TW521418B - Method for marking semiconductor device using a green laser - Google Patents

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Richard C Blish
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Description

521418
五、發明説明(1 ) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 if 社 印 製 反街領域 本發明係關於使用綠光雷射標記單一個體物件,諸如 封裝之半導體裝置之表面之方法。 技術背景 隨著半導體裝置(通常稱為”晶片”),包含封裝晶粒, 之生產速度愈來愈快,晶片製造商便尋求快速且有效標記 八 方法 瓜而0,在完成之半導體裝置上係標記 有各種資訊,諸如公司名稱 '料號或序號、以及/或貨物 號在目Θ之‘ 5己技術中,有效地達成增加生產速度之 需求是困難的。 由於墨水印製存在有許多缺點,因此利用雷射光束來 標記晶片封裝之表面變得愈來愈受到歡迎。不像墨水印 製,雷射標記係相當迅速,且不需要固化時間,並且能以 最短的操作時間來生產出一致性高品質標記。雷射光束基 本上燒錄永久才不3己在製造產品之表面上,·然而墨水標記則 會有髒π、退化、褪色或腐蝕之情況產生。在封裝晶片的 例子中,雷射標記產生與其餘封裝表面不同之反射率。因 此,藉由將晶片針對弁调访w Α 口# ^ ^ 士 乃Τ對尤濰放置而呈某一角度,便可以輕易 地讀取藉由雷射而記錄在晶片上之資訊。 』利用紅外線雷射已發展出各種不同的機器及方法來標 記晶片或其他製品。然而,紅外線雷射係無法在石夕母材圓 盤上標記,因為能量會穿透石夕而傷害主要金屬層受損。 因此而要種軚§己方法可有效利用雷射之速度及精 確度以較佳之深度控制而精確地且乾淨地標記奇特之半導 ^紙張尺度適种a S家鮮(CNS)A4祕(2ΐ^Τ^γ ’ 1 91709 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁各攔} - •訂 線 五、發明説明(3 阔’係指任何個別化铷姓 乃】化物件)。晶片係能以習知的方法 進’諸如藉由輪送帶、鏈 鍵條或乱動輸送乐統,或者藉由其 在技藝裡已知之工具來傳送。 日日片疋位在"一 iw 1JL· , , &域中,且在進行標記時可以固定 在位置上。選擇性的伞風β 的先予感應器可以偵測晶片是否已到達 掭C區域並且預定由綠 達 7尤田射來私圯。一旦晶片標記之 设’其便可以由韓* 铩记舀域向下游移動,並且重複循環操作 直到所有晶片完成標記為止。 雖」田射光束可以主動地標記一位在標記位置上之晶 /、而另曰曰片亦可以移動至另—個藉由相同的綠光雷 .光束源可存取之標記位置。—m成標記之後,該 T光雷射源便可以變換至相鄰的標記位置,然、後標記另一 晶片’且在此同時,先前已標記之晶片便由未標記之晶片 取代。在此方式中’綠光雷射實質上係連續地標記在一標 記位置或另-標記位置上之晶片,而不需要等待晶片定位 在標記位置上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁各攔) 在每一標記位置上係可以存在一個以上之晶片。換言 之,複數個晶片可以,例如成列地,定位在每一標記位置 上:且在一標記位置上之所有晶片可以連續地進行標記, 然後再換成位在另一個標記位置上之相同的複數晶片。 本發明係可以採用傳統的綠光雷射來進行標記。已經 發現,大約532奈米(nm)之波長特別適合在塑膠或陶瓷表 面上具有最佳的定義及清晰度。鋁帶或金片亦可以藉由本 發明之方法來加以標記。綠光雷射在矽上係具有較佳的吸 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公督) ---- ’ 3 91709 521418
附性、產生具較面輸出產能 月b之較佳標記品質以及減少碎片 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的產生。 在曰曰片於心„己區域中完成標記之後,該晶片便可以通 過選㈣的碎片清㈣統中。該碎片清除系統係可以利用 吸力、強力氣流及/或其他在技藝裡已知之方法以清除晶片表面上之細微顆粒,而不會影響到該晶片表面上之標 記。 另-可視情況選用之光學感應器經定位以感應晶片是 否存在及預備進行檢查。若是如此,μ晶片便可以藉由, 例如’-種向下拍攝式攝影機,來進行檢查,纟中該攝影 機可以為CCD攝影機或其他在技藝裡已知的攝影機。該 攝影機係會拍下晶片表面及包含在其上之標記之影像,然 後傳送影像至微處理器。由微處理器所接收之影像,會被 刀解成個別之像素’然後將此像素與最小解析度標準相比 較。一旦接收到晶片之影像且由微處理器比較後,便可以 釋放該晶片以進行其他處理。若在晶片上之標記經微處理器判定無法接受時,該具有瑕疵標記之晶片可以回收以重 新加工及重新標記。 Β日 若有需要,每一經過檢查之晶片的影像可以儲存在記 憶體中,以做為品質控制/品質保證之目的。除了單
91709 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁各攔) ---^ 訂 線 521418 Α7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 裝運期間來運送封奘曰U Α μ & ^ 了裝曰曰片在此情況下,晶片所採用之載 具最好係由可排除靜電之材料所製成,諸如某些塑膠及其 他在技藝裡已知的材料。若有提供適當的載具,則不排除 亦可以在晶粒母材或部分晶圓之背面來加以標記。 本發明之目的在於製造流程的最後階段,亦即,在燒 機測試之後,但在裝運之前,以雷射標記該晶片。該方式 允許僅經過燒機測試之晶片之適合運送給客戶之標記。本 發明係有利於在接到客戶訂單時,可以在未經標記過之晶 片上標記客戶所指定之資訊。 以上已針對利用綠光雷射來標記半導體晶片之方法來 加以說明。本發明之優點在於可以很容易地實現,且在降 低紅外線雷射所造成之主要金屬層之損壞上相當具有效率 且符合成本效益。本發明係有助於製造及制式化各種不同 之半導體裝置。在本說明書中所顯示及說明的僅本發明之 特定較佳實施例,如前所述,應瞭解的是在此所表達之本 發明之概念之範圍内,本發明係可以應用在各種其他組合 及環境中,且可以具有許多不同的變化及修正。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁各攔) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇χ297公釐) 5 91709

Claims (1)

  1. a ΙΑ/ fA/7 月 3 π 正~ / f .c /補免
    第901 15092號專利申請案 、 申請專利範圍修正本 1 一锸栖 (91年9月12曰) 1 · 種‘記個別電子物半$ # & % | 之步驟:%子物件之表面的方法’該方法包括以下 在第-標記位置上定位欲藉由綠光 至少一物件; τ知。己之 在該第一標記位置上標記至少一物件; 當標記在該第一標記位置上之該至少—物件的同 τ :至少-第二物件定位在第二標記位置上;以及 當該至少一已標記物件由該第一標記位 且當至^經標記之第三物件定位在該第-標記Γί 上的同時,標記在該第二標記位置上之該至少一 件。 乐一物 2_ 2專利範圍帛1項之方法,其中該個別電子物件為 丰導體晶片。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,包括·· 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 標記該個別電子物件之表面,其中該表面可選擇由 以下之材料所構成:塑膠、陶竞'銘蓋以及金片。 4. 如申請專利範圍第1項之方法包括: 以具有大約532奈米之波長的綠光雷射來標記該 個別電子物件。 Λ 5. 如申請專利範圍第丨項之方法,更進一步包括: 本紙張尺度適;_家標準(CNS) Α4規格 在該第一標記位置上定位該物件之前,在第一分段 91709 521418 __H3 位置上分段該物件。 6. 如申請專利範圍第1項之方法,更進一步包括: 由該已標記物件之該表面上清除碎片。 7. 如申請專利範圍第1項之方法,更進一步包括: 拍攝每一已標記之物件。 8. 如申請專利範圍第1項之方法,更進一步包括: 傳送該已標記物件之影像至微處理器。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 2 91709
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7157131B1 (en) * 2002-08-06 2007-01-02 Advanced Micro Devices Inc Prevention of counterfeit markings on semiconductor devices
DE102005007768A1 (de) * 2005-02-19 2006-09-07 Macrotron Scientific Engineering Gmbh System und Verfahren zur Lasermarkierung
DE102006019118B4 (de) 2006-04-25 2011-08-18 Epcos Ag, 81669 Bauelement mit optischer Markierung und Verfahren zur Herstellung
CN103809099B (zh) * 2014-03-05 2016-09-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆探针测试次数的检测方法
US9922935B2 (en) 2014-09-17 2018-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same
KR20160032958A (ko) 2014-09-17 2016-03-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
CN109624580A (zh) * 2018-12-06 2019-04-16 蓝思科技(长沙)有限公司 陶瓷材料制品镭射加工工艺及陶瓷材料制品和电子设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958628A (en) * 1995-06-06 1999-09-28 International Business Machines Corporation Formation of punch inspection masks and other devices using a laser
US5853955A (en) * 1995-12-11 1998-12-29 Mcdonnell Douglas Corp. Substrates and methods for laser marking same
US5932119A (en) * 1996-01-05 1999-08-03 Lazare Kaplan International, Inc. Laser marking system
US5838361A (en) * 1996-01-11 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Laser marking techniques
US5935870A (en) * 1998-05-15 1999-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Top view TEM sample preparation method

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