TW490364B - Polishing sheet and its manufacture method - Google Patents
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490364 Α7 Β7 五、發明説明(1 ) 〔發明所屬之領域〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明,係關於爲了硏磨半導體晶片,液晶玻璃基板 ’硬磁碟基板,磁頭基板等,將要求在表面高度的平坦性 之硏磨對象物用的硏磨用薄片及方法,特別係有關適合化 學性機械性硏磨之硏磨用薄片及其製造方法者。 〔習知技術及發明所要解決之課題〕 在半導體晶片,液晶玻璃基板,硬磁碟基板,磁頭基 板等,表面被要求高度平坦性的硏磨對象物之硏磨,已被 利用化學性機械性硏磨(C Μ P )法。 C Μ Ρ法,係使用包含與硏磨對象物表面化學性地反 應的硏磨液被進行,一面將硏磨對象物表面化學性地蝕刻 ,或在硏磨對象物表面生成絡化物與氧化物,以硏磨液中 所含有之遊離磨石粒機械性地硏削的硏磨法,根據C Μ Ρ 法時,將被進行非常細微之硏磨,具有能將表面高度地平 坦化之優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如,在半導體裝置的領域,因裝置之大容量化,多 層配線技術逐漸成爲重要。在該多層配線技術,底子將被 要求高度之平坦性。此係,因在底子有凹凸時,將由此產 生段差,在此段差上所形成的配線會斷裂之缺點,無法得 到所定的配線設計性能之故。因此,在形成配線圖型與絕 緣膜的晶片之平坦化,將被利用上述C Μ Ρ法。 如此之利用C Μ Ρ法的半導體晶片之平坦化,係一面 將含有與晶片表面形成的膜(例如,氧化矽膜)化學性地 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 B7 五、發明説明(2) 反應之成份(例如氫氧化鉀水溶液)的碱性之硏磨液,供 給貼在旋轉定盤的硏磨墊上,在該硏磨墊上把晶片推壓而 被進行(例如,參照特開平8 - 3 5 4 0號公報,特開平 1 0 — 8 8 1 1 1 號公報)。 過去,做爲如此的平坦化所使用之硏磨墊,也被使用 在表面有多數微細孔的發泡體基座之硏磨墊(例如,發泡 聚尿胺墊,製品號碼:I C — 1 〇 〇 〇,Rodel公司),和 將塑膠纖維所成的薄片狀之織布固定在橡膠製薄片等的彈 性薄片上之硏磨墊(例如,參照特開昭5 5 - 9 0 2 6 3 號公報)。此係,被認爲在發泡體基座之硏磨墊,硏磨中 ,由表面的微細孔所保持的遊離磨石粒,將對硏磨對象物 表面彈性地作用,能夠把硏磨對象物表面高度地平坦化, 並且,在將織布固定在彈性薄片上之硏磨墊,由將織布固 定在彈性薄片上,在硏磨中由構成織布的纖維間之空隙所 保持的遊離磨石粒,將對硏磨對象物表面彈力性地作用, 能夠將硏磨對象物表面高度地平坦化之故。 可是,如此的習知之發泡體基座的硏磨墊,係至少使 二種以上的樹脂之混合物發泡而將發泡體塊成形,將該塊 切成所定的厚度者,因難以使塊之發泡度,經塊內部使之 成爲均句,每製品化的硏磨墊,將在每單位面積之微細孔 數與彈性產生參差,並且連製品化的一張硏磨墊,也有局 部性地產生微細孔數與彈性之參差的問題。 並且,使用如上述之發泡體基座的硏磨墊時,隨著使 用時間之經過,墊表面將局部性地或全體地磨損,硏磨墊 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 _B7_ 五、發明説明(3) 的表面部份將變形,不僅無法將硏磨對象物表面均勻地硏 磨,磨石粒與硏磨屑將積存在墊表面的微細孔而堵塞,硏 磨率(每單位時間之硏磨量)將會降低。因此,目前係爲 了墊表面的平坦化與消除堵塞,每次以固定鑽石等硬質粒 子之磨砂板等修整工具進行墊表面之修整,不只在該修整 將花時間與工夫,並且有在修整後,從修整工具脫落的鑽 石等硬質粒子附著在墊表面,由該硬質粒子將在硏磨對象 物表面被形成不必要的刮痕之問題。 更且,使用如上述的已往之將織布固定在彈性薄片上 的硏磨墊時,隨著使用時間經過,墊表面的織布之纖維將 錯開,而使硏磨墊的表面部份變形,不僅無法將硏磨對象 物表面均勻地硏磨,具有遊離磨石粒將難以被保持在墊表 面,而使硏磨率降低之問題。 因此,本發明之目的,係在提供隨著使用時間之經過 也不會變形,能夠以高硏磨率將硏磨對象物表面均勻地平 坦化之硏磨用薄片及其製造方法,以及提供使用該硏磨用 薄片之硏磨方法。 〔爲了解決課題之裝置〕 解決上述目的之本發明的硏磨用薄片,係由1支纖維 ,捆束多數支纖維之纖維束,或將捆束多數支纖維的纖維 束更捆束多數而成之織布片,及將該織布片的纖維或纖維 束互相固定之樹脂所構成。本發明之硏磨用薄片,係使用 尿烷系,聚酯系,丙烯系等已知的樹脂接著劑,被固定在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 丨 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -6 - 490364 A7 B7 五、發明説明(4) 塑膠,織布,不織布,發泡體等而成之底子薄片的表面。 做爲織布薄片,將被使用經緞織者。增加經緞數時, 不只硏磨對象物的表面粗糙度將變小,將提高硏磨率。經 緞數以1〜1 5之範圍爲理想,而以3〜1 5的範圍更爲 理想。 做爲構成織布薄片之纖維,不限於硏磨用途而被使用 通常廣被使用的已知之纖維材料所成之纖維,爲了減小硏 磨對象物的表面粗糙度,提高硏磨率,將使用粗細〇 . 1 丹尼以下之纖維。以使用0 · 1丹尼以下的聚酯纖維爲理 想。 做爲將織布薄片之纖維或纖維束互相固定用的樹脂, 將使用尿烷系,聚酯系,丙烯系等已知之樹脂,而以使用 尿烷系樹脂爲理想。樹脂溶液中的樹脂濃度,係以〇 . 1 %〜3 0 %之範圍爲理想。樹脂溶液,係將上述樹脂溶解 在水,或酒精或者含有機溶劑的水基座之溶媒者。 上述本發明之硏磨用薄片,係使樹脂溶液含浸在上述 織布薄片,而將該含樹脂溶液的織布薄片烘乾製造。 硏磨對象物之硏磨,係使硏磨液介在於由本發明之硏 磨用薄片所成的硏磨墊或硏磨帶,與硏磨對象物表面之間 ’使硏磨墊或硏磨帶與硏磨對象物相對地移動而進行。做 爲硏磨液,以使用會有將與硏磨對象物表面化學性反應的 成份者爲理想,而將進行化學性機械性硏磨。此時,是否 在硏磨液含有磨石粒係隨意。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ----------—裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 B7 五、發明説明(5) 〔實施發明之形態〕 〔硏磨用薄片〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖1所示,本發明之硏磨用薄片1 〇係由1支纖維 1 3 ,將多數支纖維捆束的纖維束1 3,或將數支纖維捆 朿之纖維束更捆束多數之纖維束1 3所成的織布薄片1 2 ’及將該織布薄片1 2之纖維或纖維束1 3互相固定的樹 脂1 4所構成。本發明之硏磨用薄片1 〇,係如圖所示, 爲了防止硏磨中的橫移,將經田尿烷系樹脂,聚酯系樹脂 ’丙烯系樹脂等已知之接著劑1 6 ,固定在底子薄片1 5 的表面。做爲底子薄片1 5,將使用具有高抗拉強度,耐 藥品性優異之聚酯,聚丙烯,聚對苯二甲酸乙二醇酯等塑 膠材料而成的薄片,織布薄片,不織布薄片,發泡尿院等 發泡體而成之發泡體薄片。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 做爲織布薄片1 2,將使用把纖維或纖維束1 3經緞 者。此時,如果減小經緞數時,硏磨率將變小,硏磨後的 硏磨對象物之表面粗糙度將增大。一方面,增大經緞數時 ,硏磨率將增大,硏磨後的硏磨對象物之表面粗糙度將變 小,可是經緞數過大時,硏磨用薄片將容易變形,故經緞 數係以1 5以下爲理想,而以3〜1 5的範圍爲更理想。 在圖示之例,經緞數爲5。 做爲構成織布薄片1 2的纖維1 3,將被使用從尼龍 ,聚酯,丙烯,維尼綸,聚氯乙烯,聚乙烯,vinyl i dene, 聚尿烷,聚喀拉爾,嫘縈,聚諾積克,求布拉,醋酸鹽, 三醋酸鹽,普羅密克斯等合成纖維,碳纖維,絹,羊毛, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -8 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 B7 _____ 五、發明説明(6) 棉,麻等天然纖維所選的1種或2種以上之纖維’爲了使 硏磨對象物的表面粗糙度變小,提高硏磨率’將使用〇 · 1丹尼以下之纖維。以使用0 · 1丹尼以下的聚酯纖維爲 理想。 使之浸滲在織布薄片1 2的樹脂溶液,係將尿烷系, 聚酯系的已知之樹脂溶解在水者,樹脂溶液中的樹脂濃度 係在0 · 1 %〜3 0 %之範圍。理想地被使用尿烷樹脂溶 液,織布薄片1 2的纖維或纖維束1 3,將互相由尿烷樹 月旨1 4被周定。 〔製造方法〕 如圖1所示的本發明之硏磨用薄片1 0,係使樹脂溶 液浸滲在織布薄片1 2,使該含有樹脂溶液的織布薄片 1 2乾燥,由將該織布薄片1 2之纖維或纖維束1 3,互 相以樹脂1 4固定而被製造。理想地,將經由接著劑1 6 被固定在底子薄片1 5之表面。此時,樹脂溶液能夠使用 噴霧,或使之鑽進樹脂溶液槽中使之浸滲在織布薄片1 2 。並且,本發明的對底子薄片1 5表面之固定,雖然能如 上述地經由接著劑1 6進行,可是,也能夠先將含有樹脂 溶液的織布薄片1 2按壓在底子薄片1 5之表面,然後使 之乾燥。在此,代替接著劑1 6,使用習知的雙面膠帶( 未圖示),固定在底子薄片15之表面也可以。 〔硏磨方法〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 B7 五、發明説明(7) 硏磨對象物的硏磨,將使硏磨液介在如圖1所示的本 發明之硏磨用薄片1 0所成的硏磨墊或硏磨帶與硏磨對象 物表面之間,使硏磨墊或硏磨帶與硏磨對象物相對地移動 而進行。 以下,關於實施本發明之硏磨方法的代表性硏磨方式 簡單地說明。 1 ·旋轉定盤式硏磨 旋轉定盤式硏磨,係如圖2所示,將本發明之硏磨用 薄片所成的硏磨墊1 0貼在定盤D,把半導體晶片等硏磨 對象物1 1吸附在頭Η,一面使定盤D與頭Η分別向箭頭 記號方向旋轉,經由噴嘴Ν將硏磨液供給定盤D上的硏磨 墊1 0之表面,把吸附在頭Η的硏磨對象物1 1推壓在定 盤D上之硏磨墊1 〇而進行。 2 ·旋轉頭式硏磨 旋轉頭式硏磨,係如圖3所示,將液晶玻璃板等硏磨 對象物1 1以框等的保持裝置S保持在定盤D上,在此硏 磨對象物1 1之表面,一面經由噴嘴Ν供給硏磨液,把安 裝本發明的硏磨用薄片而成之硏磨墊1 〇的旋轉頭Η按壓 ’使旋轉頭Η在硏磨對象物1 1表面上水平蛇行運動而進 行。 3 ·皮帶式硏磨 皮帶式硏磨,係如圖4所示,將半導體晶片等硏磨對 ϋ張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210χ297公釐) ' -10 - I 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 490364 Α7 Β7 五、發明説明(8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 象物1 1吸著在頭Η,使頭Η旋轉並且使由本發明之硏磨 用溥片而成的皮帶狀硏磨墊1 0向箭頭記號方向行走,經 由噴嘴Ν將硏磨液供給硏磨墊1 〇之表面,把吸著在頭η 的硏磨對象物1 1推壓在表面固定彈性材(未圖示)的平 台Ρ上,使之吸著在頭Η之硏磨對象物1 1而進行。 4 ·滾筒式硏磨 溶筒式硏磨,係如圖5所示,將半導體晶片等硏磨對 象物1 1吸著在頭Η,使頭Η向箭頭記號方向旋轉,並且 使將本發明之硏磨用薄片所成的硏磨墊1 〇貼在周圍之筒 C向箭頭記號方向旋轉,把硏磨液經由噴嘴Ν供給貼在筒 C周圍的硏磨墊1 〇之表面,推壓在頭Η所吸著的硏磨對 象物1 1而進行。 5 ·帶式硏磨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 帶式硏磨,係如圖6所示,將半導體晶片等硏磨對象 物1 1吸著在頭Η,一面使頭Η向箭頭記號方向旋轉,在 從供給滾輪R 1向箭頭記號方向送出的由本發明之硏磨用 薄片所成的硏磨帶1 0上,經由噴嘴Ν供給硏磨液,在位 於表面固定彈性材(未圖示)之平台Ρ上的硏磨墊1 〇上 ,把吸著在頭Η之硏磨對象物1 1推壓而進行,硏磨帶 1 0將依次被捲取在捲取滾筒R 2。此時,硏磨帶1 〇之 送出捲取動作,可以連續地進行,也可以在將硏磨對象物 1 1推壓在硏磨帶1 0表面時,中斷該送出捲取動作地間 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 __B7 _ 五、發明説明(9) 歇性地進行。 〔硏磨液〕 在本發明,做爲硏磨液雖然能夠吏用被使用在遊離磨 石粒式硏磨的已知之硏磨液,可是以使用含有將與硏磨對 象物表面化學性地反應的成份者爲理想。此係,如以上所 述’利用C Μ P法時,具有能進行高度的平坦化之優點。 利用C Μ Ρ法將金屬與玻璃硏磨時,做爲硏磨液能夠使用 酸性的溶液,及會氧化劑之溶液,會螯合劑的溶液,或氫 氧化鉀溶液,氫氧化鈉溶液等的碱性溶液者。 做爲被分散在硏磨液中之磨石粒,能夠使用二氧化矽 ,氧化鈽,氧化鋁,氧化锆,鑽石等已知之磨石粒。 在此,利用C Μ Ρ法時,是否使用磨石粒係任意。使 用磨石粒的硏磨液時,比使用發泡體基座之硏磨墊,硏磨 率將增大。一方面,使用不含磨石粒的硏磨液時,將能得 到與使用發泡體基座之硏磨墊時同等的硏磨率。 〔實施例1〕 在將粗細0 · 0 6丹尼的聚酯纖維捆束7 0支之纖維 束再捆束1 2支的纖維束做爲橫系,以「經緞數8」織成 之織布薄片,使將尿烷樹脂(1 0 %濃度)溶解在水的樹 脂溶液浸滲,把該含樹脂溶液之織布薄片烘乾,將之以丙 烯系樹脂接著劑接著固定在聚對苯二甲酸乙二醇酯( ρ Ε Τ )薄片表面製造本發明之硏磨用薄片,把該硏磨用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) I-------1¾衣------、訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 Μ Β7 五、發明説明(1〇) 薄片切斷加工,而製造實施例1之硏磨墊。 〔實施例2〕 在將粗細度0 · 0 6丹尼的聚酯纖維捆束7 0支之纖 維束再捆束1 2支的纖維束做爲直絲及橫絲,以「經緞數 5」織成之織布薄片,使上述實施例1的樹脂溶液浸滲, 將該含有樹脂溶液之織布薄片乾燥,把它在Ρ Ε Τ薄片的 表面以丙烯系雙面膠帶接著固定,而製造本發明之硏磨用 薄片,把該硏磨用薄片切斷加工,製造實施例2之硏磨墊 〔實施例3〕 在將粗細度0 . 0 6丹尼的聚酯纖維捆朿7 0支之纖 維束更捆束1 2支的纖維束做爲直絲及橫絲,以「經鍛數 1」織成之織布薄片(平織),使上述實施例1的樹脂溶 液浸滲,把該含有樹脂溶液之織布薄片乾燥,將此在 Ρ Ε Τ薄片的表面以丙烯系雙面膠帶接著固定,製造本發 明之硏磨用薄片,把該硏磨用薄片切斷加工,而製造實施 例3之硏磨墊。 〔實施例4〕 在將粗細0 · 0 6丹尼的聚酯纖維7 0支捆束之纖維 束更捆束1 2支的纖維束做爲直絲及橫絲,以「經緞數3 」織成之織布薄片,使上述實施例1的樹脂溶液浸滲,把 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) " -13- I 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 B7 五、發明説明(11) 此含有樹脂溶液之織布薄片乾燥’將此在p E T薄片的表 面以丙烯系雙面膠帶接著固定而製造硏磨用薄片,把該硏 磨用薄片切斷加工而製造實施例4之硏磨墊。 〔比較例1〕 將粗細0 · 0 6丹尼的聚酯纖維捆束7 0支之纖維束 更捆束1 2支的纖維束做爲直絲及橫絲’以「經緞數3」 織成之織布薄片,在P E T薄片的表面以丙烯系雙面膠帶 接著固定,而製造硏磨用薄片,把該硏磨用薄片裁斷加工 ,而製造比較例1之硏磨墊。 〔比較例2〕 比較例2的硏磨墊,係市售之發泡聚尿烷墊(製品號 碼:I C — 1 〇 0 0,Rodel 公司製)。 〔比較例3〕 在將粗細1 · 1 8丹尼的聚酯纖維捆束3 4支之纖維 束做爲直絲及橫絲,以「經緞數1」織成的織布薄片(平 織),使上述實施例1之樹脂溶液浸滲,把該含有樹脂溶 液的織布薄片乾燥,將之在P E T薄片之表面以丙烯系雙 面膠帶接著固定而製造硏磨用薄片,把該硏磨用薄片裁斷 加工而製造比較例3之硏磨墊。 〔硏磨試驗1〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — -14- 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 490364 A7 B7 五、發明説明(12) 在將纖維束以樹脂固定的經緞織之織布薄片固定在底 子薄片表面的本發明之硏磨用薄片’改變織布薄片的經緞 數,關於硏磨率與硏磨後的硏磨對象物表面之粗糙度進行 測試。 本硏磨試驗1 ,係分別使用實施例1 (經緞數8 ), 實施例2 (經緞數5 )及實施例3 (經緞數1 )之各硏磨 墊而被進行。 做爲硏磨對象物,係使用在表面將C u膜(8 0 0 0 A )由濺散在矽晶片(8英吋)上成膜者。 該附C u膜晶片之硏磨,係做爲硏磨液,使用做爲磨 石粒含平均粒徑0 · 1 // m的氧化鋁之下述表2所示組成 的「硏磨液(A )」,使用如圖2所示的旋轉定盤式之硏 磨裝置(製品號碼:Mechpol E5 50,Presi公司製),以下 列表1所示之硏磨條件進行。 表1 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 硏磨條件 頭旋轉數 4 0 r p m 定盤旋轉數 4 0 r p m 硏磨液供給量 2 5 0 m 1 / 分 推擠壓力 3 0 0 g / c m 硏磨時間 6〇秒 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs ) μ規格(210X297公釐) -15- 490364 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(13) 表2 硏磨液組成(硏磨試驗1 ) 硏磨液(A )(磨石粒包含)__ 喹哪啶酸 0 · 6 7重量% 過氧化氫水 4 . 6 7重量% 乳酸 1 · 3 3重量% 氫化鋁(平均粒徑0 . 1 // m ) 4 · 0 0重量% 純水 8 9 . 3 3重量% 硏磨率(單位:A /分),係使用4探針接觸式抵抗 測定器(膜厚計)測定每單位時間被削的膜厚,表面粗糙 度(單位:A ),係使用白色干擾式表面粗糙度測定器( 製品名:NEW VIEW, Zygo公司製)而進行。 〔試驗結果1〕 將上述硏磨試驗1的結果示如下述表3。從表3顯示 ,在本發明之硏磨用薄片,增加經緞數時,硏磨率將增大 ,硏磨後的硏磨對象物之表面粗糙度將變小。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) I 裝1T線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 490364 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(14) 表3 試驗(硏磨試驗1 ) 經緞數 表面粗度(A ) 硏磨率(A /分) 實施例1 8 4.23 4 0 2 7.2 實施例2 5 5.80 2 6 2 6.9 實施例3 1 8 0.2 1 7 7 9.6 〔硏磨試驗2〕 使用上述實施例4,比較例1及比較例2的硏磨墊, 進行與在上述硏磨試驗1使用之晶片相同的附C u膜晶片 之硏磨。硏磨試驗2,係做爲硏磨液,使用做爲磨石粒會 平均粒徑0 · 1 # m的氧化鋁之上述表2所示組成的「硏 磨液(A )」,與不含磨石粒之下述表4所示的組成之「 硏磨液(B )」進行,關於硏磨率與硏磨後的硏磨對象物 表面之狀態進行調察。該「硏磨液(B )」,係與「硏磨 液(A )」同樣地,含有與C u膜(金屬)化學性地反應 ,而在C u膜表面生成絡化物的成份者。硏磨率(單位: A /分),係與上述硏磨試驗1相同地,使用4探針接觸 式抵抗率測定器(膜厚計),測定每單位時間被削的膜厚 。硏磨試驗2,係使用在上述硏磨試驗1使用的旋轉定盤 式之硏磨裝置,以上述表1所示之硏磨條件進行。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I--------1^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 _ _ B7 五、發明説明(15) 表4 硏磨液組成(硏磨試驗2 ) 硏磨液(Β )(磨石粒不含) 喹哪啶酸 0 . 6 7重量% 過氧化氫水 4 · 6 7重量% 乳酸 1 · 3 3重量% 純水 9 3 · 3 3重量% 〔試驗結果2〕 將上述硏磨試驗2之結果示如下列表5。從表5所示 的結果,顯示使用上述實施例4之硏磨墊時,在使用會磨 石粒的「硏磨液(A )」時,與使用未含磨石粒之「硏磨 液(B )」時的雙方情況之硏磨率,比使用上述比較例1 及2的硏磨墊時爲大。並且,關於硏磨後的附C u膜晶片 表面之狀態,上述實施例4的使用硏磨墊時之表面粗糙度 ,雖然也同樣地良好(約3 · 0 A〜4 · 0 A ),可是使 用在上述硏磨試驗1使用的白色干擾式表面粗糙度測定器 ,詳細調察硏磨後的附C u膜晶片之略全面的表面粗糙度 時,使用實施例4之硏磨墊時’比使用上述比較例1及2 的硏磨墊,被觀察到附C u膜晶片表面之全體被均勻地平 坦化。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210><297公釐) I---------辦衣------1T------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- 490364 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(16) 表5 試驗結果(硏磨試驗2 ) 硏磨率(n m /分) 實施例4 比較例1 比較例2 硏磨液A 2 13 6 19 5 0 13 0 0 硏磨液B 16 0 6 9 8 6 12 9 0 〔硏磨試驗3〕 使用上述實施例3 (纖維粗細0 · 〇 6丹尼)及比較 例3 (纖維粗細1 . 1 8丹尼)之硏磨墊,進行與在上述 硏磨試驗1使用的晶片相同之附C u膜晶片的硏磨。硏磨 試驗3,係做爲硏磨液,做爲磨石粒含平均粒徑〇 · 1 // m的氧化鋁之上述表2所示組成的「硏磨液(A )」而 進行,與上述實施例1同樣地,關於硏磨率與硏磨後的硏 磨對象物之表面粗糙度諷查。硏磨試驗3,係使用在上述 硏磨試驗1使用的旋轉定盤式之硏磨裝置,以上述表1所 示的硏磨條件進行。 〔試驗結果3〕 將上述硏磨試驗3之結果不如下列表6。從在表6顯 示的結果,可知減小纖維之粗細時,將提高表面粗糖度與 硏磨率,能以短時間硏磨成更平坦之表面。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 辦衣 訂 I線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 B7 五、發明説明(17) 表6 試驗結果(硏磨試驗3 ) 經緞數 纖維粗細 表面粗度 硏磨率 (丹尼) (A ) (A /分) 實施例3 1 0.06 80.2 1779.6 比較例3 1 1.18 513.4 1 680.5 〔發明之效果〕 由於本發明將如以上地被構成,硏磨用薄片的形狀將 安定,而不容易變形,故將不會隨使用時間之經過而變形 ,能夠以高的硏磨率將硏磨對象物表面均勻地平坦化。 並且,在利用C Μ P法之硏磨,能夠不使用磨石粒, 而以高的硏磨墊率將硏磨對象物表面均勻地平坦化。 〔圖面之簡單說明〕 〔圖1〕 圖1 ( a ),係本發明之硏磨用薄片的斷面圖,圖1 (b ),係表發明之硏磨用薄片表面的掃描型電子顯微鏡 照片。 〔圖2〕 係使用在旋轉定盤式硏磨的硏磨裝置之側視圖。 〔圖3〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) I!-------批衣------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490364 A7 B7 五、發明説明(18> 係使用在旋轉頭式硏磨的硏磨裝置之側視圖。 〔圖4〕 係使用在皮帶式硏磨的硏磨裝置之側視圖。 〔圖5〕 係使用在滾筒式硏磨的硏磨裝置之側視圖。 〔圖6〕 係使用在帶式硏磨的硏磨裝置之側視圖。 I 批衣 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C 圖號 說明〕 1 0… …硏磨 墊 或 硏 磨帶 1 1… …硏磨 對 象 物 1 2… …織布 薄 片 1 3… …纖維 或 纖 維 束 1 4… …樹脂 1 5… …底子 薄 片 1 6… …接著 劑 Η … …頭 D … …定盤 S … …保持 裝 置 ( 框) Ρ … ^…平台 C • · · …滾筒 Ν ···噴嘴 R 1… …供給 滾 筒 R 2… …捲取 滾 筒 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -21 -
Claims (1)
- 490364 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 · 一種硏磨用薄片,主要係由1支纖維,將多數支 纖維捆束的纖維束,或將多數支纖維捆束之纖維束更捆束 多數束的纖維束而成之織布薄片,把該織布薄片的前述纖 維或纖維束互相固定之樹脂所成的硏磨用薄片。 2 ·如申請專利範圍第1項之硏磨用薄片,其中,前 述織布薄片係被經緞者,經緞數在1〜1 5之範圍。 3 ·如申請專利範圍第1項之硏磨用薄片,其中,前 述織布薄片係被經緞者,經緞數在3〜1 5之範圍。 4 ·如申請專利範圍第1項之硏磨用薄片,其中,前 述纖維的粗細爲0 . 1丹尼以下。 5 ·如申請專利範圍第1項之硏磨用薄片,其中,更 由將該硏磨用薄片固定在表面用的底子薄片而成。 6 · —種硏磨用薄片之製造方法,其特徵爲,使樹脂 溶液浸滲在由1支纖維,將多數支纖維捆束的纖維束,或. 將多數支纖維捆束之纖維束更捆束多數的纖維束而成之織 布薄片,使該含有樹脂溶液的前述織布薄片乾燥,把前述 織布薄片之前述纖維或纖維束互相以樹脂固定者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 .如申請專利範圍第6項之硏磨用薄片的製造方法 ,其中,更包含將前述硏磨用薄片固定在底子薄片之表面 者。 8 . —種硏磨方法,其特徵爲,在由申請專利範圍第 1〜5項中之任何1項的硏磨用薄片而成之硏磨墊或硏磨 帶,與硏磨對象物表面之間,使含有與前述硏磨對象物表 面化學性地反應的成份之硏磨液介在,而使前述硏磨墊或 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22- 490364 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍硏磨帶與前述硏磨對象物相對地移動之硏磨方法 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -23-
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Cited By (4)
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