TW483804B - Method and apparatus for stabilizing the temperature during chemical mechanical polishing - Google Patents

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483804 A7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1·發明領域 本發明係有關半導體晶園加工領域，更特別而言，係 有關於線性平面化工具上施行化學機械拋光時控制拋光溫 度。 2·相關技藝之背景 積體電路（1C)之製備需於基本半導體基材上形成各種 不同層，以便於基材上形成之先前層上或其内形成嵌入結 構。於製備方法期間，此等層之中間部份需完全或部份移 除以達所欲裝置結構。因減少外觀尺寸，此等結構造成高 度不規則表面拓撲結構，其造成形成薄膜層時之製備問題 。為促進製備方法，粗链之表面拓撲結構需被平滑化或平 面化。 達成表面平面化之方法中之一者係化學機械拋光 (CMP)。於積體電路加工之各種不同階段，cMp被廣泛進 行諸如矽晶圓之半導體圓元之表面之平面化。CMp係用 於光學表面、度量衡樣品及各種以金屬及半導鱧為主之基 材之平面化。 CMP係一種技術，其間化學淤漿與拋光塾一起使用 使半導體晶圓上之物料藉拋光而移除。拋光墊之相對於 圓之機械式移除及結合配置於晶圓及墊子間之淤聚之化學 反應k供具有化學腐姓之磨耗力以使晶圓之露出表面（典 型上係晶圓上形成之層）平面化。典型上，向下之力量 晶圓加壓於用以施行CMP之墊子上。於施行CMP之最 遍之方法中，基材被置於拋光頭上，且抵著置於旋轉桌 以 晶 使 普 上 裝·1 I ·« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 %獨4 Α7 〜^_ Β7 _ 五、發明說明（2 ) 之拋光墊旋轉之。用以拋光之機械力量自該頭上之旋轉桌 速率及向下力量而趨動。化學淤漿於拋光頭下被固定地轉 移。拋光頭之旋轉有助於淤漿之遞送，及平均基材表面上 之抛光率。 用以施行CMP以獲得更有效拋光率之另一技術係使 用線性平面化技術。替代旋轉墊，移動帶被用以使拋光墊 線性移動經過晶圓表面。晶圓仍被旋轉以平均局部之變化 ’但平面化之均勻性係相較於使用旋轉墊之CMP係被改 良•，其部份係由於除去不相等之徑向速率之故。於某些例 子中’流體支撐（或壓印板）可被置於帶下以用於調整於晶 圓上被產生之墊壓力。 當線性平面化工具被使用時，熱係藉由來源之變化而 產生。於其間墊子銜接晶圓之墊子表面，二因素造成熱之 產生。熱係自機械式工作產生，大部份係銜接晶圓之塾子 之磨擦力。熱亦於施行CMP時自淤漿之外熱化學反應產 生。自拋光工具運送掉熱能一般係藉由自然傳導至周圍氛 圍或將由當淤漿自墊子排出時藉由淤漿傳導之。剩餘之熱 能被健存於工具内，其會造成工具溫度之上升。 更重要之溫度上升於拋光帶及拋光帶上之塾物料上被 注意到。因此，工具會遭受到當每一其後之晶圓於工具上 被拋光時之周期性地使全體溫度上升之拋光周期。溫度上 升持續至平衡溫度被達成為止。即，當一晶圓於另一者後 立即被加工處理（晶園間無明顯之延遲時間），帶溫度會上 升至某一平衡溫度達成為止。於此溫度上升期間，被瞭解 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇） ----I--II---I ^ i — — — — — — ^« — — — — — 1 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483804 A7 _____B7____ 五、發明說明（3 ) 的是於施行CMP時拋光參數或分佈會從一晶圓至下一晶 圓改變之。 一旦平衡溫度達成時，相當固定之晶圓拋光分佈可被 達成，因為加工溫度之被穩定化。需注意於此點被達成前 大里晶圓可能需被加工處理。第1圖顯示一測量實驗組。 第1圖顯示一系列之8個晶圓之一個接一個拋光之溫度對拋 光時間之作圖。由於圖上overlaid之連續銅拋光循環之拋 光内之溫度分佈可看出，於達成平衡溫度前需要8個晶園 拋光循環。因為前七個晶圓係於低於平衡操作溫度時被拋 光’拋光分佈會因晶圓之加工溫度之偏移而改變。此加工 溫度係帶溫度（或至少於其非常接近）。因此，此等晶圓之 一些或全部不能於可接受之拋光容忍度内被拋光，於此情 況中，晶圓可能需修正，或更糟地，晶圓被刮除。括除2〇〇nm 或3OOnm之晶圓非成本有效的。至少，晶圓拋光特性之可 重複性可於達成平衡溫度時才被達成。 因此，期望能提供施行CMP時之循環溫度可重複性之 更均勻之循環。 發明綜述 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -*裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明描述一種於拋光平面時之控制拋光溫度之技術 。具有其上存有用於拋光平面之墊物料之帶被配置以便以 線性方向移動。感應器被偶合以測量此帶之溫度。溫度調 整單7L被偶合至該帶以於拋光該平面時使該帶之溫度調整 至被選定之操作溫度。 ‘ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱)' 6 Α7 Β7 五、

發明說明（4 圖示簡要說明 第1圖係圖示於帶平衡溫度被達成前之經八個晶圓循 環之序列之習知技藝實施之帶中央線溫度對拋光時間之作 圖。 第2圖係圖示加入本發明之溫度調整技術之線性拋光 器。 第3圖係顯示第2圖之線性拋光器之截面圖係含有用以 添加熱能以升高帶溫度之本發明溫度調整單元之區段之放 大圖。 第4圖係圖示當本發明被用以於第一晶圓循環開始前 使帶呈操作溫度時之經25晶圓循環之系列之帶中央線溫度 對拋光時間之作圖。 第5圖係相似於第2圖所示者之溫度調整單元之截面圖 ’但現在冷卻該帶以使帶之操作溫度保持低於周圍溫度。 第6圖係一實施例之截面圖，其中相似於第3及$圖所 不之溫度調整單元現被加入拋光器以加熱或冷卻該帶以保 持帶操作溫度高於周圍溫度及低於平衡溫度。 較佳實施例之詳細描述 一種用以於晶圓表面平面化時於化學機械拋光（CMp) 期間控制帶溫度之方案被描述。於下列描述中，數個特殊 細節被描述，諸如，特殊結構、材料、拋光技術等，以便 提供完坐瞭解本發明。但是，熟習此項技藝者本發明可在 無此荨特殊細節下被實施。於其它例子中，己知之技術、 結構及方法未被詳細描述，以便不會使本發明難以瞭解。 ! ^------11 ^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

、發明說明（ 再者’雖然本發明係以於半導鱧晶圓上形成之層上施行 CMP而描述，本發明亦可輕易適用於其它材料之拋光， • · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 諸如’玻璃、金屬基材或其它半導鱧基材，包含用於製備 平嵌板顯示器之基材。 參考第2圖，用以實施本發明之線性拋光器1〇被顯示 。線性拋光器（亦稱為線性平面化工具）1〇被用於半導體晶 圓11 (諸如，矽晶圓）之平面化。雖然CMP可被用以拋光基 本基材’典型之CMP被用以移除沈積於半導體晶圓上之 物料層（諸如，膜狀層）或物料層之一部份。因此，被移除 之物料可為晶圓本身之基材物料或基材上形成之層狀物之 一者。形成之層狀物包含介電物料（諸如，二氧化矽）、金 屬（諸如，鋁、銅或鎢）及合金，或半導體物料（諸如，矽 或聚矽）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對於1C製備更特別者，CMP被用於晶圓上製備之此等 層狀物之一或多者之平面化，或被用於曝露出位於下面之 拓撲結構，同時使表面平面化。於許多例子中，CMp包 含於晶圓表面上形成具圖案之外觀。例如，介電層（諸如 ，一氧化矽）可被沈積於表面上，覆蓋凸起之外觀及位於 下面之介電層。然後，CMP被用於使位於下面之二氧化 石夕平面化’如此，該表面被實質平面化。期望於凸起外觀 被曝露時停止拋光處理。 於另一技術中，雙金屬鑲嵌結構藉由使用CMP製備。 例如，通孔及接觸構槽開口於半導體晶圓上之層間介電 (ILD)層内形成圖案及成型之。其後，諸如銅或紹之金屬

經濟部智慧財產局員工消費合作社印4>J衣 483804 A7 ___ B7 五、發明說明（6 ) 被沈積以於通孔及構槽開口充填。於銅之情況中，障壁層 (諸如，TiN、Ta、TaN等）先被沈積於開口，以作為Cu及ILD ’間之障壁層。然後，CMP被用於拋光掉ILD上之過量金屬 物料，如此，金屬僅位於通孔及構槽開口。CMP使接觸 區域之表面（雙開口之上部份）具有實質上平面化之表面， 而同時使ILD表面上之金屬被移除。雙金屬鑲嵌結構之形 成及製備係業界已知。 因此，CMP被廣泛用於膜狀層及成形外觀之平面化， 其間平面化方法係終結於特定點。於上述之雙金屬鑲嵌結 構中，CMP係終結於當金屬被移除以曝露出ILD時。CMP 確保形成之結構僅保持於開口内之金屬且ILD上表面及構 槽充填具有實質平面化之表面。注意的是，施行CMP以 使晶圓上形成之層狀物之全部或部份被拋光移除之技藝係 業界已知。 第1圖之線性拋光器10使用如上所述之線性平面化技 術。線性拋光器10使用帶12，其關於晶圓11之表面係線性 移除。帶12係繞著滾輪（錠）13及14旋轉，其中一滾輪或二 者係以趨動裝置（諸如，馬達）趨動之，如此，滾輪13，14 之旋轉動作造成帶12以關於晶圓11呈線性動作（箭頭16所 示）趨動之。帶12典型上係由強抗張物料製得。拋光墊15 於其面向晶圓11之外表面處固定於帶12。拋光墊可由各種 物料製得，但一般係提供磨耗性質之纖維。於某些例子中 ’墊15及帶12可於製備時以單一單元一體成型。但是建構 時’帶/墊組件係被製得以線性方向移動以使晶圓11拋光( 本紙張尺度適肖中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 9 — — — — — — — — — — — — — ·1111111 ·11111111 (請先閱讀背面之注**事項再填寫本頁) 483804

五、發明說明（7 ) 或平面化）。 曰日圓11典型上係位於晶圓載體18内，其係拋光墊之一 部份。晶圓11係藉由機械式保持裝置（諸如，承盤環）及/ 或藉由使用直空保持於位置内。一般，晶圓η被旋轉，而 帶/墊組件以線性方向16移動。向下力量被產生以下壓抛 光頭及載體18，以便以某一量之力量使晶圓銜接至墊。線 性拋光器10亦使淤漿21分配於墊15上。各種分配裝置及技 術係用以分配淤漿21之技藝中已知。墊調節器20典型上被 使用以便於使用期間修護塾表面。用以修護塾15之技術一 般需要固定括擦墊，以便引入用以使淤漿運送至晶圓表面 及用以移除藉由用過之於漿及被移除廢料造成之殘質集結 之於墊表面上之粗链性。 直撐物、壓印板或軸承25被置於帶12之内面，且於晶 圓11相對，如此，帶/墊組件存在於軸承25及晶圓11之間 。軸承25之目的係於帶12之内面提供平台以確保墊15與晶 圓11有足夠接觸以便均勻拋光。因為當晶圓下壓於墊15時 帶12會降低，轴承25會對此向下之力量提供相對作用之支 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 軸承25可為固態平台或可為流體軸承（亦稱為流體壓 印板或支撐物）。於實質本發明時，較佳係具有流體軸承 ，如此，自軸承25之流體流動可被用以控制對帶12内面產 生之力量。流體一般係空氣或液體，雖然中性氣體（諸如 ，氮）可被使用。藉由此流體流動控制，由墊產生之對晶 圓之壓力可被調整以於晶圓11表面上提供更均勻之拋光分 10 •裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣

五、發明說明（s ) 佈。流體軸承之一例子係揭示於美國專利第5,558,568號 案。另一例子係描述於美國專利第5,800,248號案。 位於相對於轴承25且面向帶12之内面係溫度調整單元 22。需瞭解溫度調整單元22可位於各種不同位置，但所示 之特殊位置被使用，因為其具有能使帶之内面露出之充分 空間。 當線性平面化工具被使用時，熱係藉由機械性操作及 淤漿之放熱化學反應產生。拋光溫度上升時，增加係於帶 12之溫度内被記錄，其包含存在於帶12上之墊物料。藉由 天然傳導及於衆棄置而自拋光工具運送掉之熱能亦隨帶溫 度增加而增加。熱能傳送可藉由施用於帶之傳導方程式量 化之。傳導方程式係如下： Q-H帶A表面(T帶-T周团） 其中， Q係單元時間之熱能傳導； Η帶係藉由自系統傳導熱之系統所定義之傳導係數； Α表面係曝露於周圍空氣之帶之表面積； T帶係帶之整體溫度；及 T周e係周圍空氣之溫度。 因此，至某些帶溫度時，離開系統之能量係與藉由 CMP方法添加至系統之能量平衡。於此平衡點時帶整體（ 全體）溫度之上升不再持續增加且穩定被達成。 因此，當CMP於線性拋光器10上開始時，第一晶圓將 於大量低於平衡溫度之帶溫度進行之。每一其後之晶圓拋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 11 483804 A7 五、發明說明（9 光增加帶溫度，至足夠數目之晶圓被拋光以使帶溫度高達 平衡溫度為止。此帶溫度之偏差係於第1圖所示。帶溫度 之頗大不同於第1圖中進行之第一晶圓及第八晶圓間被記 錄之。如先前所解釋，此一於晶圓表面之處理溫度之不同 會造成晶圓拋光特性之重大變化。因此，拋光可重複性受 損至平衡溫度被達成為止。 需注意即使達成平衡溫度後，自一晶圓至下一晶圓之 晶圓處理循環之任何可見到的延遲會造成熱能自帶被傳送 掉’如此，帶溫度平自平衡溫度降低。因此，一旦達平衡 溫度，晶圓處理循環需以適當速率持續，以確保帶之平衡 溫度被保持。 為減緩帶溫度偏差，本發明之線性拋光器1〇使用溫度 調整單元22。第3圖顯示拋光器10之截面圖及鄰近熱總導 管28(其係溫度調整單元22之一部份）之帶區段之放大囷。 需瞭解溫度調整單元可採各種不同形式。一種實施例係於 第3圖顯示。 工 特定單元22係由熱總導管28組成，其係置於接近沿著 帶之較低回復路徑之帶之内面。總導管28可藉由不同裝置 置放，諸如，托架或支撐殼。再者，總導管28藉由管線31 接合至洛氣鍋30。蒸氣鋼3〇係固定壓力之蒸氣銷，如此， 蒸氣係於預定壓力下自蒸氣鍋藉由管線31供應至總導管28 。閥32調節被供應至總導管28之蒸氣。水管線33接合至蒸 氣鍋30，以供應水至瘵氣鍋3〇。閥34被用以調節至蒸氣鍋 30之水流。需注意蒸氣鍋3〇可位於拋光工具内或距離該 製 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 12 - 483804 A7 B7 經€部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明（10 ) 具某一距離者。 處理器40(於範例中係以電腦表示）被用以控制閥32之 操作。感應器41被置接近帶12以測量帶溫度。於特殊列子 中’感應器被置於鄰近拋光頭組件之帶組件上。感應器41 可為各種用以監測熱或溫度之感應器。於所示之實施例中 ’紅外線溫度計用於帶之塾表面之顯像，且溫度資料與處 理器相連通。所示感應器41被配置，如此其能於其以線性 行進時監測帶之中央線。 所用之特殊紅外線溫度計係Thermalert GP型（Raytek 製造）。需瞭解其它之感應器及溫度測量技術亦可被使用 。例如，熱偶RTD(電阻溫度檢測器）元件可被用作感應器 41。再者，感應器41可被配放以測量帶之内面，即使較佳 係測量與晶圓接觸之墊表面。 處理器40接收感應器41之資料，使處理器持續監測帶 溫度。處理器亦被偶合以操作閥32，如此，至總道管28之 瘵氣流可藉由處理器控制。雖然未顯示，處理器亦可被建 構成控制蒸氣鍋30之壓力，及控制閥34。螺線管操作之閥 及其它裝置可被用作為所示之閥。 用以施行CMP操作之一序列係如下所示。拋光器被打 開且帶被銜接以起始拋光循環。帶中央線溫度之獲得以輸 送資料至處理器40之感應器41開始之。若未於操作溫度時 ，蒸氣鍋使其至所欲操作溫度。閥32被打開以使蒸氣經總 導官28注入以加熱帶/墊組件。帶12之溫度開始增加且此 增加藉由感應器41監測。然後，當帶中央線溫度達所欲操 ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（11 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作點時，閥32被關閉且帶加熱被解除。此時，晶圓加工處 理於拋光器10上開始。 操作溫度之選擇係藉由使用者定義。於一技術中，選 擇之操作點相同於拋光器之平衡溫度。因此，帶溫度藉由 蒸氣而至平衡溫度。然後，蒸氣被解除。但是，因為晶圓 加工處理開始於平衡溫度，當晶圓被加工處理時，帶溫度 會保持於此平衡溫度。基於一些原因，若帶溫度下降至低 於平衡溫度，蒸氣可被再次銜接以使帶12加熱。 於上述實施例中，帶及墊之溫度係以人工使其至平衡 溫度，以穩定拋光方法。以控制方式使帶預熱能使帶及塾 於任何晶圓被加工處理前穩定化至操作溫度。一旦平衡溫 度達成，晶圓之加工可開始，而且無明顯之溫度偏差。如 第4圖所示，更均勻及穩定化之溫度分佈可於晶圓經拋光 器循環時獲得，造成更均勻之拋光特性。當使用本發明之 溫度調整技術時之第一晶園與第二十五晶圓間之溫度變化 係如第4圖所示。非常小之變化被記錄於第一晶圓及其後 昌圓間。再者，如箭頭29所示，平的拋光溫度梯度被獲得 於某些例子中，期望使操作溫度設於非拋光器之平衡 溫度之某些值。例如，帶之特定操作溫度可提供此方法之 最佳抛光特性。於該情況中，操作溫度可藉由溫度調整單 元控制以保持帶溫度於選定之操作點。第5圖例示一實施 例，其中帶被冷卻至低於周圍之溫度 參考第5圖，總導管50被顯示，其具有流體管線51及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 14 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 483804 A7 ----- B7 五、發明說明（12 ) 控制閥52。冷卻液體或氣體（諸如，冷卻水或低溫氣體）經 由總導管50引入帶12内，以冷卻（或超冷卻）帶12至低於拋 光工具之周圍溫度之溫度。管線5〇被偶合至冷卻流體源， 該源係位於拋光工具内或於稍微遠之位置。閥52可被偶合 至處理器40及藉由處理器4〇控制。總導管5〇會平衡地操作 總導管29 ’但於此例子中，冷卻流體會被調節以保持帶溫 度於低於周圍之某一點。再者，雖然總導管被顯示，分佈 於帶寬度上之一系列喷嘴會提供平衡結果。 另一用以控制帶溫度之技術係例示於第6圖所示實施 例。第6圖之溫度調整單元使用第3圖之加熱裝置及第5圖 之冷卻裝置。藉由使用加熱總導管28及冷卻總導管5〇，溫 度調節可於上升及降低溫度而達成。例如，若帶之所欲使 用者定義之操作溫度係於高於周圍但低於拋光工具之平衡 溫度之某一溫度時，上述預熱技術可被使用以使帶溫度快 速達所欲操作點。一旦晶圓拋光開始，帶之溫度會開始增 加南於所欲操作溫度，以便達平衡點。一旦高於所欲點之 溫度上升被感應，加熱總導管被解除且冷卻總導管被銜接 以開始冷卻帶以保持帶溫度於操作溫度。 其後’帶之加熱及冷卻可依所需施行以於晶圓被經拋 光器循環時保持相當固定之帶溫度。因此，藉由帶之加熱 及冷卻之控制應用，溫度之穩定化（如第4圖所示）可於所 欲操作溫度達成，其可為非平衡溫度。 需注意感應器41及處理器40係顯示於第3及5圖，但被 用以提供帶溫度之感應及調節。再者，其它加熱及冷卻之 --— II----I---裝！ —訂！ ！線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

483804 A7 B7 五、發明說明（13 ) 裝置可被使用。例如，加熱燈及接觸加熱元件可被使用。 冷卻時，水或超冷液體可被喷灑。於大部份應用中，期望 加熱或冷卻整個寬度上之帶之内面。因此，圖中所示之總 導管28及50於帶12寬度上延伸。 亦需瞭解例示之加熱及冷卻單元使用開放系統。即， 蒸氣或冷卻流體（水或氮）被排至周圍環境。另外，密閉迴 路系統可被使用，其中加熱及/或冷卻之流體被限制。熱 交換器、輻射器及冷凍線圈係密閉迴路系統之一些例子。 此等密閉迴路系統可被用於上述之溫度調整單元。 因此，於CMP期間用以穩定加工溫度之方法及裝置被 描述。 ---.----„-----裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483804 A7 B7 五、發明說明（Η ) 元件符號對照 10…線性拋光器 11…半導體晶圓 12…帶 13及14…滾輪（錠） 15…拋光墊 16…線性方向 18···晶圓載體 20…墊調節器 21…淤漿 22…溫度調整單元 25…直撑物、壓印板或轴承 28…熱總導管 29· 30· 31. 32· 33. 34· 40. 41- 50· 51« 總導管 蒸氣鍋 管線 闊 水管線 閥 處理器 感應器 總導管 流體管線 52…控制閥 Φ 經贫部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 — 111 — — — — — — — — — ·1111111 — — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

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   第89 105657號專利申請案申請專利範圍修正本 修正曰期：9〇年7月 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1_ 一種於拋光平面時控制拋光溫度之裝置，包含： 一帶，其係以線性方向移動而配置且具有存在於其。 上且用以使該平面拋光之塾物料； 一感應器，其被偶合以測量該帶之溫度； 一溫度調整單元，其與該帶締合而用於調整該帶之 ^ 溫度至一選定之工作溫度，該工作溫度與一平衡工作溫 | 度相同’該溫度調整在拋光該平面之前進行。 ^ 2·如申請專利範圍第1項之裝置，其進一步包含偶合至該 本 感應器及該溫度調整單元之處理器，以自該感應器接收 ϋ· 溫度測量數據及將控制訊號送至該溫度調整單元，以回 應溫度測量資料以保持該工作溫度。 ^ 3·如申請專利範琴第2項之裝置，其中於開始該平面拋光 前使該帶達工作溫度。 r r 厂 ^ 4.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該溫度調整單元添 |· 加熱肖b至該可以使該帶之溫度上升至該工作溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5·如申請專利範圍第2項之裝置，其中該溫度調整單元冷 卻該帶以使該帶保持於該工作溫度。 6. —種於基材表面或形成於基材上之層狀物表面上施行 化學機械拋光（CMP)之線性拋光器中於該表面拋光時控 制拋光溫皮之裝置，包含： 一帶，其係以線性方向移動而配置且具有存在於其 上且用以使該平面拋光之墊物料； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公g ) _18_ ^ - 483804 Α8 Β8 C8 D8 产年7月//日 夕一 申請專利範圍 Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一感應器，其被偶合以測量該帶之溫度； /凰度調整單疋’其與該帶締連而用於調整該帶之 ’里度至所選之工作溫度，該工作溫度與一平衡工作溫度 相同，該溫度在調整拋光該平面之前進行。 7. 如申請專利範圍第6項之裝置，其進一步包含偶合至該 感應15及該溫度調整單元之處理器，以自該感應器接收 溫度測量數據及將控制訊號送至該溫度調整單元，以回 應溫度測量資料以保持該工作溫度。 8. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中該溫度調整單元添 加熱能至該帶以使該帶之溫度上升至該工作溫度。 9·如申請專利範圍第8項之裝置，其中蒸氣被引至該帶上 以使該帶之溫度增加至該工作溫度。 10·如申請專利範圍第7項之裝置，其中該溫度調整單元冷 卻該帶以使該帶保持於該工作溫度β 11·如申請專利範圍第1〇項之裝置，其中該冷卻流體被引至 該帶上以冷卻該帶。 12. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中於該表面拋光前使 該帶達該工作溫度。 13. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中當未使用該溫度調 整單元而使數個基材拋光時，該帶之該工作溫度係與該 拋光器之平衡溫度達平衡。 14. 一種於形成於半導體晶圓上之物料層上施行化學機械 拋光（CMP)時用以控制拋光溫度之線性拋光器，包含·· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---— — — — — — — — *--— — III 11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 483804 A8 B8 CS D8 声年；V丨日修--Μ, 申請專利範圍 一帶，其係以線性方向移動而配置且具有存在於其 上且用以使該平面拋光之墊物料； 一感應器，其被偶合以測量該帶之溫度； 一溫度調整單元，其與該帶締連而用於調整該帶之 溫度至一選定之工作溫度，該工作溫度與一平衡工作溫 度相同，該溫度調整在拋光該平面之前進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印？农 15. 如申請專利範圍第14項之線性拋光器，其進一步包含偶 合至該感應器及該溫度調整單元之處理器，以自該感應 器接收溫度測量數據及將控制訊號送至該溫度調整單. 元，以回應溫度測量資料以保持該工作溫度。 16. 如申請專利範圍第15項之線性拋光器，其中該溫度調整 單元添加熱能至該帶，以使該帶之溫度上升至該工作溫 度。 17. 如申請專利範眉第16項之線性拋光器，其中於該料層拋 光開始前使該帶達該工作溫度。 18. 如申請專利範圍第14項之線性拋光器，其中當未使用該 溫度調整單元而使數個基材拋光時，該帶之該工作溫度 係與該拋光器之平衡溫度達平衡。 19. 如申請專利範圍第15項之線性拋光器，其中該溫度調整 單元使該帶冷卻，以保持該帶於工作溫度。 20. 如申請專.利範圍第15項之線性拋光器，其中該溫度調整 單元藉由添加熱能以使該帶之溫度升至該工作溫度及 亦冷卻該帶以保持該帶於該工作溫度，以調整該帶之溫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝 Jra. .線· — 20 — 483804 A8 B8 C8 D8 ? 年 II 綠濟部>慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍· 度。 21. —種周於椒光一平面之控制拋光溫度之方法，包含： 將熱能引至一線性移動帶，該帶經配置成以線性方 向移動並於其上具有一用以拋光該表面之墊材料； 以用以測量該帶溫度而偶合之感應器測量拋光溫 度； 藉由在拋光前預熱該帶而調整該帶之溫度以回應 由該感應器所測量到之資料。 22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該調整該帶溫度之 處理包含引入熱能以使該帶之溫度升至預定之工作工 作溫度。 23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該引入熱能包含注 射加熱流量至該帶上。 24. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該調整該帶之溫度 的處理包含冷卻該帶以保持該帶之溫度於預定之工作 溫度。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中係藉由注射冷卻液 體至該帶而提供該冷卻處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂-----I--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 -