TW490924B - Compensation circuit of base current - Google Patents

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五、發明說明（1) 域 發明所屬的 本發明儀七.、〜 ^ 電路上所使m啕關於在高輸入阻抗（ialpedance)之緩衝器 '〜之基極電流補償電路。 習知技術 一種輪入 壓之習知綉振I内藏在iC之钳位（ciamp)電容量之輸出電 為具備基炻當t電路，為了提高了輸入阻抗5其方法得知 子流至ί ΐ流補償電路5來補償從緩衝器電路之輸入端 知之某極内之電晶體之基極的電流。第6圖，表示習 路，^括電流補償電路之概略構造圖。此基極電流補償電 集極i ί為補償對象之νρν電晶體（補償對象電晶體）81之 象^曰骑^接電源之南電位側至集極’而檢測補償對 不包Γ p — 8 1之基極電流iNPN電晶體（檢測闬電晶體）8 2 ; 極#^ΡΝΡ、α電晶體Μ〜Μ，來供給對補償對象電晶體81之基 三^机做補偵之補償電流i 6 5同時地供給檢測甩電晶體8 2 土極電流之電流鏡電路88。 盥雷If秘對象電晶體81，連接緩衝器電路之輸入端子89、 象雷：2产極電流補偾電路，檢_同電晶體82檢測補償對 之基極電流’電流鏡電路88產生補償電流i6 , 而將補侦電㈣供給至輸入端子89和補償對象電晶體81之

211l-3573-ρ·p t d 第5頁 朽彳鏡電路88之補償電流供給用端子（：？肿電晶體84之集 ，連接緩衝器電路之輪出端子90至射極。在輸 87。 與地之間、’、"又置了既定電流流至地側之定電流源 490924 i五、發明說明⑵ —"〜— i基極的連接部分。藉此，能夠提高緩衝器電路之輸入阻 | 抗。 | 在此5 一般而言，如電晶體之集極射極間之電壓為

| Vce ’初期（EARLY)電壓為VA，集極射極間之電壓(}伏特時 I之電流增益為hieO，則電晶體之電流增益Hfe，以第i式1 |表示。 二1 j Hfe^ClrVce/VA) °hfeO ® e (第1 式） § 檢測周電晶體82之集極電流與集極射極間之電壓各自 |為Ic8 2與Vce82 $補償對象電晶體81之集極電流與集極射 I極間之電壓各自為Ic81舆Vce81，檢測用電晶體82與補償 |對象電晶體81之初期電壓 '電流增益、與集極射極間之電 j遂0伏特日寸之電流增应各自為/ A n、h ί 6 n、與h f 6 π G，則檢 測用電晶體8 2之基極電流I b 8 2與補償對象電晶體8 1之基極 電流Ib81，各自以第2式與第3式來表示。 I b82= I c8 2/hfen=Ic8 2/[(1tVce8 2/VAn) ^ hfenO 1 | …。（第2式） ! I b81 - I c81/hr en-(Ic82 + i b82)/[(1+Vce81/VAn) « j hfenO] ‘ β e (第3 式） | 而一旦忽視電流鏡電路88之電流誤差，則從輸入端子 | 8 9流入緩衝器電路之輸入電流I i η 1 1，以第4式來表示。 | I in!l-ib8i-Ib82-(Ic82 + ib82)/[(ltYce81/VAn) ^ | hfenO]-Ic82/[(l+Vce82/VAn) ahfenO] * 。 ®(第4 式）j 發明所欲解決的課題

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490924 五、發明說明（3) 然而’根據上述f知技術，補償對象電晶 射極間電壓Vce8i和檢測用電晶體82之集之集極 丨Vce82不同，所以藉由輪入電壓或電源電壓，使：：壓、 i Imil的方向（正負）與大小變化5而有造成流 |況，並有所謂的無法執行適當的基極 ：的 j 了防止過補償’不使用基極電流補償電路，而藉為 i (darlington)的連接來構成輸出段的情況下，產告=靈頓 i訊（sh〇tn〇lse)，而有所謂的雜訊量增大的不完大波雜 了防止雜訊增大，一使達靈頓連接之段數減少而為 的無法減小連接至輸人端子89之甜位電容量 ^所謂 本發明，為，鑑於上述而發明的，其目為^芎。 行適當的基極電流補償之基極電流補償電路。' ;獲得執 課題的手段 解決上述課題 電路，其特徵 之補償對象電 補償對象電晶 地供給上述檢 入上述補償對 象電晶體之集 射極間之電壓 本發明，檢測 ;電流鏡電路 用以解決 為了 電流補償 補償對象 給對上述 流，同時 電路，輸 述補償對 體之集極 根據 基極電流 ^達成目的，有關於本發日月之基極 在於包括：檢測用電晶體，檢測 晶體之基極電流；電流鏡電路，供 體1之基極電流作補償之補償電‘，、 測用電晶體之基極電流；以及及鳍 象電晶體之射極輸出，而輸出使上 極射極間之電壓與上述檢測用電晶 相等之電壓，至上述電流鏡電路。 用電晶體，檢測補償對象電晶體之 ，供給對補償對象電晶體之基極電

21U-3573-p_ptd 第7頁 490924 五、發明說明（4) 机作補償之補償電流，同時迠供給檢 流；反饋電路，輸入補償對象電晶體々灰U體之基極電 使補償對象電晶體之集極射極間之雷广輪出，而輪出 集極射極間之電壓相等之電壓至電流^ =測用1晶體之 使補償對象電晶體之集極射極間之電壓此，造成 集極射極間之電壓相等s而輪入二：：用電晶體之 低過補償。 u疋，亚能夠降 有關下一個發明的基極電流補償電路， 上述檢測同電晶體，連接上述補償對象電晶體 極，而上述反饋電路包括··第i雷―之^極至射 (level shift)上述補償對象電曰體 電位位移 包日日體，連接上述第1電位位移裝置之輸出蟑子* ▲ 4而連接電源之低電位侧至集極；第1電阻舆 '電阻脾 連接在上述第1電晶體之射極、與電源之高電位電側且串聯 第2電晶體，連接上述第}電租與上述第2電限的連又 至，極，而連接電源之低電位側至集極；定電 Ή刀 既定之電流；第2電位位移裝置’設置在上述定電济輸出 輸出端子與上述第2電晶體的射極之間，而電位位移’、、 (ievei shift)上述第2電晶體之射極電壓；以及第3雷曰 體、’連接上述第2電位位移裝置之輸出端子至基極，= 電源之高電位侧至集極，而輸击射極電壓至上述電沪私艾 路。 ‘从咬電 根據本發明，其特徵在於··檢測用電晶體，連“ 對象電晶體之集極至射極，而反饋電路包括：第i電位，知

2!! !-357：i-{). p td 第8頁 五、發明說明（5) 移衣置，電位位移補 電晶體，連接第1電4對象電晶體之射極輸出電壓；第1 接電源之低雷位側至W多裝置之輸出端子至基極，而連 在第1電晶體：射極=;第1電阻與第2電阻，串聯連接 體，連接第1電阻與篥?與，源之高電位側之間；第2電晶 源之低電位侧至隼掩''?毛随的連接部分主基極’而連接電 雷位朽教壯 粟極’定電流源，輸出既定之電流；第2 的射極m而電L定電流源的輸出端子與第2電晶體 雷曰麟·、 电；立位移第2電晶體之射極電壓；以及第3 雷、、塔—^ 弟」電位位移裝置之輸出端子至基極，連接 檢測用電曰而輸诎射極電壓至電流鏡電路與 .φ ^日日。猎此’造成補償對象電晶體之集極射極間 兩:堅與檢測用電晶體之集極射極間之電壓相等，而輸入 心方向：定，並能夠降低過補償。 • 2關t個發明的基極電流補償電路5其特徵在於包 •欢測用電晶體，檢測為補償對象之補償對象電晶體之 土亟電流，第1電流鏡電路，供給對上述補償對象雷舻s 之基極電流作補償之補償電流，同時地供給上檢； 曰 之基極電k，以及電壓輸出電路，使上述補償 晶體之輸出電流與上述檢測用電晶體之輸出電流二 以该電流當基準，輸岀使在上述第丨電流鏡電路巾寸而 周電晶體侧之電晶體之集極射極間之電壓、鱼·、之松測 給測之電晶體之集極射極間之電壓篝 》仏電流供 】電流鏡電路。 < 〜^屋，至上述篱 —-- 貝對象之補償

2111-3573-ρ·βΐ(ί 根據本發明，檢測用電晶體，檢树為 一 490924 五、發明說明（6) 對象電晶體之基極電流；笑〗+ 象電晶體之基極電流作補令〜鏡電路5供給對補彳員對 用電晶體之基極電流々；：償電流，目時地供給檢測 之_ φ币+电·宅壓輪出電路，使補償對象電晶體 心笔流舆檢測用電晶體之輸出電流相[而以該電流 I 'l 輪出使在第1電流鏡電路之檢測用電晶體侧之電 i曰^之f極射極間之電壓、與補償電流供給侧之電晶體之 二，，通間之電壓相等的電壓5至電流鏡電路。藉此，造 、λ第1電流鏡電路中之檢測用電晶體侧之電晶體之集極 極，之電壓' 與補償電流供給側之電晶體之集極射極間 〜電壓相等，而能減低輸入電流。 有關下_個發明的基極電流補償電路，其特徵在於： f述檢測用電晶體與上述補償對象電晶體，各自將電源之 ，電位侧連接至集極，而上述電壓輸岀電路包括：第1電 曰曰體’連接電源之高電位側至集極，而輸出射極電壓至上 过第1電流鏡電路；第2電流鏡電路，讓上述補償對象電晶 體之輸出電流與上述檢測用電晶體之輸出電流相等，而使 上述第1電晶體之基極，產生按照該電流之電壓；第2電晶 體’連接上述第1電晶體之基極至射極；第3電晶體，連^ 上述第2電晶體之基極與集極，至射極；第4電晶體，連接 上述第3電晶體之基極與集極至基極，並連接上述第1電晶 體之基極至集極；以及第5電晶體，連接上述第4電晶體之 射極至射極，連接電源之低電位側至集極，並連接上述第 2電流鏡電路内之電晶體之基極至基極。

2111-3573-p.ptd 第10頁 根據本發明，檢測用電晶體與補償對象電晶體5各自 490924 五、發明說明（7) 連接電源之高電位侧至集極，而電壓輸出電路包括：第1 電晶體5連接電源之高電位側至集極，而輸出射極電壓至 第ί電流鏡電路；第2電流鏡電路，讓補償對象電晶體之輸 出電流與檢測用電晶體之輸出電流相等5而使第1電晶體 之基極，產生按照該電流之電壓；第2電晶體，連接第1電 晶體之基極至射極；第3電晶體，連接第2電晶體之基極與 集極，至射極；第4電晶體，連接第3電晶體之基極與集極 至基極，並連接第1電晶體之基極至集極；以及第5電晶 體5連接第4電晶體之射極至射極，連接電源之低電位側 至集極，並連接第2電流鏡電路内之電晶體之基極至基 極。藉此，造成第1電流鏡電路中之檢測甩電晶體侧之電 晶體之集極射極間之電壓、與補償電流俣給侧之電晶體之 集極射極間之電壓相等，而能夠減低輸入電流。 發明的實施例 實施例1 以下，參閱圖面來詳細地說明本發明的實施例。然而 根據此實施例，本發明並不局限於此。第1圖5係表示有 關於本發明的實施例1之基極電流補償電路之概略構造 圖。此基極電流補償電路5例如、在輸入了内藏在I c之鉗 位電容量之輸出電壓之緩衝器電路上所使用的。 此基極電流補償電路，包括： 連接為補償對象之ΝΡΝ電晶體（補償對象電晶體）1之集 極至射極，連接電源之高電位侧至集極，而檢測補償對象

2iii-3573-p-pid 第li頁 490924 五、發明說明（8) 電晶體1之基極電流之N P N電晶體（檢測用電晶體）9 ; 從PNP電晶體3〜6，來供給對補償對象電晶體}之基杨 電流做補償（補正）之補償電流，同時地供給檢測用一電'^ 體2之基極電流之電流鏡電路1 9 ;以及 一 33 l 輸入補償對象電晶體1之射極輸岀，而輸出使補償對 象電晶體1之集極射極間之電壓與檢測用電晶體2之集極射 極間之電壓相等之電壓’至電流鏡電路19與檢測用電 2之反饋電路18。 … 補償對象電晶體1，連接缓衝器電路之輪入端子20鱼 電流鏡電路1 9之電流供給罔端子（PNP電晶體4之集極）至基 極。電流鏡電路19，係威爾森（wiUs〇n)之電流鏡 ， 其中包括： π p ^接輸入端子2 〇與補償對象電晶體1之基極至集極之 ΡΝΡ電晶體4 ; 連接ΡΝΡ電晶體4之射極5至基極與集極之ρΝρ電晶體 〇 ， 其n ^ ^ΡΝΡ電晶體4之基極與檢測用電晶體2之基極，至 基極與集極之ΡΝΡ電晶體3 ; 其％ Ϊ ΐΡΝΡ電晶體3之射極至集極，並連接ΡΝΡ電晶體6之 i電路極與至基極之PNP電晶體5。在此，作為一種電流 m 牛出威爾森之電流鏡電路當制早，但是亦可使 用其他形式之電流鏡電路。 ·… 一▽ 反饋電路18，包括： 電位位移補償對象電晶體1之射極輸出之二極體

211l'3573-p.ptd 第12頁 490924 五、發明說明（9) ---- (di〇de)7 ； 連接二極體7之輸出端子至基極，而連接電源之低電 位侧（地）至集極之PNP電晶體8 ; 串聯連接在PNP電晶體8之射極 '與電源之高電位侧 (以下9只稱作電源）之間之電阻1 g與電阻丨5 ; 連接電阻1 5與電阻1 6的連接部分至基極5而連接地至 集極之PNP電晶體9 ; 輸出既定之電流之定電流源1 4 ; 串聯連接在定電流源14的輸出端子與PNp雷晶體Q的射 極之間，電流流至PNP電晶體9侧，而使pNp電晶體g之射極 電壓電位位移之二極體1 2、11、與丨〇 ;以及 連接定電流源1 4之輸凼端子至基極，連接雷源至棄 ^ ’連接電流鏡電路1 9之輸入端子（PNP電晶體6與{)肿電晶 體5之射極）至射極之NpN電晶體1 3。 2 一極體7之輸出端子，連接至緩衝器電路之輸出端子 冷二而在二極體7之輸岀端子與地之間，設置了既定之電 =至地側之定電流源丨7。檢測用電晶體2，檢測補償對 :電晶體1之基極電流。電流鏡電路19，供給補償電流 j =時地供給檢測用電晶體2之基極電流。反饋電路 電晶二入補隹償對象電晶體1 ^射極輸出，而將使補償對象 間：：2集室極射：r間之電壓與檢測用電晶體2之集極射極 補e电i相4之電壓，反饋至電流鏡電踗1 9。換古夕，席 補该對象電晶體！之集極射極間 二、a, m 一 ^ 集極射# μ + r· 耵位間之電壓與礆測用電晶體2之 4射極間之電壓相等地’而藉由反讀來執行補償。 490924 五、發魏明（10) -- 1 在以上的構造中9對實施例1之動作，作說明。名此 緩衝器電路，和前面所述之習知技術同樣地，來成立 式。

Iinl:(Ic2+ib2)/[(l+Vcel/VAn)❼ hrenO]-lc2/[(l+Vce2/VAn) :hfenO] 。 。 β(第5 式） I i η 1為從輸入端子2 〇流入至緩衝器電路之輸入雷添， Ib2為檢測用電晶體2之基極電流，ic2為檢測用電晶“體^之 集極電流，Vcel為補償對象電晶體i之集極射極間之電〜 壓，Vce2為檢測用電晶體2之集極射極間之電壓，VAn為補 领對象電晶體1與檢測周電晶體2之初期電壓，匕f e q為；^償 對象電晶體i與檢測用電晶體2之集極射極間之電壓為〇伏貝 特時之電流增益。 一 · 在此緩衝器電路，補償對象電晶體丨之基極射極間之 電壓Vbel、和檢測用電晶體2之基極射極間之電壓Vbe2具 有大致相等的值。而如第6式〜第8式所成立的，來設定各 電B3體之電晶體大小與各定電流源之輸出電流值。 Vbe7=Vbe8 。 * (第6 式）

Vbe9+Vbel0+Vbell+Vbel2^/bel3+Vbe5+Vbe3+Vbe2 • β * (第7式） rl5 = rl6 · * ·(第8 式）

Vbe3為PNP電晶體3之基極射極間之電壓，vbe5為PNP I電晶體5之基極射極間之電壓；vbe9為PNP電晶體9之基極 !朝極間 < 電壓，VbelO〜Vbel2為二極體1〇〜12之下降電壓， j V b e 1 3為N P N電晶體1 3之基極射極間之電壓5 Γ1 5為電阻1 5 I 一· - ‘ ^

2111-3573-p-ptd 第14頁

490924 五、發明說明（π) 電广二之值。㊈此地5 一設定各電晶體之電 曰曰體大小與各疋電^源之輪出電流值，則 1之基極電壓V2與集極射極間之電壓Vce2 ’ 第1〇式來表示。 各自以第9式與 第9式） Φ ° 。（第10 式） V2=(Vcc+Vl)/2 -

Vce2=VceI=(Vcc-Vl)/2 而V c c為源之電壓。 把第10式一代入第5式，則可得到第11式

Iinl = (Ic2 + Ib2)/[(mce2/VAn) · hfenO]-Ic2/[(l+Vce2/VAn) · hfenO] = Ib2/ [(1 + V c e 2 / V A η) * h f e η 0 ] - ο e , (第式、 也就是說’輸入電流流向一定方向，而能抑制過補 償。然而，為了使I ini為〇，如第12式所成立的，亦能夠 來設定各電晶體之電晶體大小與各定電流源之輪出電^ 值0

Vcel-Vce2 · (1 + Ib2) + Ib2 · * *(第 12 式） 但是，在此設定，基極電流Ib2，因電晶體之電流增 益之偏差而變化，所以因為溫度變化，而有無法執行適當 之反饋之情況。 第2圖，係表示有關於實施例1之其他的基極電流補償 電路之概略構造圖。此基極電流補償電路，在第1圖所示 的基極電流補償電路中，在pNP電晶體5之射極、與NpN電 晶體13之射極間設置了電阻26，並在MP電晶體6之射棰、 與NPN電晶體13之射極間設置了電阻27。即使在此構造

490924 五'發明說明（12) 中，亦和第1圖所示的基極電流補償電路作同樣地動作， 而能獲得同樣的效果。 第3圖$係有關於實施例1，而表示另〜其他的基極雷 流補償電路之概略構造圖。此基極電流補償電路5係在被 施加至輸入端子20之輸入信號為直流之情況下而使用 一 的。此基極電流補償電路5在第1圖所示的基極電流補償 電路中，設置了供給既定之電壓至電流鏡電路1 9之定電^ 源28，來代替反饋電路18。而檢測用電晶體2之集極連接 主電源’補償對象電晶體1之射極連接至輪出端子2 1。 定電壓源28之輸出電壓，使補償對象電晶體1之集極 射極間之電壓Vcel、和檢測用電晶體2集極射極間之電壓 Vce2成為相等之電壓地，來事先調整。藉此，造成補償對 象電晶體1之集極射極間之電壓]/ c e 1、和檢測用電晶體2集 極射極間之電壓之Vce2相等，輸入電流流向一定方向，而 能抑制過補償。 、、占如前面所述地，根據實施例丨，檢測甩電晶體2，檢測 ί 3 :象電晶體1之基極電流；電流鏡電路19，供給對補 饧對象電晶體1之基極電流做補償 択口㈣ 供給檢測用電晶體2之基極電流；肩仏電1，同時地 對象電晶體1之射極輸&，而輪出反、饋電路1 8 5輸入補償 極射極間之電壓與檢測周電晶體2 j侦對象電晶體1之集 等之電壓，奚電流鏡電路19與檢集極射極間之電壓相 藉此，造成補償對象電晶體、用電晶體2。 W、和檢測周電晶體2集極射才^集極射極間之電壓

2111-3573-p.〇td 第16頁 ^間之電壓之Vce2相等， 490924 五、發明說明（13) 〜―― 丨 輸入電流流向一定方向，而能降低過補償，所以能夠執— 適當的基極電流補償。然而，亦可將實施例i之各肿^電了 體置換為PNP電晶體$各PNP電晶體置換為NpN電晶體， 能獲得同樣的效果。 〜 實施例2 在前面所述之實施例1，從ΡΝΡ電晶體3之集極射極間 之電壓、和ΡΝΡ電晶體4之集極射極間之電壓的差異，產生 補償對象電晶1之基極電流、和檢測用電晶體2之基極電流 的差異’而有殘留補償誤差的情況。實施例2，使實施例i 中之在電流鏡電路之檢測用電晶體侧之電晶體集極射極間 之電壓、和補领電k供給側之電晶體集極射極間之電壓相 等，以執行更適當的基極電流補償。 第4圖’係表示有關於本發明實施例2之基極電流補償 電路之概略構造圖。此基極電流補償電路5包括： 電源連接至集極，而檢測補償對象之NPN電晶體（補償 對象電晶體）31之基極電流之N P N電晶體（檢測甩電晶 體）32 ; 從PNP電晶體33〜36，來供給對補償對象電晶體31之基 極電流做補償之補償電流i 2，同時地供給檢測用電晶體之 基極電流之電流鏡電路5 2 ;以及 使補償對象電晶體31之輸出電流i 3、和檢測用電晶體 32之輸出電流i 4相等，而以此電流當基準，輸出電流鏡電 路52之檢測用電晶體側（PNP電晶體33)之電晶體之集極射

2111-3573-p.ptd 第17頁 490924 五、發明說明（14) 極間之電壓' 和補償電流供給側之電晶體（PNp雪晶體3及） =射極間之電壓相等之電壓，至電 路 輸出電路55。 象電晶體3卜連接緩衝器電路之輸入端子53、 枉電路52之補償電流供給用端子（pNp電晶體^之集 極）至基極，並連接電源至集極。 =鏡電路52，係威爾森（wiUsQn)之電流鏡電路s ，、T包括. 卿連電接子53與補償對象電晶體31之基極，至集極 I連觀電晶體34之射極，至基極與集極之—電晶體 極 = PNP電晶體34之基極、舆檢測用電晶體32之基 至基極、與集極之PNP電晶體33 ; 一 之美ΪΓϋ電晶體33之射極至集極，並連細P電晶體36 舉出威爾森之電流鏡電路當例子久二可 使用其他形式之電流鏡電路。 電壓輸出電路55，包括： 連接電源至集極，而輸出射極電壓至電流鏡雷路以之 輸入端子（ΡΝΡ雷電路52之 ΧίΡλί ^ 。日日體35之射極與ΡΝΡ電晶體36之射極）夕 電晶體44 ; 々先徑）〜 從ΡΝΡ電晶體40〜43舆ΝΡΝ電晶體46〜51，讓補儅梦羡雷 曰曰體31之射極電流i3、與檢 / ^ 象電 •欢列用冤日日體32之射極電流i4相 —..........................- 五、發明說明G5) f 而使NPN電晶體44之基極產生按照該流之電壓之電 流鏡電路； < fNPN電晶體44之基極至射極之pNp電晶 cPNP^晶體gg之基極與集極，至 38 ； μ

體39 ; 射極之PNP電晶骨 1曰触&接烈1"電晶體38之基極與集極至基極，並連接NPN電 |日日之基極至集極之NPN電晶體37 ;以及 | t連接NPN電晶體3 7之射極至射極，連接地至集極，並 | 接、笔日日體4g〜48之基極至基極之pNp電晶體“。 I 電壓輸出電路55之電流鏡電路，包括： j 連接電源至射極之PNP電晶體40 ; | 逆接電源至射極，連接PNP電晶體40之基極盥隹極5 至基極之PNP電晶體ο ; … I ·連接PNP電晶體40之基極與集極，至射極之電晶體 | ;以及 - k

連接PNP電晶體41之集極至射極，並連接pNp電晶體42 土極與NPN電晶體44之基極，至基極、金隼極之pNp雪晶體43。 ，、罘？、。再者’電壓輸出電路5 5之電流鏡電路，包括： 連接補償對象電晶體31之射極，至基極與隼極之NpN 電晶體46 ; " “ 連接檢測用電晶體32之射極至集極，並連接NpN電晶 體46之基極與集極，至基極之卜丨四電晶體4?;連接NPN電晶體46與47之基極至基極，並連接？肝雪晶

2111-3573-p-otd 第19頁 490924 五、發明說明（16) 體42之集極至集極之NPN電晶體48 ; 連接NPN電晶體46之射極至集極之NPN電晶體49 ; 連接NPN電晶體49之基極、與NM電晶體4? 集極、輿基極之NPN電晶體5〇 ;以及 』工5至 連接NPN電晶體49與5〇之基極至基極，並連 體48之射極至集極之NpN電晶體51。 4 包晶 電壓輸出電路55之電流鏡電路，使補償對象雷 之射極電流i3、檢測用電晶體32之射極電流u、盥= 晶體42之集極電流i5相等。在此，舉由威爾森之雷今yc 路當例子，但是亦可使周其他形式之電流鏡電路二处成電 NPN電晶體49〜51之射極，連接至缓衝器電路 子54。而在NPN電晶體49〜51之射極與地之間，設置=， 1電流流至地侧之定電流源56。檢測用電晶體32，檢^ 侦對象電晶體31之基極電流。電流鏡電路52，供給補償電 流^2，同時地供給檢測用電晶體32之基極電流。電壓輸岀 包路55，使補償對象電晶體31之射極電流i3、檢測用電晶 體32之射極電流i4、與PNp電晶體42之集極電流i5相等，

I 而輸出使PNP電晶體33之集極射極間之電壓、與pNp電晶體 34之集極射極間之電壓相等之電壓，至電流鏡電路52。 在以上的構造中，對實施例2之動作5作說明。在此 緩衝器電路，補償對象電晶體31、檢測用電晶體32、與 NPN電晶體37，為相同的電晶體大小。而pNp電晶體33〜3δ 為相同的電晶體大小。ΡΝΡ電晶體38與39，各自為ρΝρ電晶 體33〜36的電晶體大小之2倍之電晶體大小。如此地，使 490924 I五、發明說明（17) j |肝”電晶體44、？評電晶體4 5、與補償對象電晶體31之基極 |射極間之電壓的大小相等地，來設定NPN電晶體44與PNP電 | · j晶體45之電晶體大小。 j ! 藉此，成立第13式與第14式。 g

i I j Vbe33+Vbe35-Vbe34+Vbe36=Vbe38+Vbe39 …ώ ] j (第13式） j I Vbe31=Vbe32-Vbe37 。(第14 式） | ί Vbe31為補償對象電晶體31之基極射極間之電壓， | I ί I Vbe32為檢測羯電晶體32之基極射極間之電壓，Vbe33 j j 〜Vbe36、Vbe38、與Vbe39 為PNP 電晶體33〜36、38、與39 之 |麄 |基極射極間之電壓，Vbe3?表示NPN電晶體37之基極射極間|響 之電壓。 | 如此地，造成補償對象電晶體3 1之集極電壓與檢測用 j |電晶體32之基極電壓相等、並造成PNP電晶體33之射極電 | 壓舆PNP笔晶體34之杂極電壓相等。也就是說，pnp電晶薇j 33之集極射極間之電壓和PNP電晶體34之集極射極間之電 j 壓相等。藉此，造成補償對象電晶體31之基極電流和檢測| 用電晶體3 2之基極電流相等，而造成檢測用電晶體3 2之基 極電流和補償電流i 2相等，流入輸入端子5 3之輸入電流變 成「0」。 |赢

I | 補償對象電晶體之射極電流i4和PNP電晶體42之集極 i |電流i5的比（i4/i5)取為任意值X，則PNP電晶體35之電晶 | |體大小Tr35和PNP電晶體39之電晶體大小Tr39的比 | j (Tr35/Tr39)取為（X/2)，pnp電晶體33之電晶體大小Tr33 1

21Π-3573-ρ·ρΙ(1 第21頁 490924 五、發明說明（18) 和PNP電晶體38之電晶體大小Tr38的比（1>33/1>38)取為 vX/。2) ’檢測用電晶體32之電晶體大小Tr32和ΝΡΝ電晶體3? 之電晶體大小Tr37的比（Tr32/Tr37)亦可舉取為（χ/2)。 ‘ +如此地’ PNP電晶體35輿PNP電晶體39之基極射極間 之包壓與集極射極間之電壓相等、pNp電晶體33盥 曰 ^ S之基極射極間之電壓與集極射極間之電壓相等、檢測 周電晶體32與NPN電晶體37之基極射極間之電壓舆集極射 極間之電壓相等，藉此，能夠降低補償誤差。 “ 苐5圖’係表示有關於實施例2之其他的基極電流補 |償電路之概略構造圖。此基極電流補償電路，在第4圖所 |示的基極電流補償電路中，‘PNP電晶體35之射極、與NpN |電晶體44之射極間設置了電阻6i，在PNP電晶體36之射 I極、與NPN電晶體44之射極間設置了電阻62，在NPN®：具體 44之基極、與pNP電晶體39之射極間設置了電阻63。即使 在此構造中，亦和第4圖所示的基極電流補償電路作同樣 i地動作，而能獲得同樣的效果。 * 如前面所述地，根據實施例2，檢測罔電晶體32，檢 測補償對象電晶體31之基極電流；電流鏡電路5 2 5候給對 補償對象電晶體3 1之基極電流做補償之補償電流丨2，同時 地供給檢測用電晶體32之基極電流；電壓輸出電路55，* 使補償對象電晶體3 1之輸出電流i 3、與檢測用電晶體3 2之 I輸出電流ι4相等，而以此電流當基準，輸出使pNp電晶體 33之集極射極間之電壓與PNP電晶體34之集極射極間之雷 壓相等之電壓，至電流鏡電路52。

2111-3573-p-ptd 第22頁 490924 五、發明說明（19) 藉此，造成PNP電晶體33之集極射極間之電壓、和PNP 電晶體34之集極射極間之電壓相等5而能減低輸入電流5 所以能夠執行適當的基極電流補償。然而，亦可將實施例 2之各NPN電晶體各自置換為pNP電晶體，各pNp電晶體各自 置換為N P N電晶體，而能獲得同樣的效果。 發明效果 如以上所說明的，根據本發明，檢測用電晶體，檢消 補彳員對象電B3體之基邊電流；電流鏡電路，供給對補償棄 象電晶體之基極電流作補償之補償電流，同時地供給檢須, 用電晶體之基極電流；反饋電路，輸入補償對象電晶體之 射極輸ά，而輸出使補償對象電晶體之集極射極間 屬 射極間之電壓相等之電壓，環 鏡琶路。耩ί:造成使補償對象電晶體之集極射極間之雪 壓與礆測周電晶體之集極射柘間 方向固定，並能夠降低過補償二所== 行適當的基極電流補償的效果。 、/斤明的此夠執 根據卞一個發明，立驻外 補償對象電晶體之集搞^^於：檢測用電晶豸，連接 位位移裝|，電位位：補=而反饋電路包括：第工電 第1電晶體，連接第〗電位=弒=电晶體之射極輸出電壓； 連接電源之低電位側至梦極t置之輸出端子至基極，而 接在第1電晶體之射極、\ ，、、第1，阻與第2電阻，串聯連 體，連接第1電阻與第9 # ^ 原之尚電位側之間；第2電晶 不“贫扭的連接部分至基極，而連接電

t； !

490924

I 五、發明說明（20) 源之低電位側至集極；定電流源，輸出既定之電流；第2 電位位移裝置，設置在定電流源的輸出端子與第2電晶體 的射極之間，而電位位移第2電晶體之射極電壓；以及第3 電晶體，連接第2電位位移裝置之輸出端子至基極，連接 電源之高電位侧至集極，而輸&射極電壓至電流鏡電路與 檢測用電晶體。藉此，造成補償對象電晶體之集極射極間 之電壓與檢满羯電晶體之集極射極間之電壓相等5而輸入 電流方向固定，並能夠降低過補償，所以奏效了所謂的能 夠執行適當的基極電流補償的效果。 根據下一個發明，檢測用電晶體，檢測為補償對象之 補償對象電晶體之基極電流；第1電流鏡電路，供給對補 償對象電晶體之基極電流作補償之補償電流，同時地供給 檢測周電晶體之基極電流；電壓輸出電路，使補償對象電 晶體之輸出電流與檢測周電晶體之輸出電流相等，而以該 %流當基準’輸出使在第1電流鏡電路之檢測用電晶體側 之電晶體之集極射極間之電壓、與補償電流供給例之電晶 體之集極射極間之電壓相等的電壓，至電流鏡電路。藉 此，造成在第1電流鏡電路中之檢測用電晶體側之電晶體 之集極射極間之電壓、與補償電流供給側之電晶體之集極 射極間之電壓相等5而能減低輸入電流5所以奏效了所謂 的能夠執行適當的基極電流補償的效果。 根據下一個發明，檢测用電晶體與補償對象電晶體， 各自連接電源之高電位侧至集極，而電壓輸出電路包括： 第1電晶體，連接電源之高電位侧至集極5而輸出射極電

I

2111-3573-p-ptd 第24頁 490924 I ΙΜΓ-Γ I.ι,< m, ---, ^ I五、發明說明（21) I壓至第1電流鏡電路；第2電流鏡電路，讓補償對象電晶體 i之輸出電流與檢測用電晶體之輸出電流相等，而使第1電 I晶體之基極，產生按照該電流之電壓；第2電晶體9連接 ί ?第1電晶體之基極至射極；第3電晶體，連接第2電晶體之 | I基極與集極，至射極；第4電晶體，連接第3電晶體之基極 ! 丨與集極至基極，並連接第1電晶體之基極至集極；以及第5 I電晶體，連接第4電晶體之射極至射極，連接電源之低電 I I位侧至集極，並連接第2電流鏡電路内之電晶體之基極至 丨基極。籍此 > 造成第1電流鏡電路中之檢測羯電晶體側之 j電晶體之集極射極間之電壓，與補償電流供給侧之電晶體 丨之集極射極間之電壓相等，而能夠減低輸入電流，所以奏 |效了所謂的能夠執行適當的基極電流補償的效果。 I圖式簡單說明 丨 第1圖係表示有關於太發明的實施例1之基極電流補償 丨電路之概略構造圖。 I 第2圖係表示有關於實施例1之其他的基極電流補償電 i路之概略構造圖。 第3圖係有關於實施例1，表示另一其他的基極電流補 償電路之概略構造圖。 1 j 第4圖係表示有關於實施例2之基極電流補償電路之概 ί略構造圖。 1 I 第5圖係表示有關於實施例2之其他的基極電流補償電 j路之概略構造圖。

2111-3573-p.ptd 棼25頁 490924 |P ™ — 鳴丨 ^ «-«-in·»—r — — — I五、發明說明（22) I 第6圖係表示習知之基極電流補償電路之概略構造 |圖。 j符號說明 j 1 、2 、13 、 31 、32 、37 、44 、46—51 〜NPN 電晶體; j 3—6 、 8 、 9 、 33-36 、 38-43 、 45 〜PNP 電晶體； I 7、10-12〜二極體； 14 '17、56〜定電流源；

2ii!-3573-p-ptd 第26頁

Claims (1)

1. 490924 I六、申請專利範圍 I j k 一種基極電流補償電路S其特徵在於包括： I 檢測兩電晶體，檢測為補償對象之補償對象電晶體之 |基極電流； 丨 電流鏡電路’很給對上述補償對象電晶體之基極電流 |作補償之補償電流，同時地供給上述檢測用電晶體之基極 I電流；以及 j 反饋電路5輸入上述補償對象電晶體之射極輸出，而 i輸出使上述補償對象電晶體之集極射極間之電壓與上述檢 I測用電晶體之集極射極間之電壓相等之電壓，至上述電流 , I鏡電路。 I 2.如申請專利範圍第1項所述的基極電流補償電路， I其中上述檢測用電晶體，連接上述補償對象電晶體之集極 i至射極； j 上述反饋電路包括： | 第1電位位移裝置，電位位移上述補償對象電晶體之 射極輸出電壓； 第1電晶體，連接上述第1電位位移裝置之輸出端子至 j基極，而連接電源之低電位侧至集極； I 第1電阻與第2電阻，串聯連接在上述第1電晶體之射 |極、與電源之高電位侧之間； ! 第2電晶體，連接上述第1電阻與上述第2電阻的連接 I 丨部分至基極，而連接電源之低電位側至集極； I 定電流源，輸出既定之電流； I 第2電位位移裝置，設置在上述定電流源的輸出端子

   2 1 1 1 -3573-ρ·p t d 第27頁 490924 六、申請專利範圍 與上述第2電晶體的射極之間，而電位位移上述第2電晶體 之射極電壓；以及 第3電晶體，連接上述第2電位位移裝置之輸出端子至 基極，連接電源之高電位倒至集極，而輸出射極電壓至上 述電流鏡電路。 3. —種基極電流補償電路，其特徵在於包括： 檢測用電晶體，檢測為補償對象之補償對象電晶體之 基極電流； 第1電流鏡電路，供給對上述補償對象電晶體之基極 電流作補償之補償電流，同時地供給上述檢測羯電晶體之 基極電流；以及 電壓輸出電路，使上述補償對象電晶體之輸出電流與 上述檢測用電晶體之輸出電流相等，而以該電流當基準， 輸出使在上述第1電流鏡電路中之檢測用電晶體侧之電晶 體之集極射極間之電壓、與補償電流供給側之電晶體之集 極射極間之電壓相等的電壓，至上述第1電流鏡電路。 4. 如申請專利範圍第3項所述的基極電流補償電路， 其中上述檢測用電晶體與上述補償對象電晶體，各自將電 源之高電位側連接至集極； 上述電壓輸出電路包括： 第1電晶體，連接電源之高電位側至集極，而輸出射 極電壓至上述第1電流鏡電路； 第2電流鏡電路，讓上述補償對象電晶體之輸出電流 與上述檢測用電晶體之輸出電流相等，而使上述第1電晶

   2111-3573-p-ptd 第28頁 490924 I六、中請專利範圍 ! I I i體之基極，產生按照該電流之電壓； i | 第2電晶體，連接上述第1電晶體之基極至射極； | 1 第3電晶體，連接上述第2電晶體之基極與集極，至射 I |極； | | 第4電晶體，連接上述第3電晶體之基極與集極至基 I 丨極$並連接上述第1電晶體之基極至集極；以及 丨 ί I 第5電晶體，連接上述第4電晶體之射極至射極，連接 電源之低電位侧至集極，並連接上述第2電流鏡電路内之 丨電晶體之基極至基極。 j

   2111-3573-?'ρΐα 第29頁