KR100330767B1 - 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법과이에 의해 제조한 증착 합성물과 그 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법에 관한 것으로서 한 개의 대면적 평면 기판이나 곡면 기판상에, 혹은 여러개의 기판상에 다이아몬드 막을 합성할 수 있도록 하는데 있는 것으로, 한개의 진공조내에 다수의 음극을 설치하고 그 대향면에 각각의 기판을 설치하고, 반응기에 수소와 탄화수소가스를 혼입하고, 음극과 기판간에 직류전압을 인가하여 음극과 기판사이의 공간에 플라스마를 형성하여 반응가스를 분해하여 기판상에 다이아몬드 막을 증착하는 데 있다.

Description

직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법과 이에 의해 제조한 증착 합성물과 그 장치{AN APPARATUS AND METHOD COMPRESSING DIAMOND FILM CHEMICALLY BY USING DIRECT CURRENT DISCHARGE PLASMA, AND THE COMPOUND THEREOF}

본 발명은 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법과 이에 의해 제조한 증착 합성물과 그 장치에 관한 것으로 좀더 상세하게는 일반적으로 사용되고 있는 직류방전 플라즈마 화학증착방법을 이용하되 최소 직경 4인치 이상의 대면적 기판상에 최대 두께 수백 ㎛ 이상의 다이아몬드 후막을 균일하게 증착하기 위하여 다수의 저온 음극을 사용하는데에 특징이 있는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법과 이에 의해 제조한 증착 합성물과 그 장치에 관한 것이다.

일반적으로 다이아몬드 막을 증착하기 위해 사용하는 증착방법에 있어서, 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 증착방법은 장치의 구조가 간단하고 증착속도가 고온의 열선을 이용하는 고온 필라멘트 증착방법이나 마이크로파 화학증착법에 비하여 빠르다는 장점이 있다.

이러한 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 증착방법은 진공용기내에 서로 평행하게 마주보는 한쌍의 판상의 전극에 직류 전압을 인가하여 전극간의 공간에 플라스마을 발생시키고 이곳으로 수소와 탄화수소의 혼합가스를 흘려 반응가스의 분해를 통해 다이아몬드를 합성하는 방식으로 알려져 있다.

이러한 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 증착방법은 음극의 온도에 따라 한 개의 저온 음극을 사용하는 방식과 여러개의 음극을 사용하는 두가지 방식이 있다.

그중의 하나는 SMPS(Swich-Mode Power Supply)형 직류전원을 사용하고 음극의 온도를 저온(800-1400℃)으로 유지하며, 직경 수인치 이상의 대면적 음극을 한 개 사용하여 4인치 이상의 평판형 기판 혹은 곡면형 기판상에 다이아몬드 막을 합성하는 방식이다.

그리고 나머지 하나는 직경 1센치미터 미만의 작은 음극을 여러개 사용하고 각각의 음극에 별도의 파워 서플라이를 사용하여 전원을 공급하며, 음극의 온도를 2000℃ 이상으로 높게 하는 방법이다.

이러한 종래의 넓은면적을 증착하거나 곡면을 증착하는데에 있어 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째로, 넓은면적을 증착하기 위하여 한 개의 대면적용 음극을 사용하는 방법을 행하는 경우에는 증착되는 다이아몬드 막 두께의 분포를 자유롭게 조절할 수 없는 문제점이 있다.

다시말해 한 개의 큰 면적용 저온 음극을 사용하여 증착함에 있어서, 평판형 기판의 경우에는 증착막의 두께가 불균일한 문제점 즉, 기판의 모서리 쪽이 중앙에 비하여 10∼20%가량 더 두껍게 증착되는 문제점이 있다.

이러한 두께의 불균일성은 후 처리공정인 연마과정에서 불필요하게 장시간을 요하게 되어 시간과 경제적인 부담을 주어 실제적으로 응용상 매우 나쁜 영향을 주게 된다.

이러한 문제를 해결하기 위하여 로고스키 음극을 사용하는 방법이 제안되었으나 이 방법은 실제로 기판의 크기가 실제 증착면적보다 훨씬 커져서 전류밀도의손실이 너무 큰 단점이 있다.

또 여러개의 작은 고온 음극을 사용하는 경우는 각 음극의 크기가 1㎝ 미만으로 그 크기가 작기때문에 발생하는 플라스마가 불균일하여 메탄 함량이 낮아질수록 두께가 불균일해지는 단점이 있다.

둘째로, 한 개의 큰 음극을 사용하는 방법에서는 플라스마의 강도 및 막질, 막 두께를 부위별로 서로 다르게 조절하는 것이 불가능하다.

필요에 따라서는 기판의 부위별로 막의 두께나 품질을 서로 다르게 할 필요가 있으나 이는 적용이 불가능한 단점이 있다.

셋째로, 곡면으로 된 기판 상에 균일한 두께로 막을 증착하는 것이 까다롭다.

다시말해 곡면기판의 전체적 크기, 형태에 따라 모두 음극을 다르게 제작해야 하는 불편이 있다.

넷째로, 기판의 직경이 대면적화하여 6인치 내지 8인치 내외로 매우 커지는 경우 한 개의 음극을 사용하면 음극이 지나치게 커져서 음극의 자중 때문에 음극홀더 및 음극 자체의 변형이 쉽게 유발되어 음극 온도균일화 및 증착거동의 균일화에 악영향을 준다.

다시말해 다이아몬드 막 합성에는 장시간 합성이 필수적인 만큼 필요로 하는 두께의 다이아몬드 막의 합성이 기존 한 개의 음극을 사용하여서는 대면적 합성이 불가능한 최대 단점이 있다.

다섯째로, 대면적 증착에 있어서 면적에 비례하여 용량이 큰 전원(Power)이요구되는데, 용량이 큰 파워 서플라이(Power Supply)를 만드는 것은 용량이 보다 작은 파워 서플라이(Power Supply)를 만드는 것에 비하여 기술적으로 훨씬 어려운 문제가 많다.

다시말해 전류량이 증가함에 따라 노이즈(Noise)가 커지므로 회로 설계가 훨씬 까다롭고, 회로 구성 소자의 발열이 전류량의 제곱에 비례하여 커지기 때문에 냉각을 훨씬 강력하게 해야 하고, 스위칭(Swiching)소자의 응답속도가 느려지고 구동전력이 커지기 때문에 콘트롤이 보다 어려워지는 문제점이 있다.

여섯째로, 한 개의 진공 용기내에서 한 개의 다이아몬드 막 밖에는 제조할 수 없다.

이 경우에 한 개의 진공용기에서 동일하거나 서로 다른 직경의 다이아몬드 막을 여러개 동시에 만들 수 있는 방법이 가능하다면 더욱 경제적인 합성이 가능해진다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법이 갖는 문제점을 해결하고자 하는데 있다.

첫째로는 평판형 기판의 경우에도 단순한 원판형 전극을 사용하면서도 막 두께를 균일화하는데 있다.

둘째로는 평판형 기판의 경우 플라스마의 강도를 부위별로 독립적으로 조절하여 막의 두께 및 막의 품질을 부위별로 다르게 조절하여 막의 균일성을 향상시키는데 있다.

셋째로는 단순한 원판형 음극을 사용하여 임의의 곡면으로 된 기판상에 균일한 두께로 막을 증착하는데 있다.

넷째로는 음극을 지나치게 크게하지 않으면서도 직경이 6인치 내지 8인치 내외로 매우 큰 기판상에 균일한 다이아몬드 막을 증착 가능하게 하는데 있다.

다섯째로는 높은 전원(Power)가 요구되는 대면적 증착에 있어서도 대용량의 파워 서플라이(Power Supply)를 사용하지 않고도 보다 제작이 쉬운 소용량의 파워 서플라이(Power Supply)를 사용하여 대면적 증착을 달성하는데 있다.

여섯째로는 한 개의 진공용기내에서 동일 크기 또는 서로 다른 직경의 다이아몬드 막을 여러개 동시에 합성하는데 있다.

도 1은 본 발명 장치의 개략도.

도 2는 본 발명에 적용하는 이중 구조 음극의 분해 단면도.

도 3은 도 의 조립도.

도 4는 도 3의 참고 사시도.

도 5는 본 발명에 적용하는 이중 구조 음극의 사용 예시도.

도 6은 본 발명에서 사용하는 다수의 음극을 배치한 상태를 도시한 예시도.

도 7 및 도 8은 본 발명에서 적용하는 다수개 음극의 사용예시도.

도 9는 곡면기판에 다수개 음극의 적용상태 예시도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1: 진공조 2: 음극홀더

3: 유수 4: 원판형 음극

5:장치대 6:기판

7: SMPS(Swich-Mode Power Supply)

이하 본 발명을 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

즉, 첨부한 도면 도 1에 도시하고 있는 장치는 본 발명의 장치를 개략적으로 도시하고 있는 것으로서, 이를 살펴보면 한개의 진공조(1)내에 다수개의 음극홀더(2)를 설치하여 유수(3)에 의하여 냉각되도록 하고, 상기 각각의 음극홀더(2)의 저면에 음극(4)을 각각 장치하고, 상기 각각의 음극(4)에 대향하는 위치에는 수냉되는 장치대(5)를 설치하여 그 상부에 기판(6)을 위치시켜서 상기한 각각의 음극(4)에는 음극(-)을 기판(6)에는 양극(+)을 각각의 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)를 통해 연결하여 전원(8)를 통해 인가되는 전력을 직류펄스 또는 직류전원을 공급받는 구조로 이루어진 것임을 알 수 있다.

이러한 장치는 진공조(1)를 배기구(미도시)를 통하여 진공펌핑을 취한 다음약 0.001토르(torr)의 진공에 도달하면 진공조(1)의 가스도입구(미도시)를 통하여 반응가스의 일부 또는 전부를 공급한 다음, 전원(8)을 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)에 공급하여 주게되면 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)는 직류전원을 공급하여 상기한 양 전극간에 전압을 인가하여 주게되면 플라즈마(10)가 생성하게 된다.

이러한 상태에서 진공조(1)를 일정한 압력, 적당하게는 50∼150토르(torr)구간에 오도록 가스압을 상승시키면서 그에 따라 방전 전압 및 전류를 증가시킨다.

이때 플라즈마(10)로 부터의 하전입자(Charged particle)의 충돌에 의하여 음극(4)과 원판형 기판(5)이 가열된다.

이러한 상태에서 가스(탄소 및 수소)를 일정한 유량으로 공급하면서 원하는 압력에 유지되도록 배기구(미도시)를 조절하여 일정시간 유지하면 기판(5)의 상면에 다이아몬드막이 증착된다.

이때 상기한 본 발명의 증착장치에서 사용하는 음극(4)의 형태와 사용배열에 의하여 기판(5)상에 증착되는 증착막을 균일하게 행할 수 있게 되는 데 이를첨부한 도면 도 2 및 도 3에 의거하여 살펴보기로 한다.

도 2는 본 발명에서 사용하는 음극(4)의 구조,즉 이중구조의 음극(4')을 분리하여 도시한 것이고,도 3은 이를 조립한 상태를 도시한것이다.

본 발명의 이중 구조의 음극(4')은 통상적으로 사용되어오는 원판형 음극(4)를 중공식 음극(4")에 내삽입한 구조로 이루어진다.

이때 상기한 중공식 음극(4")은 중공식 음극홀더(2")의 저면에 설치되는 것을 물론이다.

이러한 본 발명의 이중구조의 음극(4')은 상기에서 설명하고 있는 바와 같이 원판형 음극(4)을 사용하여 다이아몬드를 기판(5)상에 증착할 때에 발생하는 문제점, 즉 기판(5)의 모서리 부분에 두껍게 증착되는 문제점을 해결할 수 있게 된다.

이러한 것은 상기한 바와 같이 상기한 이중구조의 음극(4')은 원판형 음극(4)과 중공식 음극(4")으로 이루어지고 각각의 음극홀더(2),중공식 음극 홀더(2")에 설치되는 것이여서 서로 다른 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)를 통하여 서로 다른 용량의 전압 즉, 공급하는 전압을 서로 달리 조절할 수 있게 된다.

이러한 이유로 생성되는 플라즈마(10)의 밀도를 조절할 수 있기 때문에 기판(5)상에 증착되는 다이아몬드 막의 두께를 조절하면서 증착할 수 있게 되고, 또한 원하는 두께의 막을 합성하는데 매우 자유롭게 조절이 가능하게 된다.

한편 이러한 본 발명의 이중구조의 음극(4')은 첨부한 도면 도 4 및 도 5에서 도시하고 있는 바와 같이, 상기한 원판형 음극(4)과 중공식 음극(4")으로 이루어지고 각각의 음극홀더(2),중공식 음극 홀더(2")에 설치되는 것이여서 동일한 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)를 통하여 동일한 용량의 전압을 공급하더라도 설치되는 위치를 기판(5)과 멀게하거나 가깝게 할 수 있다.

이러한 상기 원판형 음극(4)과 중공식 음극(4")을 기판(5)과 가지는 거리를 조절하는 것에 의하여 생성되는 플라즈마(10)의 밀도를 조절할 수 있기 때문에 기판(5)상에 증착되는 다이아몬드 막의 두께를 조절하면서 증착할 수 있게 된다.

결국 이러한 것은 원판형 음극(4)와 증공식 음극(4")에 인가되는 전압을 서로 다르게 해줌으로써 형성되는 플라스마(10)의 강도를 중앙부와 테두리에서 서로 다르게 조정할 수 있으므로 이에 따라 증착되는 다이아몬드 막의 증착속도 및 막질의 반경 방향의 분포를 자유롭게 조절할 수 있고, 또한 원판형 음극(4)과 중공식 음극(4")의 작용위치인 거리를 기판(5)로부터 임의로 조절할 수 있으므로 결국 형성되는 플라스마(10)의 강도를 중앙부와 테두리에서 서로 다르게 조정할 수 있으므로 이에 따라 증착되는 다이아몬드 막의 증착속도 및 막질의 반경 방향의 분포를 자유롭게 조절할 수 있게 되는 것이다.

이러한 본 발명에 있어서 상기의 각각의 원판형 음극(4) 및 중공식 음극(4")에는 모두 각각의 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)를 통하여 전원을 공급하기 때문에 용량이 큰 한개를 사용하지 않고 절반 정도의 것만 각각 사용할 수 있기 때문에 보다 제조가 어려운 큰 용량의 파워 서플라이를 사용하지 않아도 되는 잇점이 있다.

다시말해 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)의 용량이 100킬로와트(㎾ )이상의 것을 제조 하는 것은 여러가지 어려움이 따르는 반면에 약 50킬로와트(㎾)이하의 용량을 가지는 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)는 제작이 용이하기 때문에 그 만큼 제조상의 어려운 문제점을 해결할 수 있다.

이러한 본 발명은 다수개의 음극(4)을 진공조(1)에 배열하여 사용하는 것이므로 첨부한 도면 도 6에서 도시하고 있는 바와같이 배열형태에 따라서 원판형의 기판에 다이아몬드를 증착하는 경우에는 방사상으로 배열을 행함으로서 증착막의 두께를 일정하게 증착할 수 있고, 또한 한 개의 진공조(1)에서 동일하거나 서로 다른 직경의 다이아몬드 막을 여러개 동시에 만들 수 있는 방법이 가능하다면 더욱 경제적인 합성이 가능해질 뿐만 아니라 대면적 증착을 행할 수 있다.

이를 좀더 상세하게 첨부한 도면 도 7 및 도 8에 의거하여 살펴보기로 한다.

즉, 도 7의 경우에는 음극(4)을 방사상형태로 배열하여 생성되는각각의 플라즈마(10)가 서로 결합되는 상태로 생성시킴으로서 대면적의 증착을 유도할 수 있을 뿐만 아니라, 각 음극에 인가하는 전압의 크기를 임의로 조정함으로써 균일한 두께의 증착면(19)을 가질 수 있게 되는 장점을 갖게 되는것이다.

또한 도 8의 경우에서와 같이 음극(4)간의 거리를 띄워 설치함으로서 생성되는 각각의 플라즈마(10)가 각각 형성되게 함으로서 각각의 기판상에 각각 증착하게 함으로서 여러개의 서로 다른 증착면(20)을 증착시킬 수 있다.

또한 첨부한 도면 도 9에서 도시하고 있는 바와 같이 증착하고자 하는 기판이 볼록한 곡면기판(12)인 경우에도 본 발명에서는 다수개의 음극(4)을 진공조(1)에 배열하여 사용하는 것이므로 그 배열위치와 음극과 곡면 기판간의 거리를 자유롭게 조정함으로써 얼마든지 자유로운 곡면에 균일한 막두께를 갖거나 임의의 두께를 가지는 다이아몬드 막을 증착할 수 있다.

이러한 것은 곡면을 가진 곡면기판(12)의 상부에 복수개의 보다 작은 직경을 가지는 음극(4)이 기판 표면으로부터 일정 거리를 유지하며 배치함으로서 균일한 플라스마(10)를 형성하여 다양한 막질의 다이아몬드 막 합성이 가능하다.

한편 종래에는 음극(4)의 크기가 1센치미터(㎝) 이하로 매우 작았는데, 이것은 음극(4)의 온도가 2000 ℃ 이상으로 높아져서 생성되는 플라스마(10)가 수축하므로 음극(4)이 커지면 균일한 온도 유지가 불가능하였기 때문이다.

그러나 본 발명에서는 저온 음극을 사용하여 직경이 큰 음극에서도 균일한 온도유지가 가능하게 하고 있으므로 음극의 크기에는 제한이 없다.

그로나 너무 커지면 음극의 무게가 무거워짐에 따르는 여러 문제가 발생하는 문제점이 야기되므로 주의할 필요가 있다.

이러한 본 발명에 있어서도 상기한 복수개의 각각의 음극들은 원판형음극(4)과 이중 구조의 음극(4')을 혼용하여 사용할 수도 있다.

상기에서 언급하고 있는 바와 같이 본 발명에서는 진공조(1)에 다수의 음극, 예건데 다수의 원판형 음극(4) 또는 이중 구조의 음극(4')을 각각 설치하여 사용하거나 혼용하여 다수를 사용하며, 이때 이들 다수의 음극의 온도를 800∼1400℃ 사이의 낮은 온도로 유지하는 잇점이 있다.

반면, 종래의 기술에서는 음극의 온도를 2000℃ 이상으로 높게 하였으므로 플라스마가 수축하여 넓은 직경의 음극을 사용할 수 없었으므로 1㎝ 미만의 작은 크기의 음극만을 사용해야만 했다.

그러나, 본 발명에서는 다수의 음극을 사용하되, 각 음극의 온도가 800∼1400℃으로 낮게 유지되므로 플라스마가 수축되지 않고 각 음극의 직경과 동일한 크기의 큰 크기로 유지될수 있으므로 종래보다 훨씬 적은 수의 음극만으로 균일한 대면적 증착을 달성할 수 있다.

또한 본 발명은 진공조(1)에 다수의 음극, 예컨데 다수의 원판형 음극(4) 또는 이중 구조의 음극(4')을 각각 설치하여 사용하거나 혼용하여 다수를 사용하는것이므로 상기한 바와 같이 2인치(inch)이상되는 크기의 다수의 저온 음극에 SMPS(Switched Mode Power Supply)(7)를 사용할 수 있다.

이상 상기에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 진공조에 다수의 음극, 예건데 다수의 원판형 음극 또는 이중 구조의 음극을 각각 설치하여 사용하거나 혼용하여 다수를 사용함으로서, 이들 다수의 음극의 온도를 800∼1400℃ 사이인 낮은 온도로 유지할 수 있고, 또한 균일한 두께를 가지는 증착막을 가질 수있으며, 평판형 기판의 경우 플라스마의 강도를 부위별로 독립적으로 조절하여 막의 두께 및 막의 품질을 부위별로 다르게 조절하여 막의 균일성을 향상시킬 수 있으며 음극을 지나치게 크게하지 않으면서도 매우 큰 기판상에 균일한 다이아몬드 막을 증착 가능하며, 높은 전원(Power)가 요구되는 대면적 증착에 있어서도 대용량의 SMPS(Switched Mode Power Supply)를 사용하지 않고도 보다 제작이 쉬운 소용량의 SMPS(Switched Mode Power Supply)를 사용하여 대면적 증착을 행할 수 있으며, 한 개의 진공조내에서 동일 크기 또는 서로 다른 직경의 다이아몬드 막을 여러개 동시에 합성할 수 있는 매우 유용한 발명이 명백하다.

Claims (10)

1. 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법에 의하여 기판상에 다이아몬드 막을 합성함에 있어서,

   한개의 진공조내에 다수의 음극을 설치하고, 이 다수의 음극과 그 대향면에 설치되는 기판간에 공급되는 전원을 각각 별개의 SMPS(Switched Mode Power Supply)를 사용하여 다이마몬드 막을 합성하는 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 다수의 음극의 온도는 800-1400℃로 유지하는 저온 음극 방식인 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기의 다수의 음극이 원판형 음극만을 사용하거나 이중 구조의 음극을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법.
4. 제1항에 있어서,

   임의의 곡면 기판상에 다수의 저온 음극을 사용하여 각 음극의 전압크기나기판과 음극간의 거리를 조절하여 곡면상에 균일한 다이아몬드 막이나 원하는 임의의 두께 분포를 가지는 곡면의 다이아몬드 막을 합성하는 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법.
5. 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착방법에 의하여 기판상에 다이아몬드 막을 합성함에 있어서,

   한개의 진공조내에 다수의 음극을 설치하고, 이 다수의 음극과 그 대향면에 설치되는 기판간에 공급되는 전원을 각각 별개의 SMPS(Switched Mode Power Supply)를 사용하는 것에 의하여 얻어지는 것을 특징으로하는 다이아몬드 증착 합성물.
6. 한개의 진공조(1)내에 다수개의 음극홀더(2)를 설치하여 유수(3)에 의하여 냉각되도록 하고, 상기 각각의 음극홀더(2)의 저면에 음극(4)을 각각 장치하고, 상기 각각의 음극(4)에 대향하는 위치에는 수냉되는 장치대(5)를 설치하여 그 상부에 기판(6)을 위치시켜서 상기한 각각의 음극(4)에는 음극(-)을 기판(6)에는 양극(+)을 각각의 SMPS(Swich-Mode Power Supply)(7)를 통해 연결하여 전원(8)를 통해 인가되는 전력을 직류펄스 또는 직류전원을 공급받는 구조로 이루어진 것을 특징으로하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착장치.
7. 제6항에 있어서,

   상기의 다수의 음극이 원판형 음극(4)만을 사용하거나 이중 구조의 음극(4')을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 이중 구조의 음극(4')은 중공식 음극홀더(2")의 저면에 설치되는 중공식 음극(4")에 음극홀더(2)의 저면에 설치된 원판형 음극(4)이 내 삽입되는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착장치.
9. 제8항에 있어서,

   상기한 원판형 음극(4)과 중공식 음극(4")의 설치위치를 조정할 수 있는 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착장치.
10. 제6항내지 제9항중 어느 한항에 있어서,

    상기의 진공조(1)내에 설치되는 다수의 음극이 원판형 음극(4)이나 이중 구조의 음극(4')의 설치 간격을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 직류방전 플라즈마 화학증착 다이아몬드 막 증착장치.