TW520461B - A liquid crystal display device - Google Patents

Description

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五、發明説明（1 ) 發明背景 1.發明範疇： 頌，尤其，與一種表面模 一 pi-cell裝置或是一斜面 本發明與一種液晶顯示裝置有關 式的液晶顯示裝置（LCD)有關，如_ (splay)彎曲裝置（SBD)。 2.相關技術說明： 在此所使用之”表面模式LCD(液晶顯示），，，意味一 lcd其 由變化在其液晶層的電場所引起之光學改變，主要發生於 一液晶基材附近的幾層中。表面模式；LCD的例子有pi_ceU 或是斜面彎曲裝置，雖然也有其他已知的型式。表面模式

LCD揭示於1973年第3冊

Electronics"78-79 頁。 該pi-cell(其他的名稱為”光學補償之雙折射裝置，，或是 0CB)在 1984年弟 113 冊’’Mol· Cryst· Liq· Cryst.，，329-339 頁 中及美國專利4 635 051中說明。在圖1中示一pi-ceii的示意 結構。該裝置包含透射基材1，1，，於其上塗抹定位層2, 2f。一向列型液晶層3置於基材！，Γ間。 該等定位層2，2’產生在液晶層3在其與定位層2，2,邊界 處液晶分子的平行定位。此可以使用平行磨擦 (parallel-nibbed)聚硫胺定位層來達成。 定址電極（圖未示）提供於該等基材1，1’上，使得一電場 可以被應用於該液晶層選擇的區—。該液晶層3放置於線性偏 極器4，4’間，其傳輸軸彼此相交，並與該液晶層的光學軸 以一 45角度相交。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520461 A7 B7 五、發明説明（2 ) 一減速器5，其光學軸與該液晶層的光學軸垂直，可以被 選擇提供以補償該液晶層的減速度。該減速器，以允許於 該液晶層上一有限電壓來達到LCD的零減緩的方式，降低 操作電壓的需求範圍。 圖1示一透射的LCD。一 pi-cell也可以具體實施以提供一 反射鏡於該液晶層之下的方式，做為一反射裝置，可能以 使於該較低基材上的該定址電極為一反射電極的方式。在 一反射pi-cell中並不一定需要該較低偏極器4’。 該pi-cell裝置的操作原理在圖2A至2D中示範。 當沒有應用電場於該液晶層上時，該液晶為一 H-形態（ 均勻形態或是斜面形態），在其中位於該液晶層中央的液晶 分子約平行於該基材，示於圖2 A。在該等圖式中的短線代 表該等液晶分子的導向體（director)。 當一大於一門限值之電場施於該液晶層上時，該液晶分 子採一 V-形態（或是一彎曲形態）。在此形態之下，位於該 液晶層中央的液晶分子約垂直於該基材。圖2C示一第一 V-形態，其發生於橫過該液晶層之一低施加電壓時，圖2D示 一第二V-形態，其發生於橫過該液晶層之一較高施加電壓 時。該pi-cell以將該液晶層於該第一低電壓V-形態與該第 二較高電壓V-形態之間切換的方式來操作。 如果橫過該液晶層的電場被降低至該門限值之下，該液 晶層將放鬆至圖2A中的H-形態「為了要重新開始該裝置的 操作，必須要將該液晶層放回到V-形態。此通常需求一大 施加電壓，由於該等液晶分子的低預先傾斜（pre-tilt)。該 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

520461 A7 B7 五、發明説明（3 預先傾斜通常小於4 5度，並且通常在2與1 〇度間，以提供足 夠的光調變及在兩個V-形態間的快速切換（例如在一微秒 左右或更低）。 一個與OCB裝置有關的已知問題是其晶核過程及穩定該 V-形態（其與該H-形態為形勢相異）的困難。一先前技藝技 術說明於英國專利申請9521〇43· 1/2 306 228中。於此先前 技蟄技術中，該V-形態在應用一高電壓之下晶核過程，並 以於該高電壓施加之下一網路的聚合的方式來穩定之。然 而’該先前技藝技術不適合活動矩陣裝置的使用，因為其 對於應用一 TFT面板中所需強度的電壓有困難。其還有一 缺點，為該insitu聚合可能導致該液晶層的離子汙染，結果 產生影像滯著。 該SBD裝置，其也為一表面模式裝置，說明於英國專利 申請序號9712378·0/2 326 245中。一 SBD裝置的結構通常與 一 pi-cell的結構類似，除了在一 SBD裝置中的定位層具有一 咼預先傾斜，而在pi-cell中的定位層具有一低預先傾斜。 一 SBD裝置使用一具有負介電異方性的液晶材料，而pi-cell 使用一具有正介電異方性的液晶材料。 操作一 SBD的原貝U類似pi-cell的操作原貝ij。當沒有施力口電 壓橫過一 SBD的液晶層時，該穩定液晶形態為_ v_形態。 當應用一大於一門限值之電場橫過該液晶層時，一 H-形態 變得穩定。該SBD-的操作方式為將該液晶於—第一形態 (其發生於應用一低電壓橫過該液晶層）與第二Η-形態（其發 生於應用一較鬲電壓橫過該液晶層）間切換。如果橫過該液 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

線 520461 A7 _______ B7 五、發明説明（4 ) 晶層的該電場降低至門限值之下，該液晶會放鬆至V-形態 ，而且在重新開始操作之前，必須要將該液晶放回該比形 態。 一 SBD產生前得先需求該等气預先傾斜定位層，例如， 以一反應mesogens混合物光聚合的方式。 SID 97 Digest，739頁揭示一種在pi-cell中提昇該V-形態 晶核過程的方法。應用大約20伏特的電壓橫過該液晶層， 以切換該液晶從該H-形態至該V-形態。然而，在一TFT(薄 膜電晶體）基材中非常難提供該大小的電壓。 曰本公佈之專利申請JP-A-9 9(M32(東芝）揭示於一 pi-cell面板中提供晶核過程位置。該等晶核過程位置以在 pi-cell中包括墊片球或是柱的方式提供，並且將該液晶材 料從一同向性相位冷卻至一向列型相位，在當施一電場橫 過該面板時。此結果為一些做為該V-形態之晶核過程位置 的該等墊片球或是柱，成長進入該存在之H-形態。此先前 技藝有數個缺點。首先，其在該面板的製作過程中需要額 外的處理步驟，因為其需要在一應用的電壓之影響下，定 位該等液晶分子。該等額外的處理步驟使面板的製作過程 變得很複雜。第二，一些墊片球/柱可能引起於所想要的V-形怨中该Η -形態的形成，因此使得該面板的操作不穩定。

Miwa等於IDW 97-Digest 85頁中揭示一種維持於一 pi-cell中一 V-形態的穩定性的方法。在每一個訊框中提供 ——個重新設定的週期，而且該V-形態在此週期中定址。此 舉防止在當應用低驅動電壓時，該液晶層放鬆至該形態 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520461 A7

二然而’此舉卻不能定㈣v_㈣從H_形態開始的晶核過 程0 _ =專利序號4 566 758揭示-個表面模式向列型液晶顯 丁裝置’於其中㈣晶層含有_對掌性㈣雜物。當益電 壓：於該液晶層時，該液晶放鬆至一扭轉形態，而非二h_ 形態。與ν·形態晶核過程有關的問題被減少甚至消除了， 因為該扭轉形態形勢上相當於該v.形態。然而，此做法需 要孩液晶層厚度d與該等液晶分子扭轉的間距？的比值必須 為d/p >0.25,且已知該高d/p值會減少該顯示器的亮度。不 可能將d/ρ減少低於〇·25，因為為了要得到—刚度的扭轉， 必將該等液晶分子扭轉的間距ρ足夠偏移，以使其迎合 ⑽度的扭轉角而非。度扭轉角，而此舉需要d/p的值大於 〇广。（該液晶必須順應該等定位基材上薄膜磨擦方向，使 得該液晶層在-pi-eell幾何中被束制，以具有0度' 18〇度 、360度等等的扭轉）。 吳口申凊中的英國專利申請序號9822762.2(gb 2 Μ] 〇11)揭示一個表面模式的液晶顯示裝置，於其中該液晶層 含有晶核過程區，於其中所想要的操作形態被穩定化。得 到該等晶核過程區的方式，為提供不同預先傾斜角度區於 至少一個基材上。該裝置具有需求額外處理步驟，以提供 不同預先傾斜角度產生該等晶核過程區的缺點。 如於液晶範疇中所熟知，一 p-卜cen的仏及^形態具有一 形勢上相當之特質，即當施電壓於一pi-cell時，在^形態 無法將pi-cell平順且連續的轉換成_v-形態（反之亦然）。而

B7 五、發明説明（6 ) 是，該轉換要求定位的缺陷（或稱為”不連續性，，、”獨特性， ^或是”旋錯”）必須形成（或”晶核過程”）於液晶中，然後才 月匕轉換。觀察一pi-cell從H-形態轉換至ν·形態（例如使用一 個偏光光學顯微鏡），允許清楚觀察該等缺陷的晶核過程， 以及在當V-形態成長來替代沁形態時，觀察到其 該H-與T-形態（扭轉形態）同時也是形勢相當，'即是，從 - T-形態至H-形態的轉換’要求在該液晶中該等缺陷的晶 核過程及移動。 在該液晶定位中的缺陷晶核過程，以產生形勢相當形態 間所需的轉換，要可靠地達成與控制可能很困難。本專利 的目^7即為可罪地及可担制地來允許一 pi-ceii從一形態（ 如H-形態）轉換至另一形態（即v-形態或形態）。 一 pi-cell的V-形態及Τ-形態為形勢相當。因此，舉例來 說，如果在一均勻pi-cell上一開始於τ-形態的電壓平順地 增加，該pi-cell將經過一個均勻及連續的轉換至ν_形態， 不需要缺陷晶核過程及移動。兩個形態在不同電壓下的 配置也為形勢相當，即是在任一電壓的V —形態可以連續地 被轉換成第二電壓的V-形態，只要變化施加電壓就可完成。 發明概述 本發明提供一種液晶顯示裝置，包含：一對掌性液晶材 料層’其置於第一與第二基材間；及用以施一電壓於該液 晶層上的裝置。該液晶層的一第一區為一顯示活動區，而 該液晶層的一第二區為一晶核過程區，在當將一電壓施加 於該液晶層上時，會在第一區中產生想要的液晶形態。在 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 520461 A7 B7 五、發明説明（7 ) 液晶層第一區之液晶層厚度d與液晶材料間距p(p itch)的比 值具有一第一值（d/p)A，而在液晶層第二區具有一與第一值 不同的第二值（d/p)N。 該第二區作用為一晶核過程區。當沒有施加電壓於液晶 層上時，第二區的該穩定形態被選取，使得當施加電壓橫 過液晶層時，該所想要的穩定形態容易且反覆地產生在該 活動區。 在該液晶層弟二區中的液晶層厚度d與液晶材料間距p的 比（d/p)N值可被選取，使得在沒有施加電壓於液晶層時，在 該液晶層中的第二區液晶形態穩定形勢上相當於所想要的 液晶形態。此促使於該活動區中所想要之穩定形態的晶核 過程。 該第一扭轉角可以與該第二扭轉角差180度。 在該液晶層弟一及弟二區中的液晶層厚度d與液晶材料 間距p的比值可被選取，使得在沒有施加電壓於液晶層時， 一具有一第一扭轉角的第一液晶形態在該第一區中穩定， 而一具有一第二扭轉角的第二液晶形態在該第二區中穩定 〇 在該液晶層之第二區中液晶層的厚度d與液晶材料間距p 的比（d/p)N值必須大於該液晶層的厚度d與在該液晶層第一 區中之液晶分子間距p的（d/p)A比值。該第一液晶形態可能 為一 〇度扭轉形態，而該第二液_晶形態可能為一 180度扭轉 形態。該〇度扭轉形態可能為一 H-形態。 如以上所提，該1 80度扭轉形態形勢上相當於所想要的 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂

線 520461 五、發明説明（8 pi-cell之操作形態。當本發明應用於一pi-cell時，在施加一 電壓於该液晶層上時’晶核過程區中該1 8 〇度的扭轉形態成 長為該所欲之操作形態。 在該第一基材之上的定位方向可平行於在該第二基材之 上的定位方向，而在該液晶層第一與第二區中的液晶層厚 度d與液晶分子的間距p的比值可被選取，使得（d/p)A< 〇 25 而0.25<((1/?)>^0.75。在該第一區中之0度扭轉形態及在該晶 核過程區中之18 0度形態，該等定位方向可以穩定化。 在該液晶層第一區中之液晶層的厚度d與液晶材料間距p 的（d/p)A比值可以小於〇·125，且其可以小於ο.!。使用低d/p 比值意味該活動區的亮度不會降低太多。 該裝置可以為一表面模式液晶顯示裝置。該裝置可以為 一 pi-cell。在該活動區内想要之液晶形態可以為一 V-形態。 該裝置可以為一反射液晶顯示裝置。該第二液晶層區可 以置於一通孔中。對一反射液晶顯示裝置來說，合併通孔 是正常的，例如要能電連接至一反射電極。該液晶層在一 通孔中的厚度會大於該液晶層其他地方的厚度，因此，在 通孔中該厚度對間距的比值大於其他地方的比值。因此， 根據本發明，可以使用一通孔區以方便當.作一液晶顯示裝 置中的晶核過程區。在此具體實施例中，取得一液晶層增 加之厚度對間距的比值做為晶核過程區，不需要額外的處 理步驟。 — 該裝置可以為一透射及反射的液晶顯示裝置。該第二區 可以提供於該透射及反射的液晶顯不裝置一透射區。該晶 -11 - 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 520461 A7 B7 五、發明説明（9 ) 核過程區及該活動區可以提供於該透射及反射的液晶顯不 裝置一顯示區。 在該液晶層中第二區的液晶層扭轉，可以為非零，且與 該等液晶分子的自然扭轉相反’且在弟二液晶區之液晶層 厚度d與液晶分子間距p的比（d/p)N可以小於在該液晶層第 一區中之液晶層厚度d與液晶分子間距p的（d/p)a比值。 在該第一基材上的一定位方向可以與在該第二基材上的 一定位方向成一 φ角’且在該液晶層第一區及第二區中的液 晶層厚度d與液晶分子間距p的比值可被選取，使得： 且 (d\ φ 1 —--- 、p 2jt 4 \i h

P

2jt 4 在該液晶層第一區之液晶分子間距pA可能不等於在該液 晶層弟二區之液晶分子間距Pn。 在該液晶層第一區之液晶層厚度dA可能不等於在該液晶 層第二區之液晶層厚度dN。 該施加電壓裝置可被排列以施加電壓於該第一與第二區 上。例如，該第一區可以包圍第二區。或者是，該施加電 壓裝置可被排列以施加電壓於該第二區上。例如，該第二 區可以置於一像素與像素的間隙中。 可將一電壓施加於該晶核過程區，其時間幾乎與將一電 -12- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520461 A7 B7 五 發明説明（1〇 ) 壓施加於該液晶顯示裝置的一顯示區的時間相同。 該液晶顯示裝置可進一步包含一儲存電容。該晶核過程 區可以提供於該儲存電容的附近。 本發明也提供一種液晶顯示裝置，包含：一液晶層置於 第一與第二基材間；及用以將一電壓施加於該液晶層上的 裝置。該液晶層包括一具有一第一厚度的第一區，及一鄰 接該第一區之具有一第二厚度的第二區。在該第一區的該 液晶層的弟一形怨與在該弟二區的該液晶層的弟二形怨共 同存在於一預定的狀況下。該第一形態形勢上不同於該第二 形態。 該預定的狀況可以為無電壓施加於該液晶層上。 該第一形態可以為該H-形態，而該第二形態可以為一 T-形態。 該液晶層的一傾斜角可以由該液晶層與該第一基材來界 定。在該第一區的液晶層的一傾斜角可能約等於在該第二 區中液晶層的一傾斜角。 在有電壓施於該液晶層上時，該第一形態與該第二形態 可以為V-形態。 圖式簡單說明 本發明之具體實施例將以參考所附之圖式來說明： 圖1為一 OCB裝置（pi-cell)之示意剖視圖； 圖2A至2D示範一 OCB裝置的原理； 圖3 A與3 B示範本發明原理的示意剖視圖； 圖4為根據本發明一具體實施例之一液晶顯示裝置的剖 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520461 A7 ______ B7 五、發明説明（彳彳） 視圖’當沒有施電壓於該液晶層時； 圖5為圖4之液晶顯示裝置之剖視圖，當施一電壓於該液 晶層時； 圖6為根據本發明一具體實施例之一液晶顯示裝置的示 意平視圖； 圖7不一液晶顯示材料中一差排的傳遞速度為d/p比值的 函數關係； 圖8為根據本發明另一具體實施例之液晶顯示裝置的示 思剖視圖； 圖9為圖8中之液晶顯示裝置的主要光學零件的示意透視 圖， 圖10示一反射液晶顯示之反射性對施加電壓的特徵曲線 ’對不同的d/p比值；及 圖11A及11B示根據本發明另一具體實施例製造一液晶 顯示裝置之方法；及 圖11C示使用圖1 ία及11B之方法製造一液晶顯示裝置。 圖12為一丁 F 丁液晶面板的像素部分之放大俯視圖。 圖13A至13C為圖12之丁FT液晶面板用來解釋晶核過程區 的示意俯視圖。 圖14為根據本發明一高口徑比之TFT液晶面板140〇的俯 視圖。 圖1 5為該高口徑比之TFT液晶面板14〇〇的橫剖面圖，沿 著圖14中所示之A-A·線。 圖16A及16B示一包括一 180度扭轉區及一斜面區之液晶 -14- $纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)' -- 520461 A7 B7 五、發明説明（12 ) 顯示裝置。 圖17之圖示範在當具有一小傾斜角時，相對一位準差昱 (^*((^ + (12)/?之共同存在區的改變。 圖18為一表，示範在一扭轉區寬度及一斜面區與—18〇 度扭轉區之共同存在形態間的關係。 圖19示提供於一透射及反射液晶顯示裝置之一像素的一 反射顯示區及一透射區的結構。 圖20示於某一細胞中一 180度扭轉區及一斜面區的示音 俯視圖。 圖2 1為示範一 1 80度扭轉區的比例，在對比為2〇〇 : 1黑暗 顯示之電壓的可容許寬度。 圖22之圖示範在當具有一大傾斜角時，相對一位準差異 di及（di + dj/p之共同存在區的改變。 較佳具體實施例之說明 於此說明本發明的原則。使用在本發明中之液晶，隨废 用之電壓大小順應四種不同的形態。該等四種不同的形態 在此稱為一第一形態、一第二形態、一第三形態、及一第 四形怨，其可以用存在於一低施加電壓之通常環境下，以 最小施加電壓.大小遞增次序的方式來定義。該液晶的設計 為’使該形勢不同之第一形態及第二形態，在預先決定之 狀況下，共同存在於鄰接區。該等預先決定之狀況的定義 是，例如，以一特定之電壓（包括零電壓）應用於該液晶之 上。在此情況，如果一電壓大於或是等於該特定應用於該 液晶之上的電壓，該液晶從該第二形態過渡至第三或是第 -15- I紙張尺度適财S g家標準(CNS) Μ規格χ挪公爱) ------- 520461 A7

四形態。在有一電壓之下，該第二形態的過渡，引發該第 一形態過渡至第三或是第四形態。在一液晶顯示裝置中， 其顯示是在第三與第四形態間切換而得。根據本發明，液 晶層的間距及厚度之至少其中之一被調整，以允許該第一 及弟一形怨在鄰接區共同存在。 圖2示一根據本發明之〇cB裝置做為範例液晶顯示裝置 的操作。如以上所說明，該等操作形態為示於圖2(：與中 之兩個V-形態（對應該等第三與第四形態），且該裝置的操 作為將該液晶形態在此兩個V -形態間切換。為了要得到該 等V-形態之一，必須應用一有限之電壓在液晶層上，而如 果該施加電壓降低至一臨界之門限值時，則該液晶放鬆至 圖2A所示之該H-形態（對應該第一形態）。為了重新啟始該 裝置的操作，該液晶層必須回到一 V-形態。 當該液晶層之施加電壓降低至該門限電壓：時，如圖2B中 所示之一 180度扭轉形態（對應該第二形態）最先出現，在圖 2A中所示之H-形態出現之前。該180度扭轉形態（τ-形態） 和圖2C與2D中所示之該等V-形態形勢相當，但是與在圖2Α 中所示之Η-形態形勢特異。該180度扭轉形態只有對一小範 圍施加電壓來說為穩定，且在當施加電壓減少至零時，兮 180度扭轉形態被該Η-形態壓抑下來。該度扭轉形錢為 該Τ -形態之*例。 在從一 V-形態過渡至該Η-形態的期間，該1 80度扭轉形賤 的存在，通常未被認為與操作一 pi-cell有關或是有益。然 而，本發明針對於允許該第一形態（如形態）及該第二形 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 520461 A7 B7 五、發明説明（14 )

裝 態（如T-形態）在一預先決定之狀況下，共同存在於一液晶 層中之鄰接區中。當一電壓大於或是等於該預先決定之狀 況（包括零電壓）的電壓施加於該液晶層上時，該第二形態 將作為一晶核過程區並產生該等第三與第四形態（如ν·形 態），其則能夠變成該裝置之一活動區（或是，如果該晶核 過程區佈置於該活動區之内的話，為該活動區之外其餘之 活動區）。在前述之狀況下，該等第一與第二形態分別為H_ 形態及T-形態、。然本發明卻不受限於此。 訂

線 進一步說，以上所描述之OCB裝置中，在零電壓時適應 兩個形態（H-形態及T-形態p本發明卻不受限於此。例如 ’雖然在當該晶核過程區與該活動區兩者均為H-形態，如 同一液晶面板被長時間間置一般的原始形態，兩區在高施 加電壓下變成V-形態之後，該晶核過程區可能在出現一零 或是低施加電壓時，回復至該T-形態。在此狀況下，該晶 核過程區的液晶在有一較大電壓出現時（而非該低施加電 壓），從該T-形態過渡至該V-形態，使得在該活動區中之液 晶，在有一施加電壓下，過渡至該V-形態。 圖3A與3B示意一根據本發明之OCB裝置的範例。圖3八與 3B分別示一根據本發明之一具體實施例的一液晶顯示裝置 ’在零施加電壓的形態及一非零施加電壓的形態。圖3a與 3B之OCB裝置包括一活動區1〇(第一區）及一作用為一晶核 過程區之通孔區11(第二區）。— 本發明使用一含有一扭轉液晶材料之液晶層。此可以為 一液晶材料，如一向列型液晶材料及一對掌性摻雜物之組 -17-

520461 A7 ____ B7 五、發明説明（15 ) 合’或是其可以為一實質為對掌性的液晶材料，如一 cholesteric液晶材料。 根據本發明’該液晶層厚度與其液晶材料間距的比值（ 於此後稱為，，厚度對間距比值”），對整個液晶層來說並非為 常數。該活動區1 〇之該厚度對間距比值較好是選擇以滿足 該（d/p)A < 0.25的關係，其中（d/p)A == dA /pA，dA為液晶層在 該活動區10中之厚度，而pA為液晶層在該活動區1〇内液晶 材料之間距。在該活動區10内該液晶的形態因此不是一扭 轉形®，而為一 H-形態，如同一傳統式pi-cen。 圖3 A與3B之具體實施例中，該晶核過程區n具有一該厚 度對間距比值（d/p)N，大於該活動區之該厚度對間距比值 (d/p)A。（d/p)N = dN /pN，dN為液晶層在該晶核過程區^之 厚度，而PN為液晶層在該晶核過程區1 i内液晶材料之間距 〇 在該晶核過程區11之厚度dN及在該晶核過程區内液晶材 料之間距PN，較好是選擇使得〇·25 S (d/p)N別·75。結果， 在無電壓施加於該液晶層上時，一 1 80度之扭轉形態在該晶 核過程區内穩定。一旋錯12存在於該晶核過程區UiUO 度扭轉形態與該活動區10之Η-形態間的邊界。 在圖3Α與3Β之具體貫施例中，在該活動區iq中之液晶材 料的間距等於在該晶核過程區丨丨中之液晶材料的間距。即 Pa = Pn，且於該厚度對間距比值之一變化為dA * dN。 為了將圖3 A之裝置放至操作形態，在該液晶層上，必須 應用一大於一門限值的電壓，其在H-形態與V、形態之吉布 -18- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 520461 A7 _______B7____ 五、發明説明（16 ) 一 ~—-- 斯自由能（Gibbs free energy)為相當。當應用一等於該門限 值的電壓時，該等形態的相對穩定性改變，以迎合該^形 態而不是該H-形態。該V-形態，其可視為一失真之扭轉形 態，可以從在該晶核過程區！丨中之i 8〇度形態成長至該活動 區10中，並將在整個活動區中替代該形態。 在圖3Α與3Β之具體貫施例應用至一活動矩陣TFT裝置之 處，該晶核過程區1 1較好是佈置於該裝置的黑遮罩之下。 在圖3A與3B所描述之裝置中，其所需將v-形態晶核過程 至該活動區10中之門限電壓通常為2伏特。此較無晶核過程 區之傳統pi-cell所需將V-形態晶核過程的電壓為低。 在圖3 A與3B中所示之液晶裝置，其活動區的厚度對間距 比值通常可以降低至〇·1左右。在圖3A與把中所示之液晶裝 置’其活動區的厚度對間距比值較佳是在〇·25以下，更佳 是在0.125及在0·1以下。該裝置之活動區的亮度因此大於在 美國專利序號4 566 758中所揭示之一裝置類型的活動區， 在遠專利中為了穩定在該活動區中之1 8 〇度扭轉形態，其 d/p比值必須至少為0.25。 應用本發明於一反射液晶顯示裝置特別容易，因為通常 有一液晶層，因為需要提供一通孔以允許一反射電極連接 至一切換元件（舉例），因此其含有一厚度增加區。使用該 通孔為晶核過程區，消除了在製造該晶核過程區額外處理 步驟的需要。 - 在圖3 A中’该液晶層在零施加電壓的形態時，適應兩個 形態（H-及T-形態）。本發明並不受此限制。甚至在當該液 -19 - 520461 A7 B7 五、發明説明

晶層適應一形態（如H-形態）在零施加電壓的形態下，如果 該液晶層適應二形態（如H-及T-形態）於一低施加電壓形態 下’仍可得以上所述之相同效應。 圖4為一實施本發明之一反射液晶顯示裝置400的橫剖面 。此示一通孔區丨丨位於一活動區1 〇之内。圖4之液晶顯示裝 置4 0 0疋處於一預先決定的狀況之下’特別是在液晶層沒有 施加電壓之下，或是一低施加電壓之下。在該活動區的液 晶層厚度為dA，而在通孔區的厚度為dN。在該活動區1 〇的 液晶材料間距等於在該晶核過程區1 1之液晶材料間距。在 本發明之具體實施例中，該通孔區具有較大之厚度對間距 比值’且其可被使用為一晶核過程區。 圖4中所示之裝置包含上及下基材1，1，。一上電極6置於 該上基材上，且其由一上定位層或是薄膜2覆蓋。該電極6 為一透明電極，例如由銦錫氧化物（ITO)所形成。該上定位 層2為一傳統式定位層，並是例如由一層聚合材料，其以非 方式性地磨擦，使定義該定位方向及液晶分子與該上定位 薄膜2接觸之預先傾斜角。 一反射電極層7置於該下基材Γ上。一更低之定位層2,置 於茲下電極上。一電極6,，舉例來說，為在一活動矩陣顯 示裝置之一切換元件（圖未示）的輸出電極佈置於該下基材 1上。在該裝置之活動區中，落反射電極7與該電極6，以一 絶緣材料層5分開。然而，在該通孔區並沒有提供該絕緣層 5，使得該反射電極7與該電極6,有電接觸。在該通孔區u -20-

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沒有絕緣層5的結果，在該通孔區内的該液晶層厚度大於在 該活動區1 〇中之液晶層。 在圖4之具體實施例中，該上定位薄膜2的磨擦方向與該 下足位薄膜2’的磨擦方向平行。該液晶層於是被束制以順 應具有扭轉角度為〇度、18〇度、36〇度等等的形態。 在圖4之具體實施例中，該液晶層含有一向列型液晶及一 對掌性摻雜物。雖然該向列型液晶並不具有一實質的扭轉 ’ #對掌性摻雜物的出現引發該液晶材料的一個扭轉。一 合適之液晶材料為，例如材料ZLI 6000-100，一合適之對 草性掺雜物為CB 15(由德國Merck，Darmstadt所製造）。 選擇該對掌性摻雜物在該液晶層中的量，使得在活動區 1 〇中咸厚度對間距的比值小於〇 · 2 5。此並不足夠偏移該液 晶材料至該1 80度扭轉形態，因此在該活動區丨〇中該穩定的 液晶形態被束制於一 〇度扭轉形態。因此，在零施加電壓時 ’該活動區就像一個傳統之OCB裝置，而該穩定形態為一 H-形態。 在圖4該液晶層沒有施加電壓的結構中，該液晶材料的扭 轉的間距，同樣可選擇使得在該通孔區11中的厚度對間距 比值大於或等於0.25但是小於〇·75，使得在該通孔區的液晶 材料被偏移至一 1 80度扭轉形態。該通孔區因此作為一晶枝 過程區。 如以上所述，一液晶層的亮度在對掌性摻雜物增加時減 少，所以其較好是將該對掌性摻雜物的使用量最小化，依 據在該晶核過程區之d/p比值為（d/p)N 2 〇·25，以使在兮曰 -21 -

52〇461 A7 B7 五 發明説明（19 核過程區之該1 80度的扭轉形態穩定化。 旋錯1 2出現在該通孔區之1 8 〇度形態與該活動區間之邊 界。 圖5示有一較大電壓施加於液晶層上時圖4之液晶顯示裝 置。當應用一電壓大於以上所提及之門限電壓時，該V-形 態13從通孔區11成長至活動區1〇。該旋錯12從該通孔區與 該活動區間之邊界傳播開來，最後該V-形態在該活動區10 中為穩定的形態。為了將形態從該通孔區丨丨晶核過程至 該活動區1 0，原則上只要該施加電壓稍稍高於該門限電壓 就足夠了。然而，V-形態成長的速度在稍稍高於該門限電 壓的施加電壓下會非常慢，因此較好的方式是使用一個較 該門限電壓大許多的電壓，以降低該v_形態晶核過程至該 活動區10的時間。 一旦該V-形態已晶核過程至該活動區，該裝置可以操作 於一低電壓V-形態及一高電壓V-形態之間，參考圖2(：與213 所描述之傳統方法。 可以選擇該活動區1 〇的厚度dA、該通孔區i i的厚度^及 該液晶材料的扭轉的間距p，以滿足以下關係式要求的任 值： 〇 (d/p)A = dA/p < 〇·25 (1)及 0.25 < (d/p)N=dN/p < 0.75 -(2). 然而，如以上所說明，在該活動區之d/p較好為低，以最 小化對掌性摻雜物的量，並且改善該活動區的亮度。以— -22-

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線 520461 A7 B7 五、發明説明 範例來看，在該通孔區丨丨的該液晶層可以具有一個厚度為6 微米，且該液晶分子的間距為24微米，使得該比值dN/p二 0.25。如果在該像素活動區1〇的液晶層為3微米，則在該活 動區之該d/p比值為0.125。 為了說明清楚，本發明已於以上參考一液晶顯示裝置其 合併一活動區及一晶核過程區的方式來說明。然而，本發 月並不受限於此簡單的案例，而且一實際之顯示裝置，根 據本發明，通常將合併一個大數目之活動區，其每一個都 可以提供一晶核過程區。 圖6為一根據本發明之液晶顯示裝置的平視圖。我們可以 看到孩裝置含有複數個可獨立定址的活動區丨〇。該活動區 可以，舉例來說，由圖案化該反射電極7的方式來產生，使 ^提供複數個可獨立定址的電極，其每—個定義該液晶顯 丁裝置可獨1足址的區，或是像素。在每一個活動區1〇 中的該反射電極7提供有一通孔u，以使與一切換元件電連 接因此，圖6的蔹裝置為一反射、像素的活動矩陣液晶顯 丁裝置具有短暫之晶核過程時間。該裝置可以被使用做 為，例如一投影裝置，或是一個架設於投盔上之顯示裝置 本發明一進一步的好處為，如果應用於該活動區之上的 孩電壓降低至一值，使得該Η·形態變成穩定形態的話，則 心Η形慂^機晶核過程區成長為該活動區的速度將較一 傳j式之pi cell為悛。此現象在圖7中說明，其示範在溫度 為攝氏25度下’具有液晶層厚度為6·2微米之一 p“ceU中成 ___ -23- $張尺度㈣闕緖準~~——- 520461 A7 B7 五、發明説明（21 ) 長H-形態之一邊界的傳播速度。圖7有關液晶材料ZLI 6000-100，並示該邊界的速度的變化’在加入該對掌性摻 雜物CB 1 5時，該液晶材料d/p比值改變。 從圖7可以看到，增加該d/p比值會降低該H-形態之邊界 的傳播速度。因此，在圖4中裝置之活動區1〇中一 形態區 邊界的傳播速度d/p>0，將較傳統之具有d/p比值等於零 pi-cell中的傳播速度為慢。 本發明之進一步的具體實施例示於圖8與圖9，並且包含 一液晶顯示裝置其具有一含有一對掌性摻雜物之液晶層， 该捧雜物引發一扭轉，與在由該定位薄膜的磨擦方向所引 發之扭轉的相反方向。該一裝置揭示於1999年12月27日所 提出之聯合申請專利申請序號BH 1 1 371 963，其内容於此 以提及的方式併入本文中。 在圖8中所示之裝置為該反射單

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用做，舉例來說，一像素之液晶顯示。該裝置包含上與 基材1 ’ Γ。該上基材1在其内表面上載有一電極6及一定 層2，例如，包含一磨擦聚硫亞胺。 該下基材Γ在其内表面上載有一電極6，（雖然也可用一 分開電極及反射器，）。一定位層2，，例如使用與在上基和 上的定位層2—樣的型式，形成於下基材6，上。該等上與 基材卜卜及其所相關之層|，都以某距離分隔開，例 使用塾片球（圖未示），以定義，含有—液晶層3的細胞 该層3包含一對掌性液晶材料。其可 A 一 液晶材料，或其可以由-有對掌絲4對掌性 得雜物加入之向列型 -24-

五 、發明說明（22 A7 B7 晶所組成。 —如圖9所示，該偏極器4具有一線性偏極方向15。該上定 —層2具有一定位方向16，其相對該偏極器4的定位方向 有順時鐘方向角度Θ的朝向。該下定位層2,具有一定位 方向17，其為順時鐘方向角度+ 的朝向，使得該液晶層 “有一扭轉為順時鐘或是正方向角度小。 户涿加入向列型液晶層3的對掌性摻雜物對該裝置在反時 户方向或疋負方向具有一扭轉效應，如圖8所示。因此，如 果在〉夜晶層3的材料不由該等定位層2，2,束制住的話，其 將因j該對掌性摻雜物而順應一反時鐘方向的扭轉。然而 ’：等定位層2，2,在層3中的液晶材料上引發一正或是順 時鐘方向小於90度的扭轉φ。 如果在一 d/p值太小的液晶層3中加入太多的對掌性摻雜 物的話，該液晶層3材料的扭轉能量將會大於由等定位層2 ，2’所引發之扭轉形‘態，且該液晶層3的扭轉將從角度^變 成(Φ π)。，因為φ>0。可以加入之該對掌性摻雜物的量， 視該扭轉角度而定，並在該扭轉角度趨向9〇度時趨向於零 。該臨界之d/p比值（d/p)c的定義為： 7 id (3) P]e 2 jt 4 卜與第二固定之減速器20及21，置於該偏極器植 晶層3間的光學路徑上。在圖8中，該等減速器2〇、心於 琢基材1與該電極6之間，不致影響該裝置的操作電焊。/、 电然 -25- 本紙張尺度k用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱y 520461 A7 B7 五、發明説明（23 而，原則上可能可以將該等減速器20、21之一或是兩者置 於該電極6與該定位層2之間，如此的話，該裝置的操作電 壓會增加；或是將該等減速器20、21之一或是兩者置於該 偏極器4與該基材1之間，如此的話，該顯示器的接受角度 將會降低。 該減速器20具有一光學軸22與該偏極器4的偏光方向15 成角度α，而該減速器21具有一光學軸23與該偏光方向15 成角度β 〇 圖10示一如圖8與9中所示之顯示裝置的反射率 (reflectance)。一顯示器，其減速器20其慢光學軸與該偏極 器4的偏光方向15成15度角，且具有一減速Δη·(1 = 260亳微 米，得到圖1 0的結果。該第二減速器20其慢光學軸與偏光 方向15成75度角，且具有一減速Δη·(1==95毫微米。該液晶 層3具有一扭轉角度φ= 70度，且在該偏光方向15與該定位 層2間的磨擦方向所成的角度為θ= 40度。該液晶層的減速 為Δπ·(1 - 200¾微米。該液晶層的厚度為3微米。 如圖10所示，為得到大於該最小反射率之一特別反射率 所須的電壓，隨液晶層之d/p從0減少而降低。該最小之反 射率並沒有受到該d/p值變化多大的影響。 在該液晶層沒有受到該等定位層2，2’引發之預先傾斜時 ，在該液晶層的扭轉從角度φ。變成（φ - π)。，該摻雜物限制 由以上的表示式（3)來給定。如果該等定位層在與之鄰接之 液晶分子引發一個非零的預先傾斜，其（d/p)e的值增加。 本具體實施例有關一種液晶顯示裝置，其中所想要的操 -26- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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五、發明説明（24 90。，φ由該等定位層2，21 ，加入一引發與定位層所 作形態具有一扭轉角φ，〇 < φ < 的定位方向定義。從圖10可看出 引發又扭轉的相反方向扭轉的一對掌性摻雜物（即是，加入 一具有負信間跖夕耕堂放换此、 ，>/曰一』，，，— —

由一在零施加電壓下該φ。扭轉形態為穩定之晶核過程區所 提供的。在應用一高於門限值的電壓時，該φ。扭轉形態會 從該晶核過程區擴張至該活動區，並取代該活動區中 的（φ - π)。扭轉形態。 對一個φ = 70。而言，其厚度對間距比值的臨界值（d/p)c = -0.055。如果該液晶層在此限制上反摻雜，則該穩定扭轉 形態在沒有施加電壓時（φ - π)。= -11〇。。為了進入在一裝 置中具有扭轉度中之所想要的操作形態，其中該裝置中液 晶層疋以超越臨界值方式來反摻雜，則該φ。必須先要晶核 過私並且傳播入在零施加電壓時（φ —冗）。扭轉形態為穩定 的活動區内，以應用一大於門限電壓的電壓於該液晶層上 〇 根據本發明之一進一步之具體實施例，圖8與9所示範之 裝置具有一個晶核過程區用以晶核過程該φ扭轉形態。在該 晶核過程區之厚度對間距比值不同於該液晶層在該活動區 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 520461 A7 B7 五、發明説明（25 ) 之厚度對間距比值。然而，在此具體實施例中，在該晶核 過程區中之厚度對間距比值較在該活動區中液晶層之厚度 對間距比值小。在一裝置中，其活動區中液晶材料的間距 等於晶核過程區中液晶材料的間距，該晶核過程區與該活 動區在厚度對間距比值的變化，是使得該晶核過程區之液 晶層厚度小於該活動區之液晶層厚度而得。 在該晶核過程區液晶層厚度的降低，例如，可以加入小 型凸物（bumps)或是柱狀光敏聚合物以產生晶核過程區，厚 度比活動區的為低。選擇摻雜物的份量，使得該活動區的 d/p比值等於或是小於（及負得更多）該臨界值（負值），但是 大於在晶核過程區的臨界值。 如以上所說明之裝置，有dA = 3微米，在該晶核過程區中 的該等足位薄膜之一上，加入一些高度為2微米的表面起伏 (relief)。此將在液晶層產生一區其厚度僅為丨微米。選擇摻 雜的量，使其d/p值大於在晶核過程區之該臨界值_〇 〇55( 即-0.054或更高），使得一 d/p值等於厚度為3微米的液晶層 之d/p值的三倍。結果，在無電壓施加於該液晶層之上時， ^φ = 70°足扭轉形態在該晶核過程區為穩定，而該q

核過程區的φ = 70。之扭轉形態會傳播入該活動 區，並取代該（φ- π)。扭轉形態。

(d/p)c值的（d/p)值， 3核過程，以提供該晶核過程區一高於 由於該晶核過程區的厚度小於該活動區。

520461 A7 B7 五、發明説明（26 ) 本發明的進一步為應用至一反射式顯示裝置，其包含一 個微反射的結構（MRS)。一微反射結構由一平順之變化表 面起伏，其塗覆一層如鋁的反射材料。該表面起伏可以被 使用以提供該裝置晶核過程區。 舉例來說，由Sharp Corporation所生產的超級行動HR TFT反射LCD含有一 MRS，其提供在鄰接於該液晶層之裝置 後基材上。提供該MRS的效用，為致使該液晶層的厚度在 2.4微米與3.6微米間變化。為了提供一晶核過程區，該液晶 材料的d/p比值應被定為大於一液晶層厚度為2.4微米之 (d/p)c值（即比較不負）。此給與一 d/p的值約為正常厚度（3 微米）之液晶顯示器（d/p)c值的1.25倍。如以上所說明，當 一電壓施加於該液晶層φ = 70°之扭轉形態上時（其在晶核過 程區為穩定），則將會傳播至顯示裝置之活動區。 在以上所說明之具體實施例中，在該晶核過程區及該活 動區之厚度對間距比值的變化，是使在活動區的液晶層厚 度不同於該晶核過程區的液晶層厚度。在以上所說明之具 體實施例中，在該晶核過程區的液晶材料間距等於該活動 區的液晶材料間距。然而，本發明卻不受限於此，本發明 可能使該活動區的液晶材料間距不同於該晶枝過程區的液 晶材料間距。在本發明使在活動區的液晶層厚度與該晶核 過程區的液晶層厚度相同的具體實施例中，該液晶材料間 距的差異，使得在該活動區液晶層該厚度對間距比值與該 晶核過程區的液晶層厚度對間距比值不同。 圖11C示範一具有一常厚度的液晶層裝置，但是其中在一 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 520461 A7 B7 五、發明説明（27 ) 區域中之液晶層間距與其他液晶材料的間距不同。圖1工A 與1 1B示一製造該裝置的方法。 在一開始’一液晶層25佈置於上與下基材24與24,間。在 上基材24上的定位方向與在下基材24’上的定位方向平行。 該液晶層含有一液晶材料及一對掌性摻雜物。在圖丨i A 中，參考數字26表示液晶分子，而參考數字27表示該對掌 性摻雜物。選擇該對掌性掺雜物的量。使得該液晶材料的 厚度對間距的比值大於〇·25但是小於〇·75,使該液晶材料具 有一扭轉角度為180度。 八 在圖11Α至11C，該對掌性材料為一對掌性預聚合材料。 該對掌性預聚合材料具有一個特性，即是其可以交叉鍊接 ，在一適當波長之幅射下曝光之後，形成一個聚合物網路 ’條件是只要其有一適當之光敏材料。 在圖11B中，實行一個選擇之照射處理，在其中，該液晶 層的一區域被照射，而該液晶層另一區域卻沒有。=實= 的方式二舉個例子，可將該液晶層25經一適當之遮罩二： 射，使得該液晶層的那部分由該遮罩28來遮蓋，而' 照射。 、文到 在圖1 1B中之該選擇之照射處理產生該對 材料則選擇聚合，採取-種空間變化的方式= 預聚合物材料的任何分子擴散進入接受照射的區域就 聚^並且在該照明區中維持固定。結果，在該照明^ 之對掌性摻雜物的濃度變得高於未照明之區域。 圖UC示由圖11B中選擇照射處理所產生的裝置，並且其 本纸張尺度適财ϋ S家辟(CNS) -30- 520461 五、發明説明（28 可以相㈣晶層、被照射的 度(其應已被聚合化了)較在照射步… ^要㊣許多。該液晶層區域A中增加之對掌性摻雜二濃产 間距將比區撕的為低，使得在^ Α中的4度對間距比大於區域㈣。因此，如 :雜物引發—個扭轉，其與由該定位薄膜所引發的在同方 增加之厚度對間距的比之區域A將做為一晶 核過程區，而區域B為一活動區，與圖从中做為晶核過程 區之裝置中增加之厚度對間距比丨丨的方法一樣。 —一種適合用來製造本發明一液晶材料間距可變化之具體 貝施例中的對莩性預聚合物材料，為由basf所製造之可光 式聚合之diaCrylate材料LC589，其已被量測具有約為π μηΓ/之螺形扭轉能力。該具體實施例一適合之向列型液晶 材料，為由Merck所產生之液晶材料Ε7。一適合之感光啟 始（photo-mitiated)材料的例子為 ciba Speciality Chemicals Limited 所製之 lrgaCure 369。 在一具體實施例中，該等材料（E7: LC 5 89: IrgaCure 3 69) 以100 : 0·04 : 0.004的比例混合。此可提供一對掌性液晶混 合物’其間距為幾十個微米。此混合物可以用紫外線光選 擇照射來聚合。 在圖11Β中之照射步驟，該遮罩28實際擋住幅射，使得該 液晶層部分由該遮罩28所遮蓋的部分無法接收幅射。然而 ，原則上來說，該遮罩28並不須要完全擋住幅射，只要該 液晶層接收一個較該未遮蓋部分足夠低的幅射強度即可。 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 520461

原則上來銳，另一種方式是，該選擇照射處理可以用一 /、有低也、面之光束照射該液晶層，並將該光束掃瞄過所 想要照射的液晶層區。 在參考圖11Α至11 C所說明的方法中，該選擇照射處理產 生在孩硬晶層中該對掌性摻雜物濃度之空間變化，且此該 對掌性摻雜物〉農度《空間變化產生該液晶材料間距的變化 。在另一包含間距變化的液晶層產生的方法中，一對掌性 摻雜物其螺形扭轉能力可以用使用之照射做選擇性的改變 在此方法中，忒選擇之照射處理，在該液晶層之照射區 具有改變該對掌性摻雜物其螺形扭轉能力的效用。選擇照 射-含有該對掌性摻雜物之液晶層，將會在該對掌性接雜 物其螺形扭轉能力上產生一空間變化，且藉其產生該液晶 層之厚度對間距比值的空間變化。 -個對掌性摻雜物其螺形扭轉能力τ以用照射改變的例 子是一二芳基乙烷對掌性摻雜物，如T. Yamaguchi等在 Sendai，日本之第18屆國際液晶會議的摘要兄6頁中 的，Thoto switching of helical twisUng ρ〇·Γ 〇f & 咖如 diarylethane dopant in a chiral nematic liquid crystal"^ ^ 明的。 在以上所說明之該等具體實施例中，該活動區的厚度對 間距比值不同於孩晶核過程區的厚度對間距比值，其方式 為使在該活動區液晶層的厚度或是液晶材料的間距不同= 晶核過程區的。然而’原則上來說’在活動區及晶核過程 區的厚度及間距兩者都可以變化。

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520461 A7 B7五、發明説明（30 ) 在一具體實施例中，間距的變化是使用一對掌性摻雜物 其螺形扭轉能力可以用照射的方式選擇性地變換，該液晶 材料間距的空間變化是由照射的方式引發的，其空間變化 可以用一聚合物網路穩定化一給定方向配置的方式來穩定 化。該聚合物網路的聚合，可以使用與引發間距之變化相 同的照射步驟，或是需要一分開之照射步驟。 從一 pi-cell液晶裝置厚度改變的觀點來示範pi-cell晶核 過程，架設了一個試驗細胞，其包括一步階的厚度變化。 該試驗細胞利用該負值的光致抗蝕劑材料（SU-8， Microlithgraphy Chemical Corporation)。一層該光致抗姓劑 以1400 rpm的轉速被紡在一清潔的玻璃基材上25秒鐘，以 產生一相當均勾的3微米厚膜。該玻璃基材在之前已被覆蓋 一層均勻的透明導電材料銦錫氧化物（IT0)膜。該膜在攝氏 65度的溫度下烤上1分鐘，接著以攝氏95度的溫度再烤上1 分鐘，以驅除任何之溶劑。該膜接下來被交叉連接在一選 定的區域，經一適當的遮罩在紫外線光下曝光70秒。接著 第二次以攝氏5 0度的溫度下烤上1分鐘，接著以攝氏9 5度的 溫度再烤上2分鐘，該膜被浸入"EC"(Microlithgi:aphy Chemical Corporation)溶劑溶液60秒鐘，然後在清潔之EC 溶劑中清洗30秒鐘。該溶劑移除該SU8膜被遮罩遮蓋、不 被紫外線光曝光的部分，藉該紫外線光在該等部分重新曝 光該玻璃基材。最後，該3微米厚之交叉連接光致抗蝕劑步 階似的區域，在攝氏1 80度下固化1小時來硬化。 為了要查看行在一試驗細胞中液晶的行為，該基材一旦 -33-

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k 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 520461 A7 _________B7 五、發明説明（31 ) ^ — 如以上所述準備好，覆蓋一層定位材料（SE7792，犯“⑽ Chemicals)。該定位材料溶化在一溶劑中，並以2〇〇〇印爪 的轉速旋轉25秒鐘，以產生一約為5〇毫微米厚的薄膜。一 第二清潔、均勻、1丁0塗層的玻璃板也已用這定位材料塗覆 。兩板（該均勻板及該具有圖案化、步階似的SU8區域的板） 在攝氏1 80度下烤2小時以固化該定位層。一旦冷卻後，兩 基材都以一柔軟的布料單一方向地磨擦，以定義一液晶的 足位方向。茲等基材接著以定位方向平行的方式組合（以產 生pi-cell)並被分開1〇微米，使用膠沿著該等基材的周邊佈 置玻璃墊片珠子。最後在基材間的間隙以市面上可買到的 E7(Merck)材料填充。基材間的間隙（即該液晶層的厚度）為 10微米，除了在3微米高SU8光致抗蝕劑所在之處，該層厚 度被降低至7微米。該液晶E7已以市面上可買到的摻雜物材 料RlOll(Merck)摻雜，以產生間距在範圍28微米<p<4〇微米 。結果，該等細胞在該液晶層為1〇微米之處具有一d/p值為 〇.3 5 7>(14>〇.25的區域，藉其在0伏特時穩定化一;18〇度的扭 轉區域。做為比較之故，該等區域其細胞厚度為7微米處， 具有〇.25>d/p>〇.i75，並且該穩定〇伏特形態為該斜面（或是 H)^/ d °根據本發明’當電壓施加在該完成之上時 ’由實驗上觀察到，該穩定化之扭轉較厚的區域做為提供 於該斜面形態較薄的邊界處晶核過程。 一根據本發明之丁F丁液晶板將-於此詳細說明。在此案例 中，較好是一晶核過程區快速地過渡至一 V-形態（彎曲形態 )’使得一顯示區的H_形態被提供以從該H•形態過渡至該v_ -34 - 520461 A7

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五、發明説明（33 ) 至该源電極114，並之後該閘電極113連續地㈣，以將信 虓甘寫入每一個像素中；或是—信號首先傳送至閘電極⑴ ’其因（開啟’然後該信號藉該源電極114寫人每_像素中 。使用該間電極113，複數個TFT117於—場週期中連續地 開啟。-電壓實際應用於mU3的時間，约等於择猫 -場再除以垂直的掃瞒線數的時間。對_源電極ιΐ4而士， 一電壓施加的時間為一橫向播A " 電極"4上的電壓具有二 的電壓對應一信號電壓。例如心:用'孩源電極114 j如在孩彎曲形態的案例中， 伏特的電壓施加於每一像素附近之 寺間，大約為一場掃瞄時間(顯示的時間）。 在另一例子中，操作該液晶層 瞒-場除以在-面板中像辛數目；^時間’大約寺於掃 間)。因此，將一信號窝入—像？(像素顯-時 示時間相比短許多。因此必須保、用馬…茨-像素顯 ΓΗ間’約足夠讓該液晶層操作甚至在該 =。：，一儲存電容116提供於該tft基材之 持：，一像素的電壓’甚至到該tft m關閉之i:准 如同琢源電極114與該閘電極丨13 、、 用以保持-施加電壓，直到下_ = ㈣存電容116 當-電壓施加於該像素時，_電壓.A ’ 像素為止。 。在-電壓施加於該像素電極的期間，該、液〜儲存:广1^ 段時間。在該時間電壓較 是二- ，-非顯示區(晶核過程區)。因此， -36 - 本纸張尺度翻t目國家標準(CNi^格(細X2^W) 520461 A7 —_______ B7 五、發明説明（34 ) 區提供在該儲存電容116的附近，對得到該彎曲形態來說是 有用的。 因為一電壓間歇地應用於該源電極114及該閘電極113上 ’較好是提供晶核過程區於該源電極U4及該閘電極U3的 附近。更好的是，除了該源電極丨丨4及該閘電極丨丨3之外， 提供一晶核過程區在該儲存電容丨丨6附近。 圖13A至13C為俯視示意圖，示範在該TFT液晶面板中的 晶棱過程區。在圖13A至13C中所示的晶核過程區將與圖12 比較之後說明如下。 圖13 A示一像素開口 111、一擋光部分120(黑色矩陣，其 為一非顯示區）、及一程核區121(僅提供於該儲存電容n6 所在的區域）位置的關係。如以上所說明，該儲存電容n 6 有效地作用為晶核過程區121。當沒有提供足夠的區域，而 整個的像素不能被傳送至該V-形態時，因此可以提供一晶 核過程區於一與該源電極114或是該閘電極U3對應之區域 中。 圖13B示一晶核過程區122對應提供該源電極114之區，以 及一晶核過程區121對應提供該儲存電容116之區。 圖13C示一晶核過程區123對應提供該閘源電極1 13之區 ，以及一晶核過程區121對應提供該儲存電容116之區。 如以上所說明，可以提供一晶核過程區於該閘源電極丨i 3 、該源電極114或是該儲存電容1丨6附近，或是以上三者的 組合區附近。 圖14為一根據本發明之高口徑比TFT液晶面板1400的俯 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 520461 A7 B7 五、發明説明（3^ 視圖 圖14之该向口徑比TF 丁液晶面板1400的結構與在日 本公開專利的出版物序號9-152625中所描述的類似。 一對應一像素的顯示部分之像素電極132，由一源電極 133及一閘電極135所包圍。雖然該高口徑比TFT液晶面板 1400包括複數個像素，圖μ只示一個像素。該像素電極 為一透明電極（如以銦錫氧化物IT〇所製）。—TFT 131提供 、4源遠極13 3及该閘電極13 5間的X會處。一错存電容13 4 提供於兩個源電極133、於該像素電極Π2之間。該儲存電 容134補助該像素電極Π2之電容的不足。一透明之電極136 從孩TFT 131之汲極電極137延伸至該儲存電容134,在其上 該透明電極136接觸該像素電極132。 圖1 5為遺咼口徑比TFT液晶面板1400的橫剖面，取自圖 14中線A-A’的方向。一液晶層147提供於一 TFT基材148與 一反基材149間。並有一樹脂平面化層141，使得以覆蓋一 源電極133(圖14)、一閘電極135、及一丁FT 131(圖14)。一 像素電極132提供於該樹脂平面化層141上。連接至一汲極 包極137(圖14)的一透明電極136，經由該儲存電容134及一 介層絕緣薄膜145產生一辅助電容，並在一接觸孔144連接 至該像素電極132。 在該結構中，該樹脂平面化層14 1提供於該TFT 13 1 (圖 14)，使得鄰接之區域可以與彼此盡可能接近，而無須考慮 孩源電極133及該閘電極135。因此’可以得到一高口徑比。 在以上結構之高口徑比TFT液晶面板14〇〇中，在一像素 電極132與一鄰接像素電極132的間隙非常小，只有幾個微 -38- 本紙張尺度適财S @家標準(CNS) A4規格(伽χ 297公爱) 520461 A7 B7 五、發明説明（36 米或疋更小。因此，在每一個像素間無法提供一晶核過程 區。 ;·二而在居結構中’該樹脂平面化層14 1從一儲存電容13 4 接觸該像素電極132的區域内被移除，而該接觸孔丨44提供 於該區域中。如圖15所示，該液晶層147在該接觸孔144的 厚度事先就設定一值，其可滿足一晶核過程區之d/p的條件 。薇儲存電容134為一非透射電極，由多層妲（Ta)及鈦（Ti) ’或是多層叙、鈦及鋁，或是類似之金屬所製成。因此， 該儲存電極134擋住光，使其不能穿過在該接觸孔144中之 晶核過程區。因此，該晶核過程區並不影響顯示。當一電 壓訑加於該像素電極132上時，一電壓也應用於該儲存電容 134上。在此狀況下，當該晶核過程區過渡至該V-形態時， 一對應該像素電極之區域從H-形態過渡至該V-形態。 儲存電極134的寬度通常設計為一像素縱方向的幾個百 为比至2 0個百分比（即與該源電極1 3 3平行的方向）。在此狀 況中’就可確保一足夠晶核過程區。如以上所描述，甚至 於在當沒有提供一晶核過程區在每一像素間，在該儲存電 容134處有一區可以被使用做有效晶核過程區。 圖16A與16B示一範例液晶顯示裝置，包括一 180度扭轉 區及一斜面區，以促進過渡至該V-形態。圖16A示，在缺 乏施加電壓時在一活動區2 10的該液晶分子在H-形態，在一 晶核過程區220之液晶分子在180度的扭轉形態。圖16B示該 活動區2 1 0的橫剖面。 在圖16A與16B中之液晶顯示裝置中，一液晶層205提供 -39 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520461 A7 B7 五、發明説明（37 ) 於上基材201a與一下基材201b間。一透明電極202a提供於 該上基材20 la上，而定位層203 a位於該透明電極202a上。 在該活動區210中，一步階材料204提供於該下基材201b上 ，使得在活動區210與晶核過程區220之間，有一個位準的 差異d)。提供一透明電極202b，以覆蓋在該活動區2 10與該 晶核過程區220中之該步階材料204。提供一定位薄膜203b 於該透明電極202b上。在此狀況下，一液晶層205的厚度為 d2，該晶核過程區202的寬度為W。 如圖16B所示，在上基材20 la上之該定位薄膜203 a及在下 基材201b上之該定位薄膜203b受制於一定位處理，使得該 等定位薄膜203a與203b分別具有傾斜角01及02。該定位處 理可以以磨擦、紫外線照射、傾斜沉積如氧化矽（SiO)，或 是類似等得方法進行。在此案中，做為一個範例，磨擦進 行的方向由圖16B中的箭頭指示。維持相對於該等定位薄膜 203a與203b的傾斜角θ!&θ2是很重要的，而定位的一個方 向可以隨意選擇。該液晶層205在該活動區210的一傾斜角 ，可以約等於該液晶層205在該晶核過程區220的一傾斜角 ，每一個傾斜角由上基材201 a(或是定位薄膜203a)及該液晶 層205來決定。類似地，該液晶層205在該活動區210的一傾 斜角，可以約等於該液晶層205在該晶核過程區220的一傾 斜角，每一個傾斜角由下基材20 lb(或是定位薄膜203b)及 該液晶層205來決定。當以上所述之兩案例其中之一可以滿 足，該整個上或是下基材201a，20 lb可以也受制於相同的 定位處理，藉其降低製造成本。 -40- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

線 520461 A7 B7 五、發明説明（38 ) 當一電壓施加於該液晶顯示裝置上時，該活動區2丨〇從一 斜面形態（H-形態）過渡至一彎曲形態(形態）。從一鄰接在 180度扭轉形態的該晶核過程區22〇的區域開始。使用為一 顯示區的该活動區2 10，在施加電壓下必須要過渡至一彎曲 形態。因此，高過渡速度較佳。 如圖1 6B中所π，該液晶材料的摻雜之對掌性濃度、該液 晶層205的厚度L、及該位準差異di，在該18〇度扭轉形態 及該形態在-開始的定位、共同存在上扮演重要的角色 。如以上所說明，在180度扭轉形態區中（di + d2)/p〉〇.25， 在該斜面形態區中cb/pc 0.25，必須要滿足，間距p在液晶 材料於摻雜之後為負值。本發明者等人研究該18〇度扭轉形 態及該H-形態在CN(膽固醇N〇nah〇ate)為一對掌性摻雜物 及一以勞光為主之液晶ZLI-4792使用之共同存在。 圖17為一圖示在共同存在區中相對該位準差異小及與 (di + dj/p的關係。在此案例中，該定位薄膜的傾斜角大約 是4度。（di + dj/p可以用調整該對掌性濃度來修正。如圖17 所示，需要一臨界位準差異山使該沁形態及該18〇度扭轉形 態穩定共同存在。較佳的方式是最小化該位準差異旬做為 實施製造的目的。當對掌性濃度為高時，若是該液晶顯示 裝置具有一個正常、白色模式，則在白色形態的傳送為低 。為得到可以滿足的電壓_傳送特性，較好使用較低之對掌 性濃度。考量以上所述，（di + d2)/p較好是〇·25或更高及等於 或低於0.75，且該位準差異dl較好是〇·4微米或高些。更佳 的是’+ 約為〇·28，且該位準差異山是16微米。 -41 - 本纸張尺度適财@ @家標準(CNS) Μ規格(⑽χ撕公爱） 裝 訂 520461 A7 B7 五、發明説明（39 ) 當該等傾斜角Θ!及θ2為高時，如圖22所示，雖然滿足 (di + dj/p < 〇·25，仍然有一範圍該180度扭轉形態及該Η-形 態可以共存。在此時，然而，穩定的傾斜角被選擇。 進一步，該180度扭轉形態及該H-形態的共同存在，是與 圖16A中所示之寬度w相關。特定地說，當在該180度扭轉 形態一區域的宽度W小的話，雖然（^ + (12)/ρ是0.25或更高及 等或低於0.75，且該位準差異1是0.4微米或更高，但是該 180度形態及該Η-形態可能並不能共存。圖18示該共同存在 的有與無，視在〇1 + (12)/? = 〇.2 8，且該位準差異(11 = 1.6微米 處的該W值而定。結果，該共同存在需要寬度w為1〇微米 或更高，較好是20微米或更高些。 當本發明應用於一透射液晶顯示裝置時，在該180度扭轉 形態之區域（即晶核過程區）被擋住，使不能讓光通過，其 提昇過渡至V-形態。因此，該晶核過程區不做為顯示區。 該液晶層在該活動區與該晶核過程區具有不同厚度，其因 此具有不同程度的減速度。因此，在該180度扭轉形態之區 域（即該晶核過程區）為一非顯示區。然而，在彎曲形態及 180度扭轉的兩區可以做為顯示區。該180度扭轉形態在顯 示區的部分是隨意決定的。以下將說明一個根據本發明做 為示範用之透射及反射型液晶顯示面板。 在一建議之透射及反射型液晶顯示面板中，於一像素内 有一反射區及一透射顯示區。該面板示於圖19中。在圖19 之面板中，一液晶層205在一像素中包括具有不同厚度的區 域。该等不同的厚度是由一步階（如一通孔）所引起的。一 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） "^--

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520461 A7 B7 五 、發明説明（4〇 )

反射電極206提供於一具有較小厚度的區域上，該區域為一 反射區。具有一較大厚度的區域是透射區。以此結構，當 環境為黑暗時，使用背照光（backlighting)以允許該裝置做 為一透射液晶顯示裝置的功能。也就是說，當環境亮的時 後’居裝置可以顯TF而無須背照光’並可做為一反射液晶 顯示裝置。 圖20為此該液晶層之較大厚度&為6微米且該位準差異 1為3微米之範例裝置的俯視圖。在一實驗中，每一個像素 具長度Hp =300微米，且寬度Wp =100微米，且該180度扭轉 形態（T-形態）區具有長度ht=150微米，而該H-形態區長度 為Hs =150微米。在此例中，該裝置具有令人滿意的顯示特 性。請注意，如果以上所有的條件都符合的話，像素的大 小與位準差異的大小為隨意選擇。 接下來’一透射液晶顯示裝置，其中該1 8〇度扭轉形態區 及H-形態區兩者都使用做顯示區，將說明如下。在此案例 中，該液晶層的減速度由調整該液晶層的厚度來做修正。 在一雙折射模式，其使用彎曲形態做顯示，當一黑色形綠 顯示於一施加電壓時，使用一光學補償板，於其中應用二 最大電壓以顯示一黑色形態。換句話說，黑色的顯示是使 用一減速器，其具有一減速度，來在有最大施加電壓時補 償該液晶。 然而，在該模式中，當施加電壓大於黑色顯示的一最佳 電壓，而同時一施加電壓低於該最佳電壓兩者都存在時， 對比降低。一般來說，得到之所想要的對比（或是更高’）的 -43- 520461 A7 B7

五、發明説明 一電壓範圍稱為黑色顯示邊際（黑暗電壓可允許的寬度。通 常’該雙折射模式具有狹窄的邊際。 在此狀況下，如果該18〇度扭轉形態區及該H_形態區共存 ，該邊際可以大些。圖2〇為俯視示意圖，示範在一像素中 的該180度扭轉形態區及該形態區。在圖2〇中，Hs/仏為 該1 8 0度扭轉形態區對該像素的比例。圖2丨為一圖示一黑暗 電壓邊際，其滿足一對比為2〇〇 : 是更高，且Hs/Hp比例 為該180度扭轉形態區對該像素的比例。 該黑暗電壓邊際與該位準差異dl有關。該黑暗電壓邊際 可以增加約0.1伏特，當dl = 1.〇微米且Hs/hp比例為百分之50 ，或是當（^ = 0.5微米且hs/Hp比例為百分之20或更高。 因此’該黑暗電壓邊際可以增加，而該丨80度扭轉形態區 及該H-形態區共存。因此，雖然該18〇度扭轉形態區提供在 一顯示區中’由於電壓變化所產生之對比的變化可以被抑 制。進一步來說，可以提供該步驟使其不僅於該H_形態中 改變該黑暗電壓邊際，也使得可以產生一丁-形態區。因此 ，兩區都可以使用為顯示區。 本發明之液晶顯示裝置包括一對掌性液晶材料的液晶層 ，佈置在第一與第二基材間。該液晶層之活動區具有一厚 度對間距比值（d/p)A。該液晶層同時還包括一晶核過程區， 其具有一厚度對間距比值（d/p)N而非（d/p)A。由於在該活動 區與該晶核過程區間厚度對間距比值的差異，於零或是低 電壓時，該液晶層在該活動區之一穩定形態與該晶核過程 區之一穩定形態不同。 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520461 A7 B7 五 發明説明（42 ) 在本發明之一具體實施例中，該晶核過程區的厚度對間 距比值大於在該活動區之厚度對間距比值。該具體實施例 的達成是以一反射液晶顯示裝置，其中提供一通孔為一晶 核過程區。 本發明之液晶顯示裝置可以無須一高位準的施加電壓來 操作。 對熟知此項技藝之人士而言，其他不同的修正可以隨時 變化，而不脫離本發明之範疇與精神。因此，所提供之申 請專利範圍並不限制於所提出之說明，而是申請專利範圍 廣義的解釋。 -45- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 520461

   •如申請專利範圍第3項之裝置，其中在第二液晶區中液晶 層厚度d對液晶材料間距p的比值（d/p)N大於在第一液曰^ 區中液晶層厚度d對液晶材料間距p的比值（d/p)A，及 其中該第一液晶形態為一 〇度扭轉角，而該第二液晶形態 為一 180度扭轉角。 6·如申請專利範圍第5項之裝置，其中該〇度扭轉角形態為 一 H-形態。 7·如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中在第一基材 上一定位方向平行於在第二基材上一定位方向，並1選 取在液晶層之第一與第二液晶區中液晶層厚度d對液晶 材料間距？的比值，使得（d/p)A<〇25及〇 25qd/p)M〇乃。 8·=申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中在液晶層之 第一液晶區中液晶層厚度d對液晶材料間距p的比值，滿 足關係式（d/p)A<〇.i25。 .如申#專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中在液晶層之 第一液晶區中液晶層厚度4對液晶材料間距p的比值，滿 足關係式（d/p)A<〇.l。 10·如申請專利範圍第之裝置，其中該裝置為一表面模式 液晶顯示裝置。 11·如申請專利範圍第10項之裝置，其中該裝置為一pi-cell。 12·如申請專利範圍第丨i項之裝置，其中在該活動區中所想 要的液晶形態為一 V-形態。 13·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該裝置為一反射式液 晶顯示裝置。 ____ -47- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210X297公爱)

   訂 •線 520461 申請專利範圍

   14·如申請專利範圍第1 3項之裝置，其中 該第二液 置於一通孔 15·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該裝置為一透射及反 射式液晶顯示裝置。 16·如申睛專利範圍第15項之裝置，其中該第二區提供在該 透射及反射式液晶顯示裝置一透射區中。 Π.如申請專利範圍第丨5項之裝置，其中該晶核過程區及該 活動區提供於該透射及反射式液晶顯示裝置一顯示區中。 18·如申請專利範圍第}項之裝置，其中在該液晶層中的第二 區的液晶層扭轉為非零，並與該等液晶分子的自然扭轉 相反，且在孩液晶層第二區中的厚度d與液晶分子的間距 p之比值（d/p)N小於該液晶層在第一區中的厚度d與在該 液晶層液晶分子間距P之比值（d/p)A。 19.如申請專利範圍第18項之裝置，其中在該第一基材上的 一定位方向可以與在該第二基材上的一定位 角，且在該液晶層第一區及第二區的該等液晶層厚度4 與液晶分子間距p的比值可以被選取，使得： 又 \PJa(£ 2jt 4 ;且 2jv 4 20·如申請專利範圍第1項之裝置，其中方 、、 Τ在罘一硬晶層區中 液晶材料的間距Pa不等於在第二潘曰溫@ + 咬日曰層區中的液晶材 -48 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）

   520461 A8 B8 C8

   的間距pN。 m範圍第1項之裝置，其中在液晶層第-區中的 ”π λ於在液晶層第-區中的液晶層厚度— 圍第1項之液晶顯示裝置，其中該電壓施加 =將該電壓施加過該等第-與第二區。 23.=::專利範圍第22項之液晶顯示裝置，其中該第一區 包圍罘二區。 24. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中錄 裝置的安排是不將該電壓施加橫過該第二區。 25. 如申請專利範圍第24項之液晶顯示裝置’其中該第二區 佈置於一像素與像素間的間隙。 26·如申#專利範圍第!項之液晶顯示裝置，其中一電壓施加 於該晶核過程區的時間約等電壓施加於該液晶顯示 裝置之一顯示區的時間。 27·如申凊專利範圍第丨項之液晶顯示裝置，尚包含一輔助電 容電極，其中該晶核過程區位於該輔助電容電極附近。⑨ 28· —種液晶顯示裝置，包含··一液晶層置於第一與第二基 材間；及用以施加一電壓於該液晶層上的裝置·， 其中該液晶層包括一具有第一厚度的第一區，及一具 有第二厚度的第二區與第一區鄰接， 在第一區中該液晶層一第一形態與在第二區中該液晶 層一第一形態共存於一預先決定之狀況下，及 該第一形態與該第二形態形勢相異。 29·如申請專利範圍第28項之液晶顯示裝置，其中該預先決 __ -49- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) --

   訂 •線 520461 六、申請專利範圍 A B c D

   足之狀況為沒有應用一電壓橫過該液晶屉 30·如申請專利範圍第28項之液晶顯示裳ζ曰。 態為Η-形態而該第二形態為丁，態。，其中該第-形 31.如申請專利範圍第28項之液晶顯示 的-傾斜角由該液晶層與該第—基材^其中該液晶? 一區中該液晶層的一傾斜角約等於m我且其中在第 一傾斜角。 “寺於卑二區中該液晶層的 32·如申請專利範圍第28項之液晶顯示裝置·，其中該第一形 悲及该弟二形態，在有一電壓施加於該液晶層時，為V-形態。 -50- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)