550385 Α7 Β7 五、發明説明（〇 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種電壓與電流量測裝置，尤其係關於 置於射頻傳輸線之電壓與電流量測裝置。 發明背景 於諸如矽晶圓之半導體晶圓的製造及加工，各種不同 的半導體設備與處理可被利用。例如，晶圓加工技術是熟 知於習知技術中且可包括例如光刻術、離子束澱積、汽相 澱積、蝕刻以及各種其它處理。 於一種晶圓加工的方法中，電漿產生器用來例如由蝕 刻形成在晶圓的表面上的層而處理晶圓。於利用此技術時 ，電力是自電源耦合電漿產生器。典型地，電能具有射頻 (R F )範圍中的頻率。此處理的控制是部份地藉由量測 且監視射頻信號而實施。輸入此系統之功率可藉由量測耦 合電漿產生器之射頻電源的射頻電壓（V )與射頻電流（ I )分量而決定。通常預期獲得電壓與電流量測儘可能接 近電漿產生器，爲了獲得進入電漿產生器之實際射頻電壓 與電流的真正代表性。因此，用於量測射頻功率之一般作 法是安裝用以監視電流與電壓之感應器與耦合射頻功率至 電漿產生器之傳輸媒體串聯。 有時候，然而此種射頻監視器可瓦解電漿處理或可能 無法獲得進行中電漿處理的準確顯示。此監視器本身可影 響到射頻信號由於例如反射。並且，此種技術不常被應用 爲了提供進行中製造過程的原地控制。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -4 - 550385 A7 B7 五、發明説明（2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，存在有用以感應監視射頻電源的裝置中之電壓 的電壓探針之需要，其極小地干擾其中置有探針之射頻傳 輸線。 發明槪述 存在有改善包括內導體與外導體的傳輸線中諸如射頻 信號之信號的量測技術之需要。 因此，本發明的示範性實施例提供一種包括具有內導 體與外導體的傳輸線之電壓探針。一種電極是與外導體隔 開。一種介體是配置在電極與外導体之間，鄰接外導體的 內表面。 監視包括內導體與外導體的傳輸線中之電壓的示範性 方法，包括配置鄰接外導體之介體以及藉由介體與外導體 分離且定位鄰接介體之電極。一種信號是量測自電極顯示 傳輸線中之傳輸電壓。 自以下的詳細說明、附加圖式及申請專利範圍，本發 明的其它目的及優點將是顯而易見的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖式簡單說明 現在將參考加註的圖式經由非限制性示範實施例更進 一步地詳細說明本發明，其中相同參考數字代表相似部件 於所有的圖式中，且其中： 圖1是顯示依據本發明中的可利用來例如控制電漿處 理之示範性電壓探針之傳輸線的片斷圖； -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 550385 A7 _______B7_ 五、發明説明（3) 圖2是顯示圖1中本發明的示範性電壓探針之放大圖 圖3是圓柱形傳輸線的片斷圖，其中電壓探針的第一 示範實施例是依據本發明而配置； 圖4 A是解說產生器系統及此產生器系統內之本發明 的示範性電壓探針之區塊圖，用以量測耦合產生器之射頻 信號之射頻電壓、射頻電流、相角與直流偏壓； 圖4 B是說明用以顯示於圖1中之示範性電壓/電流 探針的校準的一個實施例之簡圖； 圖5是解說依據本發明的示範實施例的方法之流程圖 ’其中信號被量測於傳輸線； 圖6是解說依據本發明的示範實施例的方法之流程圖 ’其中電漿處理是由射頻監視所控制諸如例如於半導體晶 圓的製造中；及 圖7是顯示依據本發明中的可利用來例如控制電漿處 理之示範性電壓探針的另一實施例之傳輸線的片斷圖。 元件對照表 R F :射頻 E Μ :電磁波 p R f :量測功率 Z R f :傳輸線阻抗 V R F :射頻電壓 I H F1 :射頻電流 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ β _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I------訂------I ^—.---.—^-------- 550385 A 7 B7 經濟部智慧財產局員工消黄合竹扫' 五、發明説明（4) κ V與K i :校準係數 GUI :圖解使用者介面 1〇：電壓探針 1 1 :射頻探針 1 2 :傳輸線 1 4 :內導體 1 6 :外導體 1 7 :介質材料 1 8 :電極 2〇：介體 2 2 :接合劑 2 4 :內表面 2 6 :電流感應器 2 8 ··孔 2 8 :開口 2 9 :孔 3〇：引線 3 1 :絕緣材料 3 2 :第二引線 3 4 :內表面 3 6 :內表面 3 8 :外表面 5 0 · ?L 5 1 :孔 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) nn Bum ml mi ml mi In— m·Ίν —Μ.—· i έ
m mu *^li— 1 mu m.— mu imi ml In US 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 550385 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（5) 5 3 :軸向開口 5 6 :線圈環 5 6 :環形天線 5 8 :引線 6 0 :引線 6 2 :蓋板 6 3 :絕緣蓋 6 4 :扣接件 6 6 :扣接件容納開口 6 8 :外表面7 0 ： ?L 7〇：電漿系統 7 2 :射頻源 7 4 :電漿產生器 7 6 :匹配網路 7 8 :高阻抗射頻監視器 8〇：同軸傳輸線 8 2 :射頻源 8 4 :假負載 8 6 :高阻抗射頻監視器 8 8 :頻譜分析器 9〇：耦合器9 2 :功率頭 9 4 :功率計 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
• Ί i n HI 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 550385 A7 ---—____B7_____ 五、發明説明（6) 1 1 0 :電壓探針 1 1 8 :第一電極 1 1 9 :第二電極 1 2 1 :凹陷 1 2 2 :焊料 1 2 5 :電容器 1 2 7 :內表面 1 3 6 :內表面 _交丨圭實施例說明 參考圖1 ’依據本發明，提供一種示範性電壓探針， 其可利用來例如控制依據本發明之電漿處理。電壓探針 1 〇可結合包括電壓探針1 〇與電流探針兩者之射頻探針 1 1的一部份。電壓探針1 〇是結合入具有內導體1 4、 外導體1 6與介質材料1 7於其間之傳輸線1 2。電壓探 針1 0包括電極1 8與介體2 0。電極1 8是由介體2 0 與外導體1 6隔開，使得電極不會與外導體1 6有直接電 通信。電極1 8實質上包含一片的導電材料。介體2 〇是 配置鄰接電極1 8與外導體1 6之間之外導體1 6的內表 面2 4。電極1 8是因此電容耦合傳輸線1 2。亦即，電 極1 8、介體2 0及外導體1 6 —起形成電容器。如果電 極1 8是架構以符合外導體1 6的幾何圖形，混合體實質 上形成平行板電容器。 如圖所不’射頻探針1 1包括用以量測電流之電流感 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ；297公釐） -9- 550385 A 7 B7 五、發明説明（7) 應器26 (如圖4所示）。射頻電壓是由電壓探針10而 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 取樣或感應，而射頻電壓是由電流探針或感應器2 6所取 樣或感應。爲了準確地監視相位資訊，電流探針2 6可標 準地設置於如電壓探針1 〇之傳輸線1 2的相同橫向平面 ，且於與其之直徑上對立關係。因爲電子信號的特性波長 好比電壓探針是大的，電流探針不需精確地於相同橫向平 面，但是距此平面之距離相對於波長應是小的。亦即，電 流探針2 6是架構以量測在緊鄰垂直至傳輸線1 2且穿過 外導體1 6的平面之點之電流。 因爲電壓探針1 0的電極1 8具有有限長度，正確地 定位此電流探針於隨期的平面可能是困難的。結果，可使 用方便的估算。例如，電流探針2 6可配置以監視傳輸線 1 2中的電流在緊鄰垂直至穿過電極1 8的中心之傳輸線 1 2的平面之點。量測自電流探針之信號可顯示傳輸線 1 2中之傳輸電流。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於使用於半導體加工之典型射頻傳輸中，在耦合電漿 的功率之基本射頻頻率可以是例如6 0萬嚇次（Μ Η z ) 。關於此基本射頻頻率之諧頻亦是固有存在，由於電漿非 線性。例如，用於6 0 Μ Η ζ的基本頻率，具有少許功率 之諧頻可以是高如3 0 0 Μ Η ζ (亦即第五諧波），且具 有1米的特性波長。 圖1顯示定位於傳輸線1 2內之電流探針2 6以監視 電流，此電流與流過在等於或小於3 % (例如3 % )的距 離內之點的傳輸線1 2之電流成比例，特性波長來自垂直 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 550385 A7 ___ B7 五、發明説明（8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 至穿過電極1 8的中心之傳輸線1 2之平面。特性波長可 以是與將量測的最高頻率或最小波長相關之波長。例如， 如果將量測的最大頻率是3 0 0 Μ Η z ，則在電流感應器 2 6與電壓探針1 〇的中心之間的距離應不超過在3 0〇 Μ Η ζ之特性波長的1至3 % ，其可以是估算1米，或1 至3 cm。此距離可依使用者請求或小於上述間距之距離爲 了產生或多或少的特定量測，例如，提供更準確地相位資 訊之距離。 於一個實施例，電極1 8疊置在介體2 0上，且介體 2 0超過電極1 8的相對邊緣而向外延伸。此架構減少短 路的可能性，尤其如果導電銲料收集介體的近端於裝設電 壓探針1 0於傳輸線1 2內的過程中。電極1 8可具有好 比將量測的射頻信號的特性波長的四分之一之小長度。例 如，電壓探針1 0可以是2 cm的長度，且利用來量測具有 高如1 G Η z的頻率之射頻信號。於一個實施例中，電壓 探針1 0的長度是估算在1 G Η ζ之特性波長的十五分之 -- 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 再者，電極1 8可彎曲以符合傳輸線1 2中之外導體 1 6的曲率半徑（圖3 )。同樣地，介體2 0亦可彎曲使 得電極1 8與介體2 0各架構如圓柱形表面的截面。因爲 傳輸線1 2通常是圓柱形，各介體2 0與電極1 8可採取 具有較小半徑之圓柱形表面的形式，因此形成彎曲的平行 板電容器。例如，於一個實施例中，介體2 0與電極1 8 的厚度分別約爲2 5密爾與1密爾。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 550385 A7 B7 五、發明説明（9) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用以製造電極1 8與介體2 0之適合材料是由R0gers Corporation 所製造且在 Rogers RT/duroidRo5 880 型的品名下 銷售。此材料包含具有電解澱積銅僅在一個表面上之微波 疊片，因此此疊片形成介體2 0而銅層形成電極1 8。 爲了引導電壓探針1 〇與電流探針2 6，一對的孔 2 8、2 9是形成於外導體1 6的相對側使得引線3 0可 穿過孔2 8 ，顯示於圖1與2中。線圏環5 6形式的第二 引線穿過孔2 9，如後述。 於此實施例中，引線3 0其可以是線或金屬桿，穿過 孔2 8與介體2 0中的孔5 1 ，且有電通信與電極1 8。 諸如空氣、塑膠、石英或鋁之絕緣材料3 1包圍引線3〇 以確保孔2 8內的密合。引線3 0的自由端部份可延伸通 過電極1 8使得自由端部份可焊接至電極1 8以堅固地固 定引線3 0至電極1 8。第二引線3 2是連接至外導體 1 6。引線3 0與3 2配合地將電壓探針1 〇耦合量測裝 置，諸如高阻抗射頻監視器7 8，如圖4所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作祍印製 如圖1所示，介體2 0的內表面3 4，其爲上表面於 圖1中，是附接至電極1 8。介體2 0可由使用例如環氧 樹脂之接合劑2 2而附接至電極1 8的下側或內表面3 6 。當使用Rogers RT/duroidRo 5 880型時，接合介體2〇的 內表面3 4與電極1 8的內表面3 6是不需要的，因爲介 體2 0與電極1 8之間的接合介面被完成於電鍍過程中。 介體2 0的外表面3 8，其爲相對內表面3 4之無銅表面 ，可由接合劑2 2接合至外導體1 6的內表面2 4 ，其可 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 550385 A7 _ B7 五、發明説明（1() Μ是諸如環氧樹脂或其它充份接合機構之黏著劑。 現將說明電流探針2 6的架構與用途。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 諸如傳輸線1 2之圓柱形同軸傳輸線中之電磁（Ε Μ )波傳播的典型模式致使振盪電場的介體是於內導體1 4 與外導體1 6之間的半徑方向，而振盪磁場的介體是於穿 過內導體1 4與外導體1 6之間的區域之方位角方向。例 % ’如果環形天線5 6是配置於將定位在內導體1 4與夕f 導體1 6之間之同軸傳輸線1 2，使得垂直由此環形成的 區域之表面是正切至磁場線，則被環形天線5 6攔截之磁 場線感應環形天線中之可量測電流。量測的電流是與穿過 環形天線5 6之磁通量成比例，其其依次相關於流過傳輸 線1 2之電流。使用此功效，流過此傳輸線之電流可被量 測。 電流探針2 6包括耦合外導體1 6的內表面2 4之環 形天線5 6 ，及整體耦合環形天線5 6之大致平直的引線 5 8。引線5 8自環形天線5 6徑向地向外延伸，經由外 導體1 6中之孔2 9。另一引線6 0是親合外導體1 6以 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 自其向外延伸。引線5 8、6 0配合地將電流探針耦合諸 如圖4所示之高阻抗射頻監視器7 8之量測裝置。 於此實施例中，環形天線5 6是經由外導體1 6中的 孔2 9配置於傳輸線1 2內（圖1中之外導體1 6的上側 )。此電流環是是架構以量測傳輸線1 2中之射頻電流。 如上述，被環形天線5 6攔截之磁通量，其與傳輸線1 2 相關，感應環形天線5 6中的電流與電壓。感應的電壓則 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 550385 A7 ___________B7 五、發明説明（1) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用來決定流過導體1 4、1 6之電流，其依據其本身的傳 輸線與環的幾何圖形而相關。環形天線電流探針的操作的 更多細卽可發現於美國專利5 ，8 6 7 , 0 2 0中。雖然 環形天線電流探針被揭示於本文中，任何其它適當類型的 電流量測裝置可被使用。 圖3顯示設有電壓探針1 〇於其中之具有圓柱形橫截 的射頻傳輸線1 2。此孔2 8，其可被鑽於外導體1 6， 容納絕緣珠或材料3 1 0 2 8與電極1 8及介體2 0中之 孔5 0、5 1對齊使得引線3 0可穿過其中且固定至電極 1 8，如上述。絕緣珠3 1被插入外導體1 6中之孔2 8 且具有形成於其中央之垂直延伸的軸向開口 5 3。絕緣珠 3 1是由蓋板6 2而固持於開口 2 8，其藉由延伸穿過蓋 板6 2中的扣接件容納開口 6 6之數個扣接件6 4附接至 射頻傳輸線1 2。扣接件6 4可以是螺絲帽與螺栓、機器 螺絲或能夠牢固蓋板6 2至傳輸線1 2之任何其它扣接機 構。引線3 0可插入穿過軸向開口 5 3，且可以絕緣蓋 6 3而絕緣。絕緣器3 1與6 3可以單件結構而製成。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 引線3 0可延伸超過絕緣珠3 1的外端，而引線3 2 可自盖板6 2的外表面6 8而向外延伸。如所領會到的， 引線3 2實際上可延伸至外導體1 6如果需要的話，然而 ，於蓋板6 2是導電的例子中，可以更簡單地將引線3 2 連接至蓋板而不是連接至外導體1 6，而不會影響此量測 。可導線的引線3 0與引線3 2之間之中心至中心距離是 足以幫助高阻抗射頻監視器7 8的使用，其可以是例如由 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 550385 A7 ___________ B7 五、發明説明（1会 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Tektronix 所製造的 Tektr〇ni;c ρ6245 χ . 5 G Η z 1 〇 X活化探針’用以射頻傳輸線1 2中之射頻電壓的量測。 足夠的中心至中心距離可以是〇 . 2 〇音吋或5 . 〇微米 。引線3 2可延伸穿過蓋板6 2中之孔7 〇，且例如由焊 接親合蓋板6 2或外導體1 6。引線3 0可延伸穿過孔 28、80與51以製作與電極18之電子接觸，其中物 理連接是例如經由接合劑2 2而固定。 用以連接至射頻傳輸線1 2中之電壓探針1 0的引線 3 0與3 2之其匕配置亦是可能的。例如，任何一個射頻 插座可被使用以取代高阻抗射頻監視器7 8，然而，高阻 抗射頻監視器7 8減小電壓探針1 〇上之電負載效應。藉 由足夠高的阻抗的使用，電壓探針1 〇可提供精確量測且 減少傳輸線映由於此探針。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4 A顯示利用例如來控制依據本發明的實施例之電 漿系統7 0中之電漿處理。於電漿系統7 0中，諸如射頻 源7 2之電源是由傳輸線1 2經由匹配網路7 6而耦合電 漿產生器7 4。電漿產生器7 4可以是任何類型的產生器 ’諸如電容耦合或感應耦合電漿產生器，使用於例如諸如 矽晶圓之半導體晶圓的電漿澱積或電漿鈾刻處理。然而， 利用電或微波能量（包括射頻）源之其它處理系統可依據 本發明的方法有利地控制。 如圖所示，包括本發明的電壓探針1 0之射頻探針 1 1是配置於傳輸線1 2中。射頻探針1 1可配置於匹配 網路7 6與電漿產生器7 4之間以鄰接至電漿產生器7 4 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 550385 A7 _B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 中央。替代地，電壓探針1 0可定位在射頻源7 2與匹配 網路7 6之間於匹配網路7 6中的潛在功率損失需要被決 定之狀態。 如果電壓探針1 0是定位在以緊鄰產生器7 4，獲得 自電壓探針1 0之量測表示進入產生器7 4之實際傳輸電 壓（V )値。 爲了量測實際射頻電壓與電流，電壓探針1 〇與電流 探針2 6可在使用前校準於圖4 B所說之系統。 圖4 B說明用以校準射頻電壓探針1 〇與電流探針 2 6之裝置。如圖所示，電壓探針1 0與電流探針2 6被 安裝於諸如5 0〇h m同軸傳輸線之同軸傳輸線8 0，經 由此傳輸線例如具有5 0 0 h m輸出阻抗之來自射頻源 8 2之射頻功率是親合假負載8 4，例如是5 0〇hm假 負載。射頻源8 2可包含掃頻信號產生器與寬頻放大器。 一個適合的假負載8 4是由Altronic Research製造的且以型 號#9725E3銷售。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 諸如由 Tektronix 製造的 Tektronix P 6 2 4 5 1.5 G Η z 1 0 X活化探針之高阻抗射頻監視器8 6 是連接至各電壓探針1 0與電流探針2 6 ，致使輸出可被 記錄在頻譜分析器8 8上。一個適合的頻譜分析器是由 HewHtt-Packard所製作的，且以具有型號4 3 9 6 Α的網路 頻譜分析器之品名銷售。例如6 3 D b耦合器之耦合器 9〇可被插入同軸傳輸線8 0與假負載8 4之間。一個適 合的親合器是由Amplifier Research所製作具有型號 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 550385 A7 _____B7___ 五、發明説明（〇 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} DC6280。如圖4Β所示，來自耦合器90之衰減信 號是連接至功率頭9 2與功率計9 4以記錄功率。一個適 合的功率頭9 2與功率計9 4可由Amplifier Research所製 作分別具有型號PH2000與PH2002。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用來自功率計9 4之量測功率（P r F )及諸如 5〇〇h m之已知的傳輸線阻抗z r f，射頻電壓（V R F ) 與射頻電流（I RF)的振輻可自公式PrF = VrF·腥RF與 Z R F = V R F / I R F推算出。至於給定的頻率，校準係數 K V與K i可分別決定自使用電壓探針1 〇所記錄之射頻電 壓（V )的量測振輻對推算自以功率計9 4所量測之射頻 功率之量測的電壓（V R F )的比，以及使用電流探針2 6 所記錄的射頻電流（I )的量測振輻對推算以功率計9 4 所量測的射頻功率之量測的電流（I R F )的比。一般而言 ，Kv傾向不會隨著頻率（〇)的改變而改變，而Kl隨著 頻率（ω )大約線性地增大。在自射頻源8 2掃瞄頻率之 後，校準係數Κ V與Κ !的頻率依附性可被記錄。此兩個校 準係數（亦即Kv VS.O與Κι VS. ω)可用來校 準使用電壓探針1 0與電流探針2 6之量測射頻信號，諸 如在較晚的時間。此量測射頻信號通常包含數個頻率。因 此，此校準可實施於頻率空間或傅立葉空間。 高阻抗射頻監視器7 8可經由源自電壓探針丨〇之電 壓輸出（引線3 0、3 2 )及源自電流探針2 6之電流輸 出C引線5 8、6 0 )而親合射頻探針1 1。傳輸線1 2 中之傳輸電壓（V )是量測自引線3 0、3 2，而傳輸線 本紙張尺度&中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） --- 550385 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（Θ 1 2中之傳輸電流（I )是量測自電流探針2 6的引線 5 8、6 0 ° 電壓與電流値兩者是感覺在傳輸線1 2中之實質相同 點或位置。這些電壓與電流値可使用來決定進入產生器 7 4之功率，以決定電壓與電流之間的相角，或決定線阻 抗。 包括電壓探針1 0與電流探針2 6之射頻探針1 1可 使用來藉由控制與包括例如滑鼠、觸控式螢幕、鍵盤或顯 示器的圖解使用者介面（G U I )之電腦（未顯示）之射 頻源7 2與電漿產生器7 4而控制電漿的性能。電漿系統 7 0可被控制即時用以提供原始位置控制。 圖5解說用以量測傳輸線1 2中的信號之方法。此方 法開始在2 0 0且控制順序前進至2 0 2。在2 0 2中， 介體2 0被配置鄰接外導體1 6。控制然後前進至2 0 4 ，在2 0 4中電極1 8被設置。控制然後前進至1 0 6。 於2 0 6中，信號是量測自電極1 8顯示傳輸線1 2中的 傳輸電壓（V )。此信號可使用上述校準過程而校準。控 制直接前進至2 0 8，在2 0 8中此分法結束。 顯示於圖5中之方法亦可包括配置電流探針2 6，量 測此電流（I )在緊鄰垂直傳輸線1 2的平面且通過電極 1 8，以及量測顯示傳輸線1 2中的傳輸電流（I )之源 自電流探針2 6之信號。 顯示於圖5中之方法可包括其它輔助操作，諸如使用 源自電極之量測信號及源自電流探針之量測信號而計算相 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 55〇385 A7 -^^___ 五、發明説明（1$ 位功率與阻抗資訊的任一或多個。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用射頻探針1 1中的電壓探針1 0用以提供射頻（ R F )監視器以控制電漿系統7 0之技術，其可利用於半 導體晶圓的製造，被解說於圖6中。此方法是在2 1 0。 於2 1 2中，產生電漿產生器7 4中的電漿之輸入射頻率 (R F )信號是由射頻源7 2所提供。射頻率（R F )信 號行進於傳輸線1 2中。於2 1 4中，介體2 0是配置鄰 接傳輸線1 2的外導體1 6。於2 1 6中，電極1 8被配 ®。電極1 8是與外導體1 6分開且鄰接介體2 0。於 2 1 8中，信號是接收自電極顯示射頻率（R F )信號的 電壓。此信號可使用上述校準過程而校準。於2 2 0中， 輸入信號被鄰接以回應源自電極1 8的接收信號而控制電 漿系統7 0。於2 2 2中，此方法結束。 於圖6中解說之方法亦可包括用以量測射頻率（R F )信號的電流且調整此輸入信號以回應量測電流之操作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於上述，許多特定細節被提出，諸如特定裝置、組件 、量測技術等，爲了提供本發明的完全瞭解。然而，熟習 此項技藝者將領會到本發明可被實施無需此些特定細節。 換言之，眾知的技術與結構並未詳細說明爲了不會防礙到 本發明。 雖然以上所述之射頻探針1 1包括用以獲得電壓與電 流樣本在傳輸線1 2上大約相同位置之電壓探針1 〇與電 流探針2 6，用以決定供給電負載之射頻功率，諸如電獎 產生器7 4與電漿，電流探針2 6是不必要的且僅電壓探 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 550385 A7 B7 五、發明説明（1》 針1 0可能是需要用來有效地實施本發明。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然此發明的原理已釐淸於上述的實施例，對於熟習 此項技藝者而言將是顯而易見，各種修改可用在使用於此 發明的實施之結構、配置、比例、元件、材料及組件。 例如，圖7解說配置於傳輸線1 2之電壓探針1 1〇 。電壓探針1 1 0在結構與操作上是相似於電壓探針1〇 ，且關於電壓探針1 0之說明將足夠用於兩者，除了電壓 探針1 1 0包括第一電極1 1 8與第二電極1 1 9，而不 是只有電極1 8。第一與第二電極1 1 8、1 1 9是配置 在介體2 0的相對側上，使得介體2 0是配置於第一電極 1 1 8與第二電極1 1 9及外導體1 6中的每一個之間。 介體2 0可例如藉由溼氣焊接或任何其它接合機構而接合 至第一電極1 1 8的內表面1 3 6及第二電極1 1 9的內 表面1 2 7。引線3 2可延伸穿過外導體1 6以接觸第二 電極1 1 9 ，如果無法達到第二電極1 1 9與內表面2 4 之間的良好的電觸，否則引線3 2可連接外導體1 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 正如先前所述之實施例，電極1 1 8、電極1 1 9與 介體2 0將構成電容器1 2 5 ，其中電極1 1 8疊置在介 體2 0上，且介體2 0向外延伸超過電極1 1 8的相對邊 緣。介體的延伸架構降低當裝入傳輸線1 2時之電容器 1 2 5發生短路的相賜性。圖7顯示電極1 1 9經由焊料 1 2 2而焊接至外導體1 6。過量的焊料1 2 2可能形成 電極1 1 9與介體2 0的底座，其可使電容器1 2 5短路 。形成於電極1 1 8的外緣之凹陷1 2 1幫助避免與過量 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 550385 A7 _B7_ 五、發明説明（ 的焊料直接接觸或彎曲至焊料。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因爲沿著外導體1 6的內表面2 4之第二電極1 1 9 實施與外導體1 6的接觸，此實施例將以相似於上述之實 施例的方法而操作，且第二電極1 1 9將有可忽略效果在 電壓量測上。 適合的電容器1 2 5可以是由Rogers Corporation所製 造的，品名爲Rogers RT/dui*〇1dRo5 8 80型微波疊片。相似於 電極18，第一與第二電極1 18、1 19可以彎曲以符 合傳輸線1 2的曲率半徑。 再者，電壓探針10、1 10可隨時適於與其它傳輸 媒體一起使用，而不是同軸纜線，諸如條線。 因此將看到，本發明的目的已完全且有效地實現。然 而，將領會到，先前實施例已被顯示並說明爲了解說此發 明的功能與結構原理的目的，且受到修改而離不開此原理 。因此，本發明包括含於以下申請專利範圍的精神與領域 內之所有修改。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐）