TW461961B - Pressure resisting temperature sensor - Google Patents

Description

461961 五、發明說明（l) 【發明領域】 本發明是有關於—種溫 種檢測腔型裝置内流體溫度 【發明背景】 近年來’在高科技產業 業均蓬勃發展，各項現代化 家電及事務機器等，不論功 的進步。以印表機為例’才 從撞針式 '黑白雷射進步到 —日千里。目前一般的家庭 機會不多’是以在選購印表 二者間的平衡，仍以彩色喷 裕，便另添購黑白雷射印表 的印表機市場可謂群雄割據 絞盡腦汁研發效能更佳，且 消費者的青睞，增加市場佔 算内使產品的效能提升，便 方向。 目前市面上的喷墨印表 式喷墨頭以將墨水散佈至紙 喷墨頭而言，其主要構件包 (nozzle ) ^加熱器的作用 使氣泡逐漸漲大而推擠墨水 出，落在紙張上形成墨點s 度感測器，且特別是有關於一 的感測器。 的帶動下，所有的電子相關產 f產品，如電腦、電腦周邊、 能或外觀，相較以往均有長足 =過幾年功夫，列印技術便已 心色噴墨及彩色雷射等，可謂 使用者’由於列印大量文件的 機時’為兼顧列印品質與價格 墨印表機為首選；若預算充 機以做為文件列印之用。目前 ’競爭十分激烈，各大廠無不 更具價格優勢的機種，以贏得 有率。因此，如何在有限的預 成為所有研發人員共同的努力 機，大多採用氣泡式或是壓電 張上完成列印工作。對氣泡式 括有加熱器、墨水及喷孔 在於加熱墨水以產生氣泡，並 ，遭擠壓的墨水則經由喷孔喷 在列印時，僅需控制墨水的濃

461961 五、發明說明（2) 度及落點，即可將眾多墨點組合成所需的文字或圖形。在 解析度方面’目前彩色喷墨印表機的入門機種，解析度約 為720x 720 dpi或1440x 720 dpi，解析度越高，表示墨 點越細緻，而墨點的細緻程度’則與墨點的表面張力 (Surface Tension)與墨水的黏稠度（viscosity )有 關。接著請參照第1圖，其繪示一種傳統墨水匣的喷墨頭 結構（請參考美國專利第6, 1 0 2, 5 3 0號）。就目前而言， 製作噴墨頭100時會先在半導體基底，例如是矽基底H0上 形成結構層1 20 ’而後再利用蝕刻技術對矽基底丨4〇進行非 等向性蝕刻，以形成歧管150及噴墨室130 ;逐步將加熱器 160、加熱器165及喷孔110等結構——形成後，喷墨頭1〇〇 即告完成。基本上，噴墨頭1 〇 〇上的喷孔11 〇會以陣列 (array )形式整齊排列’用以將墨水丨90噴出，由於在實 務上每一喷孔的幾何結構均相同，故圖式中僅代表性地纷 出數個喷孔並加以說明。以此圖為例，每一噴孔1丨〇係位 於喷墨室（chamber ) 130的上方，而每一喷墨室130均與 歧管（manifold)150連通’如此，墨水匣内的墨水19〇即可 藉由歧管150的導引充滿於每一喷墨室130中，以使墨水 可透過各喷孔110向外喷出。需要注意的是，每一喷孔 1 1 0周圍都配置有加熱器’例如加熱器1 6 0與加熱器1 6 5， 用以對該喷孔11 0所處的噴墨室1 3 0加熱；加熱器被加熱 後，便可使喷墨室1 30中的墨水溫度上升並形成氣泡，當 氣泡逐漸漲大後，即可迫使墨水自喷孔中喷出，以提供顯 像時所需的墨滴’下文中，將針對墨滴的形成情形加以說

^61961 五 '發明說明（3) — ~ 明。 請參照第2圖，其繪示第】圖之噴墨頭的剖面結構。如 圖所示，噴孔丨10旁設有加熱器160與加熱器165，兩加熱 器被加熱後便會分別形成圖式中的氣泡21〇與氣泡215，‘此 時若持續對加熱器加熱，兩氣泡便會以箭號p的方向外漲 大，並擠壓墨水使其自噴孔110喷出，如同圖式中所繪示 一般；因此，被擠出的墨水便會沿箭號F的方向喷出並落 在紙張上形成墨點。 簡單地說，若欲驅動某一特定喷孔使其噴出墨水，會 先致能該噴孔所相對應的加熱器，以使該噴孔所屬的噴墨 至内墨水溫度升高並產生氣泡將墨水噴出。換句話說，若 在加熱器被加熱前噴墨室内的墨水溫度早已偏高（例如在 此之4該噴孔即已多次噴墨）’此時若再度用相同的功率 對加熱器加熱，勢必將使墨水被過度加熱而降低其黏稠 性’因此列印之解析度變差；反之，若在加熱器被加熱前 喷墨室内的墨水溫度過低（例如在此之前該喷孔已許久未 喷墨）’此時若不增加饋入加熱器的功率便無法使墨水達 到預定的溫度，造成墨水無法正常噴出。故而在列印時勢 必需要將噴墨室内的墨水溫度準確地控制在預定的溫度範 圍内’才能保有完美的列印品質；因此要如何檢測墨水溫 度並有效地加以補償’便成為研發人員需要克服的難題。 在噴墨頭的墨水溫度檢測方面，於前案美國專利第5， 696，543號-"Recording head which detects temperature of an element chip and corrects for

461961 五、發明說明（4) variations in that detected temperature, and cartridge and apparatus having such a head,"中提到 利用一電阻器作為晶片（Chip)上的溫度檢測元件，並在晶 片外部作一調校的電阻以形成惠斯登電橋（Wheatstone br i dge)的檢測電路，此種作法不但檢測時麻煩，在成本 上更是昂貴’實在不適於作大量生產·<因此，提供一個實 際可行、成本較低’且具有較靈敏感測效果之溫度感測器 實為一刻不容緩之趨勢。 【發明目的及概述】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種壓阻式溫度 感測器，並配合環形加熱器來控制流體的溫度在一預先決 定的範圍’以達到提升列印品質的目的。 根據本發明的目的，提出一種壓阻式溫度感測器並簡 述如下： 壓阻式溫度感測器包括有感測片及壓阻元件，並設置 於喷墨頭處，用以感測噴墨頭内的墨水溫度。實作時，可 在喷墨頭四周設置加熱器以加熱矽基底，使喷墨頭内的墨 水溫度能保持在工作溫度的範圍内，並利用半導體材料在 喷墨頭處形成矩形的感測區域後，於感測區域各邊緣的中 心點設置壓阻元件（例如多晶矽），以承受因應力產生而 造成1阻元件形變進而產生電阻值變化的情形。當墨水溫 度上升時，感測區域所在的平面（即喷墨頭表面）會因為 受熱而隆起，故感測器亦隨之形變，使壓阻元件感受到強 大的應力而使其電阻值改變；若將各壓阻元件以電橋型態

第7頁 461901 五、發明說明（5) (例如惠斯登電橋）相互耗接，便能使各壓阻元件的電阻 值變化被轉換為電壓信號輸出，如此即可依據電壓信號的 大小得知墨水溫度的高低再者，製作壓阻元件時可於多 晶矽中，雜，例如摻雜硼離子或磷離子，以提高各壓阻元 件的度量因子，使感測信號能更強烈。當然壓阻元件的材 質並不以多晶矽為限，吾人亦可利用金屬來製作各壓阻元 件，此等金屬可選自於鋁、金、銅、鎢、鈦及鋁矽銅合 金氮化鎮、鼠化敛所構成族群中之任一者，亦可具備壓 阻元件之特性。 、 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【較佳實施例】 為能使列印品質不因墨水溫度的差異而有所影響，在 作法上，可將墨水的溫度保持在一預定的溫度範圍内，例 如介於溫度值T1至溫度值T2之間，如此便可確保每個墨滴 喷出的品質；因此，吾人可稱溫度值T1至溫度值72為適合 墨水喷出的工作溫度。在設計時，研發人員可依據墨水的 特性’預先設定工作溫度的範圍’工作溫度確定後，列印 時只要墨水的實際溫度低於溫度值T1時便可將加熱器開 啟’而在墨水溫度高於溫度值？2或介於溫度值T1與溫度值 T 2之間時讓加熱器關閉，即可使墨水溫度保持在預定的溫 度範圍内’以確保列印品質。

461961 五、發明說明（6) 那麼該如何維持墨水的溫度呢？本發明的作法是在嗔 墨頭四周圍繞一或多個溫度調整元件，例如是加熱器，用 來對墨水加熱，並利用設於歧管上方的溫度感測器來檢測 喷墨頭的溫度，如此，即可依據溫度感測器的感測結果來 決定是否需要將加熱器開啟，進而使墨水溫度能保持在工 作溫度之内；當然’若墨水溫度已保持在預定的溫度範圍 内’加熱器就不必開啟》接著請參照第3 A圖，其繪示一種 能實現上述說法的噴墨頭結構。此圖式係喷墨頭的上視 圖’吾人可將溫度感測器31設置於噴墨頭1〇〇的結構層12〇 上，位於歧管1 50之上方，以感測喷墨頭丨〇 〇内的墨水溫 度°需要注意的是，由於歧管丨50内充滿有墨水且結構層 1 2 0的厚度非常小，因此結構層1 2 〇的溫度與墨水溫度相當 接近；換句話說，雖然溫度感測器3 1並沒有與墨水直接接 觸，但亦可藉結構層1 2 〇的溫度間接得知墨水溫度，在實 作上並無困難。再者，當墨水溫度過低時，吾人即可將加 熱器3 1 0開啟，使能夠在瞬間將大電流餽入加熱器3〗〇以加 熱石夕基底140，使矽基底140的溫度立即竄升；矽基底140 被加熱後’也會使墨水的溫度即刻升高，當墨水溫度上升 至工作溫度後，即可將加熱器3 1 0關閉，使墨水溫度能穩 定在工作溫度之内《另一方面，若將第3A圖沿切線3B-3B 切下，所形成的剖面圖則如第3B圖所繪示；由於結構層 1 2 0的厚度非常薄，因此當墨水溫度上升時，溫度感測器 3 1所處的位置會因為受熱而向上隆起，使溫度感測器3 1產 生形變，故依據溫度感測器3 1的形變程度’即可推知噴墨

第9頁 461951 五、發明說明α) 頭内的墨水溫度，進而控制加熱器3 1 0的開啟時機。 在相同的發明精神之下，為求能更精準的控制喷墨時 的溫度以確保墨點品質，吾人可於歧管處分別設置溫度感 測器3 2與溫度感測器33，並設置與溫度感測器相對應的加 熱器320與加熱器33〇，如第3C圖所繪示；由於第3C圖係採 用與第3Α圖相同的喷墨頭架構，故而未將歧管及噴孔等結 構繪出以使圖式簡明易懂。在此等架構下，吾人可依攄溫 度感測Is 3 2測得的溫度來決定加熱器3 2 0開或關，也可利 用溫度感測器33測得的溫度來決定加熱器330開或關，換 句話說’也就是把整個歧管的墨水分成兩部分來個別控 制’使噴墨頭内的墨水溫度分佈能更均勻《再者，實務上 亦可設置溫度感測器34， 35， 36以分別控制加熱器340， 3 5 0，3 6 0的開啟時機，如第3 D圖所繪示，以使墨水溫度的 控制能更加精確。當然，在設計喷墨頭時，溫度感測器或 加熱器的個數並不以上述數目為限，研發人員當可依實際 需求來決定溫度感測器及加熱器的個數或排列方式，以期 在控溫效果與生產成本之間取得最佳的平衡。下文中，將 針對溫度感測器的架構及工作原理加以說明。 在參考文獻Smith, C.S.，-"Piezoresistive effect in germanium and silicon，1’ Phys_ Rev,，Vol. 94， pp. 42-49 (1954)中證實’石夕（Silicon)和錯（Germanium) 的壓阻效應（Piezoresistive effect)比金屬導線高出loo 倍’且國立台灣大學機械工程學研究所之戴慶良先生的博 士論文以標準積體電路製程技術製作微機電感測器之研

第10頁 461961 五、發明說明（8) 究，11 PP. 38〜48 ( 1 997 )中曾提到，若要壓阻元件能夠產 生較大的感測信號，除了壓阻元件本身要有高的度量因子 (Gauge factor)外，另一方面，就是必需將壓阻元件植入 (Implant)於感測區域能產生最大應力的地方，即矩形感 測區域四邊的中央邊緣處，以提升感測效果。因此，為能 將上述理論充分應用在噴墨頭的溫度感測上，本發明便利 用半導體材料，例如多晶矽，在喷墨頭處形成數個壓阻元 件構成一感測區域’以作為溫度感測之用；為提高壓阻元 件的度量因子，實作時亦可於壓阻元件中摻雜，例如摻雜 删離子或磷離子，使感測信號能更強烈。當然，壓阻元件 的材質並不以多晶矽為限，亦可利用金屬材料製作壓阻元 件’在材質的選擇上可選自於銘、金、鋼、鱗、鈦及銘石夕 銅合金、氮化鎢、氮化鈦所構成族群中之任一者。接著請 參照第4圖，其繪示依照本發明一較佳實施例所提供的壓 阻式溫度感測器示意圖。壓阻式溫度感測器4 〇 〇之感測區 域410的幾何形狀可以是如圖式般的矩形形狀，並於感測 區域410的邊緣配置壓阻元件41，42，43, 44，以作為溫 度感測之用。需要注意的是，感測區域41 〇在一均佈的壓 力下’其最大的變形發生在感測區域41 〇的中心點處，意 即感測區域41 0的中央會向上隆起，因此在墨水溫度上升 後’壓阻元件4 1，4 2，4 3，4 4均會產生向上位移情形之輪 廓（Profile)，如第5圖所繪示，使各壓阻元件的電阻值 改變；且由於感測區域4 1 0形變後最大應力集中在各邊緣 的中心點處，是以各壓阻元件41， 42，43，44所感受到的

第11頁 4 6 1961 五、發明說明（9) ------ 應力最為強大，感測效果也最好。 β在實際應用上’為能將壓阻元件41，42，43，44的變 動量檢出’吾人可利用電阻作為各壓阻元#，並將各壓阻 凡件以一電橋型態’例如惠斯登電橋（Wheatstone br i dge )型態相互耦接，使各壓阻元件的電阻值變化能被 轉換^電壓2號輪出，⑹此即可依據電壓信號的大小得知 墨水溫度的高低。接著請參照第6圖，其繪示惠斯登電橋 的等效電路，E為輪入電壓，v為輸出電壓。第6圖中各電 阻Rl，R2，R3’ R4係分別與第4圖中的各壓阻元件41， 42, 43’ 44等效’也就是電阻R1與壓阻元件41等效電阻與 壓阻元件42等效’電阻R3與壓阻元件43等效，電阻R4與壓 阻元件44等效。在設計時，假設各電阻之電阻值均相同 (即R1=R2 = R3 = R4 = R )且當感測區域41〇受到一向上彎矩時 各電阻的電阻值都產生AR的變化量，則由於電阻r 1及電' 阻R3的方向與感測區域410的邊緣垂直，故其電阻值是辦 加AR ;反之，由於電阻R2及電阻R4的方向與感測區^/1〇 的邊緣平行’故其電阻值是減少△!?，因此輪出電壓值之 改變量Δν可記為：( AR/R ) E。 由此可知，墨水溫度改變可使感測區域41 〇產生形變，1 成壓阻元件41，42， 43，44的電阻值in，r2，R3 R4 ^ 化’而電阻值Rl，R2，R3， R4的變化可得到輪出電壓v的 改變，故可利用輸出電壓值之改變量△ V得知黑水、^度. 高低，並無技術上的困難。 土 狐 ' 由上文敘述可卜本發明的精神’是利用溫度的變化

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五、發明說明（ίο) 使感測區域產生形變，感測區域形變後壓阻亓杜从^ 几什的電阻值 亦隨之改變，故可將此變動量檢出，以得知溫度的變化。 需要注意的是’雖上文係以噴墨頭的溫度感測器為例說。 明，然本發明之適用領域應不以喷墨頭為限，亦可適用於 他種内含流體的腔型裝置中’只要任一腔型裝置内的流體 溫度變化能造成感測區域的形變即符合本發明的適用= 件’而不脫離本發明之精神。當然，感測區域及壓阻^件 的製作方法也不限於半導體製程，不論製作方法為何，口、 要能實現符合上述發明精神的感測區域及壓阻元件即可^ 到壓阻式溫度感測器之設計需求’但以現今的技術而古， 利用半導體製程的作法確為兼顧成本低廉與便利有效的 佳選擇。 【發明效果】 本發明所提供之壓阻式溫度感測器，至少具有以下優 1. 製程係完全利用標準積體電路電路製程所製作完 成，無須另外加上其他額外的製程步驟，具備有可大量生 產之能力，且所製作出之感測器的精確度及良率皆有一定 之水準。 2. 利用原先就需之後製程（p〇s卜pr〇cessing)蝕穿矽 基材以製作出歧管的步驟，事前先在歧管上方完成其壓阻 式溫度感測元件薄膜，故可在不增加成本的情況下即可製 成此一感測器。 3. 利用此溫度感測器配合加熱器來做整個喷墨環境溫

第13頁 d6196t 五、發明說明（11) 度的控制，可控制溫度在一預先決定的範圍？，以達成列 印品質良好的效果。 綜上所述’雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， 然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離 本發明之精神和範圍内’當可作各種之更動與潤飾，因此 本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 準。 ”

第14頁 461961 圖式簡單說明 【圖式之簡早說明】 第1圖繪示前案墨水匣的噴墨頭結構。 第2圖繪示乃第1圖中喷墨頭的剖面結構。 第3A圖繪示依照本發明之一較佳實施例所提供的喷墨 頭結構。 第3B圖繪示乃第3A圖中喷墨頭的剖面結構。 第3C圖繪示具有兩個溫度感測器及兩個加熱器的喷墨 頭示意圖。 第3D圖繪示具有三個溫度感測器及三個加熱器的噴墨 頭示意圖。 第4圖繪示乃較佳實施例中的壓阻式溫度感測器示意 圖。 第5圖繪示乃第4圖中壓阻式溫度感測器之壓阻元件產 生向上位移之輪廓。 第6圖繪示乃第4圖中壓阻式溫度感測器的惠斯登電橋 等效電路。 【圖式標號說明】 100 噴墨頭 110 喷孔 120 結構層 130 噴墨室 140 石夕基底 150 歧管 160 ，165 :加熱器

第15頁 461961 圖式簡單說明 1 9 0 :墨水 2 1 0，2 1 5 :氣泡 31，3 2 ’ 3 3，3 4，3 5，3 6 :溫度感測器 310 ， 320 ， 330 ， 340 ， 350 ， 360 :加熱器 4 0 0 :壓阻式溫度感測器 4 1 0 :感測區域 41，42，43，44 :壓阻元件 Rl ， R2 ， R3 ， R4 :電阻 F，P :箭號 E :輸入電壓 V :輸出電壓

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Claims (1)

1. 461961 六、申請專利範圍 1. 一種壓阻式溫度感測器，配置於内含一流體的腔型 裝置處，用以感測該腔型裝置内的流體溫度，該壓阻式溫 度感測器包括： 一感測區域，係位於該腔型裝置處；以及 一壓阻元件，配置於該感測區域處； 其中，該感測區域的幾何形狀係追隨該流體之溫度變 化而改變，藉以使得該壓阻元件之電阻值產生變化以感測 該流體之溫度。 2. 如申請專利範圍第1項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該感測區域係為矩形形狀。 3. 如申請專利範圍第1項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該壓阻元件係設置於該感測區域的邊緣。 4. 如申請專利範圍第1項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該腔型裝置係噴墨頭。 5. 如申請專利範圍第1項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該流體係墨水。 6. 如申請專利範圍第1項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該感測區域係利用半導體製程形成於該腔型裝置處。 7. 如申請專利範圍第1項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該壓阻元件係利用半導體製程形成於該感測區域。 8. 如申請專利範圍第7項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該壓阻元件之材質係一多晶矽。 9. 如申請專利範圍第8項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該多晶矽内摻雜有硼離子。

   第17頁 六、申請專利範圍 10. 如申請專利範圍第8項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該多晶矽内摻雜有磷離子。 11. 如申請專利範圍第1項所述之壓阻式溫度感測器， 其中該壓阻元件之材質係一金屬。 1 2.如申請專利範圍第1丨項所述之壓感測 器，其中該金屬之材質係選自於銘、金 '鋼大；；度感欽、氣 化鎢、氮化鈦及鋁矽銅合金所構成族群令之任一者。 13. —種壓阻式溫度感測器，配置於内含一流體的腔 型裝置處，用以感測該腔型裝置内的流體溫度，該壓阻式 溫度感測器包括： 一感測區域，配置於該腔型裝置處；以及 複數個壓阻元件，配置於該感測區域之邊緣且以一電 橋型態相互耦接； 其中，該感測區域的幾何形狀係追隨該流體之溫度變 化而改變，藉以使得該些壓阻元件之電阻值產生變化以感 測該流體之溫度。 1 4.如申請專利範圍第丨3項所述之壓阻式溫度感測 器’其中該電橋型態係惠斯登電橋型態。 1 5.如申請專利範圍第丨4項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該惠斯登電橋型態係以四個壓阻元件相互耦接而 成。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之壓阻式溫度感測 器，其十該些壓阻元件的電阻值均相同。 1 7 ‘如申請專利範圍第1 5項所述之壓阻式溫度感測

   第18寅 461961 六、申請專利範圍 器，其中該些壓阻元件係分別設置於該感測區域各邊緣的 中心點處。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該些壓阻元件係分別設置於該感測區域各邊緣的 中心點處。 1 9.如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該些壓阻元件的電阻值均相同。 2 0.如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該感測區域係為矩形形狀。 21.如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該些壓阻元件之電阻值改變時該壓阻式溫度感測 器之輸出電壓亦隨之改變。 2 2.如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該腔型裝置係噴墨頭。 2 3.如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該流體係墨水。 2 4.如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該感測區域係利用半導體製程形成於該腔型裝置 處。 2 5.如申請專利範圍第1 3項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該些壓阻元件係利用半導體製程形成於該感測區 域處。 2 6.如申請專利範圍第2 5項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該些壓阻元件之材質係一多晶矽。

   第19頁 461961 六、申請專利範圍 器 器 盆士如；申a請專利範冑第2 6項所述之壓阻式溫度感測 ，、中遠多晶矽内摻雜有硼離子。 28.如申請專利範^第⑼項所述之壓阻式溫度感測 其中該多晶矽内摻雜有磷離子。 29·如申請專利範圍第13項所述之壓 器，其中該些壓阻元件之材質係一金屬。 阻式溫度感測 氮 30. 如f請專利範圍第29項所述之壓阻式溫度感測 器，其中該金屬之材質係選自於鋁、金、銅、鎢鈦 化鶴、氮化欽及鋁矽銅合金所構成族群中之任一者。 31. —種流體噴射裝置，包括： 一歧管’該歧管係由一半導體基底蝕刻而成且充填有 一流體；以及 一溫度調整元件，用以加熱該半導體基底以令該流體 的溫度上升U 32 _如申請專利範圍第3丨項所述之流體喷射裝置，其 中該半導體基底為矽基底。 33.如申請專利範圍第31項所述之流體喷射裝置，其 中該流體噴射裝置係喷墨頭。 34·如申請專利範圍第31項所述之流體喷射裝置，其 中該流體係墨水。 3 5.如申請專利範圍第3 1項所述之流體噴射裝置，其 中該溫度調整元件係加熱器。 36.如申請專利範圍第31項所述之流體喷射裝置，其 中該溫度調整元件係圍繞於該歧管之四周邊緣。

   第20頁 461961 六、申請專利範圍 3 7 ·如申請專利範圍第3 1項所述之流體喷射裝置，其 中該溫度調整元件係圍繞於該半導體基底之四周邊緣。

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