TW578313B - Opto-electronic component - Google Patents

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TW578313B
TW578313B TW091134967A TW91134967A TW578313B TW 578313 B TW578313 B TW 578313B TW 091134967 A TW091134967 A TW 091134967A TW 91134967 A TW91134967 A TW 91134967A TW 578313 B TW578313 B TW 578313B
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Karlheinz Arndt
Nadir Farchtchian
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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578313 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明） 本發明涉及申請專利範圍第1項前言之光電組件，特別 是可表面安裝之光電組件。 在傳統式可表面安裝之光電組件中，首先以下述方式製 成一種預備用之構件：一種預製之導線架以適當之塑料來 濺鍍，塑料形成該構件之外殼。此構件在上側上具有一凹 口，凹口中由二個相面對之側面引入該導線架-終端，其中 一個側面上黏合一種半導體晶片（例如，L E D晶片）且在電 性上相接觸。凹口中然後塡入一種可透過輻射之透明之澆 注物質。可表面安裝之光電組件之此種基本形式例如由文 件丨’Siemens SMT-TOPLEB fiir die Oberflachenmontagen von F. Mollmer und G. Waitl, Siemens Components 29 (1991)，Heft 4，page 147-149 中已爲人所知。 在此種習知之可表面安裝之構造形式中，一種指向很準 確之輻射以下述方式達成：由塑料外殼所形成之側壁以傾 斜式反射器構成。依據外殼形式或反射器形式，則該組件 可構成所謂頂視件（T 〇 p -1 〇 〇 k e r )，即，主輻射方向垂直於該 組件之安裝面，或構成所謂側視件，即，主輻射方向平行 於該組件之安裝面或與該安裝面成銳角。頂視件及側視件 所對應之外殼形式例如已顯示在EP 〇 4〇〇 175 A1之第2 圖或第3圖中。 第12至15圖中顯示上述形式之光電組件之各種不同之 傳統式構造形式。 578313 第1 2圖中該半導體晶片（例如，LED晶片）埋置在狹窄之 外殻或殼體中。外殼中由半導體晶片發射至側面之輻射由 殻體之側壁（其是一種反射器）又反射回到半導體晶片之側 面而被吸收，使輻射在該處消失。 在第1 3圖所示之傳統式光電組件之構造中，光在組件中 之損耗特別是與特殊之晶片技術有關，其中由半導體晶片 所發出之輻射之大部份是以傾斜向後之方式發出。此種傾 斜向後之輻射之大部份是由基體所吸收而消失。 第14A及14B圖是基體之側視圖及俯視圖，其中設有多 個LED晶片，以便藉由三種基本顏色（原色）之混合而產生 任意之顏色。在此種情況下由LED晶片側面所發出之輻射 之一部份由相鄰之LED晶片之側面所吸收而使該輻射消失。 最後，’’光電組件之基體以暗色構成”亦已爲人所知，這 例如已顯示在第1 5 A圖中。此種實施形式例如可用來在組 件之發射面及其餘之裝置面之間達成一儘可能優良之對比 (contrast)，如第1 5B圖所示。此種對比之改良例如可用在 顯示技術中。但暗色外殻之缺點是：由LED晶片所發出之 光之一些成份在凹口之暗色之側壁上被吸收而使發光效益. 降低。 · 特別是在具有多個LED晶片之組件（例如，第14圖所示 者）中，另外會使不均勻之已分散之光由該組件之發射面發 出。此外，多個LED晶片不須全部以集中方式而配置著， 因此在該組件之側面觀察時各別LED晶片之輻射光可發生 578313 不同之作用且在多顏色之LEDs中該彩色混合作用 程度開始即與角度有關。 由於可透過輻射之透明之澆注物質，則LED晶片 短間距所形成之接線中有一部份是可區別的。特別 射特性變狹窄以達成較高之光強度時，則晶片表面 至該組件之發射面。又，在外來光線入射時，會由 至發射面及晶片表面上之外來光線而造成一種不完 比。 爲了防止上述之缺點，例如，較低之效率，晶片 干擾性投影及各接線，不均勻之輻射光及對比不完 目前須使用一種光電組件，其藉由較高價値（成本因 高）之晶片技術而使效率提高，其中特別是LED晶』 是經由晶片表面而發出光線。 就顯示技術（其中在發光時一種良好之對比是重i 應用領域而言，由先前技藝開始，一方面可以暗色 成該組件之表面，如第1 5 B圖所示，或使用光圈裝 蔽外來之入射光入射至LED晶片。 由先前技藝開始，本發明之目的是發展一種較佳 組件，其特別是可向前發光且可廣泛地消除傳統組 述缺點。特別是藉由此種光電組件可達成均勻之發 佳之對比。 此目的以具有申請專利範圍第1項特徵之光電組 冬 由某一 及其由 是在車虽 會投射 於反射 美之對 表面之 美，則 此亦較 片主要 ^的）之 方式形 置以遮 之光電 件之上 光及較 件來達 578313 成。本發明有利之其它形式描述在申請專利範圍各附屬項 中 〇 本發明中可透過輻射之晶片外罩（較佳是塑料外罩）以可 漫射之方式構成且因此含有漫散微粒，其可使L E D晶片所 發出之輻射發生漫射。由半導體晶片發射至側面之這些輻 射在漫射微粒上發生漫射，使各輻射中至少一大部份在基 體之凹口之側壁上及/或在反射後在凹口之側壁上及半導 體晶片之側面上不會被吸收。經由該組件之發射面而向前 (即’在光軸之方向中）發出之輻射成份因此可增多。該組 件之效率亦可提高。 晶片外罩中漫射器上之成份須測定，使軸向中之輻射相 對於同形式而不具備該漫射器之晶片封罩者可大大地提高 。特別有利的是須測定該漫射器上之成份，使軸向中之輻 射大大地提高且同時使總輻射光只稍微地減少。 較佳是須測定該集中區，使軸向中之光增益（gain)較該 組件中由漫射微粒所造成之光束總損耗還大。 軸方向之槪念涉及L E D晶片之光軸。 添加各漫射微粒因此不是爲了使光之發射角度擴大，而 是使更多之光可由組件中向前發出，同時防止該晶片及各 接線所造成之投影。 相對於相同組件而在晶片外殼中無漫射微粒者，本發 明之組件可向前發出更多之光。已揭示者是：漫射微粒 上之漫射較基體之凹口之側壁上之反射更有效，這是令人 -10- 578313 驚異的。 上述效應對以下之晶片特別明顯，即，晶片中所產生之 電磁輻射之主要部份是經由晶片側面發出者，例如，經由 基板之側面（其上存在以磊晶方式製成之半導體層序列）而 發出者。這些led晶片以下稱爲側面發射式led晶片，其 特別是描述在文件wo 01/61764及wo 01/61765中。此二 文件中所揭示之內容此處作爲參考。 上述之LED晶片（其又稱爲"ATON n)之特徵是：晶片中所 產生之輻射經由至少一種對輻射產生用之磊晶層序列之主 延伸方向成傾斜，彎曲或步級方式而延伸之側面區而在側 面中向後發出，因此不是在該組件之輻射方向中發出。側 面區因此向組件背面傾斜。晶片外罩中之漫射微粒特別是 在此種具有LED晶片之組件中造成一種較晶片外罩中不具 備各漫射微粒之該種組件高很多之向前輻射。 又’由半導體晶片所發出之輻射可藉由漫射微粒而均勻 地分佈。這樣一方面可使光均勻地由該組件之發射面所發 出，且另一方面可防止晶片表面之投影及LED晶片之接線 之投影。 本發明之其它優點是··漫射微粒不只作用在LED晶片所 發出之光上且亦作用在由外部所入射之光上。相對於無漫 射微粒之透明之澆注物質而言，外來光線因此不會被反射 回去而是以漫射方式反射，使該組件有較佳之對比。 又’本發明之特殊優點是：該組件之對比較傳統式可表 -11- 578313 面安裝之組件還優良。這對顯示器應用而言特別重要。主 要是本發明之組件之亮度較小，此乃因發光面較大。設有 漫射微粒之晶片外罩之整面都可發光。晶片不會投影在外 罩表面上。本發明之其它優點是：陽光在該組件上之干擾 性反射較小。 透明澆注物質中之漫射微粒之成份較佳是在0 . 1 %及1 0 % 之間，特別是在0 · 1 5 %至3 · 0 %之間，更佳是在0.7 5 %及 1 · 2 5 %之間。這特別適用於環氧化物澆注樹脂中之漫射微粒 (較佳是CaF漫射微粒）。 就像傳統式光電組件一樣，透明之澆注物質可以是一由 硬塑性或熱塑性材料所製成之環氧樹脂及基體，因此可有 利地使用傳統式製造方法。 在發光時爲了進一步使對比改良，則有利的是以暗色或 黑色之方式形成該基體之至少一個表面，特別是向前對準 之表面。 本發明之上述特徵及優點以下將依據較佳之實施例及圖 式（第1至16圖）來描述。 首先，依據第1圖來描述本發明之光電組件之基本構造。 該組件之各種不同之實施形式及本發明之作用方式然後參 考第2，3圖來描述。最後，由發明人進行三種硏究系列， 其測量結果顯示在第4至1 1圖中。 第1圖中顯示本發明中一可表面安裝之光電組件之橫 切面。該組件之基體2藉由導線架1以適當之塑料來濺鍍 -12- 578313 而形成且亦形成一種外殼。該外殼2具有一位於中央之凹 口，凹口中配置半導體晶片3 (例如，光電發射晶片）且該半 導體晶片3藉由接線4而與導線架1之電性終端1 A，1 B 導電性地相連。 基體2之凹口之內面2 A較佳是以傾斜形式構成，如第1 圖所示。藉由選取適用於基體2之高反射性材料，則各傾 斜式內面2 A又可用作反射器，以便使該光電組件之發射 功率或接收敏感性提高。 此處須指出：本發明不是只限於所示實施例中之頂視件 構造（請參閱本說明書之前言）。在使用本發明之措施時當 然亦可構成各種具有側視件構造（參閱本說明書之前言）之 組件。 該組件之基體2例如可使用塑料，較佳是熱塑性或硬塑 性塑料。過去已證實：聚酞醯胺特別適用於基體2，其另 外可設有玻璃纖維。 光電半導體晶片3埋置於晶片外罩5(例如，透明之澆注 物質所構成者）中。晶片外罩5之遠離半導體晶片3之發射 面7因此是與基體2之表面8齊平。但此處須指出：在本· 發明之範圍中依據需求當然亦可選取晶片外罩5在基體2 _ 之凹口中之其它不同之塡入高度。 通常使用透明之材料作爲晶片外罩5用之材料，其具有 UV (紫外線）起始-或光起始之可以陽離子來硬化之特性。較 佳之材料5含有UV起始-或光起始之可以陽離子來硬化之環 -13- 578313 氧樹脂，其藉由施加光輻射或uv輻射而在數秒內硬化且 在稍後之時間點可加熱而完全硬化。但適當之材料是丙烯 酸樹脂（例如，Ρ Μ Μ A )或矽樹脂。 本發明中該晶片外罩5以可漫射方式構成。這較佳是以 下述方式達成··晶片外罩5含有漫射微粒6，其使入射至 其上之輻射（特別是光）漫射。 透明澆注物質中之漫射微粒之成份介於〇 · 1 5 %及2 · 〇 %之 間，較佳是在0.7 5 %及1 · 2 5 %之間，特別佳是在1 . 0 %左右 。漫射微粒之最佳成份又與該組件之高度或其成份有關° 此處須指出：本發明不限於特殊之漫射微粒。光電領域 之專家可毫無問題地找出適用於其目的之漫射微粒，其力 小及材料成份另又與可漫射之輻射之波長有關。選取適當 之漫射微粒特別是與LED晶片3所發出或接收之光之波長 有關。 此外，依據基體2之材料之選取及光電組件之所期望之 光學特性，則晶片外罩5除了上述環氧樹脂之主成份及 '漫 射微粒之外另有其它之成份，以便依據所期望者來調整其 與基體材料之連接強度，起始硬化時間與及時硬化時間’ 光穿透性，折射率，耐溫性，機械強度等等。 第2A至2D圖顯示本發明之光電組件之各種不同之構造 形式。 、 第2 A圖之組件在基體2之狹窄之凹口中具有側面發光 之LED晶片3。側面發出之輻射之一部份在晶片外罩5中 578313 存在之漫射微粒6上漫射，使輻射之該成份在 上反射之後不會又由LED晶片3之側面所吸收 式使由該組件之發射面所發出之輻射之成份較 組件中者還多，即，該組件之效率可提高。 若使用一種光電感測器以取代該發光之LED 收輻射，則亦可適用相同之原理。在此種情況 效率可提高，此乃因已入射之輻射在漫射微粒 射使已入射之輻射之大部份都可由半導體晶片 收。 藉由晶片外罩5中之漫射微粒6，則不只可ί 之效率，亦可使該發射面所發出之光均勻地分 射面7上且又可防止晶片表面或接線4之投影 又’藉由LED晶片3所發出之光之漫射可使 發射特性集中化，即使其由於多個LED晶片3 射微粒之該組件中而分散時亦如此。這例如已 圖中。以1表示之曲線是傳統藍色L E D晶片3 ’其在第3圖中向右分散，發射特性隨著漫射 增加之成份而更集中成1 %，如該二個曲線2， 線2，3中光電流之較高之測量値是由於該測量 參考軸來進行所造成。 晶片外罩5中各漫射微粒6之其它優點特別 示技術之應用領域中，此時外來之入射光對資 顯不是一種問題。相對於透明之樹脂作爲湊注物 凹口之側壁 :。以此種方 傳統式光電 晶片3來接 下該組件之 6上發生漫 之側面所接 是局該組件 佈在整個發 〇 LED晶片之 形成在無漫 顯示在第3 之發射特性 微粒之逐漸 3所示。曲 是相對於該 是顯示在顯 訊之透明之 質5而言， 578313 外來之入射光不會被反射而是會由於漫射微粒6而發生漫 射。外來光之強度因此會消失，這樣會在外來光入射時使 顯示器本身有較佳之對比。 第2B圖顯不一種具有LED晶片3之光電組件，其中由 晶片側面所發出之光之大部份是傾斜地向後（即，在外殼內 部之方向中）發出。這是由於相對於磊晶層序列之主延伸方 向成傾斜，彎曲或步級方式而向內延伸之側面區所造成， 如第2B圖所示。這些LED晶片3(其又稱爲”ATON”且有時 亦稱彩色指示件）例如在W0 01/61764及W0 01/61765中 已有描述，其所揭示之內容此處可作爲參考。相對於傳統 之組件外殼（其以凹口之內壁上之反射爲主）而言，此處所 發出之光在晶片外罩中所分佈之漫射微粒上發生漫射且轉 向至組件前側。這樣可造成上述之優點，請參閱第2A圖 之實施形式之說明。在第2B圖之組件中，本發明晶片外 罩之形式之有利之效應特別明顯。 第2C圖是一種具有多個LED晶片3之組件，其用來構 成多彩色-LED組件。在此情況下，傳統組件中由LED晶 片3所發出之光之30 %可由其它之LED晶片及凹口之陡峭 之側壁所吸收。藉由本發明之漫射微粒6，則光在入射至 相鄰LED晶片之側面之前及入射至凹口之側壁之前可轉向 且經由該發射面7而離開該組件。 最後，第2D圖中顯示一種具有暗色（或黑色）基體2之組 件。此處該光在入射至凹口之黑色側壁之前藉由漫射微粒 -16- 578313 6而轉向至澆注物質5中且到達該組件之發射面7。 在所有之實施例中當然都可達成上述之優點，特別是較 高之效率，較均勻之發光，集中化之發射特性，防止晶片 表面之投影，較佳之對比等等。 以下將描述三種硏究系列，其在本發明之光電組件上進 行。 第1硏究系列 其中測量一種三色之L E D組件（亦稱爲R G B (紅綠藍）複 (multi)LED)，其俯視圖顯示在第15B圖中，且其具有一種 全黑之基體。該三個LED晶片發出波長615nm之橘色 ("HOP amber ")輻射，波長 5 2 6nm 之綠色（’’AT ON true green”）輻射或波長4 6 7nm之藍色（’’ATON blue”）輻射。 第4A圖所示之表是澆注物質中漫射微粒在各種不同之 濃度或成份（例如，〇 · 1 9 %，0 · 5 0 %，1 · 0 %及1 · 5 0 % )時在二 極體電流是20mA之情況下所測得之光強度（以mcd(l 0_3 Candela)表示）。又，傳統組件中在澆注物質不具備漫射微 粒（成份是〇 %)時之測量値亦顯示於此以作爲比較用。相同 之測量値亦顯示在第4 C圖之棒條圖中。 又，第4B圖之表中顯示相對於100%澆注物質（此時不具 備各漫射微粒）時之相對之光強度。如圖所示，藉由本發明 可使光強度提高2 1 . 8 % (漫射成份1 · 0 %，藍色L E D )。 第5 A至5 C圖顯示同一硏究系列之結果，其中.顯示以 mlm(l(T3流明）表示之光電流或相對之光電流而不是以光 -17- 578313 強度來表示。 最後’第6A至6C圖分別表示該澆注物質中有不同成份 之漫射微粒時橘色，綠色或藍色LED晶片3之發射特性。 由圖中明顯可知：由於漫射微粒之成份，則其發射特性較 澆注物質中無漫射特性者更均勻且更集中。此外，在漫射 微粒之成份是1 %時該發射特性可達到最佳之結果。又，在 側面發射之晶片（"AT ON”）中上述之優點特別明顯。 第2硏究系歹彳 其中同樣須測量三色R G B - M u 11 i - L E D，但相對於第1硏究 系列而言須設有白色之基體。該三種LED晶片發出波長 61411111之橘色（"110?&11^61*’’）輻射，波長 53211111 之綠色 (’’ATON true green”）輻射或波長 4 6 5 n m (’’AT Ο N b 1 u e’，）之藍 色輻射。 第7 A圖所示之表是澆注物質中漫射微粒之成份介於〇 % 及1 ·0%時在二極體電流是20mA之情況下所測得之光強度 。相同之測量値亦顯示在第7 C圖之棒條圖中。 第7 B圖之表是澆注物質（1 〇 〇 %)中無漫射微粒時光之相 對強度。如圖所示，在此種硏究結構中藉由本發明可使光 強度提高1 8 % (漫射微粒1 · 0 %，綠色L E D )。 第8 A至8 C圖是同一系列之硏究結果，其中不以光強度 來表示而是以光電流（以m 1 m來表示）或相對之光電流來表 示。 最後，第9A至9C圖是橘色，綠色或藍色LED晶片3 578313 之各別發射特性之步級式改良之圖解，其澆注物質中含有 成份較多之漫射微粒。 . 第3硏究系列 其中本發明之光電組件具有各別之藍色（"ATON blue”） LED晶片。所謂TOPLEDs及微型（mini)TOPLEDs(其澆注物 質中含有1 %成份之漫射微粒）在圖中與澆注物質中無漫射 微粒之各組件相比較，。 第10A圖之表是二極體電流爲10mA，20mA，30mA時所 測得之以Cd(Candela)表示之光強度，第10B圖之表是該 組件之澆注物質（100%)中無漫射微粒時在二極體電流是 10mA，20mA，3 0mA時所測得之光之相對強度。光強度之 測量値亦顯示在第1 〇 C圖之棒條圖中。 在微型TOPLEDs中可藉由漫射之澆注物質使光強度提 高2%，在TOPLEDs中甚至可提高7%。 第1 1 A至1 1 C圖顯示相同硏究系列之結果，其中不是以 光強度來表示而是以lm(流明）來表示之光電流或以相對；^ 光電流來表示。 由第1 6圖所示之圖中可知：首先以逐漸增加之漫射成份 使光輻射在軸向中逐漸增加且同時在漫射成份進一步增加 而總輻射量及前向輻射不會再下降之前不會使總輻射量X 大地下降。圖中顯示4對（pair)棒條，其分別對應於澆注物 質中4種不同濃度之漫射微粒所造成之亮度，其中左棒條 表示前向（或軸向）中之亮度，右棒條表示總輻射量。4對棒 -19- 578313 條分別表示該澆注物質中漫射成份是〇 %，1 %，3 %及9 °/〇之 情形。各棒條對（pair)所對應之漫射微粒之濃度分別以該棒 條對來表示。使用0 %之漫射成份時所發出之値作爲參％ 這些測量値在第1圖之發光二極體組件上測得。LED晶& 是一以InGaN爲主之具有SiC基板之LED晶片，其經^ 片側面使晶片中所產生之輻射之主成份發出。漫射材料$ C aF。可辨認出：前向輻射之最大値發生在澆注物質中_ 射成份大約在3 %時。漫射成份在1 °/。時前向輻射大大地_ 高且同時對總輻射功率之損耗幾乎不會有影響。 本發明中晶片澆注物質中具有漫射成份之各發光二極_ 組件相對於同形式之無漫射成份之發光二極體組件而育$ 有—種好很多之對比。本發明之發光二極體組件中可_ % LED晶片及各接線之投影°光之輻射是經由晶片澆注物_ 之整個前側來達成。 通常須注意：澆注物質中所含有之使光發生漫射之骛％ 微粒同時可用作漫射微粒且因此可達成本發明之效應之$ 少一部份。 又，可確定的是：在含有發光微粒之澆注物質中混合^ 些漫射微粒’則可使軸向中之光輻射提高。因此’具有块 定性的晏：漫射微粒混合至適當濃度之澆注物質中° 爲了完整之故，須注意：澆注物質不是只指晶片外裹# 料（其藉由澆注技術來加工），而是亦包括藉由其它技術（匈| 如，濺鍍澆注或濺鍍壓製）而施加在晶片上之此種晶片外慶 •20· 578313 材料。 圖式簡單說明： 第1圖本發明之光電阻件之基本構造之切面圖。 第2A至2D圖本發明之光電阻件之各種不同之較佳實 施形式。 第3圖本發明之光電阻件之發射特性與傳統組件之比 較圖。 第4 A至4 C圖在本發明之光電阻件上作第一硏究系列 時光強度之測量結果以圖及表來表示。 第5 A至5 C圖在本發明之光電阻件上作第一硏究系列 時光電流之測量結果以圖及表來表示。 第6 A至6 C圖在本發明之光電阻件上作第一硏究系列 時不同之LED之發射特性。 第7 A至7 C圖在本發明之光電阻件上作第二硏究系列 時光強度之測量結果以圖及表來表示。 第8 A至8 C圖在本發明之光電阻件上作第二硏究系列 時光電流之測量結果以圖及表來表示。 第9 A至9 C圖在本發明之光電阻件上作第二硏究系列 時不同之LED之發射特性。 第10A至10C圖在本發明之光電阻件上作第二硏究系 列時光強度之測量結果以圖及表來表示。 第1 1 A至1 1 C圖在本發明之光電阻件上作第二硏究系 列時光電流之測量結果以圖及表來表示。 -2 1 - 578313 第1 2至1 5 B圖傳統式光電組件之不同之實施形式。 第1 6圖，一組件中前向中之亮度及總亮度相對於漫射成 份之關係圖，該組件在環氧樹脂晶片澆注物質中具有C aF 作爲漫射材料且在可表面安裝之LED外殼中具有一以 In GaN爲主之LED晶片。 主要部分之代表符號說明
1 導 線 架 1 A，1B 電 性 終 端 2 基 體 2 A 凹 □ 之 內 面 3 半 導 體 晶 片 4 接 線 5 晶 片 外 罩 6 漫 射 微 粒 7 發 射 面 8 基 體 之 表 面
-22-

Claims (1)

  1. 578313
    拾、申請專利範圍 第9 1 1 3 4 9 6 7號「光電組件」專利案 (9 2年3月修正） 賴鳑委員明示，本案修正狻是右原ff 1. 一種光電組件，其發出輻射之半導體晶片（3)配置在基 體或外殼（2)之凹口中，基體或外殼（2)之材料可吸收半 導體晶片（3 )所發出之輻射之至少一部份’該半導體晶 片（3)使其輻射之大部份經由晶片側面而發出，且在凹口 中該半導體晶片（3)至少一部份是埋置在晶片外罩（5)(特 別是以塑料製成）中，晶片外罩（5)可透過該半導體晶片（3) 所發出之輻射，其特徵爲：晶片外罩（5)以可漫射之方 式構成，使由半導體晶片（3 )之側面向基體或外殼（2 )所 發出之輻射之大部份在其入射至基體-或外殻（2)之鄰接 該凹口所用之面之前都可轉向至晶片外罩（5)之輻射發 出面（7)。 2·如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該晶片外罩（5 ) 含有使輻射發生漫射用之微粒（6)，其可使即將轉向之 輻射發生漫射。 3. 如申請專利範圍第2項之光電組件，其中晶片外罩（5 ) 中漫射微粒（6)之成份介於〇」％及之間。 4. 如申請專利範圍第3項之光電組件，其中晶片外罩（5 ) 中漫射微粒（6 )之成份介於〇 · 1 5 %及3 · 0 %之間。 5·如申請專利範圍第4項之光電組件，其中晶片外罩（5 ) 578313 中漫射微粒（6 )之成份介於〇 . 7 5 %及1 · 2 5 %之間。 6.如申請專利範圍第丨至5項中任一項之光電組件，其中 晶片外罩（5 )具有一種反應樹脂，特別是環氧樹脂，丙 烯酸樹脂或矽樹脂。 7·如申請專利範圍第1至5項中任一項之光電組件，其 中基體（2 )中該凹口之側壁（2 A )形成反射件。 8·如申請專利範圔第1至5項中任一項之光電組件，其 中基體或外殻（2)由硬塑料或熱塑性材料所製成。 9·如申請專利範圍第7項之光電組件，其中基體或外殼（2) 之至少一個前側是以黑色形成。 10·如申請專利範圍第1至5項中任一項之光電組件，其 中凹口中相鄰地配置多個半導體晶片（3)。 1L如申請專利範圍第1 〇項之光電組件，其中各半導體晶 片（3)分別只發出一種光譜顏色之輻射且不同之半導體 晶片（3 )發出不同顏色之輻射。 12·如申請專利範圍第1至5項中任一項之光電組件，其 中半導體晶片或至少一個半導體晶片具有至少一種側面 區’晶片中所產生之輻射之主要部份由側面發出或向下 往基體之方向中發出。 13.如申請專利範圍第1 〇項之光電組件，其中半導體晶片 或至少一個半導體晶片具有至少一種側面區，晶片中所 產生之輻射之主要部份由側面發出或向下往基體之方向 中發出。 -2 - 578313 14. 如申請專利範圍第 1 2項之光電組件，其中該側面區傾 斜地，彎曲地或成步級狀地向以磊晶方式所製成之輻射 產生用之半導體層序列之主延伸方向延伸。 15. 如申請專利範圍第1 3項之光電組件，其中該側面區傾 斜地，彎曲地或成步級狀地向以磊晶方式所製成之輻射 產生用之半導體層序列之主延伸方向延伸。
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