TW548288B - Process for preparing polymer compound for resist - Google Patents

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Satoru Yoshida
Satoshi Kitano
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    • C08F12/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F12/02Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
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Description

548288 、發明說明, [發明所屬之技術領域] 本發明係有關於一種抗蝕劑用高分子化合物之製造方 、、套 \更洋而言之係有關於一種作為抗蝕劑等之感光性樹脂 或用以知到该感光性樹脂之先質之有用之抗蝕劑用高分子 化合物之製造方法。 [習知背景] 4 一羥苯乙烯之同元聚合物或共聚物等作為抗蝕劑等 之感光性樹脂或用以得到該感光性樹脂之先質是已知的。 這些聚合物之製造方法係已知的,如「乙烯基苯酚聚 &物之製迈法」(曰本特許公開公報特公平7 — 96569號公 報)’其特徵在於將經溶解於甲醇之4一乙醯氧基苯乙烯之 聚合物,於約40。(:至約8(TC之溫度中加水分解,並於足夠 產生苯酚基之時間使乙醯氧基與季銨鹼反應,接著,以約 50 C至約1 50 C之溫度加熱,並蒸餾除去於反應中所生成 之乙酸甲酯與氫氧化季銨之分解生成物者。 然而,為了提昇耐熱性、感度、解析度等之抗蝕劑性 能,以往係調整聚合物之組成比例或聚合物之分子量,或 減少對鹼性溶液之溶解殘渣,或特別進行特定化合物之聚 合物之修改以提昇解析度等。 [發明所欲解決之課題] 然而,若調整聚合物之組成比例或進行藉由修改而產 生之聚合物之親水性化,則產生抗蝕劑之薄膜減少或抗蝕 劑之線寬減少等問題。又’若降低聚合物之分子量,則雖 然提高對鹼性溶液之溶解性,然而聚合物之乾式蝕刻抗性 本紙張尺度適用中國國家標準(⑶幻A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、tr— :線- -4- 548288 A7 ~----- B7___ 五、發明說明(2 ) 卻降低。 又’上述特公平7 — 96569號公報中所揭示之技術係可 y> + 4 备本乙烯聚合物之利用或用途成為問題之殘存 金屬,然而,使耐熱性、感度、解析度等之抗蝕劑性能 H昇而不會伴隨抗蝕劑之薄膜減少、抗蝕劑之線寬減少、 聚口物之乾式蝕刻抗性減低等是困難的。 因此,本發明之目的係提供一種可提昇耐熱性、感度、 解析度等之抗蝕劑性能而不會伴隨抗蝕劑之薄膜減少、抗 蝕d之線寬減少、聚合物之乾式蝕刻抗性減低等之抗蝕劑 用高分子化合物之製造方法。 [解決課題之手段] 發明人為了達成上述目的銳意研究之結果,發現藉由 將一甲基一 2,2’ 一偶氮雙羧酸酯作為聚合引發劑,並將鹼 性觸媒加入所得到之至少以4一乙醯氧基苯乙烯系單體作 為構成單體之聚合物溶液中,於加水分解後以水洗淨者, 可解決上述課題,並完成本發明。 即,本發明係提供一種抗蝕劑用高分子化合物之製造 方法,其係將至少含有4一乙醯氧基笨乙烯單體之苯乙烯 系單體與二曱基一2,2, 一偶氮雙羧酸酯溶解於溶劑中,並 使苯乙烯系單體聚合,將鹼性觸媒加入所得到之聚合物溶 液中,並於加水分解後以水洗淨者。 藉由此種組成,可得到不會伴隨抗蝕劑之薄膜減少、 抗蝕劑之線寬減少、聚合物之乾式蝕刻抗性減低等而可提 昇耐熱性、感度、解析度等抗蝕劑性能之抗蝕 高分子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
548288 A7 -- ---B7 ___ 五、發明説明(3 ) 化合物之製造方法。 [發明之實施形態] 本發明所使用之苯乙烯系單體係至少含有4 一乙醯氧 基苯乙烯單體者。苯乙烯系單體係以下式(1) R1
(式中’ R1係表示氫原子、經基、碳數1〜6之烧基、碳數 1〜6之烧氧基或碳數2〜7之醯氧基,R2係表示氫原子或 甲基)所表示之化合物為佳。碳數1〜6之烧基、碳數ι〜6 之烷氧基、碳數2〜7之醯氧基係可為直鏈狀、分歧鏈狀之 任一者。R係以·基、碳數3〜5之烧氧基、碳數2〜4之 醯氧基尤佳,特別是以羥基、t 一 丁氧基、乙醯氧基更佳。 本發明中可使用4一乙醯氧基苯乙烯單體及依需要使用上 述苯乙稀系單體之1種以上。 二甲基一2,2’ 一偶氮雙羧酸酯係使用作為用以聚合上 述苯乙烯系單體之聚合引發劑。構成該二甲基—2,2,一偶 氮雙羧酸酯之羧酸殘基可為直鏈狀、分歧鏈狀之任一者, 以碳數2〜8者為佳,且以碳數2〜5者尤佳,特別是以2 一甲基丙氧基更佳。藉由使用二甲基—2,2, 一偶氮雙羧酸 酯作為聚合引發劑,可得到不會伴隨抗蝕劑之薄膜減少、 抗蝕劑之線寬減少、聚合物之乾式蝕刻抗性減低等而可提 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-6 - 548288 548288 者 甲 由 2 以 以 依
-------”-----”----------裝----- (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 、?Γ_ 線- 五、發明説明(4 ::熱性、感度、解析度等抗蝕劑性能之抗蝕劑用高分子 益以2,2’ —偶氮二異丁猜作為聚合引發劑時,則 乙婦本單發體明^製造方^係首先將至少含有I乙酿氧基苯 、、容解於^本乙婦系早體與二甲基一 2,2、偶氮雙羧酸酉旨 I單體::7 苯乙烯系單體聚合,調製構成苯乙烯 糸早體之早體之聚合物。 作為溶解苯乙烯系單體與二甲基一 而匕并π w χ ^ 5 偶虱雙羧酸 …使本乙烯系單體聚合之溶劑係只要可以溶解上述者則 無特殊限制,可使用一般之溶劑,然而,以未含有甲醇 為佳。具體而言,可列舉如:乙二醇單乙醚、丙二醇單 喊乙酸酯等。 - 聚合係使用如過氧化物、偶氮化合物等之公知之自 基觸媒’並可藉由如溶液聚合、懸浮聚合、乳化 : 體聚合等方法來進行。 苯乙稀系單體與二甲基一2,2,—偶氮雙羧酸酉旨之摻合 比(莫耳比)係以1〇0:;(〜_·· 3〇為佳,特別是以_ 〜100 ·· 2〇尤佳。反應條件係以為佳,特別是 室溫(25。〇〜100。(:尤佳,且以丨〜48小時為佳,特^ 3〜24小時尤佳。為了不使基團去除活性,反應容器内 以進彳于氣置換者為佳。 藉由適當地選擇這些反應條件,可將聚合物調製為 照用途不同之較佳之分子量。 _ 接著,將鹼性觸媒加入所得到之聚合物溶液中進行加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
R 548288 五、發明說明( 佳:周製羥ΓΛ烯聚合物。驗性觸媒係以4級胺氫氧 、、。4級胺氫氧化物係以下式表示。
R 丄
I
R η二之卩係碳原子* 1〜9之有機基。R可為脂肪族 ::族’且R相同或相異皆可。有機基亦含有羥乙基。 機基之^子有甲基、乙基、異丙基、丁基、t基、甲羊 ^ 羋土有用之氫氧化季銨之例子有氫氧化四曱錢、 虱乳化乙基三甲基錢、氫氧化二乙基二甲基錢、氫氧化三 乙基曱基銨、氫氧化四乙銨、氫氧化事基三甲基銨及膽驗。 較佳之氫氧化季銨係氫氧化四曱銨。 驗性觸媒之添加量係相對於苯乙烯系單體掺合量以1 〜20重量%為佳,且以卜5重量%尤佳。加水分解之條 件係以20〜1〇〇 C為佳,特別是以2代〜崎尤佳且以 1 1 〇小時為佳,特別是以3〜8小時尤佳。 接著,將戶斤知到之經苯乙稀聚合物含有液以水洗淨。 藉由以水洗淨’可製造不會伴隨抗钱劑之薄膜減少、抗餘 劑之線寬減少、聚合物之乾式蝕刻抗性減低等而可提昇耐 熱f生、感度、解析度等抗餘劑性能之抗餘劑用高分子化合 物。由於氮氧化季銨對於加熱不安定,因此於加水分解反 應後分解’成為低沸點分解生成物,並具有容易自反應溶 液除去之優點。然而,若僅藉由加熱進行分解除去,則不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 「-----「---------裝…… (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr— .線- 548288 五、發明説明(6 ) 易全除去氫氧化季銨。, — 取代藉由水、、H主 吏用糟由加熱分解除去來 曰時,則無法充分得到上述優異之 可添加任意量、任咅·……愛呉之效果。又, 〜一人數之水來進行洗淨。添加時之溫产 並無特殊之限制。另,亦 寸之咖度 — 穿了以適®之比例於水中摻合甲醇。
藉由以水洗淨後依昭一 …、叙之方法進仃精製、乾燥等, 可侍到抗蝕劑用高分子化合物。 、二-乙醯氧基苯乙烯係與苯乙烯同元聚合同樣輕易地 進仃同7C聚合’ 可與苯乙烯或與苯乙烯共聚性之其他單 體共聚合。 本發明中,可使上述苯乙烯系單體以外之化合物與苯 乙烯系單體同時共聚合。這些化合物可列舉# :乙烯甲苯、 a甲基笨乙稀、丁二婦等之二烯單體,丙稀酸甲酯、甲 基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁 醋及2—乙基己基丙烯酸酯等之丙烯酸酯,及甲基丙烯酸 酯單體、丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二 酸、反丁烯二酸等之聚合性酸,然而,以下式(2) 0
R3 ⑵ OR4 (式中,R3係表示氫原子或曱基,R4係表示碳數1〜6之烷 基或下式(3)〜(7)之任一者) 本紙張尺度適用中國國家標準(哪)A4規格(210X297公釐) -9- 548288 A7 —_________B7^_五、發明説明(7 )
所表不之化合物為佳。藉由以式(2)表示之化合物為單體並 聚合’產生提高解析度之效果。苯乙烯系單體與式表示 之化合物之摻合比並無特殊之限制。 藉由本發明之方法製造之抗蝕劑用高分子化合物可作 為用以形成抗蝕劑圖樣之抗蝕劑用樹脂來使用。抗蝕劑圖 樣係可藉由如製造含有該抗蝕劑用高分子化合物、光酸產 生劑與溶劑(例如:乳酸乙酯)之抗蝕劑液,並將該抗蝕劑 液塗布於基板上作成抗蝕劑薄膜,使該抗蝕劑薄膜曝光並 顯影來形成。 [實施例] 其久,顯示貫施例,進而詳細說明本發明,然而,本 發明並非限定於以下實施例者。 實施例1 (使用二甲基一2,2’ 一偶氮雙(2—丙酸甲酯)作為聚合 引發劑之4 一羥苯乙烯/4 —第三丁氧基苯乙烯聚合物之製 造) 將l〇〇g之乙二醇單乙鱗、78.6g之4 —乙醯氧基苯乙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、可I ;線丨 -10- 548288 A7 __ —______B7____ 五、發明説明(8 ) 埽、21.4g之4 一第三丁氧基苯乙烯、作為聚合引發劑之 3.7g之二甲基一 2,2,一偶氮雙(2 —丙酸甲酯)加入可分離式 燒瓶,進行氮置換後,以8〇°C反應16小時。於該反應液 中添加5g之25%氫氧化四曱銨,並以70°C加溫5小時。 為了除去低分子量低聚物及殘留單體,於該溶液中以任意 比例添加甲醇/純水並數次洗淨。洗淨後,以丙二醇單曱醚 乙酸酯進行溶劑置換,並得到400g之固體成分20%之4 一·本乙烯/4 一第三丁氧基苯乙稀聚合物之丙二醇單甲醚 乙酸酯溶液。 所得到之聚合物之分子量為30000。 實施例2 (使用二曱基一 2,2’ 一偶氮雙(2 —丙酸甲酯)作為聚合 引發劑之置換4一羥苯乙烯/4一第三丁氧基苯乙烯聚合物 之製造) 氮置換後,於實施例1中所得到之1 〇〇g之4 —羥笨乙 烯/4 一第三丁氧基苯乙烯聚合物之丙二醇單曱醚乙酸酯溶 液中添加1 · 1 g之乙基乙婦基鱗、〇 · 1 7 g之三氟乙酸,並以 室溫反應5小時。於所得到之反應溶液中添加〇 3g之三乙 胺並進行中和。中和後,於反應液中添加純水並進行洗淨。 反覆進行數次之洗淨。洗淨後於真空進行脫水,並以乳酸 乙酯進行溶劑置換,得到l〇〇g之置換4一羥苯乙烯/4〜第 二丁氧基本乙婦¾^合物之乳酸乙自旨溶液。 比較例1及2 比較例1係於實施例1中,除了使用2,2,一偶氮二異 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公董) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -、?τ· -線丨 -11 - 548288 A7 £7_____ 五、發明説明(9 ) 丁腈以取代二甲基一 2,2, 一偶氮雙(2_丙酸甲酯)之外,其 他作成與實施例1相同’得到4 0 0 g之4 一經苯乙稀/ 4 一第 三丁氧基苯乙烯聚合物之丙二醇單甲醚乙酸酯溶液。所得 到之聚合物之分子量為30000。 比較例2係於實施例2中,除了使用2,2’ 一偶氮二異 丁腈以取代二甲基一 2,2’一偶氮雙(2—丙酸甲酯)之外,其 他作成與實施例2相同,得到1 〇〇g之置換4 —羥苯乙烯/4 —第三丁氧基苯乙稀聚合物之乳酸乙酯溶液。 試驗例1 (抗蝕劑圖樣之形成) 將5g之光酸產生劑雙(環己磺醯基)重氮曱烷溶解於實 施例2及比較例2中所得到之1 〇〇g之置換4 —羥苯乙烯/4 —第三丁氧基苯乙烯聚合物之乳酸乙酯溶液中,並調和抗 蝕劑液。使用0· 1 μιη之濾膜器過濾該抗蝕劑液,並作成抗 蝕劑液。使用離心式撒佈器將該抗蝕劑液塗布於石夕晶圓 上,並使其於熱板進行90°C、90秒之乾燥,製造膜厚〇·5μιη 之抗蝕劑薄膜。使用縮小投影曝光裝置於該薄膜進行曝光 後,進行litre、90秒之加熱,接著以2.38%之氫氧化四 甲銨水溶液進行顯像30秒,並以純水清洗。 藉由下述方法評價顯像後之抗蝕劑圖樣之圖樣形狀、 解析度、感度、溶解殘渣及耐熱性。結果係顯示於表i。 (圖樣形狀) 將具有顯像後之抗蝕劑圖樣之矽晶圓放置於設定為各 種溫度之無塵烘箱30秒,之後以掃瞄式電子顯微鏡觀察抗 本紙張尺度適用中國國家標準(O^) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-12- 548288 A7 B7 五、發明説明(10 ) 蝕劑圖樣之形狀。 (解析度) 若以1 : 1解析0·25μιη之線與間隙之曝光量作為最佳 曝光量時,則以分離之線與間隙之最小線寬作為評價抗餘 劑之解析度。 (感度) 以1 : 1解析0·2 5μπι之線與間隙之曝光量作為最佳暾 光量。 (溶解殘渣) 以SEM(掃瞄式電子顯微鏡)照相判定有無。 (耐熱性) 加熱抗蝕劑圖樣時,以該抗蝕劑圖樣熱變形時之溫产 來表示。 [表1] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝— 、^τ— 實施例1 比較例2 圖樣形狀 〇
Γλ △ :線· 解析度(Mm) 0.13 0.18 感度(ni」/cm2) 35 40 有 溶解殘渣
耐熱性(U 135 130 由表1可知,若使用藉由本發明方法製造之抗蝕劑用 高分子化合物,則可提昇耐熱性、感度、解析度等抗蝕齊 性能。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) -13- 548288
發明説明 [發明之效果] 若使用本發明之製造方法,則可π ζί # ^ , 传到不會伴隨抗蝕劑 之薄膜減少、抗姓劑之線寬減少、聚人物 、 減低等而可提昇耐熱性、感度、解析,乾式蝕刻抗性 蝕劑用高分子化合物之製造方法。 r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、τ· :線丨 -14.

Claims (1)

  1. 2. 種抗蝕劑用高分子化合物 ,1 冬女Λ 之t造方法,其係將至少 各有4〜乙醯氧基苯乙婦單 其Λ 平餵之本乙烯系單體與二曱 :二2:偶氮雙竣酸酯溶解於溶劑中,並使苯乙稀系 :體…再將驗性觸媒加入所得到之聚合物溶液中 運仃加水分解後以水洗淨者。 :申請專利範圍第i項之抗餘劑用高分子化合物之製 方法其中一甲基—2,2’—偶氮雙绫酸酯係二曱基— ,2’〜偶氮雙(2—丙酸甲酯)。 、生申叫專利乾圍第丨項之抗蝕劑用高分子化合物之製 造方法,其中苯乙烯系單體係以下式(ι)
    (1) (式中,R1係表示氫原子、羥基、碳數i〜6之烷基、 炭數1〜1 2 3之烷氧基或碳數2〜7之醯氧基,R2係表示 氫原子或曱基)所表示者。 -15- 1 ·如申請專利範圍第1項之抗蝕劑用高分子化合物之製 造方法’其中溶劑係未含有甲醇者。 2 ·如申請專利範圍第1項之抗蝕劑用高分子化合物之製 造方法,其中鹼性觸媒係4級胺氳氧化物。 3 ·如申請專利範圍第1項之抗蝕劑用高分子化合物之製 造方法,其係使由下式(2) 本紙張尺度翻中_綠準(⑽M規格⑽χ297公爱) 548288 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ⑵ R3 OR4 (式中,R3係表示氫原子或甲基,R4係表示碳數1〜6 之烷基或下式(3)〜(7)之任一者)
    (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ⑷
    表示之化合物與苯乙烯系單體同時共聚合者 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) -16-
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20040242798A1 (en) * 2003-05-08 2004-12-02 Sounik James R. Photoresist compositions and processes for preparing the same
JP4670480B2 (ja) * 2005-05-26 2011-04-13 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物、転写フィルムおよびメッキ造形物の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4689371A (en) 1986-07-07 1987-08-25 Celanese Corporation Process for the preparation of poly (vinylphenol) from poly (acetoxystyrene)
EP0277721A3 (en) * 1987-01-28 1989-03-15 Hoechst Celanese Corporation Emulsion polymerization of 4-acetoxystyrene and hydrolysis to poly(p-vinylphenol)
JPH0322932A (ja) 1989-06-19 1991-01-31 Mitsui Petrochem Ind Ltd アスパラガス属植物のクラウン形成及び増殖方法、並びに、種苗増殖方法
US5239015A (en) * 1990-06-29 1993-08-24 Hoechst Celanese Corporation Process for making low optical density polymers and copolymers for photoresists and optical applications
HUT64986A (en) * 1990-06-29 1994-03-28 Hoechst Celanese Corp Process for the production of polymers and copolymers with low optical density for use as photoresisting material
JPH0796569A (ja) 1993-09-29 1995-04-11 Suzuki Mokuzai Sangyo Kk パネル
WO1999040132A1 (fr) * 1998-02-09 1999-08-12 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Procede de production d'un polymere de p-vinylphenol faiblement colore

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