TW465002B - Methods and systems for measuring microroughness of a substrate combining particle counter and atomic force microscope measurements - Google Patents

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46 5 00 2 A7 __B7_ 五、發明說明（1 ) 發明背景 本發明係關於晶圓表面評估，特別係關於量測半導體 晶圓表面之微粗糙度之方法及系統。 半導體元件通常係製造於下方矽晶圓基材之表面上。 如此一般希望將製造變成包括半導想元件之主動區的晶围 表面區域具有高度表面平坦度。朝向具有高集成密度及小 結構特徵大小的半導雜元件的趨勢進一步增加需要提供具 有高度表面平坦度（也稱作低微粗縫度）的半導體晶团。進 一步希望用於製造半導艎元件之半導逋晶圓於晶圓上具有 概略一致的表面平坦度，以及降低平均粗糙度。 舉例言之’隨著形成於半導體晶圓上的元件例如電晶 體尺寸的縮小，介於閘極電極與晶圓間通常需要更薄的閛 極電介質膜俾達成預定的電晶體性能。特別，即使典型必 須縮小閘極電介質膜的厚度，希望維持其電氣性質例如崩 潰電壓強度。為了滿足此等設計需求，通常需要降低半導 雜晶圓表面的微粗糙度，特別閘極電介質膜與半導體晶圓 間的微粗糙度《例如厚度50埃之閘極電介質膜欲達成預定 性能’任何約為數埃的粗糙度皆無法接受而需被去除。為 了提供此種控制，需要有可用於有效量測與控制半導體晶 圊表面之微粗糙度之方法及系統。 原子間力顯微鏡（AFM)常用於量測晶圓面微粗糙度。 AFM通常量測晶圓表面之微粗糙度之方式係將原子大小 的測量探頭沿晶圓表面移動用以偵測施加於晶圓表面原子 與探頭間的顯微力特別凡得瓦爾力*且偵測由於原子與探 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 * 297公釐） 請 先 讀 背 面 之 注 意 事 項 填 ί裝 t 訂 Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 Α7 Β7 五、發明說明（2 ) 頭間距的微小差異造成的此種力量的改變。為了使用典型 AFM作微粗糙度量測，預定的固定尺寸試樣，例如〇.丨微米 X 0.1微米，1微米X 1微米或1〇微米X 10微米試樣決定作為 掃描區且於掃描區内偵測數點。由AFM所得微粗糙度通常 係以偵測點的均方根（RMS)平均表示。 使用AFM測量晶圆表面微粗糙度獲得高度準確結果 '而不破壞晶圓表面。但RMS值可隨掃描區維度以及存在於 晶圓上的原子種類改變β換言之AFM測量結果可能根據掃 描區維度改變。此外由於掃描區維度典型相對於晶圓尺寸 為極小，故測量結果無法表示相對於全體晶面的微粗糙 度’因而限制測量結果與整體晶圓表面配置的對應性β進 一步，由於此種方法典型緩慢，故藉AFM作微粗糙度測量 、----------- 不適合即時（於製造期間）控制半導體晶圓的微粗糙度。 另一種可用於量測晶園表面微粗糙度之現行技術係使 用微粒計數器測量濁度。微粒計數器典型使用光源而反射 離開晶圓表面的光，以及量測由於晶圓表面之微粗继度造 成的光散射。此種光散射的量測可用作晶圓表面微粗糙度 之測量方式。如此得自微粒計數器的濁度可用作為使用光 學方法之微粗糙度指標。濁度愈高，通常表示晶圓表面愈 粗Μ。 使用微粒計數器測量濁度時，晶圓表面典型未直接接 觸量測裝置，量測速度比使用AFM量測更快速。典型用於 晶圓表面之濁度量測，對晶圓上之一特定區作多次濁度量 測，算出平均濁度來表示該特定區的濁度》換言之，一特 本紙張尺度適用中國g家標準（CNS>A4規格<210 X 297公* ) -------------裝 * tt * n I n I 線 <請先Mtl背面之注意Ϋ項再填寫本I > 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 5 00 2 A? _______B7___ 五、發明說明（3 ) 定區的濁度可以平均值表示，因而限制相對於特定區之濁 度輸出為單一值。又於特定區内部具有選定維度的局部區 的濁度可藉量測而分開特徵化·如此所得濁度無法提供於 半導體元件製造期間於晶圓表面之微粗饒度之完整特徵。 發明概述 本發明之具體實施例提供晶00表面測量方法。部分晶 圓表面使用微粒計數器測量而提供對應晶圓表面之多點的 第一測量值。包括多點中之一點的晶圓表面選定區使用原 子間力顯微鏡（AFM)測董而獲得該選定區之微粗糙度測 量值。選定區為使用微粒計數器測量之晶圓表面部份之局 部區域。第一測量值及微粗糙度測量值提供作為晶圓表面 之測量值。 本發明之其他具體實施例中，操作進一步包括格式化 選定區之微粗糙度測量值成為三維影像，三維影像提供作 為晶®表面之測量值。藉微粒計數器測量之晶圊表面部分 實質上可為晶圓表面之用作主動區的全部部分。第一測量 值提供作為全體晶圓面之微粗糙度測量值，而三維影像提 供作為晶圓表面之微粗糙度均勻度的測量值。 本發明之又一具體實施例中，AFM測量操作之前先將 得自關聯微粒計數器之第一座標系的選定點映射至關聯 AFM的第二座標系的選定區。映射操作包括決定多點中之 一點於第一座標系的座標值，以及藉由於第一座標系界定 多個第二座標值而識別包封第_點之二維侷限區域。第一 座標系之多個第二座標值於第二座標系被轉成對應座標值 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 6 -[1)11(1 — — — — — — —— — — — —I— βιιιιιιι — ， .： 1 / (請先閲讀背面之泫意事項一/填寫本！ 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4) 而界定選定區。第一座標系可為微粒計數器之X-Y平台座 標系，而第二座標系可為AFM之X-Y平台座標系。

本發明之其他具體實施例中，微粒計數器測量操作包 括照光於晶圓表面上。測量由晶圓表面散射之光。基於由 晶圓表面散射光量的變化而計算全體晶圓表面之濁度作為 第一測量值。測量的光可為照射光由暗野區段散射的光. i 又一具體實施例中，選定區約為5微米X 5微米》AFM ' 測量操作包括決定均方根（RMS)或峰至谷（P-V)輸出值作 為微粗糙度測量值》 本發明之又進一步具體實施例中，設置測量晶圓表面 的系統。微粒計數器測量晶圓表面部分例如實質上全體晶 圓表面而提供對應晶圓表面上多點的第一測量值。原子間 力顯微鏡（AFM)測量晶圓表面包括多點之一的選定區而提 供該選定區之微粗糙度測量值。選定區為晶圓表面藉微粒 計數器測量值至少一部分的侷限區。控制器映射得自關聯 4 微粒計數器之第一座標系的選定點至關聯AFM的第二座 標系的選定區。控制器進一步提供第一測量值及微粗糙度 測量值作為晶圓表面的測量值。

本發明之其他具體實施例中’提供測量晶圓表面之微 粗糙度之方法。使用具有Χ-Υ平台座標系之微粒計數器準 備晶圓表面之濁度映射囷。決定關聯選自濁度映射圖之第 一點位置的第一座標值。決定包封第一點之二維侷限區。 決定界定該偈限區之多個第二座標值。第一座標值及多個 第二座標值藉座標連接而轉成於原子間力顯微鏡AFM 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS>A4規格（210 * 297公复） n H ^1 ^1 ·1 H ^1 ^1 I» I I n I I n I I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 465002 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（5 ) Χ·γ平台座標系上的對應座標值。對應座標值讓AFM之 Χ-Υ平台座標系可定位包封第一點之二維侷限區。包封第 一點之二維侷限區之晶困表面的擻粗糙度係使用AFM基 於輸入AFM至Χ-Υ平台座標系的對應座標值量測。 使用本發明之微粗糙度測量方法及系統，晶圊之一侷 限區的微粗糙度可準確測量，以及於各種具體實施例中顯 示為三維影像。如此本發明之可用於製造高密度積體電 路，此處希望作密切且準確的微粗糙度控制。 圖式之簡單說明 前述本發明之目的及優點由參照附圓說明本發明之具 趙實施例將顯然易明。 第1圖為流程囷說明根據本發明之具體實施例測量晶 圓之微粗糙度之方法。 第2圖為流程圖說明根據本發明之具體實施例測量晶 圓表面之微粗糙度之方法。 第3圖為方塊圖說明根據本發明之具體實施例測量晶 圓表面之系統。 發明之詳細說明 於後文將參照附圖更完整說明本發明，後文顯示本發 明之較佳具體實施例。但本發明可以多種不同形式具體表 現而非將具體實施例囿限於此：反而此等具體實施例係讓 本揭示内容更為徹底完整，以及完整傳遞本發明之範圍給 業界人士。 如業界人士所知，本發明可具體表現為方法、系統或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 -------------裝 » IP n *1 I I 線| ... · Ί f ' (請先閲讀背面之注帝 }事項厂填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 — B7 五、發明說明（6) 電腦程式產品。如此本發明可呈全硬體具體實施例、全軟 體.具體實施例或組合軟硬體兩方面之具體實施例等形式。 此外本發明可呈電腦程式產品於電腦可用儲存媒體形式， 媒體中具體實施電腦可使用的程式代碼裝置。任何適當電 腦可讀媒體皆可使用’包括硬碟、CD-ROM、光學儲存裝 置、傳輸媒體例如支援網際網路或企業網路的媒體或磁性 % 儲存裝置》 用以執行本發明之操作之電雎程式碼可寫成物件取向 的程式語言例如爪哇、閒聊或C++語言。但執行本發明之 操作之電腦程式碼也可以習知程序程式語言例如c程式語 言寫成。程式碼可全然於使用者電腦執行，部分於使用者 電腦執行，呈孤立軟體封裝，部分於使用者電腦以及部分 於遠端電腦執行’或全然於遠端電腦執行。後述情況下， 遠端電腦可經由區域網路（LAN)或廣域網路（WAN)連結至 使用者電腦’或可對外部電腦作連結（例如使用網際網路服 務提供業者經由網際網路作連結）。 後文將參照根據本發明之具體實施例之方法、裝置（系 統）以及電腦程式產品之流程圊及/或方塊圓說明本發明。 但需瞭解流程圖及/或方塊圖之各方塊，以及流程囷及/或 方塊圖之各方塊組合可藉電腦程式指令執行。此等電腦程 式指令可提供給一般用途電腦、特定用途電腦或其他可程 式規劃資料處理裝置的處理器而製造一種機器，如此指令 透過電腦處理器或其他可程式規劃資料處理裝置執行，形 成可執行流程圖及/或方塊圖之各方塊規定的功能之裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 9 — — —— —--— 一 ！·裝.！ —訂·--- - - ！線 {锖先閱讀背面之注意事碩再填《本黃) A7 B7 五、發明說明（ 置。也需瞭解當元件被稱作「連結」或「耦合」至另一元 件時，可直接連結或耦合至其他元件，或可存在有中間介 入元件。相反地當一元件被稱作為「直接連結」或「直接 耦合J至另一元件時則不存在有中間介入元件β 晶圓表面的微粒通常係使用散射劑量微粒量測系統計 數，該系統典型係基於光散射現象偵測微粒。偵測晶圓微 粒及量測濁度之系統例如包括微粒計數器如瀏覽掃描 (Surfscan) SP1 ΤΒ1(美國KLA-坦考（Tencor)公司製造）或先 進晶園檢視系統（AWIS)(美國ADE光學系統公司製造）^此 種微粒計數器及分析系統例如原子間力顯微銳（AFM)通常 包括一座標系例如X-Y平台，且相對於X-Y平台上的座標進 行散射劑量，已知該座標採用X-Y座標系。根據本發明之 各具體實施例，使用微粒計數器與AFM之座標系間的座標 連結以及使用AFM之區域遨遊功能，可以三維方式量測晶 圓侷限區域之微粗糙度。 第1圊為流程圖說明根據本發明之具體實施例測量晶 圓表面之微粗糙度之方法·》參照第1圖，說明使用常用微粒 計數器之具體實施例之操作，該微粒計數器係採用χ_γ座 標系例如瀏覽掃描SP1 TP 1或AWIS。使用微粒計數器，準 備目標晶圓表面的濁度映射圖（方塊10)。 為了準備濁度映射圖，一光東照射於目標晶圓的特定 點。然後量測由.暗野區段散射光。基於光散射的變化可決 定該特定點的濁度。於全體晶面上測量濁度然後映射成為 _映射圖。 本紙張尺度適用中固國家標準（CNSXA4規格（210 X 297公釐Γ 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 4 % 本 頁 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------- ------B7____ 五、發明說明（8) 基於濁度映射圖’找出晶圓一部分例如實質上全體晶 圓的濁度分布後，使用者希望進一步檢視微粗糙度之一區 由濁度映射圖中選出，以及由該區選出一點（方塊2〇)。微 粒計數器之X-Y平台上的座標值（x〇, y〇)對該選定點位置決 定（方塊30)〇於選定點座標（Xq，附近決定一侷限區之微 粗糙度測量值範圍（方塊40)。例如於選定點座標周圍具有 、 維度5微米χ 5微米的矩形區可定義作為一侷限區。決定多 > 個第二座標值來界限該侷限區（方塊5〇) ^特別決定界定作 為矩形區的矩形區頂點（Xl，y丨）、（X2, y2)、（X3, y3)&(X4, y4)。 微粒計數器的X-Y平台上的五個座標（X〇，y〇)、（Xi，yt)、（X2, y2)、（x3，y3)及（x4，y4)關聯至AFM之X-Y平台座標系，因而 將該等座標分別轉成適合用於AFM之之Χ-Υ平台座標系的、 座標（X。，y〇)、（Xl，y,)、（x2, y2)、（X3, y3)及（X4, y4)(方塊 60)。

座標（Χ〇, y〇)、（xt，y,)、（χ2, y2)、（x3, y3)及（X4, 可使用 AFM 之遨遊功能找出。就座標（x〇, y〇)、（X|，y])、（X2, y2)、（X3, y3) 及（χ*，yd界限的侷限區之微粗糙度係使用afm測量（方塊 70)。 藉AFM所得結果以均方根（RMS)或峰至谷（p-v)表 示。假設由參考平面至N測量點高度為x,，此處丨=卜2、 N， 則RMS可以下式說明 ίΐ(χ,-χ)2 ^i~r~ -d) 此處χ為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210*297公;ΙΠ 11 I--111 — I ---I I ·1111111 — — — — — — (請先閲讀背面之注*Ϋ項再填寫本！ 4 6 5 00 2 A7 B7 五、發明說明（9 Σ

N …（2) P-V以下式說明 P-V = [χ」—小丄仏 ..-(3) 此處[X,]max為X，之最大值以及[Xi]min為Xi之最小值。 如此濁度分布係首先使用微粒計數器例如就一晶®之 實質全體表面形成濁度映射囷。基於濁度分布選出預定的 局部區域。然後進一步且可能更準確地使用AFM測量該局 部區域的微粗糙度。就一特定局部區域之微粗糙度可以三 維影像識別》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 現在參照第2圖之流程圓說明量測晶圓表面方法之進 一步具體實施例之操作。操作係始於方塊200，此時一部分 晶圓表面使用微粒計數器量測獲得對應該晶圆表面多個點 的第一測量值。於方塊200使用微粒計數器量測之晶囿表面 部分實質上可為晶囷表面欲用作為主動區的全部部分。可 能實質上包括全體晶園表面。藉微粒計數器量測例如可藉 照光於晶®表面產生，測量由晶圊表面回應於照光之散射 光’以及基於由晶圓表面散射光量的變化而算出晶圓表面 之濁度作為微粒計數器測量值。 本發明之各具體實施例中，使用微粒計數器測量晶圄 表面，接著將得自關聯微粒計數器之第一座標系的晶囿表 面上多個測量點之一映射至關聯原子間力顯微鏡（AFM)之 第二座標系界定的侷限選定區（方塊2〗〇) ·類似參照第1困 所述具體實施例，於方塊210之映射操作包括對多個測量點 297 公《 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______ 五、發明說明（i〇) 之一決定第一座標系之座標值，識別於第一座標系之多個 第二座標值’界定包封該第一點的二維偈限區域，以及將 多個第二座標值轉成於第二座標系之對應座標值而界定該 侷限區域。第一座標系可為微粒計數器的χ_γ平台座標 系，第二座標系可為AFM之X-Y平台座標系。 包括使用微粒計數器量測的多點之一的晶圓表面選定 κ 的侷限區係使用AFM量測而提供侷限區的微粗糙度測量 值(方塊215)。第一測量值及微粗糙度測量值提供作為晶圓 表面之測量值（方塊220)。各具體實施例中，得自AFM之侷 限區之微粗糙度測量值被格式化成為三維影像β進一步具 體實施例中’於方塊220之操作包括提供得自微粒計數器之 第一測量值作為全體晶圓表面之微粗縫度之測量值，以及 提供得自AFM之三維影像作為晶®表面之微粗縫度均勻 度之測量值= / 現在參考第3圖之方塊圖，進一步說明根據本發明之測 量晶圓表面之系統之具體實施例。系統300包括微粒計數器 3 10 ’測量晶圊表面例如全體表面之至少一部分而提供對應 晶圓表面多點之第一測量值。原子間力顯微鏡fAFM)320 測量晶圓表面之一選定區包括由微粒計數器3 1 〇測量之多 點之一點，俾提供選定區之微粗糙度測董值。選定區為晶 圓表面藉微粒計數器3 10測量部分之一侷限區。 控制器330映射藉微粒計數器測量之多點之一由關聯 微粒計數器310之第一座標系至關聯AFM 320之第二座標 系的選定區。控制器330進一步提供第一測量值以及微粗輪 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) 13 ------—II----II — — — — — — II « — — — —— — I— {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本買) 465002 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11) 度測量值作為晶圓表面之測量值。第一座標系可為微粒計 數.器310之X-Y平台座標系，而第二座標系可為AFM32〇2 X-Y平台之座標系《 雖然前文概略參照矽晶®說明本具體實施例，但本發 明可用於量測透明基材或任何平坦基材。此外本發明之微 粗糙度測量方法可應用於半導體元件製造過程的多個階 段。例如於化學機械拋光後（典型需要精密微粗糙度控 制）’可有利地應用本發明之微粗糙度測量方法β又本發明 方法於高密度積體電路製造過程有效，此種製程典型要求 更為準確且密切的微粗糙度控制。 此外，使用AFM的遨遊功能比較典型藉常用微粒計數 器偵測’可任晶圓侷限區域之微粗链度以更高準確度測 量。又，本發明之微粗糙度測量方法允許於半導體裝置製 造期間做即時監視。 附圏之說明書中已經揭示本發明之典型較佳具體實施 例，雖然採用特定術語，但僅用於通俗敘述意義而非限制 性目的’本發明之範圍陳述於如下申請專利範圍。 元件標號對照 1〇·7〇，200-220...方塊 310…微粒計數器 330...控制器 300…系統 320·.·原子間力顯微鏡 本紙張尺度適用中圏g家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 請 先 閱 讀 背 面 之 it 意 事 項5裝 I · 訂 線

Claims (1)

1. 0 〇〇2 AS BS CS DS 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印ΪΛ 八、申請專利範圍 I —種測量一晶園表面粗糙度之方法，包含： 使用一微粒計數器測量晶圓表面之至少一部分而 提供對應晶圓表面多點之第一測量值； 使用一原子間力顯微鏡（AFM)測量晶圓表面之包 括該多點之一點的一選定區而提供該選定區之微粗糙 度測量值，選定區為晶圓表面使用微粒計數器測量之至 少一部分的侷限區；以及 提供第一測量值及微粗糙度測量值作為晶圓表面 測量值45 2·如申請專利範圍第1項之方法’進一步包括格式化選定 區之微粗糙度測量值成為一個三維影像之步驟：以及其 中提供第一測量值及微粗糙度測量值作為晶圓表面測 量值之步驟進一步包含提供三維影像作為晶圓表面測 量值之步驟。 3.如申請專利範圍苐2項之方法，其中晶面表面之至少一 部分包含晶圓表面欲用作為主動區之實質上全部部 分：以及提供第一測量值及微粗糙度測量值作為晶園表 面測量值之步驟進一步包含提供第—測量值作為全體 晶圓表面之微粗糙度測量值以及三維影像作為晶圓表 面之微粗糙度均勻度測量值之步驟。 4·如申請專利範圍第1項之方法，其中使用—原子間力顯 微鏡測量晶圓表面包括該多點之一點的選定區之步驟 之前為映射多點之一點由關聯微粒計數器之第一座標 系至關聯AFM之第二座標系中之選定區之步驟。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公发） -----：----------裝-------—訂----|!__線| — 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 15

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印則衣 、申請專利範圍 .如申請專利範圍第4項之方法，其中映射步驟包含下列 步驟： 於第一座標系決定多點中之一點之座標值； 於第一座標系識別界定包封第一點之二維侷限區 的多個第二座標值；以及 將第一座標系之多個第二座標值轉成第二座標系 之對應座標值俾界定該選定區。 6.如申請專利範圍第5項之方法，其中第一座標系為微粒 計數器之X-Y平台座標系以及第二座標系為AFM之X-Y 平台座標系》 7，如申請專利範圍第6項之方法，其中使用微粒計數器測 量晶®表面之至少一部分之步驟包括下列步驟： 照光於晶圓表面： 測量由晶圓表面散射之光：以及 基於由晶圓表面散射之光之量的變化，計算晶圓表 面之濁度作為第一測量值》 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中測量由晶圓表面散 射光之步驟進一步包含測量由照光之暗野區段散射光 之步驟。 9-如申請卑利範圍第6項之方法’其中選定區為約$微米X 5微米。 10.如申請專利範圍第6項之方法，其中測量晶囲表面選定 區之步驟進一步包含決定均方根（RMS)或峰至谷（p-v) 輸出值中之至少一值作為微粗糙度測量值之步驟。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ---I t I I ---------I 丨| I I 訂---- - -- 丨· (請先閱讀背面之注意事項再填窵本頁) 16

   六、申請專利範圍 11_如申請專利範圍第1〇項之方法，其中晶圓表面之至少一 部分包含實質上全體晶圓表面。 U. —種測量一晶圓表面之微粗糙度之方法’包含下列步 驟： U)使用一微粒計數器準備該晶圓表面之濁度映射 圓’該微粒計數器具有一 χ_γ平合座標系： (b) 決定關聯選自濁度映射囫之第一點位置的第一 座標值； (c) 決定包封第一點之二維侷限區； (d) 決定界定侷限區之多個第二座標值； (e) 藉座標關聯而將第一座標值以及多個第二座標 值轉成於原子間力顯微鏡（AFM)之χ·γ平台座標系上 的對應座標值’其中對應座標值允許之；X-Y平台座 標系定位包封第一點之該二維侷限區：以及 (0基於輸入AFM之Χ·Υ平台座標系之對應座標 值’使用AFM測量包封第一點之二維侷限區之晶圓表 面微粗縫度。 13‘如申請專利範圍第a項之方法，其中該準備一濁度映射 圖之步驟包括下列步驟： 照射一光束於晶圓表面； 測量由該晶圓表面散射之光；以及 基於測量得之散射光數量變化而計算晶圓表面之 濁度俾提供濁度映射圖》 14.如申請專利範圍第13項之方法，其中測量由晶圊表面散 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--- * '1 (請先閱讀背面之注意事項再对驾本頁) • =· * •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制^ 17 經濟部智慧財產局員工消費合作社印+製 A8 B6 CS DS 六、申請專利範圍 射光之步驟進一步包含測量由光束之暗野區段散射光 之步驟。 15. —種測量一晶圓表面粗糙度之系統，包含： 一微粒計數器，測量晶園表面之至少一部分而提供 對應晶圓表面多點之第一測量值： —原子間力顯微鏡（AFM)，測量晶囿表面包括該等 * 多點之一之一選定區俾提供該選定區之微粗糙度測量 值’選定區為藉微粒計數器測量晶圓表面之至少一部分 之揭限區；以及 一控制器，映射多點之一由關聯微粒計數器之第— 座標系至關聯AFM之第二座標系的該選定區，以及提 供第一測量值及微粗糙度測量值作為晶圓表面測量值。 16‘如申請專利範圍第1 5項之系統，其中第一座標系為微粒 計數器之X-Y平台座標系以及第二座標系為AFM之χ-γ 平台座標系。 " 17,如申請專利範圍第16項之系統，其中控制器進一步包 含： 決定裝置’用以決定多點之一點於第一座標系之座 標值； 識別裝置’用以藉多個苐二座標值識別於第—座標 系界定包封第一點之二維局侷限區；以及 轉換裝置，用以轉換於第一座標系之多個第二座標 值成為於第二座標系之對應座標值俾界定該選 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） ------------裝-------1 訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 18