TW507020B - Method to plasma-supported reactive processing of working part - Google Patents

Description

507020 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（，） 本發明之目的原則上是以電漿促進之反應性方式（即， 藉由PECVD方法）而在沈積表面上沈積一些材料，一方面 是以一種儘可能高之沈積速率在沈積表面上進行，另一方 面是此種沈積表面須處於儘可能低之溫度中。 此種沈積速率定義爲每單位時間塗佈在一種表面上之 材料厚度，其中此種表面是配置在真空承受器中一種確定 之位置（其仍將詳述於下）上。特別是在目前情況中，此種 每單位時間在表面上所沈積之材料量是與此種表面配置 在承受器中之位置有關。 由 plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Epitaxial Silicon from Silan” ， S，R， Shanfield et al.， 1046B, Ex tended Abstracts, Vo 1 . 8 3 - 1 ( 1 9 9 3 ), May , Pennington， New Jersey， USA， Xp-〇〇2056339 中已知 可藉由PECVD方法以矽烷（Silane)作爲反應氣體來沈積 一種磊晶之矽層。此種基板溫度介於7 0 0 °C和9 0 0 °C之間， 可達到之最大塗層速率（第3圖）是40nm/nnn(奈米/分 鐘）。 由”Low Temperature Deposition of Microcrystalline Silicon in a Multipolar plasma”，T.D.Mantei. et a 1 ., 1 046B Extended Abstracts , ( 1 9 8 5 ) , October,No.2 ，Pennington, New Jersey，USA XP-002056340 中另外可 知：可藉由一種PECVD方法來沈積微結晶之矽層，其塗層 速率在表面溫度100°C時可達到大約40nm/min，而在表面 溫度大約2 5 0 °C時大約可達到25nm/min。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .——I:------•餐------- 丨tr--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507020 A7 __ B7___ 五、發明說明（> ) 由和本發明同一申請人之文件DE-053614384中已知： 藉由一種PECVD方法在使用低壓-高電弧放電之情況下以 Ni(C0)4 -氣體來進行鎳塗層時可達到之塗層速率是 200nm/min,這是此文件中所揭示之最高之沈積速率，但其 只以大約1 7 nm / m i η之塗層速率來進行沈積。藉助於低壓 放電，則在真空承受器中可產生一種厚度均勻之電漿。 由”plasma-assisted CVD of Diamond Films by Hoi low Cathode Arc Discharge 55,J.Stiegler et al., Diamond and Related Materials ,2(1993) ,413-416 中已知：可藉 由一種PECVD-去來沈積鑽石層，其沈積速率在表面溫度 至少700°C時可達到大約35nm/min。 由 ”Low Temperature plasma-EnhancedEpi taxy of GaAs”，K.P. Pande， 1046 Journal of theElectrochemi-c a 1 Society, 131(1984),June,No.6,Manchester, New Hampshire，USA中另外可知：在低於 400 °C之溫度時沈積 GaAs (砷化鎵）磊晶層，但以80nm/niin之沈積速率來進行， 當然這只在溫度大約500 °C時進行。 由US-A5 5 5 4 22 2中已知：在較冷之沈積面上沈積一種類 似於鑽石（Diamond)之層，冷卻時溫度是2 5 0 t：，未冷卻時 溫度是400 °C。其所可達到之沈積速率是20nm/sec。 由與本案同一申請人之PCT/CH9 8 / 0022 1中可知，藉由 PECVD方法可達到大約1〇〇至200nm/min之間的沈積速 率，其中沈積材料之表面溫度是在3 00 °C和8 00°C之間。 本發明之目的是提供一種方法以便在一種沈積表面上 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507020 A7 ___ Β7___ 五、發明說明（4 ) 以電漿促進之反應性方式來沈積材料。藉此方法在沈積 表面溫度低時不須冷卻即可達成較先前已知之PECVD方 法大很多之沈積速率。 這是藉由使用一種方法以便對工件進行電漿促進之反 應性處理來達成，其中電漿束在一真空之承受器中產生且 相對於電漿密度最大之區域是沿著電漿束之軸而徑向偏 移地配置著一些工件，其中使新鮮之反應氣體進入該承受 器中且在使用後由承受器中吸出，且同樣待處理之表面相 對於電漿束之軸以相等間距之方式而配置，以便在至少 η之材料產生速率以及最高溫5 5 0 °C之情況下在 一種沈積表面上進行材料之沈積。但溫度低很多時亦可。 由與本案同一申請人之EP0724026中已知有一種方法 可用來對工件進行活性（r e a c t 1 v e )處理，其中在真空之承 受器中產生一種電漿束，各工件相對於電漿密度最高之區 域是沿著電漿束之軸徑向偏移地配置著，其中新鮮之反應 氣體導入承受器中且在使用後由承受器中吸出，且其它同 樣待處理之工件表面沿著縱向延伸之旋轉面而分佈在電 漿束四周，使表面上之電漿密度最高是最大電漿密度之 20% (在與電漿束之軸相垂直之平面中觀察時）。此種去適 合用來沈積一些特別是由鑽石，CBN，a -A 1 20 3或C3N4所構 成之不易製成之介穩（metastable)層。由該文件中可知： 高電弧放電之擴散區（即，電漿密度S 2 0%之電漿束之中心 密度）特別適合用來沈積極硬之層，特別是用來沈積這些 由正常處理時不易製成之介穩（m e t a s t a b 1 e )相位所形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ————-----!—訂·！----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^7〇2〇 A7 _^—_2L_ 五、發明說明（4 ) 之層，如上所述。 依據本發明可知：本方法不只適合沈積一些不易製成之 層，而且基本上令人驚異地可在很高之沈積速率以及保持 底溫（如上所述）之情況下進行沈積。 本發明因此特別適合用來沈積一種微晶砂，特別是/zC-S i : Η。 特別是在此種用中可知：利用程序氣體中氫之含量，則 已處理完成之工件之溫度可在其它範圍中調整，即，在250 °C至4 0 0 °C之間調整。氫之成份越少，則上述之溫度越低。 由於在形成// C - S i : Η時此種H2含量不是特別重要，則此 種H2含量値特別是在沈積此種材料時最適合用作溫度-調 整値。 因此須強調：由先前已知之方法絕不能產生很硬之層， 特別是不會形成上述不易製成之介穩相位，反之，本發明 之方法適合高速率之沈積。 電漿束特別優良之方式如EP0724026中所述是以低電 壓弧放電（較佳是高電流-電弧放電）所形成。 在本發明之應用中，使用此種沈積法作爲塗層式之沈積 或作爲粉狀形式或串集形式之材料之沈積，即，在最後所 述之情況中，其是用來獲得上述之材料粉或材料串集物。 爲了以儘可能大之效率來進行上述之沈積（即，所導入之 每單位反應氣體數量中所用之已沈積之材料量），則此沈 積表面須沿著旋轉面而配置在電漿束之軸之周圍。 爲了相對於所沈積之材料量及所導入之反應氣體而獲 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^1 ·ϋ n βϋ -ϋ 1 i·— 1 ϋ .1 n ϋ ϋ ϋ ϋ - (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 507020 A7 B7 五、發明說明（f ) 得一種儘可能高之效率，則該沈積表面（若其是由已沈積 之粉或串集物之接收面所形成，且此接收面是由待塗層之 工件表面所構成）須以環形方式配置在電漿束之軸之周 圍。 特別是當此種沈積厚度之均勻性是一種重要之準則 (c r i t e r i ο η )(就像使用本發明於表面塗層時之情況一橡） 時，則在沈積期間須使此沈積表面環繞電漿束之軸旋轉及 /或環繞一種由電漿束之軸而偏移（較佳是與其平行）之旋 轉軸而旋轉。 沈積物分佈之均勻性是藉由一種平行於電漿束之軸而 延伸之反應氣體流而在承受器中達成。 在本發明之應用的另一較佳之實施形式中，電漿密度之 分佈是藉由一種平行於電漿束之軸而產生之磁場來控 制。所施加之此種磁場最高是2 5 0高斯，較佳是1 〇 〇高斯， 特別好之情況是60高斯。 依據使用目的，此沈積表面是處於流動電位中或處在一 種可調整之電位中，因此是處在DC-,AC-或 AC + DC電位 中 〇 ----------Aw --------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實 之生 佳產 較極 在陰 束冷 將水或 電極 陰 形 施 是 佳 較 流 電 高 熱特 以 。 而生 電產 放來 弧電 電放 懕弧 低電 由流 藉電 中高 式以 受 承 是 的 要 一一彐一一 重。 很 } 成巴 形毫 之ar 電ba m 放1 弧少 電至 -在 持 保 須 壓力 電壓 低總 對之 是中 別器 式 形 施 實 之 佳:H 較 S 在C-明# 發是 本別 特 積 沈 之 上 積 沈 之 矽 晶 微 在 用 應 是 中 烷 矽 用 使 是 佳 較 中 其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 507020 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（b) 作爲反應氣體。特別重要的是：本發明之微晶矽能以n m (奈 米）至微米（// m)之粉末形式或串集（cluster)形式沈積而 成。此外，其它矽化合物可以上述較高之沈積速率以層之 方式或粉狀之形式沈積而成（例如，S i c，s i N ),但亦可沈積 成金屬化合物層（例如，特別是硬材料層），例如T i N 層，ΤιΑΙΝ層，SiAlON層或摩擦係數較小之層，例如，CrC 層，F eC層，WCC層等等。在沈積成各層時雖然沈積速率較 高，但仍然可產生一種對此種磊晶層之形成是獨有之高的 塗層品質。 此外，利用本發明可在工業上對已加寬之矽基板或玻璃 基板進行塗層。 本發明以下將依據圖式和實施例來詳述，其中此種相對 於本發明所使用之先前已知之技藝可參考此種和本說明 書有關之EP-A- 0724026之積體組件。圖式簡單說明如下： 弟1圖一種局電流電弧和與其有關之本發明之沈積表 面之配置。 第2圖本發明所使用之設備，其是用來沈積一種微晶 石夕。 依據第1圖，首先說明本發明之基本過程。此種較佳是 以高電流電弧1構成之電漿束快速地往陰極室3之光圈 口 2發散在數公分（cm )內之指定之範圍中，以便保持一種 廣泛之定値之形式直至接近陽極數公分之前爲止。此種 在陽極前之電弧範圍是與陽極之幾何形式有關的。因此， 直至陽極4上方朝向光圈口 2之小範圍爲止都可形成此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) A7

五、發明說明（7 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 重问鼠弧之廣丨之均句之長形區域i，沿著其軸a而在 直徑切面E中（如圖所示）產生鐘形曲線形式之電漿密度 分佈。在每一平面E中此種電漿密度分佈具有一種最大 値 M a X 〇 就本發明之應用而言，電弧長度較佳是在5 0 cm和1 2 0 cm之間，特別好之情況是大約9 0 cm。 就本發明之應用而言，承受器中之總壓力選擇成較 lmbar還大。本發明之材料沈積用之可設計之表面較佳 是配置在電漿束之軸A之半徑r中，此處之電漿密度最多 是占有20%。 電漿束之寬度（即，電漿密度之分佈）是由電弧電流之位 置及/或特別是由軸向磁場Η所表不（如第1圖所示），依 據各別之需求而不同。 場強度較佳是調整成最大是2 5 0高斯，特別佳是最大 1 00高斯，但較佳是介於0高斯（無磁場）和60高斯之間。 由於此種沈積表面是配置在電漿密度較小之範圍中，則 所具有之優點是：此種電漿密度沿著平行於電漿束之軸之 直線以及在均勻之區域1中只有很微小之改變。 此種待處理之工件表面之與電漿束之軸Α間之距離r 較佳是選成 6 cm ^ r ^ 20 cm , 特別是 9 cm ^ r ^ 1 3 cm 如第1圖所示，較大之可使用之次沈積面且特別是此種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 507020 A7 B7 五、發明說明（S ) 面（其上即將產生一種塗層）較佳是平行於電漿束之軸（如 ω M所示）而以擺動或環繞方式移動及/或情況需要時環繞 電漿束之軸A (如ω M所示）而轉動。此外，此反應氣體流（如 G所示）較佳是平行於電漿束之軸A而產生。 第2圖顯示本發明之設備。在真空承受器1 〇中產生此 種較佳是高電流電弧放電形式之電漿束1，特別是熱陰極 •低電壓-高電流電弧放電之形式，但亦可使用冷陰極-電 弧放電。 在真空承受器10上連接一種凸緣式之陰極室12,其具 有一種發射電子用之熱陰極14,其在熱電流IH用之熱電 流電路中是與一種可調整之熱電流產生器1 6相連接。 陽極20配置在電漿束光圏口 18(其設置在陰極室12) 之對面。在熱陰極1 4 (或熱電流電路）和陽極之間連接一 種可調整之放電產生器22。就此種習知配置之細節而言 可參考 EP-0724026 或 CH664768。 設置一種界定圓柱面用之工件承載配置2 4 ,以用於本 發明之應用中待塗層之沈積表面中或作爲材料粉或材料 串集物沈積時所用之承受面。半徑r (如上所述是可辨認 的）是與電漿束之功率有關的。 沿著圓柱形之工件承載配置在遵守上述電漿密度之條 件下設置一些等塗層之工件（例如，較佳實施例形式中之 玻璃基板或矽基板）。這特別適用於微晶矽之高速率沈 積。但亦可配置其它工件，例如，工具，鑽頭，換向切板，銑 刀等等，以便以便材料層（例如，由 Τ 1 N，Τ 1 A 1 N，S i - A 1 - -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） n 1 mmmf ·ϋ 1- ϋ ϋ ϋ 1 ^1 ·ϋ ϋ ·ι ^ · ·1 ϋ H ϋ ^1 ·_ϋ -Β1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 507020 A7 _ B7 五、發明說明（9 ) ◦ LSiCSiN等等所構成之層）塗佈在這些工具上，或以摩 擦係數較小之層（例如，由（：“，？6(：^(：(：,即，金屬-碳、層） 塗佈於工具上。爲了儘可能有效地利用此反應氣體，則所 設置之基板承載體須儘可能以透明方式構成，使主面可藉 由工件或基板本身來形成而不是藉由其支撐件來形成。 由第2圖又可看出，在較佳之實施形式（即，沈積上述之 微晶矽時）中，該反應氣體R較佳是矽烷，在陰極側由元件: 29導入該承受器1 0中，陽極側設置一種泵配置26。這樣 可對一種平行於軸A而對準之氣體（其流經該承受器且、沿 著此種位於圓柱面上之沈積表面2 4而流動）進行調整。 工件或一般之沈積表面以電位游動之方式在一種承載酉己 置上方操作或處於一種參考電位（例如，接地電位）中，或 處於一種直流（DC )偏壓電位，一種交流（AC )電位或_種混 合之AC + DC-電位中，例如，處於一種脈波式DC-電位中。 這些電位以及沈積面所需之其它電位設定之可能性#胃 2圖中以轉換單兀28來表不。第2圖之設備依據'pi之^ 表格在而在第1例至第6例中進行塗層。 -----------———訂-------1 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 507020 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（^) 例1 例2 例3 製程中之參數 ' 電弧電流 [A】 100 160 400 磁場 [Gauss] 50 80 60 總壓力 imbar] 1,5 1,5 2,0 氣流 g [seem] 氫 矽烷 1.800 20 60 1.800 50 100 1.800 40 100 至電弧軸之距離 [cm] 16 10 16 基板溫度 [°C] 250 350 450 塗層時間 [min】 40 80 20 生長速率 inm/min.] 450 600 600 電弧長度 [cm】 90 90 90 、 層之性質 層厚度 bmj 18 48 12 晶體結構 pc-Si:H pc-Si:H μο-είιΗ 例4 例5 例6 製程中之參數 電弧電流 [A】 120 120 120 磁場 [Gauss] 0 0 30 總壓力 imbar] 1,5 1,5 1,5 氣流 ^ [seem] 氫 ΐ夕院 2.700 50 75 2.700 40 80 2.700 0 100 至電弧軸之距離 [cm] 7 10 9 基板溫度 [°C] 450 400 420 塗層時間 .imin】 16 25 24 生長速率 inm/min.】 630 400 500 電弧長度 icm] 50 50 50 層之性質 層厚度 [μηη] 10 10 10 晶體結構 pc-Si:H pc-Si:H pc-Si:H -12- ------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 507020 A7 B7 電弧電流 總壓力： 軸向磁場Η : 五、發明說明（ 在所有例子中都直接在所使用之玻璃基板或矽基板上 沈積以// C - S i : Η -結構中。這些層具有部份磊晶（e p i t a X y ) 品質。須注意的是：這些層中都不會直接在基板上產生一 種非晶形（amorphous )之中間層。這是與平常不同的，因 爲在傳統之塗層方法中通常總是首先會產生一種非晶形 之矽中間層（其會阻礙磊晶層之生長）。因此，本發明所使 用之方法亦適合用來沈積磊晶層。此外，極高之生長速率 亦很優異，其可在較低之沈積溫度時達成。 就本發明之應用而言，通常可設定下述之操作値： 80 - 1 7 0Α lmbar^ Ptot^ 3mbar 0〜2 5 0高斯 較佳是0〜100筒斯 特別建議値〇〜60高斯 電漿束之軸至工件表面之距離r : 6 cm ^ r ^ 20 cm 較佳是 9 cm € τ ^ 1 3 cm 就較佳之應用而言（即，用來沈積微晶矽），則在大約8 0 升（1 )之承受器中以及電弧長度設定成9 0 cm時依據上述 之各種例子而使用以下所示之氣流： 1 : 1 800 sccm Η 2 ： 〇〜lOOsccm 石夕院，SiH4: 5 〜lOOsccm 基板溫度所達到之溫度不大於4 5 (TC ,通常是在2 5 0 X： -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ——·!------#t--------訂---------*蛉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 川7020 A7 B7 五、發明說明（^) 和5 0 0 °C之間。 依據所調整之電弧電流，在遵守電漿密度-條件下，在離 電漿束之軸6至2 0 cm之閼的徑向距離（較佳是如上所述 之9至1 3 cm之間）處所產生之最大電漿密度較佳是電獎 束之軸處所具有之最大密度之20%。 依據各操作參數之調整，特別是在沈積微晶矽時可產生 上述之各層作爲塗層，但其是沈積成nm至um大小之粉狀 或串集形式。 在處理用之大氣之氫含量之功能中，在總壓力是 1.5mbar,不施加磁場，r = 10 cm,電弧電流是120A以及Μ 氣流固定是1 8 0 0 s c c m時可測得以下之相關性： Η 2 流量（s c c m ) 沈積表面上之溫度（°c ) 10 220 30 270 50 3 10 70 350 100 390 150 450 由此可知：處理用之大氣中之氫含量已顯示可適當地用 來調整工件表面上之沈積溫度。 符號之說明 ·!-----#螫------- —訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 弧 電 流 口室 電圈極極 高光陰陽 器 受 承室 空極 真陰 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 507020 A7 B7 五、發明說明（ 熱熱電陽放工石水 陰 漿極電件配 器 口 生圈 產光 極流束 置 器配 生載 產承置 之 束 漿 -------------------訂---------AW—^νΊ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 507020 ;古尽 Γ ::Π _______； ..... ,_.- \六^?¥^圍 … 第89 107450號「以電漿促進之反應性方式來處理工件所用之 方法」專利案 （91年5月修正） 六申請專利範圍 1. 一種以反應性方式來處理工件所用之方法，其電漿束產生 於已抽成真空之承受器中，相對於電漿密度最高之區域而 沿著電漿束之軸徑向偏移地配置著各工件，其特徵爲：新鮮 之反應氣體導入承受器中且使用後由承受器中吸出，材料 沈積之速率至少是400nm/min，沈積表面之溫度最高是550 〇C。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中藉由材料沈積來形成 表面塗層或沈積粉狀形式或串集形式之材料。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中此電漿束是以 低壓-電弧放電而形成，較佳是以高電流-電弧放電而形 成。 4. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中此沈積表面環繞 電漿束之軸而旋轉及/或環繞一種相對於電漿束之軸而偏 移（較佳是與其平行）之軸來旋轉或以擺動方式而振動。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該反應氣體流是平行 於電漿束之軸而作調整。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中藉助於一種與該軸相 平行之磁場來調整電漿密度之分佈，此磁場較佳是在〇和 250局斯之間，特別好之情況最大是100高斯，特別可行的 是在0和60高斯之間。 7. 如申請專利範圍第1或6項之方法，其中該電漿束較佳是 507020 六、申請專利範圍 藉由熱陰極放電利用一種具有光圈口之陰極室而以高電 流電弧之形式產生或利用冷陰極而產生。 8·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中此沈積表面是以 電位-游動方式來操作或在一種較佳是可調之電位上操作， 因此是在一種直流（DC)-，交流（Ac)-或AC + DC電位上操 作。 9.如申請專利範圍第4項之方法，其中此沈積表面是以電位_ 游動方式來操作或在一種較佳是可調之電位上操作，因此 是在一種直流（DC)-，交流（AC)-或AC + DC電位上操作。 1〇·如申請專利範圍第3項之方法，其中電漿束之長度選擇成 較50 cm還長。 11·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中藉由材料沈積來 沈積矽化合物，特別是沈積微晶矽。 12·如申請專利範圍第U項之方法，其中使用矽烷（Silane)作 爲反應氣體。 这如申請專利範圍第11項之方法，其中該工件之溫度在處理 期間是藉由處理用之大氣中氫含量來調整。 14.如申請專利範圍第1項之方法，其中藉由材料沈積來塗 佈硬材料層或摩擦力較小之層。 如申請專利範圍第1項之方法，其中材料是沈積在玻璃 晶圓上或矽晶圓上。 16.如申請專利範圍第1項之方法，其中此電弧電流調整成8〇 至170A(安培）,較佳是配置一種待處理之工件表面於與該 電漿束之軸相離之距離是7之處，其中此7滿足 507020 六、申請專利範圍 6 cm ^ r = 2 0 cm , 較佳是 9cm‘rS13cm。 17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該承受器之總壓力PtM 調整成 1 mbar S Ptot S 3mbar 18. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該沈積表面是 配置在電漿束之軸中所具有之最大電漿密度之至多是 20%之電漿密度範圍中。 19_如申請專利範圍第4項之方法，其中該沈積表面是配置 在電漿束之軸中所具有之最大電漿密度之至多是20 %之 電漿密度範圍中。