TW455765B - Electronic memory and electronic device provided with such a memory - Google Patents

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TW455765B
TW455765B TW089102542A TW89102542A TW455765B TW 455765 B TW455765 B TW 455765B TW 089102542 A TW089102542 A TW 089102542A TW 89102542 A TW89102542 A TW 89102542A TW 455765 B TW455765 B TW 455765B
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TW
Taiwan
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protection
sequence
memory
access
electronic
Prior art date
Application number
TW089102542A
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English (en)
Inventor
Vincent Fuentes
Original Assignee
Em Microelectronic Marin Sa
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/24—Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/20—Address safety or protection circuits, i.e. arrangements for preventing unauthorized or accidental access

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  • Computer Security & Cryptography (AREA)
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Description

455765 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（） 本發明是有關於一種電子記憶體及有設置這種記憶體 之電子裝置。尤其是，本發明是有關於保護電子記憶體中 所含之資料及控制這種資料之存取或控制寫入記憶體中之 可能性。 一般而言，如有必要的話，形成記憶體之記憶體區塊 或位元序列是爲一保護或存取位元所保護的。假設可以實 際行動改變其狀態，尤其是藉增加溫度、紫外線輻射或產 生相同結果之其它行動，由這些保護位元所提供之保護位 階是相當平均的。注意到的是爲了提高保護，進而存取記 憶體資料，不管是讀取他們，或將其它資料寫入記憶體。 這些實際之行動可是謹慎的。然而，應注意到的是記憶體 也可能以在圍繞記憶體狀況下，尤其是關於溫度之增加， 之非預期變化受到這種上述之實際行動。 本發明之一項目的在提供一種裝設具較高階安全保護 裝置之記憶體。尤其是，本發明之目的在克服由於對記憶 體之實際行動所減小的保護。 因此本發明與一種包含至少一區塊之電子記憶體有關 ，這區塊是與控制存取該區塊內所含資料之保護裝置有關 ，這記憶體之特徵爲該保護裝置包含一至少具兩立元之保 護序列及一決定單元，其中，當該序列位元之邏輯狀態相 同時，決定單元則關閉對該區塊之存取。 由於這些特性之結果，對記憶體之任何實際行動且更 尤其是對保護序列之實際行動產生一區塊，存取記憶體中 之保護資料。實際行動之結果通常爲設定受到這種行動之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - - - - - -- - - - - - - μ»λ· - - II (免先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ訂--------線 J. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4557 6 5 Α7 __ Β7 五、發明說明€ ) 所有位元爲相同邏輯狀態。即w 〇 〃邏輯狀態或'' 1 "邏 輯狀態。 此後參考利用非限制性例子所指定之第1圖與第2圖 ，將更加詳細對本發明加以說明，且其中’ 弟1圖表不包含如本發明電子記億體之電子裝置之槪 要圖；以及 第2圖敘述各記憶體區塊之保護序列的可能狀態及可 能的存取型式。 主要元件對照表 2 電子記憶體 4 邏輯電路 第1圖表示一包含電子記憶體2之電子裝置及一特別 包含定址與控制邏輯電路4，加以控制存取記憶體2各種 部份之電子電路。邏輯電路4連接至資料之輸入/輸出介 面’這資料是用來加以讀取或輸入一部份之記憶體2內。 尤其是記憶體區塊MN內。輸入/輸出介面連接至周邊電 子電路與裝置。而且，由時脈C K加以提供時脈。 電子記憶體2由許多記憶體區塊Μ 1、Μ 2、...... 、ΜΝ組成。各記憶體區塊分別連帶一決定單元di、 D2、......01\[»這多數記憶體區塊1^1、1\/12、·..· • ·、Μ N分別連帶許多保護序列P 1、P 2、......、 Ρ Ν。將注意到的是，連帶一決定單元與一保護序列之各 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-5- --------------^wi裝 *------—訂--------線，Θ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 455765 A7 B7 五、發明說明p ) 記憶體區塊代表全爲槪要且只是以圖例加以敘述而已。只 要不偏離本發明之範圍，皆可提提供爲那些熟於這技術者 所知以及保證存取記憶體區域，作爲植寫相關保護序列中 之碼之功能的任何佈置。尤其是，決定單元D 1至D N以 一種形式在定址與控制電路4中形成單一相同之積體電路 〇 根據本發明，如第2圖中之序列P N所示，各保護序 列P 1至PN包含至少兩位元。而且，根據本發明，允許 存取相應記憶體區塊Μ N之保護序列碼包含不同邏輯狀態 。因此，爲了授權讀取及/或寫入記憶體區塊，保護碼由 一爲^ 1 〃邏輯狀態之第一位元及一爲* 〇 〃邏輯狀態之 第二位元形成。爲了授權唯讀，保護碼之第一位元爲'、〇 "邏輯狀態，但是第二位元爲'' 1 〃邏輯狀態。剩下之兩 碼，即保護序列之第一與第二位元之邏輯狀態爲'^ 1 〃或 ν 0 〃之兩種情況則不授權對記憶體區塊Μ Ν之任何存取 〇 根據特殊實施例，保護序列Ρ 1至Ρ Ν是可程式化的 。因此，一被授權之使用者或電子記憶體之製造商可分開 將各記憶體區塊程式規劃爲唯讀存居或讀/寫存取。爲了 完成這個，以電氣方式將電子記憶體連接至一電子程式化 電路，這電路可形成設置如本發明電子記憶體之部份電子 裝置。保護序列Ρ 1至Ρ Ν之程式規劃尤其受到輸入一存 取碼之保護。 當這碼由一位元序列形成時，如本發明，最好是當存 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - ------I-----J 裝 ,- -/·.-(請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) ---Γ 訂---；-----線 Π-. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4557 6 5 A7 ______Β7______ 五、發明說明$ ) 取碼之邏輯狀態相同時禁止任何保護序列之存取。因此’ 本發明適用於定義可程式化記憶體區塊’加以防範實際行 動之較局階保護序列。 c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 -----l·訂. ------線 σ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 455765 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種包含至少一區塊之電子記憶體’該區塊與控 制存取該區塊內所含資料之保護裝置有關^其中’該保護 裝置包含一至少具兩位元保護序列及一決定單元’其中， 當該序.列位元之邏輯狀態相同時’決定單元則關閉對該區 塊之存取。 2 .如申請專利範圍第1項之電子記憶體，其中，該 保護序列可被加以程式規劃爲唯讀存取或讀/寫存取° 3 .如申請專利範圍第1項之電子記憶體，其中，該 保護序列是可程式化的。 4.設置一電子電路以及一如申請專利範圍第1項電 子記億體之電子裝置。 5 .如申請專利範圍第4項之電子裝置，其中.，該電 子記憶體包含許多分別與許多保護序列有連帶關係之區塊 0 ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 .如申請專利範圍第5項之電子裝置，其中，該多 數保護序列中之至少一部份保護序列是可程式化的，將該 電子電路佈置成允許一被授櫂之使用者或製造商可規劃這 可程式化保護序列，這作業由特定之保護裝置加以保護。 7 .如申請專利範圍第6項之電子裝置，其中，該特 定保護裝置亦由一定義保護序列存取碼之位元序列加以形 成，當該存取碼之邏輯狀態相同時則禁止對該保護序列之 任何存取。 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS > A4規格（210 X 297公釐） -8 -
TW089102542A 1999-02-26 2000-02-15 Electronic memory and electronic device provided with such a memory TW455765B (en)

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