TW503450B - Lamp based scanning rapid thermal processing - Google Patents
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Description
503450 A： B7 經 濟 部 智 慧 导才 產 局 消 費 合 社 印 製 五、發明說明（2 ) 係不一致且不能單獨地控制。因此，溫度之起伏發生於晶 片之表面上，那可能造成晶體缺陷以及在高溫（例如，1〇⑽ t：)時晶片内之滑脫斷層。 對以自素燈為基礎之系統之缺點之一特殊解決方法係 透露於美國專利案第5,893,952號中。在952號專利案中， 一種裝置係經說明利用由一高瓦特數雷射所產生之電磁幅 射之狹帶光束供晶片之快速熱處理用。此光束係通過一薄 吸收膜而，導引至晶片處，此薄膜大體上自此光束吸收所有 能量，它依序地對晶片幅射熱。不幸地是上述裝置有某些 限制和缺點。例如，此薄膜之厚度必須精確地被測定。如 果薄膜係太薄時，自光束之能量可能直接地傳送至晶片， 或者，如果此薄膜係太厚時，則此薄膜可能不能足夠快速 地加熱供快速熱處理用。一薄膜必須.使用者，它不會過時 地減能，以及當加熱時必須不濺散，不起氣泡，或除氣， 否則不均勻之吸收將會產生。因為置於此吸收薄膜上之要 求，故用於此一薄膜之材料係有限制。其結果，同一RTp 裝置可能會不同地及不可預期地加熱此晶片，那將浪廢時 間和物料兩者。 為上述原因，吾人所須要者係一種裝置，系統，和方 法用以在快速熱處理中均勾且可控制地加熱—半導體晶片 之表面。 本發明概述 本發明提供一種裝置，系蛴，知士 i m 亍'玩和方法，.用以在處理中 均勻地並可控制地加熱一半導骷a 卞守肢日日片之有效表面。本發明 家標準（CNS)A_4·^各（21〇 χ 挪么㈤ (請先閱汸背面之;!.*事項再填寫本頁) 503450
五、發明說明（3 ) 可包括一掃瞄器總成，它係可操作以掃瞄在一單一半導體 晶片上面。一如詳細地說明如下文者，一幅射能源係經提 供在此封閉之掃瞄器總成之主體以内。此幅射能源可以由 一可反射/可吸收之表面所圍繞，它反射並吸收自能源所放 射之幅射兩者，因此該產生之能量輸出如由此晶片所見者 係沒有不均勻性。此反射之能量係通過掃瞄器總成内之一 開縫所導引。有利地是此能量之狹帶容許此掃瞄器總成之 逸出者係均勻地掃瞄於晶片之上面以加熱僅此晶片表面之 有效層。因為此光束係均句地在晶片之直徑上面，故沒有 重疊加熱部分。 在本發明之一觀點中，一裝置係經提供用以快速熱處 理一晶片。此裝置包括一幅射能源，適當地為一無燈絲燈。 此裝置另包括一掃瞄總成可操作以掃瞄一幅射能量之光來 橫越一晶片之表面。此幅射能量係用來加熱此晶片之一有 效層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明之另一觀點中，一種裝置用於一半導體晶片 之快速熱處理者係經提供。此裝置包括一外殼它界定一反 射至。在反射室以内係經配置一幅射能源。要讓至少一部 分之幅射能量來逸出此反射室，一幅射出口通道係亦經提 供。亦提供者係-掃描H，它係可操作以掃猫自反射室所 逸出之幅射能量橫越-晶片之表面以加熱此晶片之有效 層。 在亦為本發明之另-觀點中，一種方法係經提供用於 -半導體晶片之快速熱處理。此方法包括提供—幅射能 503450 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（4 源’以及掃描一半導體晶片以此幅射能量之一狹帶以昇高 此半導體晶片之有效層之溫度。 因為本發明之掃瞄RTP系統係經設計以僅加熱晶片表 面之有效區域，故此程序係有利地用於内植退火應用，諸 如淺接面，超淺接面，以及源汲退火。此掃錨RTP系統亦 可以有效地使用於熱施體消滅，重結晶，以及H2退火。此 外’由於半導體晶片之大部分體積不須要在加熱處理中被 加熱，故由此RTP系統所使用之電量可以減少至少於 50kWh ’適當地，少於i〇kwh。同樣地，掃瞄時間，以及 因而處理時間，由於僅此晶片之有效表面係被加熱而可以 減短。 本發明之此等及其他特性和優點，自下文關聯附圖所 展示之較佳具體例之詳細說明將更易於顯明。 圖式之簡要說明 第1A和1B圖係分別地為一半導體晶片處理系統之一 具體例之側視圖和俯視圖之示意性說明，此系統建立本發 明之一具代表性之環境； 第2 A圖係依照本發明之原理之_ R τ p反應器系統之簡 化之說明； 第2B圖係依照本發明之另一具體例之—㈣反應器系 統之簡化之說明； 第2C圖係依照本發明之一可供選擇具體例之RTp反應 器系統之簡化之說明；
^--------^---------^ (tt先閱tt背面之;i急事項再填寫本頁) 503450 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 ----------------五、發明說明（5 ) 層之簡化之說明； 第3圖係依照本發明之一幅射室之具體例之一簡化— 說明；以及 、 第4圖係本發明之另一具體例之簡化說明。 第1A和1B圖係分別地為一半導體晶片處理系統I 〇之 一具體例之一側視和俯視圖之示意性說明，此系統建立本 發明之一代表性環境。此代表性系統係完整地透露於待審 核之美國專利申請案第〇9/451，677號中，於1999年十一月 卅曰所提出者，為所有目的，該案内容係引介入本文作為 參考。處理系統ίο包括一裝載站12、它有多個平檯14用以 支承及移動一晶片匣16向上並進入裝載鎖定裝置18内。晶 片匣16可以是一可移動匣之係被裝載入一平檯14内者，要 就是以手動或者以自動導引工具（ACV)。晶片匣亦可以是 一種固定匣，在該情況下晶片係利用傳統式氣壓機器人或 裝載為（圖中未顯示）而裝於匣16上。一旦晶片匣16係在裝 載鎖定裝置1 8裡面時，此裝載鎖定裝置丨8和轉移室2〇係保 持於氣壓狀態，或者利用一泵50唧升至真空壓力。轉移室 -0以内機器人22朝向裝載鎖定裝置18轉動並自匡16拾取 一晶片24。一反應器或熱處理室26，它亦可以是大氣壓力 或真空下者，通過一閘闊3〇自機器人22接收晶片24。選擇 性地，附加反應器亦可添加至此系統，例如，反應器28。 機器人22隨後縮回’以及後續地閘閥30閉合以開始此晶片 24之處理。晶片24係已被處理之後，閘閥30張開以容許機 器人22來拾取並放置晶片24進入冷卻站60内。冷卻站60可 (請先^讀背面之;i音心事 — --- 項本頁) -1· I n . 1^7· 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 503450 Α7 Β7 經'濟部智慧財產局員工消費合作社印製
五、發明說明（6 ) 讓新近處理之晶片，它可能有溫度高至100度c者，在其係 放回入裝載鎖定裝置18中之晶片匣内以前被冷卻。 依照本發明，反應器26和28將RTP反應器，諸如那些 經使用於熱退火，摻雜劑擴散，熱氧化，氮化，化學汽相 澱積以及類似處理中者。反應器26和28通常係水平向地放 置，不過在一較佳具體例中，反應器26和28係垂直向地放 置；（亦即’一個堆置於另一個上面），以將由系統丨〇所佔 用面積減至最小。反應器26和28係以螺栓固定於轉移室2〇 上’並係另由一支承樑框32所支承。處理氣體，冷卻劑， 以及電連接裝置，可以使用接面34通過反應器之後面提供。 第2A圖係依照本發明之原理之RTp系統4〇之一具體例 之δ兒明。在此一具體例中，反應器系統40包括一處理室1 〇2 和知為益總成200。掃描器總成200可以靠近處理室1 〇2 定置，因此在操作中此掃瞄器總成可以使其能適當地掃瞄 室内所放置之晶片。 在一較佳具體例中，處理室丨02可包括一終端封閉管 103，界定一内部腔穴104。管ι〇3以内係晶片支承柱1〇6 , 典型地有二個（其中兩個係經顯示於圖内）以支承一單一晶 片108。一開口或孔（圖中未顯示）在管1〇3之一端，為晶片 1 〇 8在其處理刖後之裝卸提供通路。此孔可以是一較小開 口’但大得足夠以容納大約〇·5至0.8亳米厚之間並大至3〇〇 毫米（〜12吋）直徑之一晶片，以及機器人22之效用器之臂及 終端。適當地，此孔係不大於大約18毫米和22毫米之間， 適當地為20毫来。此較小孔之尺寸有助於減少幅射 自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） •-------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . ‘ -線- 9 503450 A7 1 - B< _ 五、發明說明（7 ) 管103之耗失。 因為晶片108係利用機器人22裝載及卸載，故管1〇3不 須要内部移動部分來定置晶片1 〇8，諸如昇降銷，致動器及 類似裝置。因此，官103可以以一最小内部容積一包圍晶片 108來建造。在一較佳具體例中，此内部腔内1〇4之容積通 常係不大於大約5000立方公分，以及恰當地此容積係不大 於大約3000 cm3。依此，小管容積可讓反應器系統4〇成為 更小地形成，以及其結果，系統1〇可以做成得更小，須要 較少地面空間。適當地，管丨03係以透明石英或類似物質形 成。 第2A圖亦說明掃瞄器總成2〇〇 ,它可能與一幅射能源 202相關聯地使用以提供半導體晶片1〇8之快速熱處理。掃 瞄為總成200包括一外殼216，它支承一致動器2〇4，一反射 室212,以及一幅射出口通道2U。外殼216之外體積係因應 用而確定。例如，外殼216之長度可能是至少大如，或更大 於晶片108之真徑。 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 致動器204提供一傳統式方法用以使掃瞄器總成2〇〇可 操作以掃瞄晶片108。致動器204可以經構形以提供一向前 向後之掃瞄運動、如在第2A圖中由箭頭206和208沿著管 103之掃描長度所指示者。致動器2〇4可包括，但不限於， 傳統式驅動器及運動轉移機構，諸如線性馬達，步進式馬 達，液壓驅動裝置，以及類似者，以及齒輪，滑車，鏈， 以及類似物。 在第2A圖内所示具體例中，掃瞄器總成200可以安裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 10 503450 五、發明說明（8 ) 在處理室102和管1〇3兩者之外面。掃瞄器總成200係定置於 一光學窗口210之上面，此窗口係沿著室1〇2之掃猫長度而 提供（亦即，至少大如晶片1〇8之直徑），以容許自外殼216 所放射之幅射能量進入管103並衝擊在晶片1〇8上。在第2β 圖内所示另一可供選擇具體例中，掃睇器總成2〇〇a之掃瞄 運動可以發生在處理室l〇2x之内部發生，但在管i〇3a之外 W。掃猫為總成200a係定置在光學窗口 2i〇a之上面，形成 於官103a上沿著掃瞄長度（亦即，至少大如晶片1〇8之直徑） 以容許自外殼216a所放射之幅射能量進入管l〇3a内並衝擊 在晶片108上。 在亦為另一具體例中，第2C圖内所示，掃瞄器總成 200b可以安裝在處理室1〇2b之外面，沒有處理管。在此一 具體例中掃瞄器總成2〇〇b係定置在光學窗口 21卟之上面， 它係沿著室102b之掃瞄長度而提供者（亦即，至少大如晶片 1〇8之直徑），以容許自外殼216b所放射之幅射能量來衝擊 晶片108上。 光學窗口 210(或2 10a)可以用任何材料製成，而此材料 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可以讓幅射能量之傳送者，適當此為石彡。窗口21〇可以有 大約1和大約5毫米之間之厚度，以及一直徑至少大如或較 大於晶片108。 知晦器總成是否係定置於管之内面抑或外面，晶片之 表面和掃㈣總成之間之距離’如間隙213在第2A圖中所 指示者’應該是不大於大約50毫米，$當地在大約1〇毫米 和25毫米之間。較小間隙213確保橫越晶片⑽之溫度分布 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 11 503450 A： —— B/ _ 五、發明說明（9 ) 之適當控制係可以保持。一較大間隙213可能造成某些幅射 能量在其衝擊晶片108上之前被逸出。 如另在第2A圖中所說明者，反射室2丨2和幅射出口通 逞214係配置在外殼216以内。幅射源2〇2係配置在反射室 212以内。典型地如此定置，即大體上所有寬帶幅射線經容 許來衝擊在室之一内表面218上。在一具體例中，幅射能源 2〇2可以是一高強度燈之一類型傳統上使用於燈加熱操作 中者在較佳具體例中，幅射能源202係一無燈絲燈，諸 如一 Xe電弧燈。典型地，用於本發明之適當燈2〇2之電力 須求係大約500瓦和50千瓦之間。 自燈202所放射之能量衝擊在室212之内表面218上者 係某一波長之高度可反射並可吸收或其他之非可反射者。 在一具體例中，表面218係經敷塗以-物質之有此反射/吸 收特性者，例如，表面218可以敷塗以金或銀，此處銀係另 敷塗以保護塗層，諸如SiN或任何透明塗層之可以制止銀 之氧化者。適當地，此塗層有效地反射少於卯如⑴之波長， 以產生一大約9〇〇nm和大約2〇〇nm之間之平均波長。 至212，可以形成為任何適當之幾何形狀。例如，如第 圖内所示，室212可以是一圓形室。在圖形室212中，高 i可以水焦於至212之中央處並朝向輻射出口通道214導 弓卜如下文所說明者。在此一範例中，幅射能源2〇2可以離 12之中大以確保泫聚焦之光能不會遇熱能源202。第3 :顯示室212之另一可供選擇範例，它可以形成為一橢圓形 室。擴圓形室212可以有兩個聚焦點。能源2〇2可以定置在 本紙張尺度_ ^"iiF(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先^^背面之1意事項再^^本頁) 1^1· --線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 503450
五、發明說明（10 第一焦點203，因此，該光能係聚焦在第二焦點205，並導 引至幅射出口通道214。 再參看第2A圖，自室212逸出之狹帶能量通過幅射出 口通這214 °幅射出°通道214可以是大約5毫米至20毫米 長，適*地大約10毫米長，以適當地導引此幅射能量沿著 此理想之路線。幅射出口通道214有一開口或開縫222形成 於通道之終端上，它可讓一幅射能之光束逸出外殼 216。開縫222係經設計以構形光束22〇如所要求者，因此， 該能量之光量可以被聚焦於晶片1〇8上。在一較佳具體例 中，開縫222可以是一長方形開口，它伸展掃瞄器總成200 之長度，並係大如，或較大於晶片1〇8之直徑。開口之大小 應該是小得足夠轉能量減至最小，這些能量在開縫開口 處自然地擴展。因此，開縫222可以有一寬度在大約丨毫米 和10¾米之間，適當地為2毫米。當光束222係掃瞄在晶片 108上面4，一均勻之溫度分布係橫越此晶片之表面產 生’它加熱晶片之有效層224。 現在參看第2A和2D圖，有效層或設計層224係晶片1〇8 之一部分，它自晶片1〇8之表面223伸展向下至表面以下之 冰度α。此深度α典型地係在大約〇 〇5毫米和！毫米之 間，但將隨處理及設計特徵尺寸而變化。有效層224在半導 體製造工業中係眾所熟知為晶片之部分其中半導體裝置係 I形成者，諸如電晶體、二極體、電阻器、以及電容器。 應予瞭解者，即有效層係被加熱之溫度係掃瞄器總成 越晶片1〇8移動之速度和供應至燈2〇2之電力兩者間之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝— 請先¾讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- •線 經濟部智:β財產局員工消費合作社印製 13 503450
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關係之作用。在一範例性具體例中，有效層224之溫度可在 大約500。〇至大約12〇〇。(：之間之範圍。要達到此等溫度，掃 瞄速度可以500瓦至50千瓦之電功率在大約每秒！亳米至大 約每秒10毫米之間變化。掃瞄速度愈慢，所須電力愈少。 在一具體例中，晶片1 〇8可以預熱，例如，至大約3〇〇艺， 如此’該有效層224之處理在高溫處開始，它將縮短處理時 間並節省能量。 利用反應器系統40加熱有效層224增大有效層224之擴 政速度和溶解能力。因此，一淺滲雜區可以在有效層224 内產生。滲雜此有效層包括掃瞄有效層224至一處理溫度， 例如，自大約500X：至大約1200°C之間，於一滲雜化合物之 環境中’諸如硼，鱗，氮，砷，B2116，PH3，N20，NO， ASH3以及NH3。化合物之濃度可在以一載體氣體為準自大 約0.1 %至大約100%之範圍，此等氣體諸如H2，N2和Oz或 一非反應性氣體之諸如氬或氦者。化合物之較高濃度可以 加速苓雜處理及/或增大有效層以内之滲雜劑濃度。 第4圖亦為本發明之另一具體例之簡化說明。在此一具 體例中，掃瞄器總成300包括一高強度脈衝或連續波雷射 302以提供半導體晶片304之快速熱處理。掃瞄器總成300 亦包括一雷射能聚焦組合306以及一致動器308。掃瞄器總 成300之組件可以封閉在一單一外殼内，此外殼可以類似於 上述第2A圖中之具體例之方法安裝在處理室320上。 雷射聚焦組合306包括第一聚焦透鏡310，一第一聚焦 透鏡3 12和一反射鏡3 14。聚焦組合以一眾所習知之傳統式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 503450 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12 ) 方法操作以聚焦自雷射器302之此雷射能301於晶片304 上。自雷射器302之雷射能3 〇 1可以有一小於1 # m之波長。 致動器308提供一傳統式方法用以使掃瞄器總成3〇〇可 操作以掃瞄晶片304。致動器3〇8可以經構形來移動雷射器 302和聚焦組合306以提供一向前/向後掃瞄運動橫越晶片 304,如第4圖中由箭頭316所指示者。另一可供選擇方式為 僅反射鏡3 14可以移動以造成晶片3〇4之雷射掃瞄。在亦為 另一可供選擇之具體例中，晶片304可以使其來移動，因 此，該一固定光束301可以使其來掃瞄晶片表面。致動器3〇8 可包括，但不受限於，傳統式驅動器和運動轉移機構，諸 如線性馬達，步進式馬達，液壓驅動裝置以及類似者，以 及齒輪’滑車，鏈以及類似者。在一具體例中，掃猫器總 成300係定置在一光學窗口 3 1 8之上面，此窗口係沿著處理 室320之掃瞄長度而提供，以容許雷射能量進入處理室32〇 並衝擊在晶片304上，窗口 318可以用可讓雷射能3〇1之傳送 之任何物質製成；較適當地為透明石英。窗口 318可以有一 厚度在大約1宅米和大約5毫米之間，以及一直徑它係至少 大如或較大於晶片304。 本發明克服甚多利用鹵素燈之RTP系統之缺點。例 如，一燈絲型鹵素燈產生寬帶能量，甚多此種燈不能用來 加熱晶片之有效層。要增加燈絲型燈内可用波長量，對燈 之電力係增大。不幸地是此一在電力上之增大轉移顛峰強 度。使用於本發明之電弧燈並不以電力上之增加而轉移颠 峰強度，並因此可以使其在一顛峰強度處實施，而此峰 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱沐背面之;it事項再填寫本頁) 15 503450 五、發明說明（l3 ) 度係在可用波長帶以内者。其影響所及，添加之電力係更 有效率地消耗於有效層上。 以 限制 本發明之具體例業經如此說明，精於此技藝者將瞭 解，在不背離本發明之精神和範圍下改變仍可成形態及細 節地形成。因此，本發明係僅由下列專利申請範圍來予 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 . 503450 - Λ7 B7 五、發明說明（14 ) 元件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 10…處理系統 203··· 第一焦點 12…裝載站 204 ^ 308…致動器 14…平檯 205··· 第二焦點 16…晶片匣 206 ^ 208…箭頭 18…裝載鎖定裝置 210··· 窗口 20…轉移室 212··· 反應室 22…機器人 213··· 間隙 24、108、304…晶片 214··· 幅射出口通道 26…熱處理室 216··· 外殼 2 8…反應器 218··· 内表面 3 0…閘閥 220··· 光束 32…支承樑框 222… 開口 3 4…接面 223··. 表面 40…快速熱處理系統 224··· 有效層 50…泵 301··· 雷射能 6 0…冷卻站 302… 雷射器 102、320···處理室 306··· 聚焦組合 103···終端封閉管 310、 312…透鏡 104···内部腔内 314··· 反射鏡 106···支承柱 316··· 箭頭 200、300…掃瞄器總成 318··· 窗口 202···幅射能源 --------^ --------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17
Claims (1)
- 第0 9 01 10 919號真刹由二主也丄--- 寻矛j申睛案申請專利範圍修正本 修正日期：91年7月 1. 種用於jf導體晶片的快速熱處理之系統，該系統包含： 一幸δ射能源；以及 一知目苗總成，可操作以掃瞄該輻射能之光束橫越一 晶片之表面’該輻射能加熱該晶片之一有效層。 2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該輻射能源包含- 高強度燈。 3·如申明專利範圍第2項之系統，其中該高強度燈包含一 Xe電弧燈。 4.如申請專利範圍第1項之系統，其中該輻射能包含大約 5〇〇瓦和50千瓦之間之一平均電力。 5 ·如申叫專利範圍第1項之系統，其中該有敦層包含該 片之表面以下〇·〇5 # m及大約1亳米之間之該一部分 晶片。 6.如申明專利範圍第丨項之系統，其中該有效層之溫度係 在大約500°C和1200°C之間。 7·如申請專利範圍第1項之系統，其中用於熱處理之反應 時間係在大約1毫秒和大約1秒之間。 8.如申請專利範圍第1項之系統，其中該掃瞄器總成包含： 一外殼界定一反射室，該輻射能源係配置於該反射 室内；以及 一輻射出口通道係經構形以容許至少一部分之該 幸萄射能逸出該反射室。 補充」 aa 之 (請•先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) »- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 18 503450 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 9. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該掃瞄器總成包含 一反射器用以聚焦該輪射能。 10. 如申請專利範圍第9項之系統，其中該反射器反射小於 大約900nm之波長。 11·如申請專利範圍第1項之系統，其中該晶片之一表面和 一部分之該掃瞄器總成之間之距離係小於1〇亳米。 12. —種用於一半導體晶片的快速熱處理之裝置，該裝置包 含： 一外殼界定一反射室； 一幸S射能源配置在該反射室内； 一輻射出口通道係經構形以容許至少一部分之該 輻射能來逸出該反射室；以及 一掃機構.，可操作以掃瞄自反射室逸出之該輻 射能之光束橫越一晶片之表面，該輻射能加熱該晶片 一有效層。 13·如申請專利範圍第12項之裝置，其中該輻射能源包含 高強度燈。 14·如申請專利範圍第13項之裝置，其中該高強度燈包含 Xe電弧燈。 15.如申請專利範圍第12項之裝置，其中該輻射能之光束 含大約500瓦和50千瓦之間之平均電力。 16·如申請專利範圍第12項之裝置，其中該輻射能之光束 含大約900nm和200nm之間之平均波長。 17.如申請專利範圍第12項之裝置，其中該有效層包含該 之 包 包 曰曰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· :線丨 19 503450 . B8 C8 __- —_D8 片之一表面下面大約0.05/i_Ami米之間之一部 分之該晶片。 lS.如申請專利範圍第12項之裝置，其中該通道另包含一開 縫以聚焦該輻射能進入該光束内。 19•如申請專利範圍第12項之裝置，其中該反射室之内表面 係敷塗以一物質取自一族包含金和銀者。 2〇. /種用於一半導體晶片的快速熱處理之方法，該方法包 含： / 提供一輻射能之源；以及 掃半導體晶片以該輻射能之一狹帶以昇高該 半導體晶片之一有效層之溫度。 21·如申請專利範圍第20項之方法，其中.該轄射能之源包含 一高強度無燈絲之燈。 22.如申請專利範圍第20項之方法，其中該燈包含一 Xef 孤燈。 23·如申請專利範圍第20項之方法，其中該有效層包含一部 分之該晶片自該晶片之表面伸展至在該表面下面大約 0.05Vim和大約1毫米之間之一距離。 24·如申請專利範圍第20項之方法，其中該有效層之溫度係 在大約500°C和1200°C之間。 25·如申明專利圍第20項之方法，另包含聚焦該輻射能， 因此該一狹窄能帶係經產生有一大約90〇11111和200nm之 間之平均波長。 本紙張尺度適用ί國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 20 (請先閲讀背面之注意，事項再填寫本頁)
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