TW548713B - Stencil mask and method of producing the same, semiconductor device produced using the stencil mask and method of producing the semiconductor device - Google Patents

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548713 A7 B7 五、發明説明（i 發明背景 本發明係關於模版孔之形狀經過修正的一模版遮罩、製 造該模版遮罩的方法、使用該模版遮罩所製造的半導體裝 置以及製造該半導體裝置的方法。 半導體裝置越來越精緻’故使用光進行的線路圖案製作 亦越趨困難。因此即研發出以X光、電子束、離子束等為基 礎的微影蝕刻技術。 一種新穎的技術係使用一類似模版的遮罩，其係由一光 束無法穿透之薄板製成，其中形成一所需圖案形狀之孔使 光束能穿過，此係不同於習知用於光學微影蝕刻的遮罩結 構，其係由一允許光束穿透之硬板形成，其上並具有用以 攔載、吸收或散射光束之圖案。 該模版遮罩常係形成一薄膜，以防圖案精確度在光束通 過該模版遮罩中之孔時受該孔側壁反射影響惡化。 在形成模版遮罩的程序中，於一圖案形成前，亦即於形 成一似模版之孔之前，一薄膜係處於平衡狀態，晶體生長 時產生的原始應力以及遮罩結構導致的應力之類的内部應 力仍舊存在，當形成一似模版之孔時，在該孔之圖案部份 的内部應力即釋放出來。結果，圖案本身即扭曲變形，並 使其他某些圖案跟著變形。尤其在薄膜模版遮罩的狀況 中，視乎材料的不同，甚至能產生無法忽視的巨大變形。 另外，在一般模版遮罩的狀況中，由於遮罩材料本身的 形狀即為需轉印的圖案，故有一限制產生，即若圖案本身 為無法依其形狀、材料、厚度等之狀況以維持其形狀者（諸 -4- 548713 A7 B7

如-甜甜圈形圖案或-長型懸臂樑結構），則無法形成。因 此，即出現了-種稱為補充遮罩的系統。依據補充遮罩系 統的設計，自遮罩至晶圓的轉印並非由照射單一遮罩所完 成，而係連續照射複數個預先產生且代表一物件圖案不^ 分割部份之遮罩，以將該物件遮罩轉印至一晶圓。由於此 處造成問題的變形是依圖案形狀出現不同形式，故無法在 不同照射週期之間執行精確之圖案連接。 同樣地，此種變形取決於圖案的特性，將成為圖案之不 同遮罩層間重疊精確度降低的一項因素。 針對遮罩的生產方法、減少引起變形之内部應力的遮罩 結構或減少該應力對變形的影響程度，已提出各種設計。 不同於上述设计’在日本公開專利案號Hei 9-326349或 Hei 9-218032中揭露了一種方法，藉應力分析之類方法預 測由内部應力引發之變形，並利用該預測結果預先修正一 圖案以產生遮罩。此類方法與微影蝕刻有關，其中係利用 X光作為光源，且其並非針對模版遮罩，而係以一吸收χ光 材料之圖案消除變形，因讓X光穿透的一基板材料甚薄。此 類方法的特徵為：為節省消除變形程序中應力分析的處理 時間，用以產生轉印圖案的吸收體之形狀並非直接由應力 分析產生，而係將該吸收體之面積密度作為該應力分析中 的薄膜厚度。 就消除變形的觀點而言，原則上亦可考慮將上述技術應 用於模版遮罩中。然而，為使面積密度能代表所欲處理的 圖案，其前提需為：所處理的每一圖案皆甚小、可忽略其 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 548713五、發明説明（ A7 B7 形狀上的變異，且變形並非在於形狀而僅係在於圖案之位 置。在一實際的大型積體電路（LSI)之線路圖案中，有一尺 寸較接點大許多並形成刻劃線等之線路圖案存在於一晶片 的外圍部份，甚至還包含一接點層之遮罩，該接點層僅包 含在一晶片區域内形狀幾乎相同的圖案。若以面積密度處 理這些包含甚大圖案的線路圖案，則每一包含此類甚大圖 案之區域中的變形計算皆會牽涉甚大誤差。 因此，必須以高度精確的計算及以高速來執行模版遮罩 之應力修正，甚至在牽涉到大型線路圖案時亦然。 若已知材料的經歷以及模版遮罩的生產程序，即可推知 一模版遮罩的内部運作應力。變形可輕易藉一材料強度的 技術s十异’該技術係利用應力資訊以及線路圖案之形狀與 遮罩材料之特性等的資訊。由於模版遮罩係平板形式，故 可用平面應力分析（plane stress analysis)滿意地作為分析 方法，且通常係採用有限元素法（finiteilement methQd) 作為特定的計算方法。 為依據有限元素法執行平面應力分析，將該分析的物件 形狀分割成簡單的元素。若分析的物件為（例如）圖3人中所 示的一模版遮罩11(其構形包含單一大型模版孔12以及四個 小型模版孔13 )，則可將該模版遮罩丨丨表面除去該模版孔i 2 與13的部份分割成一群簡單三角形元素的集合，如圖3B* 所示。 雖然此類元素可能具有各種形式，諸如四邊形或在其側 邊具有需分析的節點之複雜元素，三角形仍是最簡單的形 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） _ 裝

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式’且表常使用。 在二角形元素的狀況中，需決定每一元素各節點（亦即， 在一三角形之i、j、k頂點）的位移量，如圖4中所示，又方 向應力造成的位移量係由Ui、Uj、Uk表示，γ方向位移量 則係由Vi、Vj、Vk表示，這些位移量可由應力分析決定。 在上述相關技藝中，可藉各節點之位移修正原始線路圖 案，以達所需線路圖案的形狀。因此，為決定一反向函數 等’需應用嚴格的數學處理，以決定需修正的量。然而， 如此將需進行複雜的處理，並涉及較實際需求更精確的計 算。 為消除上述缺點，則需執行如圖5之流程圖所示的程序。 請參考圖5，在此程序中，首先在步驟S1中準備好所需遮罩 圖案資料作為原始圖案，然後在步驟S2中將其複製以產生 第一-人修正圖案。接著，在步驟S3中對第一次修正圖案進 行一應力分析，將由此應力分析獲得的位移量視作負值修 正量，自原始圖案之各節點座標值中減去。該項減算的結 果被視為第二次修正圖案，並進行第二次修正圖案的應力 分析’再將此應力分析所獲得位移之結果與原始圖案之間 的差異在步驟S4中進行計算。若其差異在一允許範圍内（步 驟S5判定「是」），則於步驟S6將相關之箄二次修正圖案輸 出，據此結束程序。然而，若其差異超出允許範圍外（步驟 S5判定「否」），則會將該差異值自第二次修正圖案之節點 座標值中減去，以在步驟S7中產生第三次修正圖案，從此 處理程序回到步驟S 3，以再度於步驟S 3中執行應力計算， 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 548713 A7 B7 五、發明説明（5 ) 並於步驟S4處計算差異。接著，於步驟S5中再度檢查該差 異是否在允許範圍之内。重複動作直到差異值落於允許範 圍之内，即可產生具有所需圖案且甚少變形的模版遮罩。 具體而言，若於如圖6A中所示之實際模版遮罩上產生與 所需圖案形狀相同的一模版孔12a(由交替之長短劃線條表 示），則其内部應力（在所示實例中為張應力）在該模版孔的 接合處釋放形成一實際模版孔12b，其弧形輪廓係由一實線 表示。若將位移量列入考慮，產生如圖6B中所示預先彎向 内側的一模版孔12c(由交替之長短劃線條表示），則其内部 應力在該模版孔的接合處釋放，且由於該位移使其形成一 實際模版孔12d，其具有由實線表示之直線邊緣理想圖案。 如上所述，依據應力分析程序中普遍採用的有限元素 法，將一複雜形狀分割成簡單元素以利分析。由於分割的 結果，元素的數目變得相當大，而（例如）在圖3A及3B之模 舨遮罩（僅有五個孔的圖案）的形狀實例中，其形狀係由超過 200個的元素表示。 在有限元素法中，由於每一頂點的X軸方向及Y軸方向的 位移量皆須計算，故需進行作業以解決方程式總數等於節 點總數兩倍的聯立線性方程組。於圖3B的實例中，節點的 總數約為150，而為此包含五個孔的模版遮罩之應力分析， 需解決包含300個未知數的聯立線性方程組。 實際LSI的線路圖案牽涉極大數量的圖形結構，例如： 0.18微米世代的一接點層約包含每一晶片1〇〇,〇〇〇,〇〇〇個 的圖形結構。若將上述具有如此大量圖形結構之線路圖案 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 548713 A7 B7 五、發明説明（6 ) 的模版遮罩分割成元素，則將獲得更大數量的元素。 在分析階段等之此種分割產生的元素資訊所建立的聯立 線性方程組，係由一矩陣表示。雖然可運用各種有效的解 決方法，但即使採用了這些解法，對如此極大的元素數量 仍需不切實際的長時間計算。 發明概要 本發明的一項目標即欲提供一種可在一實際上可行之較 短時間週期中執行一模版遮罩圖案修正以產生之模版遮 罩、一種製造該模版遮罩的方法、使用該模版遮罩製造之 半導體裝置以及製造該半導體裝置的方法。 一種依據本發明的製造模版遮罩的方法，其步驟包含： 利用平面應力分析對每一模版孔圖案計算自模版遮罩中之 模版孔開口的模版孔形狀，以計算結果為基礎修正孔之圖 案以獲得所需圖案形狀，並在該模版遮罩中以該圖案形狀 為基礎形成所需的圖案形狀，該計算步驟僅計算尺寸等於 或大於一預設尺寸的模版孔圖案之位移量。依據本發明， 其亦提供以製造方法產生的一模版遮罩、使用該模版遮罩 製造之半導體裝置以及製造該半導體裝置的方法。 以下將詳細說明本發明 本發明欲在一實際模版遮罩上形成所需線路圖案，其方 法為：依據所需形成之圖案在一實際模版遮罩上修正所需 形成圖案結構之模版遮罩圖案資料。 此係因為：若係使用與所需圖案相同之模版遮罩圖案資 料以形成圖案，且係以該圖案資料為基礎在一實際模版遮 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

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罩上形成圖案，則在該模版遮罩上將無法形成一精確圖 案，因該模版遮罩之内部應力等將如上述地使該模版遮罩 出現變形。 如上所述，當以有限元素法等執行一平面應力分析以修 正模版遮罩圖案資料時，若對所有相關模版孔圖案進行應 力分析係，則將需要如此長且不可能實際實施的時間週 期。因此’雖然有可能進行精確的圖案修正，但以有限元 素法進行平面應力分析卻無法應用於工業上。 本發明之發明人創造本發明，係針對減少平面應力分析 所需時間週期進行調查，以使工業應用平面應力分析執行 模版遮罩之圖案修正成為可行。 在進行實際LSI之半導體裝置的模版遮罩製造時，係選用 一種承受應力時不會產生太大變形的材料作為模版遮罩的 材料，並使該遮罩的厚度盡量減小。然而，該遮罩的厚度 在某種程度上仍係大於該LSI上半導體裝置的許多圖形結 構。因此，在LSI上對應於一小型圖形結構的模版遮罩上的 一模版孔形狀變化甚小，應可將其忽略。換言之，尺寸小 於一預設尺寸的模版孔，其形狀位移的量係落在允許範圍 内，即使將代電離子束照射於模版孔未執行修正的半導體 裝置上，仍可在該半導體裝置上形成實質上形狀與所需圖 案相同的圖案。因此，即使將尺寸小於預設尺寸之模版孔 圖案資料形狀的應力分析省略，其對這些模版孔形狀精確 度的影響甚小。 本發明中所謂「預設尺寸」，係取決於每次產生目標半 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） _ 裝 訂

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導體裝置之模版遮罩設定允許的尺寸精確度，以及受應力 下圖案變化_度（決定於模版料㈣料和厚度）之㈣關 係。 在此處，一遮罩所允許的尺寸精確度，係根據一目標半 導體裝置之圖案允許的位移範圍所計算，並依據該半導體 裝置等的應用所設定者。同時，受應力下電路圖案的變異 程度可由學理計算，或藉實驗決定。 裝 如此，在本發明中，可尺寸小於一預設尺寸的模版孔， 使其幵> 狀灵質上不致產生形狀的變形。然而，模版孔的位 置位移則不能加以忽略，因其受圍繞於該模版孔周圍之模 版孔影響顯示出累積的變形值。因此，針對每一小型圖形 結構位置位移量進行計算，其係根據先前的應力計算所得 之環繞該小型圖形結構的一節點的位移量，經簡單的線性

插值法並將節點到該小型圖形結構的距離列入考慮計算而 得。 小型圖形結構的位移極小，而其位移的影響關係到該 LSI之晶片等級整體區域中此種位移的累積結果。因此，嚴 格執行插值法的意義不大，但簡單線性插值法仍可當作必 要且滿意的插值法。 另外’在本發明中，雖寄望能自應力分析的物件形狀中 移除大量小型圖形結構以減少分析時間，然由大量小型圖 形結構產生的累積位移量則未列入考慮。 在本發明中，由於注意到下列常用於一有限元素法中的 基本關係式，故消除或減弱了上述缺點： _ -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 548713 A7 B7 五、發明説明（9 ) {p} = At [B]T [D] [B] {d} 其中{p}為加諸一節點之外部力量的向量，A為一元素的 面積，t為該元素的厚度，[B]為該元素之一位移-變形矩 陣，[6]7為|^]之一移項後矩陣，[D]為該元素之一應力-變形矩陣，而{d}則為該節點之一位移量向量。 由上述表示式可看出，該元素之體積At(面積X厚度）可 直接藉乘積影響整個表示式。由此式可進一步精確計算小 型圖形結構每一元素的變形，利用尺寸小於該預設尺寸並 自該元素内部移除的模版孔造成體積的變異，並反映在At 上。同時，亦可由此認識該分析的運作，假設位於受移除 之模版孔部份的元素具有想像中的一縮小之厚度。 雖然在一分析元素之體積上反映受移除之小型圖形結構 並非基本的要求，但若其係與針對尺寸大於預設尺寸之模 版孔的位移量一起計算（此係本發明的基本要求），則較之另 一種所有模版孔皆執行位移計算的狀況，模版遮罩的圖案 修正可以更高精確度執行，或幾乎不會降低精確度。 可藉照射一帶電粒子束於本發明之模版遮罩上產生具有 所需線路圖案的半導體裝置，使通過該模版遮罩之帶電粒 子束可照射於一半導體裝置的表面上，以在該半導體裝置 表面上形成相關於所需模版遮罩之圖案的圖案形狀。 圖式簡單說明 將參考以下說明及附圖來說明本發明的這些及其他目 標，其中： 圖1為一平面圖，顯示將依據本發明用於一模版遮罩之製 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 548713 A7 B7 五、發明説明（10 ) 造的模版遮罩圖案分割成大量三角形元素，以利有限元素 法之分析的實例； 圖2A顯示在執行過應力分析後，具有弧形輪廓的一模版 孔圖案，圖2B則係顯示圖2A之模版孔圖案在執行過逐步修 正後的情形； 圖3 A顯示具有一大型模版孔及數個小型模版孔的模版遮 罩之規劃圖，圖3B則係顯示將圖3A之模版遮罩利用習知方 法分割成元素，以根據有限元素法分析該模版遮罩的規劃 圖， 裝 圖4顯示在分割成三角形的狀況中，用以計算一三角形之 節點的各種變數； 圖5為利用應力分析法的位移量修正程序之流程圖；以及

線 圖6A顯示當以模版遮罩圖案資料形成一模版孔（由交替之 長短劃線條表示）時，所實際形成的一模版孔（由實線表 示），圖6B則顯示將圖6A之結果考慮進去以形成一彎向内 側之模版孔（由交替之長短劃線條表示）時，所實際形成的一 模版孔（由實線表示）。 較佳具體實施例詳細說明 下文將參考圖1、2A及2B以說明運用本發明的一模版遮 罩之製造方法。 首先請參考圖1，其中顯示具有單一大型模版孔圖案1與 四個小型模版孔圖案2的一矩形模版遮罩圖案3。除了大型 模版孔圖案1之外，該模版遮罩圖案3被分割成三角形的元 素，此係假定僅存在單一模版孔圖案1，而忽略掉四個小型 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 548713 A7 B7 五、發明説明（n ) 模版孔圖案2的存在。 在所示的該模版遮罩圖案3中，（例如）該大型模版孔圖案 1的形狀係每邊10微米的一正方形，小型模版孔圖案2的形 狀則為每邊100奈米的正方形。模版孔圖案1與2的數量及配 置，實質上係與圖3B的模版遮罩11中者相同。 依據有限元素法的應力分析，由於每一元素僅執行一簡 單分析，故在估計應力變化甚大之部份（應力可能集中之 處），或最好能執行簡要分析的部份，將一模版遮罩圖案分 割成相對較小的元素，尤其圖1中圍繞在大型模版孔圖案1 周圍的部份。圖1中的分割結果，大約產生120個的元素。 另一方面，在圖3B中所示的習知有限元素法對模版遮罩 11的應力分析中，對全部大型模版孔12以及小型模版孔13 皆進行了元素的精細分割，尤其對其周圍部份，而對環繞 小型模版孔13周圍則進行了更進一步的元素精細分割。圖 3B中的分割結果，大約產生200個的元素。 對圖1與圖3B之有限元素法元素分割的比較顯示：圖1中 由於省略了對四個小型模版孔圖案2的應力分析，故其元素 數量約減少了 80個。 雖然圖1的實例因其並未包含及多圖案故未展現極大圖案 數量的縮減，但隨著此種圖案數量的增加，其數量縮減的 效應將逐漸增加。 由上述此種程序獲得的修正量的值，係代表個別節點應 獨立修正的程度。若直接取用這些值進行修正，則該大型 板版孔圖案將如圖2A中所示一般，變成具有桶狀輪廓的一 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 548713 A7 B7 五、發明説明（12 ) 弧線la。若產生了許多如上所述此種包含彎曲線的圖形結 構，則將增加遮罩資料程序及/或遮罩製造程序的負荷。對 遮罩資料程序所加的負荷將引起處理時間的浪費，而遮罩 製造程序上的負荷則將引起所製造遮罩精確度的下降。 因此，修正程序所允許的精確度係決定於遮罩製造所允 許的精確度，而允許修正的高度則係參考如此決定的精確 度值。接著，以如此決定的允許高度將彎曲線代表的部份 修正成階梯狀輪廊線’如圖2B中所示，使其僅包含垂直和 水平直線1 b，而消除掉該彎曲線。因此，不僅在資料處理 程序中，同時在遮罩製造上，亦已消除了彎曲線所造成的 額外負擔。 此處將就依據本發明及相關技藝的模版遮罩圖案修正進 行模擬，以計算其縮短的時間。 假設有一 0.07微米世代，約包含8〇〇,〇〇〇,〇〇〇個小型圖形 結構（模版孔）的電路圖案，並假設在圖3之四個矩形的小型 模版孔圖案周圍，會在有限元素分析中直接受其小型模版 孔圖案影響的三角形元素數量約為丨〇〇個。因此，對此 800,0〇〇,〇〇〇個小型圖形結構，即需總計2〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇 個的三角形。 另一方面，依據本發明之一實例，整個遮罩係僅依據尺 寸類似大型圖案結構而形狀變異不可忽略之元素圖案進行 均勻分割。由於在一 LSI中所包含的大型圖形結構數量甚 少’其數量實質上等於將整個不含圖案的遮罩均勻分割所 得之數量。其尺寸估計為1〇微米。若假設遮罩上待分析區 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) M規格 548713 A7 B7 五、 發明説明（13 ) 域的大小為現有微影蝕刻設備的最大尺寸，則其在一晶圓 上即為22毫米X 22毫米的尺寸。若將此22毫米X 22毫米 的區域分割成10微米的方塊，則可得4,840,000個方塊。若 將此數字以分割轉換成三角形，將得到雙倍的數字，即約 10.000. 000個三角形。 有限元素分析相當於解聯立線方程組的問題，其未知數 的數量係隨著元素數量成等比例增長，且此程序所需計算 之複雜程度一般係以O(nlogn)表示。因此，若 20.000. 000.000的元素數量能縮減1/2000 ，即 裝 10.000. 000個，貝丨J可將處理時間縮減為其1/3000 〇 雖然已利用特定方式來說明本發明的較佳具體實施例， 但是此類的說明僅供解說用途，並且應明白可進行各種變 更及修改，而不會脫離下列申請專利範圍的精神及範疇。 訂

-16-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

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   • 一種製造一模版遮罩的方法，其步驟包括^ #利用平面應力分析計算每_模版孔圖案之模版遮罩中 模版孔開口的模版孔形狀之位移量； 以該計算結果為基礎修正孔的圖案，以獲得一所需圖 案形狀；以及 以該圖案形狀為基礎，在該模版遮罩中形成一所需之 圖案形狀； 該計算步驟僅計算尺寸等於或大於一預設尺寸的模版 孔圖案之位移量。 2·如申請專利範圍帛i項之製造一模版遮罩的方法，其中 除了，計算尺寸等於或大於—預設尺寸的模版孔圖案之 位移量之外，其修正步驟亦進行尺寸小於預設尺寸之模 版孔圖案的位置位移量修正。 3·如申請專利範圍第2項之製造一模版遮罩的方法，其中除 了僅計算尺寸等於或A於-預設尺寸的模版孔圖案之位 移量之外，利用平面應力分析的應力關係式{p}= At [B] [D] [B] {d}(其中{p}為加諸一節點之夕卜部力量的向 量，A為一元素的面積，t為該元素的厚度，[B]為該元 素之一位移·變形矩陣，[Β]τ為[B]之一移項後矩陣，[D] 為該7C素之一應力-變形矩陣，而{d}則為該節點之一位 移量向量），該計算步驟對尺寸小於預設尺寸的每一模版 孔圖案，在公式中對其分析的每一元素提供其模版孔圖 案體積上的一 At變異量，而不需圖案形狀資訊以執行位 移量之計算。 -17-

   548713 A B c D

   ABCD 548713 ------- 六、申請專利範圍 案形狀之輪廓的每一彎曲線及弧線皆經修改，其所修改 成之一階梯狀線的修正高度係小於一允許高度值。 9·種半導體裝置，其具有一表面，該表面上相關於一模 版遮罩上的一所需圖案形成一圖案形狀，該模版遮罩上 所需圖案形狀的形成，係根據僅計算尺寸等於或大於每 一模版孔圖案之一預設尺寸的每一模版孔圖案的開口位 移量所得之圖案形狀，並根據該計算結果修正該孔之圖 案；該圖案形狀的形成係藉照射一帶電粒子束於該模版 遮罩，使通過該模版遮罩之帶電粒子束可照射於該半導 體裝置的表面上。 10·如申請專利範圍第9項之半導體裝置’其形成圖案形狀所 利用之模版遮罩的形成，係除了僅計算尺寸等於或大於 預叹尺寸的模版孔圖案之位移量之外，亦進行尺寸小 於預設尺寸之模版孔圖案的位置位移量修正。 11·如申請專利範圍第1〇項之半導體裝置，其中形成該圖案 形狀所利用的該模版遮罩的形成，係除了僅計算尺寸等 於或大於一預設尺寸的模版孔圖案之位移量之外，利用 平面應力分析的應力關係式= At [b]t[d][b] {d}(其中{p}為加諸一節點之外部力量的向量，A為一元 素的面積，t為該元素的厚度，[B]為該元素之一位移· 變形矩陣，⑺广為巧]之一移項後矩陣，[D]為該元素之 一應力·變形矩陣，而{d}則為該節點之一位移量向量）， 該計算位移量之步驟並對尺寸小於預設尺寸的每一模.版 孔圖案，在公式中對其分析的每一元素提供其模版孔圖 -19- 本紙張尺度適财SS家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

   548713 申請專利範圍 案體積上的—At變異量，而不需圖案形狀資訊。 Π•如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中該圖案形狀係 利用該模版遮罩所形成，其中所形成之所需圖案形狀之 輪廓的每-彎曲線及弧線皆經修改，其所修改成之一階 梯狀線的修正南度係小於一允許高度值。 13· -種製造-半導體裝置的方法，其步驟包括以一帶電粒 子束照射一模版遮罩，在該模版遮罩上形成一所需圖案 形狀，該所需圖案形狀的形成，係根據僅計算尺寸等於 或大於每模版孔圖案之一預設尺寸的每一模版孔圖案 的開口位移量所得之圖案形狀，並根據該計算結果修正 該孔之圖案，使通過該模版遮罩之帶電粒子束可照射於 該半導體裝置的表面上，以在該半導體裝置之表面上依 據該模版遮罩之所需圖案形成一圖案形狀。 14·如申請專利範圍第13項之製造一半導體裝置的方法，其 所利用之模版遮罩的形成，係除了僅計算尺寸等於或大 於預5又尺寸的模版孔圖案之位移量之外，亦進行尺寸 小於預設尺寸之模版孔圖案的位置位移量修正。 15·如申請專利範圍第14項之製造一半導體裝置的方法，其 所利用之模版遮罩的形成，係除了僅計算尺寸等於或大 於一預設尺寸的模版孔圖案之位移量之外，利用平面應 力分析的應力關係式{p} = At [B]T [D] [B] 其中 {p}為加諸一節點之外部力量的向量，A為一元素的面 積’t為該元素的厚度，[b]為該元素之一位移-變形矩 陣’⑺厂為⑺]之一移項後矩陣，[D]為該元素之一應力 -20- 本紙張尺度適用巾® ®家標準(CNS) A4規格(21GX 297公嫠） A B c D 548713 七、申請專利範圍 -變形矩陣，而{d·}則為該節點之一位移量向量），該計算 位移量之步驟並對尺寸小於預設尺寸的每一模版孔圖 案，在公式中對其分析的每一元素提供其模版孔圖案體 積上的一At變異量，而不需圖案形狀資訊。 16·如申請專利範圍第13項之製造一半導體裝置的方法，其 中係利用該模版遮罩，其所形成之所需圖案形狀之輪廓 的每一彎曲線及弧線皆經修改，所修改成之一階梯狀線 的修正高度係小於一允許高度值。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)