TW554639B - Method for fabricating an OLED device and the solid passivation - Google Patents

Method for fabricating an OLED device and the solid passivation Download PDF

Info

Publication number
TW554639B
TW554639B TW091122942A TW91122942A TW554639B TW 554639 B TW554639 B TW 554639B TW 091122942 A TW091122942 A TW 091122942A TW 91122942 A TW91122942 A TW 91122942A TW 554639 B TW554639 B TW 554639B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
protective layer
manufacturing
patent application
item
substrate
Prior art date
Application number
TW091122942A
Other languages
English (en)
Inventor
Chih-Hung Su
I-Chang Tsao
Original Assignee
Au Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Au Optronics Corp filed Critical Au Optronics Corp
Priority to TW091122942A priority Critical patent/TW554639B/zh
Priority to US10/605,214 priority patent/US7122418B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TW554639B publication Critical patent/TW554639B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/958Passivation layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/979Tunnel diodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

554639 五、發明說明(i) ----- 本發明是有關於一種有機電激發光元件(〇LEI) d e v i c e )的製作方法,且特別是有關於一種具有固形保護 層(sol id passivation)之有機電激發光元件的製作方 法。 通訊產業已成為現今的主流產業,特別是攜帶型的各 式通訊產品更是發展的重點,而平面顯示器為人與機器的 溝通介面’因此顯得特別重要。現在應用在平面顯示器的 技術主要有下列幾種:電漿顯示器(piasma Dispiay
Panel ’PDP)、液晶顯示器(liquid Crystal Display , LCD) 無機電激發光顯示器(Electro- luminescent
Display)、發光二極體(Light Emitting Diode,LED)、 真空螢光顯示器(Vacuum Fluorescent Display)、場致發 射顯示器(Field Emission Display,FED)以及電變色顯 示器(Electro-chromic Display)等。然而,相較於其他 平面顯示技術,有機電激發光二極體(0rganic Ligh1:
Emi tt ing Diode,0LED)以其自發光、無視角依存、省 電、製程簡易、低成本、低操作溫度範圍、高應答速度以 及全彩化等優點而具有極大的應用潛力,可望成為下一代 的平面顯示器。 第1圖繪示為習知有機電激發光元件的結構示意圖。 δ月參照第1圖’習知有機電激發光單元1 1 2係架構於一基材 1〇〇上,此有機電激發光單元112主要係由一陽極102、一 有機電激發光層106·以及一陰極110所構成。除了上述膜層 之外’為了使得有機電激發光單元11 2的發光效率更高,
9789twf.ptd 第5頁 554639 五、發明說明(2) 在陽極102與有機電激發光層1〇6之間可製作一電洞傳輸層 104,而在有機電激發光層1〇6與陰極110之間可製作一電 子傳輸層108。其中,電洞傳輸層1〇4與電子傳輸層108的 功用在於增進有機電激發光層106中電子-電洞對 (electron-hole pair)的再結合效率,以獲得更佳的元件 發光效率。 同樣請參照第1圖’在有機電激發光元件的製作方 面,主要是於基材1 0 0上形成一保護層11 4,此保護層114 的製作係先形成一有機保護層114a,以覆蓋住基材1〇〇及 其上之有機電激發光單元11 2,接著再形成一無機保護層 11 4b於上述之有機保護層114a上。 第2圖繪示為習知另一種有機電激發光元件的結構示 意圖。請參照第2圖’此元件結構中,有機電激發光單元 204係架構於一基材上200,而在有機電激發光單元2〇4的 兩面上皆製作有保護層202、206。上述元件結構的製作方 式係先提供基材200,接著形成聚合物層2〇2a、陶竞層 202b以及聚合物層202c於基材200上,以構成保護層2〇2。 之後,製作有機電激發光單元204於上述之聚合物層2〇2c 上。最後再依序形成聚合物層202a、陶£層2〇21)以及 物層202c於有機電激發光單元204上’以構成 Λ : 習知的有機電激發光元件中,由於 保護層(flexible passivation),故所疋屬於軟性 聚合物材f,使得元件本身並無法;機材質或是 啕政防止化學物質的腐
9789twf.ptd 第6頁 554639
因此,本發明的目的在提出一 一 製作方法及固形保護層的製作方,甘機電激發光兀件的 身的抗腐蝕(corrosion resist)能力Γ可有效增進兀件本 本發明的另一目的在提出一種有 作方、、私好ί51游▲ 盆^此|| 力电’敦光兀件的製 的製作方法’其可有效增進元件本i &抗衝擊(impact resist)的能力。 為達本發明之上述目的,摆 — 的劁你古、i· 4 in 種有機電激發光元件 的I作方法,包括下列步驟:(a)提供—美 干 配置有一有機電激發光單元;( 二 ^ 層,U I 4 ; “基材上形成一保護 :,ϋΠί:發光單元覆蓋;以及“)提供-離子 1藉由該離子束對該保護層進行一表面處理。其中, 少驟(13)至步驟(c)可重覆谁杆 賴性(reUabiiity)。 '〜人,以增進元件的信 的製發述目的’提出—種有機電激發光元件 西的己方法,包括下列步驟:(a)提供一基材,該基材上 居,有機電激發光單元;(b)於該基材上形成一保護 ^ ^將該有機電激發光單元覆蓋;(c)提供一離子束, 該該離子束對該保護層進行一表面處理;以及(d)於 覆進L層上形成一塑膠層。其中’步驟(b)至步驟(d)可重 進仃至少一次,以增進元件的信賴性。 方法為達本發明之上述目的,提出一種固形保護層的製作 製作古適於保護一基材上的一電子元件,此固形保護層的 法包括下列步驟:(a)於該基材上形成一保護層,
554639
五、發明說明(4) 以將該有機電激發光單元覆蓋;以及(b)提供一離子束, 藉由該離子束對該保護層進行一表面處理。其中,步驟 (a)至步驟(b)可重覆進行至少一次,以增進固形保護層對 為達本發明之上述目的,提出一種固形保護層的製作 方法,適於保護一基材上的一電子元件,此固形保護層的 製作方法包括下列步驟:(a)於該基材上形成一保護層曰, 以將該有機電激發光單元覆蓋;(b)提供一離子束,藉由 δ亥離子束對該保護層進行一表面處理;以及(c )於該保古蔓 層上形成一塑膠層。其中,步驟(a)至步驟(c)可重覆進°行 至少一次,以增進固形保護層對電子元件的保護。 仃 本實施例中,保護層之材質例如為氮化矽或是氧化 石夕’而塑膠層之材質例如為高分子量之聚乙稀(uitra
High Molecular Weight Polyethylene ’ UHMWPE)戋 3 PMMA 。 5 疋 、本實施例中,表面處理進行時例如係藉由離子佈植的 方式長:供上述之離子束或是藉由錢錄的方式提供上述之離 子東。 為讓本七明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳细 明如下: 、° 圖式之標示說明: 100、200 :基材 1 0 2 :陽極
554639 五、發明說明(5) 104 電洞傳輸層 106 有機電激發光層 108 電子傳輸層 110 陰極 112、204 :有機電激發光單元 114、202、206 :保護層 114a ·有機保護層 114b :無機保護層 202a、202c、206a、206c :聚合物層 202b、206b :陶瓷層 300、400 :基材 302、402 :有機電激發光單元 304、404、408 :保護層 3 0 4 ’ 、4 0 8 ’ :固形保護層 306、410 :離子束 308、406、412 :塑膠層 較佳實施例 第3A圖至第3D圖繪示為依照本發明第一實施例有機電 激發光元件的製作流程示意圖。請參照第3 a圖,提供一基 材300,此基材300例如為一玻璃基材、塑膠基材或是其他 透明基材。接著於基材3〇〇上製作有機電激發光單元3〇2 , 此有機電激發光單元302例如‘由多層薄膜所構成,例如 透明陽極、金屬陰極、有機電激發光層、電子傳輸層 (ETL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電洞9注入
9789twf.ptd 第9頁 554639 五、發明說明(6) " 一 1— - 層(HIL)等。 、凊參照第3B圖與第3C圖,在有機電激發光單元3〇2形 成之後,接著形成一保護層304以將基材上之3〇〇有機電激 發光單元302覆蓋住,此保護層304之材質例如為氧化矽或 是氮化矽。緊接著對上述之保護層304進行表面處理的動 作,其中表面處理例如係藉由離子佈植的方式 鍍的方式提供-離子娜,藉由上述之離二= 護層304表面的鍵結強化以形成一固態保護層3〇4,,此固 態保護層304,將具有較高的硬度表現以及較佳的抗腐蝕能 力。 本貫施例藉由離子束3 〇 6形成固態保護層3 〇 4,之後, 即凡成了有機電激發光元件的製作。然而,本實施例中, 為了更進一步加強有機電激發光元件本身抵抗衝擊的能 力可再對上述覆蓋有固態保護層3 0 4 ’之有機電激發光單 元302作進一步的處理。 ,請,照第3D圖,為了加強有機電激發光元件本身抵抗 ,擊的能力,本實施例於固態保護層3〇4,上形成一硬度較 高的塑膠層308,此塑膠層3〇8之材質例如為高分子量之聚 乙稀(Ultra High Molecular Weight Polyethylene, UHMWPE)或是PMMA,然而,熟習該項技術者應知,此塑膠 板308亦可以其他硬度較高的材質取代。 第二實施例 第4A圖至第4F圖繪示為依照本發明第二實施例有機電 激發光το件的製作流程示意圖。請參照第4A圖,提供一基
554639 五、發明說明(7) " 材400,此基材400例如為一破璃基材、塑膠基材或是其他 透明基材。接著於基材400上製作有機電激發光單元4〇2, 此有機電激發光單元4 0 2例如係由多層薄膜所構成,例如 透明陽極、金屬陰極、有機電激發光層、電子傳輸層 (ETL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電洞注入 層(HIL)等。 請參照第4B圖與第4C圖,在有機電激發光單元4〇2形 成之後’接著形成一保護層404以將基材上之4〇〇有機電激 發光單元402覆蓋住,此保護層4〇4之材質例如為氧化矽或 是氮化石夕。緊接著於固態保護層4〇4上形成一硬度較高的 塑膠層406,此塑膠層406之材質例如為高分子量之聚乙稀 或是PMMA,然而,熟習該項技術者應知,此塑膠板3〇8亦 可以其他硬度較高的材質取代。 請參照第4D圖與第4E圖,接著在於塑膠層406上形成 另一保護層408,此保護層408之材質例如為氧化矽或是氮 化石夕。緊接著對上述之保護層4〇8進行表面處理的動作, 其中表面處理例如係藉由離子佈植的方式或是藉由濺鍍的 方式提供一離子束41〇,藉由上述之離子束41〇可將保護層 4/8表面的鍵結強化以形成一固態保護層4〇8,,此固態保 遵層408’將具有較高的硬度表現以及較佳的抗腐蝕能力。 本實施例藉由離子束41 0形成固態保護層4 0 8,之後, 即完成了有機電激發光元件的製作。然而,本實施例中, 為了更進一步加強有機電激發光元件本身抵抗衝擊的能 力’可再對上述覆蓋有固態保護層4 〇 8,之有機電激發光單
554639 五、發明說明(8) 元402作進' —步的處理。 請參照第4F圖,為了加強有機電激發光元件本身抵抗 衝擊的能力,本實施例於固態保護層408’上再形成一硬度 較高的塑膠層412,此塑膠層412之材質例如為高分子量之 聚乙稀或是PMMA,然而,熟習該項技術者應知,此塑膠板 41 2亦可以其他硬度較高的材質取代。 本發明上述二實施例中,保護層的數目、塑膠層的數 目可視產品需求而作適當的變動,保護層進行表面^理的 次數亦可有所變化,如每一層保護層皆進行表面處二,亦 可以僅針對部分或最上層之保護層進行表面處理。 綜上所述,本發明有機電激發光元件的製作方法及固 形保護層的製作方法至少具有下列優點: 1.本發明之有機電激發光元件的製作方法及其固 護層的製作方法,將能㈣效增進元件本身的抗腐 力0 方法及其固形保 身抵抗衝擊的能 2·本發明之有機電激發光元件的製作 護層的製作方法,將能夠有效增進元件本 力0 雖然本發明已以 以限定本發明;熟;:二:= 離=並非用 神和_,當可作各種之更動與潤飾之精 濩範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。务月之保
554639 圖式簡單說明 第1圖繪示為習知有機電激發光元件的結構示意圖; 第2圖繪示為習知另一種有機電激發光元件的結構示 意圖; 第3A圖至第3D圖繪示為依照本發明第一實施例有機電 激發光元件的製作流程示意圖;以及 第4A圖至第4F圖繪示為依照本發明第二實施例有機電 激發光元件的製作流程示意圖。
9789twf.ptd 第13頁

Claims (1)

  1. 554639 六、申請專利範圍 1· 一種有機電激發光元件的製作方法,包括: 元 (a)提供一基材’該基材上配置有一有機電激發光單 (b) 於該基材上形成一保護層,以將該有機電激發光 單元覆蓋;以及 (c) 長:供一離子束,並藉由該離子束對該保護層進行 一表面處理。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件的 製作方法,其中該保護層之材質包括氮化矽、氧化矽其中 —* 〇 3·如申請專利範圍第i項所述之有機電激發光元件的 製作方法’其中該表面處理進行時係藉由離子佈植的方式 提供該離子束。 4·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件的 製作方法,其中該表面處理進行時係藉由濺鍍的方式提供 該離子束。 ,5.如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件的 製作方法,其中步驟(C)之後更包括下列步驟: (d)於該保護層上形成一塑膠層。 6·如申請專利範圍第5項所述之有機電激發光元件的 製作方法,其中步驟(d)之後更包括重複步驟(b)至步驟 (d)至少—次。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之有機電激發光元件的 製作方法,其中該塑膠層之材質包括聚乙稀、PMMA其中之
    基材上的 L 一種固形保護層的製作 -電子元件,該固形保護層;J方f於保護 (a) 於該基材上形成—保製作方法包括: 單元覆蓋;以及 °隻層’以將該有機電激發光 (b) 提供一離子束,藉 表面處理。 ™離子束對該保護層進行一 9 ·如申請專利範圍第8 法,豆中兮保1 s ^ =員所述之固形保護層的製作方 1 η 1 A d ^ J 括氮化矽、氧化矽其中之一。 法A•研1犯圍第8項所述之固形保護層的製作方 離匕中該表面處理進行時係藉由離子佈植的方式提供該 雕千束。 、U·如申請專利範圍第8項所述之固形保護層的製作方 法’其中該表面處理進行時係藉由濺鍍的方式提供該離子 束。 1 2 ·如申請專利範圍第8項所述之固形保護層的製作方 法,其中步驟(b)之後更包括下列步驟: (c)於該保護層上形成一塑膠層。 1 3·如申請專利範圍第1 2項所述之固形保護層的製作 方法,其中步驟(c)之後更包括重複步驟(a)至步驟(c)至 少一次。 1 4·如申請專利範圍第1 2項所述之固形保護層的製作 方法,其中該塑膠層之材質包括聚乙稀、PMMA其中之一。
    9789twf.ptd 第15貢
TW091122942A 2002-10-04 2002-10-04 Method for fabricating an OLED device and the solid passivation TW554639B (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091122942A TW554639B (en) 2002-10-04 2002-10-04 Method for fabricating an OLED device and the solid passivation
US10/605,214 US7122418B2 (en) 2002-10-04 2003-09-16 Method of fabricating organic light emitting diode device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091122942A TW554639B (en) 2002-10-04 2002-10-04 Method for fabricating an OLED device and the solid passivation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW554639B true TW554639B (en) 2003-09-21

Family

ID=31974954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091122942A TW554639B (en) 2002-10-04 2002-10-04 Method for fabricating an OLED device and the solid passivation

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7122418B2 (zh)
TW (1) TW554639B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
KR100635565B1 (ko) * 2004-06-29 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 제조방법과 그에 따른 표시장치
KR100668415B1 (ko) 2004-12-14 2007-01-16 한국전자통신연구원 유기발광소자 및 그 제조방법
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1059086B (it) * 1976-04-14 1982-05-31 Ates Componenti Elettron Procedimento per la passivazione di dispositivi a semiconduttore di potenza ad alta tensione inversa
JPS57126147A (en) * 1981-01-28 1982-08-05 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US6204180B1 (en) * 1997-05-16 2001-03-20 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and process for manufacturing semiconductor devices, products and precursor structures utilizing sorbent-based fluid storage and dispensing system for reagent delivery
US5693956A (en) * 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US6261944B1 (en) * 1998-11-24 2001-07-17 Vantis Corporation Method for forming a semiconductor device having high reliability passivation overlying a multi-level interconnect
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US20010055458A1 (en) * 2000-06-22 2001-12-27 Ladd Judith A. Sheet-like light emitting display and method
US6538375B1 (en) * 2000-08-17 2003-03-25 General Electric Company Oled fiber light source
KR100439345B1 (ko) * 2000-10-31 2004-07-07 피티플러스(주) 폴리실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 및 제조 방법
KR100496420B1 (ko) * 2001-03-02 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 2층구조의 소오스/드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 및그의 제조방법과 이를 이용한 액티브 매트릭스형 표시소자및 그의 제조방법
TW490868B (en) * 2001-08-10 2002-06-11 Ritdisplay Corp Method for forming a waterproof layer of organic light emitting device
US6949389B2 (en) * 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices

Also Published As

Publication number Publication date
US7122418B2 (en) 2006-10-17
US20040106226A1 (en) 2004-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW519853B (en) Organic electro-luminescent display and its packaging method
US8912018B2 (en) Manufacturing flexible organic electronic devices
JP6447389B2 (ja) 樹脂/ガラス複合体を有する積層体
WO2013128740A1 (ja) 発光パネルおよびその製造方法
JP2009289740A (ja) 有機発光ディスプレイ装置
JP2004534367A (ja) 有機発光デバイスの透明支持体
CN1961095A (zh) 用以沉积低温无机膜层至大型塑胶基板上的方法及其设备
KR101654360B1 (ko) 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법
WO2015061657A1 (en) Permeation barrier system for substrates and devices and method of making the same
TW554639B (en) Method for fabricating an OLED device and the solid passivation
US20150267290A1 (en) Deposition source, deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
TWI363441B (en) Self-emissive display device
JP5660128B2 (ja) 発光装置
US20080268567A1 (en) Method for fabricating organic light emitting display
TW200527946A (en) Panel substrate, display panel, organic el panel, and method of manufacturing the same
US20070064173A1 (en) Double-Sided Liquid Crystal Display
KR20110017715A (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법
JP4736348B2 (ja) 有機el素子の製造方法
JP5761005B2 (ja) 水蒸気バリアーフィルムの製造方法、水蒸気バリアーフィルム及び電子機器
JP2005243604A (ja) 有機エレクトロルミネセンス装置及びそれを製造する方法
CN1717141A (zh) 有机el面板及其形成方法
CN108565361B (zh) Oled胶囊结构、oled发光层及相关方法、显示面板和电子设备
KR20090036427A (ko) 화상표시소자 전구체 및 화상표시소자
JP6102986B2 (ja) 水蒸気バリアーフィルムの製造方法、水蒸気バリアーフィルム、電子機器及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
KR101394934B1 (ko) 발광 디스플레이 패널의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent