TW497208B - Methods of fabricating capacitors including Ta2O5 layers in a chamber including changing a Ta2O5 layer to heater separation or chamber pressure - Google Patents

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497208 A7 _____ B7 五、發明説明（1 ) 發明領域 本發明大致關於積體電路之製造，較特別的是製造積體 電路内電容器之方法。 發明背景 具有一咼介電常數之Ta2〇5層已研究做爲容量i GB以上之 動悲隨機存取記憶體（DRAM)中之電容哭之下一代介電質， 丁心〇5層必須具有改善之漏電流特徵以及改善之熱電阻。 大體上’ Ta2〇5層可以利用高溫化學氣體沉積（cvD)且以

Ta(OC2H5)5及〇2做爲源氣體而製成，諸源氣體可導入雜質 例如碳（C)或水於Ta2〇5層内，而增加丁“ο;層之漏電流。此 外，若Τα,Ο5層在製成後仍呈非晶狀態，漏電流會進一步增 加。 減少Ta2〇5層内漏電流及改善該層性質之一般方法可包含 以下步驟：製成Ta2〇5層；利用一低溫氧化退火製程供給不 足I氧於Ta2〇5層内而固化Τ&2〇5層；及利用氧氣環境内之 向溫加熱及去除Ta2〇5層内之雜質以結晶τ~〇5層。 利用一低溫氧化退火製程而固化τ~〇5層係可利用…或 uv-o3實施，固化機構可爲以下者：〇3利用輻射而分離成 〇2及〇(單一氧原子），分離之單一氧原子可穿過丁 a2〇5層及 附著於一懸擺之钽結合處。在高溫uv_〇3退火製程中，…之 固化效應減低，而因鬲溫效應所致之固化可增加。由於利 用〇3或uv-〇3之低溫氧化退火製程之目的可以改善使用

Ta2〇D-層心電容器中之漏電流特徵，因此製程較佳爲在適當 之流體溫度範圍内實施。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規‘(210X297公£5-" - 497208 A7 B7 五、發明説明（2 ) 可知的是，Ta205層可藉由曝露於大約720°C溫度而結晶 ，因此，結晶Ta205層之高溫加熱製程較佳爲在高於720°C 之溫度實施。 當使用UV-03之退火製程係以一高於Ta205層結晶溫度之 溫度實施時，過度氧化即發生於Ta205層及一底電極之間， 且該層之靜電容量減少至其原有値之一半以下。因此，爲 了抑制過度氧化及增進〇3之固化效應，UV-03之退火製程可 以低於Ta2Ο5層結晶溫度之溫度貫施’且Ta2Ο5層之結晶可 在一高於或等於Ta205層結晶溫度之溫度實施。 一般單一晶圓機可使用一電阻式加熱器（即加熱器），惟 ，利用加熱器改變晶圓溫度卻相當費時，增加了晶圓之製 造時間。例如，爲了使用同一加熱器實施低溫氧化退火製 程及高溫加熱製程於Ta205層上，加熱器溫度針對Ta205層 之低溫氧化退火製程而維持於一適當溫度，例如< 500°C。 隨後加熱器溫度上昇，以昇高晶圓溫度至一高於或等於結 晶溫度（720°C)之溫度，以實施高溫加熱製程。自低溫氧化 退火製程改變晶圓溫度至結晶製程溫度所需之時間爲數十 秒。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 吾人已知利用不同晶圓機實施低溫氧化退火製程及結晶 製程，例如低溫氧化退火製程可使用一電阻式加熱器而實 施於一晶圓型裝置中，高溫結晶製程則以隔離式熔爐型裝 置利用乾燥氧氣退火而實施。 使用一隔離式熔爐實施高溫結晶製程需花費30分鐘至一 小時，再者，若在結晶Ta205層之前及之後昇降溫度所需之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 497208 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ~ ---------B7 五、發明説明（3 ) "~~' — 時間增加，則需用四小時實施高溫結晶製程，因此，高溫 《預算增加而晶圓之輸出量減少，製程之複雜度亦增加。 發明概1 、本發明〈實施例係提供製造含有Ta办介電質層之電容器 〈万法’包括改變晶圓與加熱器間之隔離或製程反應室壓 2，關於諸實施例，一 Τα"5層可維持在一低於Ta2〇5層結 晶溫度之第一溫度，相對於加熱器之製程反應室内丁心〇5層 位置及製程反應罜内壓力至少一者係經改變以昇高丁心…層 之溫度至大約結晶溫度。 在本發明之一些實施例中，丁心〇5層係在製程反應室内之 第一位置，即隔離於加熱器一第一距離，Ta2〇5層自第一 位置移動至製程反應室内之一第二位置，即隔離於加熱器 一第二距離且小於第一距離。在本發明之一些實施例中， 第一距離大約2毫米，及第二距離小於大約1毫米。 在本發明之一些貫施例中，Ta2〇5層係在製程反應室内之 一第一位置，即隔離於加熱器一第一距離，τ〜〇5層自第一 位置移動至製程反應室内之一第二位置，即隔離於加熱器 第一距離且大於第一距離，Ta2〇5層自第二位置移動至製 考王反應室内之一第三位置，即隔離於加熱器一第三距離且 小於第一距離。 在本發明之一些實施例中，該加熱進一步包含在製程 反應室内之〇3或UV-O3環境中加熱Ta2〇5層至一低於大約 6 5 0 C之溫度。在* —些貫施例中，該改變進^一步包含在氧 、氧化氮（N2〇)、氮、氬或氦環境中加熱Ta205層至一高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 ·線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 例 497208 五、發明説明（4 於大約75(TC之溫度。 在^發明足一些實施例中，該改變包含增加製程反應室 内足壓力，在本發明之一些實施例中，第一壓力大約ι 〇托 ’而第二壓力大約300托。 ，本發明之一些實施例中，Ta2〇5層係在製程反應室内之 一第一位置，即隔離於加熱器一第一距離，丁心…層自第一 位，移動至製程反應室内之一第二位置，即隔離於加熱器 一第一距離且小於第一距離，及在製程反應室内增加第一 壓力至第二壓力。 在本發月之些貫訑例中，該加熱進一步包含移動丁心〇5 層至製程反應室内之一第二位置，即隔離於加熱器一第一 距離，及隨著第一位置處之溫度昇高而將丁说層移離加鼽 器。 選^簡單説明 圖1係一垂直方向之截面圖，簡示一製程反應室之實施 例。 圖2係-圖表，説明依本發明所示使用—電阻式加熱器而 改變晶圓溫度。 圖3係一圖表，説明本發明晶圓溫度做爲晶圓與電阻式加 熱器之間隔離距離之函數。 圖4係一圖表，説明本發明晶圓溫度做爲含有晶圓之一製 程反應室内之壓力之函數。 圖5A至5F係截面圖，説明本發明製造電容器方法之實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公廣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明説明（5 圖6A至6B係截面圖， m ^ 明提供本發明晶圓盥一階紡、 弟-及第二隔離距離之 I 級〈間 ^反應罜實施例。 圖7係截面·圖，說明本發 做爲本右曰n、 吕有a2〇5層之晶圓溫度輪廂 馬3有印固〈反應室内壓力之函數。 麻 圖8係目表，説明本發明電容哭余〜、中 Λ乃私奋斋只犯例乏電力特徵。 之詳細説明 • h明現在將參考g己合圖式詳述於後，圖中揭示本發 貝她例，惟，本發明可眚 i / 多種不同型 <，而不應視爲 限制於又内…例，諸實施例係用於使本文得以完備， 且使本發明I巳圍得爲習於此技者明瞭。圖式中，諸層及區 之厚度爲求清楚而予以誇大。可以瞭解的是，當一：件； 如-層、區或基材係在另—元件”之上，，時，其可直接在另 -兀件上或使用中間元件，目中相同編號係指相同元件。 圖1係垂直方向之截面簡示圖，揭示一氣體製程裝置之結 構，其可用於本發明製成電容器之方法實施例中。如圖i所 π，一 CVD裝置可取自曰本東京市之T〇ky〇 Electr⑽有限公 司，其包括一灑水頭21於一製程反應室12之頂部上，可供 給一製程氣體至製程反應室12。灑水頭21包括複數孔2 1&於 其一底表面上，且相對立於待處理之積體電路晶圓W，及 可依平行下流方式提供一製程氣體。 一排氣管22係連接於製程反應室12之底部，製程反應室 12内可利用一連接於排氣管22之眞空泵23而維持一預定之 眞空度 殼體13提供於製程反應室12之底部，且相對立於灑水 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公爱) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 497208 A7 —---—_________ B7 五 '發明説明（6 ) ~' 一 頭21 ’殼體13包括一上符泌i^ , 上同形邵32且具有一階級31供晶圓w 女裝於其上。一加熱器14，例如電阻式加熱器，係設於殼 體13之上筒形部32内之階級31下方。二電力饋送線…、 15b係連接於加熱$ 14 ’以及連接於製程反應室12外之電力 源25。加熱為144溫度可利用一熱電偶16測量，熱電偶連 接於加熱态14，以及連接於製程反應室12外之溫度控制器 62 〇 一供給管43可供給惰性氣體至殼體13内，一排氣管44則 用於自殼體13内去除惰性氣體，殼體13之上筒形部32包括 孔73，係自上筒形邵32之頂表面連通至底表面。三牧銷75( 圖1中僅tf二枚銷）固定於一環形揚昇板74，銷乃通過孔73 ’以利相對於階級31之安裝表面而在第一位置伸出孔73， 及在第二位置縮回孔73。揚昇板74係連接於一驅動構件77 之軸76，驅動構件可上下移動。 在本發明方法之一些實施例中，.一 Ta2〇5層係藉由實施一 低溫氧化製程提供補充氧至製程反應室12以固化Ta2〇5層， 及一高溫加熱製程使用相同於圖1所示晶圓型裝置以結晶 Ta2〇5層而製成，低溫氧化製程之實施溫度低於層之 結晶溫度，高溫加熱製程則在臭氧（〇3)以外之氣體中實施， 而晶圓之溫度昇高。 大體上本發明人瞭解製程反應室12内位置之溫度係相關 於加熱器14與製程反應室12内位置之間之一隔離距離，特 別是相隔於加熱器14 一大段距離之製程反應室12内位置測 得之溫度係較低於相隔於加熱器Η —小段距離之位置測得 -9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 ________B7 五、發明説明（7 ) <溫度。例如，在本發明之一些實施例中，加熱器14可在 =於加熱器14 一小段距離之製程反應室12内第一位置處 ，持第一溫度，據此，相隔於加熱器14 一段大於該小段距 離之第二位置之溫度即低於第一溫度。 母在本發明之貫施例中’晶圓溫度可藉由改變加熱器14及 曰曰，或階級31間之隔離距離而改變，再者，加熱器14輸出 j具貝又化不品改绫晶圓溫度。晶圓可放置於一相隔於加 熱器14第一距離之第一位置處維持晶圓於第一溫度，晶圓 可移向加熱器14至一小於第一距離之第二距離之第二位置 處，以增加晶圓溫度。 、依圖1所不，加熱益丨4及晶圓之間之隔離距離可藉由改變 銷位置而調整，例如隔離距離可藉由將銷進一步伸出 孔73而增加，隔離距離可藉由將銷乃進一步縮入孔73而減 、 本&月之些貝&例中，晶圓位置係藉由改變銷75 、π度而凋整，在其他貫施例中，晶圓可以安裝在製程反 應室12内之其他方位，使銷75在其他方向中移自，以調整 加熱器14及晶圓間之隔離。可以瞭解的是，當文内之銷乃 係:目對於加熱器而移動晶圓日寺，可以瞭解的是，晶圓實際 上可利用操作併合於銷之其他介人物件，以相對於加熱器 14而移動。 2 2係-圖表，説明依本發明所示使用_電阻式加熱器 =變晶圓溫度，依本發明之一些實施例所示，加熱器Μ :度係維持於Ta2〇5層發生結晶之溫度，柯如75(rc，而 圓’皿度、.隹持低於Ta2〇5層之結晶溫度，以Μ實施低溫氧化

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經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 程。實施低溫氧化製程後，晶圓溫度即上昇至結晶 以利實施高溫加熱製程。 皿又， —請參閲圖2,晶圓溫度上昇’同時低溫氧化製程實施以 曰T:加熱製程之晶圓溫度上昇。低溫氧化 一 i間’曰日1溫度可藉由將晶圓移向加熱器14而上昇。 ^ ^ . K ^ ^ , Α ^ ^ ^ 期間過熱，如圖2所示，晶圓可在低溫氧化製程開始時接近 於加ΐ态14，而當反應室内之氣體溫度昇高趨近於結晶溫 士時，晶圓移離加熱器14以避免晶圓溫度在低溫氧化：： 疋成之則先達到結晶溫度。如圖2所示，一旦低溫氧化製程 開始維持晶圓溫度於結晶溫度以下及提供適當時間供低溫 氧化製程實施，代表晶圓溫度之線之斜率即減小。當低溫 氧化製私芫成時，晶圓可移近於加熱器丨4以增.加晶圓溫度 I使晶圓溫度昇高至大約結晶溫度，因而可實施高溫加熱 製程。加熱器14及晶圓之間之隔離距離可在高溫加熱製程 期間調整，以維持晶圓溫度於一大致固定度數。 圖3係一圖表，説明晶圓溫度變化相關於銷75伸出孔73之 距離’以提供加熱器14及晶圓之間之隔離距離。爲了取得 圖3所示之結果，製程反應室12内維持1毫托之眞空，加熱 器14之溫度維持在75〇。〇，及晶圓由銷75支承使銷75伸出孔 ’將晶圓依以下距離隔離於階級3 1 : 〇·〇毫米、1毫米、2毫 米、3毫米，且在各隔離距離處測量晶圓溫度。如圖3所示 ’每增加1亳米隔離則晶圓溫度即降低大約5°C。 在本_發明之一些實施例中’晶圓溫度可藉由增減反應室 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇X297公釐）

· ΐ衣— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 497208 A7 B7 五、發明説明（9 ) 12内之壓力而改,k，如圖4所示，晶圓溫度即可藉由增大反 應A 12内之壓力而增加，此外，晶圓溫度即可藉由減小反 應室12内之壓力而降低。爲了取得圖4所示之結果，初期之 反應室12内塵力爲1 ·〇托，加熱器14之溫度爲75〇。〇，及晶圓 接觸於階級3 1 ,製程反應室12内之壓力自1 ·〇托改變至3〇 〇 托。如圖4所示，隨著製程反應室12内之壓力增大，溫度亦 增加，此外，隨著製程反應室12内之壓力減小，晶圓溫度 亦降低。 如圖3、4所示，晶圓溫度可藉由調整反應室12内之晶圓 位置及調整製程反應室12内之壓力而控制，在一些實施例 中，日日圓/皿度係藉由相對於加熱器丨4之晶圓位置變化及反 應室壓力變化之組合而控制。 請參閲圖5A、5B，-由例如掺雜多晶石夕材料製成之底電 極ho係—製成於-半導體基材100上，—氮化石夕層112係利用 一快速高溫氮化（RTN)製程將半導體基材1〇〇上之一曝露矽 (Si)表面氮化至大約15至20埃（人）厚度而製成。 圖5C至5E係截面圖，説明製成一 Ta2〇5介電質層12〇&，一 Ta2〇5層120製成於氮切層112上，_5層12()係以低於 Taw,結晶溫度之溫度退火，其利用臭氧環境124中之低溫 氧化製程，例如A或UV-O3。。^5層12〇係藉由供给不足之 乳於Taw;層12〇而匐化，低溫氧化製程 室12内，其使用一加熱器做爲加熱裝置，對於此；= 用圖1所示之裝置。 其高於丁3205結晶溫度 加熱器14之溫度上昇至第一溫度 -12-

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、發明説明（1〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 J淺7 5 0 C，且大致維持於此溫度。如圖6 a所示，銷7 5移 動以利自階級31伸出一段預定距離d，例如大約2毫米，使 得半導體基材100支承於銷75上，且在第一位置隔離於階級 31 〇 晶圓及階級31之隔離距離d可供半導體基材1〇〇之溫度維 持於一低於第一溫度之第二溫度，例如大約2毫米之隔離距 離即可供晶圓維持於大約65〇°C。 半導體基材1〇〇之溫度可以藉由改變銷75伸出階級31之距 離而凋整，低溫氧化製程係藉由在第一位置時半導體基材 100<溫度穩定期間或之後，供給臭氧至製程反應室12内而 貫施。 一在本發明之一些實施例中，製程反應室12内之壓力較佳 爲維持在低於300托之壓力，低溫氧化退火製程實施3〇秒至 5分鐘，且較佳爲2分鐘。 田低溫氧化製程完成時，銷75縮回至圖6B所示之位置， 以減）階級3 1與半導體基材丨〇〇之間之隔離距離，使半導體 基材1〇〇之溫度上昇至一大於或等於η"5結晶溫度之溫度 。在本發明之一些實施例中，半導體基材100與階級3丨係藉 由縮回銷75而相互接觸，如圖6B所示。可以瞭解的是，反 應1： 12内之壓力可在低溫氧化退火製程期間低於高溫加熱 製私期間之反應室12内之壓力。 一半導體基材1〇〇之溫度昇高至丁心〇5結晶溫度時或之後， 高^加熱製程可藉由供給氣體126如氧、氧化氮⑺…）、氮 、氬、氦等至半導體基材1〇〇而實施，高溫加熱製程實施大 -13- ^氏張尺度適用------ 丨丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 A7 B7 497208 五、發明説明（11 ) ，3〇秒至5分鐘，且較佳爲大約2分鐘。製程反應室12内之 壓力在咼溫加熱製程期間係保持於300托以下。依本發明所 不’介電質層12〇a可使用相同於低溫氧化製程所用之晶圓 機’藉由昇鬲Ta2〇5層120之溫度至高於或等於Ta2〇5結晶溫 度，以結晶Taws層12〇而實施。可以瞭解的是，圖从至 所π之製程可實施於製程反應室12内。 :參閱圖7，在本發明之一些實施例中，低溫氧化製程係 在半導體基材100與階級31相互接觸時實施。如圖7所示， 1¾、’及足/麗度維持在高於或等於丁心仏結晶溫度，製程反應室 12内之壓力維持在-小於3托之第-壓力Pl，JL較佳爲^於 2托，使半導體基材1〇〇之溫度低於結晶溫度。一臭氧環境 、隹持於反應^内，低溫氧化製程可實施如® 5Ε所示者。 问’皿加熱製程期間，反應室12内之壓力增大至一大於 第坚力Ρ!之第 '壓力第二壓力Ρ2較佳爲大約$至3〇〇 托，據此，儘管低溫氧化製程期間半導體基材⑽接觸於 階級31，半導體基材1⑽仍可藉由低壓，即第_壓力ρ 以維持在-低於Ta2〇5結晶溫度之溫度。τ咏介電質層 歡结晶後，—頂電極13G可製成於了叫介電質層心上 ，如圖5 F所示。 、圖8係-圖表’説明本發明實施例比較於習知製程所產生 特：疋以符號()表示相對應於習知製程之數據係 精由貫…加熱製程’以乾燥之氧氣在一隔 退火而產生，依本發明產生之數據係以符號⑷表示。· 请參閱圖8,在本發明實施例（△)中，加熱器之溫度維持 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -14- 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 497208 A7 _______B7_ 五、發明説明（12 ) 在7 50°C，Ta2〇5層利用一低溫氧化製程以υν-〇3退火2分鐘 而固化，含有Ta2〇5層之晶圓則利用銷75伸出階級而隔離於 階級大約2毫米。隨後Ta2〇5層利用氧氣做爲環境氣體，利 用高溫加熱2分鐘而結晶，其中階級係利用縮回銷75而相互 接觸。 如圖8所示，依本發明製成之電容器中之漏電流大致上等 於利用習知製程製成之電容器之漏電流。 在本發明製成電谷器之方法實施例中，一低溫氧化製程 係將一含有Ta2〇5層之晶圓隔離於加熱器，以維持晶圓溫度 於Ta2〇5層之結晶溫度以下。一高溫加熱製程則藉由減少加 熱咨與晶圓之隔離，例如利用縮回銷75而令階級相互接觸 ，而以低溫氧化製程在原處結晶Ta2〇5層。 如上所述，晶圓溫度可藉由控制銷之高度或控制製程反 應室内之壓力而改變，即加熱器之溫度設定爲高於或等於 丁&2〇5層之結晶溫度。此外，由於^2〇5層之低溫氧化製程 及後續之高溫加熱製程係在同一製程反應室内原處實施， 故其不需要先前技藝所用之隔離式熔爐形裝置。 可以瞭解的是，儘管文内之晶圓係由銷移動，但是晶圓 另可由其他裝置移動，例如在一些實施例中，殼體32^相 對於加熱器14而移動。 在圖式及説明書中’已揭露本發明較佳實施例，雖蚨其 採用特定語句，但是其僅爲概略及説明，而非用於偈限了 本發明之㈣係載明於以下申請專利範圍内。 nr (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’裝· 訂 -15-

Claims (1)

1. w/208 §88 g__ 六、申請專利範圍 1· 一種在一製程反應室内製成一Ta2〇5層之方法，包含： 維持Ta2〇5層於一低於Ta205層結晶溫度之第一溫度；及 改變相對於加熱器之製程反應室内Ta205層位置及製程反 應室内壓力至少一者，以昇高Ta205層之溫度至大約結晶 溫度。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中製程反應室内之 丁心〇5層位置包含Ta2〇5層在製程反應室内之一第一位置 ，即隔離於加熱器一第一距離，以維持丁心〇5層於第一溫 度’其中該改變包含自第一位置移動Ta2〇5層至製程反應 A内之一第二位置，即隔離於加熱器一第二距離且小於 第一距離’以昇高丁心〇5層之溫度至大約結晶溫度。 3 ·如申凊專利範圍第2項之方法，其中第一距離包含大約2 毫米’及其中第二距離包含小於大約1毫米。 4·如申請專利範圍第1項之方法，其中製程反應室内之 Ta2〇5層位置包含丁心〇5層在製程反應室内之一第一位置 ，即隔離於加熱器一第一距離，以維持丁心〇5層於第一溫 度，其中該改變包含： 自第一位置移動Ta2〇5層至製程反應室内之一第二位置， 即隔離於加熱器一第二距離且大於第一距離；及上二 自第二位置移動Ta2〇5層至製程反應室内之一第三位置， 即隔離於加熱器一第三距離且小於第一距離。 5如申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱進一步包含 在製程反應室内之Ο;或UV-〇3環境中加熱τ^〇5層至一低 於大約650°C之溫度。 — (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) -裝 . · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 497208 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該改變進一步包含在 氧、氧化氮（N20)、氮、氬或氦環境中加熱τ&2〇5層至— 高於大約7 5 0 °C之溫度。 7·如申凊專利範圍第1項之方法，其中該改變包含增加製 程反應室内之壓力，以昇高Ta2〇5層之溫度至大約結晶 溫度。 如申請專利範圍第7項之方法，其中第一壓力包含大約 1.0托，及其中第二壓力包含大約3〇〇托。 如申請專利範圍第1項之方法，其中製程反應室内之 丁心〇5層位置包含Ta2〇5層在製程反應室内之一第一位置 ，即隔離於加熱器一第一距離，其中該改變包含自第一 位置移動Ta2〇5層至製程反應室内之一第二位置，即隔離 於加熱器一第二距離且小於第一距離，及其中該改變包 含增加製程反應室内之壓力，以昇高Ta2〇5層之溫度至大 約結晶溫度。 W·如申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱進一步包含： 私動Ta2〇5層至製私反應室内之一第二位置，即隔離於加 熱器一第一距離；及 随著第一位置處之溫度昇鬲而將丁心〇5層移離加熱器。 種製造一半導體裝置之電容器之方法，包含以下+ 製成一底電極於一半導體基材上； 製成一 Ta205層於底電極上； 在製程反應室内之臭氧環境中以一低於τ~〇5層結晶溫度 8. 9. 11 卜紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 -17- x 297^iT —------------裝--- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) ·- 六、申請專利範圍 之溫度退火丁a2〇5層，以固化丁^〇5層；及 在同一製程反應室内加熱丁七〇5層至一高於或等於Ta2〇 層結晶溫度之溫度，以結晶Ta2〇5層。 12.如申請專利範圍第U項製造一;導體裝置之電容器之 方法，其中一加熱器維持丁心〇5層於一第二溫度，即高 於或等於固化Ta2〇5層與結晶Ta2〇5層之間之丁a2〇5層結 晶溫度。 13·如申請專利範圍第12項製造一半導體裝置之電容器之方 法，其中複數可動銷控制半導體基材與一供層安裝 於上（階級間之隔離距離，其係藉由上下移動複數可動 銷以相對於加熱器而移動階級；及 固化步驟係在第一狀態中實施，其中複數銷自階級向上 移動一預定高度，使半導體基材隔離於階級一預定距離 ，及 結晶步驟係在第二狀態中實施，其中複數銷並未自階級 伸出’因此半導體基材仍接觸於階級。 14.如申請專利範圍第丨3項製造一半導體裝置之電容器之 方法，其中加熱器之溫度係在固化及結晶步驟中=定 於 7 5 0 °C。 。 15. 如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容器之 法，其中固化及結晶步驟係以大約3〇〇托或以下之^ ' 應室内壓力實施。 16. 如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容哭之_ 法，其巾固化步.骤係以小於結晶步驟所用之壓。施。- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 7、申請專利範圍 Π•如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容器之方 其中固化及結晶步驟係以相同壓力實施。 如申4專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容器之方 法其中固化步驟係在〇3或uv-o3環境中實施。 B·如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容器之方 j，其中結晶步驟係在含有氧、氧化氮、氮、氬及 氦之環境中實施。 20·如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容器之 法，其中銷之移動係經控制，使半導體基材在固化期 維持在一低於或等於650Ό之第一溫度。 21·如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容器之 法’其中固化步驟係實施30秒至5分鐘。 22·如申凊專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容哭之 法’其中結晶步驟係實施30秒至5分鐘。 23 ·如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容器之 法其中半導體基材係在固化及結晶期間接觸於階級 及 ~白、’’ 固化係以低於結晶者之壓力實施。 24. 如申請專利範圍第23項製造一半導體裝置之電容哭之 法’其中加熱為之溫度係在固化及結晶期間呈7 $ 〇 25. 如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容哭 方法’其中固化及結晶係以一低於或等於3 Q 〇托之壓 方 間 方 方 方 方 之 (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) 丨裝 實施。 26.如申請專利範圍第13項製造一半導體裝置之電容哭 力 19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 497208 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 法，其中固化係以一低於或等於3托之壓力實施。 27.如申請專利範圍第23項製造一半導體裝置之電容器之方 法，其中結晶係以5至300托之壓力實施。 (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) 裝 訂-- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）