TW505941B - Apparatus and method for treatment - Google Patents

Description

505941 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明爲關於利用電子射線源所發出電子射線處理被 處理物件的處理裝置及處理方法。 【先前技術】 目前所知對於金屬、玻璃、半導體晶圓，及其他材料 的被處理物件，有去除被處理物件表面所付著的有機污染 物質的淨洗處理，或在被處理物件表面形成氧化膜的氧化 膜形成處理，在進行蝕刻處理的方法，有電子射線處理、 紫外線處理、加工用氣體的特殊處理等多種方法。 然而需要對一個被處理物件進行複數種處理的情形亦 不少，例如由光源種類、處理室之環境等不同處理條件的 複數處理裝置分別進行不同處理時，實施每一處理均需移 動被處理物件，不但移動作業煩雜，還可能因移動作業而 污染被處理物件或降低處理效果之虞。 【發明所欲解決之課題】 本發明基於上述實況，對配置在處理室的被處理物件 ’提供可以進行電子射線處理等複數種處理的處理裝置。 本發明的其他目的爲提供使用此種處理裝置，有利地 實施指定處理的處理方法。 【用以解決課題之手段】 本發明的處理裝置，具有設置支持被處理物件的支撐 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 -4- 505941 A7 B7 五、發明説明（2) 構件之處理室，及設 被處理物件放出電子 室供給受到電子射線 機構爲其特徵。 上記處理裝置的 在該處理室向前記支撐構件所支持的 射線的電子射線源，及設在前記處理 的激發而放出紫外線的發光氣體供給 發光氣體至少由氨、気、氨、氪、氣 及氮氣之中選出一種爲宜。 在處理室設置對該處理室減壓的減 齊 ¥ % 1才 4 上記處理裝置中 壓機構爲宜。 上記處理裝置中，設置 電子射線量的檢測手段爲宜 上記處理裝置中，可構 體的加工用氣體供給機構， 刻用氣體或成膜用氣體中所 本發明的處理方法，是 之處理裝置，對配置被處理 由電子射線源所放出電子射 線，對前記被處理物件進行 本發明的處理方法，是 之處理裝置，對配置被處理 ，由受到電子射線源所放出 對前記被處理物件進行特殊 本發明的處理方法，是 之處理裝置，對配置被處理 加工用氣體，由電子射線源 檢測處理室內紫外線量及/或 成在處理 加工用氣 選出的一 使用設有 物件的處 線激發發 紫外線處 使用設有 物件的處 電子射線 處理爲其 使用設有 物件的處 所放出電 室設置 體爲淨 種爲宜 電子射 理室供 光氣體 理爲其 電子射 理室供 照射的 特徵。 電子射 理室供 子射線 供給加工用氣 洗用氣體、蝕 〇 線源的處理室 給發光氣體， 所產生的紫外 特徵。 線源的處理室 給加工用氣體 加工用氣體， 線源的處理室 給發光氣體及 激發發光氣體 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 装· 訂 -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 505941 A7 ___ B7_ 五、發明説明（3) 產生紫外線對前記被處理物件進行紫外線處理，及經受到 由電子射線源所放出電子射線照射的加工用氣體對前記被 處理物件的特殊處理，同時進行爲其特徵。 本發明的處理方法，在運轉電子射線源的同時，對配 置被處理物件的處理室供給發光氣體及/或加工用氣體， 由調整處理室的壓力，同時進行前記被處理物件的電子射 線處理，及以發光氣體受到電子射線源所發出電子射線的 激發產生的紫外線，對前記被處理物件進行紫外線處理及 /或受到電子射線源的電子射線之加工用氣體對前記被處 理物件同時進行特殊處理，爲其特徵。 【作用】 依照本發明的處理裝置，是由送至處理室的發光氣體 受電子射線發出紫外線，直接照射在被配置於處理室的被 處理物件，達成以高效率實施紫外線處理之目的。 在處理室設有減壓機構的構成時，可使處理室成爲減 壓狀態，供電子射線源所放出電子射線充分飛翔，以高效 率對被處理物件實施電子射線處理。 又可由減壓機構等調整處理室的壓力，以調整電子射 線量及紫外線量，可不需移動被處理物件，在同一處理室 同時或連續進行紫外線處理與電子射線處理。 又如處理室設有檢測紫外線量及/或電子射線量的檢 出手段時，可測定 處理室內的紫外線量及/或電子射線量，做爲控制處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

6- 505941 A7 ___ B7_ 五、發明説明（4) 理室內供應壓力及/或電子射線源用電流的依據，以確實 達成處理之目的。 依照本發明的處理方法，使用上記處理裝置，可分開 或同時並且以高效率達成對被處理物件進行電子射線處理 、.紫外線處理及加工用氣體的特殊處理。 又對被處理物件進行複數種處理時，不必移動被處理 物件，可同時或連續進行，因此可縮短處理時間，且獲得 有利之處理結果。 【發明之實施形態】 第1圖的剖面圖爲說明本發明處理裝置構成的一例。 此處理裝置10爲具有密封構成的處理室12，此處理 室1 2的下部，設有支持處理被處理物件1 5的試料台1 1 ’同時在其上部以相對於被處理物件1 5，設置具有電子 射線射出窗24的電子束管20所構成的電子射線源。 處理室1 2的一側壁1 2 1，設有發光氣體供給口 1 6 1， 在此發光氣體供給口 1 6 1設有對電子束管20的下方空間 (以下亦稱「反應空間」）供給受到電子射線即可發出紫 外線的發光氣體之發光氣體供給機構。 此發光氣體供給機構，是由連接在發光氣體供給口 161的發光氣體供給道，及連接在此發光氣體供給道162 ’位於處理室12外部的發光氣體供給源（圖中未予標示 )，及設在發光氣體供給道1 62，爲調整發光氣體供給量 的流量調整機構163所構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 505941 A7 ____B7_ _ 五、發明説明（5) 發光氣體只要是受到電子射線產生紫外線即可，並不 加以限制，例如可由氦、氖、氬、氪、氙或氮氣中選出一 種以上使用，使用氦氣或氖氣時，可獲得波長1〇〇nm以 下的紫外線。 又處理室1 2的另一側壁1 22，設有加工用氣體供給 口 1 7 1，此加工用氣體供給口丨7丨設有供給加工用氣體至 反應空間的加工用氣體供給機構。 此加工用氣體供給機構，是由連接在加工用氣體供給 口 1 7 1的加工用氣體供給道1 72，及連接在此加工用氣體 供給道1 7 2，位於處理室1 2外部的加工用氣體供給源（ 圖中未予標示），及設在加工用氣體供給道172，調整加 工用氣體供給量的流量調整機構1 73所構成。 此處所謂「加工用氣體」，爲受到電子射線即活化或 分解而產生活性種的氣體，也就是指藉由此活性種對被處 理物件1 5進行淨洗處理、蝕刻處理、成膜處理等特殊處 理的氣體，此處所謂「特殊處理」，是指電子射線處理及 紫外線處理以外的處理。 加工用氣體，是依其特殊處理目的加以選擇，例如可 £ ^ 由淨洗用氣體、蝕刻用氣體或成膜用氣體中選擇一種使用

I D ^ 淨洗用氣體的具體例，有氧氣、氫氣等。 ^ 蝕刻用氣體的具體例，有氯、氟、溴及含有這些化合 > 物的鹵素氣體，CF4、CHF3、CC14、CHC13 等。 ί 成膜用氣體的具體例，有二氯矽烷及氨氣、SiH4、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ . 辦衣 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 505941 A7 B7 五、發明説明（6)

SiH2C12、SiC14 等。 再以此處理裝置1 0中，處理室1 2的一側壁1 2丨，在 低於支持被處理物1 5的位置，形成排氣口 1 8丨，在此排 氣口 1 8 1設有減壓機構。 此減壓機構，是由連接在排氣口 1 8 1的排氣道丨8 2， 及連接在此排氣道182，位於處理室12外部的減!^手|受 (圖中未予標不），及設在排氣道182的減壓|周整機構 183所構成。 此處理裝置10的處理室1 2上部，設有檢出電子射線 量的電子射線量檢側手段1 9 1及檢出紫外線量的紫外線量 檢測手段1 92，這些檢測手段1 9 1、1 92所測取電子射線 量及紫外線量的資料信號均供給控制手段30。 這種檢測手段1 9 1、1 9 2，可使用光二極體的問爍計 等，此種閃爍計可分別檢測出電子射線量及紫外線量。 構成電子射線源的電子束管2 0，是由設有蓋構件2 2 堵塞前方（圖中之下方）開口的真空容器21，及設在此 真空容器21內部的電子束發生器25所構成，電子束射出 窗24是形成於真空容器21的蓋構件22，供電子束發生 器25的電子束對準處理室1 2的反應空間加以配置。 上記構成的備有電子束發生器25的電子束管20，在 供給電流時會產生熱電子，此熱電子經電場形成電極（圖 中未予標示）作用，被推向前以電子束放出，由真空容器 21的電子束射出窗24射出。 使用上記處理裝置，對被處理物件1 5進行以下複數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 線 -9- 505941 A7 B7 五、發明説明（7) 種處理。 (1) 電子射線處理 運轉減壓機構將處理室1 2保持在一定減壓狀態，然 後起動電子束管20時，因電子束管20的電子射線可直接 照射在被處理物件15，如此可進行被處理物件1 5的電子 射線處理。由於處理室1 2內爲減壓狀態，可使電子束管 20所產生的電子射線以充分強度照射在被處理物件1 5， 可獲高處理效率。 如設定電子束管20的射出窗24與被處理物件15間 的距離爲6 0mm，處理室12內的壓力爲13.3 Pa，電子束管 20的加速電壓爲50kV時，被處理物件15所受單位時間 的電子射線照射量可達10// C/ ( cm2 · sec)，對於塗布 l〇//m厚度保護膜的15 0mm直徑圓板狀矽晶圓，可在 40sec的處理時間即可完成電子射線處理。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- 訂 線 505941 A7 ___ B7 五、發明説明（8) 46.6Pa，電子束管20的加速電壓爲50kV時，被處理物件 15所受單位時間的紫外線量可達〇.5rnW/ ( cm2 · sec )， 可對直徑150mm具有10// m厚度的紫外線保護膜圓板狀 矽晶圓進行紫外線處理。 (3)特殊處理 以加工用氣體供給機構供給加工用氣體，同時以流量 調整機構1 73將處理室1 2內的加工用氣體保持在定壓狀 態下，起動電子束管20時，受到由電子束管20的電子射 線的加工用氣體因活化或分解而產生活性種，以此活性種 對被處理物件1 5進行特殊處理。 具體而言，如使用含有氟、溴或氯等鹵素化合物的触 刻用氣體爲加工用氣體時，受到由電子束管20的電子射 線的鹵素化合物會產生鹵素離子或鹵素化合物的離子，以 此活性種，可進行如矽晶圓的蝕刻處理。 如設定電子束管20的射出窗24與被處理物件1 5間 的距離爲60mm，處理室12內的壓力爲27 Pa，電子束管 20的加速電壓爲50kV時，可對直徑150mm具有0.1 μ m 厚度的矽膜圓板狀矽晶圓進行蝕刻處理。 又如使用成膜用氣體爲加工用氣體時，成膜用氣體受 到由電子束管20的電子射線會電離而產生活性種，以此 可對被處理物件1 5進行成膜處理。 如設定電子束管20的射出窗24與被處理物件1 5間 的距離爲60mm，加工用氣體爲二氯矽烷及氨氣，處理室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I 辦衣 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 505941 A7 ___ B7_ 五、發明説明（9) 12內的壓力爲66Pa，電子束管的加速電壓爲50kV時，可 在140〇sec的處理時間內，在矽晶圓表面形成厚度0.2// m 的氮化矽（Si3N4 )膜。 (4)紫外線處理及特殊處理同時進行的並行處理 以發光氣體供給機構供給發光氣體，同時以加工用氣 體供給機構供給加工用氣體，並將處理室1 2的氣體保持 在定壓環境下，起動電子束管20時，受到由電子束管2〇 的一部分電子射線激發發光氣體而放出紫外線，同時受到 其他一部分電子射線的加工用氣體被活化或分解而產生活 性種，對被處理物件1 5進行由紫外線的紫外線處理及由 活性種的特殊處理同時進行的並行處理。 具體而言，如使用氬氣爲發光氣體，氧氣爲加工用氣 體時，氬氣受電子射線的激發而放出紫外線，由此紫外線 的一部分進行紫外線處理，同時由其他一部分紫外線與氧 氣的一部分反應產生臭氧，由此臭氧進行淨洗處理（特殊 處理）。另一方面，其他氧氣的一部分，受電子射線產生 臭氧’此臭氧亦可用以進行被處理物件15的淨洗處理（ 特殊處理）。 如設定電子束管20的射出窗24與被處理物件1 5間 的距離爲60mm，氬氣壓力爲53.2kPa，氧氣壓力爲i33Pa ，電子束管的加速電壓爲50kV時，可在50sec的處理時 間，對直徑150mm圓板狀矽晶圓上的有機污染物質，同 時進行紫外線處理與淨洗處理的並行處理。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

12- 505941 A7 B7 五、發明説明（10) (5)紫外線處理或特殊處理及電子射線處理同時進行的同 時處理 以發光氣體供給機構供給發光氣體，依需要而起動減 壓機構調整處理室12內的發光氣體壓力，將處理室12的 發光氣體保持在定壓狀態下運轉電子束管20，可實現以 電子束管2 0的一部分電子射線照射被處理物件1 5的條件 〇 換S之’如弟2圖所不，處理室12內的氣氣（發光 氣體）在低壓狀態，如0.53kPa以下時，只有電子射線的 照射，紫外線的照射量實質上等於零，但是繼續運轉電子 束管20的狀態下，將處理室1 2內的氙氣（發光氣體）壓 力由低壓狀態逐漸昇高時，對於（照射在）被處理物件 15的電子射線量如曲線A所示，超過0.53kPa後逐漸減少 ，到達10kPa附近急驟減少，而在46kPa實質上降爲零， 對於（照射在）被處理物件1 5的紫外線量如曲線B所示 ’超過0.5 3kPa後大幅增加。原因爲電子射線被氙氣所吸 收放出紫外線。直到處理室12內的氙氣壓力超過46kPa 後’只有紫外線的照射。第2圖中的紫外線量及電子射線 量，分別以各高峰値的相對値加以表示。 又第3圖是使用氬氣爲發光氣體外，其他條件與第2 圖相同的曲線圖，此時，處理室12內的鐘<氣壓力在 1〜8 9 k P a時爲可獲得電子射線與紫外線領域的壓力狀態。 如上所述，調整處理室12內的發光氣體壓力，可實 現獲得電子射線或紫外線的壓力狀態，也可實現獲得電子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-13- .σ 505941 A 7 _____ B7 _ 五、發明説明（11) 射線與紫外線兩者的壓力狀態。因此可將處理室1 2內形 成電子射線與紫外線兩者可共存的壓力狀態，對被處理物 件1 5，同時進行電子射線的電子射線處理與紫外線的紫 外線處理之「同時處理」。 如設定電子束管20的射出窗24與被處理物件1 5間 的距離爲60mm，發光氣體爲氙氣，處理室12內的壓力爲 13.3kPa，電子束管20的加速電壓爲501^時，被處理物 件15所受單位時間的電子射線照射量可達5 // C/ ( cm2 · sec )，單位時間的紫外線照射量可達5 // W/ ( cm2 · sec ) ，可對直徑1 50mm圓板狀矽晶圓上的1 0 // m厚度保護膜 ，在1 600 sec的處理時間內，同時進行紫外線處理與電子 射線處理的「同時處理」。 依照這種處理方法，可在同一處理室12，以紫外線 處理被處理物件1 5的表層部分，同時電子射線可透入被 處理物件1 5內部，能以大深度處理被處理物件1 5，因此 ，能以高效率進行指定的處理。 又，以檢測手段1 9測定處理室1 2內的紫外線量及電 子射線量，比如調整電子射線量強度及氣體的壓力可將處 理室1 2內的紫外線量及電子射線量加以精確控制，因此 ，可調整紫外線處理及電子線處理的程度。 又，以加工用氣體取代發光氣體時，亦可同樣，對被 處理物件1 5，同時進行特殊處理與電子射線處理的「同 時處理」。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I 批衣 I —訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -14 - 505941 A7 _____B7___ 五、發明説明（12) (6)異種處理的連續處理 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上記（1 )〜（5 )的處理，可不需移動被處理物件15 ’在共用的處理室1 2連續進行。以下就進行電子射線處 理的一次處理後，連續進行紫外線處理及特殊處理並行的 二次處理，加以說明。 運轉減壓.機構將處理室1 2保持在一定減壓狀態下， 起動電子束管20，由電子束管20的電子射線直接照射在 被處理物件1 5，如此，對被處理物件1 5進行以電子射線 處理的第1次處理。 然後，以發光氣體供給機構開始供給發光氣體，同時 以加工用氣體供給機構開始供給加工用氣體，將處理室 12的氣體保持在一定壓力環境下，起動電子束管20時， 受到由電子束管20的一部分電子射線激發發光氣體而放 出紫外線，同時受到其他一部分電子射線的加工用氣體被 活化或分解而產生活性種，對被處理物件1 5同時進行以 紫外線的紫外線處理及以活性種的特殊處理的並行處理。 具體而言，如使用氬氣爲發光氣體，氧氣爲加工用氣 體時，以氬氣所放出紫外線的一部分進行紫外線處理，同 時由其他一部分紫外線與氧氣的一部分反應產生臭氧，由 此臭氧進行淨洗處理（特殊處理）。另外，其他氧氣的一 部分，受電子射線產生臭氧，此臭氧亦可用以進行被處理 物件15的淨洗處理（特殊處理）。 如設定電子束管20的射出窗24與被處理物件15間 的距離爲60mm，電子束管20的加速電壓爲50kV，一次 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -15- 505941 A7 _B7_ 五、發明説明（13) 處理時的處理室12內的壓力爲13.3 Pa，二次處理時的氬 氣壓力爲53.2kPa，氧氣壓力爲l33Pa時，比如可對直徑 15 0mm具有10// m厚度保護膜的圓板狀矽晶圓，同時連 續進行電子射線處理的第一次處理，及紫外線處理及淨洗 處理（特殊處理）並行處理的第二次處理。 這種處理方法，可由第一次的電子射線處理進行被處 理物件1 5深部的處理，同時可在同一處理室1 2，連續進 行臭氧處理及紫外線處理的第二次處理，不必移動被處理 物件1 5，以高處理效率進行指定的處理。 對被處理物件1 5進行連續處理時，其處理的種類（ 組合）、處理數量及處理順序，不加以限制，可適當地加 以選擇。 如上所記，上記處理裝置1 0，備有電子束管20、發 光氣體供給機構、加工用氣體供給機構及減壓機構，所以 不必移動被處理物件可在同一處理室1 2進行複數處理。 就是，調整發光氣體供給機構、加工用氣體供給機構及減 壓機構調整處理室1 2內的壓力，獲得所要求壓力狀態， 例如可獲得電子射線或紫外線任一種的壓力狀態或獲得電 子射線及紫外線兩者的壓力狀態，分別或同時實施電子射 線處理、紫外線處理及加工用氣體的特殊處理。 以上，就本發明的具體實施例加以說明，但本發明並 不限定於上記各例，對各部的具體構成可加各種變更。 (1)支持被處理物件的支撐構件，可依被處理物件改 爲適宜的構成進而裝設旋轉機構、加熱機構、或昇降機構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 -16- 505941 A7 B7 五、發明説明（14) 等亦可。又，裝設加熱處理室本體的加熱機構亦可。 (2) 電子射線源’只要能發出電子射線，並不限定於 電子光束管。 (3) 不需同時設置紫外線量檢測手段及電子射線量檢 測手段，依被處理物件的需求，可只設任一檢測手段。 【發明之效果】 依照本發明的處理裝置，是由送至處理室的發光氣體 受電子射線放出紫外線，直接照射在被配置在處理室的被 處理物件，以高效率實施紫外線處理之目的。 在處理室設有減壓機構的構成時，可使處理室成爲減 壓狀態，供電子射線源所放出電子射線充分飛翔，以高效 率對被處理物件實施電子射線處理。 又由減壓機構等調整處理室的壓力，可調整電子射線 量及紫外線量，所以可在同一處理室，不需移動被處理物 件’同時或連續進行紫外線處理與電子射線處理。 又如’處理室設有檢測紫外線量及/或電子射線量檢 出手段的構成時，可測定處理室內紫外線量及/或電子射 線量，做爲控制處理室內供應壓力及/或電子射線源用電 流的依據，以確實達成處理之目的。 依照本發明的處理方法，使用上記處理裝置，可個別 或同時並且以高效率實施對被處理物件進行電子射線處理 、紫外線處理及加工用氣體的特殊處理。 又，對被處理物件進行複數種處理時，不需移動被處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

T -17- 505941 A7 B7 五、發明説明（15) 理物件，可同時或連續進行各種處理，所以可縮短處理時 間，且獲得有利之處理結果。 【圖面之簡要說明】 【第1圖】說明本發明處理裝置構成例之一的剖面圖 〇 【第2圖】以氙氣爲發光氣體時之處理室壓力與處理 室電子射線量及紫外線量關係之特性曲線圖。 【第3圖】以氬氣爲發光氣體時之處理室壓力與處理 室電子射線量及紫外線量關係之特性曲線圖。 【圖號說明】 I 0 :處理裝置 II :試料台（支撐構件） 1 2 :處理室 121、122 :側壁 1 5 :被處理物件 1 6 1 :發光氣體供給口 162 :發光氣體供給道 163 :流量調整機構 1 7 1 :加工用氣體供給口 172 :加工用氣體供給道 173 :流量調整機構 1 8 1 :排氣口 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 線 -18- 505941 A7 B7 五、發明説明（16) 機 整 道調 氣壓 排減 量檢 線量 射線 子外 電紫 段 手段 測手 構檢測 ο 2 真蓋電電控 子空構 管器 束容 件 窗器 出生 射發 束束 光光 線線段 射 射 手 子子制 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 _ V-Lr VJr、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -19-

Claims (1)

1. 505941 7(^ .補充丨 六、申請專利範圍 第901 18085號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年8月19曰修正 1·一種處理裝置，其特徵爲：該處理裝置係由支持被 處理物件的支撐構件之處理室，及設在該處理室向前記支 撐構件所支持被處理物件放出電子射線之電子射線源，及 設在前記處理室供給受到電子射線之激發而發出紫外線之 發光氣體的發光氣體供給機構所組成。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中發 光氣體至少由氦、氖、氬、氪、氙及氮氣之中選出一種。 3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之處理裝置，其 中在處理室設有對該處理室減壓之減壓機構。 4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之處理裝置，其 中設有檢測處理室內紫外線量及/或電子射線量之檢測手 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之處理裝置，其 中在處理室設置供給加工用氣體之加工用氣體供給機構。 6. 如申請專利範圍第5項所記載之處理裝置，其中加 工用氣體爲淨洗用氣體、蝕刻用氣體或成膜用氣體中所選 出之一種。 7. —種處理方法，其特徵爲：使用設有電子射線源之 處理室的處理裝置，對配置被處理物件之處理室供給發光 氣體，由電子射線源所放出電子射線激發發光氣體所產生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " ： 505941 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 之紫外線對前記被處理物件進行紫外線處理。 8.—種處理方法，其特徵爲：使用設有電子射線源之 處理室的處理裝置，對配置被處理物件之處理室供給加工 用氣體，由受到電子射線源所放出電子射線照射之加工用 氣體，對前記被處理物件進行特殊處理。 9·一種處理方法，其特徵爲：使用設有電子射線源之 處理室的處理裝置，對配置被處理物件之處理室供給發光 氣體及加工用氣體，由電子射線源所放出電子射線激發發 光氣體產生之紫外線對前記被處理物件進行紫外線處理， 及受到由電子射線源所放出電子射線照射之加工用氣體對 前記被處理物件同時進行的特殊處理。 10·—種處理方法，其特徵爲：使用設有電子射線源 之處理室的處理裝置’在運轉電子射線源的同時，對配置 被處理物件之處理室供給發光氣體及/或加工用氣體，由 調整處理室之壓力，同時進行前記被處理物件之電子射線 處理’及發光氣體受到電子射線源所發出電子射線的激發 產生之紫外線對前記被處理物件進行紫外線處理及/或受 到電子射線源的電子射線照射之加工用氣體對前記被處理 物件同時進行的特殊處理。 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2-