TW464955B - Method for preventing the generation of arc in the plasma treatment process - Google Patents

Description

464955 68782twf.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員X.消費合作fi印製 五、發明說明（I ) 本發明是有關於一種防止電弧發生的方法，且特別是 有關於一種防止電漿處理製程（Plasma Treatment Process)過 程中電弧發生的方法。_ . 電漿處理製程在半導體製程上的應用，包括應用於薄 膜沈積 '乾蝕刻、離子植入機之離子源等等。而所謂的電 漿係由原本中性的氣體分子被激發或解離成各種不同的帶 電荷離子、原子圑、分子及電子，當對電漿施以電壓的電 極板爲陰極時，帶正電的離子將被電漿與電極板間的電位 差所加速，而轟擊電極板的表面，這個現象即爲離子轟擊 (Ion Bombardment)。如果進行離子轟擊的離子質量夠重， 電極板表面的原子將.被入射的離子所擊出，即所謂濺擊 (Sputtering)之現象，可應用於薄膜之沈積。而如果是利 用電漿中所産生之離子對晶片表面之薄膜轟擊，即純粹以 動量轉移(Momentum Transfer)的物理現象進行之技術，爲 濺擊蝕刻之技術。而如果是利用將電漿中加速的離子撞擊 一個固體靶面之後，將大多數離子植進（Implant)固體靶 裡，即爲離子植入機之離子源。 習知電漿處理製程之機台，具有一 Τ型晶片承載座， 而在Τ型晶片承載座之兩側有無線電波頻率遮板（Radio Frequency Shield，RF Shield)，其中機台之T型晶片承載座 與無線電波頻率遮板不互相連通。通常定期靜電式晶片承 載座之淸理步驟是使用機台之一接地電纜(Ground Cable)將 T型晶片承載座接地(Ground)，以淸除T型晶片承載座上 之殘餘帶電粒子’其中此·接地電纜與T型晶片承載座接觸 請 先 閱 讀 意 事 項 I > 本 頁 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼） 464955 68782twf.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合阼法，f製 五、發明說明（V ) 的地方，被T型晶片承載座側壁之一套環(Ring)套住。在 淸理完之後，再將接地電纜拔除，使整個機台維持電中性， 之後，再將晶圓移至T型晶片承載座上，以進行電漿處理 製程之步驟。 然而，習知電漿處理製裎機台用以套住接地電纜之套 環並非固定，且是可調整的(Adjustable)，因此，此套環易 與無線電波頻率遮板接觸，使得T型晶片承載座接地而使 其呈非電中性之狀態，在電漿處理製程之過程中，非電中 性之狀態非常容易使電漿產生電弧現象（Arcing Phenomenon)，因此，晶圓之邊緣將因電弧現象而產生局部 熔融之狀態，較嚴重的甚至會將晶圓熔穿，如此會影響附 近區域之元件產生無法整合之問題。 因此本發明提出一種防止電漿處理製程過程中電弧發 生的方法，可於進行電漿處理製程時，同時線上監控此機 台’以監控T型晶片承載座是否有接地，以避免產生電弧 現象，而於晶圓邊緣形成局部熔融之狀態。 本發明提出一種防止電漿處理製程過程中電弧發生的 方法’此方法適用於一包含電漿處理室之一機台，其中此 機台包括一 T型晶片承載座與一電阻量測器，電阻量測器 之一端與T型晶片承載座電性連接，另一端與機台之接地 端電性連接。此方法係將一晶圓移至T型晶片承載座上， 然後於晶圓進行電漿處理製程，並且同時利用電阻量測器 線上監控機台，當電阻量測器量測到小於一監控標準値 時’會有一警鈴系統發出警告訊息。 請 先 閱 讀 背 事 項

裝 f 訂 d 線 讓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） Α7 ㈣ 〇C 8_Β7_ 五、發明說明（>]) 本發明利用一電阻量測器，於電漿處理製程之過程中 同時線上監控機台，以監控T型晶片承載座是否有接地， 以避免電弧現象之發生，_導致在晶片邊緣形成局部熔融之 狀態而影響附近之元件。 本發明利用電阻量測器以線上監控T型晶片承載座是 否有接地，可避免於晶圓之邊緣因電弧現象產生局部熔融 之狀態。 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂， 下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 下： 圖式簡單說明： 第1A至第1B圖所示，爲依照本發明一較佳實施例之 防止電漿處理製程過程中電弧發生的裝置示意圖。 ------- ----· I I (請先閱讀背面之注意事項r'4·寫本頁> . 經濟部智慧財轰笱員31肖_^乍i.^-泛- 圖式標記說明： 102 ： T型晶片承載座 104 : 無線電波頻率遮板 106 ： 套環 108 ： 接地電纜 110 ： 電阻量測器 112 : 螺絲 114 ·· 接頭 116 ： 晶圓 118 ： 靶材 120 ： 機台 5 丨線. 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 68782twf.doc/008 _____B7___ 五、發明說明（V ) 122 :電漿處理室 實施例 第1A至第1B圖所示，其繪示爲依照本發明一較佳實 施例之防止電漿處理製程過程中電弧發生的裝置示意圖。 請參照第1A圖，提供一電漿處理室122之一機台120， 而此機台120上包括一T型晶片承載座102以及一電阻量 測器110，而T型晶片承載座102例如爲靜電式晶片承載 座。 其中電阻量測器110之一端與T型晶片承載座102電 性連接，另一端與機台120之任何接地端電性連接，例如 在機台120之一套環106、一螺絲112、一接頭114以及一 無線電波頻率遮板104，其中無線電撥頻率遮板1〇4包圔 T型晶片承載座102,而螺絲112固定在T型晶片承載座102 之側壁，接頭114固定在螺絲112上，而套環106固定在 T型晶片承載座102之側壁且套住螺絲112與接頭114， 而電阻量測器110之一端連接至套環106，另一端連接至 無線電波頻率遮板104。 而通常靜電式T型晶片承載座102之淸理步驟，係藉 由一接地電纜108使T型晶片承載座102接地，例如將接 地電纜108連接到接頭114，使接地電纜108與T型晶片 承載座102電性連接而接地，以去除吸附在T型晶片承載 座102上之帶電粒子或微粒。 請參照第1B圖，移除接地電纜108，使機台120成電 中性之狀態，再將晶圓116移至T型晶片承載座102上， 6 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 ---!1丨丨 裝·丨I (請先閲讀背面之注意事項一^寫本頁) -5J_ .線. 4 6 4 9 5 5 68782twf.doc/008 A7 _______B7__ 五、發明說明（) 之後’於晶圓116上進行電漿處理製程之步驟例如以靶材 118於晶圓116上進行物理氣相沈積之步驟。 在電漿處理製程過程中，機台120上之裝置可能有不 預期接地之現象使機台120呈非電中性，而導致電弧的產 生’例如套環106是非固定且可調整的，因此套環1〇6非 常容易接觸到無線電波頻率遮板104,而使於電漿處理製 程過程中因T型晶片承載座1〇2接地而產生電弧之現象。 因此’本發明在機台120上以電阻量測器110量測機 台120上一接地裝置與T型晶片承載座102之間電阻値， 例如量測無線電波頻率遮板104與套環106之間電阻値， 以在進行電漿處理製程之過程中同時線上監控機台120是 否呈電中性，即監控T型晶片承載座102是否有接地。當 電阻量測器110所量測到之電阻値小於一監控標準値時， 即表示T型晶片承載座1〇2可能有接地，而可能引起電弧 之現象，此時，立即有一警鈴系統發出警告訊息，以通知 操作人員。例如當電阻値小於150kD時，則警鈴發出警告 訊息。 本發明利用電阻量測器110,在電漿處理製程之過程 中同時監線上控機台120，即監控機台120上之T型晶片 承載座102是否有接地，以避免電弧現象之發生，導致在 晶圓116邊緣形成局部熔融之狀態而影響附近之元件。 本發明利用電阻量測器110以線上監控T型晶片承載 座102是否有接地，可避免於晶圓116之邊緣因電弧現象 產生局部熔融之狀態。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) -------------裝--- (锖先閱讀背面之注意事4寫本頁) J'SJ· :h:拜 414955 6S782twf. doc/008 A7 B7 五、發明說明（【） 本實施例係以靜電式晶片承載座做爲詳細之描述，本 發明亦適用於其他種類之晶片承載座，例如真空晶片承載 座等。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 ·!丨！ *裝i — 、，'J. f請先閱讀背面之注意事項寫本頁} 訂· _ β 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）

Claims (1)

1. 464955 A868C8D8 6S782twf*doc/008 六、申請專利範圍 ι·一種防止電漿處理製程過程中電弧發生的方法，其 適用於一電漿處理室中之一機台，其中該機台包括一 τ型 晶片承載座與一電阻量測器，該電阻量測器之一端與該丁 型晶片承載座電性連接，另一端與該機台之接地端電性連 接，此方法包括： 將一晶圓移至該T型晶片承載座上；以及 在該晶圓上進行電漿處理製程，並同時利用該電阻量 測器線上監控該機台之接地端與該T型晶片承載座之間之 電阻。 2. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中當該電阻量測器量測到小於一 監控標準値時，會有一警鈴系統發出警告訊息。 3. 如申請專利範圍第2項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中該監控標準値爲150kQ。 4. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中該機台之接地端包括一無線電 波頻率遮板。 5. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中該T型晶片承載座包括一靜電 式晶片承載座。 6. 如申請專利範圍第1項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中該機台包括一物理氣相沈積系 統。 7. —種防止電漿處理製程過程中電弧發生的方法，包 9 本紙張尺度"適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公β ^ ' 4-6 495 5 頜 C8 6S782twf.doc/008 六、申請專利範圍 括： 提供一機台，其中該機台包括： 一 τ型晶片承載座； 一無線電波頻率遮板，該無線電波頻率遮板包園該 Τ型晶片承載座，且該無線電波頻率遮板與該Τ型晶片承 載座不互相連通； 一螺絲，該螺絲固定在該Τ型晶片承載座之一側 壁； 一接頭，該接頭固定在該螺絲上； 一套環，該套環連接在該τ型晶片承載座之該側壁 且套住該螺絲與該接頭；以及 一電阻量測器，該電阻量測器之一端連接至該套 環，另一端連接至該無線電波頻率遮板； 將一晶圓以移至該τ型晶片承載座上；以及 在該晶圓上進行電漿處理製程，並同時利用該電阻量 測器線上監控該該套環與該無線電波頻率遮板之間之電 阻。 ' 8. 如申請專利範圍第7項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中當該電阻量測器量測到小於一 監控標準値時，會有一警鈴系統發出警告訊息。 9. 如申請專利範圍第8項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中該監控標準値爲150kQ。 10. 如申請專利範圍第7項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中該Τ型晶片承載座包括一靜電 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Α4規格（210 X 297公釐） -------------裝--- (請先閲讀背面之注意事項一一^窝本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 464955 68782twf.doc/008 六、申請專利範圍 式晶片承載座Q 11. 如申請專利範圍第7項所述之防止電漿處理製程過 程中電弧發生的方法，其中該機台包括一物理氣相沈積系 統。 12. —種電漿處理製程機台，包括： 一 T型晶片承載座； 一無線電波頻率遮板，該無線電波頻率遮板包圍該T 型晶片承載座’且該無線電波頻率遮板與該T型晶片承載 座不互相連通； —螺絲’該螺絲固定在該τ型晶片承載座之一側邊； 一接頭，該接頭固定在該螺絲上； 一套環’該套環連接在該T型晶片承載座之該側壁且 套住該螺絲與該接頭；以及 一電阻量測器，該電阻量測器之一端連接至該套環， 另一端連接至該無線電波頻率遮板。 13. 如申請專利範圍第12項所述之電漿處理製程機 台’其中該T型晶片承載座包括一靜電式晶片承載座。 14. 如申請專利範圍第12項所述之電漿處理製程機 台’其中該電阻量測器與一警鈴系統聯繫。 15. 如申請專利範圍第14項所述之電漿處理製程機 台，其中該電阻量測器量測到小於1501ίΩ時，該警鈴系統 將發出警告訊息。 16. —種電漿處理製程機台，包括： 一T型晶片承載座；以及 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------'.«裝— .广： (請先閱讀背面之注意事項再填«本頁) 訂： --線. 464955 68782twf.doc/008 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一電阻量測器，該電阻量測器之一端與該τ型晶片承 載座電性連接，另一端與該機台之接地端電性連接。 17. 如申請專利範圍第16項所述之電漿處理製程機 台，其中該機台之接地端包括一無線電波頻率遮板。 18. 如申請專利範圍第16項所述之電漿處理製程機 台，其中該Τ型晶片承載座包括一靜電式晶片承載座。 台 19. 如申請專利範圍第16項所述之電漿處理製程機 其中該電阻量測器與一警鈴系統職^ 台 閱 讀 背 項 20.如申請專利範圍第19項所述之電漿處理製程機 其中該電阻量測器量測到小於150kD時，該警鈴系統 將發出警告訊息 12 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）