TW565604B - Pyrromethene metal complex, material of luminescent element using it and luminescent element - Google Patents

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565604 五、發明說明（1 ) 技術領_ 本發明係有關一種作爲螢光色素之甲撐吡咯金屬錯合物 及使用它之發光元件。 先前技術 近年來進行硏究使自陰極注入的電子與自陽極注入的電 洞以在兩端夾有有機螢光物內再結合時發光的有機積層薄 膜發光元件。該元件著重特徵爲薄型、藉由選擇在低驅動 電壓下之高亮度發光、螢光材料的多色發光。 該硏究係有克拉頓（譯音）公司之C.W.Tang等人進行硏 究有機積層薄膜元件具有高亮度發光（Appl. Phys. Lett. 51(.12)21，p_ 913，1 987 )、等很多硏究機關進行硏究。 克拉頓公司之硏究群揭示的有機積層薄膜發光元件之典型 構成係爲在ΙΤ0玻璃基板上順序設置電洞輸送性二胺化合 物、發光層之8-羥基喹啉鋁、及作爲陰極之Mg : Ag者， 在10V左右之驅動電壓下可以1〇〇〇Cd/m2之綠色發光。目 前的有機積層薄膜發光元件係改爲除該元件構成要素外設 有電子輸送層等構成者。 於多色發光中最多進行綠色發光材料的硏究，目前於紅 色發光材料與藍色發光材料中企求具有耐久性優異的亮度 與色純度特性者，以提高特性爲目的進行深入硏究。 紅色發光材料例如有雙（二異丙基苯基）茈等之茈系、萘 嵌酮系、卜啉系、Eu錯合物（Chem. Lett.，1 267 ( 1 99 1 )等） 565604 五、發明說明（2) 另外，製得紅色發光之方法進行檢討在主要材料中以微 量紅色螢光材料作爲摻雜劑混入的方法。主要材料由以參 (8 -喹啉酸）鋁錯合物爲始的喹啉酚衍生物之金屬錯合物、 雙（1 0 -苯并喹啉酸）鈹錯合物、二芳基丁二烯衍生物、二 苯乙烯衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物等，其 中摻雜劑藉由使4-(二氰基亞甲基）-2 -甲基- 6- (對-二甲基 胺基,苯乙基）-4H-吡喃、金屬酞菁（MgPc、AlPcCl等）化合 物、千里光鹼鏺鹽化合物、蒽酮紫染料化合物以取出紅色 發光。 然而，習知技術所使用的發光材料（主要材料、摻雜劑 材料）中大多爲發光效果低、消費電力高者、或耐久性低 、元件壽命短者，而且即使在溶液狀態下具有強的螢光強 度，在薄膜狀態下因濃度消光或形成激態絡合物或準分子 、使螢光強度顯著減少，且使用於發光元件時大多無法得 到高亮度發光者。特別是有關紅色發光材料（主材料及摻 雜劑材料）會有色純度與亮度極少兩立的問題。 此外，使用二酮吡咯并[3，4 - c ]吡咯衍生物與螢光波長 爲580nm〜720nm之有機螢光物質、可得紅色發光例，如 曰本特開2000 - 20 8 27 0號公報，惟無法得到高亮度發光。 發明之揭示 本發明係爲解決上述習知問題，以提供發光效率高、色 純度優異的發光元件之新穎甲撐吡咯金屬錯合物、及使用 它之發光元件爲目的。 565604 五、發明說明（3) 爲實施發明之最佳形態 詳細說明下述通式（1 )所示本發明之甲撐吡咯金屬錯合 物。

(其中，Ri、R2及L可爲相同或不同的選自於氫、烷基 、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、锍基、 烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、雜環基、鹵素原子 、鹵化鏈烷基、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、醛基、羰基 、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、甲矽烷基、矽 氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環， Μ係表示m價金屬、至少一種選自於硼、鈹、鎂、鉻、鐵 、鎳、銅、鋅、鉑，Ar1〜AH係表示芳基） 於此等取代基中烷基例如甲基、乙基、丙基、丁基等之 飽和脂肪族烴基。環烷基例如環丙基、環己基、原菠烷基 、金剛烷基等之飽和脂環式烴基。芳烷基例如苯甲基、苯 基等之經由脂肪族烴基的芳香族烴基。烯基例如乙烯基、 烯丙基、丁二烯基等含雙鍵的不飽和脂肪族烴基。環烯基 例如環戊烯基、環戊二烯基、環己烯基等含雙鍵之不飽和 脂環式烴基。炔基例如乙炔基等含三鍵之不飽和脂肪族烴 基。烷氧基例如甲氧基等經由醚鍵的脂肪族烴基。烷硫基 565604 五、發明說明（4) 例如烷氧基之醚鍵的氧原子以硫原子取代者。芳醚基例如 苯氧基等經由醚鍵之芳香族烴基。芳硫醚基係表示芳醚基 之醚鍵的氧原子以硫原子取代者。另外，芳基例如苯基、 萘基、聯苯基、菲基、芘基等芳香族烴基。雜環基例如呋 喃基、噻嗯基、噁唑基、吡啶基、喹啉基、咔唑基等具有 碳原子外之原子的環狀構造基。鹵素原子係表示氟、氯、 溴、碘。鹵化烷基、鹵化烯基、鹵化炔基例如部分或全部 三氟甲基等之上述烷基、烯基、炔基以上述鹵素取代者。 醛基、羰基、酯基、胺基甲醯基、胺基包含以脂肪族烴、 脂環式烴、芳香族烴、雜環等取代者。矽烷基例如三甲基 矽烷基等之矽化合物基。矽氧烷基例如三甲基矽氧烷基等 之經由醚鍵之矽化合物基。上述任一取代基可以經取代或 未經取代者。而且，與相鄰取代基之間形成的縮合環或脂 肪族環可以經取代或未經取代。 另外，通式（1)所示金屬錯合物中下述通式（2)之硼錯合 物之螢光量子收率高。

(其中，R3〜R6係表示相同或不同的選自於氫原子、烷 基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、锍基 、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜環基、 565604 五、發明說明（5) 鹵素原子、鹵化鏈烷、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、醛基 、羰基、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、甲矽烷 基、矽氧烷基與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族 環，Ar6〜Ar1(3係表示芳基。此等取代基之說明係與上述通 式（1 )之說明相同） 上述通式（1)中至少一個Ar1〜Ar4、上述通式（2)中至少 一個Ar6〜Ar9以碳數4以上之烷基取代時，可提高薄膜中 之分散性、可得高亮度發光。另外，就材料容易得手、或 容易合成而言，以上述通式（2)之R5及R6同時爲氟較佳。 上述之甲撐吡咯金屬錯合物之具體例如下述之化合物。 565604 五、發明說明（6)

565604

565604 五、發明說明（8)

〔18〕

〔19〕

-10- 565604 五、發明說明（9)

-11 - 565604 五、發明說明（10)

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565604 五、發明說明（12)

本發明之甲撐吡咯金屬化合物可以例如下述方法製造、。 使下述通式（7 )所示之化合物與通式（8 )所示化合物在氧 化氯化磷存在下、在1,2 -二氯乙烷中加熱後，使下述通式 (9)所示化合物在三乙胺存在下、在1，2 -二氯乙烷中反應 ’可製得通式（1)之金屬化合物。Ar1〜Ar5、R1及R2、M、 L、m係與上述相同。〗係表示鹵素。 -14- 565604 五、發明說明（13)

本發明之甲撐吡咯金屬錯合物可使用作爲發光元件。下 述中詳細說明本發明之發光元件。 陽極就爲取出光時只要是透明即可，以氧化錫、氧化銦 、氧化錫銦（ΙΤ0)等之導電性金屬氧化物、或金、銀、鉻 等之金屬、碘化銅、硫化銅等之無機導電性物質、聚噻吩 、聚吡咯、聚苯胺等導電性聚合物等較佳，更佳者爲ITO 玻璃或奈塞玻璃。透明電極之電阻可供應充分電流給元件 之發光即可，就電子之消費電力而言以低電阻較佳。例如 由於以300 Ω /以下之ITO基板具有作爲元件之功能，故 以使用低電阻品更佳。ITO之厚度可以任意選擇組合電阻 値，惟通常大多使用100〜300nm之間。而且，玻璃基板 係使用鹼石灰玻璃、無鹼石灰玻璃等，且由於爲保持機械 強度之厚度極厚，故只可以爲〇 . 5mm以上即充分。玻璃之 材質由於以自玻璃之溶出離子少者較佳、故以無鹼玻璃較 佳，另外，可使用施有S i 02等阻礙圖覆之鹼石灰玻璃。此 -15- 565604 五、發明說明（14) 外，只要是陽極具有安定功能即可，基板不需爲玻璃、例 如可在塑膠基板上形成陽極。IT0膜形成方法有電子線束 法、濺鍍法、化學反應法等，沒有特別的限制。 陰極以可有效地使電子注入該有機物層的物質較佳，例 如鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋅、銘、銦、鉻、鋰、鈉、 鉀、鈣、鎂、鉋、緦等。爲提高電子注入效率、提高元件 特性時，以鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鉋或含有此等低加工係 數金屬之合金有效。然而，此等低加工悉數金屬一般於空 氣中不安定，例如使用在有機層中摻雜微量鋰或鎂、鉋（ 以真空蒸鍍之膜厚顯示爲1 nm以下）、安定性高的電極方 法爲較佳例。另外，亦可使用如氟化鋰之無機鹽。此外， 爲保護電極時以積層鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁、銦等 之金屬、或使用此等金屬之合金、然後積層二氧化矽、氧 化鈦、氮化矽等無機物、聚乙烯醇、氯化乙烯、烴系高分 子等較佳。此等電極之製作亦可使用電阻加熱、電子線束 、濃鍍、離子分布、塗覆等導通的方法。 發光物質可以1)電洞輸送層/發光層、2)電洞輸送層/發 光層/電子輸送層、3)發光層/電子輸送層、4)電洞輸送層 /發光層/電洞阻止層、5 )電洞輸送層/發光層/電洞阻止層 /電子輸送層、6)發光層/電洞阻止層/電子輸送層、7)在 一層中混合以上之組合物質的形態皆可。換言之，元件構 成除上述1)〜6)之多層積層構造外可僅設置一層發光材料 單獨或含有發光材料與電洞輸送層或電洞輸送層、電子輸 -16- 565604 五、發明說明（彳5) 送材料。而且，本發明之發光物質係指本身發光者、幫助 其發光者、有關發光之化合物、層等。 本發明之發光物質包含具有特定構造之二酮吡咯并 [3,4-c]吡咯衍生物及螢光波峰波長爲580nm〜720nm之有 機螢光物質、或甲撐吡咯金屬錯合物。此等可以包含於上 述任一層中，爲具有螢光時以包含於發光層中較佳。 電洞輸送層係爲自陽極注入電洞、且輸送電洞之層。電 洞輸送材料之具體例如N，N’-二苯基-N，Ν’-雙（3-甲基苯基 )-4,4’-二苯基-1,1’-二胺、Ν，Ν’-雙（1-萘基卜 Ν，Ν’-二苯 基-4,4’-二苯基-1,1’-二胺等之三苯胺類、雙（Ν -烯丙基咔 唑）或雙（Ν-烷基咔唑）類、吡唑啉衍生物、二苯乙烯系化 合物、二苯乙烯衍生物、肼系化合物、噁二唑衍生物或酞 菁衍生物、卜啉衍生物之典型雜環化合物、聚合物系之在 側鏈上具有上述單體的聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚乙烯 基咔唑、聚矽烷等，在元件製作時形成必要的薄膜、可自 陽極注入電洞、且可輸送電洞之化合物。此等可單獨使用 、或混合數種衍生物使用。 發光層實際上爲形成發光材料之層，本發明之發光元件 藉由電能量、在580nm〜720nm下發光。若小於580nm時 即使波峰寬度小仍無法得到色純度良好的紅色發光，反之 若大於7 2 0 n m時由於視感度不佳、無法得到效率佳的高亮 度紅色發光。此外，本發明之發光材料至少含有一種下述 (a )或（b )所示化合物。 -17- 565604 五、發明說明（16) (a)通式（3)所示二酮吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物與螢光 波長爲580nm〜720nm之有機螢光物質。

Ar11 〇

(其中’ R7及R8係表示相同或不同的碳數1〜25之烷基 或下述通式（4) R9 I -C-(CH2)n~Ar13 (4) R10 (其中，R9及R1Q係表示相同或不同的選自於氫、碳數1 〜、4之烷基未經取代或以碳數1〜3之烷基取代的苯基， A r 13係表示具有選自於烷基、烷氧基、鹵素、苯基取代的 本基、萘基，η係表示〇〜4之整數、、），Ar11及Ar12係 表示相同或不同的選自於苯基、萘基、苯乙烯基、咔唑基） 〇 (b)聚有以上述通式（1)所示甲撐吡咯金屬錯合物之發光 元件材料。 爲（a)時，通式（3)所示二酮吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物 與螢光波長爲580nm〜720nm之有機螢光物質可使用作爲 摻雜材料或主要材料，惟使用二酮吡咯并[3, 4-c]吡咯衍 -18- 565604 五、發明說明（17) 生物作爲主要材料時，以使用有機螢光物質作爲摻雜材料 的方法較佳。 詳細說明有關通式（3 )或（4 )所示化合物之取代基。 於此等之取代基中R7及R8之碳數1〜25烷基可以爲直 鏈或支鏈，具體而言有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正 丁基、第2 - 丁基、異丁基、第3 - 丁基、正戊基、2 ·戊基 、3-戊基、2，2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、 1，1，3, 3 -四甲基丁基、2-乙基己基、正壬基、癸基、-- 烷基、十二烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七 烷基、十八烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基、 二十四烷基、二十五烷基等。較佳者爲碳數1〜8之甲基 、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第2-丁基、異丁基、 第3-丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基丙基、 正己基、正庚基、正辛基、1，1，3, 3-四甲基丁基、2-乙基 己基，更佳者爲碳數1〜4之甲基、乙基、正丙基、異丙 基、正丁基、第2-丁基、異丁基、第3-丁基。 R9及R1G之碳數1〜4烷基例如甲基、乙基、正丙基、異 丙基、正丁基、第2-丁基、異丁基、第3-丁基，相同的 R3及R4之苯基所取代的碳數1〜3之烷基係表示甲基、乙 基、正丙基、異丙基。Ar13爲苯基時，該苯機中至少一個 以烷基、烷氧基、鹵素、苯基取代，最多可有3個以相同 或不同的取代。此等取代基中烷基以碳數1〜8較佳。具 體而言例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第2- -19- 565604 五、發明說明（18) 丁基、異丁基、第3-丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、 2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、1，1，3,3-四 甲基丁基、2 -乙基己基。同樣地，烷氧基以碳數1〜8較 佳，具體例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正 丁氧基、第2-丁氧基、異丁氧基、第3-丁氧基、正戊氧 基、2 -戊氧基、3 -戊氧基、2，2 -二甲基丙氧基、正己氧基 、正庚氧基、正辛氧基、1，1，3,3·四甲基丁氧基、2 -乙基 己氧基。鹵素係表示氟、氯、溴、碘。取代基之苯基中可 另以碳數1〜8之烷基、烷氧基取代。此等之具體例與上 述相同。Ar 13爲萘基時，可以爲1-萘基或2-萘基，且此 等具有取代基時可使用任意的取代基，較佳者爲與上述苯 基之取代基相同者。 Ar11及Ar12係選自於苯基、萘基、苯乙嫌基、咔D坐基， 爲萘基、苯乙烯基、咔唑基時可在此等任意鍵結位置上與 二酮吡咯并[3, 4-c]吡咯架構鍵結。另外，苯基、萘基、 苯乙烯基、咔唑基具有取代基時，取代基爲氫、氰基、鹵 素、烷基、環烷基、芳烷基、烷氧基、烷硫基、芳氧基、 芳硫醚基、芳基、雜環基、胺基、矽氧烷基、與相鄰取代 基之間形成縮合環及脂肪族環。此等之取代基中鹵素與上 述相同。烷基可以爲直鏈或支鏈，以碳數1〜25較佳、更 佳者爲碳數1〜8。具體例與上述相同。環烷基以碳數5〜 12較佳，具體例如環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環 壬基、環癸基、環十一烷基、環十二烷基。更佳者爲環戊 -20- 565604 五、發明說明（19) 基、環己基、環庚基、環辛基。芳烷基之碳數沒有特別的 限制，以7〜24較佳，具體例如苯甲基、2-苯甲基-2-丙 基、々·苯基乙基、α，α-二甲基苯甲基、ω-苯基丁基、 ω,ω -二甲基-苯基丁基、苯基十二烷基、ω -苯基 -十八烷基、ω -苯基-二十烷基、ω -苯基二十二烷基，更 佳者爲苯甲基、2 -苯甲基-2-丙基、yS -苯基乙基、α，α-二甲基苯甲基、苯基丁基、二甲基-ω-苯基丁 基。烷氧基以碳數1〜8較佳，具體例與上述相同。烷硫 基係爲烷氧基之醚鍵中氧原子以硫原子取代者。芳氧基一 般係表示經由醚鍵之芳香族烴基，本發明中包含碳數6〜 24之芳香族烴、飽和或不飽和雜環經營醚鍵者。此等之芳 香族烴或雜環可以爲未經取代者、或另以碳數1〜8烷基 及/或烷氧基取代。芳硫醚基係爲芳氧基之醚鍵中氧原子 以硫原子取代者。芳基以碳數6〜24較佳，具體例如苯基 、1-萘基、2·萘基、4 -聯苯基、菲基、2 -苐基、9 -苐基、 2 -蒽基、9 -蒽基。更佳者爲苯基、1-萘基、2 -萘基、4 -聯 苯基。此等之芳基中可另以碳數1〜8烷基及/或烷氧基取 代。雜環基係表示具有氮、氧、硫等之碳以外的原子脂環 狀構造基，可以爲飽和或不飽和，較佳者爲不飽和雜環基 ，具體例如噻嗯基、苯并[b ]噻嗯基、二苯并[b，d ]噻嗯基 、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃 基、二苯并呋喃基、苯氧基噻嗯基、吡咯基、咪唑基、吡 唑基、吡啶基、二吡啶基、三哄基、嘧啶基、吡畊基、噠 -21 - 565604 五、發明說明（2〇) 畊基、吲哚滿基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、喹畊基、 喹啉基、異喹啉基、酞酮基、萘錠基、喹喔啉基、喹唑啉 基、喹啉酚基、咔唑基、苯并三唑基、苯并噁唑基、菲基 、吖啶基、白啶基、菲繞啉基、吩畊基、異噻唑基、吩噻 唑基、異噁唑基、呋唑基、吩噁哄基。此等之雜環基中另 以碳數1〜8之烷基及/或烷氧基取代。胺基包含二個氫中 至少一個爲碳數1〜25之烷基、碳數5〜12之環烷基、含 碳數6〜24之芳香族烴基的芳氧基、碳數6〜24之芳基、 雜環基等取代者，另外，碳數6〜24之芳基、雜環基以碳 數1〜8之烷基及/或烷氧基取代。矽烷基包含三個氫中至 少一個以碳數1〜25之烷基、碳數5〜12之環烷基、含碳 數6〜24之芳香族烴的方氧基、碳數6〜24之芳基、雜環 基等取代者，另外碳數6〜24之芳基、雜環基以碳數1〜8 之烷基及/或烷氧基取代。與鄰接取代基之間形成的縮合 環或脂肪族環可未經取代或經取代。 上述二酮吡咯并[3，4 - c ]吡咯衍生物之適合例如下述之 構造。 -22- 565604 五、發明說明（21)

-23- 565604 五、發明說明（22)

-24- 565604

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-26- 565604 五、發明說明（25)

-27- 565604 五、發明說明（26)

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565604 五、發明說明（28)

-30- 565604 五、發明說明（29) 本發明之二酮吡咯并[3，4 _ c ]吡咯衍生物之合成例如參 考文獻之EP公開公報0094911號或EP公開公報0133156 號之實施例等。使芳香族腈與琥珀酸二異丙酯在鉀-第3 -丁氧化物存在下，在第3 -戊醇中藉由加熱所得的二酮吡咯 并吡咯前驅體在鉀-第3 -丁氧化物存在下、在二甲基甲醯 胺中使鹵化烷基或鹵化苯甲基加熱、藉由常法處理可製得 二酮吡略并[3, 4-c]吡咯衍生物。 本發明之二酮吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物具有螢光性， 大多數衍生物中具有螢光量子收率爲0.3以上（甲苯或DMF 中）或莫耳吸收係數爲5000以上之値。 本發明爲得紅色發光時，使用螢光波峰波長爲580nm〜 720nm之有機螢光物質，具體而言例如特麗綸等之芳香族 烴的縮合環衍生物、吡啶基噻二唑或吡喃并吡啶、二酮吡 咯并吡咯等之縮合雜環衍生物、雙（二異丙基苯基）茈四羧 酸醯亞胺等之萘醯亞胺衍生物、茈酮衍生物、乙醯基丙酮 或苯醯基丙酮與菲繞啉等作爲配位子之Eu錯合物等稀土 類錯合物、4-(二氰基亞甲基）-2 -甲基- 6- (對-二甲基胺基 苯乙烯基）-4H-吡喃或其類似物、鎂酞菁、鋁氯化酞菁等 之金屬酞菁衍生物、鋅卜啉等之金屬卜啉衍生物、噻吩衍 生物、吡咯衍生物、若丹明化合物、香豆素衍生物、噁阱 衍生物、酚噁畊衍生物、酚噁阱酮衍生物、喹吖酮衍生物 、苯并噻噸或其類似物、二氰基乙烯基芳烴衍生物等。 爲得具有優異色純度特性之紅色發光時，以使用在上述 -31 - 565604 五、發明說明（3〇) 有機鱼光物質中具有上述通式（5)所示甲撐壯略架構之化 合物或其金屬錯合物較佳。

(其中，R11〜R17中至少一個爲含有芳香環或與鄰接取 代基之間形成縮合環，其他例如係選自於氫、烷基、環烷 基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、锍基、烷氧基 、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜環基、鹵素原子 、鹵化鏈烷、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、醛基、羰基、 羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、甲矽烷基、矽氧 烷基與鄰接的取代基間所形成的縮合環及脂肪族環，X係 表示碳或氮，爲氮時R17不存在，金屬錯合物之金屬係至 少一種選自於硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑） 此等取代基之說明與上述通式（1)之化合物相同。另外 ，爲得高亮度特性時，以螢光量子收率高者較佳。因此’ 上述具有甲撐吡咯架構之化合物的金屬錯合物以使用下述 通式（6)所示之化合物較佳。

-32- 565604 五、發明說明（31) (其中，R18〜R2 4中至少一個含有芳香環或與鄰接取代基 之間形成縮合環。其他及R25、R26係選自於氫、垸基、環 院基、芳院基、烯基、環燒基、炔基、經基、疏基、院氧 基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜環基、鹵素原 子、鹵化鏈烷、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、醛基、羰基 、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、甲矽烷基、矽 氧烷基與鄰接的取代基間所形成的縮合環及脂肪族環，X 係表示碳或氮，爲氮時R24不存在） 另外，爲抑制薄膜中之螢光強度降低、且得到高亮度發 光時，甲撐吡咯金屬錯合物以使用通式（1 )之化合物較佳 〇 上述具有甲撐吡咯架構之化合物例沒有特別的限制，例 如上述例示的通式（1 )之金屬錯合物及下述之具體例。 -33- 565604 五、發明說明（32)

-34- 565604 五、發明說明（33)

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565604 五、發明說明（35)

-37- 565604 五、發明說明（36)

自主要材料至慘雑劑材料之能量移動使主要材料之營光I 光譜與摻雜劑材料之吸收光譜（激勵光譜）重疊係極爲重要 。此處，主要材料之吸收（激勵）光譜及螢光光譜係各爲以 摻雜劑材料之溶液狀態測定的吸收（激勵）光譜及螢光光譜 。於發光元件中對主要材料以薄膜狀態存在而言於主要材 料中摻雜的摻雜劑材料以接近溶液狀態存在。而且，如上 述具有甲撐吡咯架構之化合物或金屬錯合物具有優異色純 度的摻雜劑材料之斯托克移動（激勵光譜之波峰與螢光光 譜之波峰差）爲數〜數十nm、係爲狹窄、自580nm〜720nm 之摻雜劑材料製得高色純度紅色發光時，摻雜劑材料之吸 -38- 565604 五、發明說明（37) 收光譜（激勵光譜）爲黃色、黃橙色、橙色、紅橙色、紅色 範圍（540nm〜720nm)。主要材料之吸收光譜與較黃色短波 長側之黃綠色、綠色、藍綠色、藍色、藍紫色、紫色範圍 之光譜重疊性小時，能量移動無法快速、無法自摻雜劑材 料發光、且殘留有自所得主要材料之發光、無法得到白色 化等、高色純度之紅色發光。 由上述理由可知，在580nm〜720nm下摻雜劑材料以高 亮度、高色純度發光時，主要材料以螢光波峰波長540nm 〜720nm更佳。較佳者爲具有黃色、黃橙色、橙色、紅橙 色、紅色等之螢光者。而且，使用通式（1)作爲主要材料 時，通式（1)之二酮吡咯并[3, 4-c]吡咯衍生物以具有黃色 、黃橙色、橙色、紅橙色、紅色等之螢光較佳。 爲（b)時，發光材料包含通式（1)所示甲撐吡咯金屬錯合 物。 以往，甲撐吡咯金屬錯合物、尤其是摻雜劑材料具有高 亮度發光，係爲已知，而且藉由在甲撐吡咯架構之 1，3,5,7位導入芳香環等，可具有紅色發光亦爲已知。然 而，習知之甲撐吡咯化合物由於溶液濃度消光，故無法製 得令人滿足的色度與紅色發光。在甲撐吡咯架構之8位上 導取代基時，藉由該取代基之立體及電子效果可降低濃度 消光情形。另外，藉由8位之取代基回轉，可降低甲撐吡 咯金屬錯合物之螢光量子收率。因此，本發明之甲撐吡咯 金屬錯合物可藉由在甲撐吡咯架構之8位上導入芳基、且 -39- 565604 五、發明說明（39) 等共存。 主要材料沒有特別的限制，除上述取代基被限定的二酮 吡咯并[3，4 - c ]吡咯衍生物及其他之吡咯并吡咯衍生物外 ，可使用蒽及吡喃等之縮合環衍生物、以參（8 -喳啉酸）鋁 爲始的金屬螯合化氧化合物、雙苯乙烯基蒽衍生物或二苯 乙烯基苯衍生物等之雙苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍 生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡或并吡啶衍生物 、茈酮衍生物、環戊二烯衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑 并吡啶衍生物、聚合物系有聚亞苯基亞乙烯基衍生物、聚 對亞苯基衍生物、以及聚噻吩衍生物等。 本發明之電子輸送層材料於賦予電場之電極間必須可有 效地自陰極輸送電子，電子注入效率高、可有效地輸入經 注入的電子，故爲企求。因此，電子親和力大、且電子移 動度大、安定性優異、於製造時及使用時不易產生雜質之 物質，爲所企求。具體而言有8-羥基喹啉鋁之典型喹啉衍 生物金屬錯合物、托酚酮金屬錯合物、黃酮-3 -醇金屬錯 合物、菲衍生物、菲酮衍生物、萘衍生物、香豆素衍生物 、噁二唑衍生物、醛連氮衍生物、雙苯乙烯基衍生物、吡 哄衍生物、二吡啶、三吡啶等之寡聚吡啶衍生物、菲繞啉 衍生物、喹啉衍生物、芳香族磷氧化物等。此等電子輸送 材料可單獨使用、亦可以積層或混合不同的電子輸送材料 使用。 爲得較高效率、高色純度之紅色發光時，在上述發光層 -41 - 565604 五、發明說明（4〇) 內電洞與電子之再結合準確率高、發光層外不會引起再結 合。使用二酮吡咯并[3，4 - c ]吡咯衍生物作爲發光材料時 ，電子輸送材料之離子化電位以5.9eV以上較佳。另外， 爲維持長時間下安定的紅色發光時，對長時間通電而言爲 安定的電子輸送材料，因此所使用的電子輸送材料之分子 量爲400以上較佳、更佳者爲500以上、最佳者爲600以 上。若分子量小於400時，大多時候爲熱不安定。另外， 作爲薄膜狀態之熱安定性指標所使用材料之玻璃轉移溫度 ，例如玻璃轉移溫度愈高時可形成安定非晶型薄膜。此時 所使用材料之玻璃轉移溫度以90°C以上較佳、更佳者爲 110°C以上、最佳者爲150°C以上。該電子輸送材料以數個 母架構具有藉由共軛鍵、芳香族烴、芳香雜環或此等之混 合基鍵結的構造之有機化合物較佳。母架構可直接使用上 述衍生物、以母架構中至少包含一個以上卩奎啉環或氧化磷 之有機化合物更佳。 電洞阻止劑係爲在具有電場的電極間爲防止自陽極之電 洞與來自陰極之電子沒有再結合而移動之層，視構成各層 之材料而定，藉由插入各層以增加電洞與電子再結合之準 確率、且提高發光效率。因此，電洞阻止性材料較電洞輸 送性材料之最高佔有分子軌道水平的能量爲低、不易生成 構成相鄰層之材料與激態絡合物者較佳。以可有效地阻止 自陽極之電洞移動的化合物較佳，由於電子輸送能高的材 料之電洞阻止能高，故上述電子輸送材料爲較佳的材料。 -42- 565604 五、發明說明（41) 上述電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電洞阻止層可 使用單獨或積層、混合二種以上材料’高分子黏合劑可使 聚氯化乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚（N-乙烯基咔唑）、 聚甲基丙酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚碾、聚氧 化苯、聚丁二烯、碳氫樹脂、酮樹脂、苯氧樹脂、聚醯胺 、乙基纖維素、醋酸乙烯酯、ABS樹脂、聚胺基甲酸酯樹 脂等之溶劑可溶性樹脂、或苯酚樹脂、二甲苯樹脂、石油 樹脂、脲樹脂、蜜胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、烷化物樹脂 、環氧樹脂、聚矽氧烷樹脂等之硬化性樹脂等分散使用。 發光物質之形成方法有電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺 鍍、分子積層法、塗覆法等，沒有特別的限制，通常就特 性而言以電阻蒸鍍法、電子束蒸鍍較佳。層之厚度會影響 發光物質之電阻値，可選自於1〜lOOOnm。 電子能量係主要指直流電流，可使用脈衝電流或交流電 流。電流値及電壓値就考慮元件之消費電力、壽命時以儘 可能低的能量較佳。 本發明之發光元件例如可使用矩陣方式或節段方式以形 成顯示裝置。上述矩陣方式係爲顯示之畫素以格子狀配列 的方式，以畫素集合來顯示文字或畫像。畫素之形狀、尺 寸大小視用途決定。例如電腦、顯示器、電視之畫像及蚊 子顯示通常使用一邊爲300 // m以下之四角形畫素，爲如 顯不板之大型顯示裝置時，使用一邊爲mm順序之畫素。 爲單色顯示時可以相同顏色之畫素配列，爲彩色顯示時可 -43- 565604 五、發明說明（42) 使紅色、綠色、藍色之畫色並排顯示。此時，典型者如數 據型與帶狀型。其次，該矩陣方式之驅動方法可以爲線順 序驅動方法或活性矩陣中任一方法。線順序驅動方法之構 造簡單，另考慮動作特性時以活性矩陣方式較爲優異。視 用途而定必須分別使用。 節段方式係爲形成預先決定的資訊圖案、使經決定範圍 發光的方式。例如數據時鐘或溫度計中時刻或溫度顯示、 視聽機器或電磁調理器等之運作狀態顯示、汽車之顯示板 等。而且，矩陣顯示方式與節段方式顯示可共存於相同之 板中。 實施例 於下述中藉由實施例及比較例說明本發明，惟本發明不 受此等例所限制。而且，下述各實施例之化合物編號係指 上述記載的化合物編號。此外，有關構造分析之評估方法 如下述所示。 ^-NMR係使用超傳導FTNMR EX-270(日本電子（股）製） 、以重氯仿溶液進行測定。 元素分析係使用CHN滾筒MT-3型（柳本製作所（股）製） 、離子色層分析法DX320 (日本賴歐尼克斯（股）製）及順序 型ICP發光分光分析裝置SPS4000 (精工因斯茲魯梅茲（譯 音）（股）製）進行測定。 容量光譜係使用；IMS-DX303(日本電子（股）製）進行測定 -44- 565604 五、發明說明（43) 吸收光譜及螢光光譜係各使用U- 3200形分光光度計、 F- 2 500型螢光分光光度計（同時使用日立製作所（股）製）、 在4Xl(T6mol/L之二氯甲烷溶液中進行測定。 實施例1 化合物[1 ]之合成方法 在30mll，2-二氯乙烷中加入1.3克2-苯醯基-3,5-雙 (4 -正己基苯基）吡咯、1克2,4-雙（4 -正己基苯基）吡咯、 0.47ml氧化氯化磷，在加熱環流下反應12小時。冷卻至 室溫後，加入3.6ml二異丙基乙胺、2.6ml三氟化硼二乙 醚錯合物，攪拌6小時。加入50ml水、以二氯甲烷萃取 、濃縮，使用矽膠藉由柱色層分析法進行精製，製得1克 赤紫色粉末。所得粉末之^-NMR分析結果如下所述。 δ =ppm)) ： 0.90(t,12H)^ 1.29-1·65(m，32H)、2 · 39(t，4H)、2·64(t，4H)、6 · 44(t，2H)、 6.49(s，2H) 、 6.60-6.63(m，9H) 、 6.83(d，2H) 、 7.25(d，4H) 、7.82(d，4H) 此外，元素分析結果組成式C63H75N2F2B如下所述。而且 ，括弧內爲理論値。 C : 83·5%(83·2%)、Η : 8，4%(8，3%)、N : 3.2%(3·1%)、F :3·2%(4·2%)、Β ·· 1 ·2%(1 ·2%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 9 08。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [1 ]。另外，化合物[1 ]具有下述光物理特性。 -45- 565604 五、發明說明（44) 吸收光譜：Amax568nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax613nm(溶劑：二氯甲烷） 其次，使用化合物[1 ]之發光元件如下述製作。將堆積 有150nmITO透明導電膜之玻璃基板（旭玻璃（股）製、 15Ω / □、電子束蒸鍍品）切成3〇x40nm、進行蝕刻。使所 得基板各以丙酮、”西米磷林56”各超音波洗淨15分鐘後 ，以超純水洗淨。然後，以異丙醇超音波洗淨1 5分鐘後 在甲醇中浸漬1 5分鐘、乾燥。使該基板於製作元件前， UV-臭氧處理1小時，且設置於真空蒸鍍裝置中、裝置內 之真空度排氣至5X 10 ·5Ρ&以下。藉由電阻加熱法先使 4,4’-雙（N-(m-甲苯基）-N-苯基胺基）聯苯以50nm蒸鍍作 爲電洞輸送材料。然後，使用1，4 -二酮-2, 5 -雙（3, 5 -二甲 基苯甲基）-3, 6 -雙（4 -甲基苯基）吡咯并[3, 4-c]吡咯作爲 主要材料、使用化合物[1 ]作爲摻雜劑材料，在摻雜劑濃 度爲lwt%、厚度15ηπι下共蒸鑛，且主要材料積層爲厚度 35nm。然後，使〇.5nm鋰、150nm銀蒸鍍作爲陰極、且製 作5 X 5mm角之元件。此處所指膜厚係爲水晶發振式膜厚 顯示器表示値。由該發光元件之發光光譜係波峰波長 618nm、發光效率4 · 2cd/A之紅色發光。 實施例2 化合物[2 ]之合成方法 使用1·2克2 -苯醯基·3, 5 -二苯基吡咯、〇.8克2，4 -二 苯基吡咯，與化合物[丨]相同地合成。製得丨· 4克紅色粉 -46- 565604 五、發明說明（45) 末。所得粉末之^h-nmr分析結果如下所述。 1H-NMR(CDC13( 5=ppm)) ： 6.46(t,2H) ' 6.52(s,2H) ' 6.67-6.88(m，llH) 、 7.43(m，6H) 、 7.90(d，4H) 元素分析結果組成式C39H27N2F2B如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 82·3%(81 ·8%)、Η : 4·8%(4·7%)、N : 4·9%(4·9%)、F : 6.6%(6·6%)、Β : 1 .9%(2.0%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 572。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [2 ]。另外，化合物[2 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax556nm(溶劑：二氯甲院） 螢光光譜：Amax600nm(溶劑：二氯甲烷） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[2]外，與實施例1 完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係波 峰波長608nm、發光效率2.6cd/A之高亮度紅色發光。 實施例3 化合物[3 ]之合成方法 使用0.4克2-(2 -甲基苯醯基）-3,5 -雙（4 -正己基苯基） 吡咯、0.25克2，4-雙（4-正己基苯基）吡咯，與化合物[1] 相同地合成。製得0.1克紅色粉末。所得粉末之^-NMR 分析結果如下所述。 ^-NMRiCDClsi 5=ppm))： :0.88(t,12H)'1.29-1.67(m，32H) 、 2.39(t，4H) 、 2.63(t，4H) 、 3.51(s，3H)、 6.00(d，2H) 、 6.51(s，2H) 、 6.63-6.73(m，lOH)、 -47- 565604 五、發明說明（46) 7.23(d，4H) 、 7.81(d，4H) 元素分析結果組成式C64H77N2F2B如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 83·3%(83·3%)、Η : 8.4%(8·4%)、N : 3 · 1%( 3 · 0%)、F ·· 3 · 2%(4 . 1%)、Β : 1 · 2%( 1 · 2%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 9 22。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [3 ]。另外，化合物[3 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax568nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax613iim(溶劑：二氯甲烷） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[3 ]外，與實施例1 完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係波 峰波長618nm、發光效率4.0cd/A之紅色發光。 實施例4 化合物[4 ]之合成方法 使用0.5克2-(4 -甲基苯醯基）-3, 5 -雙（4 -正己基苯基） 吡咯、0.25克2,4 -雙（4 -正己基苯基）吡咯，與化合物[1] 相同地合成。製得〇 · 18克紅色粉末。所得粉末之^-NMR 分析結果如下所述。 1H-NMR(CDC13( 5=ppm))： :0.84(t,12H)'1.07-1.65(m，32H)、2 · 25(t，4H)、2 . 64(t，4H)、6 . 53(s，2H)、 6.61_6.69(m，10H)、6.88(d，2H)、7.23(d，4H)、7.24-7.37(m，5H) 、 7.83(d，4H) 元素分析結果組成式C69H79N2F2B如下所述。而且，括弧 -48- 565604 五、發明說明（47) 內爲理論値。C : 84·3%(84· 1%)、Η : 8· 1%(8·0%)、N : 2·9%(2·8%) 、 F : 3·0%(3.9%) 、 Β : 1·2%(1.2%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 9 84。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [4 ]。另外，化合物[4 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：λ max5 69nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax615nm(溶劑：二氯甲院） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[4 ]外，與實施例1 完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係波 峰波長618nm、發光效率3.8cd/A之紅色發光。 實施例5 化合物[5 ]之合成方法 使用0.45克2-(4 -甲氧基苯醯基）-3, 5 -雙（4 -正己基苯 基）吡咯、0 · 25克2，4-雙（4-正己基苯基）吡咯，與化合物 [1]相同地合成。製得0.15克紅色粉末。所得粉末之 NMR分析結果如下所述。 1H-NMR(CDCl3(5=ppm))::〇.91(t，12H)、1.28-1.67(m，32H) 、 2.00(s，3H) 、 2.38(t，4H) 、 2.63(t，4H)、 6.21(d，lH) 、 6.43(s，2H) 、 6.46(d，2H) 、 6.3(m，8H)、 6.80(d，lH) 、 7.25(d，4H) 、 7.82(d，4H) 元素分析結果組成式C64H77N2F2B如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 82 · 1%( 81 . 9%)、Η : 8 . 3%( 8 . 2%)、N : 3·1%(3·0%)、Ο : 1 · 8%(1·7%)、F : 3 · 0%(4·0%)、Β : -49- 565604 五、發明說明（48) 1·2%(1·2%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 938。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [5]。 另外，化合物[5 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax566nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax611nm(溶劑：二氯甲烷） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[5 ]外，與實施例1 完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係波 峰波長615nm、發光效率4.0cd/A之紅色發光。 實施例6 化合物[6 ]之合成方法 使用0.4克2-(4 -甲基苯醯基）-3, 5 -雙（4 -正己基苯基） 吡咯、0.25克2,4-雙（4-正己基苯基）吡略，與化合物[1] 相同地合成。製得0.3克紅色粉末。所得粉末之W-NMR 分析結果如下所述。 1H-NMR(CDC13( (5 =ppm) ) ： 0 . 91 ( t , 12H) ^ 1.33-1 ·65(m，32H)、2 · 44(t，4H)、2·64(t，4H)、6·52(s，2H)、 6.59(d，2H) 、 6.70-6.75(m，8H) 、 6.93(d，2H) 、 7.25(d，4H) 、7.83(d，4H) 元素分析結果組成式c64h74n3f2b如下所述。而且，括弧 內爲理論値。c : 82·6%(82·3%)、Η : 7·9%(7·9%)、N : 4·6%(4.5%)、F : 3.3%(4.1%)、Β : 1 . 2%(1.2%)。 -50- 565604 五、發明說明（49) 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 93 3。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [6 ]。另外，化合物[6 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax576nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜·· Amax626nm(溶劑··二氯甲院） 實施例7 化合物[7 ]之合成方法 、使用0.5克2_(1-萘醯基）-3,5-雙（4-正己基苯基）吡咯 、0.25克2,4-雙（4-正己基苯基）吡咯，與化合物[1]相同 地合成。製得0.2克紫色粉末。所得粉末之^-NMR分析 結果如下所述。 1H-NMR(CDC13(5 =ppm)) ： 0.93(t,12H) ' 1.25-1.65(m，32H) 、 2.64(t，4H) 、 6.27(m，8H) 、 6.40(s，2H)、 6.64(t，lH)、7.00(dd，2H)、7.24(d，4H)、7.24-7.34(m，3H) 、 7.80-7.87(m，5H) 元素分析結果組成式C67H77N2F2B如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 84·3%(83·9%)、Η : 8· 1%(8·0%)、N : 2 . 9%( 2·9%)、F : 3·1%(4·0%)、Β : 1 · 1%(1.2%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 958。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [7 ]。另外，化合物[7 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax571nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax616nm(溶劑：二氯甲烷） -51- 565604 五、發明說明（5〇) 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[7 ]外，與實施例1 完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係波 峰波長619nm、發光效率4.2cd/A之紅色發光。 實施例8 化合物[8 ]之合成方法 使用0.4克2 -苯醯基-3, 5 -雙（4 -甲氧基苯基）吡咯、 〇· 25克2,4-雙（4-甲氧基苯基）吡咯，與化合物[1]相同地 合成。製得0.2克藍紫色粉末。所得粉末之^-NMR分析 結果如下所述。 lH-NMR(CDCl3( ^ =ppm)) ： 3.67(s,3H) ' 3.86(s,3H) ^ 6.38(d，2H)、6.47(s，2H)、6.54(t，2H)、6·64-6·75(ιώ，5Η) 、6.85(d，2H) 、 6.96(d，4H) 、 7.89(d，4H) 元素分析結果組成式C43H35N204F2B如下所述。而且，括 弧內爲理論値。C : 75 · 0%( 74.6%)、Η : 5 . 2%( 5 . 1%)、N : 4·2%(4 · 0%)、0 : 9.3%(9.2%) > F ： 4.4%(5.5%) ^ Β ： 1·6%(1 · 6%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 69 2。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [8 ]。另外，化合物[8 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax584nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax632nm(溶劑：二氯甲烷） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[8]外，與實施例1 完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係波 -52- 565604 五、發明說明（51) 峰波長641nm、發光效率2 . 7cd/A之紅色發光。 實施例9 化合物[9 ]之合成方法 使用0.35克2 -苯醯基-3, 5 -雙（4 -正戊氧基苯基）吡咯、 0.25克2,4-雙（4 -正戊氧基苯基）吡咯，與化合物[1]相同 地合成。製得0.1克藍紫色粉末。所得粉末之iH-NMR分 析結果如下所述。 1H-NMR(CDC13( 5 =ppm) ) ： 0.94( t ,12H) ' 1.38-1 · 41 (m，16H)、1·68-1·83(m，8H)、3 · 80(t，4H)、 4.00(t，4H)、6.36(d，2H)、6.46(s，2H)、6.53( t，2H)、 6.62-6.73(m，5H) 、 6.85(d，2H) 、 6.94(d，4H) 、 7.87(d，4H) 元素分析結果組成式c59h67n2o4f2b如下所述。而且，括 弧內爲理論値。C ·· 7 7.5%(7 7.3%)、Η : 7·5%(7·5%)、N : 3·2%(3·1%)、0 : 7·1%(7·0%)、F : 3 · 1%(4.1%)、Β :1·2%(1·2%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 916。由上述可知’該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [9 ]。另外，化合物[9 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax587nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜·· Amax636nm(溶劑：二氯甲烷） 實施例10 化合物[1 0 ]之合成方法 使用0.6克2·(卜萘醯基）-3,5 -雙（4 -甲基苯基）吡咯、 -53- 565604 五、發明說明（52) 0.25克2,4-雙（4-甲基苯基）吡咯，與化合物[1]相同地合 成。製得0.5 5克紫色粉末。所得粉末之^-NMR分析結果 如下所述。 1H-NMR(CDC13( 5 =ppm)) ： 2.00(s ,6H) ' 2.40(s,6H) > 6.26(m，8H) 、 6.39(s，2H) 、 6.65(t，lH) 、 7.00(d，lH)、 7.12(d，lH)、7.24(d，4H)、7.24-7.33(m，3H)、7.77-7·86(m，5H) 元素分析結果組成式C47H37N2F2B如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 83·5%(83.2%)、Η : 5.6%(5·5%)、N : 4.3%(4·1%)、F : 4·8%(5·6%)、Β : 1·5%(1 · 6%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 678。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [1 0 ]。另外，化合物[1 0 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：λ max5 7 5nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax613nm(溶劑··二氯甲烷） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[1 〇 ]外，與實施例 1完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係 波峰波長620nm、發光效率3 . Ocd/A之紅色發光。 實施例11 化合物[11 ]之合成方法 使用0.35克2-苯醯基-3,5-雙（4-(2,4-二甲基苯基）苯 基）吡咯、0.25克2,4-雙（4-(2,4-二甲基苯基）苯基）吡咯 ’與化合物[1 ]相同地合成。製得0 . 1 5克紅色粉末。所得 -54- 565604 五、發明說明（53) 粉末之NMR分析結果如下所述。 W-NMiUCDCl〆 ό =ppm) ) : 2 · 18( s，6H)、2 · 32( s，6H)、 2.36(ss，12H)、6.67(s，2H)、6.81(d，8H)、6.94-7.07(m，llH) 、 7.11(d，2H) 、 7.43(d，4H) 、 8.01(d，4H) 元素分析結果組成式C71H59N2F2B如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 86·4%(86·2%)、Η : 6·0%(6·0%)、N ·· 2·9%(2·8%)、F ·· 3·0%(3·9%)、Β ·· 1 ·2%(1 . 1%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 988。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [1 1 ]。另外，化合物[11 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax576nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax626nm(溶劑：二氯甲烷） 實施例12 化合物[1 2 ]之合成方法 使用0.4克2-(1-萘醯基）-3, 5 -雙（4 -甲基苯基）吡咯、 0.25克2,4-雙（4-甲氧基苯基）吡咯，與化合物[1]相同地 合成。製得〇·1克紫色粉末。所得粉末之iH-NMR分析結 果如下所述。 j-NMIUCDCl^ 5 =ppm) ) : 1 · 97( s，3H)、2 · 40( s，3H)、 3.54(s，3H) 、 3.86(s，3H) 、 5.99(d，2H) 、 6.25(s，4H)、 6·30-6·39(ιώ，8Η)、6.69(t，lH)、6.97(d，3H)、7.14(d，lH) 、7.26(d，2H)、 7.26-7.37(m，3H)、 7.78-7.95(m，5H) 元素分析結果組成式C47H37N202F2B如下所述。而且，括 -55- 565604 五、發明說明（54) 弧內爲理論値。C : 79 . 6%( 79.4%)、Η : 5 . 1%( 5 . 2%)、N : 4.0%(3·9%)、0 : 4.6%(4·5%)、F : 4 · 6%(5·4%)、Β : 1·6%(1·6%)。 而且’藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 710。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [1 2 ]。另外，化合物[1 2 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax577nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜·· Amax624nm(溶劑：二氯甲院） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[1 2 ]，與實施例1 完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係波 峰波長628nm、發光效率2.9cd/A之紅色發光。 實施例13 化合物[5 3 ]之合成方法 使用0.4克2 -苯醯基-3, 5 -雙（4 -正丁基苯基）吡咯、 0.25克2，4-雙（4-正丁基苯基）吡咯，與化合物[1]相同地 合成。製得0.2 7克紅色粉末。所得粉末之NMR分析結 果如下所述。 1H-NMR(CDC13( (5=ppm))： 1.97(s,3H)'2.40(s,3H)' 3.54(s，3H)、3.86(s，3H)、5.99( d，2H)、6.25(s，4H)、 6.30-6.39(m，8H) 、 6.69(t，lH) 、 6.97(d，3H) 、 7.14(d，lH) 、7.26(d，2H)、7 .26 - 7 .37(m，3H)、7.78 - 7.95 (m，5H) 元素分析結果組成式C55H59N2F2B如下所述。而且’括弧 內爲理論値。C : 83·1%(82·9%)、Η : 7·5%(7·4%)、N : -56- 565604 五、發明說明（55) 3 · 6%( 3 · 5%)、F ·· 4 · 0%( 4 · 8%)、B ·· 1 · 3%( 1 · 4%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 7 96。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [5 3 ]。另外，化合物[5 3 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax569nm(溶劑：二氯甲院） 螢光光譜：Amax611nm(溶劑：二氯甲院） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[53]外，與實施例 1完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係 波峰波長617nm、發光效率5.0cd/A之紅色發光。 實施例14 化合物[5 9 ]之合成方法 在3 0ml四氫呋喃中使0.5克化合物[10]溶解，在20°C 下滴入1.88ml苯基鎂溴化物（1.0mol/L:四氫呋喃），在 60°C下反應9小時。冷卻至室溫後，加入50ml水、以二 氯甲烷萃取、濃縮，使矽膠藉由柱色層分析法進行精製， 製得0.32克赤紫色粉末。所得粉末之W-NMR分析結果如 下所述。 W-NMIUCDCl〆 5 =ppm)) : 1.97(s，3H)、2.40(s，3H)、 3.54(s，3H) 、 3.86(s，3H) 、 5.99(d，2H) 、 6.25(s，4H)、 6.30-6.39(m，8H) 、 6.69(t，lH) 、 6.97(d，3H) 、 7.14(d，lH) 、7.26(d，2H)、 7.26-7.37(m，3H)、 7.78-7.95(m，5H) 元素分析結果組成式C59H47N2B如下所述。而且’括弧內 爲理論値。C : 89.3%(89·2%)、Η : 6·0%(5·9%)、N : -57- 565604 五、發明說明（56) 3 · 5%( 3·5%)、B : 1 · 2%(1·4%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 7 94。由上述可知，該生成物之赤紫色粉末爲化合物 [5 9 ]。另外，化合物[5 9 ]具有下述光物理特性。 吸收光譜：Amax568nm(溶劑：二氯甲烷） 螢光光譜：Amax613nm(溶劑：二氯甲院） 然後，除在摻雜劑材料中使用化合物[59]外，與實施例 1完全相同地製作發光元件。由該發光元件之發光光譜係 波峰波長616nm、發光效率3.8cd/A之紅色發光。 實施例15 直至電洞輸入材料蒸鍍爲止與實施例1相同地進行後， 使化合物[53]以厚度50nm積層。然後，蒸鍍0.5nm鋰、 1 5Onm銀作爲陰極、製作5 X 5mm角之元件。由該發光元件 可得發光光譜之波峰波長爲622nm、發光效率爲2.5cd/A 之紅色發光。 實施例16 除在摻雜劑材料中使用化合物[63]外，與實施例1相同 地製作發光元件。由該發光元件可得發光光譜之波峰波長 爲60 9nm、發光效率爲1 .6cd/A之紅色發光。 實施例17 除在摻雜劑材料中使用化合物[85]外，與實施例1相同 地製作發光元件。由該發光元件可得發光光譜之波峰波長 爲628nm、發光效率爲l.lcd/A之紅色發光。 -58- 565604 五、發明說明（57) 實施例18 與實施例1相同地直至電洞輸送層蒸鍍後，使用1，4 -二 酮-2, 5-雙（3, 5-二甲基苯甲基）-3, 6-雙（4 -甲基苯基）吡咯 并[3,4-c]吡咯作爲主要材料、使用9_二乙基胺基- 5H -苯 并（a)吩唑-5-酮（二氯甲烷中螢光波峰波長爲610nm)作爲 摻雜劑材料，使摻雜劑材料之濃度爲〇.5wt%、25ηηι厚度 下共蒸鍍以形成發光層，另使2,9 -二甲基-4，7-二苯基-1，1〇_菲繞啉（BCP)以25nm厚度蒸鍍、形成電子輸送層。 然後，摻雜0.5nm鋰後使150nm銀蒸鍍、形成陰極，製作 5 X 5mm角之元件。以由該發光元件可得發光光譜之波峰波 長爲609nm、光譜半値寬度爲71nm摻雜劑材料爲基準製得 紅色發光’發光亮度在16V外加壓力下爲3000cd/m2。 實施例19〜25、實施例28〜29、比較例1 除使用表1記載的化合物作爲電洞輸送材料、主要材料 、摻雜劑材料、陰極外，與實施例1 8相同地製作發光元 件。各實施例之結果如表1所示。而且，實施例25使用 的HTM 1爲下述之化合物。

-59- 565604 五、發明說明（59) 實施例26 除先使10nm作爲第一電洞輸送材料之銅酞菁（CuPc)蒸 鍍、再使作爲第二電洞輸送材料之HTM1蒸鍍以形成電洞 輸送層部分外，與實施例24相同地製作發光元件。以該 發光元件之發光波峰波長612nm、光譜半値寬度40nm之化 合物[65]爲基準可得紅色發光、發光亮度在14V外加壓力 下爲 6400cd/m2。 實施例27 除使用化合物[1 〇〇 ](二氯甲烷溶液中發光波峰波長爲 61 9nm)作爲摻雜劑材料、在連接發光層之電子輸送部分蒸 鑛20nm主要材料，然後使5nmBCP蒸鍍形成、使用鋁取代 銀形成陰極外，與實施例1 8相同地製作發光元件。以該 發光元件之發光波峰波長629nm、光譜半値寬度28nm之化 合物[100]爲基準可得紅色發光、發光亮度在14V外加壓 力下爲 7500cd/m2。 實施例30〜47 除使用表2及表3記載的化合物作爲電洞輸送材料、主 要材料、摻雜劑材料外，與實施例27相同地製作發光元 件。各實施例之結果如表2及表3所示。 -61 - 565604 五、發明說明（62) 實施例48 除使用1,4 -二酮-2，5 -雙（2-苯基苯甲基）_3, 6 -雙（4 -甲 基本基）壯略并[3,4-c]flJt咯作爲主要材料外，與實施例21 相同地製作發光元件。以該發光元件之發光波峰波長 639nm、光譜半値寬度33nm之化合物[99]爲基準可得紅色 發光、發光亮度在13V外加壓力下爲2000cd/m2。 實施例49 除使用1，4 -二酮-2, 5 -雙（3, 5 -二甲基苯甲基）·3, 6-雙 (4 -乙基苯基）吡咯并[3, 4-c]吡咯作爲主要材料、使用化 合物[1]( 一氯甲院彳谷液中營光波峰波長爲613nm)作爲慘雜 劑材料外，與實施例2 8相同地製作發光元件。以該發光 兀件之發光波峰波長618nm、光譜半値寬度48nm之化合物 [1]爲基準可得紅色發光、發光亮度在14V外加壓力下爲 8000cd/m2 〇 實施例50 除先使10nm作爲第一電洞輸送材料之CuPc蒸鍍、再使 50nm作爲第二電洞輸送材料之n，N’-二苯基-N，N，·二（萘-卜基）-1，1、二苯基- 4,4，-二胺（a -NPD)蒸鍍以形成電洞輸 送層，使用下述所示ΕΤΜ 1作爲電子輸送材料外，與實施 例49相同地製作發光元件。ΕΤΜ 1之離子（AC - 1 :理硏計器 (股）測定）、分子量爲40 1。以該發光元件之發光波峰波長 618nm、光譜半値寬度48nm之化合物[1]爲基準可得紅色 發光、發光亮度在15V外加壓力下爲9000cd/m2。 -64- 565604 五、發明說明（63) ^ ETM1 實施例5 1〜5 3 除使用表4記載的化合物作爲電子輸送材料外，與實施 例49相同地製作發光元件。各實施例之結果如表4所示 。而且，表4之ETM2、ETM3、ETM4爲下述之化合物。

-65- 565604 五、發明說明（65) 實施例54 1，4 -二酮-2, 5 -二乙基- 3,6 -雙（卜萘基）吡咯并- [3, 4-c] 吡咯之合成方法 將7.3克鉀-第3-丁氧化物溶解於36ml第戊醇中予 以攪拌、且在90°C下加入1〇克卜萘腈。然後，在2小時 內滴入6 . 7 m 1琥拍酸二異丙酯。回流1日後，在6 0 °C下加 入3 0ml甲醇、4.4ml醋酸，回流30分鐘。冷卻至室溫後 ，過濾且以甲醇洗淨。然後，使2 . 89克所得紅色粉末溶 解於80ml DMF中，加入2. 1克鉀-第3-丁氧化物、攪拌1 小時。加入1 . 5m 1碘化乙基、在65°C下攪拌1日。加入 50ml水、以二氯甲烷萃取.、濃縮，使用矽膠柱色層分析法 進行精製，製得1.5克黃色粉末。所得粉末之^-NMR分 析結果如下所述。 ^-NMR (CDCla (6=ppm) ) :0.93(tt, 6H), 3.35(qq, 2H), 3.70(qq, 2 H), 7. 58-7. 68 (m, 6H), 7.76(t, 2H), 7.90(m, 4H), 8.02(d, 2H) ,元素分析結果組成式C3()H24N2〇2如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 8 1 . 2%( 8 1 . 1 %)、Η : 5 . 3%( 5.4%)、N : 6 . 3%( 6 · 3%)、0 ·· 7 · 2%( 7 · 2%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 444。可知該生成物之黃色粉末爲化合物丨，4_二酮-2，5 -二乙基- 3,6 -雙（1-萘基）吡咯并[3,仁c]吡咯。 其次，除使用1，4 -二酮-2, 5 -二乙基-3，6 -雙（1-萘基）吡 咯并[3，4-c]吡咯作爲主要材料、使用化合物[53]作爲摻 -67- 565604 五、發明說明（66) 雜劑材料外，與實施例5 3相同地製作發光元件。以該發 光元件之發光波峰波長615nm、光譜半値寬度43nm之化合 物[5 3 ]爲基準可得紅色發光、發光亮度在丨4 v外加壓力下 爲 2000cd/m2 〇 實施例55 除使用1，4 -二酮-2,5 -二甲基-3, 6 -雙（1-萘基）吡咯并 [3，4 _ c ]吡略作爲主要材料外，與實施例5 4相同地製作發 光元件。以該發光元件之發光波峰波長615nm、光譜半値 寬度43 nm之化合物[53]爲基準可得紅色發光、發光亮度 在15V外加壓力下爲1 6000cd/m2。 實施例56 1，4 -二酮-2, 5 -雙（4 -甲基苯甲基卜3, 6 -雙（4 -對甲苯基 蔡-1-基）壯略并-[3,4-c]lft咯之合成方法 除使用4 -對-甲苯基-1 -萘腈取代萘腈、使用4 _甲基 苯甲基溴化物取代碘化乙基外，與實施例5 4相同地的方 法合成。製得1 . 2克橙色粉末。所得粉末之iH_NMR分析 結果如下所述。 'H-NMR (CDCls (6=ppm) ) :2.20(s, 6H), 2.49(s, 6H), 4.38(t, 2H), 4.93(t, 2H), 6.69(t, 4H), 6.88(t, 4H), 7.35(d, 4H), 7.42-7.64 (m, 12H), 8.00(t, 4H) 元素分析結果組成式C56H44N2〇2如下所述。而且，括弧 內爲理論値。c : 86 · 6%( 86 . 6%)、Η : 5 . 7%( 5 . 7%)、N : 3·5%(3·6%) 、 〇 : 4·1%(4·1%) 〇 -68- 565604 五、發明說明（67) 而’藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 776 °可知該生成物之橙色粉末爲1，4-二酮-2,5-雙 (4 -甲基苯甲基）_3,6-雙（4_對苯甲基萘-丨_基）吡咯并 [3,4-c]吡咯。 其次’除使用1，4-二酮-2,5-雙（4-甲基甲苯基）-3,6-雙 (4_對·甲苯基萘-1-基）吡咯并[3, 4-c]吡咯作爲主要材料 外’與實施例5 4完全相同地製作發光元件。以該發光元 件之發光波峰波長61 6nm、光譜半値寬度43nm之化合物 [53]爲基準可得紅色發光、發光亮度在13v外加壓力下爲 9000cd/m2 ° 實施例57 1，4 -二酮-2, 5 -二甲基-3, 6 -雙（4-對甲苯基萘-1-基）吡 咯并[3,4-c]吡咯之合成方法 除使用4 -對-甲苯基-1 -萘腈取代1 -萘腈、使用碘化甲 基取代磷化乙基外，與實施例5 4相同地的方法合成。製 得1 .4克橙色粉末。所得粉末之NMR分析結果如下所 述。 ’ ^-NMR (CDCh (δ=ρριη) ) :2.49(s, 6H), 3.05(s, 6H), 7.35(d, 4H), 7) 44-7； 65 (m, 10H), 7.98(d, 2H), 8.02(dd, 4H) ' 元素分析結果組成式c42h32n2o2如下所述。而且，，括弧 內爲理論値。C : 84·6%(84·6%)、η : 5.4%(5.4%)、N : 4·7%(4·7%) 、 〇 : 5·3%(5·4%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 -69- 565604 五、發明說明（68) m/Z=5 96。可知該生成物之橙色粉末爲1，4-二酮-2,5-二甲 基-3, 6-雙（4-對甲苯基萘-1-基）吡咯并[3,4-c]吡咯。 其次，除使用1,4 -二酮-2, 5 -二甲基-3，6·雙（4 -對-甲苯 基萘-1 -基）吡咯并[3，4 - c ]吡咯作爲主要材料外，與實施 例5 4完全相同地製作發光元件。以該發光元件之發光波 峰波長61 6nm、光譜半値寬度43 nm之化合物[53]爲基準可 得紅色發光、發光亮度在15V外加壓力下爲1 5000cd/m2。 實施例58 除使用1，4 -二酮-2 ,5 -二甲基- 3- (1-萘基）-6-(3，5-雙 (1-萘基）苯基）吡咯并[3, 4-c]吡咯作爲主要材料、使用化 合物[1 ]作爲摻雜劑材料外，與實施例5 4相同地製作發光 元件。以該發光元件之發光波峰波長616nm、光譜半値寬 度48nm之化合物[1]爲基準可得紅色發光、發光亮度在 13V外加壓力下爲9000cd/m2。 實施例5 9 1，4 -二酮-2, 5 -雙（4 -甲基苯甲基）-3,6-雙（1-菲基）吡咯 并[3,4-c]吡咯之合成方法 除使用1 -菲基-腈取代1 -萘腈、使用4 -甲基苯甲基溴化 物取代碘化乙基外，與實施例5 4相同地的方法合成。製 得0.9克橙色粉末。所得粉末之iH-NMR分析結果如下所 述 'H-NMR (CDCh (6=ppm) ) :2.18(ss, 6H), 4.40(t, 2H), 4.9〇(t, 2 H), 6.64(t, 4H), 6.79(t, 4H), 7. 62-7. 86 (m, 12H), 7.96(t, 2H), 8.79(t, 4H) -70- 565604 五、發明說明（69) 元素分析結果組成式c5()h36n2o2如下所述。而且，括弧 內爲理論値。C : 86·3%(86·2%)、Η : 5·2%(5·2%)、N : 3·9%(4·0%) 、 0 : 4·5%(4·6%)。 而且，藉由容量光譜可知目的物之主要分子離子波峰 m/Z = 696。可知該生成物之橙色粉末爲1，4-二酮-2,5_雙 (4 -甲基苯甲基）-3,6 -雙（1-菲基）吡咯并[3,4-c]吡咯。 其次，除使用1,4 -二酮-2 ,5 -雙（4 -甲基苯甲基）-3,6 -雙 (1 -菲基）吡咯并[3，4 - c ]吡咯作爲主要材料外，與實施例 54完全相同地製作發光元件。以該發光元件之發光波峰波 長616nm、光譜半値寬度43nm之化合物[53]爲基準可得紅 色發光、發光亮度在15V外加壓力下爲1 3000cd/m2。 實施例60 除使用1,4 -二酮-2 ,5 -二甲基- 3,6-雙（1-菲基）吡咯并 [3, 4-c]吡咯作爲主要材料外，與實施例54相同地製作發 光元件。以該發光元件之發光波峰波長616nm、光譜半値 寬度43nm之化合物[53]爲基準可得紅色發光、發光亮度 在14V外加壓力下爲i7〇〇〇cd/m2。 -71 - 565604 五、發明說明（71) 實施例61 除使用參（5,7-二苯基-8-喹啉酸）鋁（111)作爲主要材料 外’與實施例1相同地製作發光元件。以該發光元件之發 光波峰波長613nm、發光效率3.2cd/A之紅色發光。 比較例2 除使用化合物[8 6 ]作爲副材料外，與實施例6 1相同地 製作發光元件。以該發光元件可得發光波峰波長627nm、 發光效率l.Ocd/Α之紅色發光。 實施例02 將堆積有150nmITO透明導電膜之玻璃基板（旭硝子（股） 製、15Ω/ 、電子束蒸鍍品）切成30X 40mm，藉由微影術 圖案加工成300 // m間距（殘餘寬度270 // m) X 32條之條狀 。爲使IT0條狀長邊方向之一側容易與外部電連接時，擴 大至1.27mm間距（開口部寬度800 // m)。使所得基板各以 丙酮、”西米克林56”超音波洗淨15分鐘後，以超純水洗 淨。然後，以異丙醇超音波洗淨1 5分鐘後、在熱甲醇中 浸漬1 5分鐘、乾燥。使該基板於製作元件前UV臭氧處理 1小時、且設置於真空蒸鍍裝置內，使裝置內之真空度排 氣至5 X l(T4Pa以下。藉由電阻加熱法先使TPD予以 10〇11111蒸鍍。然後，使用1，4-二酮-2,5-雙（3,5-二甲基苯 甲基）-3, 6 -雙（4 -乙基苯基）吡咯并[3, 4-c]吡咯作爲主要 材料、使用化合物[1 ]作爲摻雜劑材料，使摻雜劑爲 0.6wt%、50nm厚度下共蒸鍍，且使上述ETM積層5 0nm厚 -73- 565604 五、發明說明（72) 度。然後’在厚度50nm科瓦鐵鎳鈷合金板上藉由濕式鈾 刻使設有6條250 μ m之開口部（殘留寬度50 // m、300 // m 間距）之光罩在真空中、與帶狀直交下光罩交換、且使光 罩與ITO基板密接下由裡面以磁石固定。其次，使50nm 鎂、1 5Onm鋁蒸鍍、製作32 X 1 6點矩陣元件。使本元件矩 陣驅動時，可以在沒有交叉下文字顯示。 產業上之利用價値 本發明係提供一種可利用於發光元件等之高螢光性甲撐 吡咯金屬錯合物。而且，可提供電能量之利用效果高、高 亮度且高色純度的發光元件。 -74-

Claims (1)

1. 565604

   六、申請專利範圍 第9 1 1 07 585號「甲撐吡咯金屬錯合物、使用它之發光元 件材料及發光元件」專利案 (92年6月27日修正） A申請專利範圍： 1 · 一種甲撐吡咯金屬錯合物，其特徵爲通式（1 )所示者，

   (其中，R1、R2係表示相同或不同的選自於氫、院基、 環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、毓基、 院氧基、院硫基、芳酸基、方硫酸基、方基、雜壤基、 鹵素原子、鹵化鏈烷、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、醛 基、羰基、羧基、酯基、胺基甲醯基 '胺基、硝基、甲 矽烷基、矽氧烷基、與鄰接的取代基間所形成的縮合環 及脂肪族環，Μ係至少一種選自於m價的硼、鈹、鎂、鉻 、鐵、鎳、銅、鋅，Ar1〜Ar5係表示芳基）。 2 .如申請專利範圍第1項之甲撐吡咯金屬錯合物，其係以 通式（2 )所示者，

   565604 六、申請專利範圍 . (其中，R3〜R6係表示相同或不同的選自於氫原子、 k基、ί哀院基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、 锍基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜 環基、鹵素原子、鹵化鏈烷、鹵化烯基、鹵化炔基、氰 基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝 基、甲砂院基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的 縮合環及脂肪族環，A r6〜A r1 ϋ係表示芳基）。 3 ·如申請專利範圍第1項之甲撐吡咯金屬錯合物，其中通 式（1 )之A 1·1〜A〆中至少一個爲以碳數4以上烷基取代 的芳基。 4 .如申請專利範圍第2項之甲撐吡咯金屬錯合物，其中R5 與R6同時爲氟。 5 .如申請專利範圍第1項之甲撐吡咯金屬錯合物，其係用 爲發光元件材料。 6 · —種發光元件，其係於陽極與陰極之間存在有發光物質 、且藉由電能量發光之元件中，其特徵爲該元件在發光 波峰波長爲580nm〜720 n m下發光且具有至少一種（a)或 (b )所示之化合物， (a )通式（3 )所示二酮吡咯并[3，4 - c ]吡咯衍生物與螢 光波峰波長爲580nm〜720ηπι之有機螢光物質，

   565604 六、申請專利範圍 (其中’ R7及R8係表示相同或不同的碳數！〜25之烷 基或下述通式（4 )， R9 一？一 (CH2)n—Ar13 (4) (其中，R7及R8係表示相同或不同的選自於氫、碳數 1〜4之烷基、未經取代或以碳數1〜3之烷基取代的苯 基，A r 13係表示具有選自於烷基、烷氧基、鹵素原子、 苯基之取代基的苯基、萘基，η係表示選自於〇〜4之 整數，A r11及A r12係表示選自於相同或不同的苯基、萘 基、苯乙烯基、咔唑基）） (b )具有通式（1 )所示之甲撐吡咯金屬錯合物的發光元 件材料，

   (其中，R1、R2係表示相同或不同的選自於氬、院基 、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、毓基 、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜環基 、鹵素原子、鹵化鏈烷、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、

   565604 六、申請專利範圍 醛基、羰基、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、 甲矽烷基、矽氧烷基、與鄰接的取代基間所形成的縮合 環及脂肪族環，Μ係表示至少一種選自於m價的硼、鈹 、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅，A r !〜A r 5係表示芳基）。 7 ·如申請專利範圍第6項之發光元件，其中發光元件至少 具有發光材料、電洞輸送材料及電子輸送材料，且發光 材料係爲一酮吡咯并[3，4 - c ]吡咯衍生物與有機螢光物 質。 8 ·如申請專利範圍第7項之發光元件，其中二酮吡咯并 [3，4 - c ] Pit略衍生物爲主要材料，有機物質爲摻雜劑材 料。 9 .如申請專利範圍第6項之發光元件，其中有機螢光物質 係爲具有通式（5 )所示甲撐吡咯架構之化合物或其金屬 錯合物，

   (其中，rm〜R17中至少一個含有芳香環或與鄰接取代 基之間形成縮合環。其他係選自於氫、烷基、環烷基、 芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、酼基、烷氧基、 烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜環基、鹵素原子 、’鹵化鏈院、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、醛基、羰基 565604 六、申請專利範圍 、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、甲矽烷基、 矽氧烷基、與鄰接的取代基間所形成的縮合環及脂肪族 環，X係表示碳或氮，爲氮時R17不存在，金屬錯合物 之金屬係至少一種選自於硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅 、鋅、鉑）。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之發光元件，其中金屬錯合物爲 通式（6 )所示，

   (其中，R18〜R24中至少一個含有芳香環或與鄰接取代 基之間形成縮合環。其他及R25、R26係選自於氫、烷基 、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、锍基 、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、雜環基 、鹵素原子、鹵化鏈烷、鹵化烯基、鹵化炔基、氰基、 醛基、羰基、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、 甲矽烷基、矽氧烷基、與鄰接的取代基間所形成的縮合 環及脂肪族環，X係表示碳或氮，爲氮時R2 4不存在）。 1 1 .如申請專利範圍第6項之發光元件，其中有機螢光物 質爲具有通式（1 )所示甲撐吡咯金屬錯合物之發光元件 材料。 565604

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