TW539754B - Sintered sputtering target material for formation of an optical recording medium protective layer showing excellent resistance to fracture under high output sputtering condition - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539754 A7 _____ B7 五、發明說明（1) 〔發明之技術領域〕 本發明係有關一種濺射靶材燒結材料（以下稱之爲靶 材料），可用於以濺射法形成光碟等光記錄媒體之作爲其 構成層的保護層。該光碟等光記錄媒體係可供半導體雷射 等之光束進行資訊之記錄或再生，甚至抹除。 〔習用技術之說明〕 一般而言，上述光碟等之光記錄媒體，已爲人所知的 是基本上係由例如聚醯酸酯之基板，及在該基板表面均是 以濺射法所形成之構成層所形成。該構成層包括下部保護 層，記錄層，上部保護層，及反射層。 又，上述光記錄媒體之形成方法，已知的是例如使用 圖5以槪略縱斷面圖表示之高周波磁控管濺射裝置，首先 在以循環內部之冷卻水冷卻之襯墊板上，安裝具有一定組 成之靶材料，在將裝置內以真空排氣裝置排氣後，導入 A r氣體並保持於特定之濺射氣體壓，在此一狀態下，利 用介以匹配箱設置之高周波電源，對於靶材料施加高周波 電力，藉此而於靶材料與和其對向且隔以特定間隔配置之 例如聚醯酸酯基板之間產生電漿，令該電漿中之A r離子 與靶材料之表面衝撞濺射，而將濺射粒子在基板表面分別 蒸鍍形成構成層。 另，上述光記錄媒體之構成層中的保護層（下部保護 層及上部保護層），已知的是例如如日本特開平6 -6 5 7 2 5號公報所述’在其形成方面，例如係採用作爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 T---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 539754 A7 B7 五、發明說明（2) 原料粉末使用均爲10 //m以下平均粒徑及9 9 · 9質最 %以上純度之氧化矽（以下以S i〇2表示）及硫化鋅（以 下以Z n S表示），將此等原料粉末以質量％表示（以下 ，％表質量％ )爲：

Si〇2: 5 〜30% Z n S :其餘 之比率配合，在予混合後，再以熱壓燒結所製造之靶材料 。該靶材料在掃瞄型電子顯微鏡所作之組織觀察下，如圖 2所例示，具有以相對上含有比率多之z n S形成底質， 並以5〜3 0%之相對上含有比率少之S i〇2分散於上述 底質內的組織。 〔發明之解決課題〕 另一方面，近年來，對於上述光碟等光記錄媒體之生 產性’期待其能提高之要求正日益擴大，伴隨於此，構成 層之成膜速度也有高速化之傾向。然而，目前爲了進行高 速成膜，施加於靶材料之電力也必須增高而採高輸出濺射 條件，特別是在利用上述習用靶材料形成保護層時，若以 其高速成膜爲目的將測射條件設成高輸出測射條件時，靶 材料將易於龜裂，以致在短時間即達其使用壽命。 〔課題之解決手段〕 是以，發明人等基於以上之觀點，著眼於上述光記錄 媒體保護層形成用之習用靶材料，進行提高其耐裂性之硏 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539754 A7 B7___ 五、發明說明（3 ) 究，終而獲得以下（a )〜（d )所示之硏究結果·· (a )上述習用靶材料因高速成膜之目的所施加的高濺射 電力易於裂損的原因是，構成底質之Z n S對於高 濺射衝擊具有極脆之性質。亦即，高擺射電力之施 加，將會導致靶材料表面因所遭受之高濺射衝擊， 使得構成底質之Z n S上發生無數之微細裂縫，此 等微細之裂縫，因Ζ η S構成底質之故，會經時發 展成大的龜裂，因該龜裂造成使用壽命終了。 (b )上述習用靶材料中，分散於Z n S底質中之S i〇2 ，與上述Z n S相較其耐濺射衝擊性較佳。再者， 在上述S i 〇2中加入氧化鈦（以下以T i 〇2表示 )及/或氧化鋁（以下以A 1 2〇3表示），而形成 在S i〇2中有T i〇2及/或A 1 2〇3共存之組織 時，因上述T i 〇2及A 1 2〇3之作用，上述共存 組織其強度會進一步提高，而且，若靶材料中之 T i〇2及/或A 1 2〇3的含有比率以配合比率計在 5 %以下時，對於光記錄媒體之構成層的保護層（ 下部保護層及上部保護層）的特性’不會有任何不 良影響。 (c )因此，若將靶材料所具有之組織形成爲以S i 0 2或 S i〇2與T i〇2及/或A l2〇3 (以下以「 S i〇2 — A 1 2〇3/T i 〇2」表示）構成網目狀 連續相，並以Z n S構成將殘餘之上述連續相的網 目塡掩之部分，則即使因高濺射衝擊在z n s相中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539754 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4) 發生微細之裂縫，在具有高強度之上述網目狀連續 相中實質上也不會發生裂縫，而上述Z n S相中所 發生之裂縫的生長，係由上述網目狀連續相所抑制 ，因此，上述裂縫不會發展成使靶材料裂損之大型 龜裂。 (d)然而，以相對上含有比率少之S i〇2或S i〇2 — A 1 2〇3 / T i〇2製造構成連續相之靶材料，若 利用一般之製法，亦即利用作爲原料粉末，將均具 有一般粒度之Z n S粉末及S i〇2粉末，或 S i〇2粉末與T i〇2粉末及/或A 1 2〇3粉末混 合燒結之方法，將不可能達成目的，不可避免的會 形成上述習用靶材料所具有之組織，亦即，以 ZnS形成底質，並使S i〇2 — A 12〇3/ T i 0 2分散於上述底質中之組織。但是，若作爲原 料粉末，採用相互粒度不同之Z n S粉末，與 S i〇2粉末或是S i〇2粉末和T i〇2粉末及/ 或A 1 2〇3粉末，亦即相對上粗粒之Z n S粉末， 與均爲微粒之S i〇2粉末或是S i〇2粉末與 T i〇2粉末及/或A 1 2〇3粉末’更好的是以雷 射繞射·散射法所測定之平均粒徑爲1〜1 〇 // m 之Z n S粉末，與「利用微細陶瓷粉體之氣體吸附 Β Ε Τ法的比表面積測定法」所測定之平均粒徑爲 5〜200nm之S i〇2粉末或是S i〇2粉末和 T i〇2粉末及/或A 1 2〇3粉末’將此等原料粉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線- 539754 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5) 末，形成爲上述微粒之S i〇2粉末或是s i〇2粉 和T i〇2粉末及/或A 1 2〇3粉末撒滿於相對上 粗粒之Z n S粉末表面的狀態之混合粉末，利用此 混合粉末予以熱壓燒結而製造靶材料時，製造之耙 材料以掃瞄型電子顯微鏡所作之組織觀察，將成爲 如圖1所例示之相對含有比率少的S i〇2，或是 S i〇2和T i〇2及/或A 1 2〇3實質上構成網目 狀連續相，而塡埋上述連續相之網目的部份將具有 由Z n S所構成之組織；藉由此一組織，即使因高 的濺射衝擊在Z n S相中產生微細之裂縫，此一裂 縫之成長及龜裂之傳播將可由上述網目狀連續相充 份地抑制，不會有危及使用壽命之裂損形成，可長 期發揮優異之性能。 本發明係基於上述硏究結果開發而成，係以下述光記 錄媒體保護層形成用靶材料爲其特徵。 一種在高輸出濺射條件下可發揮優異的耐裂性之光記 錄媒體保護層形成用濺射靶材料，其係由具有S i 0 2矽 4〜3 0質量％及其餘之Z n S的配合組成之混合粉末的 熱壓燒結體所構成；在掃瞄型電子顯微鏡所作之組織觀察 下，具有實質上由S i〇2所構成之網目狀連續相，且其餘 之將上述連續相之網目塡埋的部份，實質上由Z n S所構 成之組織；及 一種在高輸出測射條件下可發揮優異的耐裂性之光記 錄媒體保護層形成用濺射靶材，其係由具有S i 〇 2矽4〜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------^---------^ AW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539754 A7 B7 五、發明說明（6) 30質量％及其餘之ZnS，或具有S i〇24〜30質量 %，T i〇2及/或A丨2〇3 〇 · 1〜5質量％及其餘之 Z n S的配合組成之混合粉末的熱壓燒結體所構成；在掃 瞄型電子顯微鏡所作之組織觀察下，具有實質上由S i 〇 2 與T i〇2及/或A 1 2〇3所構成之網目狀連續相，且其 餘之將上述連續相之網目塡埋的部份，實質上由Z n S所 構成之組織。 又，光記錄媒體保護層形成用靶材料中，S i 0 2之含 有比率以配合比率計設成4〜3 0 %係基於以下理由。亦 即，Z n S因具有除了光記錄媒體保護層所要求之高光折 射率及光透過率外，又具有耐熱性，故作爲光記錄媒體保 護層之主要部份使用，但是，在此之反面，以Z n S單獨 形成例如光碟之保護層時，將會成爲內部應力高之保護層 ，於此一狀態下，若對上述光碟照射供記錄之雷射光時， 因伴隨上述雷射照射之急熱·急冷之故，上述保護層中易 於發生龜裂。 是以，在光記錄媒體保護層中，係在Z n S內含入 S i〇2，以降低保護層中之殘留內部應力。 因此，靶材料中之S i〇2的配合比率若未達4 %，貝[J 光記錄媒體保護層之含有比率也將未達4 %，以致抑制上 述保護層中內部應力發生的作用不充份；另一方面，當其 含有比率超過3 0 %時，同樣地，光記錄媒體保護層之含 有比率也超過3 0 %。而變得較高，以致由Z n S所帶來 之上述特性有低落之傾向。故而，其配合比率係設爲4〜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----- 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539754 A7 B7 五、發明說明（7) 30%，宜爲 10 〜15%。 另外，上述靶材料之τ 1〇2及/或A 1 2〇3 ’實質 上係有提高S i〇2所構成之網目狀連續層的強度之效果’ 該配合比率宜爲0·1〜5%。這是因爲’若該配合比率 爲0 · 1 %以上時，如上所述’網目狀連續相之強度提高 效果，將會更爲顯著，另一方面’當其含有比率超過5% 時，光記錄媒體保護層之含有比率也會超過5 %而成爲較 高，以致由Z n S所帶來之上述特性有低落的傾向。更好 的配合比率是1 · 5〜2 · 5%。 〔發明之實施態樣〕 其次，茲將本發明光記錄媒體保護層形成用靶材料， 以實施例具體說明之。作爲原料粉末，係分別準備具有表 1所示之平均粒徑（Z n S粉末之平均粒徑係以雷射繞射 •散射法測定，S i 0 2粉末之平均粒徑係以】13-R 1 6 2 6之「利用微細陶瓷粉體之氣體吸附B E T法的 比表面積測定法」測定），且均爲9 9 · 9 9 %以上純度 之Z n S粉末及S i〇2粉末；首先，將此等原料粉末中之 Z n S粉末裝入混合機中，以1 〇 〇 〇 r pm之轉數予以 攪拌，同時又一面在其中加入相對該Z n S粉末體積比爲 0 · 1〜0 · 3範圍的特定比率之二氯甲烷，然後，將 S i〇2粉末以體積比1 : 1 〇〜1 5之範圍的特定比率配 合於二氯甲烷而成之S i〇2粉末分散溶液，同樣依表1所 示之最終配合比率滴入於其中後，再作5分鐘之混合，將 J --------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539754 A7 B7 五、發明說明（8) 此混合粉末在加熱板上以6 0 t之溫度乾燥，形成S i〇2 粉末撒滿於於上述Z n S粉末表面之狀態，在將其充塡於 石墨模中之狀態下，予以裝入熱壓裝置中，於1 · 3 P a 以下之真空中，作溫度1423K，壓力34 · 3MPa ，保持時間6小時條件下之燒結，藉而分別製成具有實質 上相同之配合比率組成，且直徑爲1 2 5mm厚度爲5 m m尺寸之本發明靶材料1〜7。 又，基於比較之目的，作爲原料粉末，分別使用表1 所示平均粒徑且均具有9 9 · 9 9%以上純度之Z n S粉 末及S i〇2粉末，將此等原料粉末同樣配合成表1所示之 配合比率，再裝入混合機中以2 0 0 0 r p m之轉數作 1 0分鐘之混合，形成混合粉末，除此之外，依相同之條 件分別製成具有相同配合比率之組成的習用靶材料1〜7 〇 就依此所獲得之各種靶材料，以掃瞄型電子顯微鏡（ 倍率3 0 0 0倍）觀察其組織，發現本發明之靶材料1〜 7，均如圖1本發明靶材料4之組織模式圖所示，顯示出 相對上含有比率少之S i 〇 2相形成網目狀連續相，且相對 上含有比率多之Z n S乃作爲塡埋上述連續相網目的分散 相分布之組織；而另一方面，又發現習用靶材料丨〜了， 均如圖2習用紀材料4之組織模式圖所示，顯示出相對上 含有比率多之Z n S相形成底質，且相對上含有比率少之 S i〇2相構成分散相之組織。 而後’就依此所獲得之本發明祀材料1〜7及習用革巴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) n Jr ϋ ^1- ϋ ϋ I ϋ I —8 · ϋ ϋ I .^1 ϋ ^1 an * a··· ΙΜΙ W · I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 539754 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9) 材料1〜7，調查其對於作爲光記錄媒體保護層之特性評 估基準的光折射率及光透過率之影響。 具體言之’其係在將上述本發明靶材料1〜7及習用 靶材料1〜7分別焊於無氧銅所製成之水冷襯墊板的狀態 下，予以安裝固定於具有圖5所示構造之高周波磁控管濺 射裝置，先將該裝置內以真空排氣裝置形成爲6 . 7 X 1 0— 5P a之真空氛圍後’再導入A r氣體將裝置內氛圍 形成爲0 · 2 P a之濺射氣體壓，而後，自高周波電源介 以匹配箱對於靶材料施加1 0 0 0 W之濺射電壓，在與上 述革E材料對向且隔以5 0 m m間隔平行配置之直徑3 0 m m厚0 · 5 m m的玻璃基板與該靶材料之間產生電漿， 令電漿中之A r離子衝撞上述靶材料之表面，而將上述革巴 材料濺射，令濺射粒子在上述基板表面蒸鍍，形成厚度爲 9〇n m之光記錄媒體保護層。以評估依此所形成之光記 錄媒體保護層之光折射率及光透過率爲目的，使用7 8 0 n m波長之雷射光，測定折射率及消光係數。測定結果係 示於表1。 繼之，以評估上述各種靶材料之耐裂性爲目的，將對 於靶材料之濺射電力的施加條件，自上述1 〇 〇 〇 w以每 次2 0 0 W之方式一點一點地提高，除了就其間上昇之濺 射電力每次保持1分鐘之條件以外，依同於上述光記錄媒 體保護層形成條件之條件進行濺射，測定上述靶材料上發 生龜裂之特點的施加濺射電力（龜裂發生臨界濺射電力） 。測定結果係示於表1中。又，表（中又一倂示有上述革巴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i丨丨ί!丨丨！替--------訂---------線# (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 539754 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇) 材料之理論密度比。 另，茲就其他之實施形態說明之。 作爲原料粉末，係分別準備具有表2所示之平均粒徑 (Z n S粉末之平均粒徑係以雷射繞射·散射法測定， S i〇2，T i〇2及A 1 2〇3粉末之平均粒徑係以J I S 一 R 1 6 2 6之「利用微細陶瓷粉體之氣體吸附B E T法 的比表面積測定法」測定），且均爲9 9 · 9 9 %以上純 度之ZnS粉末及S i〇2粉末，T i〇2粉末與A 12〇3 粉末。 _ 首先，將此等原料粉末中之S i〇2粉末和T i〇2粉 末及/或A 1 2〇3粉末，配合成表2，3所示配合組成之 比率，予以置入聚乙烯製釜中，加入體積比率1 2倍之純 水予以攪拌5分鐘後，將Z n S粉末同樣以表1 ，2配合 組成之比率裝入，再加入氧化鋁1 0 k g球作1小時之混 合，將此混合粉末在大氣中充份乾燥，形成爲上述S i〇2 粉末和上述T i 〇2粉末及/或A 1 2〇3粉末撒滿於上述 Z n S粉末表面之狀態的混合粉末，在將其充塡於石墨模 中之狀態下，予以裝入熱壓裝置中，於1 · 3 P a以下之 真空中，作溫度1423K，壓力34 · 3MPa ，保持 時間6小時條件下之燒結，藉而分別製成具有實質上相同 之配合比率組成，且直徑爲1 2 5mm厚度爲5mm尺寸 之本發明靶材料8〜2 2。 又，基於比較之目的，作爲原料粉末，分別使用表3 所示平均粒徑且均具有99·99%以上純度之ZnS粉 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13 - 丨.._----Γ---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539754 A7 --- B7 五、發明說明（11) 末及S i 0 2粉末，將此等原料粉末同樣配合成表2所示之 配合比率，再裝入聚乙烯製釜中，再裝入氧化鋁球丄〇 k g作1小時之混合，形成混合粉末，除此之外，依相同 之條件分別製成具有相同配合比率之組成的習用靶材料8 〜2 2。 就依此所獲得之各種靶材料，以掃瞄型電子顯微鏡（ 倍率3 0 0 0倍）觀察其組織，發現本發明之靶材料8〜 2 2，均如圖3本發明靶材料1 〇之組織模式圖所示，顯 示出以S i〇2和T i〇2及/或a 1 2〇3以共存之狀態形 成網目狀連續相，且Z n S乃作爲塡埋上述連續相網目的 分散相分布之組織；而另一方面，又發現習用靶材料8〜 2 2 ’均如圖4習用靶材料1 〇之組織模式圖所示，顯示 出相對上含有比率多之Z n S相形成底質，且相對上含有 比率少之S i〇2相構成分散分布於上述底質中之組織。 而後，就依此所獲得之本發明靶材料8〜2 2及習用 靶材料8〜2 2，調查其對於作爲光記錄媒體保護層之特 性評估基準的光折射率及光透過率之影響。 具體言之，其係在將上述本發明靶材料8〜2 2及習 用靶材料8〜2 2分別焊於無氧銅所製成之水冷襯墊板的 狀態下，予以安裝固定於具有圖5所示構造之高周波磁控 管濺射裝置，先將該裝置內以真空排氣裝置形成爲6 . 7 X 1 0— 5P a之真空氛圍後，再導入A r氣體將裝置內氛 圍形成爲0 · 2 P a之濺射氣體壓，而後，自高周波電源 介以匹配箱對於靶材料施加1 0 0 0 W之濺射電壓，在與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I L----r----------I----訂---------^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 539754 A7 B7 1、發明說明（12) 上述靶材料對向且隔以5 0 m m間隔平行配置之直徑3 0 m m厚〇 · 5 m m的玻璃基板與該靶材料之間產生電漿， 令電漿中之A r離子衝撞上述靶材料之表面，而將上述耙 材料濺射，令濺射粒子在上述基板表面蒸鍍，形成厚度爲 9 0 n m之光記錄媒體保護層。 以評估依此所形成之光記錄媒體保護層之光折射率及 光透過率爲目的，使用6 5 0 n m波長之雷射光，測定折 射率及消光係數。測定結果係示於表4。 繼之，以評估上述各種靶材料之耐裂性爲目的，將對 於靶材料之濺射電力的施加條件，自上述1 〇 〇 〇 W以每 次2 0 0W之方式一點一點地提高，除了就其間上昇之濺 射電力每次保持1分鐘之條件以外，依同於上述光記錄媒 體保護層形成條件之條件進行濺射，測定上述靶材料上發 生龜裂之特點的施加濺射電力（龜裂發生臨界濺射電力） 。測定結果係示於表4中。又，表4中又一倂示有上述靶 材料之理論密度比。 I L ---------------訂---------線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs)A4規格（210 X 297公釐） 539754 A7B7 五、發明說明（13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 種別 配合比率（質量％) 理論 密度 比（％) 保護β i特性 龜裂發 生臨界 濺射電 力（W) Sl〇2 ZnS 折射 率 消光 係數 平均 粒徑 比 率 平珊至 (卿） 比率 本 發 明 靶 材 料 1 7nm 4 2.2 殘 96.4 2.25 0.004 2000 2 7nm 7 3.1 殘 96.7 2.21 0.004 2000 3 28nm 10 6.8 殘 97.5 2.17 0.004 2400 4 2 8nm 12 3.1 殘 97.7 2.15 0.004 2600 5 42nm 14 3.1 殘 97.6 2.12 0.004 2400 6 80nm 17 6.8 殘 96.8 2.09 0.005 2200 7 1 66nm 20 6.8 殘 96.7 2.06 0.004 2200 習 用 靶 材 料 1 2.1//m 4 2.2 殘 96.3 2.24 0.004 1200 2 2.1//m 7 3.1 殘 96.8 2.22 0.004 1200 3 5.2// m 10 6.8 殘 97.4 2.17 0.004 1200 4 5.2// m 12 3.1 殘 97.8 2.16 0.005 1200 5 7.5// m 14 5.5 殘 97.8 2.12 0.005 1400 6 7.5// m 17 6.8 殘 96.7 2.08 0.004 1600 7 7.5// m 20 6.8 殘 96.6 2.07 0.004 1600 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16 - 539754 A7 B7 五、發明說明（14) 表2 種別 配合比率（質量％ ) Sl〇2 Tl〇2 A 1 2 0 3 ZnS 平均 整體 平均 整體 平均 整體 平均 整體 粒徑 比率 粒徑 比率 粒徑 比率 粒徑 比率 (nm) (nm) (nm) (// m ) 本 8 8.3 5 22.5 0.1 . 2.4 其餘 發 9 8.3 10 22.5 1.5 - 2.4 其餘 明 10 15.2 15 22.5 2.0 3.1 其餘 靶 11 15.2 20 22.5 2.5 . . 3.1 其餘 材 12 32.1 30 22.5 5.0 一 . 6.4 其餘 料 13 8.3 5 _ 14.2 0.1 6.4 其餘 14 8.3 10 . 14.2 1.5 3.1 其餘 15 15.2 15 14.2 2.0 3.1 其餘 16 15.2 20 14.2 2.5 3.1 其餘 17 32.1 30 一 _ 14.2 5.0 3.1 其餘 I L Γ --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 539754 A7 __B7 五、發明說明（15) 表3 種別 配合比率（質量％ ) Sl〇2 Tl〇2 A 1 2 0 3 ZnS 平均 整體 平均 整體 平均 整體 平均 整體 粒徑 比率 粒徑 比率 粒徑 比率 粒徑 比率 (nm) (nm) (nm) (// m ) 本 18 8.3 5 22.5 0.1 14.2 0.1 2.4 其餘 發 19 8.3 10 22.5 1.5 14.2 1.5 2.4 其餘 明 20 15.2 15 22.5 2.0 14.2 2.0 3.1 其餘 靶 材 料 21 15.2 20 22.5 2.5 14.2 2.5 3.1 其餘 22 32.1 30 22.5 5.0 14.2 5.0 6.4 其餘 習 8 2.1 μ, m 5 2.4 其餘 用 9 2.1 β m 10 2.4 其餘 靶 10 4.8//m 15 3.1 其餘 材 11 4.8//m 20 _ 3.1 其餘 料 12 6.5// m 30 6.4 其餘 I- --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 539754 A7 B7 五、發明說明（16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表4 種別 理論密度比 保護月 莫特性 龜裂發生臨 (%) 折射率 消光係數 界濺射電力 本 8 96.7 2.25 0.004 2200 發 9 97.6 2.21 0.004 2200 明 10 97.8 2.16 0.004 2400 靶 11 97.8 2.11 0.004 2800 材 12 97.7 2.02 0.004 2800 料 13 96.5 2.25 0.004 2000 14 97.5 2.19 0.004 2200 15 97.8 2.14 0.004 2400 16 97.8 2.09 0.004 2600 17 97.3 1.98 0.004 2400 18 97.2 2.25 0.004 2200 19 97.8 2.19 0.005 2400 20 98.2 2.14 0.004 2800 21 98.4 2.09 0.005 2800 22 97.4 1.98 0.006 2400 習 8 96.5 2.25 0.004 1200 用 9 97.2 2.21 0.004 1200 靶 10 97.5 2.16 0.004 1200 材 11 97.7 2.11 0.005 1400 料 12 97.0 2.02 0.004 1400 --------訂---------^ ^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -iy - 539754 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（17) 〔發明之效果〕 由表1〜表4之結果可知，本發明靶材料丨〜2 2均 具有與圖1所示本發明靶材料3及i 〇所具有之組織相同 的由S i〇2 ’或S i〇2 — A 12〇3/丁 i〇2形成網目 狀連續相之組織，藉此，較之具有與圖2，圖4所示習用 靶材料3及1 0所具有之組織相同的在z ^ s底質中分散 分布有S i〇2組織之習用祀材料1〜1 2，宜耐裂性顯著 地提高。而且，使用本發明靶材料1〜2 2所形成之光記 錄媒體保遵層之折射率及消光係數，與上述使用習用耙材 料形成者之間，幾乎沒有變化，顯然可形成其用同等光折 射率及光透過率之光記錄媒體保護層。 如上所述，本發明靶材料即使在高輸出濺射之負荷下 仍可被抑制破裂之發生，具有優異之耐裂性，且可將旦備 與習用光sB錄媒體保護層具有同等特性之保護層高連成膜 ，對於生產性之提高亦有貢獻。 〔圖式之簡單說明〕 圖1係本發明靶材料3之得自掃瞄型電子顯微鏡（倍 率：3 0 0 0倍）之組織描繪圖。 圖2係習用靶材料3之得自掃瞄型電子顯微鏡（倍率 :3 0 0 0倍）之組織描繪圖。 圖3係本發明靶材料1 〇之得自掃瞄型電子顯微鏡（ 倍率：3 0 0 0倍）之組織描繪圖。 圖4係習用靶材料丨〇之得自掃瞄型電子顯微鏡（倍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 539754 A7 B7 五、發明說明（1δ) 率：3 0 0 0倍）之組織描繪圖。 圖5係高周波磁控管濺射裝置之槪略縱斷面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΙΊΙΙΙΊ — — — — — — I - — — — — — — 11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 539754

   夂、申請專利範圍 1 · 一種高輸出測射條件下可發揮優異的耐裂性之光 記錄媒體保護層形成用濺射靶材燒結材料，其特徵在於： 其係由具有氧化矽4〜3 0質量％及其餘之硫化鋅的 配合組成之混合粉末的熱壓燒結體所構成；在掃瞄型電子 顯微鏡所作之組織觀察下，具有實質上由氧化矽所構成之 網目狀連續相，且其餘之將上述連續相之網目塡埋的部份 ，實質上由硫化鋅所構成之組織。 1 2 · —種在高輸出濺射條件下可發揮優異的耐裂性之 光記錄媒體保護層形成用濺射靶材燒結材料，其特徵在於 其係由具有氧化矽4〜3 0質量％，氧化鈦及/或氧 化鋁0 · 1〜5質量％及其餘之硫化鋅的配合組成之混合 粉末的熱壓燒結體所構成；在掃瞄型電子顯微鏡所作之組 織觀察下，具有實質上由氧化矽與氧化鈦及/或氧化鋁所 構成之網目狀連續相，且其餘之將上述連續相之網目塡埋 的部份，實質上由硫化鋅所構成之組織。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 « ^1 1- n n i -^1 n tan in l ϋ 0 mam§ ϋ n n n n n-、 n· mamt mmmme n mlmm n I ϋi ϋ n ·ϋ mMMf in ϋ· ϋ· n n n Bn in ϋ ·ΒΙ -ϋ —ϋ —ϋ ·ϋ ·ϋ I— n 一 兮 口 皂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22-