TW501192B - Apparatus preventing condensed IPA from dripping to a wafer - Google Patents
Apparatus preventing condensed IPA from dripping to a wafer Download PDFInfo
- Publication number
- TW501192B TW501192B TW90128158A TW90128158A TW501192B TW 501192 B TW501192 B TW 501192B TW 90128158 A TW90128158 A TW 90128158A TW 90128158 A TW90128158 A TW 90128158A TW 501192 B TW501192 B TW 501192B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- liquid
- patent application
- scope
- condensed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
501192 A7 B7 五、發明說明( 發明領域: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係與一種半導體機台的乾燥裝置有關,特别e 與一種能防止於乾燥過程中晶圓受污染之乾燥裝置有關 發明背景: 於製造半導體晶圓過程中或於製造記憶體體電路的過 程中等’都會用到液體來處理半導體晶圓,例如,浸入餘刻 槽以蝕刻晶圓、浸入顯影槽以將晶圓上經過曝光的光阻層顯 影、浸入電化(ga Ivan i c)槽以在晶圓上形成金屬等。在這此 步驟後通常會以一去離子水液體清洗晶圓,在以液體處理^ 後,保留在晶圓表面的殘留液體薄膜會用一個乾燥步锻來加 以去除。 用來乾燥晶圓的方法有數個傳統的方法,其中一種方法 爲旋乾Up in-dry)的方法,其係使用離心力來乾燥晶圓。此 方法利用快速的相對於一個橫貫於晶圓表面的軸旋轉,而快 速旋轉所產生的離心力將晶圓表面殘留的液體強迫的射出晶 圓表面。然而傳統的離心力裝置及其過程會有數個缺點。: 先,經過高速旋轉的晶圓,其晶圓表面薄膜上所殘留的水份 汽化後,會因爲溶化在水中的非揮發性物質而形成斑點及2 紋。甚至離心力方法,因爲具有圖樣以及孔的晶圓表面會抓
請 先 閱 讀 背 面 之 意 事 項丄 填▼ 寫裝 I 訂 M31192
五、發明說明() r η 住殘留物質,所以經常會在具有圖案的晶圓表面留 诊對於先進的VLSI以及ULSI積體電路晶圓,較常使用的 乾燥方法是使用氣相乾燥法(Vapor drye〇。其原理如第一 圖所示,是把經過液體處理之後的晶圓} 〇 4置入一包含有異 7醇(IPA)液體1〇2之乾燥氣室100當中,其中該晶圓1〇4 是放置於一晶圓握持器1〇6上,且並不浸泡於異丙醇液體1〇2 中。氣相乾燥法使用之原理爲,利用一加熱器丄〇丨由乾燥氣 至1 ο 〇底部對異丙醇液體J 0 2進行加熱,連續性地加熱導致 異丙醇液體的蒸發,同時外加一風扇108製造高壓,並外接 一廢氣管1 0 9將廢氣抽離,如此可確保廢氣不至於洩露出機 台外。而在乾燥氣室中,晶圓104被固定在異丙醇液體102 表面上,在晶圓1〇4上的殘餘液體,可被異丙醇蒸發氣體帶 離晶圓1 0 4表面,藉此將晶圓1 0 4乾燥。此由異丙醇蒸發氣 體所帶離晶圓1〇4表面之殘餘氣體,會經由乾燥氣室1㈣上 方之冷凝管103冷凝後,再由冷凝管103下方之 <秀丙醇液體 回收盤1 0 7回收,以重複使用。 然而,上述之冷凝管1〇3在長期使用下,由於溫产 ” 異,亦即冷凝管1〇3内部與表面之溫差,將會造成冷藏差 變形或於冷凝管1 0 3表面形成孔洞。如此使得凝 1〇3 '、々於冷 103表面之異丙醇液體11〇在未掉落於異丙醇液體 鉉 前’即直接掉落於晶圓104表面上,形成一種冷远 ""07 。因此鼾 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) -ft n d n i— ft f i n n « n n n ϋ n ( n 一-»4« n n n n m I ϋ I ·(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社έτ製 501192 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 於一種能快速的去除晶圓表面上的殘餘液體笨 足'哥模,而且於乾 燥之過程中,不會對晶圓造成二次污染之晶_ & 、 大之需求。 ’燦裝置有很 發吸_目的及概述: 鑒於上述的發明背景中,傳統之氣相乾择让y 滞决所使用之乾
燥裝置,於長時間使用下會造成冷凝管變形,冷Z V進而使得凝結 於冷凝管表面之異丙醇液體掉落於待乾燥之曰n朱 卵®表面上,形 成污染源。因此,本發明之主要目的,即是斜料1 疋鮮對上述缺點, 提出一種解決之方法。 本發明的裝置能均勻的將半導體晶圓乾燥,並且去除半 導體晶圓表面上所殘留的液體薄膜,而不留下污染物。在本 發明的一較佳實施例中’乾燥裝置包含一含有異丙醇液體之 乾燥氣室。於乾燥氣室之上方具有多條冷凝管,而於冷凝管 之外侧覆蓋一以石英製成之平板。另於平板下方放置一異丙 醇液體回收盤。一晶圓握持器保持於異丙醇液體上方,用以 放置晶圓。當進行氣相乾燥時,位於乾燥氣室下方之加熱器 會開始對異丙醇液體進行加熱,將異丙醇液體蒸發成氣態。 此氣態狀之異丙醇氣體在蒸發過程中會帶走晶圓上之殘餘液 體,並通過冷凝管外側所覆蓋之平板。此時氣態狀之異丙醇 氣體會被凝結成異丙醇液體於平板上,並順著平板滑落於位 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) 請 先 閱 讀 背 之-,注 意 事 Ιφ I裝 尽 . 頁I I \ I I I 訂
I 501192 A7 B7_五、發明說明() 於平板下方之異丙醇液體回收盤上。 圖式簡單説明 : 由以下本發明中較佳具體實施例之細節描述,可以對 本發明之目的、觀點及優點有更佳的了解。同時參考下列 本發明之圖式加以説明: 第一圖所示爲傳統之氣相乾燥法所使用之乾燥器概略 圖; 第二圖所示爲本發明之氣相乾燥法所使用之乾燥器概 略圖; ,(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖號對照説明: 1 0 0 乾燥氣室 1 0 2 異丙醇液體 104 晶圓 1 〇 7異丙醇液體回收盤 109廢氣管 1 1 1平板 1 0 1加熱器 1 0 3 冷凝管 1 0 6晶圓握持器 1 0 8 風扇 1 1 0異丙醇液體 2 0 0導入口 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) ------訂----II---ΦΙ. 501192 A7 B7 五、發明說明( 2 0 2 導出口 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明_詳細説日日· 不限制本發明之精神及應用範圍之下,以下即以一 實施例,介紹本發明之實施;熟悉此領 睁 本Γ月之精神後,當可將此種裝置應用於各種乾燥裝= 冷妖系统上。在半導體的製造中,乾燥過程是用來去除在缓 過液體處理和清潔步驟之後1在半導體晶圓表面上的殘留 液to而本發明王要目的是將傳統上因爲溫度之差異形成 冷凝管變形,造成私A、fc,其 、 成於冷喊官外側足異丙醇液體再次掉落於 晶圓上’污染晶圓之可能性絲。本發明之應用當不僅限 於以下所述之實施例。 於本發明之圖示中’爲了便於明瞭起見,相同的裝置都 以=的標號加以標示,且必需注意的是,各裝2之比例並 未元王依照實際之大小而加以綠製。 參閲第二圖,所示係爲本發明氣相乾燥法所 燥器之剖面示意圖。於此圖中,本發明的乾燥裝置 2 含一具有異丙醇液體102的乾燥氣室i㈣和一加熱w /1 其中乾燥氣室!。。中的異丙醇液體並未充滿整個:燥:: 1〇〇。當進行晶圓乾燥製程時,利用隨… 所斧丙醇液體 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210x297公f— 501192 五、發明說明() 102加熱,利用蒸發出之異丙 在触e ^ 呷虱粗帶離晶圓104表面所殘 存又夜m。3日圓握持器1〇6用來曰 曰问 衣戰早阳圓104或是一疊 二二,並保持晶圓⑴Μ燥過程中,均位於異丙醇液 :2表面上。一加壓裝置108位於整個乾燥裝置2。上方, 用以施加一正壓於乾燥裝置 以於機台中施以正壓,旅 利用連接於此乾燥裝置20之廢氣暹瞢 σ 纖乳等$ 109來將廢氣排出。對 乾餘機台施以正壓之主要目的g *人勒』& &王罟曰的疋避免於製程過程中廢氣散溢 出機台外,而發生危險。 當進行晶圓乾燥時,首先將待乾燥之晶圓1〇4置入晶圓 握持益106中,此晶圓握持器106可利用機械手臂(圖中未 展示出)放置於乾燥機台中。接著使用加熱器1〇1將異丙醇 液體持續加熱,直至異丙醇液體蒸發成氣態狀,此時之溫度 约爲8 〇 °c,以利用異丙醇氣體來帶離晶圓上之殘留液體。傳 統上,是讓此異丙醇氣體經由石英所製成之冷凝管103冷凝 之後,再經由冷凝管103下方之異丙醇液體回收盤1〇7回收, 以重複使用。但有鑑於冷凝管1 0 3在長期使用下,由於溫度 之差異,因爲冷凝管内部冷凝液溫度约爲2〇t:,而表面異丙 醇氣體溫度約8〇eC,會造成冷凝管103變形或於冷凝管1〇3 表面形成孔洞,造成凝結於冷凝管表面之異丙醇液體再 次掉落於晶圓1 0 4上,形成污染。因此本發明於冷凝管1 0 3 之表面銲上一以石英製成之平板II1,該平板111會整個覆 蓋住冷凝管1〇3。由於平板hi是直接與冷凝管103接觸, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) (請先蘭讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 了 · n «n n fli-^ 0 n t— i_Bi n n tn I - 言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 501192 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 因此冷凝管之溫度會傳導致肀板1 1 1,使得平板1 11之表面 溫度與冷凝管1 〇 3之溫度梢似,其中該平板之大小與欲覆蓋 住之冷凝官大小一致,而其厚度爲3 m m。當異丙醇液體凝結 於平板111表面上後,會順這平板矣品. 上傻,极表面下滑至下方之異丙醇 液體回收盤1 0 7上,而該異丙醇液體 也回收盤107具有一導官 圖中未展示出)連通於異丙醇液體 也1 0 2,因此可將異丙醇 液體回收盤1〇7上所回收之異丙醇 液體再次導回異丙醇液體 1 0 2以重複使用。 本發明以一較佳實施例說明 一 ^ 3如上,而熟悉此領域技 藝者,在不脱離本發明之精神範圍 国内’當可作些許更動或 潤飾,例如,依研磨率之需求調整 外 她加研曆劑之時間間隔, 其專利保護範圍更當視後附之申請 . 3寻利乾圍及其等同領域 而定。 1· n n t— It d n n n ϋ * n n n n n n n 一ά]1 t n n n n n n I I (請k閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t )
Claims (1)
- 501192 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 申請專利範圍: 1. 一種可防止冷凝之異丙醇液體掉落至晶圓之裝置, 該裝置至少包含: 一乾燥氣室,其底部盛有異丙醇液體; 複數條冷凝管,以環繞之方式固定於該乾燥氣室内壁之 上半部;以及 一平板,以平貼之方式黏覆於該複數條冷凝管之表面, 用以覆蓋住所有冷凝管。 2 .如申請專利範圍第1項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該平板是以石英製成。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該平板厚度爲3mm。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該些冷凝管是以石英製成。 5 .如申請專利範圍第1項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該乾燥氣室中更包括一晶圓 握持器,位於該異丙醇液體表面上方,用以承載一晶圓。 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------_-裝--- (請先閱讀背面t注意事項再填寫本頁) 訂-' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 501192 A8 B8 C8 D8、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 .如申請專利範圍第1項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該乾燥氣室正下方具有一加 熱器,於乾燥過程中用來加熱該異丙醇液體。 7 .如申請專利範圜第1項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該乾燥氣室中更包括一異丙 醇液體回收盤,位於該冷凝管與該平板之正下方,用來回 收經冷凝後之異丙醇液體。 S . —種可防止冷凝之異丙醇液體掉落至晶圓之裝 置,該裝置至少包含: 一乾燥氣室,其底部盛有異丙醇液體; 一晶圓握持器,位於該異丙醇液體表面上方,用以承載 晶圓; 複數條冷凝管,以環繞之方式固定於該乾燥氣室内壁之 上半部; 一平板,黏覆於該些冷凝管之表面,用以覆蓋住所有冷 凝管;以及 一異丙醇液體回收盤,位於冷凝管與平板之正下方,用 來回收經冷凝後之異丙醇液體。 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) •----- 1---裝·-- (請先閲讀背面L注意事項再填寫本頁) 訂! 501192 A8 B8 CB D8 六、申請專利範圍 9 ·如申請專利範圍第8項所述之可防止冷凝之異丙醇液 體掉落至晶圓之裝置,其中該平板是以石英製成。 1 0 ·如申請專利範圍第8項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該平板厚度爲3mm。 1 1 ·如申請專利範圍第8項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之装置,其中該些冷凝管是以石英製成。 1 2 ·如申請專利範圍第8項所述之可防止冷凝之異丙醇 液體掉落至晶圓之裝置,其中該乾燥氣室正下方具有一加 熱器,於乾燥過程中用來加熱該異丙醇液體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * 1 flu (H ϋ- ϋ In ϋ 訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW90128158A TW501192B (en) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | Apparatus preventing condensed IPA from dripping to a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW90128158A TW501192B (en) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | Apparatus preventing condensed IPA from dripping to a wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW501192B true TW501192B (en) | 2002-09-01 |
Family
ID=21679722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW90128158A TW501192B (en) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | Apparatus preventing condensed IPA from dripping to a wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW501192B (zh) |
-
2001
- 2001-11-13 TW TW90128158A patent/TW501192B/zh not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI492281B (zh) | 塗佈、顯像裝置、顯像方法及記憶媒體 | |
TW563196B (en) | Substrate processing apparatus | |
TW300332B (zh) | ||
TW392203B (en) | Processing apparatus and method using solution | |
TWI326396B (en) | Coating and developing method, coating and developing apparatus, and recording medium | |
US20070105392A1 (en) | Batch photoresist dry strip and ash system and process | |
KR20140110043A (ko) | 패턴 평활화 및 인라인 임계 치수 슬리밍을 위한 증기 처리 프로세스 | |
TW201207895A (en) | Developing apparatus, developing method and storage medium | |
US20040216770A1 (en) | Process for rinsing and drying substrates | |
JPH0697149A (ja) | 蒸気乾燥法 | |
TW501192B (en) | Apparatus preventing condensed IPA from dripping to a wafer | |
WO2016208103A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH06196397A (ja) | レジスト現像方法及びその装置 | |
TW426852B (en) | Method and apparatus for protection of substrate surface | |
TW396490B (en) | Wafer processor | |
TW201249555A (en) | Template processing method, program, computer storage medium, template processing apparatus, and imprinting system | |
TW594841B (en) | Apparatus and method for preventing contamination of substrate from condensate liquid | |
JP3301585B2 (ja) | 蒸気洗浄乾燥装置 | |
TW316857B (zh) | ||
JPH058676Y2 (zh) | ||
TW412798B (en) | Apparatus and method for drying a semiconductor member | |
TW502301B (en) | Chemical agent dispenser system | |
TW483295B (en) | Apparatus and method for dry film removal washing | |
TW452848B (en) | Micro lithography platform | |
TW533464B (en) | Cooling chamber of etcher and method of using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |