TW466353B - Reduction projection objective for microlithography - Google Patents
Reduction projection objective for microlithography Download PDFInfo
- Publication number
- TW466353B TW466353B TW088120486A TW88120486A TW466353B TW 466353 B TW466353 B TW 466353B TW 088120486 A TW088120486 A TW 088120486A TW 88120486 A TW88120486 A TW 88120486A TW 466353 B TW466353 B TW 466353B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- lens
- quartz glass
- scope
- patent application
- lenses
- Prior art date
Links
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 65
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 27
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 16
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 210000001624 hip Anatomy 0.000 claims description 20
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 10
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 claims description 6
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 210000004705 lumbosacral region Anatomy 0.000 claims 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100326791 Caenorhabditis elegans cap-2 gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPDDQFGQTCEFIX-UHFFFAOYSA-N [F].[Ca] Chemical compound [F].[Ca] MPDDQFGQTCEFIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000005331 crown glasses (windows) Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000469 dry deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- -1 thorium fluoride Chemical class 0.000 description 1
- MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J thorium tetrafluoride Chemical compound F[Th](F)(F)F MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
- G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
466353 A7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（/ ) 本發明之發明領域係有關用於微顯影的縮小投影物 鏡，具有由石英玻璃及氟化物製造的透鏡。 此類型的折射投影物鏡，Cerco 823，係由石英玻璃及 CaFs製造，且已發表於1982年法國的Babolat C,所著Proc.5 Microcircuit Engineering Grenoble 第 65 到 68 頁。 自此之後，有關於193奈米激元雷射相關的物鏡結構 因而逐漸發展，例如，本案所主張優先權案，同一發明人 及申請人的DE 198 55 158.4即為相關技藝，且該案以參考 形式包含於本案之中。 10 依據UV透鏡架構之長久傳統’ 248奈米及193奈米的 系統中，總是以石英玻璃作為大部份透鏡的材料；但是透 鏡卻很少採CaF2或其他的氟化物材料以用在消除色差上， 主要疋因為石英玻璃取材便利，可加工性.，及成本上的考 慮之故。 [5 種用於157奈米（F 2激元雷射）的折射物鏡，首次見 於同一發明人及同一申請人之DE 198 44 158.4中。該案在 本案優先權曰前尚未公開》該案以CaF2作為基本材料，其 中以少數其他氟化物的透鏡輔助，尤其是以氟化鋇。該案 全部以參考形式包含於本申請案中。 0 在ΕΡ0 691 312Β1中提出一種石英玻璃，而其特殊處 在於滲入了氟’且亦具有氫氣’而在157奈米下具有傳輸 及抗雷射的能力。 由這種石英玻璃製造的光學元件，用於微顯影投影物 鏡设備之可能性己描述，這僅是重複在說明該元學元件用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------
If 訂-------- 線 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 d 6 6 3 5 ^ A7 __B7 五、發明說明（名） 於折反射式物鏡。 一種由兩種不同的石英玻璃所建構之微顯影折射式縮 小投影物鏡已揭露於EP 0 284 414 B1中。其中至少一種石 英玻璃滲入其他的外來物質，最好是氟。該案說明對於193 5 奈米及更高波長之適用性。 在美國專利5,031，977中提出一種微顯影投影曝光物 鏡，此物鏡包含石英玻璃新月型透鏡及LiF的平面凸透鏡， 及一 CaFg二稜鏡。對於這種248奈米之具有額外反射鏡的 1:1折反射式物鏡，本發明之物鏡與之相較截然不同。 10 EP 0 835 848 A2中提出一種在微顯影之投影物鏡設備 中滲入氟之石英玻璃及其應用。 已知在生產程序中可以乾式沉積方法製造使石英玻璃 的吸收性朝低波長領域邁進。 本發明中的目的提供一相關範疇之物鏡，能使用材料 15以達到最佳之消色差e同時，該物鏡亦適用於波長低於200 奈米以下，尤其是193奈米，及？2激元雷射157奈米者。 該物鏡與CaF 2 /BaF 2系統及純CaF 2系統比較下，亦能增 加光譜之頻寬。 此目的可經由依據申請專利範圍第丨項之縮小投影物 20鏡而得以完成，其中石英玻璃透鏡之會聚功率總合為負， 尤其祗有負會聚功率的透鏡為石英玻璃。其應用之原則為， 在考慮以石英玻璃及氟化物組合物鏡在消色差的特性時， 尤其是以CaF2為氟化物透鏡的情況下，儘可能地負透鏡以 石英玻璃作為火石玻璃，而正透鏡以氟化物做冕玻璃。 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 5 ^ i I I I---Γ -----I-- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明（3 ) 此，這種以會聚功率總合的主張與使用個別石英玻璃為正 透鏡之觀念是完全不同的。 在此以前之應用中，用於DUV之縮小投影物鏡，包含 193奈米，總是儘少使用氟化物透鏡，此係基於商業上之取 5材便利性及價格上的考量，同時，石英玻璃便於處理，且 其消色差之限度尚可接受之故。 相同的發明觀念可在申請專利範圍第2項中得到實 現，一個用於微顯影的縮小投影物鏡（亦可為一折反射式透 鏡）包含由CaF 2、其他的氟化物晶體及石英玻璃所製成之 10三種透鏡，且設計為可應用在低於200奈米之波長下，最 好是使用在193奈米或157奈米的激元雷射中。因此’在 VUV波長區域中，用於消除色差的優異可能性自此展開。 在申請專利範圍3到14之附屬項中提出本發b月中之最 佳實施例。 15 依據申請專利範圍第3項’在系統光闌相鄰處至少有 一個至二個負透鏡由石英玻璃製造。其中最好使用由石英 玻璃做為火石玻璃，以消除色差。 依據申請專利範圍第4項，除了 CaF2，也可以進一步 使用BaFs及/或LiF做為透鏡材料。因此所用的石英玻璃數 20 量可達到最少’例如，採用上述DE 198 55 158.4之知識及 在157奈米領域中，最佳己存在之預設條件下使得石英玻 璃因其吸收性之關係，而必須減少其數量。 當然也可以採用其他的氟化物，例如氟化勰做為其組 合透鏡。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- ------*1 訂·Γ--ί I 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 4 6 6 3 ：r 3 五、發明說明（夺） 在申請專利範圍第5項中，基於吸收最少的同樣的理 由’最好採用滲入氟之石英玻璃。這可以由上述EPO 284 414 B1及EP 0 691 312 B1中得知，且在低波長下傳輸之改進有 所助益。 5 在申請專利範圍第6中描述了不同材料透鏡應用之最 佳位置’即在光腰部位採石英玻璃或BaF2 ’亦即位於負會 聚功率之鏡組中。並根據申請專利範圍第7項，在系統光 闌位置附近設置LiF正透鏡與石英玻璃的組合。 申請專利範圍第8項中述及，系統光闌最好位於由石 10英玻璃製造之兩透鏡間’且如申請專利範圍第7項所述， 兩透鏡間再設置另一種材料所製造之透鏡。 依據申請專利範圍第9項，本發明提供之物鏡中含有 二光腰。這比一般多一個光腰，例如DE 198 55 158.4所述 及其參考文件所述之結構皆多一個光腰β這種光腰及光腹 15 的"^计疋為了對拍茲伐合Petzval sum做一校正之用。這種 採用更多光腰/光腹的分佈方式可不僅可以減少其他的誤 差’更可％到的非常小型的結構。同時’材枓之應用及傳 輸因此而得到最佳之狀況。 根申請專利範圍第10項所述，其特徵為光腰及光腹之 20之直徑從物體側到影像側方向遞增。使得物鏡整體可以採 用一小型的結構，在靠近影像處建構長焦距大直徑的透鏡， 以獲得大的孔徑。 在申請專利範圍第II及12項所述，其特徵為適用於 準確進行微顯影，依此申請範圍，該物鏡的結構為一掃瞄 本紙張尺度遶用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公髮） I— f ------^ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 6 3 二 A7 ____B7_____ 五、發明說明（< ) 器物鏡，尤其是具有26mm的缝隙高度（全場掃瞄器），及一 大於0·7的數值孔徑，最好大於0.75。在此例子中，甚至可 達到 ΝΑ=0.8。 因此，依據本發明的物鏡可以，或提供一大ΝΑ X Υ’ 5 拉格朗日不變量（Lagrange’s invariant)，其值為18到 20mm 〇 通常在第一光腰的設計中採用兩個負的新月型透鏡， 該透鏡凹向光腰，且不提供，或最多提供一個正透鏡。根 據申請專利範圍第13及14項，提供一種用於此區域的新 10 結構’即在物鏡側只提供一負的新月型透鏡及/或兩個正透 鏡。 申請專利範圍第15項中敘述根據圖一至圖三之最佳實 施例乃為一純折射縮小投影物鏡。這一應用於折射物鏡領 域之技術從此發展’在此之前，這祗能應用於折反射式系 15 統或折射式系統。 申請專利範圍第16項為本發明的變化型式，應用本發 明於一部份物鏡’再配合折反射式部份物鏡，形成一具有 中間影像之折反射式縮小物鏡。 根據美國專利案號5,052,763及5,091，802或1998年7 20月29日申請的美國專利序號60/094579所述，這種折反射 式物鏡被稱為Schupmann消色差改良型物鏡。 另一變化型式為同軸物鏡，與DE 196 39 586 A1屬同 一類型。 依據本發明之折射部份物鏡的設計，頻寬，校正及建 本紙張尺㈣财國國家標準（CNS)A4規格（21Q X 2_97公髮^ 8 I —-I---------^----- - -—訂，‘--------線. {請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 b b 3 5 3 A7 ____B7 五、發明說明（S ) 構成本皆較會相對減低》 申請專利範圍第17項描述了石英玻璃之最佳使用方式 以實現消除色差之需求，及適用於157奈米之低波長，皆 藉由限制石英玻璃使用於負透鏡，且在折反射式物鏡中亦 5 做此限制。此特性尤其適用於偏極分光器，例如在de 19616 922 A1中所述之分光器。在申請專利範圍第a項中所提出 之折反射部份之物鏡可以優異的以此方式建構。 同樣地，申請專利範圍第18項為一本發明之變化型式， 描述了 一折反射式縮小物鏡之設計，為一具有CaF2，石英 10 玻璃及至少一另一氟化物晶體的透鏡。 折反射式系統的反射鏡因此不再需要用在消除色差， 因此建構像場變寬’同時寬頻的設計、良好校正、大孔徑 大像％且具有咼光導值的小型物鏡，因此可以達成。.. 附屬項申請專利範圍第19項，正如申請範圍第5項中 15已述敘了參入其他物質的石英玻璃，最好是氟，尤其大幅 改進157奈米中的傳輸。 申凊專利範圍第20項述及，以石英玻璃用於負透鏡之 基礎是單純並可普及應用。而申請專利範圍第21項則考慮 一項事實’即當多加入幾個石英玻璃做為正透鏡時，本發 2〇明仍然有效。透鏡之數目，1〇個甚至更多，則明顯的看出 本發明與顯微物鏡及相對簡單的折反射式投影物鏡之間絕 大分野。最好具有17個透鏡以上之物鏡，可包含非球面透 鏡或作為逐攔物鏡之高價值的投影物鏡己為可行，而且是 一反射式物鏡》 本紙張尺度_巧規格⑵0 X 297公！) -I it----^-------- -------線- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Αέ，6353 I Β/ 五、發明說明（亨） +請專利範圍帛22項包含一用於微顯影的縮小投影曝 I光設備，其適用於193奈米或157奈米的激元雷射光線， 此-設計可使結構寬度在〇15到〇1〇_範圍的微顯影應 用可以達成。 5 依據申請專利範圍第23項，為以一微顯影結構製作物 體的製造方法，如一積體電路，電光或其他電路，其特徵 為使用依據上述申請專利範圍第21項之投影物鏡設備’據 此’使用縮小投影，形成影像，最好是具有非常低波長的 光’該光具有一般的頻寬，並使用石英玻璃達到良好的消 10 色差’同時配合相關的不同氟化晶體以達成目的。 由下文中的說明可更進一步了解本發明之特徵及優 點’並請同時參考附圖。 圖式說明 15 圖1為本發明第一實施例的透鏡區； 圖2為本發明第二實施例的透鏡區； 圖3為本發明第三實施例的透鏡區； 圖4示意圖為依據本發明的折反射式縮小物鏡； 圖5示意圖為依據本發明的投影物鏡設備； 20 圖6為圖1之實施例之典型影像誤差曲線。 圖1中顯示之投影物鏡之結構數據見於表1。圖一中 從物體至影像OB-IM之長度為1540.1mm，其影像侧之數 值孔徑為NA=0.8。影像縮小比例為1 : 4，而且兩側皆為遠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 2叩公釐）
<請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------^—訂-·--------線· A7 /16 6 3 5 3 ___B7__ 五、發明說明（2 ) 心。其操作波長為157.630±5ρηι至±8pm。 表2為該實施例設計所採用之反射率。但在這種波長 中之光學之數值尚未被完全建立起來。特別是，石英玻璃 精破數據仍然依賴所參入的情形而定。但是，該項設計可 5 依不同批次材料之不同的折射率而調整。 該像埸為一 8X26mm2的矩形，是為一完全像場掃瞄器 而設計的。 該物鏡之拉格朗曰不變量（Lagrange’s invariant)是由數 值孔徑及像場而設定’透鏡的直徑及整體結構長度亦須列 10入考慮。隨著像埸之縮小（例如為逐攔物鏡）或孔徑的縮小， 透鏡直徑及物鏡整體長度及全體透鏡數量亦同時減少。同 樣的結果也可由加入非球面鏡而獲得。 所有的影像高度之RMS誤差低於15 millilambda (2.3nm)。 15 本物鏡設計的基礎是_貫的使用石英玻璃作為用於消 除色差的火石玻璃’而與作為冕玻璃的氟化鋰及氟化鈣形 成配對。氟化角提供了大部份透鏡1_17，19，20，22，27_ 35的基本材料，此乃在這種波長下最佳的設計，這是基於 材料性質及便利性的緣故。 因此，在該系統光闌AP處，兩石英玻璃的負透鏡23 , 26與兩氟化鋰的正透鏡成對，這是一典型的消色差配置。 與氟化鈣相較’使用氟化鋰將增加色散距離，此意謂著更 強的消色差效果。僅有一石英玻璃負透鏡18安排在光腰透 鏡組LG4中，及一氟化鋰透鏡21隨後位於第五透鏡組lG5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） „----------^------ 訂··--------線· {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 4 、 A7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 五、發明說明（^ ) 處’該氟化料鏡之目的是對於頻寬±5至I5pm之色舍校 正。這點很重要，因為石英玻璃在157奈米處有著相當高 的吸收，因此儘可能的減少配置於光路中 石央玻璃會有熱透鏡（由於光路中不同的透鏡厚度及折 射率之改變而對光線吸收所形成之熱度）及致密化（由於長期 UV輻射的效應）而造成之干擾。但這兩問題在將石英破螭 作為負透鏡時而減緩，因為可藉由冷卻邊緣而減低熱度， 而且在系統光闌周遭，有一輻射曝光旋轉對稱分佈產生於 透鏡之截面，以減緩致密化的問題，甚至在具有縫隙形狀 像埸之掃描器中情況亦是如此β後者對氟化鋰透鏡24， 的要求則可不用這麼高，因為其材料防輻射能力較氟化鈣 差。若要冷卻石英玻璃透鏡，而將一個透鏡分割成數個薄 的透鏡亦可。 圖一中具有35個透鏡1-35的架構與較早提到之具有6 個透鏡組的DUV物鏡相類似，該6個透鏡組分別為：正 LG1，負LG2，正LG3，負LG4，及正LG5，該第五組正 透鏡其中包含系統光闌ΑΡ及消色差作用的重要部份，及最 後的LG6。一平板Ρ1封閉了向著影像平面ιΜ的物鏡組 通常負透鏡組LG2及LG4由向外凸的負新月型透鏡前 後夾合。在此’僅有LG4是這種情形，透鏡π及20為負 的新月型透鏡，夾合了該透鏡組。但在LG2鏡組中祇有新 月型透鏡6出現在物體側，後接兩個正新月型透鏡7及8及 三個雙凹透鏡10’ 11 ’ 12。本實施例在此提供了一四部件 的結構，藉由小的透鏡產生良好的校正，亦不須要太多空 5 10 15 20 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 4 6 6 35 3 A7 B7 五、發明說明（/^) 間及材料的使用。 圖^為施例物鏡之橫向像差DYM在子午主要切 面，為對最高影像高度Y’=14.5mm及Y’=〇軸之孔徑角度 之正切TAN DW’函數，顯示其良好之品質。 5 圖2為一用於157奈米微顯影之折射掃描物鏡的實施 例。它同樣的包含35個透鏡(201-235)，及一封閉平板P2， 此物鏡亦具有相同的像場，及1 : 4的縮小率。其自物體至 影像Ob-Im的距離為1455.6mm ;因此整體較第一實施例更 小型。本例中’所有的影像高度之RMS誤差低於15 10 millilambda (2.3nm)。 幾乎所有的透鏡的材料為氟化鈣，除了由石英玻璃製 造的負透鏡218，223，226，及正透鏡221，224，225由氣 化鐘製造。亦可將透鏡218改為氟化鋇。因為在此之輕射 曝光較光闌處透鏡223，226為嚴重，因此可以接受較小消 15色差的效果，以換取氟化鋇之高輻射穩定性能。氟化晶體， 除了氟化鉀，氟化鋰及氟化鋇己在上文中明確的描述過， 其他可用之氟化物，由於其在深紫外線令特殊的傳導性質 亦可採用，如氟化锶。 與圖1不同的是，本例之物鏡結構顯示三個光腰之形 20成，第三個光腰在系統光闌AP處透鏡223形成。因此本結 構具有相對的四個光腹B1至B4。 在第一光腰τι的負透鏡組只有一個正透鏡2〇8。 在本實施例中，從物體側〇b到影像側IM之透鏡具有 逐漸增大的直徑，且光腰T1到T3及光腹B1_B4可以實 本紙張尺度翻中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ] i I I I i I 0^— — — — — — —— · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 4 6 6 3 5 3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 I-- ——一__B7____ 五、發明說明（// ) 上述之優點》 相對而言，圖3及表3的實施例為一用於193奈米之 反射物鏡。在傳統結構上本領域採取氟化鈣及石英玻璃配 對的材質’丨中石英玻璃為主要的物鏡，僅彳幾個氟化妈 5透鏡作為消色差之用。這是因為在此之前不易獲得大尺寸 的氟化鈣透鏡毛胚，而且單晶體之拋光較石英玻璃為差。 | 但是，現在氟化物之光學性質之最佳使用方式己受人重視， 因此，以石英玻璃為冕玻璃，以氟化妈為火石玻璃而應 用上以石英玻璃為負透鏡結合可消除色差之氟化鈣正透 10鏡。而透鏡熱及致密化的問題也因為較少使用石英玻璃而 大為減低了》 因此，在本例子中，僅有六個負透鏡是由石英玻璃所 製造：3〇7 ’ 3〇8 ’ 309在第一光腰，3丨6，在第二光腰， 328靠近影像平面。在本例子中，並無消色差鏡組設置於系 15 統光闌AP附近。 本例之縱向色差0.15nm在頻寬〇_5pm處。所有像高之 RMS誤差均低於16.3 millilambda (2·56ιπη)。同時在影像側 具有一大孔徑NA=0.8 ’縮小比例為1 : 4，且兩側皆為遠心， 一 26x8mm2的像場’整體物鏡十分小型，自物體面至影像 20 面Ob-ΙΜ之距離為1150mm’且只使用31個透鏡，301-331。 P3為一平封閉板。 請注意’圖1至圖3的所有折射投影物鏡皆為純的球 面透鏡。但很明顯地’若採用非球面透鏡則透鏡數目及物 鏡的尺寸間之的協調會更進一步得以改善。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝---------訂-----------線- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 6 3 5 五、發明說明（//2 ) 圖4為本發明更進一步的實施例；該實施例為一具有 中間影像(imi)之物鏡及部份折射物鏡扑及一部份折反射式 物鏡4a。依據本發明，石英玻璃可用於負透鏡441或461。 透鏡組41，44及部份物鏡4b則包含氟化鈣及/或其他的氟 化物當然，亦可與傳統透鏡組結合使用。本例中之同轴 結構之兩反射鏡42，43為DE 196 39 586 A1之内容。 圓5之示意圖顯示一完整之用於微顯影投影曝光設備 的實施例。一激元雷射，波長最好為248，193或147奈米 為光源51 » —照明設備52包含透鏡/鏡組521 ’ ，及一 1〇均光器，尤其是一蜂巢型聚光器，亦可以設置一玻璃棒以 均勻光線。如此一亦適用於157奈米的照明設備範例，可 見於德國專利申請案DE 198 5S 106。光罩53由系統531 來固定’調整及掃描。設計該投影物鏡54為—具有偏極分 光器542，凹鏡544及透鏡組541，543，545的折反射式縮 15小物鏡，亦可參見DE 196 16 922 Α1。系統551調節、掃 瞄及改變將要曝光之物體55，通常為—產生晶片之晶圓。 其他更進一步的裝置如自動對焦系統，透鏡操作器，控制 系統等其他必須用於微顯影投影曝光設備所需之裝置，圖 中並未顯示。 10 依據本發明，只有在物鏡54中的負透鏡5411，5451 由石英玻璃製造。而用於透鏡的基本材料為氟化鈣。但是， 可配合採用其他的氟化物’如在透鏡組543中。 顯然地，亦可將其他的元件與根據本發明所述之物鏡 組裝在一起，而得到本發明的投影曝光設備。 本紙張尺度適用中_家標準（CNS)A4規格（2Κ) X 297公髮） 15 - Μ------t — 訂.----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 6 3 5 3 A7 _B7_ 五、發明說明（A?) 本文中所述之最佳實施例僅為本發明申請範圍中所述 之範例。亦可將實施例與變化型式加以組合以達成最有利 之可能性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 6 3 5 3 A7 B7 五、發明説明（/夺) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表 _ 元件 曲率半徑 厚度 材質 Ob - 45.640 1 -141.404 7.317 CaF2 -221.495 1.988 2 10014.863 11.476 CaF2 550.762 10.673 3 -15523.603 17.400 CaF2 -221.961 .144 4 1300.540 18.500 CaF2 -265.439 .110 5 418.505 27.260 CaF2 -790362 .050 6 238.689 6.197 CaF2 125.491 4.512 7 111.036 11.213 CaF2 117.628 42.523 8 -236.214 18.628 CaF2 -169.181 8.977 9 -332.441 12.241 CaF2 243.348 23.482 10 -202.521 10.000 CaF2 815.972 30.627 11 -116.923 11.487 CaF2 823.017 25.597 12 -228.669 23.146 CaF2 ----------V— 請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 6 3 5 3 A7 B7 五、發明説明（/夕) -168.873 .751 13 -1325.421 30.200 CaF2 -274.449 .771 14 5034.234 69.297 CaF2 -237.888 .806 15 293.933 68.217 CaF2 -1091.384 2.061 16 323.344 25.754 CaF2 674.492 .907 17 347.176 13.498 CaF2 202.739 75.252 18 -241.746 21.276 Quarzglas 249.273 72.000 19 -160.892 32.500 CaF2 -182.327 .750 20 -219.478 19.298 CaF2 -254.487 .751 21 1445.240 89.777 LiF -228.368 1.970 22 5171.138 31.833 CaF2 -640.864 22.361 23 -314.265 15.102 Quarzglas 373.112 2.855 24 391.011 74.429 LiF -590.194 40.000 ΑΡ - -40.000 25 376.390 67.000 LiF -682.308 34.467 26 -295.655 16.777 Quarzglas 1269.117 4.300 27 1610.404 89.605 CaF2 ---------"-- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) I·11 ^! 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 4 6 6 3 5 3 A7 B7五、發明説明（/έ)
-305.914 .751 28 443.806 35.289 CaF2 1067.480 .750 29 206.523 54.196 CaF2 481.871 .750 30 238.768 28.328 CaF2 357.025 .750 31 179.002 21.481 CaF2 239.040 28.958 32 2574.744 19.041 CaF2 870.773 .300 33 Π5.013 18.212 CaF2 96.781 18.665 34 239.152 6.467 CaF2 222.490 1.580 35 208.024 34.625 CaF2 594.953 3.037 P1 1.875 CaF2 11.259 IM 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 466353 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（/7) 表 二 '材質 反射係數 λ = 157,625 λ = 157,635 CaF, 1,55 8423 1,55 8397 LiF 1,47 8109 1,47 8094 Quarzglas 1,65 8774 1,65 8725 I---------^-- (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7 五、發明說明（/f) 表 二 元件 曲率半徑 厚度 材質 Ob 00 34.982 301 -4088.407 12.912 CaF2 -251.776 7.160 302 -162.976 7.012 CaF2 332.656 8.317 303 638.323 22.473 CaF2 -201.060 .750 304 376.236 20.205 CaF2 -396.540 .750 305 267.266 33.457 CaF2 -392.008 .750 306 188.384 8.018 CaF2 107.326 24.194 307 -861.055 8.364 Quarzglas 173.499 24.642 308 -200.368 8.851 Quarzglas 402.418 26.633 309 -124.647 12.381 Quarzglas -884.148 13.344 310 -232.499 31.578 CaF2 -168.623 .750 311 -7947.837 36.667 CaF2 -226.212 .750 312 1155.936 37.063 CaF2 -309.718 4.962 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I ------訂----I ί --- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __JB7 五、發明說明（/f) 313 312.669 39.669 CaF2 -819.836 -2.577 314 268.974 25.816 CaP2 1540.243 1.206 315 169.903 21.860 CaF2 127.436 50.392 316 -247.837 6.022 Quarzglas 154.186 46.893 317 -128.207 J 0.035 Quarzglas 3266.627 39.908 318 -128.717 33.440 CaF2 -162.119 .811 319 -346.157 25.400 CaF2 -225.229 .777 320 4370.082 43.576 CaF2 -313.397 7.351 321 2290.147 36.497 CaF2 -473.451 10.000 AP 00 -10.000 322 613.402 29.316 CaF2 -2794.107 .750 323 263.709 41.995 CaF2 1088.392 56.916 324 -267.395 31.647 CaF2 -308.065 .966 325 -337.948 25.505 CaF2 -294.154 1.084 326 226.085 28.352 CaF2 549.259 .966 327 123.477 34.813 CaF2 <請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _______B7 五、發明說明（Λ5) 225.081 .759 328 113.400 26.294 CaF2 181.384 10.360 329 306.612 9.814 Qu^xzglas 60.269 10.603 330 72.285 8.840 CaF2 55.167 .750 331 49.774 24.086 CaF2 358.667 4.638 P3 00 2.492 CaF2 GO 13.082 IM CO .000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
- 6 6 48888 ABCD 5 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 20 申請專利範圍 ι· 一種具有石英玻璃透鏡及氟化物透鏡用於微顯影的反射 式縮小投影物鏡，其特徵為石英玻璃透鏡之會聚功率的 總合為負’最好負會聚功率之透鏡（18，23，26)限由石 英玻璃所組成。 2. —種用於微顯影之縮小投影物鏡，其操作波長低於2〇〇 奈米’最好是為193奈米或157奈米，其中包含CaF2 透鏡（1-17’ 19,20’22’27-35)及其他氟化物晶體透鏡(21， 24 ’ 25)，且至少具有一石英玻璃透鏡（18，23，26)。 3. 如申請專利範圍第1或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為在光闌區域至少有一個，最好是一到二個負透鏡由 石英玻璃製造。 4. 如申請專利範圍第1或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為除了以氟化鈣為透鏡材料外，亦採用氟化鋇及/或氟 化鐘作為更進一步的透鏡材料。 5·如申請專利範圍第1或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為石英玻璃滲入其他物質之，特別是滲入氟。 6·如申請專利範圍第1或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為在一光腰區的負透鏡（18)由石英玻璃玻璃或氟化鋇 所構成。 24 ------------ ^ --------訂---：--------線- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (CNS)A4 (210x297 公釐） 46 6 35 3 έΐ C8 ^-----D8 ___ 六、申請專利範圍 7‘如申請專利範圍|ξ 3項所述之縮小投影物鏡，其特徵為 光闌區域之石英玻璃透鏡（23，26)與氟化鋰正透鏡， 25)相鄰。 如申請專利範圍第3項所述之縮小投影物鏡，其特徵為 系統光闌設置於兩個石英玻璃（23,26)透鏡間，有時在其 間再設置由其他材料所製成之透鏡(24 , 25)。 ι 9‘如申請專利範圍第1或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為具有三個光腰（ΤΙ，Τ2 , T3)。 10.如申請專利範圍第9項所述之縮小投影物鏡，其特徵為 光腰(ΤΙ，T2，T3)及光腹（Bl，B2，B3，B4)的直徑由物 體側（〇b)朝影像側（IM)逐漸增大。 15 Π.如申請專利範圍第】或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為物鏡所建構之像場直徑大於25mm。 12.如申請專利範圍第丨或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為在影像側的數值孔徑大於〇·7，最好大於〇 75。 13 ·如申請專利範圍第1或2項所述之縮小投影物鏡，其特 徵為在第一光腰（T1)區中，一負新月型透鏡(6,207)僅能 設置在物體側。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 我--------訂-----線' 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印机 ο 2 66353 留 CS -------- D8 ** _ . . ___ 六、申請專利範園 14·如申請專利範圍第13項中所述之縮小投影物鏡，其特 徵為在第一光腰（T1)區域中設置兩個正透鏡（7，8)。 5·如申請專利範圍第2項所述之縮小投影物鏡，其特徵為 其為純折射式結構。 μ. —種用於微顯影之折反射式縮小物鏡，具有一中間影像 (imi)及部份折射物鏡（4b)，其特徵為依據申請專利範圍 1到15項中至少一項所述而設計之部份折射物鏡(4b)。 一種用於微顯影的折反射式縮小物鏡，尤其是該物鏡具 有透鏡組（541，543，545)，透鏡組中包含至少一由石英 玻璃透鏡（5411 ’ 5451)，一偏極分光器（542)及一凹鏡 (544) ’其特徵為石英玻璃透鏡（541 1 , 5451)之會聚功率 的總合為負’最好負會聚功率之透鏡（5411，5451)限於 石英玻璃。 18. —種用於微顯影的折反射式縮小物鏡，其特徵為其中包 含由氟化鈣所製造之透鏡（541)，至少具有另一氟化物晶 體透鏡（543)，及石英玻璃透鏡（5411，5415)。 19. 如申請專利範圍第π或18項所述之折反射式縮小物 鏡’其特徵為至少一透鏡(5411，5415)為石英玻璃，最 好滲入氟。 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) n d n tr------I---線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 ο 2 6 6 8888 ABaD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 2〇‘一種物鏡，具有多於10個，最好是多於17個透鏡， 到35)，其中包含由石英玻璃製造的透鏡〇 8，23，26；)， 其特徵為由石英玻璃製造的所有透鏡（18, 23，26)為負 5 透鏡。 21. —種物鏡，具有多於10個，最好是多於17個透鏡， 35)，適用於波長低於200奈米，此物鏡包含由石英破璃 製造的透鏡（1S ’ 23，26)，其特徵為由石英破螭製造的 10 透鏡（18，23 ’ 26)的會聚功率總合為負。 22. —種用於微顯影的投影曝光物鏡，其申包含 一光源（51)，其波長低於200奈米，最好是波長為193 . 奈米或157奈米， 15 一照明系統（52)， —光罩固定’定位及移動系統（531)， 一如申請專利範圍1到21項中至少一項所述之縮小投 影物鏡（54)，以及 一物體固定，定位及移動系統（551)。 >0 23‘一種依據申請專利範圍22項所述之投影曝光設備，以 該設備處理物體之微顯影製程。 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公笼） (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i-----——tr·------—I!線-
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19855158 | 1998-11-30 | ||
| DE1999105203 DE19905203A1 (de) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | Reduktions-Projektionsobjektiv der Mikrolithographie |
| DE19908544 | 1999-02-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW466353B true TW466353B (en) | 2001-12-01 |
Family
ID=27218836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW088120486A TW466353B (en) | 1998-11-30 | 1999-11-24 | Reduction projection objective for microlithography |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1006388A3 (zh) |
| JP (1) | JP2000171707A (zh) |
| KR (1) | KR20000035236A (zh) |
| TW (1) | TW466353B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI447472B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-08-01 | ||
| CN107765416A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-06 | 宁波永新光学股份有限公司 | 一种显微镜物镜 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001023933A1 (fr) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection |
| EP1139138A4 (en) | 1999-09-29 | 2006-03-08 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
| EP1344112A2 (de) * | 2000-12-22 | 2003-09-17 | Carl Zeiss SMT AG | Projektionsobjektiv |
| DE10064685A1 (de) | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Zeiss Carl | Lithographieobjektiv mit einer ersten Linsengruppe, bestehend ausschließlich aus Linsen positiver Brechkraft |
| JP2002244034A (ja) | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| JP2002323652A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系，該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法 |
| JP2002323653A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系，投影露光装置および投影露光方法 |
| DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| DE10221386A1 (de) | 2002-05-14 | 2003-11-27 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsbelichtungssystem |
| AU2002364974A1 (en) | 2002-09-03 | 2004-03-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with birefringent lenses |
| JP4779394B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-09-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
| CN109581622B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-12-04 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种投影物镜 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE845415C (de) * | 1941-10-31 | 1952-07-31 | Optische Werke C A Steinheil S | Ultraviolettdurchlaessiges optisches System |
| DD222426B5 (de) * | 1984-03-01 | 1996-06-13 | Jenoptik Jena Gmbh | Optisches System |
| US5040882A (en) * | 1988-11-07 | 1991-08-20 | General Signal Corporation | Unit magnification optical system with improved reflective reticle |
| JP3010365B2 (ja) * | 1990-05-15 | 2000-02-21 | オリンパス光学工業株式会社 | 対物レンズ |
| US5305138A (en) * | 1992-07-31 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Superachromatic UV and visible focusing objective lens |
| DE4417489A1 (de) * | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Zeiss Carl Fa | Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie |
| US5781336A (en) * | 1995-11-28 | 1998-07-14 | Lockheed Martin Corporation | Method and system for multi-spectral imaging in the visible and infrared spectrums |
| DE19616922A1 (de) * | 1996-04-27 | 1997-10-30 | Zeiss Carl Fa | Hochauflösendes lichtstarkes Objektiv |
| DE19704936A1 (de) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Zeiss Carl Fa | Optisches Glied und Herstellverfahren |
| EP0901650B1 (en) * | 1997-03-25 | 2001-09-19 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Optical system for integrated circuit fabrication |
-
1999
- 1999-10-30 EP EP99121617A patent/EP1006388A3/de not_active Ceased
- 1999-11-04 KR KR1019990048575A patent/KR20000035236A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-11-24 TW TW088120486A patent/TW466353B/zh active
- 1999-11-30 JP JP11339515A patent/JP2000171707A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI447472B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-08-01 | ||
| CN107765416A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-06 | 宁波永新光学股份有限公司 | 一种显微镜物镜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1006388A3 (de) | 2002-05-02 |
| EP1006388A2 (de) | 2000-06-07 |
| KR20000035236A (ko) | 2000-06-26 |
| JP2000171707A (ja) | 2000-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW466353B (en) | Reduction projection objective for microlithography | |
| EP0608572B1 (en) | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture | |
| US6683729B1 (en) | Objective with crystal lenses and projection exposure equipment for microlithography | |
| US5052763A (en) | Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations | |
| KR100965330B1 (ko) | 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈 | |
| US5241423A (en) | High resolution reduction catadioptric relay lens | |
| US7075726B2 (en) | Projection optical system and projection exposure apparatus | |
| JP5548743B2 (ja) | 反射屈折投影対物レンズ | |
| US7006304B2 (en) | Catadioptric reduction lens | |
| US5515207A (en) | Multiple mirror catadioptric optical system | |
| JP5396673B2 (ja) | 投影露光装置、投影露光方法及び投影対物レンズ | |
| EP0465882A2 (en) | High resolution reduction catadioptric relay lens | |
| US7031077B2 (en) | Optical reduction method with elimination of reticle diffraction induced bias | |
| JPH1048526A (ja) | 高分解能高光度対物レンズ | |
| EP0813085A2 (en) | Catadioptric system for photolithography | |
| JP2001343589A (ja) | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 | |
| US6081382A (en) | Catadioptric reduction projection optical system | |
| TW518665B (en) | Projection optical system and exposure apparatus of the same | |
| US6208473B1 (en) | Catadioptric projection lens | |
| US6101047A (en) | Catadioptric optical system for lithography | |
| JPH11109244A (ja) | 反射屈折光学系 | |
| KR0129841B1 (ko) | 노광장비의 광학계(Optics System for Exposure Unit) | |
| KR100204578B1 (ko) | 노광장비의 광학계 | |
| Mercado et al. | Microlithographic lenses | |
| JPH02220015A (ja) | 精密投影光学系 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |