TW527655B - Coating methods and apparatuses for coating - Google Patents

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527655 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明範_ 本發明和用以將材料塗到如半導體晶片或其它微電子裝 置之基體之旋塗方法及裝置有關。該方法及裝置和旋塗處 理步驟之時間控制有關。 發明背景. 某些製程需要在各種重要之商用基體上塗佈材料薄膜。 在基體塗材料之一商用方法是使用旋塗器之旋塗或旋轉處 理、旋塗器能將一些材料塗到基體上，並可將基體沿中軸 以一個或'組轉速旋轉。離心作用使材料散布在旋轉基體 表面上，如成爲均勻薄膜。 通常處理各種重要商用基體如半導體晶片及積體電路之 微電子裝置，需要限制一些處理步驟以妥加定義基體表面 之區域。這適用於如處理微電子裝置，以精確放置不同材 料於半導體晶片以架構電路設計。此處理一步驟是精確界 定需處理或不受不用之材料及處理步驟影響之基體不同 區。處理此基體處理之一般方法是利用微影及旋塗。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 微影是用以選擇性保護或暴露如微電子裝置之基體區。 在該裝置上旋塗一薄層光敏光阻材料塗佈。將光阻層（經由 樣式化光罩）暴露於電磁能，使得在暴露光阻材料而不在光 罩區材料（即未暴露於電磁能）化學反應。然後將顯像液塗 或旋塗在整個光阻材料。該顯像液使光阻暴露或未暴露區 顯像，並能去除顯像或未顯像光阻。若光阻爲所謂負型， 可將未暴露塗佈顯像及去除；若光阻爲所謂正型，可將暴 露區光阻塗佈顯像及去除。在此二種微影，剩餘之光阻形 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^/655 ^/655 五 2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、發明説明（ 成正或負型光罩保護層，以在 ^ 露區。 怵邊先阻覆i心區時處理暴 光阻層厚度（在暴露前）可 久 太 T取q產微電子裝置製造成 二二：質之一或更多有嚴重影響。暴露及顯像光阻 Θ ^用先阻層在基體架構之特性大小及解析。 根據有用之特性縱橫尺寸比 I P阿對寬）範圍，層較薄則特 :較：及特性解析較細。另外當使用單色光暴露光阻層 ，’先可經相層及被反射，因此造成相長或相消干涉。 :設計希望之膜厚度以在最大或最小薄膜干涉/擺動曲線作 光阻層之一致性即單一基體光阻膜厚度一致性（晶片内一 致性）及塗到不同基體之不同塗佈間（平均）厚度一致性（晶 片間-致性）’對以-致方式製造小特性是很重要的。晶片 内-致性很重要，如因其使任何既有裝m牛特性大小一 致。晶片間一致生很重要，如因產生可預測一致厚度塗 佈，使裝置製造品質一致。 如上述，顯像光阻層是由包含塗佈光阻液及塗佈顯像液 (在暴路光阻後）之多步驟處理產生。此二處理步骤及相關 材料可爲產生厚度一致並可預測，且特性大小一致之顯像 光阻層之關键。 旋轉處理方法是利用密集監控及/或控制處理狀況、材料 及個別處理命令，使旋塗處理步驟以一致之可重覆方式執 行而提供塗佈一致性。這通常由將電腦化處理控制系統程 式化’使彳寸以重覆、預測之時間及狀況一致地執行個別處 5-

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) • II- -- ? - I;- -I 15 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 527655 五、發明説明（ A7 B7 ^驟而達成。另外因和很小之容許度及大小有關，通常 爲不重要之處理周圍因數，實際上可使旋塗材料易變且 不致γ廷些因數可包含處理液黏度及溫度，塗佈裝置之 ，度及丄氣私動、處理時間延遲、旋轉速度及加速，周圍 ;又周圍/皿度、周園氣壓、化學調和系統參數、時間微 又上所塗處理液機構衝擊等。現有一些方法監控及補償一 一這一因數，以降低其對旋塗材料厚度之影響。 ，旋塗處理通常利用電腦化處理控制系統處理及控制處理 狀况。„一種控制旋塗處理常用之系統和連續處理控制有 關〆=round-robin ’’型控制處理。在連續型控制處理，電 知單元使用序列或連續方法監控及控制旋塗裝置之 各種7L件該處理fe制系統通常依照連續（如圓形）路徑操 作順序知这裝置預足元件以不變動之預定順序（見圖1)定 址。特別是可將電腦或中央處理單元（CPU)程式化，以順 序H個子程式定址。圖1中子程式由cpu跟隨之路徑 放射線表示。咖料程歧址，㈣檢查狀況或參數及 進行任何指示之作㈣行子程式財，並在進行任何此作 用後移至下一子程式 •使用處理控制方法及監控、控制或補償外部狀況方法之 =塗，可達之塗佈-致性程度仍有限度。這些微電子裝置 性大小變小，且特性大小變動之容忍度越趨重要時尤 明顯。 發明概、 本發明和旋塗處理，更特別是和使用處理控制系統中斷 頁 訂 -6 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚 :續處理控制以執行處理命令來控制旋塗之方法及元件有 ~本發明降低或消除和連續處理控制有關之時間變動。 、、统包腦處理控制系統造成之旋塗處理時間變動，可在 塗佈光阻液〈晶片間及晶片中厚度，及顯像光阻塗佈線寬 可重覆性造成嚴重影響。 、und robln型之連續型處理控制系統因處理參數以預 =固定方式順序由-組子程式定址而造成時間變動。在各 弋意捡狀況及收集、記錄資料，以及（若程式化指令要 二）動作，並將更新之資料送至下_子程式。圖i顯示_簡 早<round-robin架構範例。此處理控制系統經一路徑（顯示 圓= )、’由一子程式移至下一子程式。各子程式將旋塗裝置 I -或更多不同參數定址（如由感測器或定址硬體如各 種元件，溫度，像夾盤溫度，溶液溫度或周圍溫度，·一處 理步驟是否開始或完成，像調合開始或結束，·處理化學溫 度k制，计時器；旋轉馬達（檢查速度或加速度）；泵；調 合線；調合臂（位置）；以及旋塗裝置内之一般狀況。 、在此系統一原有時間變動範例考量之處理爲處理控制系 統要求在調合臂調合處理液結束時旋轉轉台。無法預測結 束分配<確實時機，且可能在電腦將任一和轉台或調合臂 無關，其它子程式定址時發生。參照圖1，子程式“檢查 調合是否結束，若結束則啓動轉台。若調合在如cpu將和 調合臂有關之子程式lf定址時結束，則CPU在將剩下子程 式定址後才對調合資訊之結束作用，丨可能要幾十毫秒， 如達 30 或 50 毫秒（如 MN，Chaska 之 FSI Internati_ 527655 五 發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 P〇L細⑧旋塗裝置），或更多，這和特定機械、處理控制 系統、其間不同子程式長，以及在調合眞正結束後進入此 貝訊可作用（轉台子程式時，CPU必需經過之子程式數目 有關。 毛矛y範圍之時間延遲一開始似不嚴重。但在處理和現代 旋塗材料有關之小空間及容許度時，亳秒即可能很嚴重。 这些範圍I時間延遲對利用旋塗技術處理或塗佈之處理液 線寬可重覆性（晶片間及晶片内）以及膜厚度及—致性造成 可偵測變動。例如當旋塗光阻材料時已知此範圍之時間變 動所造成旋塗光阻層厚度變動，在暴露前量測爲每ι〇毫秒 延遲、，々1 · 3埃。當使用旋塗方法塗顯像液，已知毫秒範圍之 時間變動造成之樣式化光眭層線寬可重覆性變化爲每i 〇毫 秒延遲約1埃。 round-robin型處理控制系統之更嚴重問題是除了在旋塗 處理單一步驟造成時間變動，亦對接著之步驟造成變動而 使’交動累積。圖2説明因稍早處理步驟時間變動繼續影響 接著步驟，如何可由處理累積時間變動。一步驟是根據稍 早步骤之結束而開始。這常在旋塗處理之一組步驟發生。 在圖2之範例旋塗處理經由各步驟進行，包含步驟丨（如調 合）、步驟2(如加速旋轉）及步驟3(如調合器移動）。X軸顯 示該組歩驟之時間，各組步驟之啓動（由第二步驟開始）由 先前步骤之結束推動。故當步驟1結束，電腦查覺該步驟 結束而開始步驟2之命令。同樣地當步驟2結束，電腦查覺 該步驟結束而開始步驟3之命令。這會在程式化之連續處 項

訂 線 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527655 A7 五、發明説明（ 理步驟組繼續。 圖、斤示田私式順序進行接著之步驟，各處理步驟之 時間變動將累積。即在步驟i實際結束約5〇毫秒(〇〇5〇s)後 才偵測到及進行作用。若事件實際剛好在計時器開始工·⑼ t時發生，系統將在丨〇〇至i 〇5秒期間偵測及使用該資 訊步驟2在偵測到步驟1結束時啓動。步驟2本身之時間 又動、々50毛秒（0 05〇s)，而若程式化步驟2爲在2秒時完 成、.、勺在2.00至2· 1〇秒時間範園完成及偵、測卩。最後第二 頁 步驟結束啓動之第三步驟將包含另一層變動加上先前二變 動、，如變動達0.15秒。即如同標準連續型處理控制系統， *旋塗處理 < 接著事件或命令時間和先前事件時間有關 時，各步驟時間變動在處理進行連續步驟中累積。 訂 k些變動 < 結果，特別是在經一組步驟而組合時，可使 旋塗材料之晶片内及晶片間特性變動。例如使用連續或 round-robin型控制程式旋塗光阻之基體，在軟烤後暴露前 所量光阻膜厚度變動可達+/-25.埃（3七咖）。在使用旋塗 技術塗顯像液時，這些範圍之時間變動可使顯像液光阻膜 線寬可重覆性變動晶片間約8麵及晶片中約1〇inm(標準偏 移3) 〇 本發明是關於如round-robin型系統之連續旋塗處理控制 系統時間變動，可影響使用此處理控制系統旋塗之材料厚 度及一致性。本發明利用消除連續處理控制步驟間之延^ 時間，降低時間、膜塗佈厚度及線寬可重覆性之變動。即 本發明可消除在事件（即觸發事件）發生和偵測到該事件並 9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 527655 A7 B7 五、發明說明 =::接著之處理命令間之處理延遲。另外在本發明， 不需由先前步驟之結束啓動。而是處理步驟可 =時並平行執行，如分別使用不同計時器量測個別期 依照：發明之處理控制系統可以連續處理控制 二=明系統程式化爲由觸發事件中斷，其中系統中 /執仃下—處理命令，即無連續處理插入子程式定 ^延遲1處理命令可爲時間會影響旋塗材料_致性之 7 =㈣中斷及立刻執行處理命令可避免 控制有關之延遲，將改良旋塗之材料一致性。 處理 步本Γ月處理可避免根據稍早步驟之接著處理 =驟時間引起心時間變動累積，如處理控制系統可中斷連 啓動：塗處理事件和接著旋塗處理命令間多個期 :〇中：rt式（isp)，該等計時器在收到中斷信 束時1間—分開之計時裝置。在各計時器期間結 束時，再此中斷處理處理控制以執行預定處理命令，炊後 :„制。”二期間結束時，再次中斷控制以 時：：：：命令’重覆到該中斷服務程式包含之所有計 p及處理命令完成時中止。好處是可獨立控制各處理命 :等=計時器精確性内之時間執行。平行而非連續量測 ^寺期間，故變動不會累積。 並處理控制方法可用於處理於基體旋塗顯像液， 並了用於處理於基體旋塗顯像液前之於基體旋塗光阻液。 -10 x 297公釐）

頁 本紙張尺度^i?Si7^s)A4規格（210 527655 A7

這對各旋塗材料提供改良塗佈 _____ . •…^ 一 ____一… 主文性，而使顯像及樣式 光阻層厚度特別—致。當以此方式於旋塗絲材料塗顯偉 欲’且其中各旋塗處理使用上述中斷計時方法，光阻層一 致性（在軟烤後及暴露前量測）可爲15埃（3或更小， 更佳時小於5埃（3 sigma)(晶片間及晶片中）。該處理可亦 產生在硬烤後量測光阻塗佈線寬可重覆性爲晶片中9奈米 (3 sigma)及晶片間6奈米（3 sigma)。 本發月另涵盍可以本發明處理控制方法操作之旋塗裝 置，如依照本發明方法之軟體指令程式化。纟一實施例使 用中斷計時控制至少—部份旋塗處理，較佳地使用平行之 ^個计時备。最好約是—硬體中斷使處理控制系統進入中 斷服務程式，指示系統❹中斷料_，以平行計時器 執仃-或多個時間敏感命令。中斷服務程式包含設定二或 户個冲時為以在觸纟事件時最時啓動《期間之中斷服 務程式中平行執行。在各期間結束時執行不同處理命令（不 一足，但最好爲時間敏感處理命令）。 H，連~處理控制系統在—组處理命令各步驟造成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) =r^(G鳥仙Gs)延遲，如在事件發生後但在偵 ^到^發生並採取行動[單—變動即可嚴重影響旋塗材 =面步㈣根據先前步驟之結束啓動而使 :ΠΪ 更糟。本發明之中斷驅動處理控制方法 ♦驟陆 步驟之變動可不到5毫秒，故消除個別處理 2時間之變動m卜將該處理—或多個㈣平行計 ，可消除一組處理步驟中這些降低變動之累積。 -11 -

本紙張尺度適用1(CNs^TiiTiw x 297公釐） 527655 A7 B7 五、發明說明（9 .¾ 員 工 消 費 '本發 '之怨樣和使用旋塗裝置塗顯像液到基體之處理 2控：：法有關。該方法包含控制使用連續處理控制之處 # ¥4丨由順序執行—组子程式及以-中斷信號中斷連續 處理控制以執行處理命令控制該處理。 1 ‘七‘和提供基體光阻塗佈之方法有關。該方 -二2旋塗光阻液。控制該旋塗之方法包含使用連 控制該處理’其中由順序執行一組子程式及 以中斷…斷連續處理控制來執行處理命令控制該處 中利用遠^ 裝置於旋塗光阻塗顯像液，其 斷卞、牵^ _制順序執行—組子程式及以中斷信號中 斷連、，處理控制以執行處理命令控制旋塗裝置。 哕、 4樣和在微電子裝置旋塗顯像液之方法有 處理命:。G含在由—稍早處理事件平行量測之期間執行 方態樣和控制顯像液旋塗處理之方法有關。該 :中中斷服務子程式程式化之處理控制系統， 發事件將一硬體中斷送至處理 到硬體中斷，處理柝制丄 利矛…无田收 務程式#本μα拴制系統執行中斷服務程式。該中斷服 / σ叹疋—或多個計時器在多個期間平行執行，並 在各期間結束時送出分^、 -處理命令。*“中斷以中斷處理控制系統及執行 、ttl另―怨樣和控制旋塗顯像液處理之方法有關。兮 5夕固有關足處理命令以避免連續計時方法造

I t 訂 線 本紙張尺度_標準 -12

I 527655 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 五、發明說明（ 成之計時變動。 本發明另一態樣和旋塗裝置有關，包含程式化爲控制顯 像液旋塗步驟之處理控制系統，這包含在一或多個稍早處 理事件平行量測之多個期間啓動處理命令。 本發明另一態樣和旋塗裝置有關.包含：一轉台，支撑及 旋轉基體，-調合臂，可在調合位置及非調合位置間移 動，一顯像液供應，和調合臂流體通訊，以及一處理控制 系統控制顯像液塗在基體上，將處理控制系統程式化2 斷連續控制而執行處理命令。 本發明另一態樣和旋塗裝置有關，包含將處理控制系 程式化以執行顯像液旋塗步驟，包含使用二或多個計時器 將不同處理命令平行計時以避免連續計時方法造成接著 理命令之時間變動累積。 " 圖式簡述 圖1説明範例round-robin型控制架構。 圖2説明使用連續處理控制控制一串旋塗處理步 時間變動。 / k风I 圖3疋旋塗裝置範例實施例方塊圖。 圖4是使用旋塗裝置在基體旋塗光阻液之步驟。 圖5是使用旋塗裝置在基體塗顯像液之處理步驟。 圖6説明圖4 一部份步驟之中斷控制。 圖7説明圖5 —部份步驟之中斷控制。 圖8説明使用中斷計時控制之處理步驟時間線，特 斷計時具有多個計時器平行控制不同期間。 1疋中 中 統 器 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再

頁 訂 線 -13 527655 A7 B7 11 五、發明說明（ 圖9疋併入本發明以處並 較處理控制方法。 去進行之控制方法之資料比 旋塗是將處理液以均勻膜 已知ρ μ μ 佈結絲上之方法。 微/子=基體可利用旋塗技術在表面塗材料。這包含 之：示f::體半導體電路(如半導體晶片)、包含液晶 料及產品。口成材料板上〈電路（電路板）及其它商用材 該處理液可爲任何有助於# 旋塗技術及裝置塗佈之材 錄、太微影法所用之光阻材料及顯像液(如下解 ^亦考量使用旋塗方法塗佈其它材料如塗_ 〇n;l包、spin_〇n玻璃、spin_〇n摻雜劑或低^介電，其中 此處理液而要接著塗顯像液。例如可使用本發明方法塗如 亞胺〈可光界定介電材料，接著塗顯像液。但該處理雖以 半導體晶片及微影，特別是以旋塗光阻液然後旋塗顯像液 描述’本發明不受此特定應用限制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可旋轉處理半導體晶片，如和微影方法及材料結合，使 用一或多個關於旋塗之步驟。於基體沉澱樣式化光阻材料 之處理相關範例步驟可包含一或多個將表面清理或塗底 層；加熱或冷卻（於較大處理一串步驟中一或多次）；於基 體塗光阻液；將光阻材料暴露，如使用光罩及放射；另外 之加熱及冷卻步驟；使用旋塗技術塗顯像液加上沖洗顯像 液及光阻區，以留下樣式化光阻；視所需之最終加熱及冷 卻。以下提出這些步驟之一範例變化組。 -14 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527655 A7 B7 五、發明説明（） 可先準備將基體在表面沉澱光敏光阻塗佈。準備可包含 清理及常包含以高溫及降壓脱水，及以提升基體表面及光 阻材料間黏合度之材料（如hexamethyldisilazane (HMDS )) 塗底層。 下一步驟可爲使晶片回復周圍溫度，如使用如冷卻板之 傳統設備及方法冷卻晶片。 接著可塗光阻材料到基體，最好是一致之薄膜。可使用 各種任何已知有用之技術塗光阻，包含疊片、擠壓技術、 化學氣相沉澱或較佳實行本發明之旋塗，最好使用如上述 之處理控制方法。可根據基體設計之裝置需求塗佈旋塗光 阻層爲想要厚度。該層厚度通常很薄如範圍在50微米至 0.5微米或更小。稍後將描述依照本發明使用處理控制之光 阻液旋塗處理細節之相關其它資訊。 在以旋塗層方式塗光阻液後，標準之下一步驟是使溶液 和光阻液分開，如由烤。此步驟有時稱爲軟烤或後烤。暴 露時間及溫度可爲任何使溶液和光阻液分開之量。 在後烤後可降低基體溫度爲如周圍溫度（可選擇性使用冷 卻板）。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如石夕晶片處理技術所知，可選擇性將有效消效消除溶液 之光阻材料如由光罩暴露於能量源中以使部份光阻作用。 光罩可爲任何有助於所選基體、光阻及處理之類型。可使 用各種任何知明類型之光罩及光罩技術及設備。該放射可 爲任何形式或波長之放射，並應依照光阻液化學性及設計 選擇。較佳放射通常爲單波長即單色可矯正。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 527655 A7 B7 13 五、發明説明（） 在放射暴露後，標準之下一步驟可爲再次將基體及暴露 光阻加溫。此次加溫之原因爲如使用暴露光對未暴露光區 之擴散架構加強駐波現象及/或完成光阻材料之化學反應如 化學放大光阻。這通常可由後曝烤達成，可接著使基體回 復周圍溫度。 一顯像液旋塗到光阻塗佈基體表面。如在此所述，依照 本發明是利用和中斷驅動控制方法有關之處理控制達成此 步驟。該顯像液使光阻材料暴露或未暴露部份如反應、破 壞或溶解而顯像，將剩下暴露或未暴露光阻材料洗掉及去 除而留下樣式化光阻。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯像液已很常見，而依照本發明可爲各種任何有效及選 擇性將先前塗在基體之材料，如光阻反應、破壞或溶解。 當將光阻顯像可選擇性去除光阻液，留下樣式化光阻層。 此顯像液在半導體晶片處理技術已爲人所知。有些認爲特 別適於特定類型之光阻材料，而可和這些光阻利用配合。 有用之顯像液類型範例包含水基材料如水苟性合成如四甲 基铵氫氧化物（tetra-methyl ammonium hydroxide (TMAH)) 水。其它顯像合成包含氫氧化鈉或氫氧化鉀如氫氧化鈉水 或氫氧化奸水。顯像液亦可包含促進光阻發展或將之去除 之其它材料，如表面活化劑。 在塗顯像液後可選擇性烤基體（硬烤），然後再次冷卻。 執行一或多個這些步驟之設備是微影及半導體處理技術 常見的，並包含旋塗裝置、冷卻板、加熱板、烤箱等。此 類設備市面上有售，並常成組銷售及使用以有效處理不同 -16- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 527655 A7 B7 14 五、發明說明（） 設備間之多個步驟。用以塗佈光阻及/或顯像液之一較佳旋 塗裝置爲 MN Ghaska FSI International 所售之 POLARIS® 系 列0 圖3(方塊圖説明如P〇LARIS 25〇〇@之旋塗裝置實施例。 裝置1 0用以將一或多個處理液塗到基體。裝置丨〇包含艙 12裝有一可旋轉支撑η包含夾盤16和馬達18相連。基體s 如利用眞it吸力或類似者（未顯示）附著於夾盤丨6。基體s 及夾盤16可在旋塗處理步驟中由馬達18旋轉。 裝置=包含調合器20用以提供一或多個處理液（如光 阻、脱氧水、顯像液、如邊緣氣泡去除液之溶液等）到基體 S。調合器20可爲任何能在基體8塗處理液之設計。（通常 相同I旋塗裝置不會同時塗光阻及顯像液）。調合器可亦最 好如在調合臂具多個調合噴嘴，以由相同合器或調合臂調 合二或多個不同處理液。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 凋口器2 0可包含能在不同位置移動之調合臂或控制器(未 顯示）以幫助基體上之處理液調合。調合臂可於該臂在基 體S表面上之調合位置及調合臂離開基體之非調合位置間 移動。在另一範例，特別是在調合顯像液時，調合臂可在 調合時在旋轉基體上移動，以螺旋樣式塗顯像液。在並它 實施例，調合器或調合臂對單一處理液（如顯像液）可包含 ^個過口點，即可我需以圓或螺旋樣式塗顯像液之移動。 凋口斋2 0和至少一供應系統2 2相連以供應處理液，最好 是本裝置所用處理液均各一個供應系統。範例圖3之顯示 裝置1〇有二個供應系統22及23。調合器20及供應系統22 -17- 527655 A7 B7 五、發明說明（ 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及2 3可爲傳統設計及用以使用傳統技術維持處理液狀況， 經由凋合器2 0供至基體S。例如圖3顯示調合器2 〇和加熱 器5 0相連，以維持一或多個處理液爲想要溫度。適於如圖 j所示系統使用之_合器及供應系統可查詢p〇LARIS@ Microlithograply Cluster，這是由·明尼蘇達 chaska 之现 International Inc·所製造。 如供應系統22或23之供應系統可包含泵、控溫架構、濾 光器、如感溫器、體積流量感測器之感測器等元件。另外 供應系統22或23可和控制器33及連續處理制系統3〇相 連0 圖3所示之處理控制系統3 〇包含元件如硬體、軟體或二 者之組合，和感測器、監測器、控制器及硬體特性組合， 電子式監控旋塗裝置及使用該裝置執行之旋塗。艙12包含 感測器3 4及3 6提供關於供應系統2 2及2 3供應之處理液溫 度之輸入信號至處理控制系統30。裝置另包含大氣處Z 器40和艙12流通，並用以處理艙12之大氣爲想要之溫渴 度狀況，以及選擇性在艙中提供想要之空氣流動以在=體 維持想要之（如層）流。.大氣處理器40包含感測器（未顯示） 用以感測艙1 2内之溫濕度及空氣流動。 、 艙1 2包圍該裝置以能提維持及/或控制調整適於塗處理、、喪 於基體S之想要環境狀況。環境艙！ 2使艙丨2溫濕度^定爲 特定處理程度。掌握這些因數常數可消除或降低造成在美 體塗處理液變動之溫濕度變動。、環境艙12亦阻擋顆粒及其 它污損，並可用來控制艙内空氣流動以幫助去除顆粒。輸 (請先閱讀背面之注意事項再本頁)

It 訂- 線· -18- 527655 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16五、發明說明（） 12及裝置10，特別是對旋轉支撑14，通常可出入艙12内 部，使基體S可在夾盤16上附著及移去。 艙12中合適之大氣可和塗佈處理及該處理相處之處理液 有關。大氣可爲眞空、空氣或如He、Ar、N2或類似之鈍 氣或其混合。遠端大氣處理器4 0可設計爲利用先冷卻循環 到艙1 2之大氣以使大氣乾燥而建立想要之艙溫濕度。一旦 乾燥，將大氣加熱及濕化爲想要溫濕程度。該處理之大氣 然後移到艙1 2中。視所需亦可使用重新循環迴路以將艙工2 大氣部份重循環至遠端大氣處理器40。 選擇性及最好氣壓感測器2 4可位於裝置1 〇内或附近以量 測表示艙12内氣壓之一些參數，最好此方式所量參數表示 基體S附近之氣壓。利用當使用p〇Laris® Microlithography Cluster，適合之位置是無擾動屏障位置之塗料器模組内， 以消除對感測器2 4之空氣流動效應。在一較佳實施例，氣 壓感測器24可爲芬蘭赫爾新基之vaisala製造之PTB100系 列類比氣壓計。旋塗處理之氣壓感測器利用於1999年9月 1 6曰登記，受讓人共同專利申請美國專利申請序號 〇9/397,714 中描述。 處理控制系統3 0使用處理裝置不同元件之信號（如感測 器、控制器、硬體元件等）控制該裝置及該裝置達成之處 理。處理控制系.統30接收此元件之輸入信號及根據輸入信 號產生輸出信號，而輸出信號指示及控制該處理較佳地使 處理液在基體有想要及最佳旋轉處理。該裝置亦可併入用 於在基體沉澱處理液均勻塗佈之其它裝置其方法，可參考 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) Ρ . .線. 527655 A7

如美國專利申請 Nos· 4,932,353 ; 5,066,616 ; 5，127,362 ; 5,532，192 ;在此併爲參考。 處理控制系統30可爲任何電子、可程式處理控制系統， 用於監控及控制如旋塗裝置之系統。處理控制系統3〇可包 含電子電腦化處理器，如中央處理單元（cpu)或可程式邏 輯拴制器（PLC )或類似者，較佳地包含内部時鐘。隨機存 取記憶體（RAM)可用以儲存具有依照本發明指令之軟體程 式、。可在RAM中將一或多個計時器程式化，以參照處=器 内邵计時器量測期間。如軟式磁碟機、唯讀光碟或類似之 外部儲存裝置，可選擇性和處理器電連接以單或雙向轉移 資訊。處理控制系統和旋塗裝置電連接，如和其控制器或 硬體。 圖4説明將光阻液旋塗在基體之相關標準步驟。線…戈 表處理中旋轉馬達之轉速。線62表示調合臂之位置。線^ 表不在基體上足處理液調合。交叉線68表示時間敏感部 份·，這表示只包含—或多個時間敏感部份，其時間已發現 在旋塗光阻厚及/或一致性有可量測之影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該處理-般可如下進行。_旦基體安裝在該裝置，將光 阻旋塗可大概包含二個部份：在基體調合—些光阻（調合部 份Α)(調合部份Α之較早部份有時稱爲預調合），將光阻鱗 造形成皁一膜（B)及去除邊緣氣泡/後側沖洗（(：）。（這些部 份被概略定義，邊界並不精確）。 在-周合部份A，在基體表面塗光阻液。在處理早期，顯 示轉台開始旋轉加速爲調合速度，即所示台形Μ。調合轉 -20-

本紙張尺錢财關家標準（CNS)A4規1^^ 297公爱） 527655 A7 B7 五、發明說明（） 速可爲任何能在基體調合光阻液以便以有效時間量在整個 基體表面上形成膜或層之速度。轉台速度和如晶片大小之 因數有關，但直徑200 mm之晶片標準調合轉速在約1000至 2000 rpm範圍内，如約 1500 rpm。 可以任何能鑄造爲一致膜之方式塗光阻液。在提供均勻 光阻膜時所塗光阻液量可能很重要（至少需要整個基體形成 膜之最小量）。故可較佳地根據調合材料量，利用考量實際 調合量或調合時間監控調合器。 本發明之所有實施例最好（如所示）但非必需在基體表面 調合光阻液時旋轉基體。在一較佳實施例，當基體以調合 速度旋轉時，在基體上調合之光阻液量可足使基體整個表 面弄濕，即至少足以在整個基體產生完成光阻液層之量。 當所塗光阻液足以覆蓋基體表面，即應停止光阻液調合並 加速爲鏵造或最終轉速。（如以下所述，最好先將調合臂移 離基體上之位置）。 調合步驟通常和在實際調合前、中、後之調合臂移動有 關。即在調合部份A，所示調合臂自非調合位置移至調合 位置（如台狀64所示）。當轉台以調合速度旋轉及該臂位於 調合位置，塗光阻液到基體（如台狀6 9所示，在點5 9結 束）。 光阻液調合之結束時刻很重要，因其進行多個時間感應 命令或處理步驟。另外調合之結束時刻可因和調合有關之 處理不完全或稍早步驟時間，如泵及流體行爲或濾波器P且 塞而變動。故雖非必要且亦可使用其它觸發事件，但光阻 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 5 再 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 527655 A7 B7 五、發明説明（19) 液調合之結束是光阻旋塗處理之極方便觸發事件（見如 下）。 在光阻液調合結束時，該臂離開回到非調合位置。圖4顯 示如何以最短時間由光阻液調合結束移至最終轉速（將加速 度加速爲鑄造速度）。該臂先移夠遠到基體可加速爲鑄造轉 速，如移到基體邊。然後將基體儘快加速爲最終轉速。（線 段65顯示旋轉馬達由調合速度加速爲鑄造速度）。在加速 及/或達到最終轉速後，該臂移到完全非調合位置（線段 6 7) ° (此調合臂移動可爲時間敏感步驟）。 當在基體塗想要之光阻液量後，將基體加速爲最終或鑄 造轉速（見B部份，包含線段6 5 )。此步驟之時間對旋塗光 阻最終厚度有極大影響，而要知道轉台調合速度加速之開 始及結束最好以中斷控制方法執行。應設計可得想要膜厚 度之鑄造速度段之期間及最終速度。通常希望厚度高到約 5 0微米’低到小於5，；[或〇 5微米。該塗佈相對於厚度及 厚度一致性最好以很小容忍度塗佈，而對使用中斷時間控 制處理命令之在此所述處理控制，在晶片中及間一致性可 達小於15埃（3 sigma)，甚至小於5埃（3 sigma)。該塗佈在 軟烤後以及光罩及暴露光阻前量測這些値。 在一組處理設備亦可使用多旋塗裝置或碗形物，該群組 中包含如用以塗顯像液之旋塗裝置、加熱板及冷卻板等其 L $又備。用以旋塗光阻之多個碗形物各有本身之特性，可 包含相對於該組其它碗形物之塗佈厚度（平均）變動，而所 有參數及狀況之設定及控制一致。可由延長或縮短基體在 -22- 本紙張尺度適用中關家標準（CNS ) A4規格（2lQx297公楚） C讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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發明説明（ I I 1S — 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 最=或鑄造旋轉步驟旋轉之時間量補償這些厚度變動（圖4 之台狀71)。這最好由稍早或稍晚開始#造轉速加速完成 (圖4之點7 3可稍早或稍晚執行）。 在鑄造邵份B後足以部份c表示之邊緣氣泡去除及後側清 洗部份。這包含以和調合速度類似之速度旋轉，如所示移 動調合臂至基體邊緣，及在基體邊緣由調合臂調合邊緣氣 泡去除液以將在邊緣形成氣泡之光阻材料去除。當此情形 發生時’如以邊緣氣泡去除液流沖洗基體後側。 通^可利用經由光罩暴露光阻層於放射，將基體另加處 理（及可由如烤及/或冷卻步驟之一或多個其它步驟）。 顯像液可在暴露光阻上塗於基體。圖5説明使用旋塗塗顯 像液之一些一般步驟。這包含在基體表面塗顯像液之第一 4伤（”周合或混合形成部份D )。接著是混合時間部份E，使 顯像液和光阻溶解區反應。該混合時間區後是沖洗及轉乾 F在冲洗α卩份可將如去離子水或顯像液之其它處理 液。周入基體’以帶走溶解之光阻。視所需可進行最終乾 燥，如利用加溫、向心能及/或降壓。 依照本發明，使用在此所述之中斷計時方法至少控制部 伤顯像液塗佈處理。使用此控制之一較佳部份是和顯像液 調合有關之部份〇，以下將細述。 可以任何使顯像光阻區有效反應及去除之方式塗顯像液 至基體表面。通常於光阻層塗顯像液之方式是使顯像液均 句和光阻材料層互作用並使洗掉而留下之部份爲正或負樣 式光罩。此塗顯像液可使機械衝擊量減到最小或使此衝擊 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - I ......1 · 、1Τ 23-

本紙張尺度21〇x29TST 527655 發明說明（‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在基二表面一致及亦相對於光阻表面和顯像液接觸之時間 儘可能使之-致。理想上以相同時間均等於光阻表面所有 區域塗及接觸顯像液，而使光阻顯像一致。在旋塗方法這 可利用以圓或螺旋樣式塗顯像液估計，如利用旋轉基體及 利用移動調合器形成螺旋樣式，或使用多個調合點形成圖 形樣式。 可利用考量光阻顯像之一致性量測在（最好）一致塗佈光 阻塗顯像液之一致性程度，顯像光阻一致性可由考量顯像 及去除部份光阻後剩下特性之一致性及大小（通常指寬度） 量測。可在接著光阻區顯像及去除之烤基體後，量測此 値。通常這表示使用所謂線寬可重覆性之測試考量剩餘特 性線寬。利用本發明之方法，可產生晶片中9奈米（3 sigma) 及晶片間6奈米（3 sigma )之線寬可重覆性。 通常約3 0至5 0耄升最好約4 0毫升之顯像液（如對直徑2〇〇 毫米之基體）可在光阻整個表面塗均勾且一致之一層。當然 視所需可用多點或少點。亦可以如去離子水之其它處理液 在光阻液前或和之結合在基體上調合，以將基體預濕及改 良塗佈光阻及顯像液間之互作用。 圖5説明在一暴露光阻層上將顯像液塗到基體表面之方法 範例步驟。（最好但不一定使用旋塗塗光阻）。線8 0表示旋 轉馬達速度。淡線8 2表示顯像液之調合。線8 4表示調合去 離子水。線8 6表示調合臂位置。及線8 8表示顯像調合處理 之時間敏感部份。參照圖5，轉台轉速開始加速爲第一速度（台狀8 5 )，用 -24- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 丨裝 太 訂： -丨線· 527655 A7 B7 pp 五、發明說明（） 以調合顯像液。如線8 4所示，調合臂移到基體中央之調合 位置’並利用調合去離子水開始將基體表面預濕。顯像液 之調合發生（台狀90)及調合臂自基體中央移到基體邊緣 (線段83)。當調合臂在基體略微停頓，顯像液繼續調合， 此時轉台速度降低（線段丨〇2 )。該調合臂然後回到（線1 〇4 ) 基體中央（點111 )，在此轉台速度再次下降（線段1〇6 )然後 回到基體邊緣線（線段108 )。在此點附近顯像液之調合結束 (點115)及轉台停止。 依照本發明使用中斷處理控制系統控制旋塗處理，其中 該處理之連續控制由一中斷信號中斷，於是處理控制系統 執仃一預程式處理命令，然後回到連續控制。該中斷信號 可爲外接或内接（自該處理控制系統，形式爲款體中斷。例 如中斷信號可爲處理控制系統程式化之軟體信號，以程式 化之時間或在一軟體程式偵測到一個事件發生時送出；或 該中斷信號可爲硬體中斷，如感測器、控制器、聚、調合 器、轉台、計時器等之旋塗裝置元件之間歇信號。硬體中 斷爲來自硬體之中斷信號，並最好爲如經由硬接線連接直 接送到CPU之間歇信號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在中斷時執行之處理命令通常可爲旋塗處理—部份之任 何命令。孩方法特別適於控制時間敏感命令之時間。時間 敏感命令爲和時間在毫秒範圍之處理步驟有關之處理命 :’可對所塗佈處理材料之—致性有適度影響，包含可影 f光阻厚或線寬可重覆性之命令。時間敏感命令之範例包 .硬體兀件t移動如轉台移動（如加速或減速）、調合器移 -25- 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) -線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 527655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -—____B7 23 五、發明說明（） 動及#1合器溶液〗周合之開始或結束。轉台移動時間可對旋 塗膜厚特別重要，因分配處理液（特別是光阻液）爲均勻薄 膜之轉台加速、期間、速度將影響所製造之最終厚度及一 致性。 當π處理事件”（亦稱爲，，觸發事件”）發生時，中斷信號可 送至CPU。名詞”處理事件”及”觸發事件”可互相交換使 用，是指在旋塗處理發生或程式化爲發生之事件，且可在 系統送中斷信號時由處理控制系統之CPU查覺或偵測。觸 發事件最好爲和在時間敏感命令前不久之事件或將一時間 敏感期間啓動或前不久之事件有關（包含一或多個時間敏感 命令之處理之部份）。 一較佳觸發事件對不同之處理類型可爲不同，如光阻旋 塗處理對塗顯像液處理。因光阻旋塗處理包含在溶液調合 結束後之時間敏感命令，因特定溶液量之溶液調合結束S 能不同，一便利之光阻旋塗處理之觸發事件可爲在光阻液 調合結束時（圖4之點59)。在塗顯像液處理，緊接在溶液 調合開始後之一些步驟可時間敏感，故一便利之塗顯像液 觸發事件可爲調合開始（圖5之點11〇 )。 當收到中斷信號，CPU依照和中斷信號有關之一組預程 式化指令執行一或多個處理命令，如執行中斷服務程式 ("ISR”）。中斷服務程式可包含只執行單一處理命令之指令 或可包含執行多個處理命令之指令。在單一處理命令或一 或多個多重處理命令之狀況可能較觸發事件延遲或可在觸 發事件發生時執行。該一或多個延遲時間可由處理控制系 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂： .線. A7 B7 五、發明說明（24 -會被ί :::二器f測。在各期間結束時1 s R將送出另 個：時::：17觸發信號造成處理控制系統執行包含多 程式對每期間中斷服務程式。該中斷服務 時，中斷服務程式°送另」丁中―：一時器’而在每-延遲結束 量物直到因當另-計時器到其 斷信號而再次中斷止Γ: 如硬體中斷之另-中 號之相同起點量測各=吊㈣地由如觸發事件或中斷信 相同起點量測。二斷—1 s R之不同期間無需均由 ⑽毫秒，炊後卢將CPU帶離一般控制模式約10到 —中斷錢、、。、 ㈣'^細復連續控職到收到另 I程式或預程式該處理控制系統（如由在操作旋塗裝 處理控制系統預掃描或預程式一程式如包含— 二二!：=中’信號。該預掃描可亦包含將和所有 不π中斷^對應⑽程式化。當收到各中 ^控制系統將以執行和所收到特u斷信號對應之is= 圖6説明圖4旋塗處理之-部份，使用中斷計時控制及將 單-觸發事件之處理期間計時之平行計時器將之控制。圖 6顯示之觸發事件在旋塗處理中發生。較佳地其可選μ -27- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 527655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（25 ) ϊίίΐ合結束。當偵測到調合結束（由如供應系絲、調合 6 u、/任何架構），送—間歇信號到CPU。觸發f tt在α 6以垂直線表示，亦表示㈣。_或 =:在圖 及=運轉，各自時間。及觸發事件之預設二= 依，4發明之實施例，在各期間.結束執行一 人 在最短期間後執行最早處理命令（圖6之期間叫。=期 間結束，中斷服務命令將送出另一中斷信 /以功 結束)至中央處理單元。CPU將依在收到和期；：二:D1 =號時之程式作用，及執行適當處理命令。在此 叩7可局由基體中央上方移至邊緣之調合臂動作（圖4線段 =)。在執行處理命令後，恢復連續控制。在期間Μ社束 時，送出另-中斷信號，中斷連續控制而執行另—處^人 令。在此範例，第二處理命令可爲轉台加速到轉造 : 開始（圖4之點7 3 )。 又 圖7説明圖5旋塗處理之一部份，使用中斷計時控制及將 單-觸發事件處理期間計時之平行計時器控制。圖7顯示 在顯像液旋塗中發生之觸發事件後之事件。較佳地該觸發 事件可選爲顯像液碉今之開始（圖5點11〇)，故緊接調合開 始之時間敏感命令可自調合開始計時。 當偵測到#1合開始時，送一間歇信號至CPU (如供應信號 控制器33送間歇信號至CPU 30(見圖）。在圖7該觸發事件 以亦表示t = o之垂直線表示。計時器（圖中之丁4，丁5， Τ 6，Τ 7，Τ 8及Τ 9 )開始運轉，各由時間〇開始之預設期間 一個。 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) I I I - 再太 訂-· -線- -28 - 527655 A7 B7 五、發明說明（26 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 當期間D4結束（圖5之點101)，中斷服務程式送一信號至 CPU以中斷連續處理及執行將調合臂由基體中央上方移到 邊緣上之命令（圖5之線段8 3 )。 在期間D5結束（圖5之點1〇3)，中斷服務程式送一信號至 CPU以中斷連續處理及執行將轉台以既定速率減速爲一降 低速度之命令（圖5之線段1〇2)。 在期間1)6結束（圖5之點1〇5)，中斷服務程式送一信號至 CPU以中斷連續處理及執行將調合臂由基體邊緣移到中央 上方之命令（圖5之線段104)。 在期間D7結束（圖5之點1〇7)，中斷服務程式送一信號至 CPU以中斷連續處理及執行將轉台以既定速率減速爲一降 低速度之命令（圖5之線段106)。 在期間D8結束（圖5之點m)，中斷服務程式送一信號至 CPU以中斷連續處理及執行將調合臂由基體中移到邊緣上 之命令（圖5之線段1〇8)。 在期間D 9結束（圖5之點丨15 )，中斷服務程式送一信號至 CPU以中斷連續處理及執行停止顯像液調合之命令。化 經由所有旋塗處理f驟，處理控制系統依照其預程式指 令，如軟體指令作。這包含和連續控制、軟體中斷俨 號、中斷服務程式等有關之指令。可將控制處理系統程式 化，以根據優先順序執行指令，<系、统能在執行很低順位 命令（如連續控制程式）時中冑以執行較高順位之命令（如中 斷服務之命令）。將處理控制系統程式化及預程式化以察風 如中斷信號t信號，並以執行適當命令如ISR回應。 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再本頁)

-II — I ，裝 -線 527655 A7 五 、發明說明（27 B7 本發明處理控制降低或消除連續控制 =執行處理命令及以量測該期之：：間變動。 ，，對現代電腦精確度可在約5毫:7精其確度量測延 ^更少。另外可獨立即平行量測處理命令，故執至是1毫秒 積。 處理中令時間產生影響及累 圖8概略説明本發明之態樣，依照本 =中斷控制-或多個步驟之變動。_=::;亍 外择、^圍1·000至L〇05秒之中斷執行。以平行計時器 在，^二步驟在時間2侧至2祕秒執行步報 在3._至3.005秒執行。參照圖2顯示和本發明方關驟 變動較連續控制之相關變動佳。 ^万材關疋 接著是在使用旋塗及中斷驅動連續處理控制所塗之光阻 ^上，使用及未使用在此所述中斷驅動連續處理控制塗顧 像現之旋塗光阻層線寬比較摘要。即該資料比較—致塗佈' 先阻層之晶片组，其中一组使用標準連續處理控制塗顧像 液而塗佈（"N0N-SYNC"表示非同步處理），及其中另:組 使用依照本發明之專理控制塗顯像液（"s ync "及s y #2) 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使有依照本發明之中斷驅動連續處理控制在2 5個矽晶片 (200 mm直徑）旋塗光阻液，接著使用旋塗及r〇und⑺^匕連 續控制塗顯像液（非中斷）。各光阻之臨界大小量測使用掃 描黾子颁微4¾ ( SEM)在各晶片一致分佈之55個不同位置量 測，其中該等位置在25個晶片之相對位置均相同。（臨界 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527655

、發明說明（28 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 大小疋/旨裝置性能-特性性徵之線寬）。該目標臨界大小 (c D )爲140奈米。圖9之γ軸顯示在5 5個位置之2 5個量洌 線寬平均値（平均CD(nm))，對該55個位置（絲）。ν〇ν_ SYNC晶片之55個位置平均之25個量測平均線寬爲ι38·9奈 米。圖9亦顯示在55個位置所量測.25個晶片各平均値之三 標準偏移。該55個卩置之平均三標準偏移爲1171。 和n〇N-SYNC晶片相同，另一組25個晶片（sync)使用 中斷處理控制及連續計時器塗佈光阻液。利用旋塗亦使用 中斷處理控制及連續計時器塗顯像液將光阻層選擇性顯像 及去除。對該25個SYNC晶片量測。在*N〇N_SYNC晶片 位置對應t 5 5個位置量測臨界大小，及圖9顯示在該5 5個 位置之2 5個量測平均値。平均臨界大小量測之平均値爲 136.3。圖9亦顯示該55個位置之25個量測平均値之三個標 準偏移。該55個位置之三個標準偏移平均値爲712。 另一組2 5個晶片（SYNC # 2 )以用以預備及分析2 5個 SYNC晶片相同方式處理及分析。圖9顯示該5 5個位置對 2 5個C D量測（各晶片一個）之平均値。及圖9顯示在5 5個位 置之2 5個量測平均値f標準偏移。 該資料顯示依照本發明使用中斷處理控制可降低平均臨 界大小量測之標準偏移。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 丨線· -31 - 本紙張尺度適用中'國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

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   第090112984號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(91年9月） 申請專利範圍 1· 一種用以控制使用旋塗裝置於基體 之方法’該方法包含： 處理 使用連續處理控制控制該處理， 子程式控制該處理； ，、中由順序執行-组 信號中斷該連續處理控㈣執彳卜處 =專利範圍第1項之方法，其中之中斷信號送至處理 ^制系統之中央處理單t及其中在收到中斷信號Ϊ 中央處理單兀執行中斷服務程式。 ，、 3. =專利範圍第2項之方法，其中之中斷服 夕個計時器，各計時器量測不同期間，及在 = =㈣服務程式送-中斷信號至中央處理單元及^ 央處理單元執行一處理命令。 4. =申請專利範圍第】項之方法，其中在執行處理命令後， 處理控制系統回復連續處理控制直到接收另―中斷信 號。 4申#專利|β圍第！項《方法，其中之中斷信號是軟 斷信號。 &如申請專利範圍第！項之方法，其中之中斷信號是硬 斷。 、、申μ專利範圍第6項之方法，其中之硬體中斷信號在溶 液凋口開始或結束時或二者時由供應系統控制器送出。 申π專利範圍第1項之方法，其中之處理命令選自轉台 加速或減速啟動，及調合器移動啟動。 9· -種用以在基體提供光阻塗層之方法，財法包含： 297公釐） 裝 訂 527655

   、申請專利範圍 在基體上旋塗光阻液，其中該旋塗處理由一方法控 制，包含： 利用連續處理控制順序執行一組子程式控制該處理； 以中蚜信號中斷連續處理控制以執行一處理命令； 及 ’ 使用旋塗裝置在該旋塗之光阻塗顯像液，其中旋塗裝 置由一方法控制包含： 使用連續處理控制順序執行一組子程式控制該處理； 及 以一中斷信號中斷該連續處理控制以執行一處理 令。 10. —種在微電子裝置旋塗顯像液之方法，該方法包含自一 稍早處理事件平行量測之期間執行處理命令。 U·如申請專利範圍第丨〇項之方法，其中自單一處理事件量 測二或多個期間以控制二或多個處理命令。 12.如申請專利範圍第10項之方法，其中控制各期間在5毫 秒内。 以如申請專利範圍第10項之方法，其中控制各期間幻毫 秒内。 从如申請專利範圍第1〇項之方法，其中 期間D4自時間to量測； 在期間D4結束時，執行一第一處理命令；以及 期間D 5自時間t〇和D 1平行量測；以及 在期間D5結束，執行一第二處理命令。 -2· 527655 A8 B8 C8 D8

   六、申請專利範圍 15·如申請專利範圍第丨〇項之方法，其中之處理事件和硬體 中斷有關。 ^ 16·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中之硬體中斷和選自 以下群組之處理事件有關包含：調合器開始移至調合位 置；調合器停止移至調合位置；溶液調合開始；溶液調 合結束；調合器開始移開調合位置；調合器停止移開調 合位置。 " 17·如申请專利範圍第1 〇項之方法，其中至少一處理命令選 自以下群組，包含：啟動調合器移動；啟動顯像液調 合；顯像液調合結束；變更轉台旋轉加速或減速。 18·如申請專利範圍第丨4項之方法，其中之期間D 4及β $使 用二不同計時器量測。 19·如申請專利範圍第丨8項之方法，其中之計時器精確範圍 在5毫秒内。 20.如申請專利範圍第18項之方法，其中之計時器精確範圍 在1毫秒内。 2L —種用以控制顯像液旋塗處理之方法，該方法包含利用 以中斷服務程式程式化之處理控制系統， 其中在一觸發事件送硬體中斷至處理控制系統， 當收到硬體，中斷，處理控制系統執行中斷服務程式， 及其中中斷服務程式包含以下步驟： 设足二或多個計時器在多個期間平行運轉；及 在各期間結束送一軟體中斷，以中斷處理控 執行處理命令。 -3- 527655 -------- κ、申請專利範圍 A B c D 2· —種處理微電子裝置之方法，該方法包含以下步驟： 在微電子裝置表面旋塗處理液；及 在微電子裝置上旋塗顯像液，該旋塗方法包含中斷連 續處理控制以執行處理命令。 23·如申請專利範圍第2 2項之方法，其中之旋塗處理液和使 用中斷處理控制執行處理命令有關。 24·如申請專利範圍第22項之方法，其中使用使中斷服務程 式執行之中斷信號中斷連續處理控制。 A如申請專利範圍第24項之方法，其中之中斷服務程式啟 動多個計時器，各計時器量測不同期間，及在各期間結 束時中斷服務程式送一中斷信號至執行處理命令之處理 控制系統。 26.如申請專利範圍第22項之方法，其中之方法避免連續計 時方法造成之處理命令時間變動累積。 27· —種用以控制旋塗顯像液之處理之方法，該方法包含在 一或多個稍早處理事件平行量測之期間啟動二或多個處 理。卩令，以避免連續計時方法造成之時間變動。 種旋塗裝置，包含控制顯像液旋塗步驟之處理控制系 統’包含由-或多個稍早處理事件平行量測之期間啟動 處理命令β 29. —種旋塗裝置，包含： 一轉台，用以支撐及旋轉基體； 一調合器，可在調合位置及非調合位置間移動； 一顯像液供應，和調合器流體通訊；

   527655 A B c D 、申請專利範圍 一處理控制系統，用以控制在基體塗顯像液，該處理 控制系統可程式化以中斷連續控制執行處理命令。 30. —種旋塗裝置，包含程式化之處理控制系統，以執行顯 像液旋塗處理步騾，包含使用二或多個計時器平行將不 同處理命令計時，以避免連續計時方法造成之處理命令 時間變動累積。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）