TW569479B - White-light LED applying omnidirectional reflector - Google Patents

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Description

569479 五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域】 一種應用全方位反射片之白光發光二極體,應用於發 出白光之發光模組。 【先前技術】 所谓「白光」通常係指一種多顏色的混合光,以人眼 所見之白色光至少包括二種以上波長之色光所形成,例 如:藍色光加黃色光可得到二波長之白光,藍色光、綠色 光、紅色光混合後可得到三波長之白光。 現在家庭用室内照明光源如日光燈、U型省電燈泡及 小型手電筒照明、汽車/飛機/船内之照明等,使用之光源 :發射的光線皆為三波長之白光,且在目前薄膜電晶體= 曰曰顯示器(TFT-LCD)中所使用之背光源亦為三波長之白 ,,因此,可見用以發出白光之發光模組在照明
有相當大的比重。 % T 而用以發出白光之發光模組中的白光發光二 =其,有下列特性J1)體積小··可用於平面封裝之照明使 用,且可視其使用環境做多顆及多種的搭配組入, 里低、發光壽命長:其發光壽命可達5萬小時以 x…、 傳統鎢絲燈泡高出5 0 - 1 0 0倍(3)不易破:由於白朵^ =般 體是以透明樹脂作為其外罩,因此可耐震與 ς 1 —極 污染:由於其内部結構不含水銀,因此沒有污無 處理問題(5)低耗電量:其耗電量約是一般鎢絲^棄物 1/3〜1/5,因此,白光發光二極體被喻為「且昭、 源」的明日之星。 已 >、、、明先
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白光發光二極體可依照 有機白光發光二極體與無機 品化成熟的產品’是由日本 發光二極體,其結構示意圖 外光發光二極體晶片1 〇的外 外光發光《—極體晶片1 〇所發 38 0 -40 0nm,利用紫外光/藍 光線激發黃光螢光粉2 〇產生 色光發射出來,此藍色光配 -一波長的白光。 其内部所填充的物質而分為: 白光發光二極體。而目前已商 曰亞化學所研發出的無機白光 請參考「第1圖」所示,在紫 圍填充有黃光螢光粉2 〇,此紫 出紫外光之波長約為 $發光二極體晶片1 0所發出的 黃色光,同時也會有部份的藍 合上百色光即形成藍黃混合之 光粉20 的大部 此^必 以降低 為 露的發 器(UV 封裝。 吸收阻 害,因 效率。 而,利用紫外光/藍光發光二極體晶片10與黃光 組合而成之白光發光二極體,由於藍光佔發光光譜 份,因此,其色溫偏高,且光源色控制不易,因 須提高紫外光/藍光與黃光螢光粉20作用的機合, 藍光強度或是提高黃光的強度。 曰 改善上述之缺點,在美國專利第5,9 6 2,9 7 1號所揭 光二極體’如「第2圖」所# ’便使用紫外光渡波 filter) 30作為發光二極體螢光粉層4〇光出射面的 此方式除可增加螢光粉層40的發光均勻度外,並可 絕發光二極體晶片50所發出之紫外光對人眼的 此會形成紫外光的耗損,而降低發光二極體的發光
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569479 五、發明說明
上鍍上一層短波穿透濾波器(short wave pass fiiter), 以增加發光晶片之紫外光出射里與發光一極體發光面之可 見光(螢光)反射量;另一方面,在紫外光/藍光發光二極體 之前端出射面以可見光穿透濾波器(long wave pass fi Iter)作封裝,以增加可見光的穿透率。 然而,由紫外光/藍光發光二極體晶片所發射出的光 線’發射出去後’並沒有有效地控制其行進路徑。因此, 這些光線可能直接由螢光粉層吸收,或是直接被散射離開 紫外光/藍光發光二極體,而形成紫外光的耗損,進而降 低其發光效率。 【發明内容】 繁於以上習知技術的問題,本發明之目的在於提供一 種應用全方位反射片之白光發光二極體,利用介質化全方 位反射片(dielectric 0mnidirecti0nal reflect〇r)取代 習知紫外光/藍光發光二極體令鍍於碗杯結構壁面上的紫 外光及可見光反射層,以便於發光二極體晶片的二側形成 法布里-柏羅(Fabry-Perot)共振腔的結 =二極體之發光效率。此全方位反射片僅反射: 二 例=長為47°nm之藍光,或是波長範圍為 380-400nm之紫外光。 人方m ϊ:具有特定波長之螢光膠夾置於鍍有介質化 王方位反射片的玻璃基板中間,而 發出紫外光或是藍光的發光一極俨曰广广又置有用以 片發出之: 。當發光二極體晶 '、 5疋上光穿過螢光膠時,此光線會激發螢
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569479 五、發明說明(5) 射片8 2上利用蝕刻的方式形成電路,再將發光二極體晶片 6 〇固晶於製作好的電路上即可。而此發光二極體晶片6 〇可 採用藍光發光二極體晶片6〇,或是紫外光發光二極體晶片 60 〇 而在發光二極體晶片6 〇的外圍,塗佈有用以產生螢光 的螢光勝7 0,此螢光膠是由螢光粉與樹脂混合而成。而本 發明所採用的螢光膠有二種:第一種是用以產生黃色光的 螢光膠――將釔鋁石榴石(YAG)螢光粉添加鈽與矽膠以1比20 的比例混合而成;而第二種是用以產生紅綠藍(RGB)三原色 的螢光膠70 —鋇鋁氧化物添加銪離子(BaA1丨〇〇17 : Eu2 + )、 鎖銘氧化物添加銪離子及錳離子(BaAl 1 〇〇1 7 : Eu2 +,Mn2 + ) 及氧化紀添加銪與絲(γ 2 〇 3 : E u,B i ),與石夕膠以1比2 0的比 例混合,而形成螢光膠70。 而白光發光二極體所使用之螢光粉的發光可見光光 譜’需針對發光二極體晶片6 0所發出的光之波長而設計; 當使用不同的發光二極體晶片6 〇時,亦需使用相對應其光 波長的螢光粉,才會產生螢光。 而兩片全方位反射片8 0,係相對稱地夾置於發光二極 體晶片與螢光膠7 〇的二側,且與發光二極體晶片6 〇的出射 面6 1相平行。而其中正對出射面6 1之全方位反射片係為前 端全方位反射片8 1,而與其相對稱的全方位反射片係為後 端全方位反射片8 2。 此前端全方位反射片8 1與後端全方位反射片8 2之製作 是在玻璃基板的表面上鍍上一層氧化石夕/三氧化二I呂而
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而在前端全方位反射片8 1鍍有氧化矽/三氧化二鋁材 料的另一面,由於其為白光發光二極體的光線出射端,因 此,可在其表面上製作繞射光學元件(Diffractive
Optical Element; DOE)、半球形鏡(Dome lens)、微透鏡 (Microlens)、可見光穿透滤波器(Long wave pass filter)或是防反光膜(Anti-reflection coating)等光學 元件,以增加白光發光二極體發出之可見光的亮度。 而本發明之第二實施例,如「第4圖」所示,其結構大致 與第三實施例相同,只是在發光二極體晶片6 〇光線出射面 61上多設置一個短波穿透濾波器(sh〇 rt wave pass f i Iter) 62,以增加發光二極體晶片60之光線出射量,並 使螢光粉所激發出的可見光反射出去。 而本發明之第三實施例,其與第一實施例及第二實施 例大致相同,前端全方位反射片8 1為全方位反射片,而後 端全方位反射片8 2可用金屬鍍膜或是反射片來取代,同樣 可以達到相同的發光效果。 而本發明所研發之白光發光二極體的第四實施例,請 參考「第5圖」所示,首先,將藍光或是紫外光發光二極 體晶片6 0固晶於支架的碗杯9 0中,此支架的二個接腳1 〇 〇 係為各自獨立的金屬電極,用以通入電流。 而在發光二極體晶片6 0的外圍塗佈上螢光膠7 0,並於螢光 膠7 0的表面鍍上一層氧化石夕/三氧化二紹材料,以作為全 方位反射片8 0。 藉由支架的金屬電極通入電流,而驅動發光二極體晶
569479 五、發明說明(8) 片60發光,當其所發出的光線穿過螢光膠7〇時,此光線會 激發螢光粉發出螢光。而藉由此全方位反射片8 〇會將光線 局限於螢光膠70内,使其在螢光膠7〇中反覆且多方向的反 射,以提高白光的轉換效能。藉由控制全方位反射片8 〇對 於藍光反射率的不同,即可調整白光發光二極體所發出光 線之色溫。 本發明依據第一實施例的架構,做了二個對照的實 驗’但其負責發出藍光或是紫外光的發光二極體晶片6 〇並 沒有設置於螢光膠7 0内,而是設置於前端全方位反射片8 ( 的另一侧,請參考「第6圖」所示。 所得的貫驗曲線如「附件1」所示,曲線A為有使用全 方位反射片8 0之白光發光二極體所量測得到光之強度,而 相對應於曲線A之曲線B,它是一般沒有使用全方位反射片 80之白光發光二極體所量測得到光之強度。 由曲線圖中可明顯地看出:有使用全方位反射片8 〇之 白光發光二極體其光線的強度比沒有使用全方位反射片8 〇 之白光發光二極體的光線之強度大了一倍以上。由此可 知,本發明之應用全方位反射片的白光發光二極體相較於 習知之白光發光二極體有極佳的發光強度。 以上=述者’僅為本發明其中的較佳實施例而已,並 非用來限定本發明的實施範圍;即凡依本發明申 圍所作的均等變化與修飾,冑為本發明專利範圍所涵蓋。
569479 圖式簡單說明 第1圖為習知之無機白光發光二極體的結構示意圖; 第2圖為習知之以紫外光濾波器作為發光二極體螢光粉層 光出射面封裝的結構示意圖; 第3圖為本發明之第一實施例的結構示意圖; 第4圖為本發明之第二實施例的結構示意圖; 第5圖為本發明之第四實施例的結構示意圖; 第6圖為本發明之應用全方位反射片之白光發光二極體的 貫驗架構不意圖;及 附件1為有使用及沒有使用全方位反射片之白光發光二極 體所量測得到光強度之曲線圖。 【圖式符號說明】 10 紫外光發光二極體晶片 20 黃光螢光粉 30 紫外光濾波器 40 螢光粉層 50 發光二極體晶片 60 發光二極體晶片 61 出射面 6 2 短波穿透濾波器 70 螢光膠 80 全方位反射片 81 前端全方位反射片 82 後端全方位反射片 9 0 碗杯
第12頁 569479 圖式簡單說明 100 接腳
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Claims (1)

  1. 569479 六、申請專利範圍 1 · 一種應用全方位反射片之白光發) 一發光二極體晶片,以一出x射 一螢光膠,係由一螢光粉與一 佈於該發光二極體晶片之外圍f及 兩全方位反射片,相對稱地爽 發光二極體之二侧,且與該出射面 射面之全方位反射片係為一前端全 前端全方位反射片相對稱處係:二 當該發光二極體晶片發出^兮 時,該光線會激發該螢光粉發出^ 射片會限制該光線於該螢光膠内, 反覆且多方向的反射,以提高白光 2.如申請專利範圍第1項所述之應用 發光一極體’其中該發光二極體晶片 晶片。 且_ 3·如申請專利範圍第1項所述之應用 發光一極體’其中該發光二極體晶片 體晶片。 _ 4.如申請專利範圍第1項所述之應用 發光一極體’其中該發光二極體晶片 括有一短波穿透濾波器,以增加該發 出射量。 以X 5 ·如申5青專利範圍第1項所述之應用 發光二極體,其中該螢光粉係為釔鋁 Zj —極體’其包括有· 面發射出一光線; 樹脂混合而成,並塗 置於該螢光膠及該 平行,其中正對該出 方位反射片,而與該 後端全方位反射片; 光線穿過該螢光膠 光,而兩該全方位反 使其在該螢光膠中 的轉換效能。 全方位反射片之白光 係為藍光發光二極體 全方位反射片之白光 係為紫外光發光二極 全方位反射片之白光 之光線出射面上更包 光二極體晶片之光線 全方位反射片之白光 石榴石(YAG)螢光粉
    569479 六、申請專利挑圍 添加姉。 6. 如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白光 發光二極體,其中該螢光粉係為產生紅綠藍()三原色 的螢光粉-鋇鋁氧化物添加銪離子(BaAl 1 001 7 : Eu2 + )、鋇 紹氧化物添加銪離子及锰離子(BaA110017:Eu2 +,Mn2 + )及 氧化釔添加銪與鉍(Y203:Eu,Bi)。 7. 如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白光 發光二極體,其中該螢光粉之發光可見光光譜需配合該發 光二極體晶片之發光波長。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白光 |發光二極體,其中該前端全方位反射片之製作係在一玻璃 基板上鑛上一層氧化矽與三氧化二鋁而成。 9士、如申請專利範圍第8項所述之應用全方位反射片之白光 电光一極體,其中該前端全方位反射片鍍有氧化矽與三氧 化一叙材料的另一面更包括有繞射光學元件。 10 · &如申请專利範圍第8項所述之應用全方位反射片之白 ,,光一極體,其中該前端全方位反射片鍍有氧化矽盥三 氧匕一鋁材料的另一面更包括有半球形鏡。 > ϋ ^申明專利範圍第8項所述之應用全方位反射片t ό 光發光二極髀,甘士 4 〜Α之臼 氧化二鋁材;的;前端全方位反射片鍍有氧化矽與三 19 |Γ叶的另一面更包括有微透鏡。 ^ ^ ^專利範圍第8項所述之應用全方位反射片t g 與三 氧 ,八中该前端全方位反射片鍍有氧化矽 乳銘材料的另-面更包括有可見光穿透渡波器 第15頁 569479 六、申請專利範圍 13 · &如申請專利範圍第8項所述之應用全方位反射片之白 ,發光二極體,其中該前端全方位反射片鍍有氧化矽與三 氧化二鋁材料的另一面更包括有抗反射膜。 14·如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體,其中該前端全方位反射片之製作係為 質鍍膜。 & 15·如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體,其中該前端全方位反射片之製作方法係選 自由自組成、矽凝膠溶膠、濺鍍、電子搶蒗鍍、化知 沉積所成組合之一。 ^ 16·如申請專利範圍第!項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體,其中該後端全方位反射片之製作係在一玻 璃基板上鑛上一層氧化矽與三氧化二鋁而成。 17·如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體,其中該後端全方位反射片之製作係 質鍍膜。 电 18·如申%專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白 光毛光一極體,其中該後端全方位反射片之製作方法係選 自由自組成、矽凝膠溶膠、濺鍍、電子槍蒸鍍、化 沉積所成組合之一。 L^ 19·如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白 光I光一極體,其中該後端全方位反射片之製作係為金屬 20·如申請專利範圍第1項所述之應用全方位反射片之白 II1 IIL· L.iM 11 a
    第16頁 569479 六、申請專利範圍 光發光二極體’其中該後端全方位反射片係為反射片。 21. —種應用全方位反射片之白光發光二極體,係於一支 架的碗杯中設置有一發光二極體晶片’该支架具有兩個獨 立的金屬電極,用以通入電流而驅動该發光二極體晶片發 出一光線,該發光二極體晶片之周圍塗佈有一螢光膠,其 係由一螢光粉與一樹脂混合而成’當该發光二極體晶片發 出的光線穿過該螢光膠時,該光線會激發該螢光粉發出螢 光,其特徵在於: 該螢光膠之表面具有一全方位反射片,該全方位反 射片會將該光線局限於該螢光膠内,使其在該螢光膠中 反覆且多方向的反射,以提高白光的轉換效能。 2 2·如申請專利範圍第2 1項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體,其中該發光二極體晶片係為藍光發光二極 體晶片。 2 3.如申請專利範圍第2 1項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體,其中該發光二極體晶片係為紫外光發光二 極體晶片。 24.如申請專利範圍第21項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體’其中該螢光粉係為釔鋁石榴石(YAG)螢光 粉添加鈽。 2 5.如申請專利範圍第2 1項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體’其中該螢光粉係為產生紅綠藍(RGB)三原 色的螢光粉-鎖無氧化物添加銪離子(6^11〇〇17:5:112 + )、 鋇紹氧化物添力π銪離子及錳離子(BaA1丨〇〇1 7 : Eu2 +,Mn2 + )
    第17頁 569479 六、申請專利範圍 · 及氧化纪添加銷與絲(Y 2 0 3 ·· E u ’ B i)。 2 6.如申請專利範圍第2 1項所述之應用全方位反射片之白 光發光二極體,其中該螢光粉之發光可見光光譜需配合該 發光二極體晶片之發光波長。 如申請專利範圍第2 1項所述之應用全方位反射片之白 二舍光二極體,其中該全方位反射片之製作係為介電質鍍 膜。 2 8 4t 光·么二申請專利範圍第2 1項所述之應用全方位反射片之白 /發光二極體,其中該全方位反射片之製作係在一玻璃基 反上鍛上一層氧化矽與三氧化二鋁而成。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100409462C (zh) * 2005-05-26 2008-08-06 陈隆建 采用荧光粉激发的反射式白光发光二极管
US7495375B2 (en) 2005-09-19 2009-02-24 Industrial Technology Research Institute Polarized light emitting device
TWI394287B (zh) * 2004-02-23 2013-04-21 Philips Lumileds Lighting Co 波長可變換之半導體發光元件

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US20040145312A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source having a flexible short pass reflector
US7210977B2 (en) * 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
US7312560B2 (en) * 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
EP2270887B1 (en) * 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7367691B2 (en) * 2003-06-16 2008-05-06 Industrial Technology Research Institute Omnidirectional one-dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same
JP2005026688A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法
JP2005158795A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオード及び半導体発光装置
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
KR101256919B1 (ko) 2004-05-05 2013-04-25 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광소스
US20070291467A1 (en) * 2004-06-29 2007-12-20 Hideo Nagai Illumination Source
US20060013003A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. High illumination light emitting diode
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
TWI256149B (en) * 2004-09-27 2006-06-01 Advanced Optoelectronic Tech Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof
WO2006035388A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling
TWI245440B (en) * 2004-12-30 2005-12-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
TWI239671B (en) * 2004-12-30 2005-09-11 Ind Tech Res Inst LED applied with omnidirectional reflector
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
TWI281623B (en) * 2005-05-10 2007-05-21 Pixart Imaging Inc Orientation point orientating method of orientation device and device thereof
JP2008544553A (ja) 2005-06-23 2008-12-04 レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計
US7382091B2 (en) * 2005-07-27 2008-06-03 Lung-Chien Chen White light emitting diode using phosphor excitation
CN101351891B (zh) 2005-12-22 2014-11-19 科锐公司 照明装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
TWI308401B (en) 2006-07-04 2009-04-01 Epistar Corp High efficient phosphor-converted light emitting diode
US20080074505A1 (en) * 2006-07-26 2008-03-27 Intematix Corporation Phosphors for enhancing sensor responsivity in short wavelength regions of the visible spectrum
US7703942B2 (en) 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
TWI306677B (en) * 2006-09-14 2009-02-21 Ind Tech Res Inst Light emitting apparatus and screen
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
DE102006061175A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
GB2447091B8 (en) * 2007-03-02 2010-01-13 Photonstar Led Ltd Vertical light emitting diodes
KR101158962B1 (ko) * 2007-10-10 2012-06-21 우시오덴키 가부시키가이샤 엑시머 램프
US8575633B2 (en) * 2008-12-08 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting diode with improved light extraction
US7915629B2 (en) * 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
RU2489775C2 (ru) * 2007-11-20 2013-08-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство бокового действия с преобразованием длины волны
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US7719022B2 (en) * 2008-05-06 2010-05-18 Palo Alto Research Center Incorporated Phosphor illumination optics for LED light sources
WO2009143237A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Photon Dynamics Inc. Enhancement of detection of defects on display panels using front lighting
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8096671B1 (en) 2009-04-06 2012-01-17 Nmera, Llc Light emitting diode illumination system
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
TW201041190A (en) * 2009-05-01 2010-11-16 Univ Nat Taiwan Science Tech Polarized white light emitting diode (LED)
US9362459B2 (en) * 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
TW201114070A (en) * 2009-10-15 2011-04-16 Aurotek Corp Light-emitting device
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US8646949B2 (en) * 2010-03-03 2014-02-11 LumenFlow Corp. Constrained folded path resonant white light scintillator
US8459814B2 (en) * 2010-05-12 2013-06-11 National Taiwan University Of Science And Technology White-light emitting devices with stabilized dominant wavelength
WO2011145504A1 (ja) * 2010-05-21 2011-11-24 日本電気株式会社 光源ユニットおよび画像表示装置
US8461609B2 (en) * 2010-05-26 2013-06-11 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
TW201207324A (en) * 2010-08-13 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Lightening structure of LED light source
WO2012148928A2 (en) 2011-04-26 2012-11-01 Inteled Corporation Product lighting refrigeration door
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
RU2472252C1 (ru) * 2011-06-22 2013-01-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ГОУ ВПО ТУСУР) Способ изготовления полупроводникового источника света
JP2013016588A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
EP2648237B1 (en) 2012-04-02 2019-05-15 Viavi Solutions Inc. Broadband dielectric reflectors for LED
US9099626B2 (en) 2012-04-02 2015-08-04 Jds Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED
US8889517B2 (en) 2012-04-02 2014-11-18 Jds Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED with varying thickness
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US9587820B2 (en) 2012-05-04 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Active cooling device
US8430536B1 (en) 2012-10-01 2013-04-30 Zumtobel Lighting Inc. LED lighting system including TIR optic
US8928219B2 (en) 2013-03-05 2015-01-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device with spectral converter
US8876312B2 (en) 2013-03-05 2014-11-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device and apparatus with spectral converter within a casing
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
KR102184381B1 (ko) * 2014-03-21 2020-11-30 서울반도체 주식회사 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광 소자 및 이를 포함하는 조명장치
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
JP7045198B2 (ja) * 2018-01-22 2022-03-31 シチズン電子株式会社 側面照射型led発光装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI394287B (zh) * 2004-02-23 2013-04-21 Philips Lumileds Lighting Co 波長可變換之半導體發光元件
CN100409462C (zh) * 2005-05-26 2008-08-06 陈隆建 采用荧光粉激发的反射式白光发光二极管
US7495375B2 (en) 2005-09-19 2009-02-24 Industrial Technology Research Institute Polarized light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TW200411948A (en) 2004-07-01
US6833565B2 (en) 2004-12-21
US20040119083A1 (en) 2004-06-24

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