TW464955B - Method for preventing the generation of arc in the plasma treatment process - Google Patents
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464955 68782twf.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員X.消費合作fi印製 五、發明說明(I ) 本發明是有關於一種防止電弧發生的方法,且特別是 有關於一種防止電漿處理製程(Plasma Treatment Process)過 程中電弧發生的方法。_ . 電漿處理製程在半導體製程上的應用,包括應用於薄 膜沈積 '乾蝕刻、離子植入機之離子源等等。而所謂的電 漿係由原本中性的氣體分子被激發或解離成各種不同的帶 電荷離子、原子圑、分子及電子,當對電漿施以電壓的電 極板爲陰極時,帶正電的離子將被電漿與電極板間的電位 差所加速,而轟擊電極板的表面,這個現象即爲離子轟擊 (Ion Bombardment)。如果進行離子轟擊的離子質量夠重, 電極板表面的原子將.被入射的離子所擊出,即所謂濺擊 (Sputtering)之現象,可應用於薄膜之沈積。而如果是利 用電漿中所産生之離子對晶片表面之薄膜轟擊,即純粹以 動量轉移(Momentum Transfer)的物理現象進行之技術,爲 濺擊蝕刻之技術。而如果是利用將電漿中加速的離子撞擊 一個固體靶面之後,將大多數離子植進(Implant)固體靶 裡,即爲離子植入機之離子源。 習知電漿處理製程之機台,具有一 Τ型晶片承載座, 而在Τ型晶片承載座之兩側有無線電波頻率遮板(Radio Frequency Shield,RF Shield),其中機台之T型晶片承載座 與無線電波頻率遮板不互相連通。通常定期靜電式晶片承 載座之淸理步驟是使用機台之一接地電纜(Ground Cable)將 T型晶片承載座接地(Ground),以淸除T型晶片承載座上 之殘餘帶電粒子’其中此·接地電纜與T型晶片承載座接觸 請 先 閱 讀 意 事 項 I > 本 頁 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公笼) 464955 68782twf.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合阼法,f製 五、發明說明(V ) 的地方,被T型晶片承載座側壁之一套環(Ring)套住。在 淸理完之後,再將接地電纜拔除,使整個機台維持電中性, 之後,再將晶圓移至T型晶片承載座上,以進行電漿處理 製程之步驟。 然而,習知電漿處理製裎機台用以套住接地電纜之套 環並非固定,且是可調整的(Adjustable),因此,此套環易 與無線電波頻率遮板接觸,使得T型晶片承載座接地而使 其呈非電中性之狀態,在電漿處理製程之過程中,非電中 性之狀態非常容易使電漿產生電弧現象(Arcing Phenomenon),因此,晶圓之邊緣將因電弧現象而產生局部 熔融之狀態,較嚴重的甚至會將晶圓熔穿,如此會影響附 近區域之元件產生無法整合之問題。 因此本發明提出一種防止電漿處理製程過程中電弧發 生的方法,可於進行電漿處理製程時,同時線上監控此機 台’以監控T型晶片承載座是否有接地,以避免產生電弧 現象,而於晶圓邊緣形成局部熔融之狀態。 本發明提出一種防止電漿處理製程過程中電弧發生的 方法’此方法適用於一包含電漿處理室之一機台,其中此 機台包括一 T型晶片承載座與一電阻量測器,電阻量測器 之一端與T型晶片承載座電性連接,另一端與機台之接地 端電性連接。此方法係將一晶圓移至T型晶片承載座上, 然後於晶圓進行電漿處理製程,並且同時利用電阻量測器 線上監控機台,當電阻量測器量測到小於一監控標準値 時’會有一警鈴系統發出警告訊息。 請 先 閱 讀 背 事 項
裝 f 訂 d 線 讓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) Α7 ㈣ 〇C 8_Β7_ 五、發明說明(>]) 本發明利用一電阻量測器,於電漿處理製程之過程中 同時線上監控機台,以監控T型晶片承載座是否有接地, 以避免電弧現象之發生,_導致在晶片邊緣形成局部熔融之 狀態而影響附近之元件。 本發明利用電阻量測器以線上監控T型晶片承載座是 否有接地,可避免於晶圓之邊緣因電弧現象產生局部熔融 之狀態。 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂, 下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如 下: 圖式簡單說明: 第1A至第1B圖所示,爲依照本發明一較佳實施例之 防止電漿處理製程過程中電弧發生的裝置示意圖。 ------- ----· I I (請先閱讀背面之注意事項r'4·寫本頁> . 經濟部智慧財轰笱員31肖_^乍i.^-泛- 圖式標記說明: 102 : T型晶片承載座 104 : 無線電波頻率遮板 106 : 套環 108 : 接地電纜 110 : 電阻量測器 112 : 螺絲 114 ·· 接頭 116 : 晶圓 118 : 靶材 120 : 機台 5 丨線. 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 68782twf.doc/008 _____B7___ 五、發明說明(V ) 122 :電漿處理室 實施例 第1A至第1B圖所示,其繪示爲依照本發明一較佳實 施例之防止電漿處理製程過程中電弧發生的裝置示意圖。 請參照第1A圖,提供一電漿處理室122之一機台120, 而此機台120上包括一T型晶片承載座102以及一電阻量 測器110,而T型晶片承載座102例如爲靜電式晶片承載 座。 其中電阻量測器110之一端與T型晶片承載座102電 性連接,另一端與機台120之任何接地端電性連接,例如 在機台120之一套環106、一螺絲112、一接頭114以及一 無線電波頻率遮板104,其中無線電撥頻率遮板1〇4包圔 T型晶片承載座102,而螺絲112固定在T型晶片承載座102 之側壁,接頭114固定在螺絲112上,而套環106固定在 T型晶片承載座102之側壁且套住螺絲112與接頭114, 而電阻量測器110之一端連接至套環106,另一端連接至 無線電波頻率遮板104。 而通常靜電式T型晶片承載座102之淸理步驟,係藉 由一接地電纜108使T型晶片承載座102接地,例如將接 地電纜108連接到接頭114,使接地電纜108與T型晶片 承載座102電性連接而接地,以去除吸附在T型晶片承載 座102上之帶電粒子或微粒。 請參照第1B圖,移除接地電纜108,使機台120成電 中性之狀態,再將晶圓116移至T型晶片承載座102上, 6 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 ---!1丨丨 裝·丨I (請先閲讀背面之注意事項一^寫本頁) -5J_ .線. 4 6 4 9 5 5 68782twf.doc/008 A7 _______B7__ 五、發明說明() 之後’於晶圓116上進行電漿處理製程之步驟例如以靶材 118於晶圓116上進行物理氣相沈積之步驟。 在電漿處理製程過程中,機台120上之裝置可能有不 預期接地之現象使機台120呈非電中性,而導致電弧的產 生’例如套環106是非固定且可調整的,因此套環1〇6非 常容易接觸到無線電波頻率遮板104,而使於電漿處理製 程過程中因T型晶片承載座1〇2接地而產生電弧之現象。 因此’本發明在機台120上以電阻量測器110量測機 台120上一接地裝置與T型晶片承載座102之間電阻値, 例如量測無線電波頻率遮板104與套環106之間電阻値, 以在進行電漿處理製程之過程中同時線上監控機台120是 否呈電中性,即監控T型晶片承載座102是否有接地。當 電阻量測器110所量測到之電阻値小於一監控標準値時, 即表示T型晶片承載座1〇2可能有接地,而可能引起電弧 之現象,此時,立即有一警鈴系統發出警告訊息,以通知 操作人員。例如當電阻値小於150kD時,則警鈴發出警告 訊息。 本發明利用電阻量測器110,在電漿處理製程之過程 中同時監線上控機台120,即監控機台120上之T型晶片 承載座102是否有接地,以避免電弧現象之發生,導致在 晶圓116邊緣形成局部熔融之狀態而影響附近之元件。 本發明利用電阻量測器110以線上監控T型晶片承載 座102是否有接地,可避免於晶圓116之邊緣因電弧現象 產生局部熔融之狀態。 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) -------------裝--- (锖先閱讀背面之注意事4寫本頁) J'SJ· :h:拜 414955 6S782twf. doc/008 A7 B7 五、發明說明(【) 本實施例係以靜電式晶片承載座做爲詳細之描述,本 發明亦適用於其他種類之晶片承載座,例如真空晶片承載 座等。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本發明’任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精 神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 ·!丨! *裝i — 、,'J. f請先閱讀背面之注意事項寫本頁} 訂· _ β 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐)
Claims (1)
- 464955 A868C8D8 6S782twf*doc/008 六、申請專利範圍 ι·一種防止電漿處理製程過程中電弧發生的方法,其 適用於一電漿處理室中之一機台,其中該機台包括一 τ型 晶片承載座與一電阻量測器,該電阻量測器之一端與該丁 型晶片承載座電性連接,另一端與該機台之接地端電性連 接,此方法包括: 將一晶圓移至該T型晶片承載座上;以及 在該晶圓上進行電漿處理製程,並同時利用該電阻量 測器線上監控該機台之接地端與該T型晶片承載座之間之 電阻。 2. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中當該電阻量測器量測到小於一 監控標準値時,會有一警鈴系統發出警告訊息。 3. 如申請專利範圍第2項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中該監控標準値爲150kQ。 4. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中該機台之接地端包括一無線電 波頻率遮板。 5. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中該T型晶片承載座包括一靜電 式晶片承載座。 6. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中該機台包括一物理氣相沈積系 統。 7. —種防止電漿處理製程過程中電弧發生的方法,包 9 本紙張尺度"適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公β ^ ' 4-6 495 5 頜 C8 6S782twf.doc/008 六、申請專利範圍 括: 提供一機台,其中該機台包括: 一 τ型晶片承載座; 一無線電波頻率遮板,該無線電波頻率遮板包園該 Τ型晶片承載座,且該無線電波頻率遮板與該Τ型晶片承 載座不互相連通; 一螺絲,該螺絲固定在該Τ型晶片承載座之一側 壁; 一接頭,該接頭固定在該螺絲上; 一套環,該套環連接在該τ型晶片承載座之該側壁 且套住該螺絲與該接頭;以及 一電阻量測器,該電阻量測器之一端連接至該套 環,另一端連接至該無線電波頻率遮板; 將一晶圓以移至該τ型晶片承載座上;以及 在該晶圓上進行電漿處理製程,並同時利用該電阻量 測器線上監控該該套環與該無線電波頻率遮板之間之電 阻。 ' 8. 如申請專利範圍第7項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中當該電阻量測器量測到小於一 監控標準値時,會有一警鈴系統發出警告訊息。 9. 如申請專利範圍第8項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中該監控標準値爲150kQ。 10. 如申請專利範圍第7項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中該Τ型晶片承載座包括一靜電 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Α4規格(210 X 297公釐) -------------裝--- (請先閲讀背面之注意事項一一^窝本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 464955 68782twf.doc/008 六、申請專利範圍 式晶片承載座Q 11. 如申請專利範圍第7項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法,其中該機台包括一物理氣相沈積系 統。 12. —種電漿處理製程機台,包括: 一 T型晶片承載座; 一無線電波頻率遮板,該無線電波頻率遮板包圍該T 型晶片承載座’且該無線電波頻率遮板與該T型晶片承載 座不互相連通; —螺絲’該螺絲固定在該τ型晶片承載座之一側邊; 一接頭,該接頭固定在該螺絲上; 一套環’該套環連接在該T型晶片承載座之該側壁且 套住該螺絲與該接頭;以及 一電阻量測器,該電阻量測器之一端連接至該套環, 另一端連接至該無線電波頻率遮板。 13. 如申請專利範圍第12項所述之電漿處理製程機 台’其中該T型晶片承載座包括一靜電式晶片承載座。 14. 如申請專利範圍第12項所述之電漿處理製程機 台’其中該電阻量測器與一警鈴系統聯繫。 15. 如申請專利範圍第14項所述之電漿處理製程機 台,其中該電阻量測器量測到小於1501ίΩ時,該警鈴系統 將發出警告訊息。 16. —種電漿處理製程機台,包括: 一T型晶片承載座;以及 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------'.«裝— .广: (請先閱讀背面之注意事項再填«本頁) 訂: --線. 464955 68782twf.doc/008 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一電阻量測器,該電阻量測器之一端與該τ型晶片承 載座電性連接,另一端與該機台之接地端電性連接。 17. 如申請專利範圍第16項所述之電漿處理製程機 台,其中該機台之接地端包括一無線電波頻率遮板。 18. 如申請專利範圍第16項所述之電漿處理製程機 台,其中該Τ型晶片承載座包括一靜電式晶片承載座。 台 19. 如申請專利範圍第16項所述之電漿處理製程機 其中該電阻量測器與一警鈴系統職^ 台 閱 讀 背 項 20.如申請專利範圍第19項所述之電漿處理製程機 其中該電阻量測器量測到小於150kD時,該警鈴系統 將發出警告訊息 12 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW90100915A TW464955B (en) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | Method for preventing the generation of arc in the plasma treatment process |
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Publications (1)
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Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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