TW507322B - Method for forming dual damascene structure - Google Patents

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507322 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 發明背景 本發明有關半導體結構及形成該結構之方法，尤其有關 具有其内形成之雙鑲嵌凹壁之結構。 如本技藝已知，於半導體結構中形成相互連接之一方法 爲所謂之雙鑲嵌製程。雙鑲嵌製程先沉積介電層一般爲氧 化物層，處理於單晶體例如矽中形成之電路。氧化物層蚀 刻形成壤溝’其具有相當於電路元件相互連接作用之穿孔 及金屬線圖形之圖形。穿孔於氧化物中微開口，通過該開 口使不同層結構相互電連接，及金屬線圖形由氧化物中之 壕溝界定。接著沉積金屬填滿氧化物層中之開口。隨後， 拋光移除過量金屬。若需要重複該製程數次形成所需相互 連接。因此雙鑲嵌結構在介電層上端部分具有壕溝及在壤 溝底部終止有穿孔且穿過介電層之下端部分。該結構在壤 溝底部與穿孔側壁之間於壕溝底部具有梯級。 雙鑲嵌金屬化方法目前有兩種。標準方法中，亦即”先形 成穿孔之方法中’在壤溝形成前，先於氧化物層中蚀刻穿 孔。兩種開口（亦即穿孔及壕溝）一般使用各向異性或乾蚀 刻如反應性離子蝕刻（RIE)形成。此順序之優點爲隨後之壕 溝RIE在壕溝/穿孔界面產生氧化物圍欄。該等圍攔具有垂 直艢垣之形狀。該圍攔形成係由於使用利用聚合氧化物壕 溝蚀刻之以深紫外光（DUV)使壕溝微影姓刻所需之抗反射 塗層（ARC)之故。該ARC爲控制因先前加工之地形所引起之 反射性變異性所必須者。避免底下薄膜因RIE侵襲時亦需要 該ARC。由於壕溝微影蝕刻步驟期間，該ARC及光阻劑聚 -4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） --------Φ裝—丨 (請先閲讀背面之注意事嘎再填寫本頁> -、11 507322 A7 B7 五、發明説明（2 ) θ物黏附至穿孔開口之底部，因此該等聚合物在壕溝形成 步驟中氧化物蝕刻期間係作爲掩模，若氧化物蝕刻對ARc 太f有選擇性則產生圍栅。亦可使用對聚合物反應性較低 之氧化物蝕刻製程，但此將引起嚴重之尺寸（C D )損失。圍 栅不易被奴後之金屬化層覆蓋，其引起襯裡及金屬填入不 安足性之問題。因此，圍栅經常於藉"先形成穿孔"之方法 製造之雙鑲嵌金屬化中負責產生降解。更特定而言，由於 ^電移動使園栅降低可靠性，而使早期金屬線失效。此 私考夕動係由金屬未芫全覆蓋該圍柵所引起，因此產生金屬 破衣藉化學瘵鍍（CVD)法沉積金屬可避免該等破裂。然 而’由於邛貝 <拖尾而使後者較不被期望。至於光阻劑之 替代物’可使用硬掩模微影蚀刻/㈣界定壕溝以避免圍挪 形成。此爲較複雜之製程且具有本身尚未解決之挑戰。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 * I 111 ............I 1 --------1 —1............1 I—-S---= ------=:« ---------111 4衣雪 —i I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 、11 第二處理方法，亦即”先形成壤溝,,方法中，壞溝在穿孔 1前形成。此處，穿孔微影㈣爲主要之挑戰，因爲穿孔 員印刷人壕溝地形中之故。自壕溝側壁反射使其難以猜 確界足琢穿孔。又，壕溝使其難以在紙及光阻劑上均勾 旋轉。此阻劑厚度隨壕溝地形而變。因此，穿孔之微影蚀 刻界足係以非均勻光阻劑厚度進行，導致非常小之製程窗 口。就使阻劑最佳平坦化而言，需要白色空間填料。白色 空間填料爲假結構其唯-目的爲避免光阻劑因裝 間刮擦而變更薄因此改善光阻劑厚度均勾性。白色空間填 =缺點A降低裝置形成所需之實質資產，因而產生設計 •5-

507322 A7 B7 五、發明説明（3 ) 再者，”先形成壕溝"之方法中，ARC不易以標準微影蝕 刻流程用於穿孔界定。由於ARC在壕溝角落提供非順應性 覆蓋，因此穿孔蚀刻期間需要高阻劑選擇性。未獲得高阻 劑選擇性導致嚴重尺寸（CD)損失及裝置失效。對滿意地印 刷-0.5 Tm以下之穿孔而無ARC而言，需要以先進之DUV步 進器使用DUV技術。此步進器實例爲市售之微掃描機 (Micrascan) 111(由聖荷西 CA95110，Silicon Valley 集團製造） 。然而依此程序，穿孔微影蝕刻之製程窗口以DUV參數表 示變得極窄。阻劑厚度隨壕溝地形而異。因此，通過任何 晶圓，存在有最適焦點/曝露條件之範圍。由於僅可選擇一 種條件，產生極小製程窗口，因使穿孔曝露成功所需之焦 點範圍小於製造製程所允許之範圍之故。再者，對達成小 於250奈米之穿孔之延伸性並不確定，因爲即使以先進步進 器工具，由於壕溝地形所提出之挑戰，穿孔微影蝕刻之性 能將受特件凹口或壕溝浮渣威脅。 發明概述 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明，提供一種於材料層中形成梯級（step)之方法 。該方法包含在基材上形成層，於該層邵份表面中形成孔 穴，孔穴可爲穿孔或壕溝，所形成之孔穴填入填料材料以 於基材上提供實質平坦之表面。該填料材料具有抗反射性 質且因此可用於在光阻劑塗佈前需要抗反射塗層之該等微 影蝕刻製程。於基材實質平坦表面上形成光阻劑層，於以 所形成之孔穴註記處於光阻劑層中形成通孔，通孔曝露出 部分之填料材料，曝露部分之填料材料與層相鄰部分一起 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^/322五、發明説明（4 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 移除而於刻紋中形成梯級。該梯級具有實質上垂直層表面 〈…刀及@貝上平行於層表面之部分。實質上平行層表面 心邵分終止於孔穴侧壁。 本發明-具體例中，於材料層中形成壕溝而穿孔通過該 f。此穿孔位於壕溝下表面部分。該方法包含在基材上形 成層。於層表面部分形成第—開口。第一開口填入填料 枓。於填料材料上形成光阻劑層，填滿該第—開口及層表 =相鄰部分。於以所形成之第—開口註記處之光心層 中形成通孔。通孔曝露出部分之填料材料。曝露部 料材料與層相鄰部分_起移除而形成第二開口。 一具體例中，第一開口爲壕溝及第二開口爲穿孔，及於 另-具體例中，第一開口爲穿孔及第二開口爲壕溝。' 依據本發明另一具體例，作4J3 Tif 種於材料層中形成壕 溝而牙孔通過琢層之方法"匕穿孔位於壕溝下表面部分。 孩万法包含在基材上形成層。於層表面部分形成穿孔。所 形成之穿孔填人填料材料。料料材料及層表面相㈣分 上形成先阻劑層。於以所形成之穿孔註記處之光阻劑層中 形成通孔。通孔曝露出部分之填料材料。曝露部分之： 材料與層相鄰部分一起移除而形成壕溝。 、 2本發明又-具體例，係提供—種料料層中形成壤 溝而牙孔通過該層之方法’此穿孔位於壕溝下表面部分。 及万法包含在基材上形成層。於層表面部分形成壕溝 形成（壞溝填人填料材I於㈣材料及層表面相鄰部分 上形成絲劑層。於以所形成之壕溝柱記處之光阻劑層中 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) M規格（21Qx297公餐 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝_ 、^1 «線 507322 A7 B7 五、發明説明（5 ) 形成通孔，通孔曝露出部分之填料材料。曝露部分之填料 材料與層相鄰部分一起移除而在壕溝下表面部份中形成壕 溝。 此製程可使DUV微影蚀刻獲得更寬之製程窗口，甚至在 習知之DUV步進器中，藉曝露之穿孔使焦點/曝露窗口擴展 至地形中。此製程可擴展至<0.25 Tm。此製程需要對標準 聚合物蚀刻製程具高選擇性之DUV阻劑，如ARC RIE或阻劑 凹壁。目前該等性質由各種多層系統提供，包含CARL(由 德國 Siemens AG，Munich發展，由德國 Wiesbaden之 Clariant GmbH，AZ電子材料公司提供）及ERIS雙層系統（由Sunnyvale， CA之JSR微電子公司製造）。該等DUV雙層阻劑系統具有甲 基丙烯酸矽頂層及酚醛爲主之平坦底層聚合物。因此預期 阻劑頂層/底層聚合物之蚀刻選擇性與多晶矽/聚合物相當。 例如，使用後述之02或S02化學品可獲得>20:1之選擇性。 再者，使用Siemens CARL阻劑，可消除使用ARC之必要 ，因CARL阻劑具有抗反射性質。使用此填料材料比習知 ARC厚度一般限制於1000 △之微影蝕刻提供更佳優點，因 爲無法使材料旋轉成更大厚度之故。因此，習知ARC材料 無法提供適當之平坦化。因而，第一 CARL阻劑層比平坦化 及抗反射提供更佳優點。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖示簡單説明 圖1爲製程早期階段半導體結構之剖視圖； 圖2至1 0爲圖1半導體結構在隨後依據本發明具體例製造 階段之剖視圖；及 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐) A7 B7 五、發明説明（6 圖11至18爲圖1半導體結構在隨後依據本發明另一且蝴 例製造階段之剖視圖。 八 較佳具體例説明 先形成壕溝之方法 、參考圖矽基材8上設有氧化物層10。依據鑲嵌製程， 依據本技藝悉知方法於氧化物層1G上沉積金屬層12如銅層 。移除部分金屬層12以界定相互連接線。於基材上沉積^ 化矽（SisN4)層14，包含在氧化物1〇及金屬12上，以作爲隨 後加工之蝕刻梯級及用以保護金屬〗2免於氧化。依據本技 藝悉知方法，在氮化物14上沉積層間介電層16。例如介電 層16可爲藉CVD沉積之二氧化矽層。視用途而定，此層二 可爲如1.0 Tm厚。 參考圖2，光阻劑層183及18|}旋塗於介電層1δ上。光阻 劑層18a及18b爲例如標準深UV阻劑系統，而arc^ aR3( 由 Marlborough，ΜΑ 之 Shipley 製造）或 DUV30(R〇lla，MO 之 Brewer科子么司製造）及光阻劑如jsr阻劑（由sunnyvaie，ca 之JSR微電子公司製造）。於光阻劑1 8 a及丨8 b中形成通孔 20，曝露出介電層16之部分22。 參考圖3，於介電層16之部分22中形成具下表面部分25 之壕溝2 4。壕溝2 4爲例如使用Applied Material MXP系統（ 聖卡羅C A之Applied Material公司製造）或Lam XL系統 (Fremont，CA之Lam研究公司製造）以乾蝕刻形成者。可使用 由蝕刻儀器製造商提供之標準製程。壕溝24之深度01爲 0.4 Tm 〇 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 507322 A7 B7 __ 五、發明説明（7 ) 參考圖4，形成壕溝2 4後，移除光阻劑1 8 a及1 8 b。此可 藉於剝除機如ASPEN ICP(謗發性耦合電漿）或性能增強平台 (PEP)系統（分別由Fremont，CA之Mattson技術公司及聖荷西 CA之Gasonics製造）中，乾剝除光阻劑18a及18b而達成。 壕溝24爲層16中之孔穴，在層16相鄰部分16a及16b側邊。 參考圖5，填料材料26旋塗於層間介電層16上，填入壕 溝24。填料材料26爲可使地形平坦之高黏度聚合物。使用 作爲填料材料26之適當材料爲CARL雙層阻劑系統（具有 CBC-248之底層（由德國Siemens AG，Munich發展，由德國 Wiesbaden之Clariant GmbH，AZ電子材料公司提供））之第一 層。説明之具體例中，填料材料2 6旋塗成適當厚度，視地 形深度而定，直至達到完全平坦化；Siemens CARL阻劑甚 至可旋塗至2 Tm厚度。沉積阻劑頂層後，阻劑固化。亦可 使用需要矽化步驟之另一類雙層阻劑系統如ERIS(增強之積 體阻劑顯像系統），由IBM所發展且由JSR微電子公司製造 之248奈米系統。 參考圖6，光阻劑頂層旋塗在填料材料2 6及相鄰層部分 16a及16b上，及繪圖形成光阻劑段落28 a及28b。光阻劑 可爲聚合物如Siemens CARL阻劑（CP-248-CA)頂層。光阻 劑使用標準DUV 248 nm步進器（未示出）曝光。移除光阻劑 曝光部分，形成光阻劑段落2 8 a及2 8 b及開口如通孔3 0。 以壕溝24標記處形成通孔30。通孔30曝露出填料材料26 邵分3 2。接著光阻劑2 8 a及2 8 b以石夕燒化學品如由Siemens 發展之 CS-248-Hex(由德國 Wiesbaden之 Clariant GmbH，AZ 電 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 507322 A7 B7 五、發明説明（8 ) 子材料公司提供）經歷化學倍增製程。因此光阻劑2 8 a及 2 8 b矽烷化而硬化並變成硬掩模。 參考圖7，填料材料26之曝露部分32於過渡（transition)蚀 刻中蚀刻除。此過渡蝕刻可爲於謗發性耦合工具中之乾蝕 刻，如 LAM TCP 或 Applied Material IPS。於 Lam TCP反應器 中，可使用頂端功率- 260W ;偏壓-80W ;壓力-10毫托耳 ;S〇2流速-20 seem ; 02流速_40 seem ;電極溫度-107C之製 程參數。於IPS系統中，參數可包含外部功率-500W ;内部 功率-100W ; 〇2-30 seem，· S〇2-50 seem ;愿力-10 毫托耳，·偏 壓-80W ;頂點-2507C。於謗發耦合工具中極低壓力下提供 之高離子密度使各向異性地蝕刻填料材料2 6。完成過渡蝕 刻後，曝露出層間介電1 6之部分3 4。 參考圖8，層間介電16之曝露部分34及相鄰部分16b以乾 蚀刻移除形成穿孔3 6。穿孔3 6之底部部分3 8係藉氮化物層 14界定。爲了形成穿孔36，層間介電16可依據本技藝悉知 方法蚀刻。需注意可於相同工具中蝕刻層間介電層1 6如用 於填料材料2 6之過渡蝕刻者，例如AMAT IPS系統。參數可 包含外部功率- 2000W ;内部功率- 400W ; Ar-300 seem ; C4F8-13 seem ; C2F6-17 seem ;壓力-40 毫托耳；偏壓_80W ; 頂點- 1857C。 參考圖9，蚀刻穿孔3 6通過層間介電1 6期間可移除光阻 劑28a及28b。或者，光阻劑28a及28b可於另一步驟中剝 除，較好在氮化物障壁14蚀刻前。IPS之剝除條件可爲： 步驟1 : 02-500 seem ;外部來源線圈- 2400W ;内部來源 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) A7

線圈-800W ;壓力-60毫托耳；吸盤_ 5〇〇w ;偏壓_ 15〇w ; 持續度-10秒。 步驟2 : 〇2-500 Sccm ;外部來源線圈_24〇〇w ;内部來源 線圈-8〇W ;壓力_6〇毫托耳；吸盤_5〇〇w ;偏壓_〇w ;持續 度-60秒。 穿孔36蝕刻及光阻劑28&及2 81)剝除後，移除填料材料 26。填料材料26可於標準製程中剥除，例如於其中剝除壕 溝蚀刻之阻劑1 8 a及1 8 b之相同工具。於圖9所示之源自該 製程之結構中’於壕溝2 4下表面部分3 4中形成穿孔3 6。壕 溝2 4及穿孔3 6於氧化物層1 6中形成梯級4 〇。梯級4 0具有 實質垂直於層16表面44a及44b之部分42。梯級40亦具有 實吳上平行於表面44a及44b之部分46。部分46終止於穿 孔3 6之側壁4 8及壕溝2 4之側壁5 0。 參考圖10，穿孔3 6之底部部分3 8之氮化物層14藉乾蝕刻 移除。藉CVD在基材1 〇上沉積金屬5 〇而填滿穿孔3 6及壕溝 24及覆蓋介電層16。金屬5 0藉化學機械拋光（Cmp)拋光直 至曝露出介電層16。金屬50提供導電連接至底下之金屬線 1 2。此雙鑲嵌製程若需要重複數次。 先形成穿孔之方法 上述在穿孔36之前形成壕溝24之另一種製程爲穿孔可在 壕溝之前形成。於”先形成穿孔"之方法中，蝕刻之穿孔在 壕溝微影蚀刻步驟之前以聚合物填滿。接著，可使用非選 擇性氧化物/聚合物RIE製程蝕刻該壕溝而不產生圍栅或引 起C D損失。壕溝蝕刻後，穿孔孔洞中剩餘聚合物藉習知剝 -12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

/JZZ 五、發明説明（10) ，製程移除。此雙鑲嵌製程之優點爲穿孔底部藉聚合物保 濩直至％溝蝕刻冗成。接著藉各向同性低表面損害剝除製 程移除。 、參考圖6，光阻劑頂層旋塗在填料材料2 6上及繪圖形成 光阻劑段落2 8 a及2 8b。光阻劑可爲聚合物如光阻劑可爲聚 =物如Siemens CARL阻劑（cp_248_CA)頂層。光阻劑使用 t準DUV 248 nm步進器（未示幻曝光。移除光阻劑曝光部 分，形成光阻劑段落28a及28b及開口如通孔30。以壕溝 W標記處形成通孔30 ^通孔3〇曝露出填料材料“部分32 / 詳參考圖11，光阻劑層置於圖1之介電層“間。 可使用深uv阻劑如UVII(由Shipley製造）。界定光阻劑段落 ⑽及⑽，及於光_段落U8a&n8b間藉標準光微影钱 刻方法於光阻劑層中形成開口丨2 〇。開口〗2 〇曝露出層間介 電層16之表面部分122。 亦參考圖12，藉移除層間介電層16之部分122而形成穿 孔124。該移除可藉乾蝕刻進行，如於Ips反應器中進行， 而相同參數如先形成壕溝之方法中所述。穿孔124之蝕刻在 曝露出氮化物1 4之部分125後終止。 參考圖1 3，使用Mattson ICP或Gasonics PEP系統以習知剝 除參數移除光阻劑118a及118b。 參考圖14，填料材料126旋塗於層間介電層16上。填料 材料126填入穿孔124。填料材料爲酚類爲主之阻劑，其可 與矽烷化物阻劑相容。可使用標準微影蝕刻轨跡（由曰本 Yamanashi之東京電子有限公司（TEL)或由聖荷西c a之 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裴 訂 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐 -II 11 507322 A7 B7 五、發明説明（11 )

Silicon Valley集團製造）旋塗。填料材料126爲可使地形平坦 之高黏度聚合物。此材料實例爲CARL阻劑之第一層。穿孔 及隨後之壕溝蚀刻需不蚀刻穿過氮化物層1 4，以保護底下 之金屬12。當先蝕刻穿孔124時，達到氮化物層14。填料 材料126提供遮蔽氮化物層14免於隨後壕溝蝕刻中受侵襲之 保護層。 參考圖1 5，光阻劑旋塗於填料材料126上。此製程之適宜 光阻劑爲Siemens CARL雙層阻劑系統頂層。該光阻劑如前 述曝光。曝光後，界定光阻劑段落128a及128b，及以穿孔 124標記處形成通孔130。通孔130曝露出填料材料126部分 132。接著光阻劑128a及128b以矽烷化學品如上述般經歷化 學倍增製程。因此光阻劑1 2 8 a及1 2 8 b矽烷化而硬化並變 成硬掩模/ 又參考圖16，填料材料126之曝露部分132回蚀，例如於 1^1111^?中以下列參數回蝕：壓力-80毫托耳；功率-1000\¥ ;Ar-450 seem ; CF4_60 seem。一旦填料材料126之曝露部分 132充分回蚀後，曝露層間介電層16之部分134，相鄰於穿 孔124。接著，曝露之填料材料部分132及層間介電部分134 同時回蚀形成壕溝138。填料材料126之蝕刻速率實質上相 同於層間介電層134。壕溝138之深度D2爲0.5 Tm，自層間 介電層16之上表面140至壕溝138之底下部分142間。壕溝蚀 刻期間移除光阻劑128a及128b。或者，於隨後習知剝除製 程中移除光阻劑128a及128b。 參考圖17，填料材料126在阻劑剝除期間完全移除。所得 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 507322 A7 B7 _____ 五、發明説明（12) 結構具有通過層間介電層16之穿孔124。穿孔124位於壕溝 138之下表面142。穿孔124及壕溝138於氧化物層1 6中界定 梯級144。梯級144具有實質上垂直層1 6表面148a及148b之 部分146。梯級144亦具有實質上平行於表面44a及44b之部 分150。部分150終止於穿孔124之侧壁152及壕溝138之侧壁 154 ° 參考圖18 ’穿孔36之底邵邵分38之氮化物層14藉乾蚀刻 移除。藉CVD在基材1 0上沉積金屬156而填滿穿孔124及壕 溝138及覆蓋介電層16。金屬154藉CMP拋光直至曝露出介 電層16。金屬1S6提供導電連接至底下之金屬線12。此雙 鑲嵌製程若需要重複數次。 許多其他具體例亦爲可能。其他具體例均在本發明範圍 内。 1Γ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

•1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X；297公釐）

Claims (1)

1. 川7322 、申請專利範圍 —種於材料層中形成梯級（step)之方法，該方法包括： 在基材上形成層； 於該層上表面部分中形成孔穴； 所形成之孔穴填入填料材料以於基材上提供實質平坦 之表面； 、一 於基材實質平坦表面上形成光阻劑層； 於以所形成之孔穴註記處於光阻劑層中形成通孔，通 孔曝露出部分之填料材料；及 頁 曝露部分之填料材料與層相鄰部分予以移除而於声中 形成梯-級；該梯級具有實質上垂直層表面之部分及: 上平行於層表面之部分且其中實質上平行層表面之二分 終止於孔穴側壁。 2 一種於材料層中形成兩相鄭開口之方法，該方法包括： 在基材上形成層； 於層表面部分形成第_開口； 所形成之第一開口中填入填料材料丨 面::::::上形成光阻劑層，填滿該第-開口及層表 ί::::成之第一開口註記處之光阻劑層中形成通孔 ’通孔曝露出部分之填料材料；及 ^ 露邵分之填料材料與層相鄰部分—起移除而於層中 々成弟—開口。 :申：專，圍第2項之方法’其中第—開口及 弟一開口爲穿孔。 本紙張尺度適用(21〇 16 ^07322 申請專利範圍 4 ·如申请專利範圍第2項之古半 第二開口爲壕溝。其中第-開口爲穿孔及 5_ 材料層中形成壕溝而穿孔通過該層之方法，此穿 孔位义％溝下表面部分，該方法包括： 在基材上形成層； 於層表面部分形成穿孔； 所形成之穿孔填入填料材料； 於填料材料及層表面相鄭部分上形成光阻劑層； ^以所形成之穿孔柱記處之級劑層中形成通孔，通 孔曝露出部分之填料材料；及 溝曝露部分之填料材科與層_部分予以移除而形成壕 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中填料材料爲聚合物。 ΤΙ:專利範圍第5項之方法，其中填料材科具有抗反 9. 如申請專利範圍第5項之方法 穿孔係包含在填料材料上旋轉 如申請專利範圍第5項之方法 孔後，又包括使光阻劑硬化。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 其中以填料材料填入該 其中在光阻劑中形成通 其中光阻劑之硬化包含 其中填料材料部分及層

   1 0 .如申請專利範圍第9項之方法 使光阻劑係垸化。 1 1 ·如申請專利範圍第5項之方法 相鄰邵分之移除係包含進行蝕刻 12· —種於材料層中形成壕溝而穿孔通過該層之方法此 -17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 507322 A8 B8 C8 ____ D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5衣 、申請專利範圍 孔位於壕溝下表面部分，該方法包括·· 在基材上形成層； 於層表面部分形成壕溝； 所形成之壕溝填入填料材料； 於填料材料及層表面相鄰部分上形成光阻劑層； 於以所形成之壕溝註記處之光阻劑層中形/通孔 孔曝露出部分之填料材料；及 k 曝露部分之填料材料與層相鄰部 & 下表面部份中形成壕溝。 夕*而在壤溝 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中填料材 14.如申請專利範圍第12項之方 ，口物。 射性質。 ，、中增科材料具有抗反 1 5 .如申請專利範圍第1 2項之方法 穿孔係包含在填料材料上旋轉 1 6 ·如申請專利範圍第丨2項之方法 孔後，又包括使光阻劑硬化。 1 7 ·如申請專利範圍第〗6項之方法 使光阻劑係烷化。 1 8 ·如申請專利範圍第〗2項之方法，其中填 相鄰部分之移除係包含進行蝕刻。W '材料部分及層 其中以填料材料填 入該 其中在光阻劑中形成通 其中光阻劑之硬化包含 (請先閱讀背面之注意事^ 裝--- f填寫本頁) -18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）