TW543046B - Inductor component having a permanent magnet in the vicinity of magnetic gap - Google Patents

Description

543046 五、發明説明（1 ) (發明之背景） (發明之領域） 本發明係關於含有捲繞於磁蕊上之線圏之磁性元件，更 具體言之，係關於使用在各式電子設備及電源上利用直流 偏胃（DC bias)以減少鐵蕊損失之電感器構件，如電感器及 變壓器等。 (關聯技術之敘述） 近年，各式之電子設備之尺寸及重量日趨縮減。因此， 對電子設備之整體體積，這種電子設備之電源單元之相對 之體積百分比日趨增加。這是由於在大型積體電路（LSIs) 內陸續收容各式電路之際，不易同時減少電源單元上不可 缺少之磁性部件，如電感器及變壓器之尺寸之這項實情使 然。因此，逐有各種企圖減少電源單元之尺寸及重量之各 種方法。 磁性元件，如電感器及變壓器（以下總稱爲f’電感器構件”） 能藉減少由磁性材料形成之磁蕊體積而有效地減少尺寸及 重量。 大體上，減少磁蕊之尺寸容易造成磁蕊之磁飽和，這會 造成降低電源能處理之電流値之問題。 解決此項問題之方法，已知之技術係在磁蕊內設置磁源 ，藉此增加磁蕊之磁阻及阻止電流値之減少。但是，瞭解 到這種措施同時也引起磁性部件之磁感抗變壞。 已知有各種阻止電感器構件之磁感抗變壞之方法，諸如 在磁源附近配置永久磁鐵之方法（下文簡稱爲”以往技術1") 543046 五、發明説明（2 ) ’使用永久磁鐵橋接磁隙之方法（參閱日本未審查之新式 樣公報第54-1 52957)，或在磁隙上設置永久磁鐵以將其連 接起來之方法（參閱日本未審查之專利申請公報第 •7? 1-1 69905，以下稱爲”以往技術2”），藉此施加DC偏^及 增加磁通密度之變化，從而增加處理之電力。 以往技術2敘述有關使用永久磁鐵以產生磁偏倚之磁蕊 之構成技術。此技術係關於使用永久磁鐵將DC磁偏倚施 加於磁蕊之技術，結果增加能穿透磁隙之磁力線之數目。 但是’若係以往技術1使用具有高飽和磁通密度（B)之 材料，例如，娃鋼（Silicone steel)，高導磁合金（permalloy) ，非晶材料（amorphous material)，作爲阻流線圈之磁蕊之 情形時由燒結材料，例如Sm-Co或Nd-Fe-B等之烯土磁 鐵作成之永久磁鐵，之金屬磁性材料，即使用位在磁路之 外也會因磁蕊之高磁通密度而由渦流損失產生熱，進而永 久磁鐵之性質變壞。 另外，有關以往技術2之電感器之磁蕊之組態，捲繞在 磁蕊上之線圈所產生之磁通因係通過在磁隙內之永久磁鐵 ，致造成永久磁鐵去磁之問題。再者，自來碰到之問題是 插設在磁隙內之永久磁鐵之形體愈小，由於外部之因素去 磁效應愈大。 (發明之槪述） 因此，本發明之一個目係提供一種電感器構件，其中對 放置之磁鐵之形體幾無限制，抑制磁鐵由於捲繞在磁蕊上 之線圈所產生之磁通而產生之熱，及其中性質不變壞。 -4- 543046 五、發明説明（3 ) 依本發明，提供一種電感器構件，其包括具有至少一個 磁隙之磁蕊，配置在磁蕊上俾在磁蕊上形成磁路之激磁線 圈，及配置在至少一個磁隙之附近之永久磁鐵。本發明永 久磁鐵係疊置在由具有比磁蕊者小之導磁係數及少渦流損 失之軟磁性材料形成之第1軟磁性材料件上。 圖式簡單說明 第1A圖係示出以往技術1之阻流線圏之透視圖； 第1 B圖係爲第1 A圖所示之阻流線圈之正視圖； 第1 C圖係爲第1 A圖所示之阻流線圈之側視圖； 第2圖係爲第1A圖至1C圖所示之阻流線圈之分解透 視圖； 第3圖係示出以往技術2之磁性部件之透視圖 第4A圖係爲示出本發明之第1實施例之電感器構件之 透視圖； .第4B圖係爲第4 A圖所示之電感器構件之正視圖； 第4C圖係爲第4A圖所示之電感器構件之側視圖； 第5圖係爲第4A圖所示之電感器構件之分解透視圖； 第6A圖係爲本發明之第2實施例之電感器構件之透視 圖； 第6B圖係爲第6 A圖所示之電感器構件之正視圖； 第6C圖係爲第6A圖所示之電感器構件之側視圖； 第7圖係爲第6A圖至6C所示之電感器構件之分解透 視圖； 第8A圖係爲本發明之第3實施例之電感器構件之透視 543046 五、發明説明（4 ) 圖； 第8B圖係爲第8 A圖所示之電感器構件之正視圖； 第8 C圖係爲第8A圖所示之電感器構件之側視圖； 第9圖係爲第8A至8C圖所示之電感器構件之分解透 視圖； 第10圖係爲本發明第4實施例之電感器構件之透視圖； 第Π圖係爲第10圖所示之電感器構件之磁蕊之分解透 視圖； 第12A圖係爲第10圖所示之電感器構件之平面圖； 第12B圖係爲第1〇圖所示之電感器構件之正視圖； 第1 2C圖係爲第1 〇圖所示之電感器構件之側視圖；及 第1 3圖係爲示出本發明之第1實施例之電感器構件之 DC重疊性質之圖。 (良好實施例之敘述） 在敘述本發明之實施例之前，先參照第1A圖至第3圖 敘述以往技術之磁性部件俾利瞭解本發明。 參照第1A至1C圖，以往技術· 1之阻流線圈13包含由 U-型軟磁材料形成之磁蕊1 5及隔著絕緣薄片1 7捲繞在磁 蕊上之激磁線圈1 9。另外，在磁蕊i 5之相互面對之磁極 2 1及25之一，亦即磁極2 1之緣之側面上附著一永久磁鐵 23。 參照第2圖’激磁線圏1 9係捲繞導線在絕緣薄片1 7上 後裝設在由U-型軟磁材料作成之磁蕊丨5之一個磁極2 ；[ 上而形成爲阻流線圈1 3。接著，將永久磁鐡23附裝於一 543046 五、發明説明（5 ) 對磁極中之一個磁極21之緣之正前。附帶說明於永久磁 鐵23上有附註符號N及S，箭頭29係表示磁場之方向。 參照第3圖，有關以往技術2之磁性構件，永久磁鐡 33係插設在設於一對U-型磁蕊3 1間之兩個磁隙之每個磁 隙內。對於電感/DC重疊電流性質，以往技術2係藉插設 永久磁鐵33進入磁隙內而能在大電流値下維持高磁電感 値。 下面將參照第4至第13圖詳述本發明。 本發明之電感器構件包括含有至少一個磁隙之磁蕊，配 置在磁蕊上俾在磁蕊上形成磁路之激磁線圈，及配置在至 少一個磁隙附近之永久磁鐵。在電感器構件上，永久磁鐵 係疊置在具有比磁蕊者小之導磁係數及少之渦流損失之軟 磁性材料形成之第1軟磁性材料件上。 有關此電感器構件，每只永久磁鐵之一個緣面係良好地 分別經第1軟磁性材料接合於形成磁蕊之至少一個間隙之 兩側面之各個側面，至於兩個永久磁鐵之另外緣面係藉由 具有比磁蕊者小之導磁係數及少渦流損失之軟磁性材料形 成之第2軟磁性材料件而連接。 另外’有關電感器構件，良好的是由U-型磁蕊形成間 隙，在一對磁蕊間形成多數間隙。 另外’有關此電感器構件，良好地在C-型磁蕊之每個 緊鄰緣面形成間隙。 再者，有關此電感器構件，良好的是其係被用作爲阻流 線圈。 -7- 543046 五、發明説明（6 ) 本發明使用之永久磁鐵係爲由具有1 0kOe(79kA/m)或以 上，500°C Tc或以上之自然保磁力（natural coercive force) ，2.5至50μιτι之平均粒徑，30%或上體積之樹脂及lDcm 或上之電阻係數（specific re si stance)之稀土磁鐵粉末所形 成之膠結磁鐵（bond magnet)。更良好的是，稀土合金之成 份係爲 Sm(C〇bal.Fe〇.i5_0.25Cu〇.〇5-0.06Zr〇.〇2-0.03)7.0-8.5，膠 結磁鐵使用之樹脂型式係具有添加於稀土磁鐵粉末之有機 桂院偶合劑（silane coupling agent)及欽偶合劑之聚醯胺樹 脂（polyimide resin)，環氧樹脂，聚苯亞硫酸鹽樹脂 (polyphenyl sulfite resin)，石圭樹月旨（silicone resin)，聚酉旨 樹脂（polyester resin)，芳香族尼龍（nylon of aromatics)， 或化學聚合物（chemical polymers)之一，並在製造膠結磁 鐵之際藉磁配向（magnetic orientation)賦與各向異性 (anisotropic)性質俾達成高品質，其中在裝配後將膠結磁 鐵在2.5T或更強之磁化場下進行磁化，結果得出優良之 DC重疊性質，同時在磁蕊損失無變壞下形成磁蕊。 這是因自然保磁力在爲了獲得優良之DC重疊性質之磁 鐵性質上係比能量產品更爲需要使然，因此，只要自然保 磁力高，縱使使用高電阻係數之永久磁鐵仍能獲得充份高 之DC重疊性質。

具有高電阻係數及高自然保磁力之磁鐵大體上能自藉混 合稀土磁鐵粉末與黏劑作成之稀土結合磁鐵獲得，但是成 份只要是具有高保磁力之磁鐵粉末，任何成份皆可使用。 稀土磁鐵粉末之型式包括SmCo型，NdFeB型，及SmFeN 543046 五、發明説明（7 ) 型，但是當考慮逆流條件及抗氧化時則需要Tc爲500°C 或以上及保磁力爲lOkOe或以上之磁鐵，因此，目前理想 的是 Sm2Co 17。 下面將參照第4至1 3圖敘述本發明之實施例。 參照第4圖，本發明第1實施例之電感器構件37包含 磁蕊45及激磁線圈47。磁蕊45係爲具有底部39及從底 部3 9之末端朝相同方向延伸之一對磁極4 1及4 3。能用作 爲磁蕊45之材料包含金屬軟磁性材料，如硅鋼，非晶材 料，高導磁合金等，或如MnZn或NiZn肥粒鐵（ferrite)等 之軟磁性材料。 激磁線圈47係捲繞在磁蕊45之磁極之一上。激磁線圈 47具有隔絕緣薄片49，如絕緣紙，絕緣帶，塑膠薄片等 而捲繞在磁極上之模形。 另外，由長方板型之軟磁性材料作成之軟磁性構件51 係設在磁蕊45之一個磁極43之末端之一個側面上。再者 ’在軟磁性構件5 1上設有相同形狀之永久磁鐵53。 軟磁性構件5 1係爲一種具有比磁蕊45者小之導磁係數 及少渦流損失之材料，例如，粉末軟磁性材料，如硅鋼， 非晶材料，高導磁合金等。另外，膠結磁鐵或稀土燒結構 件’如Ba或Sr肥粒鐵或SmCo，NdFeB等係被用作爲永 久磁鐵5 3。 參照第5圖，電感器構件37係藉將激磁線圈47隔絕緣 薄片49裝設於磁蕊45之磁極之一上而製成，永久磁鐵53 係經軟磁性構件5 1配置在設有激磁線圈47之磁極之側面 543046 五、發明説明（8 ) 上。附帶一提箭頭55係表示磁場之方向。 有關具有這種組態之電感器構件37，激磁線圈47形成 之磁場及形成偏倚磁場之永久磁鐵53係被軟磁性構件51 分隔，俾永久磁鐵53不受激磁線圈47形成之磁場之影響 ’沒有因磁場之渦流損失所產生之熱，從而永久磁鐵不受 去磁化等之影響，及能提供具有穩定及優良性質之高可靠 性之電感器構件37。 參照第6A至6C圖，相同之部件係用相同之符號表示 。本發明之第2實施例之電感器構件57，如第1實施例者 ，包括相同之U-型軟磁性構件之磁蕊45，及裝設在磁蕊 45之磁極43之一上之激磁線圈47。激磁線圈47具有隔 絕緣薄片49，如絕緣紙，絕緣帶，塑膠薄片等，捲繞在磁 極43上之模形。 另外，由長方板型軟磁性材料形成之軟磁性構件5 1各 配置在磁蕊45之磁極4 1及43之末端之相同側之側面上 ，如第1實施例者；相同形狀之永久磁鐵各設在前述側面 上。與第1實施例者相同，軟磁性構件5 1係爲導磁率及 渦流損失分別比磁蕊者小及少之材料。 再者，由與軟磁性構件5 1相同之材料形成並較軟磁性 構件5 1長之另外軟磁性構件59橋接兩個永久磁鐵53俾 連接永久磁鐵53。 參照第7圖，電感器構件係藉隔絕緣薄片46裝設在磁 蕊4 5之一個磁極4 3上之激磁線圈4 7，經軟磁性構件5 1 配置在兩個磁極之側面上之兩個永久磁鐵5 3，及橋接永久 -10- 543046 五、發明説明（9 ) 磁鐵5 3俾阻止磁通從永久磁鐵5 3洩漏之另外軟磁性構件 5 9而構成。箭頭5 5係表示磁場之方向。 藉這種組態，能具有第1實施例之優點，再者，能增加 永久磁鐵所產生之DC偏倚，進而增加處理之電力。 參照第8A至第8C圖，相同之部件係用相同之符號表 示。本發明之第3實施例之電感器構件61係與第1及第2 實施例者相同，包含相同之U-型軟磁性構件之磁蕊45及 裝設在磁蕊45之磁極43之一上之激磁線圈47。激磁線圈 47具有隔絕緣薄片49，如絕緣紙，絕緣帶，塑膠薄片等 ，捲繞在磁極43上之模形。 另外，由長方板型軟磁材料形成之軟磁性構件5 1各配 置於磁蕊45之磁極4 1及43之末端之兩側之側面上，亦 即在側面上配置相同形狀，總數爲4之成對軟磁性構件5 1 及4個相同形狀之永久磁鐵53。軟磁性構件5 1係與第1 及第2實施例者相同，由具有比磁蕊45者小之導磁率及 少渦流損失之材料作成。 再者，由與第1和第2實施例者相同之軟磁性構件5 1 形成並較軟磁性構件5 1長之兩個另外之軟磁性構件59係 分別橋接4個永久磁鐵53在相同側之兩個永久磁鐵之頂 面俾連接在該側上之永久磁鐵53。 參照第9圖，電感器構件係由隔絕緣薄片49裝設在磁 蕊45之一個磁極43上之激磁線圈47，經軟磁性構件51 配置在兩個磁極之兩側面上之永久磁鐵5 3，及橋接在每側 上之永久磁鐵53之另外軟磁性構件59所構成。箭頭55 -11- 543046 五、發明説明（1G ) 係表示磁場之方向。 有關具有本發明之第3實施例之這種組態之電感器構件 61，當然能具有第1及第2實施例者之優點，更甚者，能 增加永久磁鐵53產生之DC偏倚，進而增加處理之電力。 參照第10圖至第12C圖，相同之部件係用相同之符號 表示。本發明之第4實施例之電感器構件64包括從其之 下緣朝下突出之端子釘腳65 ;由具有通過繞組部份之中心 之未圖示之通孔之塑性材料形成之線圏筒管（coil bobbin)67 ; —對含有C型軟磁性構件之磁蕊45，每個磁 蕊45具有從兩側裝設於線圈筒管67之通孔（未圖示）之磁 極41及43 ;及裝設在設置磁蕊45之磁極43處之繞組部 之周邊之激磁線圈69。激磁線圈69具有藉塑性線圈筒管 之繞組部捲繞在磁極43之周邊之模形。 磁蕊45之相對磁極4 1及43各相互緊靠在一起。從線 圈筒管67露出之相對磁極41之緊鄰處留有間隙。總數爲 4之長方板型軟磁性材料之軟磁性構件5 1分成兩對裝設在 設有間隙之磁極41之緊鄰部份之兩側之1側面上。在前 述軟磁性構件5 1上另再裝設與軟磁性構件5 1者相同形狀 之另外之4個永久磁鐵53。軟磁性構件5 1係爲與第1至 第3實施例者相同，具有比磁蕊45小之導磁係數及少渦 流損失之材料。 再者，兩個由與第2及第3實施例者相同之軟磁性構件 5 1形成且比軟磁性構件5 1長之另外之軟磁性構件59橋接 在相同側上之永久磁鐵53俾連接該側上之永久磁鐵53。 -12- 543046 五、發明説明（11 ) 參照第11圖，電感器構件係依下述步驟製成：將磁蕊45 之一對磁極43裝設在其上捲繞有激磁線圈69之線圈筒管 67之通孔（未圖示）內並相互緊靠，將永久磁鐵53經軟磁 性構件51裝設於其間隔有間隙之另外一對磁極41之緣邊 之兩側，及在永久磁鐵53上另放置另外之軟磁性構件59 俾橋接成對之永久磁鐵53。箭頭55係表示磁場之方向。 下面將詳述具有第1及第2實施例之構成之本發明之實 施例之電感器構件之具體例。 製成第1及第2實施例之電感器構件。形成磁蕊45之 型軟磁性構件係用具有高飽和磁通，導磁係數爲 2xl(T2H/m，磁路長爲0.2m，及有效斷面積爲l(r4m2之硅 鋼（5 0μηι重捲磁蕊）（heavy-wind core)作成。長方磁極型之 軟磁性構件係由大小爲l〇xl〇x2mm，導磁係數爲 lxl(T4H/m及飽和磁通密度爲1T之粉末材料形成。永久 磁鐵具有保磁力爲398A/m或較強及殘留磁通密度爲it 或較大之性質。爲做比較，另以相同方式製造傳統技術之 電感器構件。 測定具有這種組態之電感器構件3 7之DC重疊性質。 第1 3圖示出測定之結果。於第1 3圖上，曲線71及73係 分別對應第1及第2實施例，而曲線75則對應傳統技術 之例。第1 3圖示出由於使用長方磁極軟磁性構件，DC重 疊性質無任可改變。 另外，測定在驅動頻率爲100kHz下之溫度性質，其結 果係示於下表1。 -13- 543046 五、發明説明（i2 ) 表1 溫度上昇 Δ T(°C ) U-型軟磁性 構件 長方磁極軟磁 性構件 永久磁鐵 傳統技術例 10 • 30 一 本發明 10 1 〇或以下 0 從表1得知本發明之實施例之電感器構件顯出能抑制永 久磁鐵產生熱。 如上述’依本發明之實施例，電感器構件在配置永久磁 鐵上幾無任何限制，其能抑制永久磁鐵由於捲繞在磁蕊上 之磁通而產生之熱，從而其性質不會變壞。 符號之說明 37,57,6 1，63 電感器構件 41 磁極 43 磁極 45 磁蕊 47,69 激磁線圈 49 絕緣薄片 51,59 軟磁性構件 53 永久磁鐵 65 端子釘腳 67 線圈筒管 -14-

Claims (1)

1. 543046 六、申請專利範圍 1 · 一種電感器構件，其包括： 含有至少一個間隙之磁蕊； 配置在該磁蕊俾在該磁蕊上形成磁路之激磁線圈；及 配置在該等間隙之至少之一之附近之永久磁鐵； 其特徵爲：該永久磁鐵係疊置在由具有比該磁蕊者小 之導磁係數及少渦流損失之軟磁性材料作成之第1軟磁 性材料件上。 2 ·如申請專利範圍第1項電感器構件，其中該各個永久磁 鐵之一個緣面係分別經該第1軟磁性材料接合於形成該 磁蕊之至少一個間隙之末端之兩側端面，及其中在該兩 永久磁鐵之其它緣面之間係用由具有比該磁蕊者少之 導磁係數及少渦流損失之軟磁性材料形成之第2軟磁性 材料件連接。 3·如申請專利範圍第丨項之電感器構件，其中該間隙係由 一個U-型磁蕊形成。 4·如申請專利範圍第丨項之電感器構件，其中該多數之間 隙形成在一對磁蕊之間。 5 ·如申請專利範圍第4項之電感器構件，其中該等間隙係 形成在C-型磁蕊之每個緊鄰緣面。 6·如申請專利範圍第1項之電感器構件，其中該電感器構 件係用作爲阻流線圈。 -15-