TW526486B - Writable and erasable high-density optical storage media - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印I Α7 Β7 五、發明説明（/ ) 本發明係有關於將光學賣料儲存於可寫及可消除之高 密度儲存介質之領域，其中之資料的位元不同於在已書寫 及未書寫溝漕中的光學性質。做為儲存元素之該新穎儲存 介質包含特定茈顔料，及於可重寫的D V D - R Ο Μ格式中具有 1 2 0或8 Q釐米直徑且可例如被使用為磁碟片者。 本發明同樣地有關於一種於4㈣至7 ϋ Q毫微米波長用於 光學記錄、儲存、再現、修正或消除資料之方法，其中係 使用該新穎之儲存介質。 於現代之多媒體年代，傳統的C D磁碟片的儲存容量已 不再足夠〔〇y〇 Butsuri 64，208— 219 (1995)〕。因此 已嘗試M DVD格式（『DVD』代表『digital video disk』 (數位影像磁碟片）或『digital versatile disk』（數位 多功能磁碟Η ))取代C D格式。此目標為至少4 · 7百萬記憶 單位（Gbyte)之儲存容量。然而，具有4· 7百萬記憶單位容 量之D V D磁碟片只能使用一刻板機（m a s t e r ) ( D V D -影像， DVD-聲像，DVD-ROM )藉由条列壓縮生產，且既不可重寫 也不可消除。 W 0 9 0 / 0 148Q述及使用螢光二_吡咯并吡咯和茈四俊 酸二_胺染料做為光學資料儲存元素。這些染料最初為结 晶形式且具有由〇 · 1至2 0 0毫米的均勻大小，且可藉由雷 射輻射由非螢光變體轉換至螢光變體。如果這些染料與具 有熔點為由1 7 0至1 9 0 °C之熱穩定肋劑物質共同使用，已 書寫之螢光資料儲存可藉由再加熱至2 2 Q t Μ上而消除。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 526486 經濟部中央標準為舅工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 然而，消除速度極低；除此之外，這些糸統具有無法令人 滿意的壽命’且螢光的偵測係為非常複雜的技術。 US 4 8 1 2 3 5 2述及非連續性微结構，Ν, Ν’-雙（3, 5-二 甲苯基）茈-3，4 : 9，1 0 -雙（二羧醯亞胺），其係為於基質上 之塗覆物形式。雖然其聲稱它們可被使用為資料儲存，但 特定的賁施例並未被揭示。如果資料儲存可成功，其該屬 於不可逆方法，因為該微結構僅於高真空中極慢速成長， 因此其不可能合理地輕易再生成（例如於書寫裝置）。除 此之外，這些微结構具有1 . 5微米的長度且具有低折射率 ，所Κ它們不適合於高容量和高解析度之需求。 應用的光學（Applied optics)[26/7，1240-5(1987)】 述及之薄膜係包含熔融而不被分解之憩Μ染料，且可使用 具有6 4 7 . 1毫微米波長之被調整氪離子雷射，由非晶形栢 轉換至晶相，或依脈衝長度而定反之亦然。然而，在毫秒 區域之消除速度對實際的使用而言為太慢。 然而，染料糸統對於DVD-R和DVD-ROM所需的需求僅達 到未滿意的程度，特別為有關於高儲存密度和消除速度之 部份。除此之外，染料，相對於顔料，具有極差的光穩定 性；更另外地，對於在DVD-RAM中所需重覆的加熱將造成 染料分解，或擴散至相鄰的高分子量介質之内，因此形成 『孔洞』（ho 1 e s )。此類系統因此具有短的壽命。更甚者 ，雖然使用晶核形成層，结晶仍過慢而無法標的化，使在 正常記錄或讀取速度時於儲存介質的個別溝槽或區域選擇 一 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;#本.

、1T 526486 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 ΑΊ Β7 五、發明説明（3 ) 性消除。 包含鎵一® —碲的低共熔混合物之可書寫和可消除的 儲存介質被述於非晶形固體（Non-crystalline Solids) 9 7 & 9 8期刊，1 3 5 1- 1 3 5 4 ( 1 9 8 7 )。這些介質之儲存層 可藉由使用8 3 ί)毫微米波長之半導體雷射由晶相轉換至非 晶形相且反之亦然，其等於最佳條件下可達到具有1微秒 之消除時間。 當使用目前之高緊密，高能量的紅色二極管雷射時， 其係由6 3 0至6 9 0毫微米的範圍發射，原則上可藉由於軌 跡分離（2轉（tuiin)資料軌跡間的距離）及記號（溝槽） 大小之減少而足Μ改良資料壓縮密度。 然而，每120釐米磁碟片單面為4 · 7百萬記憶單位之高 儲存密度仍無法使用此等儲存介質而被達成，但僅取代具 有2 · 6百萬記億單位的儲存密度。除此之外，共熔混合物 的精確組成物極為重要，所以此種介質的製造為困難和昂 貴。而且，因為毒物生態學的理由，對於大量消費者之產 品含有鎵，硒及碲為非常不受歡迎。亦及’基於物質流動 的糸統顯示於老化時顯示出無法忽‘路的相分離〔光學記錄 (Optical Recording) ， Α·Β· Marchant ， Addison-Wesley 出版公司，8 7 ( 1 9 9 0 )〕，所Μ於資料書寫的耐久性和長 期安全性無法被保証。 令人驚訝地，經發現若特定之茈顏料被使用於儲存層 ,可得到具有高度書寫及消除速度及改良性質之可寫及可 -7- 紙張尺度適用+國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公楚) -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

526486 kl B7 五、發明説明（4 ) 消除之高密度光學資料儲存介質。這些介質係適合$ & DVD-R且特別適合用為DVD-ROM 。 本發明係有關於一種光學儲存介質，其包含一 S胃及 一儲存層，其中儲存層包含式（I )或（I )化合物

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其中 A和A /分別為未經取代或經單一或二一鹵素一，一經基 —，一 C I — Cs 踪基 一，一 Ci 一 Ce 烧氧基一 ’ 一氯 基一或一硝基一取代之苯基，毗啶基，吡咯基，咪唑基， 呋喃基或噻吩基，若需要時其等可被稠合至苯環，為鹵化 物，四氟硼酸鹽或未經取代或經一或多個鹵素取代之C 1 一：Cs燒基碌酸鹽，苯磺酸鹽，C 1 一 C«3焼基苯碌酸鹽 ，C 1 一 C 6综基硫酸鹽或N - C i — C 6燒基一 Itt陡鎌基 之二一 C i — Cs烷基磷酸鹽，或為未經取代或經單一或 二一羥基一取代之C z —* c 6烧基或C 2 — C s烯基，該 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 526486 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（夕） 等鏈可未被插入或經一或二個氧原子插入， B和B'分別為2H，S，Sz ，或SO2 ，和 η和分別為由1至4之數目。 A和A /較佳為苯基或C 2 — C 6烷基。苯基的任何 取代基較佳為羥基，鹵素，甲基或甲氧基。C2 — C6烷 基較佳為未經取代或經一個羥基取代。 B和B#較佳為2H。 η和η /較佳分別為1或2之數目，及特別佳為均為 2之數目。 鹵素為氯，溴，氟或碘，較佳為氯或溴。 烷基或烯基，例如C i——C 6烷基或C 2 — C 6烯基 ，可為直_，分枝的或環狀。因此，C i — C 6烷基例如 為甲基，乙基，正丙基，異丙基，正丁基，次丁基，異丁 基，三級丁基，環丁基，正戊基，2-戊基，3-戊基，2，2-二甲基丙基，環戊基，正己基，2-乙基丁基或環己基。 C A — C s烷基磺酸鹽較佳為甲基磺酸鹽，乙基磺酸 鹽或三氟甲基磺酸鹽，最佳為甲基磺酸鹽。於C : 一 C 6 烧基苯磺酸鹽，C 1 一 C 6综基硫酸鹽或二一 C i 一 C 6 燒基磷酸鹽中之C i 一 C6燒基較佳為甲基，乙基或三氟 甲基，最佳為甲基。於N - C i — C s烷基一毗啶鎗基中之 c i ~ C s烷基較佳為C i 一· C 4烷基，最佳為甲基。

Cz — Ci$鋪基為Cz — Ce燒基經輩一或多元未飽 和，若存有雙鐽時，其中二或多個雙鐽可被分離或共軛， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T #1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 526486 A7 B7 五、發明説明（6 ) 例如乙烯基，烯丙基，2-丙烯-2-基，2-丁烯-卜基，3-丁 烯-卜基，1，3 - 丁二烯-2 -基，2 -環丁烯-1 -基，2 -戊烯-1 -基，3 -戊烯-2 -基，2 -甲基-卜丁烯-3 -基，2 -甲基-3 - 丁烯 -2-基，3-甲基-2-丁烯-卜基，1，4-戊二烯-3-基，2-環戊 烯-1-基，2-環己烯-1-基，3-環己烯-1-基或2,4-環己二 烯-1 -基。 經氧插入之C ^ — C s烷基例如為3 -氧雜戊基，2 -氧 雜環戊基，2-氧雜-3-甲基環戊基，3-氧雜己基或 2, 5-二 氧雜環己基。 式（I )或（I )之部份化合物為習知，其製備已例 如揭示於 C Η 3 7 1 6 3，C Η 6 1 8 2 0 9，D E 2 6 1 2 8 5 5，G B 1 537 358， US 4 937 164 和 US 5 319 083 。式（I)或 (I )之其他化合物仍具有新穎性，其亦可由相類K於習 知化合物之習知方法製備，例如藉由揭示於上述刊物之方 法或於染料和顏料（Dyes and Pigments)4， 71-77 (1983) 之方法。 本發明亦有關於式（I )或（I )化合物，惟排除已 述及之所有式（I )或（I )化合物。已知之化合物為式 (I )化合物，其中B和B /分別為2 Η * A和A /分別 為苯甲基，3-氟苯甲基，3-氯苯甲基，3-甲氧基苯甲基， 2-苯基-乙基，2-(3’-氯苯基）-乙基，2-(3’-甲基-苯基）-乙基，2-(4 ’-甲基-苯基）-乙基或2-(4 ’-甲氧基-苯基）-乙 基。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 526486 A7 B7 五、發明説明（1 ) 較佳之式（1 )或"）化合物為，其中A和A'為 «基或齒化物，氟硼酸鹽或未經取代或經一或多個齒 素取代之C i 一 C 6烷基磺酸駿，苯磺酸鹽，c c 6 礦酸鹽’ C i - c 6 _基硫酸鹽或N 一 c i _ c 6烷 烷基苯

基一毗啶鑰基之二~ C i 一 C 燒基鱗酸鹽。這些化合物 特別為N - C 1 — C s综基一毗啶錄基鹽， 易於被旋轉塗 覆 或C 2 子插入 式 之固體 為相對 為較佳者為式（I)或（H)化合物，其中六和八 取代或經單一或二一羥基〜取代之—C6烷基 一 Cl烯基，該等鐽可未被插入或經一或二個氧原 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) k 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (I)或（H)之適當化合物為至少具有2種形式 者，其等在6 5 0毫微米之吸光係數k ( k 6 5 〇 ) 應於複數折射率之虛數部份且差值至少為〇 · 〇 5，較 佳為至少〇 · 1 。k s s 〇於其中一個形式為至少〇 · 2且於 另一個形式為至多0.15。 大體上，式（I )或（U )化合物於例如比色指數 (color index)或其他揭示個別結構合乎本發明k6 5 〇 絛件之刊物中，它們被稱為『黑色』。於式（I )或（E ) 之所有化合物，包括新穎者，其等之固態光譜可由本身已 知之方法測得。如果本發明之式（I )或（H )化合物可 得自非晶形形式之合成，它們可藉由同樣本身習知之方法 而被轉換為晶形形式，例如經由習知溶劑或其蒸氣，依溶 -1 1 - 、ν" 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 526486 A7 B7 五、發明説明（8 ) 劑及溶解度而定，於例如由1 〇秒至1 〇 0小時之時間下處理 ，如果需要時可加熱至3 Q至2 5 0 °C之溫度。該方法例如述 方之 J. Phys . C h e in. 1 Ο Ο » 8 5 2 - 8 5 9 ( 1 9 9 6 ) 〇 如果溶劑被使用於轉換成晶形形式，有利者為於之後 再將之移除，否則該等新穎儲存介質令人驚訝的優點無法 達到令人完全滿意的程度。因此同樣地較佳者為使用沸點 為低之溶劑，有利地為S 2 G 0 °C，較佳為S 1 Q 0 6C。 式（I)或（S)化合物亦可於無溶劑存在下經由加 熱而被轉換至其等之晶形形式，例由至4 0至1 6 0 °C之溫度 〇 令人驚訝地，經發現本發明之式（I )或（I )化合 物可藉由機械力，例如摩擦或加壓，由具有較高k 6 5 Ο 形式被轉換至具有較低k 6 5。形式。依化合物而定，所 需要的壓力為由約1 至1 〇 1 ^克/平方米，較佳由約 1 0 7至約1 (]9克/平方米。然而，需注意者為，於高壓力 ，例如高於1 G 9克/平方米，該壓力也可能使基質變形， 例如式（I )或（Π )化合物所塗覆其上之高分子量材料 ;這清況通常為並不想要者。本發明因此亦有關於一種使 用於將式（I )或（E )化合藉由施用一機械力而由具有 較高k 6 5 〇值形式轉換至具有較低k s s 0值形式之方 法。通常，具有較高k 6 5。值形式為黑色或褐色且為晶 形，及具有較低k 6 5.。值形式為紅色且為非晶形或多晶 形。 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公麓Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 526486 A7 ____B7__ 五、發明説明（7 ) 『黑色』晶形相之存在也能由结晶的模式計算衍出， 於例如 Liebigs Ann. Chem. 1984， 483-494所逑之方法中 ，其中可能預測其顏色。 本發明之式（I )或（It )化合物於吸收帶的長波長 邊緣具有高折射率η ;此折射率較佳於由4QQ至700毫微张 之範圍達到由2至3的波峰值，其足Μ於所需之光譜區域 内產生高反射性、高敏感性及良好再現性性質的介質。特 別佳者，η於6 5 0毫微米（k 6 5 〇 )為由2 · 0至2 · 5 。 為施用其上之各層做為支撐體功能之基質有利地為半 透明（T S 10% )或透明（T S 90% )，較佳為透明。該 支撐體可具有厚度由0.01至10釐米，較佳由0.1至5釐米 ，特別佳由0.1至1釐米，尤其由0.5至0.6釐米。雙折 射較佳為至多1 〇 13毫微米。該基質之個別光學機械需求為 熟於此藝者所習知者。 該新穎光學儲存介質的儲存層較佳為實質上由一或更 多個式（I )或（2 )化合物組成，特別佳為實質上由一 個式（I )或（It )化合物組成。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 除了基質和儲存層之外，該新穎儲存介質較佳具有一 層至少部份反射的曆。 儲存層較佳施用於透明基質和反射曆之間。儲存層的 厚度為由10至500毫微米，較佳由20至200毫微米’特別 佳由50至100 毫微米，尤其為約70毫微米。依據在讀取 波長中未書寫或書寫狀能中個別的折射率而定，該層之厚 -13- 本&張尺度適用中國國家標準（〇奶）六4規格（210'乂297公釐） r526486 A7 B7_ __ 五、發明説明（) 度係Μ習知的方式特別地被選擇，所Μ當含有式（1 )或 (I )化合物為較低k 6 5 〇形式時由於结構性干擾而產 生高反射之结果，相對地，當含有式（I )或（S )化合 物為較高k s s 〇形式時由於吸收而產生較低反射之·结果 〇 通常具有厚度由1 G至1 5 0毫微米厚度之反射層’較佳 為具有較高反射性（Rg7Q%)结合有低透明度（TS10 % ) 〇 依據層结搆而定，最上層，例如反射層，有利地為額 外給予一保護層，其可具有厚度由〇. 1至i㈣〇微米，較佳 由0 . 1至50微米，特別佳為由0 . 5至15微米。如果需要， 該保護層亦可使用為黏著促進劑的載體，或其本身做為黏 著促進劑且第二基質層施用其上，其可具有厚度由〇·1至 5釐米，特別佳由0 . 1至1 . 0釐米，尤其為由0 . 5至0· 6釐 米，及特別佳者為使用相同材料做為支撐體基質。在進一 步的具體實施例中，儲存和反映層同樣地可被施用至第二 基質層，所Κ儲存介質可於兩側被書寫。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 整個儲存介質的反射性較佳為至少1 0%，特別佳為至 少2 0%，極特別佳為至少4 5%。 式（I )或（Ε )化合物的使用可使儲存層具有有利 的性質，例如於於日光下具有高的光穩定性同時於高能量 密度的雷射輻射下具有高的敏感性，均勻的雕刻寬度，及 良好的熱及儲存穩定性。 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 526486 A7 ---__ _B7___ 五、發明説明（ί丨） 適當基質的例子為玻璃，礦物，陶磁，熱固性塑料和 熱塑性塑料。較佳之支撐體為玻璃，均質聚合物和共聚物 。適當聚合物的例子為熱塑性塑料之聚碳酸酯，聚醯胺， 多元酯，聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯，聚胺基甲酸乙酯 ’聚烯烴，聚氯乙烯，聚二氟乙烯，聚醯亞胺，熱固化性 聚S旨和環氧樹脂。該基質可為純形式或可包含習用添加劑 ’例如ϋ V _吸收劑或染料，如於J Ρ 0 4 / 1 6 7 2 3 9所提及使用 為儲存曆之光保護。在後者之情形中，有利者為將染料加 至支撐體基質使其具有吸收最大值，其相對於儲存層之發 色團為向藍位移至少20毫微米，較佳為至少50毫微米。 基質於由4 G G至7 G 0毫微米之至少部份範圍有利地為透 明性，所以其可使書寫或讀取波長之至少9 入射光通過 °基質於塗覆層較佳具有螺旋形的導向凹槽為具有深度由 2 0至5 0 0毫微米，寬度由0 .2至0 .8微米，及於2轉間之分 離由〇 · 4至1 . 6微米，特別佳為具有深度由3 G至1 0 0毫微 米，寬度由0 . 2至0 . 4微米，及2轉間之分離由〇 · 6至0 · 9 微米。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 特別適合使用於反射曆的反射材料為可良好地反射使 用於書寫及讀取之雷射輻射的材料，例如得自於化學元素 週期表中第三，第四和第五主族及副族之金屬，例如鋁， 絪’錫，給，銻，祕，銅，銀，金，鋅，IS，录’说’金乙 ，繩，鈦，锆，給，釩，鈮，钽，鉻，I目，鎢，鐡，鈷， 鎳，釕，铑，鈀，锇，铱，鉑和鑭糸金靥铈，_，钕，鉅 - 1 5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 526486 B7 五、發明説明（θ) ，釤，銪，IL，铽，鏑，鈥，铒，铥，鏡和錄，和其等的 合金。較佳者係為反射層由鋁，銀，銅，金或其等的合金 製成，因為其等具有高反射性和易於製得之理由。部份反 射層的適當材料較佳為鋁，金，矽/碳，和矽/氮，及使 用於透明層的適合材料較佳為Si〇2 ，Ti〇2 ，Ti〇2 /Si〇2 ，A 1 2 Ο 3 ，Z n S和Z n S / S i Ο 2 。該结搆和此類材料之用 途為熟於此藝者所習知者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用於保護層的適當材料主要為塑料Μ薄曆’直接或 藉助於黏著層方式，施用至支撐體或最上層。。有利地係選 用具有良好表面性質之機械和熱穩定性塑料，其亦可能被 改性，例如印刷。該等塑料可為熱固性或熱塑性。較佳者 為輻射熟化（例如藉由U V輻射）保護層’其等為生產特 別地簡單和經濟性。許多輻射可熟化的材料為習知。輻射 可熟化的單體和寡聚物的例子為，二醇，三醇和四醇之丙 烯酸酯和甲基丙烯酸醋，得自於芳香糸四狻酸和具有C 1 一 C 4烷基於栢對於胺基之至少兩個鄰位之芳香糸二胺之 聚醯亞胺，及含有二烷基，例如二甲基順丁烯二薩亞胺基 ，之寡聚物。 該新穎儲存介質可能具有額外層，例如千擾或阻擋層 。其亦可能構造具有複數（例如2 )儲存曆的儲存介質。 該结構和此類材料之用途為熟於此藝者所習知者。若使用 干擾層，較佳係被置於儲存層和反射層之間，及/或於儲 存曆和基質之間且由介電性材料所組成，例如S i 〇£ ，或 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公楚） 526486 A7 B7 五、發明説明（丨3 ) 逑於E P 3 5 3 3 9 3中之T i 0 2 ，S i 3 N 4 ，Z n S或矽樹脂。 新穎的儲存介質可藉由本身習知之方法製餚，依所使 用之材料及其等之功能而定，其可能使用各種不同的塗覆 方法。 適當的塗覆方法例如為浸瀆，傾倒，塗刷，刀塗覆和 旋轉塗覆，和進行於高壓之蒸氣沈積方法。傾倒方法，例 %通常進行於使用於有機溶劑中的溶液。如果溶劑被使用 ’它必須被確定使用於本發明之支撐體對這些溶劑為非敏 感性。適當的塗覆方法和溶劑被述於洌如Ε Ρ 4 0 1 7 9 1。 如果儲存層係藉由旋轉塗覆施用式（I )或（Ε )化 合物，所使用之溶劑較佳為醇類，例如2 -甲氧基乙醇，異 丙醇，異丁醇或正丁醇，或經氟化之醇類，洌2 , 2，2 -三氟 乙醇或2，2，3，3 -四氟-1 -丙醇，或其混合物。 然而，由於大部份式（I )或（H )化合物具有低溶 解度，儲存層較佳係藉由蒸氣沈積施用式（I )或（I ) 化合物。這個目的的適當方法為本身習知者，例如揭示於 US 4 5 7 8 3 3 4 或』.^。.3。:1.16。1111〇1.九6(3)，1907- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9 1 1 ( 1 9 8 8 )。蒸發沈積通常得到之層為包含具有較低 k 6 5 〇值之式（I )或（E )化合物。大體上，其為實 質地非晶形，紅色形式，對於本發明之部份化合物係為習 知且可轉換至如上文所述之具有較高k 5 〇值之非晶形 形式。 金屬反射層之施用較佳係藉由濺鍍，真空蒸氣沈積或 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 i、發明説明（4) 化學蒸氣沈澱（C V D )。因為施用金屬反射層時對於支擦 體的高黏著強度，濺鍍方法為特別佳者。這些方法為習知 且被述於教科書中（例如J · L · V 〇 s s e η和 W . K e r n，『薄 膜加工』（Thin Film Processes)， Academic Press， 1978) 〇 該新穎儲存介質的構成主要係依據讓取方法而定；已 知機能原則係透射變化的測量，或較佳為於反射方面。 如果儲存材料係依據反射變化而構成，下列结搆可被 使用：例如透明支撐體/儲存層（如果需要複曆）/反射 層，和若有利地具有保護層（無需透明），或支撐體（無 需透明）/反射層/儲存層，和若有利地具有透明保護層 。於前者之情形，光由支撐體側入射，然而於後者的情形 輻射係由儲存層側入射，或如果存有保護層則由保護曆側 。在兩者情形中，光偵測器與光源在同側。儲存材料之前 者结構通常為較佳地使用於本發明。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如果儲存材料係依據光透射的變化而構成，下列之其 他結構為適當者：例如透明支撐體/儲存層（如果需要複 層），和若有利地具有透明保護層。書寫且讀取光可由支 撐體側或由儲存層側入射，或如果存有保護層則由保護層 側，在此種情形中，光偵測器與光源恆在異側。 除此之外，進一步的適當结構例如為儲存材料係同時 依據反射和透射變化而構成，於該種情形反射體由半透明 層取代，經由此法，例如一進一步之儲存層可被接觸。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 6 8 64 2 5 五 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 __ 發明説明（β) 資料的書寫和讀取係藉由雷射輻射聚焦至儲存層之方 式進行。書寫係進行於波長範圍由4 0 0至7 Q 0毫微米，較 佳由6 0 0至7 0 0毫微米，特別佳由6 3 0至6 7 0毫微米，例 如於6 5 0毫微米，而且能以連續或調節的雷射光束依序由 溝槽至溝槽而達成。調節作用之生成可為直接，或若需要 時藉助於光調節器。特別地，可被書寫於精確的記號（溝 槽），但具不同長度，例如於〇 · 2 G 5微米之單位達到具有 由0.614至2.863微米長度，或較佳於〇·ΐ33微米之單位至 具有Q.4至1.8 7微米。讀取較佳係進行於波長範圍由600 至 7 Q 0毫微米，特別佳由6 3 0至6 7 G毫微米，例如於6 5 0 毫微米。相對於書寫，讀取期間之雷射能量被降低，例如 由10至 10 0倍，Μ避免儲存的資料改變。 書寫和讀取較佳係於相同的波長進行，例如於6 5 0毫 微米。適當的雷射例子為商用的氣體雷射，例如He-Cd和 H e 4 e雷射和氩和氪離子雷射，雙倍頻率固態雷射，例如 Nd : YAG雷射，及/或特別為半導體二極管雷射，例如 InGaAlP ，ZnSSe/ZnCdSe 或 GaN 二極管雷射。較佳為 I n G a A 1 P二極管雷射。 於新穎儲存介質上書寫資料的條件係原則地侬據儲存 層的形態學而定，該儲存介質之製備可為主要為非晶形相 或主要為晶形相，及書寫速度較佳為1至1 0 ai/ s之間， 特別佳為3至6 m/ s之間，例如4 m/ s 。 具有較高k s 5 〇值之記號較佳係Μ實質上連缜之雷 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 你486

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明説明（4) 射輻射書寫，特別佳為輻射能量密度由0 · 2至2 0 k J / m2 (nj/ m 2 )，例如2 kJ/ m2 ,相當於輻射密度為1 〇 πι2 ( mW/ /i m 2 )且於4 ffl/ s的書寫速度。 如果雷射輻射於個別記號書寫期間不被中斷，雷射輻 射實質上為連續。 具有較低k s s 0值之記號係使用調節或連續雷射輻 射書寫，較佳者為具有調節頻率由1至5 Ο Μ Η z之調節輻射 ’記號對間隔（mark-to-space)比率較佳為由1: 1至5: 1 ’及平均輻射能量密度1至50kJ/m2 ，最佳為由2至20 kJ/ in2 。後者可例如為4 k J/ m2 ，相當於平均輻射密度 為20 GW/in2 且於4 in/s的書寫速度。 在雷射『開』（0 N )和雷射『關』（〇 F F )之間的時間係 同時依據書寫速度和欲被書寫記號之個別長度而定；其例 如為由於4 m/ s時約1 0 0至5 G 0毫微秒，相對於考慮焦 距大小之記號長度，該時間較佳為減低。 較佳者係使用較高能量書寫具有較低k 6 5 〇值之記 號，Μ較低能量書寫具有較高k 6 5 〇值之記號。典型地 ，書寫具有較低ks 5 0值記號之能量為書寫具有較高值 記號之至少1 5 0 %，較佳為至少2 Q 0 %。依據於儲存層中 存在之式（I)或（H)化合物而定之絕對值可依不同案 例，藉由簡單之一般實驗而測定。 較有利者為儲存層係Μ具有較低k 6 5 ◦值形式存在 時，當使用上述之較高能量雷射輻射處理時仍保留具有較 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·«衣··

、1T 526486 A7 B7 五、發明説明（π ) 低k s s 0值形式。同樣有利者為儲存層係以具有較高 k6 5 0值形式存在時，當使用上述之較低能量雷射輻射 處理時仍保留具有較高k 6 5 0值形式。此方式可使記號 長度之控制更簡易。 然而令人驚訝者為，是否使用連續或調節之雷射輻射 並非如此重要。是否得到具有較低或較高k 6 5 0值形式 主要係依據施用能量之量而定。因此，其可能使用簡化記 錄器，例如僅具有連續或調整之雷射輻射。 本發明因此亦有關於一種設備，其係使用於光學書寫 或修正在不同反射性記號形式之資料，其係藉由單色光束 連續對準本發明之光學儲存介質的各種不同部位（溝槽） ，其特徵在於不同反射性的記號僅使用連續雷射轜射或僅 使用調整之雷射輻射生成。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明進一步係有關於一種光學書寫或讀取資料之方 法，其係藉由單色光束連續對準光學儲存介質的各種不同 部位（溝槽）且該儲存曆可因此修正，其中該儲存層包含 式（I )或（E )化合物。書寫或讀取較佳係進行於波長 範圍由4 0 0至7 0 0毫微米，特別佳為由6 3 0至6 7 0毫微米。 令人驚訝者為，該新穎光學儲存介質較習知之光學儲 存介質具有更佳之解析度，因此可達到較短記號及較高儲 存密度。特別佳者為一種使用新穎儲存介質用於光學書寫 ，儲存或謓取資料的方法，其中書寫或讀取係進行於波長 由4 0 0至7 0 0毫微米，其中不同儲存值記號間之最小長度 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 526486 Α7 Β7 五、發明説明（π ) 差為小於0 · 2 5微米。不同儲存值記號間之最小長度差較佳 為小於0 . 1 8微米。 亦極為重要者為本發明式（I )或（Ϊ )化合物極令 人驚訝的性質，其使先前藉由較低能量雷射輻射書寫的儲 存層記號可藉由更高能量雷射輻射之重寫而再被消除，及 相對地，先前藉由較高能量雷射輻射書寫的儲存層記號同 樣地可藉由更低能量雷射輻射之重寫而被消除。具有較低 k6 5 0值形式因此可被轉換至具有較高ks s 0值形式 ，且反之亦然。 因此，於上述條件下書寫之記號，其係為與書寫期間 相同之雷射相對移動速度，相較於儲存介質之速度，可選 擇性地被修正（重寫、修正或消除）。此可於一次單一途 徑間可合併書寫及消除溝槽。當然，其亦可能先消除所有 軌跡，然後於其上書寫溝槽，或相反地。標入記號和消除 循環可依所需而頻繁重複。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明因此亦有關於一種修正已書寫或Μ不同反射性 儲存於記號形式資料之方法，其係藉由單色光束連續對準 光學儲存介質的各種不同部位且該儲存層可因此修正，其 中該儲存層包含式（I )或（I )化合物。 於此新頴之重寫或消除方法中，已書寫或儲存資料較 佳為光學修正.，其係使用調節雷射輻射於晶形儲存層中重 寫非晶形記號，及使用連續雷射輻射於非晶形儲存層中重 寫晶形記號。 - 22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 526486 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 i、發明説明（f?) 該修正或消除特別佳地係進行於使用與書寫期間相同 波長之雷射。 此新穎之重寫或消除方法亦可被使用於書寫至儲存曆 ’其中之式（I)或（E)化合物為具有較低k6 50值 形式。例如書寫可進行於新製之蒸氣沈積形式。 此新穎方法之儲存資料足K具有高可信度和耐久性， 極佳機械和熱穩定性，及高度光穩定性和銳邊區域。令人 驚訝者為支撐體材料對資料標入之高信號/雜訊比為特別 地有利，其可產生無錯誤讀取。於影像部位之高儲存容量 為特別有價值。 本發明因此亦有關於一種新穎的儲存介質，於其間不 同反射性的光學可消除記號被儲存。 資料可藉由本身習知之方法讀取，藉由使用雷射輻射 K記錄吸收或反射的變化而被讀取，例如逑於『c D -播放 機和 R-DAT 記錄器』（CD-Player und R-DAT Recorder) (Claus Biaesch-Wiepke ， Vogel Buchverlag， Wurzburg ，1 9 9 2 )。其較佳係進行於使用具有與書寫及消除期間相 同波長之雷射。該新穎的資料攜有介質特別地係為一種可 寫，較佳為可寫和可消除或可重寫的光學資料材料。其可 例如被使用為可播放之D V D - R或D V D - R 0 Μ儲存磁碟Μ，用 為電腦的儲存材料，用為鑑定或警衛卡’使用掃描方法的 雷射雕刻或使用為繞射光學元件的製造，例如立體照相。 下列實施例將更詳細地說明本發明·· -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公瘦） 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 526486 A7 B7

五、發明説明（ 奮細例1 ： 芘-3，4，9，1 0 -四羧酸二酸酐1 0克，正丙基胺3 · 6克和 水3 G毫升於1 3 0 °C之高壓釜中加熱1 〇小時，於加熱期間達 到2巴的壓力。混合物然後被冷卻，及紅色懸浮液被過滤 且Μ水清洗至中性。滤餅於DMF 100毫升中迴流15分鐘， 趁熱過濾且以乙醇（E t 0 Η)清洗。殘餘物於6 G °C / 1 6 0毫 巴乾燥，得到具下式之暗紅色粉末9 . 8克： ,Ν—CH,—CH。一 CH。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 分析〔％〕：理論值 C 75·94 Η 4·67 N 5.90 實驗值 C 75.57 Η 4.67 Ν 5·85〇 奮_例Ρ : JE - 3，4，9，1 0 -四竣酸二酸酐1 0克，甲氧基丙基胺5 . 3 克和水3 0毫升於1 3 0 °C之高壓釜中加熱1 〇小時，於加熱期 間達到2巴的壓力。混合物然後被冷卻，及紅色懸浮液被 過濾且以水清洗至中性。濾餅於D M F 1 0 0毫升中迴流1 5分 鐘，趁熱過濾且Μ E t 0 Η清洗。殘餘物於6 G °C / 1 6 0毫巴乾 燥，得到具下式之紅色粉末1 2 . 7克：

CH-O

P—CH.

、1T 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 526486 A7 __B7_ 五、發明説明（7丨） 分析〔％〕：理論值 C 7 1 · 9 Ο Η 4 · 9 Ο N 5 . 2 4 實驗值 C 71.61 Η 4.94 Ν 5.26。 蜜倫例3 ·· 茲-3,4, 9, 10-四羧酸二酸酐'3.5克（12.75毫莫耳）， 4 -溴苯甲基胺9.41克（50.58毫莫耳），正丁基乙醇胺 5·96克（ 5 0.9 5毫莫耳）及〇-二氯苯35毫升被置入裝置有 迴流冷凝管，攪拌器和氮入口的25ϋ毫升多頸燒瓶內，及 混合物於1 6 0 t攪拌2 4小時，冷卻至室溫，以甲醇丨q 〇毫 升稀釋及過濾。殘餘物於8 0°C之1 5%氫氧化鉀溶液2 Q 〇毫 升中攪拌2 0分鐘，趁熱過濾且以水清洗至中性。殘餘物於 6 0 υ / 1 2 5毫巴乾燥，得到具下式之黑色粉末8 · 4 3克♦

Br

分析〔％〕： 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 理論值 C 6 2 · 6 6 Η 2 · 7 7 N 3 · 8 5 B r 21.94 實驗值 C 62.62 Η 2.75 Ν 3.75 Br 21.82。 啻細例4 : 茈-3,4,9, 10-四羧酸二酸酐1〇克，4-(2-胺基乙基）¾ 啶8 · 8克和水3 (3毫升於1 3 0 ΊΟ之高壓釜中加熱5小時，於 加熱期間達到2巴的壓力。混合物然後被冷卻，及紅色懸 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 526486 A7 B7 五、發明説明（β) 浮液被過濾且Μ水清洗至中性。滤餅於D M F 1 0 0毫升中迴 流10分鐘，趁熱過滤且MEtOH清洗。殘餘物於601/160 毫巴乾燥，得到具下式之紅色粉末1 4 · 〇克··

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 分析〔％〕：理論值 C 7 5 · 9 9 Η 4 · 0 3 Ν 9 · 3 3 實驗值 C 7 5 · 1 5 Η 4 · 1 4 Ν 9 · 8 4。 富瓶例5 : 得自實施例4的化合物5克（8 · 3 2毫莫耳），碘化甲 烷11·8克（ 8 3.2 4毫莫耳）及DMF 25毫升於裝置有迴流冷 凝管，溫度計，攪拌器和氮入口的5 0毫升多頸燒瓶內迴流 2 2小時。混合物然後冷卻，Κ甲醇1 0 0毫升稀釋，攪拌3 0 分鐘後過濾。殘餘物於丙酮8 0毫升中溶解，迴流3 0分鐘， 然後冷卻及過滤，且此清洗步驟重複兩次。殘餘物然後懸 浮於1 0 0毫升石油醚中，迴流1小時，趁熱過滹且於6 0 °C / 1 6 0毫巴乾燥，得到具下式之黑色粉末6 . 4克：

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210Χ297公釐） --------^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 526486 A7 B7 五、發明説明（） 理論值 C 54·32 Η 3·42 Ν 6·33 I 28.69 實驗值 C 5 4 · 1 4 Η 3 · 5 Ο Ν 6·51 I 27.77。 窨細例β : 茈-1，1 2-磺醯基-3，4，9，1 G-四羧酸二酸酐1 · 7克（3 · 74 毫莫耳）（依據如4 9 3 7 1 6 4所述者製備），2-苯基乙 基胺1 · G 9克和水5毫升於1 3 0 °C之高壓釜中加熱5小時， 於加熱期間達到2巴的壓力。混合物然後被冷卻，及紅色 懸浮液被過濾且K水清洗至中性。滹餅於DM F 30毫升中迴 流15分鐘，趁熱過濾且以EtO Η清洗。殘餘物於60 °C / 160 毫巴乾燥，得到具下式之暗紫色粉末1 . 8克： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 分析〔％ : 理 論 值 C 72 .72 Η 3.66 Ν 4 .24 S 4.85 實 驗 值 C 72 • 63 Η 4.15 Ν 4 • 72 S 4 . 4 7 < 實 例 7 ： 相 似於 實 施例 3 之步驟 % 但 4-溴 苯 甲基胺 Μ 對 等 莫 耳 數 之 4- 甲氧 基 苯甲 基 胺取代 > 得 到具 下 式之比 色 指 數 顔 料 黑32 : - 27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 526486 Α7 Β7 五、發明説明（0)

窨_例8 : 得自實施例4的化合物2克（3 · 3 3毫莫耳），甲_ @ 甲苯磺酸酯6·2克（33.3毫莫耳）和DMF 12毫升於裝寳有 迴流冷凝管，溫度計，攪拌器和氮入口的50毫升多頸燒瓶 內迴流1 6小時。混合物然後冷卻，以甲醇5 0毫升稀釋，攪 拌3 G分鐘後過濾。殘餘物於丙酮80毫升中溶解，迴流15分 鐘，然後冷卻及過濾，且此清洗步驟重複兩次。殘餘物然 後懸浮於1 0 0毫升石油醚中，迴流1小時，趁熱過濾且於 5 0 °C / 1 6 0毫巴乾燥，得到具下式之暗紅色粉末2克：

HX

C 分析〔％〕 ·· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 理論值 C 66.65 Η 4.55 Ν 5.7δ S 6.59 實驗值 C 63.69 Η 4.49 N 4.85 S 5.44。 富淪例9 : Λ - 3，4，9，1 Q -四羧酸二酸酐1 〇克（2 5 · 5毫莫耳）， 正戊基胺5 · 2克（6 0毫莫耳）及咪唑5 0克於1 6 0 °C之高壓 釜中加熱1小時。反應混合物然後被冷卻，D M F 2 0 0毫升 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇χ297公釐） 526486 A7 B7 五、發明説明（A) 被加入，混合物被迴流1 5分鐘及趁熱過滤，及殘餘物κ D M F清洗且於6 0 °C / 1 6 0毫巴乾燥，得到具下式之紅色粉 末1 2克：

分析〔％〕：理論值 C 7 6 · 9 6 Η 5 · 7 Ο N 5 · 2 8 實驗值 C 7 6 · 7 3 Η 5 · 6 9 Ν 5 · 3 7。 當施例〗0 : 相似於實施例9之步驟，但正戊基胺Κ正丁基胺取代 ，得到具下式之黑色產物： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 526486 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

Α7 Β7 i、發明説明（“） 1133〕 實fe例1 2 : - 3，4，9，1 0 -四羧酸二酸酐1 0克（2 5 · 5毫莫耳），3 -胺基-卜丙醇5.4克（71.85毫莫耳）及水3Q毫升於160 °C 之高壓釜中加熱7小時，於加熱期間達到2巴的壓力。混 合物然後被冷卻，及棕色懸浮液被過濾且Μ 1 % Naz C〇3 水溶液8 0毫升清洗至滤液至無色，然後再以水清冼至中性 。濾餅懸浮於D M F 1 0 0毫升，迴流1 〇分鐘，趁熱過濾且於 6 0 °C / 1 6 0毫巴乾燥，得到具下式之棕紅色粉末1 2克：

分析〔％〕：理論值 C 7 1 · 1 4 Η 4 · 3 8 N 5 · 5 3 實驗值 C 7 0 · 6 2 Η 4 . 5 6 Ν 5 · 5 8。 奮_例1 3 : 栢似於實施例1 2之步驟，但3 -胺基-卜丙醇Μ 4 -胺基 - 1 - 丁醇取代，得到具下式之產物： ΟΗ -30- 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

526486 A7 B7 五、發明説明（) 相Μ於實施例12之步驟，但3-胺基-卜丙醇Μ 6-胺基 - 1 -己醇取代，得到具下式之產物：

甯淪例1 5 : 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 苯基乙基胺11.9克（98·12毫莫耳）和水150毫升被置 入裝置有迴流冷凝管，溫度計，氮入口和攪拌器的5 0 0毫 升多頸燒瓶内，及混合物被冷卻至〇 — 5 υ。茲-3，4，9， 10-四羧酸單酸酐單鉀鹽10克（22 . 3毫莫耳）（依據如！!· T r 〇 s t，染料和顏料4，1 7 1 ( 1 9 8 3 )所述者製備）然後被 加入，及反應混合物於室溫下攪拌4小時及進一步於9 0 °C 攪拌2小時。20% H Cl溶液33 . 4克然後被加入，及該暗紅 色懸浮液於9 0 °C被攪拌2小時。經冷卻之反應混合物被過 滤，濾餅以水2 G 0毫升清洗。棕紅色固體被溶解於1 G %氫 氧化鉀溶液且於9 G°C攪拌2小時。混合物然後被冷卻且過 濾，及濾餅Μ 8 % KC1 10Q毫升及2 % K2 C03溶液100毫 升清洗直至滹液顯示無色。殘餘物溶解於熱水6 Q 0毫升且 趁熱過濾，及滹液K 3 7 % K C 1溶液5毫升調整至酸鹼值為 3。混合物被冷卻至2 0 °C，及棕紅色沈澱物被濾出，以水 清洗及於5 0 °C / 1 6 0毫巴乾燥，得到具下式之棕紅色粉末 1 2 · 1 克： -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） 526486 Α7 Β7 五、發明説明（4)

分析〔％〕：理論值 C 7 7 · 5 7 Η 3 · 4 6 N 2 . 8 9 實驗值 C 74.62 Η 4.18 Ν 4.68。 奮細例1 Β : 得自實施例15的化合物5克（10 · 13毫莫耳），50% 氫氧化鉀4克（36·22 毫莫耳），硫酸肼2·9克（22.64 毫莫耳），甲基溶纖劑67毫升和水33毫升於135 °C之高壓 釜中加熱3小時，於加熱期間達到2巴的壓力。混合物然 後Μ水稀釋及過濾，及濾餅Μ水清洗。黑色固體被溶解於 D M F 1 0 0毫升，迴流1 5分鐘，趁熱過濾且K E t Ο Η清洗。殘 餘物於6 (TC / 1 6 0毫巴乾燥，得到具下式之棕黑色粉末4 . 6 克：

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實驗值 C 7 4 · 2 6 Η 4 . 0 5 Ν 6 · 0 4。 甯淪例1 7 : 相似於上述實施例，可得到具下式之棕綠色化合物： -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 526486 A7 B7

五、發明説明（4 ) CHo0

OCH3 分析〔％〕：理論值 C 7 6 · 1 8 Η 4 · 1 6 N 4 · 4 4 實驗值 C 75.80 Η 4·23 N 4,54。 當蔽例ΐ ft : 栢似於上述實施例，可得到具下式之紅色化合物 --------^^衣'-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ch3〇

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 分析〔％〕：理論值 C 76.18 Η 4·16 N 4.44 實驗值 C 7 5 · 4 5 Η 4 · 2 5 Ν 4 · 6 8。 富例1 9 : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅色化合物

CH。 分析〔％〕 ··理論值 C 8 G · 4 9 Η 4 · 8 2 N 4 · 4 7 實驗值 C 8 0 · 0 4 Η 4 · 9 3 Ν 4 . 3 4 奮施例2 0 : -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) 526486 CH.0

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（3。） 相似於上述實施例，可得到具下式之紅棕色化合物 CH0

HX 分析〔％〕：理論值 C 8 0 · 4 9 Η 4 · 8 2 N 4 · 4 7 實驗值 C 78.76 Η 4.72 Ν 4.52。 蜜_例2 1 ： 相似於上述實施例，可得到具下式之棕紫色化合物

OCH. 分析〔％〕：理論值 C 7 6 · 5 8 Η 4 . 5 9 Ν 4 · 2 5 實驗值 C 7 5 · 8 5 Η 4 . 6 2 Ν 4 . 2 8。 謇_例2 2 : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅棕色化合物 CH.0

OCH. 分析〔％〕：理論值 C 7 6 · 5 8 Η 4 · 5 9 Ν 4 · 2 5 實驗值 C 7 5 · 7 8 Η 4 · 6 1 Ν 4 . 2 0 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

526486 A7 B7 五、發明説明（3丨） 當施例2 3 : 相Μ於上述實施例，可得到具下式之橘紅色化合物： 〇CH3

h3c〇 分析〔％〕：理論值 C 7 6 · 5 8 Η 4 . 5 9 N 4 · 2 5 實驗值 C 7 5 · 8 9 Η 4 · 6 2 Ν 4 . 1 8。 奮細例2 4 :

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相似於上述實施例，可得到具下式之紅棕色化合物： Η0 分析〔％〕 ··理論值 C 7 6 · 1 8 Η 4 · 1 6 Ν 4 · 4 4 實驗值 C 7 4 · 2 9 Η 4 · 3 4 Ν 4 · 4 5。

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 526486 A7 B7

五、發明説明（>) 實驗值 C 73.73 Η 3.78 Ν 9.61。 啻施例2 R : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅色化合物 ch3 分析〔％〕 ··理論值 C 7 9.9 8 Η 4.70 Ν 4.66 實驗值 C 79.74 Η 4.68Ν 4.89。 窨脓例2 7 : (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實驗值 C 7 9 · 3 4 Η 4 · 5 3 Ν 4 · 8 7。 奮瓶例2 8 : 相Μ於上述實施例，可得到具下式之紅棕色化合物：

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐） 526486 A7 B7

五、發明説明（〇 ) 分析〔％〕：理論值 C 7 6 · 5 8 Η 4 · 5 9 Ν 4 · 2 5 實驗值 C 7 6 · 6 Q Η 4 · 6 3 Ν 4 . 2 9。 窨施例2 9 : 相似於上述實施例，可得到具下式之暗紅色化合物

分析〔％〕：理論值 C 7 9 · 9 9 Η 3 · 8 9 Ν 4 · 9 1 實驗值 C 7 9 · 5 7 Η 4 · 1 0 Ν 4 · 9 9。 奮瓶例3 0 : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅色化合物 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製

Br 分析〔％〕：理論值 C 8 2 · 3 7 Η 3 · 9 1 Ν 4 · 1 8 實驗值 C 8 1 · 4 0 Η 3 · 9 6 Ν 3 · 7 8。 富 life 例·？ 1 : 相似於上述實施例，可得到具下式之棕色化合物 Br 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 526486 A7 B7 五、發明説明（0 )

分析〔％〕： 理論值 C 63.51 Η 3.20 Ν 3.70 B r 21.13 實驗值 C 63.53 Η 3·30 Ν 3·51 Br 2 0 . 9 3 〇 審例3 2 : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅色化合物 CI

分析〔％〕 ·· 理論值 C 71 · 3 7 Η 3 · 1 5 N 4 · 3 8 C 1 11.09 實驗值 C 70·46 Η 3·05 Ν 4·43 C 1 11.05。 窨淪例3 3 : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅棕色化合物： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

CI 分析〔％〕： 理論值 C 7 1 ·· 3 7 Η 3 · 1 5 Ν 4 · 3 8 C 1 實驗值 C 7 〇 · 9 7 Η 3 · 0 9 Ν 4 · 4 9 C 1 甯細例3 4 : -38- 11.09 11.02 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 526486 A7 B7 五、發明説明（U ) 相似於上述實施例，可得到具下式之紅色化合物：

分析〔％〕 ·· 理論值 C 7 1 · 3 7 Η 3 · 1 5 N 4 · 3 8 C 1 11.09 實驗值 C 6 8.6 5 Η 3· 10 Ν 4 · 2 6 C 1 10.73。 窨細例3 F5 : 相似於上述實施例，可得到具下式之橘紅色化合物： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 分 析 [ % 3 ·· 理 0侖 值 C 7 1.97 Η 3 . .62 Ν 4 • 20 C 1 10.62 實 驗 值 C 7 1.86 Η 3 . ,49 Ν 4 • 31 C 1 10.90 〇 實 施 例 一3·. 6— ·· 相 似於 上述實 施 例 ，可 得 到 具下 式 之 黑色化合

-39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 526486 A7 B7 五、發明説明（4) 分析〔％〕： 理論值 C 7 1 . 9 7 Η 3 . 6 2 Ν 4 . 2 0 C 1 10.62 實驗值 C 7 0 · 71 Η 3 · 4 8 Ν 4 . 0 3 C 1 10.61 〇 富例3 7 : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅棕色化合物

分析〔％〕： 理論 值 C 7 1.97 Η 3.62 Ν 4.20 C 1 10.62 實驗 值 C 70.87 Η 3.40 Ν 4.01 C 1 10 . 61 〇 實施 例 & 8_ ♦ 相似於上述實施例，可 得 到具下式 之 紅色化合 F V \ ν ο Λ— R > \\ ) ?- \ \ 分析 C % ] * F 理論 值 C 75.24 Η 3.32 Ν 4.62 F 6 .26 簧驗值 C 74.46 Η 3.49 Ν 4.83 F 6 .03 〇 富脓例3 9 : 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相似於上述實施例，可得到具下式之紅棕色化合物 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 526486 A7 B7

分析〔％〕： 理 論 值 C 7 5 . 24 Η 3 • 32 Ν 4.62 F 6 . 26 實 驗 值 C 75 · 04 Η 3 • 43 Ν 4.64 F 5 . 96 〇 實 施 例 4 0 ： 相 似於 上述實 施 例 ，可 得： 到具下 式 之紅色化合物

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί裝_ 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 分 析 [ %〕 ·· 理 論 值 C 75.24 Η 3 . ，32 Ν 4 • 62 F 6.26 實 驗 值 C 74.56 Η 3 . ,40 Ν 4 .72 F 6.00° 實 施 例 4 1 ·· 相 似於 上述實 施 例 ,可 得 到 具下 式之暗紅色化合物

分析〔％〕： -4 1- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） d 526486 A7 B7 五、發明説明（β 理論值 C 75·70 Η 3·81 Ν 4·41 I7 5·99 實驗值 C 75·34 Η 3·88 Ν 4·29 F 6·02。 窨旆例4 相似於上述實施例，可得到具下式之綉紅色化合物··

F

分析〔％〕： 理論值 C 7 5 · 7 0 Η 3 · 8 1 Ν 4 · 4 1 F 5 · 9 9 實驗值 C 7 4 . 9 6 Η 3 · 7 0 Ν 4 · 1 2 F 5 · 9 0。 窨？fe例4 3 : 相似於上述實施例，可得到具下式之紅踪色化合物： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

分析〔％〕： 理論值 C 75.70 Η 3·81 N 4.41 F 5·99 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實驗值 C 7 5 · 3 8 Η 3 · 8 5 Ν 4 · 3 0 F 6 · 0 0。 窨觖例4 4 : 實施例2 5之化合物5克（8 · 7 3毫冥耳）和甲基碘1 2 · 4 克（8 7 . 3 0毫莫耳）Μ相似於實施例5之反應’得到具下 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 526486 A7 B7 五、發明説明（β) 式之棕紅色粉末形式化合物6 . 2克··

實驗值 C 53.74 Η 3.25 Ν 6.57。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 富觖例4 5 8 0毫微米之比色指數顏料黑31Κ塗覆速率0.6毫微米 /秒之真空蒸氣沈積設備（Balzers)於高真空（1.3mPa) 下自抗熱熔鍋中蒸氣沈積至聚碳酸酯支撐體（厚度（K6釐 米/直徑120釐米）。鋁之70毫微米反射層然後被塗被。 一種UV可交聯光聚合物（TMSD-17，Dainippon Ink)然 後藉由旋轉塗覆K7微米的厚度塗被且藉由UV光交聯。 於6 5 0毫微米下，儲存層具有6 3%的反射性。使用具有2 5 mW H eNe-雷射，其具有6 3 3毫微米的波長和數字孔徑0 · 5 之聚焦光學糸統，於8 mW能量及0 . 5 m/ s旋轉速度下於儲 存層上書寫寬度為1微米之記號。書寫點之反射性藉由顯 微鏡分光光度計測得由6 3%至3 0%的改變。那些記號然後 藉由脈衝染料雷射（1 5 n s脈衝長度）於6 3 5毫微米使用 2 kJ/in2的能量密度重寫。反射性改變由30%至55%。 該操作可被重複多次。 甯細例4 R : -43- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 i、發明説明（w) 一種光學記錄介質以相似於實施例4 5之方式使用實施 例7的化合物製得。於6 3 5毫微米下，儲存層具有6 8%的 反射性。使用具有25 mW HeNe -雷射，其具有633毫微米的 波長和數字孔徑〇 · 5之聚焦光學系統，於2 〇 m W能量及0 · 1 m/ s旋轉速度下於儲存層上書寫寬度為1微米之記號°書 寫點之反射性藉由顯微鏡分光光度計測得由68%至4 5%的 改變。那些記號然後藉由脈衝染料雷射（1 5 ns脈衝長度） 於6 3 5毫微米使用2 kJ/ 的能量密度重寫。反射性改變 由4 5%至7 5%。該操作可被重複多次。 窨例4 7 : 一種光學記錄介質Μ栢似於實施例45之方式但使用實 施例1的化合物製得。於6 3 5毫微米下，儲存層具有3 8% 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的反射性。使用具有25 mW H eNe-雷射，其具有6 3 3毫微米 的波長和數字孔徑〇 . 5之聚焦光學糸統，於2 0 mW能量及2 m/ s旋轉速度下於儲存層上書寫寬度為1微米之記號。書 寫點之反射性藉由顯微鏡分光光度計測得由38%至20%的 改變。那些記號然後藉由脈衝染料雷射（1 5 ns脈衝長度） 於6 3 5毫微米使用2 kJ/ 的能量密度重寫。反射性改變 由2 0%至40%。該操作可被重複多次。 窨瓶例4· ft : 紅色固體層藉由光譜橢圓光度法（Sopra )被蒸氣沈 積至如實施例4 5所述的玻璃支撐體。於書寫波長6 5 (3毫微 米下，n - i k = 2 · 1 5 - i 0 . 1之折射率被測定。該層然後被 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 526486 A7 B7_ 五、發明説明（叫） 熱轉換至黑色相，及於6 5 Q毫微米下測定η - i k = 2 · 1 5 - i Ο . 4之折射率。 審滁例4 9 一 _ 5 4 : 步驟係相似於實施例4 5，但顏料黑3 1分別被實施例1 ，2 , 3，4，6和7的化合物取代。 富_例5 5_丄_ 步驟係相似於實施例4 5，但顔料黑3 1係Μ實施例5的 化合物取代，其並非蒸氣沈積而係以由四氟丙醇溶液之旋 轉塗覆塗被。 奮淪例5 : 一層5 5毫微米厚度之實施例6化合物藉由真空蒸發塗 覆至具有0.6釐米厚度，120釐米直徑之聚碳酸酯基質，及 具有3 0毫微米深度，0 . 3微米寬度，和〇 · 8微米溝槽之螺 旋凹槽於該基質表面形成。於此紅色記錄層上，6G毫微米 厚度之鋁層被濺渡K形成一反射層，接著塗被保護膜（光 可熟化樹脂）。 被稱為光學記錄介質者首先使用商用測試器D D ϋ - 1 0 0 0 (可得自Puls tec工業，日本）Κ 6 3 5毫微米之紅色半導體 雷射頭於3 · 9 m/ s直線速度及8 · 5 m W消除能量藉由2個 消除循環起始。起始反射性由4 0%降至2 0%。碟片然後K 12 inW的雷射能量記錄，结果反射性由20%上昇至30%。 記錄方式為實質連續。碟片然後被重寫數次。 窨确例5 7 : -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I裝· 526486 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明 步驟係相似於實施例5 6，但使用調節的雷射輻射。消 除之雷射能量為7 m W。起始反射性由4 0 %降至2 2 %。記錄 信號包含7 6毫微秒之起始脈衝而後為3 3毫微秒之短脈衝， 每個脈衝之間的時間間隔為5毫微秒。碟Η Μ 1 2 m W的雷 射能量於平面上記錄，及结果反射性由2 2%上昇至2 9%。 碟片可被重寫和消除數次。 窖淪例F5 8 : 步驟係相似於實施例5 7，但於凹槽上記錄。起始消除 循環後，起始反射性由4 0 %降至2 0 %。記錄後反射性由2 2 %上昇至2 6%。碟片可被重寫和消除數次。 窨例；5 9 : 一曆70毫微米厚度之實施例1化合物藉由真空蒸發塗 覆至具有Q · 6釐米厚度，12 Q釐米直徑之聚碳酸酯基質，及 具有7 (3毫微米深度，Q · 3微米寬度，和0 · 8微米溝槽之螺 旋凹槽於該基質表面形成。於此紅色記錄層上，6 Q毫微米 厚度之鋁層被濺渡K形成一反射層，接著塗被保護膜（光 可熟化樹脂）。 所得之光學介質首先Μ如實施例56所使用之DDU-1000 測試器於2 · 5 m/ s直線速度及7 · 5 mW消除能量藉由5個 消除循環起始。起始反射性由2 5%降至1 8%。碟片然後K 12 mW的雷射能量記錄，結果反射性由18%上昇至28%。 碟片可被重寫和消除數次。 啻旆例R 0 ·· -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX挪公釐） --------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、!' d 526486 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明（R ) 一層70毫微米厚度之實施例43化合物藉由真空蒸發以 0.1 nm/s之速率塗被至具有〇·6釐米厚度，120釐米直徑 之聚碳酸酯基質，及具有3 0毫微米深度，Q · 3微米寬度， 和0 . 8微米溝槽之螺旋凹槽於該基質表面形成。於此記錄 層上，6 0毫微米厚度之金層被濺渡Κ形成一反射層，接著 塗被保護膜。 被稱為光學記錄介質者使用D D ϋ - 1 0 0 ϋ測試於3 · 9 id/ s 直線速度及12 mW記錄之雷射能量記錄。起始反射性由20 %上昇至32%。書寫記號然後K 6 · 5 hiW的雷射能量消除， 反射性由32%降至22%。記錄方式為實質連續。碟片然後 被重寫及消除數次。此記錄可施行於凹槽及平面。 窨）fe例1 ： 一光學記錄介質Μ栢似於實施例6 0之方式製得，但使 用實施例1 2的化合物，Κ 1 mu/ s的速率蒸發。介質之記 錄係於3 . 9 m/ s直線速度及1 2 mW記錄能量。起始反射性 於記錄後之改變為由4 2%至3 4%。依此得到之介質使用具 有6 3 5毫微米波長之0.5 mW雷射光讀取1Q0Q次而未有任何 的信號惡化。 富例A ?: 一光學記錄介質Μ相似於實施例6 Q之方式製得，但使 用簧施例3 3的化合物，及於1 in n/ s的速率蒸發成為2 0 5毫 微米厚度之層。Μ 2 · 5 ία/ s直線速度記錄後，反射性之改 變為由32%至26%。 -47- 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事 4 •項再填· 裝— r 寫本頁)

、1T —0 526486 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明U㈠ 當觖例a p . Μ實施例1 5化合物製成，厚度為7 G毫微米之膜被蒸發 至一玻璃基質上。被沈積之膜於5GQ毫微米具有光學密度 〇 · 4 3及於4 2 0毫微米為0 · 4 2。於7 Q °C之加熱板加熱2分鐘 之後，該膜於5 0 0毫微米具有光學密度〇 · 33及於420毫微米 為 0 · 2 2 〇 ϋ 2，·實施例6 4 : Μ實施例1 6化合物製成，厚度為7 G毫微米之膜被蒸發 至一玻璃基質上且於2 G G °C之加熱板加熱1分鐘。依據實 施例50之步驟進行光譜分析。於635毫微米之光學密度改 變為G . 1 7。 以；實施例6 5 — 6 7: 相似於前述之實施例，一固態記錄膜係分別K實施例 5，8及44化合物之四氟丙醇溶液藉由旋轉塗覆形成。 U 2 ;實施例6 8 : K實施例4 3化合物製成，厚度為7 Q毫微米之膜被蒸發 至一玻璃基質上。暗棕色層K 2 X 1(3 8 g/m2之力壓擠描 形針（s t y 1 u s )後轉變為紅色。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 錚 •項再填· 裝· 訂 曹 -4 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 526486 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 B和B，分別為2H，S，S2 ，或S〇2 ，和 n和η /分別為由1至4之數目。 2 ♦根據申請專利範圍第1項之光學儲存介質，其中 η和η'分別為1或2之數目，特別佳為同為2之數目。 3 ·根據申請專利範圍第1項之光學儲存介質，其中 儲存層簧質地由一或更多個式（I )或（Ε )化合物組成 ，特別佳為實質地由一個式（1 )或（11 )化合物組成。 4 ♦一種將根據申請專利範圍第1項中式（1 )或 (2 )化合物由具有較高k 6 5 〇值形式轉換至具有較低 ke 5 〇值形式之方法，其係藉由施用一機槭力。 5 · —種使用於光學書寫或讀取資料之方法，其係藉 由m色光束連績對準儲存層的各種不同部位且該儲存層可 因此修正，其中該儲存層可藉由400至70 On®波長的雷射 輻射而讀取且其包含根據申請專利範圜第1項之式（I) 或（E )化合物。 6 ♦—種使用於修正已書寫或儲存於不同反射性記號 形式之資料之方法，其係藉由單色光束連績對準儲存層的 各種不同部位且該儲存層可因此修正，其中該儲存層可藉 由4(3 Q至7 0 0 η πι波長的雷射輻射而讀取且其包含根據申請專 利範圍第1項之式（I )或（H )化合物。 7 ·根據申請專利範圍第5或6項之方法，其中記號 書寫之進行係使用實質上連績之雷射輻射。 8 ♦根據申請專利範圍第7項之方法，其中雷射輻射 -1 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再^*本頁) f 裳 i、------訂 i — τ---ϊ-線-!-· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526486 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___D8 六、申請專利範圍 具有賴射能量密度為1) · 2 g 5 0 k J / in2 。 9 *根據申請專利範圍第5或6項之方法，其中記號 i .舄或修正之進行係使用調節之雷射輯射。 1 〇 ·根據申請專利範圍第9項之方法，其中雷射輻 射之調節係使甩由1至5 Q M Hz之調節頻率，記號對間隔 (mark-to-space)比率為由i: 1至1，及平均輻射能量 密度為由1至50 kJ/ m2 。 1 1 ·根據申請專利範圍第5或6項之方法，其中書 寫或讀取係進行於波長範圍由4 Q 〇至7 G 0毫微米。 1 2 ♦根據申請專利範圍第5或6項之方法，其中不 同儲存值記號間之最小長度差為小於〇 . 2 5微米。 1 3 ♦根據申請專利範圍第1項之光學儲存介質，其 中不同反射性之光學可讀記號被儲存於其上。 1 4 ♦一種根據申請專利範圍第1項的光學儲存介質 之用途’其係作為電腦的儲存材料，鑑定或警衛卡，使用 掃描方法的雷射雕刻或用於繞射光學元件的製造。 1 5 · —種光學寫入、調節或消除呈不同反射性記號 形式的資料之設備，其藉由使一單色光束連績對準根據申請 專利範圍第1項的光學儲存介質的各種不同部位，其特徵在 於不同反射性的記號僅使用連績雷射輻射或僅使用調整的 雷射賴射而生成。 1 6 · —種式（I )或（E )之化合物，其限制條件 在於該式（I )或（2 )的化合物並非為其中B和B /分 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再¥本頁) *裝 526486 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 別為2 Η且A和A ’分別為苯甲基、3 —氟一苯甲基、3 ——氯一苯甲基、3 —甲氧基一苯甲基、2 —苯基一乙基、 2 — (3， ——氯一苯基）一乙基、2 — （3，一甲基一苯 基）一乙基、2 — （4， 一甲基一苯基）一乙基或2 — （ 4 7 一甲氧基一苯基）一乙基之式（I )化合物，也不是 於1 9 9 7年4月2 9日前已敘逑之其他化合物。 1 7 ·根據申請專利範圍第1 6項之化合物，其中A 和A '為吡啶基或鹵化物，四氟硼酸鹽或未經取代或經一 或多個鹵素取代之C i 一 C 6烷基磺酸鹽、苯磺酸鹽， C: —Cs烷基苯磺酸鹽，—Cs烷基硫酸鹽或N — Ci 一 Cs烷基一吡啶鎗基之二一 Ci 一 Cs烷基磷酸鹽 1 8 ♦根據申請專利範圍第1 6項之化合物，其中A 和A 7為未經取代或經簞一或二一羥基一取代之C 2 — C s烷基或Cz - Cs烯基，該等鐽可未被插入或經一或二 個氧原子插入，其限制條件在於式（I )中一（C Η 2 ) η- 3 C 的 代 取 經 未 是 不 / A 基 烷 β C 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 in i k 訂 I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526486 須請委t 一是否㈣更為實質内容 C8 D8 申請專利範圍 i ♦一種光學儲存介質，其包含一基質及一可藉由4 0 0 至7 ϋ ϋ n in波長的雷射輻射而讚取之儲存層，其中儲存層包含 式（I )或（I )化合物

   •8， > > -i N-NK 3 =/ (I) ⑼ 其中 Α和分別為未經取代或經單一或二一鹵素一，一羥基 一’ _Ci —Cs 烷基一，一Ct 一 Cs 烷氧基一，一氟 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再

   tr 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基一或一硝基一取代 呋喃基或_吩基，若 物，四氟硼酸鹽或未 _ C s烷基磺酸鹽， ，C 1 一 C 6焼基硫 之二一 Ci — Cs 焼 二一羥基一取代之C 等鏈可未被插入或經 之苯基，吡啶基，吡咯基，眯唑基， 需要時其等可被稠合至苯環，為鹵化 經取代或經一或多個鹵素取代之C i 苯磺酸鹽，Ci 一（：6烷基苯磺酸鹽 酸鹽或N - C 1 — C 6烷基一吡啶銪基 基磷酸鹽，或為未經取代或經單一或 2 — Cs烷基或C2 — Cs烯基，該 一或二個氧原子插入， -1- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）