TW482946B - Chemical amplification type positive photoresist composition - Google Patents
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Description
482946 A7 ________ B7_ 五、發明説明(1 ) 本發明係有關於化學放大型正阻體组成物,該組成物用於半導 體製造之精細加工。 光阻組成物的石印術(平板印刷)主要係用於半導體製造之精 細加工中。在石印術中,正如瑞利(如咖础)繞射極限公式而言, 照射波長越短,原則上解析度越高。關於半導體製造之石印術的照 射光源,正逐年降低波長。即,從前廣泛使用波長為436奈米之g-ray ’後來被波長為365奈米之i-ray所取代,近年i-ray又被波長為 248奈米之KrF受激準分子雷射所取代。新一代的照射光源,則以 波長為193奈米之Ai,F受激準分子雷射最具有希望。 雖然ArF受激準分子雷射對準器之棱鏡壽命,比傳統照射光源 使用之對準器來得短,但是對ArF受激準分子雷射照射光源來説, 較短時間是需要的。必需加·強光阻的靈敏度以降低照射時間。因 此,所謂的化學放大型光阻,較佳是一種因為照射光源而使酸產生 劑發動催化作用,又因酸切斷内含樹脂之可被酸切斷鍵結的光阻。 已知較佳用於ArF受激準分子雷射之光阻雖不具有芳環,但具 有脂環以取代芳環,以便確保光阻供光穿透,且賦予乾燥蝕刻抵抗 性。關於樹脂,各種樹脂,例如D.C.Hofer在光聚合科技雜該 (Journal of Photopolymer Science)第 9 卷,第 3 號,1996 年,第 387- 398頁描述的皆可使用。但是,傳統已知的樹脂的問題,在於顯影期 間因缺乏黏性而容易剝離,特別是當樹脂缺乏極性時。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明目的在於提供一種化學放大型正阻體組成物,其包括一 種樹脂成分和酸產生劑,該組成物適合受激準分子雷射(如^雷 射、KrF雷射等)之石印術使用,且該組成物的各項光阻效能優異, 如靈敏度、和解析度、另外又對基質又特別具有優異黏性。 本發明發現化學放大型正阻體組成物對基質的黏性,可因為樹 脂組成物中的樹脂含有特殊基團而獲得改善。因此,完成本發明。 本發明提供一種化學放大型正阻體組成物,其包括一種含有丁 内酯殘基的樹脂成分以及酸產生劑,該樹脂視需要可經由烷基和能 藉由酸作用而切斷之基圈所取代。 3 —
482946 A7 _______B7 五、發明説明(2 ) 本發明樹脂組成物中的樹脂,主要係由含有乙缔性不飽和键的 聚合或共聚合而製得。較佳是該樹脂不含有芳環但含有脂環。該脂 環較佳為脂環烴殘基,特佳之脂環烴殘基包括可交聯之烴環。脂環 的例子包括萜環、原冰片環、三環癸環、四環十二烷環、和金剛烷 環。含乙烯性不飽和鍵之化合物的例子,如從樹脂產生的單體單 位’包括從(甲基)丙烯酸衍生的脂環醋化合物、以及脂環羧酸衍生 的乙_酯或異丙婦g旨化合物。 本發明樹脂組成物中的樹脂含有丁内酯殘基。丁内酯殘基不只 包括不飽和丁内酯殘基,還包括經由燒基取代的丁内酯殘基。燒基 包括1至4個碳原子,如甲基、乙基、丙基、丁基、及其類似物。 丁内酯殘基可經由酯或醚键連結至樹脂。連接至樹脂基體之丁内酯 殘基部分,並未有特別限制。例如,可以是丁内酯的位置(即2一 位置)。 本發明樹脂組成物中包括的樹脂可包括含有脂環丁内g旨殘基的 兩種聚合單位。該樹脂也可包括一種同時含有脂環和丁内酯殘基的 聚合單位。例如,聚合單位可衍生自(甲基)丙烯酸衍生的脂環酯, 其中丁内酯係經由酯或醚鍵連結至脂環。 丁内酯殘基可在樹脂基體製造完成後,才加入樹脂基體中,或 者直接加入單體單元中,接著再聚合產生樹脂。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 丁内酯殘基可以加入樹脂或單體單元中,例如將樹脂中出現的 羧基轉變成丁内酯,或將樹脂中出現的醇性羥基轉變成丁内酯。在 酯化或醚化中,可使用經卣素取代的丁内酯物質,該物質可視需要 地經烷基取代。加入丁内酯殘基之單體單元的例子,包括α_丙烯氧_ γ-丁内酯、α-甲基丙烯氧-γ-丁内酯、α-丙婦氧-β-丁内酯、和β-二 甲基-γ- 丁内醋。 化學放大型正阻體組成物中的樹脂,在鹼中為不溶性或微溶 性,但術部分基團卻會因酸的作用而切斷,因此樹脂在切斷後會變 成鹼可溶性。因此,本發明所使用的樹脂除了含有丁内酯外,還含 有酸可切斷基團。酸可切斷基團可包括上述提及的脂環。 一 4一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇'乂297公釐)
酸可切斷基團,在光阻領域係屬已知。例子包括L位置有支鍵 的燒基,如第三丁基;視需要取代的!·燒氧燒基,如μ乙氧乙基、 Η2-甲氧乙氧)乙基、吩乙酿乙氧)乙基、W2♦金剛燒氧)乙氧]乙 基、和1-[2-(1-金剛烷羰氧)乙氧]乙基;即非芳環化合物的殘基,如 四氫-2-呋喃基、四氫I哌喃基、3·氧環己基、4_甲基四氫冬毗喃_ 4-基(衍生自3-#里-3-甲戊酸酸内醋)和2-甲基-2-金剛燒基。 利用酸可切斷基團,取代樹脂之羧基或醇性羥基或單體單元上 的氫原子,以便將上述提及之酸可切斷基團加入樹脂或單體單元 中。加入上述酸可切斷基團之單體單元,可與其他單體共聚合,製 得本發明使用的樹脂。 一般,本發明所使用的樹脂,較佳包括含有丁内酯殘基的可聚 合單位,其基於總聚合單位,用量範圍為1〇至6〇莫耳%,不過範 圍視圖形照射的種類以及酸可切斷基團的種類而定。酸可切斷基 團,基於總聚合單位,用量範圍較佳為10至9〇莫耳%。含有脂環 的聚合單位,可能同時含有、或不含有酸可切斷基團,而其基於總 聚合單位之較佳用量範圍不低於20莫耳%。在不對本發明有負面影 響的情況下,樹脂也可包括其他聚合單位,如自由羧基。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明光阻组成物成分之一的酸產生劑,係為一種經照射後本 身即把刀解酸的化合物,或者樹脂組成物含有的一種經照射光和電 子束後能分解產酸的化合物。從酸產生劑產生的酸與樹脂作用,藉 此切斷樹脂中可被酸切斷的基團。酸產生劑的例子包括繪鹽化合 物、有機卣素化合物、>5風化合物、和橫酸醋化合物。特定的例子包 括下列化合物;二苯基換繪三氟甲虎績酸酯、4-甲氧苯基苯破|翁六 氣甲燒錄酸醋、4-甲氧苯基苯破繪三氟甲燒續酸酯、雙(‘第三丁苯 基)破繪六氟填酸酯、雙(4-第三丁苯基)琪翁六氟綈酸酯、雙(4_第三 丁苯基)琪微三氟甲烷磺酸酯、三苯基基充六氟磷酸酯、三苯基敍六 氟銻酸酯、三苯基餘b三氟甲烷磺酸酯、4-甲氧基苯基二苯基叙六氟 綈酸醋、4-甲氧基苯基二苯基就三氟甲燒績酸g§、對-甲苯二苯基統 三氟甲烷磺酸酯、2,4,6-三甲基苯基二苯基统三氟甲烷磺酸酯、‘第 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 482946 A7 B7_ 五、發明説明(4 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 三丁基苯基二苯基级三氟甲烷磺酸酯、4-苯基硫代苯基二苯基號六 氟磷酸酯、4-苯基硫代苯基二苯基Μ六氟銻酸酯、1-(2-萘醯甲基)硫 醇翁T六氟銻酸酯、1-(2-萘醯甲基)硫醇徵三氟甲烷磺酸酯、4-¾基小 萘基二甲基絲六氟銻酸酯、4_羥基-1-萘基二甲基餘^三氟甲燒績酸 酯、2·甲基4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(三氯甲基>13 5-三〇秦、2-苯基-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(4-氯苯基>4,6_雙(三 氯甲基M,3,5-三〇#、2-(4-甲氧苯基>4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嘻、 2-(4-甲氧苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(4-甲氧苯基小萘基)_ 4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5_三嗪、2-(苯并[d][l,3]二噁戊-5·基K6-雙(三 氯甲基)-1,3,5-三〇秦、2-(4-甲氧苯乙埽基>4,6_雙(三氯甲基)+3,5-5 嗪、2-(3,4,5-三甲氧苯乙婦基>4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(3,4-二甲氧苯乙烯基)·4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(2,4-二甲氧苯乙婦 基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(2-甲氧苯乙烯基>4,6·雙(三氯甲 基)-1,3,5-三峰、2-(4-丁氧苯乙烯基>4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三凑、 2-(4-戊氧苯乙烯基>4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三口秦、1-苯醯-1-苯甲基_ 對-甲苯續酸酯、2-苯醯-2-羥基-2-苯乙基-對-甲苯磺酸酯、1,2,3-苯甲 苯三甲烷績酸酯、2,6_二硝苄基-對-甲苯磺酸酯、2_硝苄基-對-甲苯橫 酸酯、4-硝辛基-對-甲苯磺酸酯、二苯基二m、二對甲苯基二2風、 雙(苯磺醯基)偶氮甲烷、雙(4-氯苯磺醯基)偶氮甲烷、雙(對-甲苯績醯 基)偶氮甲烷、雙(4-第三丁基苯績醯基)偶氮甲烷、雙(2,4-二甲苯續醯 基)偶氮甲烷、雙(環己磺醯基)偶氮甲烷、(苯醯)(苯磺醯基)偶氮甲 烷、N-(苯續醯氧)丁二醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧)丁二醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧)i欠醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧)-5-原兵片烯-2,3-二 羧醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧)萘醯亞胺、和Ν·(10-樟腦基磺醯氧) 萘醯亞胺。 已知在化學放大型正阻體組成物中,儲存期間的照射,酸去活 化會導致光阻性質逐漸變質,此可藉由加入鹼性化合物的淬火劑來 抑制其變質,特別是含氮的鹼性有機化合物,如胺。本發明較佳是 在光阻組成物中也加入驗性化合物作為平衡物質。用於浮火劑之驗 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公董Ί " 482946 A7 _____五、發明説明(5 ) 性化合物的特別例子,包括如下式所表示的化合物 R13
/Rl1 R \r12
R
R11 R12 r13
N
R11—T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 R11—N N—r12 R11—N 0
羥基取代之環烷基、芳基或烷氧基;和A表示烯基、羰基或醯亞胺 基。R11至Rl5分別表示約1至6個碳原子之烷基或烷氧基。而rii 至R15分別表示約5至10個碳原子之環烷基,且R11至R15分別表 示約6至10個碳原子之芳基。A可為約1至6個碳原子之烯基,且 其可為直鏈或支鏈。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) (請先閱讀背•面之注意事項再填寫本頁)
482946 A7 B7 五、發明説明(6 ) 本發明之光阻组成物,較佳包括含有丁内酯殘基的樹脂和酸產 生劑,其中該樹脂可視需要經烷基和能藉由酸作用而切斷之基團所 取代,基於固體總重量,樹脂含量範圍占80至99.9重量%,而酸產 生劑含量範圍占0.1至20重量%。若使用鹼性化合物為淬火劑十, 樹脂組成物較佳包括的鹼性化合物,其基於樹脂組成物的固體總重 量,含量範圍占0.0001至0.1重量%。若有需要,該組成物也可包 括少量的各種添加劑,如增感劑、溶解抑制劑、其他樹脂、表面活 化劑、安定劑、或染料。 本發明樹脂组成物中的上述各種成分,主要是溶解在溶劑中, 以產生樹脂溶液,其可塗覆在如矽薄片的基質上。此處所使用的溶 劑可為任何一種可溶解各別成分的溶劑,且其具有適當的蒸發速 率,同時在溶劑蒸發後也不致於影響薄膜的均勻度。該溶劑可為主 要用於此領域的溶劑。例子包括二醇醚酯,如醋酸溶乙基纖維酯、 醋酸溶甲基纖維酯、和丙二醇單甲醚醋酸酯;酯類,如乳酸乙酯、 醋酸丁酯、醋酸戊酯、和丙酮酸乙酯;酮類,如丙酮、甲基異丁基 銅、2-庚酮、和環己酮;和環酯,如丁内酯。這些溶劑可單獨或混 合使用。 將含有本發明樹脂组成物之光阻溶液塗覆在基質、乾燥、施予 圖开J所需的照射處理、加速去嵌段基反應之熱處理、接著用鹼性顯 影劑顯影後,得到樹脂薄膜。此處所用的鹼性顯影劑較佳為使用廣 泛的四甲基氫氧化銨,但是也可為本領域所用的各種鹼性水溶液。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (请先閲讀背•面之泣意事項存填寫本頁) 、1Τ 實施例 藉由下列實施例,詳細説明本發明,但該等實施例並不限制本 發明。除非另有説明,下列實施例中之「份」係指重量份。 金成實施例1(單體的合成) 將a-溴个丁内酯(100克)和甲基丙烯酸(1〇4 4克;即每莫耳 的CX·漠个丁内酯與2莫耳甲基丙缔酸)加在一起,接著加入☆溴个 五、發明説明( 了内=三倍重量的甲基異H以便製備溶液。將三乙胺 (183.6克,即每莫耳的(^漠-丫-丁内酯配人 —山—一 配合3莫耳三乙胺)逐滴倒入 减中,接者在至溫授拌约10小時。過滤所得反應混合物後,利用 5重=竣酸賴水溶液沖洗有機層,接著再用水沖洗兩次。
合成實施例2 (另個單體的合成) 將1-金剛燒絲氯(55.1克)和。比淀(44克)加在一起,接著 加入1_金·羰基氯之兩倍重量的f基異丁_,以便製備溶液。 將乙二醇單^_ (37·2克,即每莫耳的丨_金剛賴基氯配合1·5 莫耳乙二醇單乙丨輕)逐滴倒人溶液中,接著在室溫麟約ι〇小 時。韻,反應混合物後,利用5重量%碳酸躺水溶液沖洗有 機層,接著再用水沖洗兩次。濃縮有機層後,加入三倍重量的1φ 二挑以便製備毅。將〇 8靖々料酸單水合物和36克甲基丙 烯酸加到溶液中,接著在室溫下授拌约1〇小時。用5重量%碳酸氫 鈉水溶液沖洗有機層,接著再用水沖洗兩次。濃縮有機層後,得到 下式的1-金剛烷羧酸2-(1-甲基丙烯醯氧乙氧)乙酯,產率75%。
o II ch3 ch3
I I -o
CH2=C—C—O—CH— 0— C2H4- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 全_成_實施食11 (另個單體的合成) 將2-甲基-2-金剛烷醇(83.1克)和三乙胺(101克)加在一 起’接著加入200克甲基異丁基酮,以製備溶液。將甲基丙烯酸氯 (78.4克,即每莫耳的2_甲基金剛烷醇配合丨5莫耳甲基丙烯酸 氯)逐滴倒入溶液中,接著在室溫授掉約1〇小時。過濾所得反應混 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 482946 A7 B7 五、發明説明(8 ) 合物後,利用5重量%碳酸氫鈉水溶液沖洗有機層,接著再用水沖 洗兩次。濃縮有機層後’在減壓下蒸餘,得到下式的甲基丙婦酸2-甲基-金剛烷酯,產率75%。
合成實施例4 (樹脂A1的合成) 將甲基丙烯酸1-乙氧乙酯、甲基丙婦酸異冰片酯、和合成實施 例1製得的α-甲基丙婦氧个丁内S旨,以5 : 3 : 2的莫耳比(31.6 克:26.7克:13.6克)分別加入,並接著加入上述全部單體之兩倍 重量的甲基異丁基酮,以製備溶液。加入偶氮雙異丁猜起始劑至溶 液中,比例占全部單體的2莫耳%,接著在80°C下加熱約8小時。 然後將反應溶液倒入大量的庚燒中以形成沈澱,如此進行兩次,再 接著純化。結果,得到下式的共聚物,其中每種單位之組成莫耳比 為50 : 30 : 20,且經由GPC (以230奈米紫外光偵測器,並用聚苯 乙烯為校正)測得平均重量分子量約為10,000。
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 根據合成實施例4相同的方法製造,除了利用69克甲基丙烯酸 代替13.6克α-甲基丙烯氧个丁内酯外(亦即甲基丙烯酸^乙氧乙 酯、甲基丙缔酸異冰片酯、和甲基丙烯酸之莫耳比為5 : 3 : 2 ), 其他操作條件相同。結果,得到如下式的共聚物,其中每種單位之 組成莫耳比為50 ·· 30 ·· 20,且經由GPC (以230奈米紫外光偵測 -10- 本紙張尺度顧巾關家轉(CNS) (21GX297公羡) -— 482946 五、發明説明(9 ) 器’並用聚苯乙晞為校正)測得平均重量分子量約為丨〇,⑻〇 CH3I • CH2 一c |=0 0—CH—CH3 50 ch3I CH2—ο— u CH3 /30 CH3 ch2—c—c=o
OH /20 OC2H5 合成實施例6 (樹脂A2的合成) 將合成實施例2製得的下式的金剛烷羧酸2_(1_甲基丙埽醯氧 乙氧)乙酯、和合成實施例1製得的α_甲基丙烯氧个丁内酯,以8 : 2的莫耳比(33.7克:4.3克)分別加入。接著加入上述全部單體之 兩倍重量的甲基異Τ細,以製備溶液。加人偶氮雙異讀起始劑 至溶液中,比例占全部單體的2莫耳%,接著在8(rc下加熱約8小 時。然後將反應溶液倒入大量的庚烷中以形成沈澱,如此進行兩 次,再接著純化。結果,得到下式的共聚物,其中每種單位之組成 莫耳比為80 : 20,且經由GPC (以23〇奈米紫外光偵測器,並用聚 表乙缔為校正)測得平均重量分子量約為⑻。 0— CH— OC2H4O— 0¾
CH3 I -ch2—c 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ch2—c
全成實施例7 (樹脂AY的合成:比較用) 根據合成實施例6相同的方法製造,除了利用22克甲基丙烯 酸代替4.3克α-甲基丙晞氧卞丁内酯外(亦即丨_金剛燒幾酸2·^•甲 基丙稀氧乙氧)乙酯、和甲基丙烯酸之莫耳比為8 ·· 2 ),其他操 作條件相同。結果,得到如下式的共聚物,其中每種單位之組成莫 耳比為80 ·· 20,且經由GPC (以230奈米紫外光偵測器,並用聚笨 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 482946 五、發明説明(i〇 ) 乙婦為校正)測得平均重量分子量約為1〇,〇〇〇
合成實施例8 (樹脂A3的合成) 將合成實施例3製得的甲基丙缔酸厶甲基金剛烷酯、合成實 施例2製得的1-金剛烷羧酸2-(1-曱基丙烯醯氧乙氧)乙酯、和合成實 施例1製得的α-甲基丙烯氧卞丁内酯,以3 ·· 5 ·· 2的莫耳比(234 克· 56.2克· 11·3克)分別加入。接著加入上述全部單體之兩倍重 量的甲基異Τ細,以製備雜。加人偶氮雙異讀起始劑至溶液 中,比例占全部單體的2莫耳%,接著在8(rc下加熱約8小時。然 後將反應溶液倒入大量的庚烷中以形成沈澱,如此進行兩次,再接 著純化。結果,得到下式的共聚物,其中每種單位之組成莫耳比為 30 · 50 · 20,且經由GPC (以230奈米紫外光偵測器,並用聚苯乙 晞為校正)測得平均重量分子量約為1〇,〇〇〇。 ch5 \ (請先閱讀背'面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
CH2—C ο c=o /20
合成實施例9 (樹脂ΑΖ的合成:比較用) 根據合成實施例8相同的方法製造,除了利用5.7克甲基丙烯 酸代替11.3克α-甲基丙烯氧个丁内酯外(亦即甲基丙烯酸2-甲基 金剛烷酯、1-金剛烷羧酸2-(1-甲基丙烯醯氧乙氧)乙酯、和甲基丙烯 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
482946 A7 五、發明説明(11 ) 酸之莫耳比為3 ·· 5 : 2 ),其他操作條件相同。結果,得到如下式 的共聚物,其中每種單位之組成莫耳比為3〇 ·· 5〇 · 2〇,且經由Gpc (以230奈米紫外光偵測器,並用聚苯乙烯為校正)測得平均重量 分子量约為10,000。
CH3 L4-11 I c=o/ in ;2° 從實施例1至6和比較實施例1至6的每個實施例中,如表】 所列取15份樹脂、0.15份二苯基二砜(由綠化學有限公司 提供,作為酸產生劑)、和0.01份淬火劑(如表丨所列),溶解在 70份丙二醇單曱醚醋酸酯中,然後以孔徑為〇2微米之氟樹脂過遽 器來過濾所得溶液,製備光阻溶液。該溶液塗覆在經六甲基二秒氮 (HMDS)處理的矽薄片上(水接觸角· 6〇0),或者塗覆在已形成有 機抗·反射塗層的矽薄片上,而乾燥後的薄膜厚度為〇 72微米。有機 抗-反射塗層的形成,藉使用Brewer公司提供的「XHRi-ΙΙ」而達 成,烘烤條件175°C,時間60秒,所形成厚度為1700 A。塗覆光阻 溶液後的預烘烤,係直接在9〇°C的熱板上進行烘烤60秒。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 將形成有光阻膜的薄片在KrF受激準分子步進器(「NSR 1755 EX8A」’ ΝΑ=Ό.45,由Nikon有限公司提供)的照射下,形成瘦^ 的圖形。在熱板上進行照射後的烘烤(ppg),如表1所列條件,此 外在顯景>劑之2,38重量%四甲基氫氧化铵水溶液或以水稀釋之溶液 製備得的顯影劑中,進行浸潰顯影。用掃描電子顯微鏡觀察顯影後 的圖形。關於有機抗-反射塗層基質上形成之光阻的靈敏度和 解析度,以下列方法檢查之。結果列於表j。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 482946 A7 __B7 五、發明説明(12 ) 靈敏度:當〇·5微米之線·隙圖形變為!:丨時,以照射劑量來表 示(有效靈敏度)。 解析度·在有效靈敏度之照射劑量下,以線_隙圖形的最大尺寸 來表示。 以0.5微米之線-隙圖形變為1 : 1的劑量來對尚未塗覆有機抗_ 反應塗層之基質上的圖形,進行黏性的評估。結果列於表1,仍保 持優良黏性,記做〇,有剝離的,記做X。 表 1
實施例號數 樹脂 淬火劑 PFB條件 顯影劑 有效靈敏度 解析度 黏性 實施例1 A1 C1 100°CX60 秒 1/20 45 mJ/cm^ 0.35微米 〇 實施例2 A1 C1 100〇CX60 秒 1/5 40 mJ/cm^ 〇:32微米 〇 實施例3 A2 C2 60〇CX60 秒 1/5 45 mJ/cm^ 0.35微米 〇 實施例4 A2 C2 60°CX60 秒 未稀釋 40 mJ/cm^ 0.32微米 〇 實施例5 A3 C2 70 C X 60 秒 1/5 65 mJ/cm^ 0.35微米 〇 實施例6 A3 C2 70°CX60 秒 未稀釋 50 mJ/cm^ 0.31微米 〇 比較實施例1 AX C1 100°CX60 秒 1/20 30 mJ/cm^ 〇.40微米 〇 比較實施例2 AX C1 100〇CX60 秒 1/5 25 mJ/cm^ 0.35微米 X 比較實施例3 AY C2 60°CX60 秒 1/5 30 mJ/cm^ 〇 40微米 〇 比較實施例4 AY C2 60〇CX60 秒 未稀釋 25 mJ/cm^ 0.35微米 X 比較實施例5 AZ C2 70°CX60 秒 1/5 40 mJ/cm^ Θ.40微米 〇 比較實施例6 AZ C2 70〇CX60 秒 未稀釋 30 mJ/cm^ 0.35微米 X 淬火劑:C1 :队苯基二乙醇胺 C2 : 2,6-二異丙苯胺 顯影劑: 稀釋比例(二2.38重量%四甲基氫氧化銨水溶液/純水,重量計)。 —14 — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) (請先閲讀t面之注意事項再填寫本頁)
482946 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五 A7 __B7•發明説明(13 ) 合成實施例10 (樹脂A4的合成) 將合成實施例3製得的甲基丙晞酸2-甲基-2-金剛燒酯、和合成 實施例1製得的α-甲基丙缔氧-γ-丁内醋,以5 : 5的莫耳比(40.0 克:29.0克)分別加入。接著加入上述全部單體之兩倍重量的甲基 異丁基酮,以製備溶液。加入偶氮雙異丁腈起始劑至溶液中,比例 占全部單體的2莫耳%,接著在80°C下加熱約8小時。然後將反應 溶液倒入大量的庚烷中以形成沈澱,如此進行兩次,再接著純化。 結果,得到下式的共聚物,其中每種單位之組成莫耳比為5〇 : 5〇, 且經由GPC (以230奈米紫外光偵測器,並用聚苯乙烯為校正)測 得平均重量分子量約為8,〇〇〇。
Υί Μ 全成實施例11 (樹脂A5的合成) 將合成實施例3製得的甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、合成實 施例1製得的α-甲基丙晞氧个丁内醋、和甲基丙晞酸1_乙氧乙酉旨, 以5 : 4 : 1的莫耳比(4〇·〇克:23.2克:5.4克)分別加入。接著加 入上述全部單體之兩倍重量的甲基異丁基酮,以製備溶液。加入偶 氮雙異丁晴起始劑至溶液中,比例占全部單體的2莫耳%,接著在 80°C下加熱約8小時。然後將反應溶液倒入大量的庚烷中以形成沈 殿,如此進行兩次,再接著純化。結果,得到下式妁共聚物,其中 每種單位之組成莫耳比為50 : 40 : 10,且經由GPC (以230奈米紫 外光偵測器,並用聚苯乙烯為校正)測得平均重量分子量約為8.000 〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂 482946 A7 B7 五、發明説明(14 ) 丨ch3 ch2—c—— C=〇 50 ch3 ch2—C— c=o CH, CH2—c- c=o 10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 /40
(T
Lkj 全成實施例lg_ (樹脂A6的合成) 、將合成實施例3製得的甲基丙晞酸甲基4金剛錢、合成 施例1製得的甲基崎氧个丁内g旨、和甲基丙烯酸丨·異丁氧乙 ,,以5 :、4 ·· i的莫耳比(4〇 〇克·· 23 2克·· 6 4克)分別加入。接 著加^上述全部單體之兩倍重量的甲基異丁細,以製備溶液。加 ^偶氮雙異丁腈起始劑至溶液中,比例占全部單體的2莫耳%,接 著在80°C下加熱約8小時。然後將反應溶液倒入大量的庚燒中以形 成沈澱,如此進行兩次,再接著純化。結果,得到下式的共聚物, 其中每種單位之組成莫耳比為% : 4〇 : 1〇,且經由Gpc (以23〇奈 米紫外光偵測器,並用聚苯乙烯為校正)測得平均重量分子量约8,000 〇 … CH2一C η3 \ 1 =01 ( 50
o 請 先· 閲 讀 之 注 項 再 填 寫 本 頁 % 訂
全處實施例13 (樹脂A7的合成) 將合成實施例3製得的甲基丙諦酸2-甲基-2-金剛燒g旨、合成實 施例1製得的α-甲基丙稀·氧个丁内醋、和甲基丙婦酸對丁酿,以 5 : 4 : 1的莫耳比(4〇·〇克:23.2克:4.8克)分別加入。接著加入 上述全部單體之兩倍重量的甲基異丁基酮,以製備溶液。加入偶氮 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 482946 A7 B7 五 發明説明(15) 雙異丁腈起始劑至溶液中,比例占全部單體的2莫耳%,接著在8〇 °C下加熱約8小時。然後將反應溶液倒入大量的庚烷中以形成沈 澱,如此進行兩次,再接著純化。結果,得到下式的共聚物,其中 每種單位之组成莫耳比為50 : 40 : 10,且經由GPC (以230奈米紫 外光偵測器,並用聚苯乙烯為校正)測得平均重量分子量約為
CH2—C ch3
1 /^ττ p--- _ CH2 ^ 9=〇i 50 1 1 40 ch2—C
CH, c=o h3c〆 /10 ^CH3 、ch3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實施例7至10 從實施例7至10的每個實施例中,如表l所列取15份樹脂、 0.30份4-甲基苯基二苯基乞克(由綠化學有限公司提供,作 為酸產生劑)、和0.02份淬火劑(如表1所列),溶解在7〇份丙二 醇單曱醚醋酸酯中,然後以孔徑為〇·2微米之氟樹脂過濾器來過濾所 知么液’製備光阻溶液◦該溶液塗覆在經六甲基二梦氮田Mds)處 理的秒薄片上·(水接觸角:60〇),或者塗覆在已形成有機抗-反射塗 層的梦薄片上,而乾燥後的薄膜厚度為0.455微米。有機抗-反射塗 層的形成,藉使用Brewer公司提供的「DUV-18L」而達成,烘烤條 件2151,時間60秒,所形成厚度為570 A。塗覆光阻溶液後的預 烘烤,係直接在130°C的熱板上進行烘烤60秒。 將所得光阻膜,依照實施例1-6的方法,以及表2所列條件, 進行處理,並且檢查光阻的靈敏度和解析度,以及進行黏性的評 估。結果列於表2。 一 17 — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(21〇'x297公釐) (請先閱讀背®Γ之注意事項再填寫本頁}
482946 A7 _____________B7 五、發明説明(16 ) 表 2 實施例號數 樹脂 淬火劑 PFB條件 _顯影劑 有效靈敏度 解析度 黏性 實施例7 A4 C2 120°CX60 秒 未稀釋 80 mJ/cm2 0.24微米 〇 實施例8 A5 C2 120 C X 60 秒 未稀釋 70 mJ/cm2 0.23微米 〇 實施例9 A6 C2 120°CX60 秒 未稀釋 60 mJ/cm^ 0.22微米 〇 實施例10 A7 C2 120 C X 60 秒 未稀釋 75 mJ/cm2 0.24微米 〇 淬火劑:Cl : N-苯基二乙醇胺 C2 : 2,6-二異丙苯胺 如表1和表2所示,本發明之光阻组成物在顯影時不會有剝離 的情況發生,甚至是顯影劑的濃度過高,仍然如此,而且對基質的 黏性優良。在靈敏度不受到a月顯破壞的情況下,解析度也獲得改 善。即使是在ArF受激準分子直線對準器的照射下,實施例丨至6 的每種組成物都能夠得到優良功效的光阻圖形。 本發明之化學放大型正阻體組成物,其對基質的黏性優異,而 且在各種光阻效能上也有優良的性質,如解析度。據此,本發明組 成物適合利用KrF受激準分子雷射、ArF受激準分子雷射來照射, 藉此獲得具有高效能的光阻圖形。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 I張 一紙 本 準 !榡 f家 一國 I國 中 一用 :i4 釐 29
Claims (1)
- 482946 { I修正本洲圳 六、申請專利範圍 第87101061號「化學放大型正光阻組成物」專利案 (90年12月28日修正) 六申請專利範圍: 1· 一種化學放大型正光阻組成物,其包括80至99.9 重量%的一種具有α -甲基丙烯氧基-γ-丁內酯殘基的 不具光學活性之樹脂,其視需要可經烷基及一藉由 酸之作用而能切斷的基所取代,該殘基的量爲佔總 聚合單元的10至60莫耳%,及0.1至20重量%的一 種酸產生劑。 2. 如申請專利範圍第1項之組成物,其中樹脂除了含 有α -甲基丙烯氧基-γ-丁內酯殘基及一藉由酸之作用 而能切斷的基外,尙具有脂環。 3. 如申請專利範圍第1項之組成物,其中cx -甲基丙烯 氧基-γ-丁內酯殘基係經由酯或醚鍵而連結至樹脂上 〇 4. 如申請專利範圍第1項之組成物,其中該藉由酸之 作用而能切斷的基係具有脂環。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1535397 | 1997-01-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW482946B true TW482946B (en) | 2002-04-11 |
Family
ID=11886442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087101061A TW482946B (en) | 1997-01-29 | 1998-01-26 | Chemical amplification type positive photoresist composition |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0856773B1 (zh) |
KR (1) | KR100562180B1 (zh) |
DE (1) | DE69800897T2 (zh) |
TW (1) | TW482946B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7972762B2 (en) | 2005-05-10 | 2011-07-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6576392B1 (en) * | 1996-12-07 | 2003-06-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
US6214517B1 (en) | 1997-02-17 | 2001-04-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
DE69821049T2 (de) * | 1997-05-09 | 2004-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung |
JPH11231541A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Daicel Chem Ind Ltd | 放射線感光材料及びそれを使用したパターン形成方法 |
WO1999050322A1 (fr) | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Copolymere, son procede de preparation et composition de produit de reserve |
KR100574574B1 (ko) * | 1998-08-26 | 2006-04-28 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물 |
US6852466B2 (en) * | 1998-12-23 | 2005-02-08 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions particularly suitable for short wavelength imaging |
TWI263866B (en) * | 1999-01-18 | 2006-10-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive resist composition |
US6344582B1 (en) | 1999-02-22 | 2002-02-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing a 2-adamantyl (meth>acrylate |
DE60015220T2 (de) | 1999-03-31 | 2006-02-02 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Positiv arbeitender Resist vom chemischen Verstärkertyp |
EP1209525A4 (en) * | 1999-07-12 | 2003-03-19 | Mitsubishi Rayon Co | RESIST RESIN COMPOSITION FOR CHEMICAL AMPLIFICATION |
JP2001215704A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP4576737B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2010-11-10 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
TWI370327B (en) | 2004-01-21 | 2012-08-11 | Sumitomo Chemical Co | A chemical amplification type positive resist composition |
US7232642B2 (en) | 2004-05-11 | 2007-06-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Chemically amplified positive resist composition, a haloester derivative and a process for producing the same |
WO2013183380A1 (ja) | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Jnc株式会社 | β-(メタ)アクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン類の製造方法 |
CN114276317A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-05 | 徐州博康信息化学品有限公司 | 一种含内酯结构的光刻胶树脂单体的制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02149848A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 感光性材料及びこれを用いた感光性組成物 |
JPH04251849A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感電離放射線性樹脂組成物 |
WO1995003310A1 (fr) * | 1993-07-20 | 1995-02-02 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Nouveau compose ortho spiro ester, composition a base de resine, et produit de durcissement |
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JP3009320B2 (ja) * | 1993-12-24 | 2000-02-14 | 三菱電機株式会社 | 分解性樹脂および感光性樹脂組成物 |
-
1998
- 1998-01-26 KR KR1019980002302A patent/KR100562180B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-01-26 TW TW087101061A patent/TW482946B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-01-27 EP EP98101371A patent/EP0856773B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-27 DE DE69800897T patent/DE69800897T2/de not_active Expired - Lifetime
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69800897D1 (de) | 2001-07-19 |
EP0856773B1 (en) | 2001-06-13 |
KR100562180B1 (ko) | 2006-07-03 |
EP0856773A1 (en) | 1998-08-05 |
DE69800897T2 (de) | 2001-10-18 |
KR19980070853A (ko) | 1998-10-26 |
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GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
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