TW507124B - Status bits for cache memory - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507124 A7 B7 五、發明說明（） 發明領域： 本發明大致關係於資料處理系統。更明白地說，本發 明關於資料處理系統，其使用快取記憶體，該記憶體併入 至少一與快取記憶體内每一資料字元相關之狀態位元。 發明背景： 提供例如附圖之第1圖所例示之快取記憶體係為已知 的，該記憶體包含儲存器2，其包含位址TAG，用以於快 取RAM記憶體4中之線之資料。快取RAM記憶體4包含 多數快取線6，每一快取線6儲存四資料字元。多數有效 及髒位元8係相關於每一快取線6。共同類型之狀態位元 8係有效位元1 0及一髒位元1 2。有效位元1 0表示是否該 快取線係儲存有效資料，例如於開始時，每一快取線6必 須被標示為儲存無效資料。髒位元1 2表示於一寫回快取 架構之文中，至少具有快取線6之一資料字元已經被改 變，因為其由主記憶體讀出，並因此需要被寫回到主‘記憶 體，當該快取線6被清洗或被替換於該快取内。將可以看 到，於線控制程度及電路面積間之妥協，其可以以狀態位 元8加以完成，每一快取線6具有一相關於它之有效位元 1 0，及一相關於它之一髒位元1 2(這是被用於多數快取實 施法之配置）。因此，於一快取線6内，四個資料字元共 享這些狀態位元8。 於某些作業狀態中，吾人想要全面改變一快取系統之 所有快取線6之狀態位元8。例如，於系統開始時，隨後 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------.裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507124 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 五、發明說明（） 一 MMU改變或一序文切換經f 、 吊而要π洗快取之整個内 容，藉由將每一快取線6之所右古4厂一 (所有有效位兀10成為無效。 如此作之一方法係序向存取每一 > 于取母有效位兀10並將其讀成 供效。於可能包含有幾千快J又岣 戍丁氏取線心快取記憶體中，這操作 可能花上幾千處理週期並大女妯备數 卫χ大地衝擊系統效能。除了序向 及個別改變每一狀態位元8外， .^ 7 1 7L »外，另一万法係經由特殊目的 硬體應用一全面改變，並伤处怂# _ , 夂具係目b夠並聯改變狀態位元。雖然 這可以提供快速操作，炉禮且古vL V* LL il-k J. 1一化具有為了此特殊目的硬體而消 耗電路面積之缺點，並血刑Α γ雨 、 卫興^為了更一般系統設計，而需要 更特殊設計。 發明目的及概怵：_ 本發明有關於提供機制，用以高速改變狀態位元，儘 可能快至一處理週期，而不必為了所有狀態位元之並聯存 取，而提供客戶指定硬體。 由本發明之一方面看，其提供資料處理用設備，該設 備包含： 一記憶體，可操作以儲存多數資料字元，每一資料字 元係相關於至少一狀態位元，其係有關於該資料字元之狀 態之資訊； 一狀慼位元儲存器，可操作以儲存該等狀態位元於/ 階層關係中，使得一有關於該階層關係内之第一層之多數 弟層狀，上位元之組合狀態係被於該階層關係之弟二層 尤第二層狀態位元所指示，該第二層於階層關係上係高於 第6頁 本紙張尺&適用中國國豕標準（CNS)A4規格⑵〇 X 297公爱） ------------^裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507124 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（ 第一層；及 狀態？句問邏輯’可操作以決定於該記憶體内之資料字 元之狀態，藉由檢測於該狀態位元儲存器内之狀態位元， 開始於該階層關係内之最上層，並經由該階層關係向下工 作，直到一狀態位元到達為止，該狀態位元表示該資料字 元之狀態無關於階層關係中之任一較低狀態位元。 本發明提供被安排於階層關係（具有至少兩層）中之狀 態位元，使得於記憶體内之多數資料字元之狀態，可以藉 由改變於階層關係中之頂端或朝向頂端之相當少數之狀 態位元而加以作全盤或大規模之改變，而不必於每次狀態 改變時，個別改變相關於每一資料字元之每一狀態位元。 於此方式，用以完成全盤或大規模改變狀態位元之時間可 以大量地降低，而不必提供客戶硬體，用以對所有狀態位 元作大規模之改變。可以了解的是，很多資料字元可以共 享狀態位元。於一些實施例中，階層可以是有效位元及資 料字元’這些包含TAG值’資料字元，髒位元及其他狀 態位元。 該等狀態位元可以代表各種有關於它們之資料字元 之不同特性。然而，本發明係特別適用以諸實施例，其中 狀態位元係為有效位元，其指示儲存於該記憶體中之資料 字元之有效性。 有效位元經常係受到全盤或大規模之改變，因此，本 發明係特於允許這些可以以較少之硬體成本作更 快速改變。 第7頁 ------------裝--------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線_- A7 B7 五、 發明說明（ 可以了解的是’於階層關係内之最低層中，一個別狀 態位元可以被提供給每-資料字元。因此，若此記憶體為 —快取記憶體及一快取線儲存四個资姐——仏，w收π 肩枓竽7L的話，則將可 以使四個個別有效位元相關於該快取 R取線，以指示每一個別 資料字元之有效性。然而，於本發明、 故咧 < 較佳實施例中，一 最低層狀態位元相關於多數資料字亓、、加， 、上 卞7^。這提供於可以完成 之細微控制及需要以提供該狀態位-、 ^ ^ ^ t ^疋之硬體資源之顆粒 性間之妥協。 更明白地說’使最低層狀態位* 1 ^ 疋相關於快取記憶體之 快取列内之所有資料位元係相當女 两万便的。於一些實施例 中’ 一快取列可以被認為包含其相關tag值及髒位元。 這配置已經被發現能有效地動作，因為對主記憶體之 快取及由主記憶體快取典型地以—快取列一快取列之情 形發生’由於實際上相關於多數記憶體存取之時間及空 間區域性之故，使得於該層快取列下之狀態資訊係幾乎不 需要。 本發明適合於狀態位元儲存器包含一 RAM記憶體之 實施例中，該RAM 1己憶體係用以儲存由多數狀態位元形 成之狀態位元字元。於這些狀態位元及狀態詢問邏輯間之 1¾層關係係使传朝向階層關係之較低層之狀態位元可以 被儲存於RAM記憶體中，而不會大量地衝擊效能，藉以 得到可以與客戶栓鎖器或暫存器相比之RAM記憶體之儲 存密度優點。 儲存狀態位元於RAM記憶體中，允許它們能方便地 第8頁 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 桑作為狀怨位元字元’諸狀態位元字元係由ram記憶體 中所存取的。 於操作狀態位元字元中，一典型操作將會是一讀取_ 心改-寫入操作，其係可以迅速地由很多系統中之現行資 料處理結構所支援。分開之讀取及寫入操作同時也可能需 要，及於一些RAM記憶體中，只支援讀取及寫入操作。 相反於狀態位元儲存器之最低層，使用高密度ram 记憶體’於較佳實施例中，至少於階層關係内之最高層使 用暫存器位元電路（D型），以儲存狀態位元。栓鎖電路反 應於預足輸入或狀態，而可以很快速地存取並改變，諸輸 入或狀態可以例如是啟始，MMU改變，文中開關等，因 此，可以相當少或不必客戶硬體，而提供快速全盤或大規 模之狀態改變。 儲存於一栓鎖内之狀態位元典型地，相較於儲存於一 RAM中之狀態位元是能個別地存取並操作，ram係以一 字元一字元為主加以存取及操作。 於一些貫施例中，階層關係内之最高層可以包含一單 狀態位το。於此等環境下，一快取記憶體之資料字元之整 個狀態可以藉由於最高層之一狀態位元之單一改變加以 變化。 為了取得本發明之狀態位元儲存器及狀態詢問邏輯 之大I優點’吾人想要僅藉由修改階層關係中之最高層， 而安排整個記憶體之全盤改n想要安減夠硬體支援 以使得一全盤改變可以於單處理循環中加以作動。這於一 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507124 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 快取記憶體之文中係特別有利的。 可以了解的是，雖然狀態位元.入加 兀乏全盤改變可以使用於 此一階層關係中之少數位元之改變加 元成，但由最低層 開始之個別狀態位元之設定可以被想到為花較長時間，各 改變將必須向上反應於整個階層關係之時。然而，本發： 認出於一快取記憶體之文脈中，—Λ m 陕取填入操作典型地係 相當地慢，使得很多相關於快取填入々 1丹八 < 狀怨位兀之改變， 事實上具有足夠時間給它們，以允蚱阱古、人缺β 兄卉所有於階層關係中之 所有必需狀態位元改變可以完成，而τn 土 几风而不會衝擊整個操作之 速度。狀態位元可以並聯改變，以增加效率。 由另一方面看來，本發明提供一處理資料之方法，嗜 方法包含步騾·· μ 儲存多數資料字元於一記憶體内，每一資料字元係相 關至少一狀遙位元，其指示有關於此資料字元狀鳆次 訊， 儲存該狀態位元於一階層關係中，使得一相關於該階 層關係内之一第一層之多數第一層狀態位元之組合狀熊 係被於該階層關係内之第二層之第二層狀態位元所^旨 示，於該階層關係内該第二層係高於第一層；及 藉由檢測開始於該階層關係内之上層之狀態位元並 工作向下進行至階層關係，直到一狀態位元到達，以指示 該資料字元之狀態係無關於階層關係中之任何較低之狀 態位元，而決定於該記憶體内之資料字元之狀態。 本發明之實施例將藉由參考附圖加以說明，於圖中 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝--------訂---------線 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507124 A7 ------—__B7__ _____ 五、發明說明（） 置式簡單說明： 第1圖為用於每一快取線之個別狀態位元之已知快取系統 圖。 第2圖例示出一快取狀態位元儲存器及狀態位元，其相關 於一階層關係内者。 第3圖例示出一用於處理快取線TAG值及狀態位元之快 取系統之一部份。 第4圖例示出一例示快取架構，即於一資料字元之位址位 元及於狀態位元之一階層關係内之資料字元之狀 態位元間之關係。 弟5圖為一快取記憶體系統之一部份之另一實施例。 圖號對照說明： .—I—^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 儲存器 4 快取RAM記憶體 6 快取線 8 狀態位元 10 有效位元 12 髒位元 14 快取資料字元記憶體 16 快取線 18 有效位元 20 狀態位元字元 22 狀態位元 24 256列TAG儲存器 26 狀態位元RAM記憶體 28 8位元暫存器 30 快取控制器 32 位址 36 1024列TAG記憶體 38 32*32位元字元Ram 40 狀態位元儲存器 42 暫存器位元 第11頁

7 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------~ B7_____ 五、發明說明（） ' I明詳細氣明 第2圖示出一快取資料字元記憶體14，其係由多數快 取線16所組成，每一線儲存四個資料字元。一 w 、 —早一有效 位元18係相關於每一快取線16。用於八個連續快取線μ 之有效位元係儲存於單一狀態位元字元2〇之ψ 、、，、一 <甲，該位兀 字元20係被儲存於一狀態位元ram記憶體内。該狀態位 元字元20包含於階層關係内之最低層，其儲存狀態位元。 每一狀毖位元字元20係相關於一狀態位元22，位元 22係儲存於階層關係内之較高層中，並指示於狀態字元 20内之所有狀態位元1 8之組合狀態。因此，八個狀態字 元20之狀態可以被於階層關係之下一最高層内之狀態字 元之八位元22所指示。此下一較高層可以本身被提供於 狀態位元RAM記憶體内或於朝向階層之上端之某些層 中，其開始變得更有效以提供栓鎖（暫存器位元）給狀態位 元彳諸存益’该栓鎖係可以使用指定邏輯，以相當高速加以 改變。其他層可以提供於所例示之兩層之上。 第3圖例示用以儲存快取列TAG值及相關狀態位元 之快取記憶體系統之一部份。若快取具有2 5 6快取列，則 一 25 6列TAG儲存器24係被提供以儲存每一快取列相關 TAG值。假設每一快取列只具有一單一狀態位元（例如， 有效位元），則用於這些256快取列之狀態位元可以被儲 存於包含一狀態位元RAM記憶體26内之八個3 2位元字 元内。該3 2位元字代表於儲存狀態位元之階層關係内之 最低層。於階層關係内之下一個最高層（以及於此例子中 第12頁 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

---—J -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、 發明說明（ B7 每;）被^疋暫存器Μ所提供，暫存器28之 母-位元代表於狀態位元RAM記憶 態位元字元之組合狀態。…2位疋狀 —快取控制器30係被連接至TAG記憶體24 狀態位元暫…。當對快取= 疋予又或提供其他功能時，快取控制器30 力為狀態詢問邏輯。當對_資料字元之存取被要求時， 取控制器3〇檢測儲存於狀態位元暫存器28及狀態位 :=料2:内之狀態位元。若_層，相當於最 滑又特疋貝科子疋疋於狀態位元暫存器28内之位元表 該資料字元為有效，則快取控制# 3Q進行 位元鍵記憶體26内是否有用於該資料字元（快—取歹^ 個別:…若於狀態位元暫存器28内之位元指示無效， 則狀態位凡RAM記憶體26不需要被檢查(雖蚨， 檢查可以同時進行），因為無效性指示於最高層超權於 何代表於較低層之事項。 快取控制器30係'能夠對於狀態位元暫存器 態位元作高速之存取’使料狀態位元暫存器^内^ 有位元均可以被設定於單—週期中指示無效性，例如， 如快速清洗時所需。於狀態位元譲記憶體Μ内之狀 位元字元可以藉由-讀取-修改-寫入操作加以存取，以 對於階層關係内之最低層之狀態位元作細微改變。或者 分開之讀取及寫入操作可以加以執行。 第4圖例示出於_ 12_之快取内之一資料字元之位 元 低 示 態 上 任 所 於 態 需 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線g ________第 13 頁 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱 507124 A7 五、發明說明（ 址’該每行具有四資料字元並直接映圖之快取可 該狀態位元及其他控制資料。 於 位址32之上部份形成TAG值，並你知击、 值，其係相較於儲存 TAG記憶體24内之TAG值，以 ； 夫疋疋否特疋資料被 取。因為快取為直接映圖1以該位址之中間部份 供對該快取之一索引’以於當該資料係出現於該快心 時，指示將儲存TAG值之TAG記憶體位址。於位址之下 部份，字元位A W及位元組位元β表示於一快取列内之 哪-字元位址被定址，及於若位元组定址被允許時，則指 示於一資料字元中之哪一位元組位置。 用於此快取記憶體内之狀態位元資訊係被儲存於一 三層階層[狀態位元係被用以每一快取加以儲存，因 此，於其中有一狀態位元相關於每一索引值。這些索引值 狀毖位7C可以被儲存於由編譯RAM記憶體所形成之 256* 1 6陣列。於第三層陣列内之每一行具有階層關係第二 層内之相關狀態位元，其本身係儲存於一 16*16陣列内。 孩1 6* 1 6陣列可以同時被儲存於編驛ram記憶體内。於 階層關係内之最高層（第一層）係被1 6暫存器位元所提 供，以一暫存器位元相關於該第二層之每一陣列列。 第5圖例示另一快取記憶體結構。於此例子中，一 1024列TAG記憶體36係被提供以儲存TAG值。於TAG 記憶體3 6内之每一列相當於一快取列並具有相關於它之 狀態位元。因此，用於1 〇 2 4快取列之狀態位元可以被儲 存於32*32位元字元RAM38中，該RAM38形成狀態位元 第Η頁 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 i I — I! I 訂--！1!· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 /124 A7 ^^^------ ^ ~^--- 九、發明說明（） 儲存器40之部份。這狀態位元Ram記憶體^為於階層 關係内之最低層。於階層關係内之最高層係㉟32個暫存 器位元42所提供，以—暫存器位元相關於狀態位元raM 記憶體3 8内之每一 3 2位元字元。 藉由其他例示’涉及於各種操作内之步驟，用以估算 餘存於一快取記憶體系統内之資料字元，以併入狀態位元 之階層關係可以如下： 檢查狀態： *由階層之所有層中讀取適當位元 *向下進行該階層工作，以檢查是否下一層為有效 *若有任一層指示下一層為無效，則回到預設（重置）值 *否則，送回由最低層有效儲存器擷取之值。 狀態位元具有兩種狀態。於有效位元例子中’其中有 一重置狀態，若為無效，則為一有效狀態。為了標示某些 為有效，吾人必須標示於該階層中之所有層。該重置狀恐 可以被認為是一種強狀態，其可以藉由一高層位凡所才曰 示，及另一狀態，為一弱狀態，於階層内之所有位儿必須 -----------•裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中 統 系ο 一 調於 協 被 包 ： 要 態 需。狀 只性入 層效寫 高有 較之 之 層 層 低 階較 則之 ， 中 元 層 位階 態於 狀 示 重指 多以 存， 儲元 置 位 位 一 一 單 每 一 ， 含 效 有 為 層 - 下 示 指 以 元 位 當 適 定設 以 層 階 下 向 作 工 第15肓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 、田新泉（於階層中之任一層）已經事先無效被標示為有 成東必須被以重置值加以啟始，除了被寫入之值 外 田泉為先酌有效時，則需要執行一讀取-修改-寫入操 作，以只更新適當位元 *於階層之最低層中，適當資料應被寫入，若有必要，則 其他狀態位元被寫入其重置值。 重置狀態： *狀態位元之最高層應被重置，以標示 、，-…統中，該讀取-修改-寫入操作;:;被散佈 於很多循％中。一些有關選擇有： *你只、需維護-階層之有效位元，而不管你料於最低層 多少位元之狀態(例如四有效位元+髒+其他狀態位元），即 於階層内之不同層可以儲存不同狀態位元。. *若你如此作’若-無效位置被存取，則讀取陣列之邏輯 需要完成’’重置”狀態。 *除了只維持有效位元階層夕卜’其可能有利於經由該階層 追縱其他狀，態。例*，維持一有效及#階層-這將允許二 人可以更快速地搜尋髒快取之位置。

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 —線

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 Α8 Β8 C8 D8 第汾號專利案作年月修正 h一種^以資料處理之設備，該設備至少包含： , 己隐aa，可操作以儲存多數資料字元，每一資料 子70係相關於至少一狀態位元，該狀態位元給予有關於 該資料字元之狀態； 狀態位元儲存器，可操作以儲存該等狀態位元於 %層關係中’使得一有關於該階層關係内之第一層之 多數第一層狀態位元之組合狀態係被於該階層關係之 第層之第二層狀態位元所指示，該第二層於階層關係 上係南於第一層；及 狀態_問邏輯，可操作以決定於該記憶體内之資料 字疋之狀態，藉由檢測於該狀態位元儲存器内之狀態位 元開始於該階層關係内之最上層，並經由該階層關係 向下工作，直到一狀態位元到達為止，該狀態位元表示 該資料字元之狀態係無關於階層關係中之任一較低狀 態位元。 2.如中請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之狀態位 元係有效位元，指示儲存於該記憶體内之資料字元之有 效性β 3·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之於該階 層關係内之至少一最低層中，一最低層狀態位元有關於 儲存於該記憶體内之多數資料字元。 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） ------------· I-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 4. 如申請專利範圍第1項所述之，又備其中上述之記憶體 為一快取記憶體。 5. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中上述之快取記 憶體包含多數快取列，每/快取歹】儲存多數資料字元及 一最低層狀態位元有關於所有於該快取記憶體之快取 列之資料字元。 元 6 ·如申請專利範圍第1項所述之設備’其中上述之狀態位 元儲存器包含一 RAM記憶體’其儲存由多數狀態位 所形成之狀態位元字元。 該狀 態位 請 先 閱 讀 背 面 .如申請專利範圍第6項所述之設備’其中上述之於 態位元字元内之狀態位元係被存取及操縱為該狀 元字元之一部份 8 ·如申請專利範圍第7項所述之設備，其中上述之一狀態 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 位元係被一狀態字元讀取-修改-寫入操作於ram記憶 體上加以操縱。 9 ·如中叫專利範圍第1項所述之設備，其中上述之狀態位 疋儲存器包含至少一最高層於該階層關係内，至少一暫 存器位元電路可操作以儲存一狀態位元。 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱 第18頁 DU/124 asSi r Mr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 10·如申請專利範圍第9項所述之設備，其中上述之儲存於 一暫存器位元内之狀態位元可以個別地存取及操縱。 U·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之階層關 係内之最高層包含一單〆狀態位元。 12.如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之儲存於 記憶體内之所有資料字元之狀態之全盤改變可以只藉 由只修改於階層關係之最高層内之這些狀態位元加以 指示。 1 3 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之狀態位 元儲存器係可操作以，使得於該快取記憶體内之所有資 料字元之狀態中之全盤改變可以藉由改變於階層關係 内之最高層狀態位元，而被提供於單一處理週期内。 1 4 ·如申請專利範圍第4項所述之設備，其中上述之於快取 記憶體内之所有資料字元之狀態之全盤改變係反應於 以下之一加以完成： (i) 一快取記憶體清洗操作； (ii) 於控制對資料字元之存取之記憶體管理單元之 架構中之改變；及 (iii) 於設備上之控制軟體操作之作業系統之序文切 換0 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- n n ϋ tft 訂--- 辱· 507124 A8 B8 C8 D8 烯：<#3明二-'^^. 二;λ·‘:二 Λ ·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 15.如申請專利範圍第4項所述之設備，其中上述之資料字 元係使用一持續多數處理週期之快取填入操作，被儲存 於該快取記憶體内，以及該狀態位元儲存器係可操作以 於該多數處理週期内，修改有關於該被儲存内快取記憶 體内之資料字元之狀態位元。 1 6·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之階層關 係為三或更多層深。 17.如令請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之於階層 關係内之不同層儲存不同之狀態位元。 1 8 · —種用以處理資料之方法，該方法至少包含步驟： 儲存多數資料字元於一記憶體内，每一資料字元係 相關於至少一狀態位元，該狀態位元給予有關於資料字 元之狀態之資訊； 儲存該等狀態位元於一階層關係中，使得有關於該 階層關係内之第一層之多數第一層狀態位元之組合狀 態係被於該階層關係内之一第二層之第二層狀態位元 所指示，該第二層於階層狀態中係高於該第一層；及 決定於記憶體内之資料字元之狀態，藉由檢查於該 階層關係内之最上層開始之狀態位元並經由該階層關 係向下工作，直到一狀態位元到達為止，該狀態位元指 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — 訂--- 507124 A8 B8 C8 D8 ..Ε ，丟 ^二、和‘二. 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 示該資料字元之狀態係無關於階層關係内之較低狀態 位元。 第21頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）