TW523619B - Thin film transistor panels for liquid crystal displays - Google Patents

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Sung-Wook Huh
Mun-Pyo Hong
Jang-Soo Kim
Bum-Ki Baek
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

523619 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明（1 ) 免見背景 (a)發明領域 本發明與液晶顯示器之薄 ，是與用以修補資㈣斷〇” 關，更詳細地 貝衬、、泉斷裂缺陷之導線結構有關。 (b )相關技藝説明 通^ ’薄膜電晶體液晶顧示· 信號之閘、線；多個盘4;:'包含/個用以傳送掃描 資料線；多個該等閘叉，：以傳送顯示信號 守閘、、泉與貝枓線之互相交又所界定出之 素區；以及形成於該像素區中之薄膜電晶體mTs)。這 TFT-LCD是由多個一次口、>拉 、 人^、几積—個並蝕刻之薄膜所構成 。不過，這些薄膜可能在某些特定的區域有斷裂的情形 而導致部份薄膜的不相連。 岍衣的r“ 田二了防止不相連的產生’我們會在資料線與閘線之相 登處，鋪上雙層的資料線；或是在資料線的上方< 沉積-層圖案與資料線相同之金屬層，以形成所謂的修 線0 =使用的是前面的那個方法，那麼當資_㈣U 不疋在其與閘線（交會處時，修補就會變得很困難。 如果使用的是後面的那個方法，那麼我們就需要沉積 圖案出-額外的金屬層以形成冗餘綠，以及餘刻出一声 緣薄膜以使可將該冗餘線與資料線連接起來之接觸孔^ 形成；是故，在製造時需多加額外的製造步驟。 發明摘要 本發明致力於解決以上之問題。 -4 之 像 種 的 重 補 並 絕 以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 523619 A7 五、發明說明（2 ) 本發明之一目的在於提供出—可阳办 „ 杜、捉仏出可用來有效修補資料線斷 裂缺陷之冗餘線結構。 本發明之另一目的在於提供出一不需多加額外形成步驟 之冗餘線結構。 本發明之又一目的在於提供出一可防止上基板與下基板 間發生短路以及鄰近的像素與像素間發生短路之冗餘 構。 爲了要達到上述之目標，每—個像素中都必須有冗餘線 ，並將其置於資料線之下，另外再將其連接於—置於資料 線外側之連接圖案；如此，我們將可修整發生在該連接圖 案與上基板間之短路。 根據本發明所實施之液晶顯示器薄膜電晶體面板，其中 ’有多條形成於基板之上，排列爲第—方向之閘線；有多 條位於鄰近問線間並排列爲第二方向之資料線。該等閘線 與冗餘線之上覆蓋有閘絕緣膜。資料線形成於該閑絕緣膜 心上，排列爲第二方向並交叉於修補線。資料線之上覆蓋 有一層鈍化膜。導電連接圖案則形成於該鈍化膜之上。: 導電連接圖案並不與資料線重疊，但位於資料線的外側。 該導電連接圖案，將兩個位置相對的冗餘線在電氣上給連 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接了起來。 冗if線可以分割爲：分別地與導電連接圖案相連接之第 一與第二冗餘線，以及位於該第—與第二冗餘線之間，與 二者有所隔開之第三冗餘線。該第一與第二冗餘線與該導 -5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 523619 A7 B7 五、發明說明（3 ) 氣連接圖案相連接的部份，最好是從資料線的方向往外傾 斜。該導電連接圖案的材質可以與該像素電極的材質相同^ 丨.—--------·!裝.丨丨 (篇先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，冗餘線也可以只分割爲第一與第二冗餘線，2別 地連接導電連接圖案。該第一與第二冗餘線與該導電連接 圖案相連接的部份，則最好是從資料線的方向往外傾斜冗 餘線的材質應該與閘線的材質相同。 & 在兩鄰近閘線間另可形成一平行於閘線之次閘線，以及 將閘線與次閘線予以連接之連接線。 另外，根據本發明液晶顯示器薄膜電晶體面板之另一具 體實施例，包含：於每一個像素内均有冗餘線，而導電連 接圖案則分別地連接冗餘線的尾端或是資料線。 冗餘線的兩端最好都是由資料線的方向往外傾斜，而導 電連接圖案的材質可以與像素電極的材質相同。 在兩鄰近閘線間另可形成一平行於閘線之次閘線，以及 將閘線與次閘線予以連接之連接線。 #. 冗餘線分別地形成於每一個像素中，並且至少每幾個像 素就有一個像素中之冗餘線被分割爲兩個部份，或最好是每 2-10個像素就有一個像素中之冗餘線被分割爲兩個部份。 置式之簡要説明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明其他的一些目標與好處，將會在以下配以附圖之 説明中顯現。其中： 圖1是本發明液晶顯示器薄膜電晶體之第一具體實施例的 佈局圖； 圖2與圖3是圖1沿著線ΙΙ-Π'與ΠΙ-III'切下來之剖面圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 圖4是本發明液晶顯示器薄膜電晶體之第二具體實施例的 佈局圖； 圖5是圖4沿著線ν-V切下來之剖面圖； 圖6是本發明液晶顯示器薄膜電晶體之第三具體實施例的 佈局圖； 圖7是本發明液晶顯示器薄膜電晶體之第四具體實施例的 佈局圖； 圖8是本發明液晶顯示器薄膜電晶體之第五具體實施例的 佈局圖； 圖9是本發明液晶顯示器薄膜電晶體之第六具體實施例的 佈局圖； 圖1 〇是圖9沿著線X - X ’切下來之剖面圖；以及 圖1 1疋本發明液晶顯示器薄膜電晶體之第七具體實施例 的佈局圖。 較佳具體實施例之詳細説明 以下我們將配以附圖，針對本發明作更爲詳細的説明， 其中將展示一些較佳具體實施例。不過，本發明玎具體實 施以許多種不同的形式，其結構並不需以此處所敘述之具 體實施例爲限；提供這些發明僅止於揭示之用，以期能將 本發明之範圍完全地傳達給習於此藝人士知道。爲清晰起 見’這些圖中之佈局層與區域的厚度是被放大的。所有圖 中相同的數字代表相同的元件。必須要了解的是，當一個 凡件’像是佈局層、區域或基板被敘述爲在另一個元件，，之 轉狀巾關家標準（CNS^;格⑽ X 297公釐） (請'无閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝---I ·111!111 % 發明說明（5 ) 上’’時，代表的是其直接地鋪於該其他元件之上或是出現了 插進元件。 以下，我們將説明本發明液晶顯示器（LCDS)之薄膜電晶 體的具體實施例。 ‘圖1是本發明第一具體實施例之具有資料冗餘線之乙^^薄 膜電晶體的佈局圖。圖2與圖3則分別是圖i沿著線與 ΠΙ-IK切下來之剖面圖。就如圖中之所示，冗餘線是以與閘 線相容的金屬所形成的，其位於資料線之下，直至資料線 與閘線之交叉處。冗餘線各在閘線的一邊互相相對，並使 用ΠΌ(氧化銦錫）連接圖案連接至資料線。 就如圖1至3所示，像素區上側與下側的水平方向上，分 別地形成有上閘線110以及下閘線120。垂直方向之閘連接 線130與140，則負責將該上閘線110與下閘線12〇連接起來。 換句話説，包含了閘線110與120之閘導線，與該閘連接線 130與140共同形成了一個環狀圖形。爲使有足夠的空間來 形成薄膜電晶體，該環狀線的右上部15〇具有一從該閑、線 110處彎向下之第一部份，以及從該第一部份水平沿伸出去 並與該右閘連接線140相連接之第二部份。 在像素的右閘連接線140與下一個像素的左閘連接線13〇之 間（也就是’像素列之間）’形成有垂直走向之冗餘線1 6〇。 該冗餘線160位於上閘線11〇與下閘線12〇之間，在電氣上與 這些閘導線並不相連的。另外，冗餘線16〇的兩端均從垂直 的方向向外彎出一個預定的角度。 523619 五、發明說明（6 ) 居環狀圖形閘線與冗餘線〗6〇的上方覆蓋了 一層閘絕緣膜 2 0 ;右閘連接線14〇上側的絕緣膜上又形成一半導體層2⑻ 。資料線300爲垂直走向，形成於閘絕緣膜2〇之上，有一部 份與冗餘線160重疊。每一條的資料線3〇〇均延伸出一與部 份半導體層200重叠之源極31〇。汲極32〇因著右閘連接線14〇 而人源桎3 10相對，没極32〇的一端也與部份的半導體層2〇〇 重疊。汲極320的另一端則延伸至先前的像素區。即便是圖 1 土 3中並未頭示’我們也必須知道在資料線，31〇與32〇 以及半導體層200之間是插有一電阻接觸層的。 貝料線與半導體層2〇〇上覆蓋有一層鈍化膜4〇，在其上又 形成有一由透明材料，像是IT〇所作成之像素電極4〇〇。像 素電極400位於由環狀閘線11〇, 120, 130, 140與150所圍出 之像素區中’並透過一形成於鈍化膜4〇中之接觸孔，而 與汲極320連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，透明導電連接圖案41〇形成於鈍化膜4〇之上，其材 貝與像素私極400的材質相同。該透明導電連接圖案41〇連 接了兩鄰近的像素，其與其中之一像素之冗餘線16〇的一端 以及另一像素之冗餘線160的一端以及資料線3〇〇，部份地 重璺。该導電連接圖案410透過形成於閘絕緣膜2〇、鈍化膜 斗〇中I接觸孔C 1與C2，而與重疊部份之冗餘線16〇連接； 另外，泫導電連接圖案41〇透過接觸孔匚3，與重疊部份之 資料線300連接。 在如上所述之第一具體實施例中，因爲該導電連接圖案 410是形成於上、下閘線11〇、12〇與資料線3〇〇的交叉區域之 9- 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 523619 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7 ) 上，所以這些層很容易斷開。是故，在交叉區中之資料線 300即使是發生斷裂，顯示信號仍能透過該導電連接圖案 410來傳送。 於是，可以排除資料線斷裂所造成的缺陷。 第一具體實施例除了可應用於結構爲環狀閘線之像素， 也可應用在結構爲單一閘線之像素。 接下來，本發明之第二具體實施例建議出一改良的結構 ，其可使ITO膜的短路缺陷以及導電粒子所致之上基板共電 極現象，得以減少降低。 圖4是本發明LCD薄膜電晶體面板之第二具體實施例的佈 局圖，圖5則是圖4沿著線V - V ’切下去之剖面圖。 其中，閘線110，120，130與140，半導體層200，資料線 300, 310與320，像素電極400，冗餘線160以及透明導電連 接圖案420，均是依第一具體實施例所述之方式形成的。所 以，即使在資料線300斷裂的時候，顯示信號仍能透過該導 電連接圖案420以及與該導電連接圖案420相連接之冗餘線 160來傳送。 .另外，就如圖4與5中之所示，該導電連接圖案420並未與 資料線300重疊，而是置於它的外側。換句話説，佈局在導 電連接圖案420下方的是：閘絕緣膜2 0與鈍化膜4 0，或是 閘絕緣膜2 0、鈍化膜4 0與閘線110、120。是故，根據此具 體實施例的結構，其膜的總厚度會變得較結構是導電連接 圖案置於資料線300下方的厚度，來得薄；而且該因導電粒 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--------- # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523619 A7 B7 五、發明說明（8 ) 子所致之上基板（未顯示）透電極與導電連接圖案420間之短 路缺陷，亦得以減少。 第二具體實施例除了可應用於閘線結構爲環狀之像素之 外，也可應用在結構爲單一閘線之像素。 現在，配以圖6來説明本發明之第三具體實施例，此實施 例可以解決第一與第二具體實施例中所會有的資料信號延 遲的問題。 圖6是本發明LCD薄膜電晶體面板之第三具體實施例的佈 局圖，其圖示出如何修補斷裂的資料線。 其中，閘線110，120，130與140，半導體層200，資料線 300，310與320，像素電極400，冗餘線161，162與164，以 及透明導電連接圖案420，均是依第一、第二具體實施例所 實行之方式形成的。 就如圖6之所示，此具體實施例之冗餘線，除了被分割爲 三部份，與第一與第二具體實施例之冗餘線有所不同之外 ，其形狀是相同的。換句話説，該冗餘線包含了屬於冗餘 線外部之第一與第三冗餘線161、164，以及位於該第一與 第三冗餘線161、164間之第三冗餘線1 62。 另外，導電連接圖案420的形成也與前述之具體實施例之 導電連接圖案的形成方式相同。這也就是説，導電連接圖 案420連接了兩鄰近的像素，並與其中之一像素之冗餘線 164的一端、閘線120與110以及另一像素之冗餘線161的一端 ，部份地重疊。導電連接圖案420透過形成於閘絕緣膜2 0、 鈍化膜40中之接觸孔C 1與C2，而與冗餘線161、164連接。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .!!·-------·!裝---- (讀¥先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) T n ·1_-I n-· t§ i n eamf i n I ·"口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523619 A7 B7 五、發明說明（9 ) 在此具體實施例中，導電連接圖案420並未與資料線300重 疊，而是位於資料線300的外側。 是故，此具體實施例結構之膜的總厚度會變得較導電連 接圖案有與資料線300重疊之結構的膜總厚度，來得薄。也 因此，該因導電粒子所致之上基板（未顯示）透電極與導電 連接圖案420間之短路缺陷，得以大幅減少。 另外，因爲該第一與第三冗餘線161與164，與該第二冗餘 線163是互相隔開且並未與資料線300有所連接，所以，即 使是該有和第一冗餘線161、164連接之導電連接圖案420， 與下一個像素中之像素電極400間發生了短路的現象，資料 線300和像素電極400之間也不會產生短路缺陷。 根據第三具體實施例之佈線架構，如果資料線300在其與 上閘線110或下閘線120交叉之步階區中發生斷裂，就應施 雷射於位於斷裂點（a)兩邊之第一與第三冗餘線161、164， 使其分別在（Sal，Sa2)處短路於資料線300，以便顯示信號 可經由該導電連接圖案420通達於斷裂點（a)的兩邊。資料 線300的斷裂處如果是在越過步階區的那一側，就應使用雷 射將第二冗餘線163上相對於斷裂點（b)的兩邊（Sbl，Sb2) 處，短路至該資料線300，以便信號可改走第二冗餘線163 這條路徑。 在第三具體實施例中，因爲我們可藉著選用第一、二、 三冗餘線161、163、164來修補發生在步階區或其他區域中 之斷裂缺陷；所以冗餘線161、163與164以及資料線300之間 所產生之耦合效應將可能導致信號延遲的加劇。 - 12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .丨^—--------·!裝—— (請1閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 523619 A7 _B7_ 五、發明說明（1〇 ) 第三具體實施例除了可應用於閘線結構爲環狀之像素外 ，也可應用在結構爲單一閘線之像素。 接下來，我們配著圖7來説明第四具體實施例，該結構有 利於雷射短路的施行。 •圖7是本發明LCD薄膜電晶體面板第四具體實施例之佈局 圖，圖中資料線的斷裂已被修補。 就如圖7中之所示，閘線110，120，130與140 ;半導體層 200，資料線300，310與320 ;像素電極400，透明導電連接 圖案420以及冗餘線161與162 ;均與第二具體實施例中之各 該佈局的形式相類似。 不過，該與第一、第二具體實施例中冗餘線有相同形狀 之冗餘線，是被分割爲兩個部份··一爲冗餘線161，另一爲 冗餘線162。 根據第四具體實施例之導線結構，當資料線300在其與上 閘線110或下閘線120交叉之資料線3 00之步階區或其他區域 中發生斷裂現象時，我們可施雷射於位在斷裂點（c)兩邊之 本像素第一冗餘線161與上一像素第二冗餘線162，使此二 冗餘線分別地於（Sc2，Scl)處短路至資料線300，以便顯示 信號可經由導電連接圖案420通達於斷裂點（c )之兩側。因 爲該雷射短路點（Scl，Sc2)可以是斷裂點（c)兩侧上之任何 一點，所以雷射短路點的範圍變得較寬。 另外，此具體實施例之結構也保護了該透明導電連接圖 案免於與上基板之透電極發生短路；並且，相較於第一與第 二具體實施例，本具體實施例之顯示信號的延遲也較低。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 填·： J裝 本 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523619 A7 B7 五、發明說明（11 第四具體實施例除了可應用於閘線結構爲環狀之像素外 ，也可應用在結構爲單一閘線之像素。 以下配著圖8來説明第五具體實施例，該例之雷射修補範 圍較第四具體實施例之更爲寬廣。 圖8是本發明LCD薄膜電晶體面板第五具體實施例之佈局 圖，其中冗餘線的形狀與第一與第二具體實施例中之相同 ，分別地形成於每個像素中並且每幾個像素就有一個像素 中之冗餘線被分割爲兩個部份。另外，除了圖中之單閘線 結構外，本實施例也可應用於環狀閘線之結構。 圖8中可看到：多條互相平行之閘線110 ;多條與該等閘 線在位置上交叉但與其絕緣之資料線300，這些資料線300 最好是垂直於閘線110。多個該等閘線110與資料線300之交 叉所界定出來之像素區PX。在每一個像素區PX中均有薄 膜電晶體，此電晶體包含：從閘線110延伸出來之閘電極 111 ;形成於該閘電極111之上但與其絕緣之半導體層200 ; 從資料線300延伸出來並與該半導體層200的邊緣重疊之源 電極310 ;以及以半導體層200爲準，相對爲該源電極310之 對邊並重疊於該半導體層200邊緣之汲電極320。另外，每 一個像素區P X中均有一像素電極400，其透過形成於鈍化 膜中之接觸孔C4，而與該汲電極320連接。冗餘線160，161 與162的形狀與前述具體實施例中之冗餘線的形狀相類似， 這也就是説，冗餘線160，161與162的材質與前述具體實施 例所用之相同，並位於兩鄰近閘線110之間，部份地與資料 線300重疊。導電連接圖案420形成於資料線300之外侧並與 -14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Λη 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項邊 再L 填知 ί裝 本 · 頁 訂 4} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523619 Α7 Β7 五、發明說明（12 ) -請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 窝 頁 資料線3 0 0平行，其是由與像素400相同的材質所作成的。 該導電連接圖案420與閘線110交叉，橫跨著兩個像素區， 並與冗餘線160或是冗餘線161與162的尾端相連接。 不過，在此第五具體實施例中，一列之像素中每2 - 1 0個 就會有一個像素，其中之冗餘線是被分割爲兩個部份，分 割的方式與第四具體實施例相同。分割爲兩部份之冗餘線 :其一是第一冗餘線161，另一則是第二冗餘線162。其餘 的像素中則是未分割之冗餘線160。換言之，冗餘線161， 162與160以及導電連接圖案420之連接，以每2-10個像素爲 一個單位形成一次。 是故，在2 -1 0個像素中之任兩個點（Sdl，Sd2)上使用雷射 做出短路，變爲可行，只要這兩個點的位置是位在該資料 斷點（d)的兩邊就可以。如此，相較於第四具體實施例而言 ，雷射修補時可執行雷射短路之範圍將會變得比較大，而 修補所用的時間也會較短。另外，相較於第一與第二具體 實施例，修補完畢後顯示信號的延遲也會有顯著地降低。 另外，也有機會去除掉發生在該導電連接圖案與上基板 透電極間之短路現象。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接下來，我們將配著圖9與1 0來説明本發明第六具體實 施例之導線結構；此結構之雷射短路處理程序相較於第三 至第五具體實施例而言，可以有非常程度之縮減。 圖9是本發明LCD薄膜電晶體面板第六具體實施例之佈局 圖，圖1 0則是圖9沿著線X - X ’所切下來之剖面圖。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 523619 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7___ 五、發明說明（13 ) 圖9與10中可看到：閘線110、120、130與140，半導體層 200，資料線300、310與320，像素電極400，透明導電連接 圖案420，以及每一條均被分割爲第一冗餘線161與第二冗 餘線165之冗餘線；它們形成的方式都幾乎與第四具體實施 例中之相同。 不過，該等第一與第二冗餘線161與165中之任一條（圖9 中所示之爲第二冗餘線165)的尾端，從垂直方向延伸出一 預定的角度。該冗餘線165的一端連接至該導電連接圖案 420，該冗餘線165之另一端則靠著次連接圖案430連接至資 料線300。就如圖1 0中之所示，接觸孔C 5曝露了該第二冗 餘線165，而同時間該資料線300則形成於閘絕緣膜2 0與鈍 化膜4 0之内。該構成材質與導電連接圖案420相同之次連接 圖案430，透過接觸孔C 5將資料線300與第二冗餘線165連接 了起來。 依此第六具體實施例之結構，如果資料線之斷裂發生在 (e)處，那麼我們只需要於第一冗餘線161處用雷射將其短 路至資料線300以修補斷裂缺陷（e)即可。 所以，此第六具體實施例之導線結構具有簡化雷射短路 步驟之好處。另外，相較於前述之具體實施例，該導電連 接圖案與上基板透電極（未顯示）間發生短路的可能性也會 大幅地降低。 縱使圖9中並未顯示，我們也應知道該冗餘線是可以如第 三具體實施例般被分割爲三個部份的。該三部份中之中間 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ·:--------------裝--- (請先閱讀背面之注咅？事寫本頁) . --線· 523619 A7 B7 五、發明說明（14 ) 部份163可以藉由類似本第六具體實施例中次連接圖案之連 接裝置，分別地連接至資料線300。 最後，配著圖1 1，説明本發明第七具體實施例之LCD薄 膜電晶體。 圖1 1是本發明LCD薄膜電晶體面板第七具體實施例之佈 局圖。 圖1 1中可看到：閘線110、120、130與140，半導體層200 ，資料線300、310與320，像素電極400，透明導電連接圖案 400，以及冗餘線160 ;它們形成的樣式都幾乎與第一與第 二具體實施例的相同。 不過，第七具體實施例中之連接圖案440是位在像素中將 冗餘線160的兩個尾端連接至資料線300，而非交叉於閘線 110與120、橫跨著兩個鄰近的像素。該連接圖案440同時透 過形成於閘絕緣膜與鈍化膜中之接觸孔C 1、C 6或接觸孔 C2、C7，將冗餘線160之尾端與資料線300連接起來。 與前述之其他具體實施例所不同的是，如果資料線300的 斷裂發生在資料線300與閘線110或120的交叉之處，那麼環 狀閘線110，120，130與140中的一部份就要用來修補斷裂， 這將不是那麼的容易。不過，如果資料線300的斷裂處不是 在交叉區，那麼就不會需要額外的雷射短路步驟。 就如同以上所述的，本發明之LCD薄膜電晶體面板可以在 不需額外步驟的情況下，形成冗餘線。另外，也有可能有 效率地修補資料線的斷裂；也有可能得到一些另外的好處 ，像是顯示信號延遲的降低，雷射短路步驟的減少以及雷 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再L 填私 !裝 本· 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523619 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 A7 五、發明說明（15 ) 射修補範圍的增廣。另外，也有可能防止上基板與下基板 間發生短路。 靠著這些圖式與詳細説明’本發明之血 説明完畢。雖然文中使用了—些特定的名$，曰只施例已 作一般性的描述，並非作爲限制之用，因二但嘎只是用 將會述於下列之專利範圍中。 本發明之範圍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐）

Claims (1)

  1. 523619 第088105251號專利申請案 bs 中文申請專利範圍修正本(91年10月）S 六、申請專利範圍
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    1 . 一種用於液晶顯示器之薄膜電晶體面板，包含： '^絕緣基板； 多條形成於該基板之上並互相平行配置之閘線； 多條形成於該基板之上且每一條均位於兩鄰近閘線間 之冗餘線； 一覆蓋該等閘線與冗餘線之第一絕緣層； 形成於該第一絕緣層之上，交叉該等閘線且每一條均 與該冗餘線部份重疊之資料線； 一覆蓋該資料線之第二絕緣層；以及 形成於該第二絕緣層之上，置於該資料線外側但不與 之重疊之導電連接圖案，每一條導電連接圖案在電氣上 均連接至該互相相對於閘線之冗餘線。 2. 如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，其中該冗餘線分割為連接至該導電連接圖案之第 一與第二冗餘線，以及位於該第一與第二冗餘線間之第 三冗餘線。 3. 如申請專利範圍第2項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，其中該第一與第二冗餘線中分別地與該導電連接 圖案連接的部份，是從資料線的方向向外傾斜。 4. 如申請專利範圍第3項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，其中該導電連接圖案是由氧化銦錫所作成。 5. 如申請專利範圍第1項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，其中該冗餘線分割成分別地連接至該導電連接圖 案之第一與第二冗餘線。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 523619 A B CD 申請專利範圍 6 ·如申凊專利範圍第5項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，其中該第一與第二冗餘線中分別地與該導電連接 圖案連接的部份，是從資料線的方向向外傾斜。 7 ·如申請專利範圍第5項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板’其中該導電連接圖案是由IT〇所作成。 8 ·如申#專利範圍第1項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，另包含·· 多條次閘線，每一條均置於兩鄰近閘線之間並平行於 該閘線；以及 連接該閘線與該次線之連接線。 9 ·如申凊專利範圍第1項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板’其中該冗餘線是由與閘線相同之材質所作成的。 1 0 · —種用於液晶顯示器之薄膜電晶體面板，包含： 一絕緣基板； 夕條形成於該基板之上並互相平行配置之閘線； 多條形成於該基板之上且每一條均位於兩鄰近閘線間 之冗餘線； 覆蓋該等閘線與冗餘線之第一絕緣層； 形成於該第一絕緣層之上，交叉該等閘線且每一條均 與該冗餘線部份重疊之資料線； 一覆蓋該資料線之第二絕緣層； 元成於遠第二絕緣層之上，每一條均將該冗餘線之第 一尾端與該資料線予以連接之第一連接圖案； 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱) 523619 A BCD 、申請專利範圍 形成於該第二絕緣層之上，每一條均將該冗餘、線之第 二尾端與該資料線予以連接之第二連接圖案。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，其中該冗餘線之第一與第二尾端均從資料線的方 向向外傾斜。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，另包含： 多條平行於閘線之次閘線，每一條次閘線均位於兩鄰 近閘線之間；以及 連接問線與次閘線之連接線β 1 3 .如申請專利範圍第1 〇項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板’其中該第一與第二連接圖案是由ΙΤ0所作成的。 1 4 · 一種用於液晶顯示器之薄膜電晶體面板，包含·· 一基板； 多條形成於該基板之上並互相平行配置之閘線； 夕條形成於該基板之上並互相隔開於該閘線之第一冗 餘線； 一形成於該閘線與該第一冗餘線上之絕緣膜； 多條形成於該絕緣膜之上並與該閘線交叉之資料線， 每一條資料線均與該第一冗餘線部份地重疊； 多個由該閘線與該資料線之交又所界定出之像素； 多個薄膜電晶體，每一個均形成於該像素之中； 一形成於該資料線與該薄膜電晶體上之鈍化膜；
    15. 女/s 化膜上之像素電極，每—個像素電極在電 乳上均連接至該薄膜電晶體之一端子；以及 h多條第二冗餘線，每-條均將位在閘線兩邊之兩第一 几餘線在電氣上予以連接， 其中該第一冗餘線形成在每一個像素之中。 :申請專利範圍第14項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板，其中該第二冗餘線形成於該鈍化膜之上，且每一 1均f過形成於該絕緣膜與純化膜中之接觸孔而連接 土该第一冗餘線。 16. 如申請專利範圍第14項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 其中該多個像素至少有—個像素中之第—冗餘線 疋分割為兩個部份。 17. 如申π專利範圍第i 6項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板’其中該第一冗餘線是由與閘線相同的材質所作成 的0 18. 申月專利範圍第1 6項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板纟中4第_冗餘線是由與像素電極相 作成的。 1貝叮 19. 如申請專利範圍第16項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 ，板’其中每2] 〇個像素就有一個像素中之第一冗餘線 是分割為兩個部份。 、 浚申叫專利範圍第i 5項之用於液晶顯示器之薄膜電晶髀 面板，其中該多個像素至少有一個像素中之第 ： 是分割為兩個部份。 ' ' 20. 21. 21. 22. 23 . 24. 25 . 26. 27. 如申請專利範圍第2 0項之用於液晶顯示器之薄膜電晶體 面板’其中每2-10個像素就有一個像素中之第一冗餘線 疋分割為兩個部份0 種用於液晶顯示器之薄膜電晶體陣列面板，包含： 一絕緣基板； 多條形成於該基板上且彼此互相平行之閘線； —多條形成於該基板上且橫向與該閘線間隔之冗餘線， 每一冗餘線位於兩相鄰閘線之間； 覆盖該閘線與冗餘線之第一絕緣層； 田多條形成於該第一絕緣層上及經由該第一絕緣層而重 叠該等冗餘線之資料線； 一覆蓋該等資料線之第二絕緣層；以及· 多個形成於第二絕緣層上之像素電極。 如申請專利範圍第22項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 問線與冗餘線彼此電氣分離。 如申凊專利範圍第2 2或2 3項之薄膜電晶體陣列面板，其 中該資料線與冗餘線彼此電氣分離。 =申叫專利範圍第2 2項之薄膜電晶體陣列面板，其中至 /一冗餘線之寬度在資料線其中一者之寬度内。 ★申叫專利範圍第2 2項之薄膜電晶體陣列面板，進一步 包括電氣連結兩相鄰冗餘線之多個導體。 2申％專利範圍第2 6項之薄膜電晶體陣列面板，其中以 相同於像素電極之層製成多個導體。 523619 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 .2 8 .如申請專利範圍第2 6項之薄膜電晶體陣列面板，其中至 少一冗餘線包括彼此分離之第一至第三部份，第一與第 二部份連接至導體，且第三部份位於第一與第二部份之 間。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之薄膜電晶體陣列面板，其中第 一與第二部份至少部份突出於資料線。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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