根據上述 置的製作方法 化犧牲層於基 底上，且覆蓋 形成一圖案化 電層進行圖案 於基底上，覆 目的’本發 ，包括下列 底之一第_ 圖案化犧牲 電阻層於導 化，以形成 盖結構層、 以形成一開口；形成一流 二面係相對於第一面，以 一流體腔；以及沿開口蝕 通之喷孔。 明再提 步驟： 面上； 層；形 電層上 一訊號 導電層 體通道 露出犧 刻結構 供 提供一 形成一 種單石 一基底 圖案 成一 ，以 傳送 與電 於基 牲層 層， 導電層 形成一 線路； 阻層； 板之一 ;移除 以形成 化流 ;形 化結 於結 加熱 形成 麵刻 第二 犧牲 ~與 體噴 成一 構層 構層 器； 一保 保護 面， 層以 流體 射裝 圖案 於基 上； 對導 護層 層， 且第 形成省 腔連 以更詳細地說明本發 以下配合圖式以及較佳實施例 明。 實施方式： 實施例一 第2A〜2F圖係顯示本發明第_實施方式之單石化流體 噴射裝置的製程剖面圖，其中f2A〜2D圖係顧示利用半導 體製程所完成之前段製程，第2E〜2F圖係顯示利用微機電 製程所完成之後段製程。請參見第2 A圖，提供一圖案化犧 牲層1 2 0於一基底1 0 0上’例如一單晶石夕基底。犧牲層】2 〇 係由化學氣相沉積（C V D)法所沉積之硼石夕酸填破璃 (BPSG)、矽酸磷玻璃（PSG)或其他氧化矽材質，。接著，
0535-9520TWF(N1);A91386;j amngwo.ptd
580435 五、發明說明（6) 順應性形成-圖案化結構層13〇於基底1〇〇上，且覆 化犧牲層1 2 0。結構層1 3 〇可由各A ^丄 圖案 成之-氮化梦層，。Λ开Γ2沉積法(CVD)所形 結構層13〇上，以做為加孰：成二圖思案;匕電阻層140於該 積法（PVD)，例如蒸鑛、J 。 係由物理氣相沉 ho2、TaA1、TaN或其他電^材^反接又法，形成如 、心电|丑材料。接著，順廄性飛士、 離層1 5 0，覆蓋該結構層1 3 〇。 、心 ~隔 請參見第2B圖，施以微影及钱刻步驟，定義隔離屉 150以形成-加熱器接觸窗145與一第一開以❿。心 一開口 H5a做為流體噴射裝置之喷孔的前身。 /、弟 請參見第2C圖，以物理氣相沉積法（PVD)沉積一圖安 化導：層162，例如A1、Cu、A1Cu或其他 ； 入加熱器接觸窗145，以形成一訊號傳送線路“〗。並真 —請芩見第2D圖，形成一保護層17〇於該基幻⑽上，产 盍隔離層150與訊號傳送線路162。接著， 覆 ，驟，定義保護層m形成一訊號傳送線=钱： 導電層露出，以利後續封裝作業；以及沿 二5 : 刻隔離層150，以形成一第二開。195b。其中:餘 1 9 5 b做為流體噴射裝置之噴孔的前身。 請參見第2E圖，以濕钱刻法，兹刻於基底1〇〇背 成一流體通道180，且露出犧牲層12〇。接著， 銼 層120以形成一流體腔丨9〇。 j犧牲 請參見第2F圖，在經過光阻塗佈、曝光、 後’沿第二開a195b钱刻結構層13〇，較佳者為電漿衣^之
0535-9520TWF(Nl);A91386;j amngwo.ptd 第11頁 580435 五、發明說明（7) 刻、化學亂體蝕刻、反應性離子蝕刻或雷射蝕刻製程，以 形成一與流體腔190連通之噴孔丨95。至此，完成單石化流 體喷射裝置。 實施例一 第3A〜3C圖係顯示本發明第二實施方式之單石化流體 喷射瓜置的製私剖面圖，其中第3A圖係顯示利用半導體製 程所το成之岫&製程，第3B、3C圖係顯示利用微機電製程 所完成之後段製程。請參見第3A圖，提供一圖案化犧牲層 i 20於一基底1〇〇上，例如一單晶矽基底。犧牲層12〇係由隹 化學氣相/儿積（CVD )法所沉積之硼矽酸磷玻璃（BpsG )、矽 酸磷玻璃（PSG)或其他氧化矽材質。接著，順應性形成一 圖案化結構層130於基底100上，且覆蓋圖案化犧牲層 1 2 0。結構層1 3 0可由化學氣相沉積法（CVD)所形成之一氮 化矽層。然後，形成一圖案化電阻層14〇於該結構層13〇 上，以做為加熱器。電阻層14〇係由物理氣相沉積法 (pVD)，例如瘵鍍、濺鍍法或反應性濺鍍法，形成如Hf β 、
TaAl、TaN或其他電阻材料。接著，順應性形成一隔離^ 1 5 0，覆蓋結構層1 3 0。 曰 接著，施以微影及蝕刻步驟，定義隔離層丨5〇以形 _ 一加熱器接觸窗145。然後，以物理氣相沉積法（pvD)沉 一圖案化導電層162，例如A1、Cu、AlCu或其他導線材貝 料，於隔離層150上，並填入加熱器接觸窗145，以形成一 訊號傳送線路1 6 2。形成一保護層〗7 〇於基底〗〇 〇上，覆芸
580435 五、發明說明（8) 隔離層1 5 0與訊號傳送線路丨6 2。 請參見第3B圖，蝕刻於基底100背面形成_漭 1 8 0，且露出該犧牲層j 2 〇。接著，蝕刻犧牲 ^ ^ 一流體腔190 〇 以形成 請參見第3C圖，在經過光阻塗佈、曝光、 聰 後，、蝕刻保護層170並以訊號傳送線路162為蝕刻_ 1届之 形成一訊號傳送線路接觸窗175，使導電層露 τ ^ ’ 續封裳作業。同時於兩加熱器140間#刻保 以%後 層卿結構層U。，較佳者為電衆㈣、化二離 j應性離子㈣或雷射㈣製程，形成 。 喷孔m。結構和G，以形成―與流體腔⑽連^連通之 195。至此，完成單石化流體噴射裝置。、之贺孔 實施例三 第4A~4C圖係顯示本發明第三 喷射裝置的製程剖面圖，1 ώ 飞您早石化流體 程所完成之前段製程，第4β中二4Α圖係顯示利用半導體製 所完成之後段製程。請泉f 圖係，不利用微機電製程 120於一基底1⑽上，例如曰圖|，供一圖案化犧牲層 化學氣相沉積（CVD)法所、·„ /阳矽基底/犧牲層1 2 〇係由 酸磷玻璃（PSG)或其他氣: '之硼矽酸磷玻璃（BPSG)、矽 圖案化結構層130於基底l nn材質。接著，順應性形成一 120。結構層130可由化風々^ ’且覆盏圖案化犧牲層 化石夕層。然後，形成一目沉積法（cvd)所形成之一氮 Ώ茶化電阻層140於結構層130上，
〇535-9520TWF(Nl);A91386;j amngwo.ptd 第13頁 580435 五、發明說明（9) 以f為加熱器。電阻層1 40係由物理氣相沉積法（PVD)，例 如条鑛、滅鍍法或反應性濺鍍法，形成如HfB2、TaAl、TaN 2其他電阻材料。接著，順應性形成一隔離層1 5 0，覆蓋 結構層130。接著，施以微影及蝕刻步驟，定義隔離層150 以形成一加熱器接觸窗145。
然後’以物理氣相沉積法（pvD)沉積一圖案化導電層 1 6 2，、，例如A1、Cu、AlCu或其他導線材料，於隔離層150 上並填入加熱杰接觸窗1 4 5，以形成一訊號傳送線路 162。形成一保護層17〇於基底1〇〇上，覆蓋隔離層15〇與訊 號傳送線路1 62。接著，在經過光阻塗佈、曝光、顯影步遂 驟之後，蝕刻保護層丨7 〇並以訊號傳送線路丨6 2為蝕刻停止 層’形成一訊號傳送線路接觸窗丨75，使導電層露出，以 利後績封裝作業。同時於兩加熱器丨4〇之間蝕刻保護屑 與隔離層150，以形成一開口195b。其中開口1951)做^、、古 體喷射裴置之噴孔的前身。 /；，L 清苓見第4B圖，以濕蝕刻法蝕刻於該基底丨〇 〇背 成一流體通道1 8 0，且露出犧牲層丨2 〇。接 / 12。以形成一流體腔190。 #刻犧牲層 請參見第4C圖，在經過光阻塗佈、曝光、顯影 之 後，沿開口 195b蝕刻結構層130，較佳者為電漿蝕刻、( 學氣體蝕刻、反應性離子蝕刻或雷射蝕刻製程，以 與流體腔1 9 0連通之噴孔1 9 5。至此，穿忐r^成 裝置。 ΰ 兀成早石化流體噴射
580435 五、發明說明（ίο) 實施例四 第5 A〜5D圖係顯示本發明第四實施方式之單石化流體 噴射裝置的製程剖面圖，其中第5A、5B圖係顯示利用半導 體製程所完成之劄又製程，第5 c、5 D圖係顯示利用微機電 製程所完成之後段製程。請參見第5 A圖，提供一圖案化犧 牲層1 2 0於一基底1 0 0上，例如一單晶矽基底。犧牲層〗2 〇 係由化學氣相沉積（CVD)法所沉積之硼矽酸填玻璃 (BPSG)、矽酸磷玻璃（PSG)或其他氧化矽材質。接著，順 應性形成一圖案化結構層130於基底1〇〇上，且覆蓋圖案化 犧牲層120。結構層130可由化學氣相沉積法（CVD)所形成 之一氮化矽層。然後，以物理氣相沉積法（pvD)沉積導電 層162，例如A1、Cu、A1Cu或其他導線材料，於結構層13〇 上。形成一圖案化電阻層140，以做為加熱器。電阻^ 係由物理氣相沉積法（PVD)，例如蒸鍍、濺: 罐，形成靡……或其他電:^^^ 層進行圖案化以形成一訊號傳送線路1 6 2。接— ，、V電 保護層170於基底1〇〇上，覆蓋電阻層丨4〇遍 开^成一 162 〇 〇汛旒傳送線路 請參見第5B圖，在經過光阻塗佈、曝光、 後，蝕刻保護層170並以訊號傳送線路162為蝕顯影步驟之 形成一訊號傳送線路接觸窗1 7 5，使導電層”露x止層， 續封裝作業。同時於兩加熱器1 4 〇之間蝕刻:’以利後 形成一開口1 95b。其中開口 195b做為流體、° .層1 ，以 的前身。 ⑨射裝置之噴孔
580435 五、發明說明（11) 请茶見第5 C圖，以濕蝕刻法蝕刻於該基底丨〇 〇背面形 成一流體通道180，且露出該犧牲層12〇。接著蝕刻犧牲層 1 2 0以形成一流體腔1 9 0。 請參見第5D圖，在經過光阻塗佈、曝光、顯影製程之 後，沿開口 1 95b蝕刻結構層1 30，較佳者為電漿蝕刻、化 學氣體银刻、反應性離子蝕刻或雷射钱刻製程，以形成一 與流體腔190連通之喷孔195。至此，完成單石化流體喷射 裝置。 實施例五 再請芩考第5A圖，提供一圖案化犧牲層12〇於一基底 1 0 0上，例如一單晶矽基底。犧牲層〗2 〇係由化學氣相沉積 (CVD)法所沉積之硼矽酸磷玻璃（BpSG)、 或其他氧切材質。接著，順應性形成—圖案 130於基底上，且覆蓋圖案化犧牲層12〇 ^結構層i3〇可 由化學氣相沉積法（CVD)所形成之一氮化矽層。然後，以 物理氣相沉積法（PVD)沉積導電層162，例如A1、Cu、A1Cu 或其他導線材料，於結構層13〇上。形成一圖案化電阻層 140，以做為加熱器。電阻層14〇係由物理氣相沉積法曰 (P VD )例如瘵鍍、濺鐘法或反應性濺鍍法，形成如η f B 、 TaAl^TaN或其他電阻材料。對導電層進行圖案化以形^ 一吼號f迗線路162。接著，形成一保護層170於基底〗00 上，覆f電阻層1 4 Q與訊號傳送線路丨6 2。 - 接著’以濕蝕刻法蝕刻於該基底丨〇 〇背面形成一流體
580435 五、發明說明（12) 通道1 8 0，且露出該犧牲層j 2 〇。接 成一流體腔190。 耆蝕刻犧牲層120以形 再請參考第5C圖，在經過光阻塗 之後’蝕刻保護層17。與結構層13〇圭步驟 化學氣體蝕刻、反應性離子蝕刻或 ^制' “水虫刻、 號傳送線路162為蝕刻停止声，，\田射姓刻製程’並以訊 ㈣，使導電層露出，^後傳送線路接觸 熱器H。之間I虫刻保護層i 7。與結、構/;乍業；=於：力口 體腔19〇連通之喷孔195。至此，==0 ’以形成一與流 置。 此 兀成早石化流體噴射裝 [本案特徵及效果] _ 本發明之特徵與效果在於 ‘， 個以上製作過程，並將立融人::—料製作過程分成兩 散於其他製程中。 σ匕、他製程中，使其成本分 制r: u發：主要使部分的微機電製程融合於半導體 裂矛王中或使部分半導體製葙4人 丁，版 低整體製程的生產成本，並；。使其降 缺點，進而改善習知之製；喷孔製作過程中所產生的 雖然本發明已以較隹音 限定本發明，任何孰習此項^=露如上’；」，、並非用以 神和範圍内，當可作更動愈：者，纟不脫離本發明之精 畜視後附之申請專利範圍所界定者為準。 圍
II 第17頁 〇535-9520TWF(Nl);A91386;j amngwo.ptd 580435 圖式簡單說明 第1 A、1 B圖係顯示習知單石化流體喷射裝置的製程剖 面圖，其中第1 A圖係顯示利用半導體製程所完成之前段製 程，第1 B圖係顯示利用微機電製程所完成之後段製程； 第2A〜2F圖係顯示本發明第一實施方式之單石化流體 噴射裝置的製程剖面圖，其中第2 A〜2D圖係顧示利用半導 體製程所完成之前段製程，第2E〜2 F圖係顯示利用微機電 製程所完成之後段製程； 第3 A〜3C圖係顯示本發明第二實施方式之單石化流體 喷射裝置的製程剖面圖，其中第3A圖係顯示利用半導體製 程所完成之前段製程，第3B、3C圖係顯示利用微機電製程4 所完成之後段製程； 第4A〜4C圖係顯示本發明第三實施方式之單石化流體. 喷射裝置的製程剖面圖，其中第4A圖係顯示利用半導體製 程所完成之前段製程，第4B、4C圖係顯示利用微機電製程 所完成之後段製程；以及 第5 A〜5D圖係顯示本發明第四實施方式之單石化流體 喷射裝置的製程剖面圖，其中第5A、5B圖係顯示利用半導 體製程所完成之前段製程，第5C、5D圖係顯示利用微機電 製程所完成之後段製程。 [符號說明] 習知部分（第1圖） 1 0〜基底； 2 0〜犧牲層；
0535-9520IW(Nl);A91386;jamngwo.ptd 第18頁 580435 圖式簡單說明 3 0〜結構層； 4 0〜電阻層； 50〜隔離層.； 60〜導電層； 6 2〜訊號傳送線路； 70〜保護層； 8 0〜流體通道； Θ0〜流體腔； 9 5〜喷孔0 本案部分（第2、3圖） 100〜基底； 1 2 0〜犧牲層； 1 3 0〜結構層； 1 4 0〜電阻層； 14 5〜加熱器接觸窗； 1 5 0〜隔離層； 1 6 2〜訊號傳送線路； 1 7 0〜保護層； 17 5〜訊號傳送線路接觸窗； 180〜流體通道； 19 0〜流體腔； 1 9 5〜喷孔； 195a〜第一開口；
0535-9520TWF(Nl);A91386;jamngwo.ptd 第19頁 580435
Claims (1)
- 申請專利範圍 ^ ---- 種單石化流體噴射裝置的製作方法，包括下列步 —基底； 图木化犧牲層於該基底之一第一面上； 圖案化結構層於該基底上，且覆蓋該圖案化犧 圖案化電阻層於該結構層上，以形成—加熱 圖案化隔離層，覆蓋該結構層且呈 第一開口 ，其中該加熱器接觸 ^ 一加熱器 分該加熱器； 硕固係至少露出部（ 形成一圖案化導電層於該結構層上， 接觸窗與該加熱器連接，以形成一訊 ^ =由該加熱器 游士门 11寻适線路· y 圖案化保護層於該基底上，覆宴# — 導電層，且具有一訊號傳送線路接觸 二離層與該 口之一第二開口； *共對應於該第—開 形成一流體通道於該基底之一第二面，上、 相對於該第一面，以露出該犧牲層； ’該第二面係 移除該犧牲層以形成一流體腔；以及 /口 U亥第二開口與該第——開口以蝕刻該、纟士 一與流體腔連通之喷孔。 ㈢，而形J 2·如申請專利範圍第丨項所述之單石化漭 ▲ 的製作方法，其中形成流體通道之該步 —、射I置 成。 係Μ濕蝕刻法i ;jamngwo.ptd第21頁 0535-9520TWF(Nl) ;A91386 · j 580435 六、申請專利範圍 的制从如申睛專利範圍第1項所述之單石π + 的衣作方法，其中移除犧牲声以石化流體噴射裝置 濕蝕刻法達成。 ' 曰y机體腔之該步驟係以 Μ制t如申請專利範圍第1項所述之單石彳μ β 的製作方法，其中係同時形成該加 化流體噴射裝置 口。 ，、，…。轾觸窗與該第一開 5 如申清專利範圍第i項所述之 ^作方法，其中該圖案化保護層還化—流體嘴射裝置 :觸：’且該訊號傳送線路接觸窗係至少：：號傳送線路 傳运線路。 路出部分該訊號 6.如申請專利範圍第5項所述之 ( 的製作方法，其中係同時形成 化流體喷射裝置 第二開口。 成该訊唬傳送線路接觸窗與該 7·如申請專利範圍第丨項 的製作方法，其中飯刻該結^之早石化流體噴射裝置 學氣體應性…刻；==漿㈣、化 的4;!以：第1項所述之單石=體喷射裝置 Γ:二 ,ΐ t犧牲層之材質係，矽酸磷玻璃 (BPSG)、石夕酸墙玻i(psG)或氣化石夕材f。 9. 如申請專利範圍第1項玲 ( ^ # , _ ,, ^ 、所述之單石化流體喷射裝置 的製作方法，其中该結構層之材 10. 如申請專利範圍第1項m : > 夕 _ + 的製作方法，其中該電阻層2 =之單石化流體喷射裝置 Μ。 曰之材質係為HfB2、TaM、TaN或0535-9520TWF(Nl);A91386;jamngwo.ptd 第22頁 580435 六、申請專利範圍 11 .如申請專利範圍第1項所述之單石化流體喷射裝置 的製作方法，其中該導電層之材質係A1、C u或其合金材 料。 1 2.如申請專利範圍第1項所述之單石化流體喷射裝置 的製作方法，其中該隔離層之材質係氧化矽。 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之單石化流.體喷射裝置 的製作方法，其中該保護層之材質係氧化矽、氮化矽、碳 化矽或其複合堆疊而成。 1 4. 一種單石化流體喷射裝置的製作方法，包括下列 步驟： 提供一基底； 形成一圖案化犧牲層於該基底之一第一面上； 形成一圖案化結構層於該基底上，且覆蓋該圖案化犧 牲層； 形成一圖案化電阻層於該結構層上，以形成一加熱 為 ， 形成一圖案化隔離層，覆蓋該結構層且具有一加熱器 接觸窗，其中該加熱器接觸窗係至少露出部分該加熱器； 形成一圖案化導電層於該結構層上，並經由該加熱器 接觸窗與該加熱器連接，以形成一訊號傳送線路； 形成一保護層於該基底上，覆蓋該隔離層與該導電 層； 形成一流體通道於該基板之一第二面，且該第二面係 相對於該第一面，以露出該犧牲層；0535-9520TWF(Nl);A91386;j amngwo.ptd 第23頁 580435 六、申請專利範圍 以及 移除該犧牲層以形成一流體腔；- 蝕刻該保護層、該隔離層與該結構層，以形成_與流 體腔連通之喷孔。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之單石化流體噴射裝 置的製作方法，其中形成流體通道之該步驟係以濕蝕刻法 達成。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中移除犧牲層以形成流體腔之該步驟係 以濕韻刻法達成。 1 7 _如申請專利範圍第1 4項所述之單石化流體噴射装i 置的製作方法，其中該圖案化保護層還具有一訊號傳送線 路接觸_，且該訊號傳送線路接觸窗係至少露出部分該訊 號傳送線路。 ^ 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之單石化流體噴射裝 置的製作方法，其中係同時形成該訊號傳送線路接觸窗虚 該噴孔。 1 9 _如申睛專利範圍第1 4項所述之單石化流體噴射裝 置的製作方法，其中蝕刻該結構層之步驟係以電漿蝕刻、 化學氣體钱刻、反應性離子钱刻或雷射#刻製程。 2 0 ·如申請專利範圍第丨4項所述之單石化流體噴射裝 置的製作方法，其中該犧牲層之材質係石夕酸墙玻壤 (BPSG)、矽酸磷玻璃（ps g )或氧化矽材質。 21 ·如申請專利範圍第14項所述之單石化流體噴射裝 置的製作方法，其中該結構層之材質係氮化石夕。0535-9520TWF(Nl);A91386;j amngwo.ptd 第24頁 580435 六、申請專利範圍 2 2 .如申請專利範圍第1 4項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該電阻層之材質係HiB2、TaAl、TaN或 TiN。 2 3 .如申請專利範圍第1 4項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該導電層之材質係A 1、Cu或其合金材 料。 24.如申請專利範圍第1 4項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該隔離層之材質係氧化矽。 25 .如申請專利範圍第1 4項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該保護層之材質係氧化矽、氮化矽、· 碳化矽或其複合堆疊而成。 2 6. —種單石化流體喷射裝置的製作方法，包括下列 步驟： 提供一基底； 形成一圖案化犧牲層於該基底之一第一面上； 形成一圖案化結構層於該基底上，且覆蓋該圖案化犧 牲層； 形成一圖案化電阻層於該結構層上，以形成一加熱 器； .1 形成一圖案化隔離層，覆蓋該結構層且具有一加熱器 接觸窗，其中該加熱器接觸窗係至少露出部分該加熱器； 形成一圖案化導電層於該結構層上，並填入該加熱器 接觸窗，以形成一訊號傳送線路； 形成一保護層於該基底上，覆蓋該隔離層與該導電0535-9520TWF(Nl);A91386;j amngwo.ptd 第25頁 580435 六、申請專利範圍 層； 蝕刻至少該保護層與該隔離層，以形成一開口； 形成一流體通道於該基板之一第二面，且該第二面係 相對於該第一面，以露出該犧牲層； 移除該犧牲層以形成一流體腔；以及 沿該開口蝕刻該結構層，以形成一與流體腔連通之喷 孔。. 2 7.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中形成流體通道之該步驟係以濕蝕刻法 達成。 2 8.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中移除犧牲層以形成流體腔之該步驟係 以濕银刻法達成。 2 9 .如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該圖案化保護層還具有一訊號傳送線 路接觸窗，且該訊號傳送線路接觸窗係至少露出部分該訊 號傳送線路。 3 0 .如申請專利範圍第2 9項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中係同時形成該訊號傳送線路接觸窗與 該開口。 3 1 .如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中形成開口之該步驟還包括蝕刻部分的 該結構層。 3 2.如申請專利範圍第23項所述之單石化流體喷射裝0535-9520TWF(Nl);A91386;jamngwo.ptd 第26頁 580435 六、申請專利範圍 置的製作方法，其中钱刻該結構層之步驟係以電漿雀刻、 化學氣體蝕刻、反應性離子蝕刻或雷射蝕刻製程。 3 3.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該犧牲層之材質係硼矽酸填玻璃 (BPSG)、矽酸磷玻璃（PSG)或氧化矽材質。 34.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該結構層之材質係氮化矽。 3 5.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該電阻層之材質係HfB2、TaAl、TaN或 TiN 〇 1 3 6.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該導電層之材質係A 1、Cu或其合金材 料。 3 7.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該隔離層之材質係氧化矽。 3 8.如申請專利範圍第2 6項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該保護層之材質係氧化矽、氮化矽、 碳化矽或其複合堆疊而成。 3 9. —種單石化流體喷射裝置的製作方法，包括下列 步驟： 提供一基底； 形成一圖案化犧牲層於該基底之一第一面上； 形成一圖案化結構層於該基底上，且覆蓋該圖案化犧 牲層；0535-9520TWF(Nl) ;A91386;j amngwo.ptd 第27頁 580435 六、申請專利範圍 形成一導電層於該結構層上形成一圖案化電阻層於導電層上，以形成一 ^ ^ TJu 對該導電層進行圖案化，以形成一訊號傳送線路°·。 形成一保護層於該基底上，覆蓋該結構層、’ 與該電阻層； 5亥導電 層 飯刻該保護層，以形成一開口； 形成一流體通道於該基板之一第二面，且該第二 相對於該第一面，以露出該犧牲層； ’、 移除該犧牲層以形成一流體腔；以及 沿該開口蝕刻該結構層，以形成一與流體腔連通之噴 4 〇 ·如申請專利範圍第3 9項所述之單石化流體噴射裝 置的製作方法，其中形成流體通道之該步驟係以濕蝕刻法 達成。 41.如申請專利範圍第39項所述之單石化流體噴射裝 置的製作方法，其中移除犧牲層以形成流體腔之該步驟係 以濕蝕刻法達成。 42.如申請專利範圍第39項所述 置的製作方法，其中該圖案化保護廣還具有一訊號傳送 路接觸窗，且該訊號傳送線路接觸窗榜'矣少路出部分該 號傳送線路。4 3 ·如申請專利範圍第4 2項戶斤i 置的製方法，其中係同時形成該訊璩 開口。 。 之單石化流體噴射裝 傳送線路接觸窗與該580435 六、申請專利範圍 4 4.如申請專利範圍第3 4項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中蝕刻該結構層之步驟係以電漿蝕刻、 化學氣體蝕刻、反應性離子蝕刻或雷射蝕刻製程。 4 5 .如申請專利範圍第3 9項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該犧牲層之材質係硼矽酸磷玻璃 (BPSG)、矽酸磷玻璃（PSG)或氧化矽材質。 4 6.如申請專利範圍第3 9項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該結構層之材質係氮化矽。 4 7.如申請專利範圍第3 9項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該電阻層之材質係HfB2、TaAl、TaN或 TiN 〇 4 8.如申請專利範圍第3 9項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該導電層之材質係A1、Cu或其合金材 料。 4 9 .如申請專利範圍第3 9項所述之單石化流體喷射裝 置的製作方法，其中該保護層之材質係氧化矽、氮化矽、 碳化矽或其複合堆疊而成。 5 0. —種單石化流體喷射裝置的製作方法，包括下列 ，驟： 提供一基底； 形成一圖案化犧牲層於該基底之一第一面上； 形成一圖案化結構層於該基底上，且覆蓋該圖案化犧 牲層； 形成一^導電層於該結構層上，0535-9520TWF(Nl) ;A91386;jamngwo.ptd 第29頁 580435 六、申請專利範圍 形成一圖案化電阻層於導電層上，以形成一加熱器； 對該導電層進行圖案化，以形成一訊號傳送線路； 形成一保護層於該基底上’覆盖該結構層、該導電層 與該電阻層； 形成一流體通道於該基板之一第二面，且該第二面係 相對於該第一面，以露出該犧牲層； 移除該犧牲層以形成一流體腔；以及 依序蝕刻該保護層與該結構層，以形成一與流體腔連 通之噴孔。0535-9520TWF(N1) ;A91386;j amngwo.ptd 第30頁
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