TW452662B - Method of making an improved multimode optical fiber and fiber made by method - Google Patents

Description

452 66 2 Α7 Β7 五、發明說明（彳) 發明領域 本發明有關多模氧化矽基光纖之製造方法及其製造之 光纖。 發明背景 多模（Μ Μ )氧化矽基光纖係熟知的，簡言之，此光 纖具有芯線，該芯線藉包層予以接觸地包圍著，該芯線具 有比包層之折射率更大的有效折射率，該芯線半徑以及芯 線及包層材料之折射率係選擇使得光纖支撑兩個或更多個 (典型地成百或更多個）導模於例如0 . 8 5或1 . 3微 米之操作波長處。習知地，導模係指定爲L Ρ ν ,，其中方 位角模數ν係大於或等於零之整數，而徑向模數μ則係等 於或大於1之整數，L P n i係基模，而所有其他模則爲更 高次模，藉所給定之Μ Μ光纖所支撑之導模總數N約等於 ν 2 / 2，其中ν係該光纖之常態化頻率參數（ν ® )。 熟知地，具有適當陡度芯線折射率之ΜΜ光纖可實質 地具有比具有步階折射率輪廓之類似Μ Μ光纖更大的帶寬 ，特別地，習知之芯線折射率輪廓係表示爲： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I 線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中r係徑向坐標，r s爲芯線半·徑’ η ^ μ係毗鄰於該芯 線之包層的折射率，△爲芯線中心與包層間之常態化折射 差異（具有不要之分度傾角的修正），以及α爲自由參數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） -4- 4 52 6 5 2 Α7 Β7 五、發明說明（2 ) 。對於α = 2 ’該輪廓稱爲拋物線輪廓，尤其，^及△之 k適選擇會相依於製成該μ μ光纖之光學主動部分及在所 打算應上之材料的性質。經常地，α約爲2。 已致力於發展可產生高帶寬以常態化多模光纖中高次 模之過渡時間的光纖折射率輪廓及補償中心傾角，例如參 Ν Κ. Okamoto 等人之 IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques (微波理論及技術），第μ I T — 2 5冊，第3 或（1 9 7 7年3月），第2 1 3頁，以及M. G e s h i 1. 〇等 人之 IEEE Tians. Microwave Theory and Techniques，第 Μ I T — 2 6 ( 2 )冊，i 9 7 8 年，第 i i 5 頁。 在早期之光纖發展許多屬於耦合於Μ Μ光纖中之模及 /或增加此模耦合之方法的專利，例如美國專利第 3 9 0 9 1 1 0號揭示具有故意變動芯線折射率之步階折 射率Μ Μ光纖波導；美國專利第3 9 1 2 4 7 8號揭示當 正抽出光纖時利用相對著該光纖所指向之氣體流來導入幾 何形狀之變化於該光纖內；美國專利第3 9 6 9 0 1 6號 揭示利用選擇性變形之包跡外套的模耦合法；美國專利第 3 9 8 0 4 5 9號揭示在芯線材料之沈積期間插入玻璃棒 於預成型內而產生具有縱向，偏心，折射率不均勻性的光 纖：美國專利第3 9 8 2 9 1 6號揭示預成型製造方法’ 其有關非對稱性加熱以周邊性地產生摻雜及未摻雜玻璃之 交互沈積，所產生之光纖具有縱向’偏心’方位角分度之 不均勻性。 美國專利第4 0 1 7 2 8 8號揭示一種具有縱问變化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I . ;線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 452662 -------Β7_ 五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於折射率中之光纖的製造技術；美國專利第 4 0 2 8 0 8 1號揭示一種鬆弛地受限於保護覆套中之螺 旋形光纖；美國專利揭示一種具有降低之模態色散之Μ Μ 光纖，其中該模態色散爲利用一或多個調變之熱源所達成 之增強的模耦合之結果；美國專利第4 0 4 9 4 1 3號揭 示一種具有直徑變化於芯線中但具有均勻總直徑之光纖的 製造方法，該方法涉及溝槽在預成型中之蝕刻；美國專利 第4 〇 9 3 3 4 3號揭示具有縱向變化波動於光纖中之故 意感應之模間耦合的光纖；美國專利第4 1 7 6 9 1 1號 揭示---種具有緊隨在恆定折射率區後藉折射率陡降之陡度 折射率輪廓區之Μ Μ光纖，在預定間隔處修正該光纖具有 習知之陡度折射率輪廓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 9 9年6月7曰由S. E. Golowich等人所申請之共 同讓渡之美國專利申請案序號0 9 / 3 2 6 9 6 0之w具 有改良之折射率輪廓的多模光纖及含有該多模光纖的裝置 〃，揭示具有至少藉下列諸點之一而相異於習知α型輪廓 之折射率輪廓的Μ Μ光纖：（i )結合線性修正之形成在 芯線/包層邊界之折射率輪廓中之步階；（i丨）結合線 性修正之具有或不具有折射率步階之接近芯線/包層邊界 的波動；以及（i i 1 )形成在具有中心傾角之折射率輪 廓中之環狀背脊。 因此，習知技術熟知有可以產生具有有效之模耦合及 具有相當高之帶寬的Μ Μ光纖之技術。然而’仍需要具有 用於有效地增加最大帶寬及用於增加平均帶寬之光纖良率 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -6 - 么5266 2 Λ7 B7 五、發明說明（4 ) 之可製造及可易於結合於目前所使用之光纖製造過程內的 技術，該申請案揭示了此等技術。所有在此處所引證之參 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 考案將結合於本文中供參考。 從Μ Μ光纖之原理可理解的是，若存在著可完全地混 合該等模於所給定之模群內且亦可完全地混合該等模群時 ，則可實現高的帶寬而無需費心於芯線折射率之陡度，例 如參閱R. Olshansky之，應用光學"，第1 4 ( 4 )册， 1 9 7 5年4月號，第9 3 5頁，各模群之所有模具有相 同的傳播常數点而不同模群則具有不同的傳播常數。 上述理論性預測已確認其中高的帶寬（例如大約5 G Η z · k m )已在具有非最適化梯度之芯線折射率之光 纖上測量出之塑膠Μ Μ光纖中。_將理解的是，塑膠光纖具 有嚴重的模混合；相反地，氧化矽氧Μ Μ光纖之測量會顯 示出習知之氧化矽基光纖發生相當少的模混合於模群之內 或在模群之間。 詞彙及定義 經濟部智慧財產局員工消费合作社印sri 在本文中’ *旋向性〃及諸如w旋向式結構係以傳統 之觀念而分別地使用爲 ''螺旋性〃及"螺旋結構〃。 本文中之 '' 預成型〃可稱爲在崩解前之預成型管以及 在崩解後之成形或未成形之預成型棒，其意義將理解自本 本紙張尺度適W中國國家標畢（CNS)A.l規格（210 X 297公f〉 52 6 6 2 Λ7 ____B7____ 五、發明說明（5 ) 發明槪述 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 廣言之，本發明係以一種具有典型地大於1 〇 〇 Μ H z . k m之高帶寬氧化矽基Μ Μ (多模）光纖的製造 方法而具體化。 更特定地，本發明係以一種具有芯線及包層之氧化矽 基Μ Μ光纖的製造方法而具體化，其中該包層接觸地包圍 該芯線而該芯線具有徑向變化之折射率，該方法包含：提 供氧化矽基光纖預成型；以及從該預成型抽出該光纖。主 要地，至少一部分之預成型具有非圓形橫剖面；以及該抽 出步驟包含從該預成型抽出光纖使得所抽引之光纖具有旋 向結構。典型地與該旋向結構相結合的係重複之長度及週 期，典型地該重複長度爲1 0公分或更小且典型地沿著該 光纖長度而變化。 經濟部智慧財產局Ηκ;1_消费合作社卬製 在較佳實施例中，具有非圓形芯線之非圓形預成型棒 係藉崩解該管狀預成型來形成而維持降低之壓力於該管中 。在另一實施例中，非圓形芯線係藉選擇性地去除坡璃自 預成型棒之外部（例如藉硏磨或藉電漿蝕刻），接著藉相 當高溫之光纖抽出法，使得所產生之光纖具有實質圓形橫 截面1但具有非圓形芯線。 在任一例中，旋向式結構係在抽引期間引入於光纖之 內，大致地藉相對於該預成型之光嫌的扭轉或藉相對於該 光纖之預成型的扭轉。在較佳實施例中，該光纖可相對於 預成型而交互地順時鐘及逆時鐘地扭轉，實質地如美國專 利第5 2 9 8 0 4 7號中所揭示者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格X 297公釐） -8 - 經濟部智慧財產局ΜΪ工消费合作社印盟 4 5266 ： * Α7 Β7 五、發明說明（6 ) 較佳地，與在光纖抽引期間所引入Z旋Μ性相結合之 非圓形芯線的存在會典型地產生有效的模耦合及光纖的高 帶寬以及帶寬之靈敏性於折射率輪廓細部之降低。在本發 明進一步典型的實施例中，折射率輪廓相異於習知之拋物 線或接近拋物線者，且係選擇使得在與非圓形芯線及所給 予之旋向性相結合之中增加模混合及高帶寬。典型地，該 折射率輪廓係如上述所參考之第0 9 / 3 2 6 9 6 0號之 美國專利申請案中所揭示。在帶寬中之增加可利用超充塡 之模起動或以限制之模起動，或兩者皆用地予以實現。 本發明亦可實施於包含具有非圓形橫截面及旋向性之 氧化矽基Μ Μ光纖的產品而足以造成模耦合於所給定模群 之模態間及Μ Μ光纖之模群間，使該Μ Μ光纖具有大的帶 寬°代表性地’該產品係光纖通信系統，例如光纖局部區 域網路（L A Ν )。 圖式簡單說明 第1圖槪略地描繪典型的拋物線折射率輪廓； 第2圖槪略地顯示指示徑向，方位角及縱向坐標之一 部分Μ Μ預成型（或Μ Μ光纖）； 第3圖槪略地顯示具有非圓形芯線及包層之典型的 Μ Μ預成型（或Μ Μ光纖）； 第4 Α圖槪略地顯示典型成型之Μ Μ預成型：以及第 4 Β圖槪略地顯示在相當高溫度抽出自該成型之預成型的 Μ Μ光纖； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .. -線 木紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- 4 52 6 6 A7 _—__B7_____ 五、發明說明（7 ) 第5圖槪略描繪包含根據本發明μ Μ光纖之典型的光 纖通信系統； (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 第6至9圖顯示脈波振幅爲時間之函數，以用於不同 之偏移，用於在不同條件下所製造之多~模光纖，具有及不 具有真空崩解，以及具有及不具有扭轉； 第1 Q至1 3圖顯示脈波中心差動模態色散及脈波寬 度爲橫向偏移之函數，以分別地用於第6至9圖之多模光 纖；以及 第1 4圖槪略地描繪根據本發明光纖之進一步典型的 實施例。 描繪物體之圖並未打算定尺寸或成比例。 .主要元件對照表 11 芯線折射率n ( r ) 12 包層折射率n u w 13 芯線/包層介面 2 1 芯線 經濟部智蛙財產局員工消费合作社印裂 2 2 包層 2 3 徑向坐標 2 4 方位角坐標 2 5 縱向坐標 3 1 芯線材料 3 2 包層材料 4 1 II形對稱芯線 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.l規格（2】0 X 297公釐） 4 52 66 A7 B7 五、發明說明（8 4 2 0 圓形對稱包層 光纖通信系統 發射器 接收器 Μ Μ光纖 11-12 1 在脈波中心差 動模式色散上之相對應資料 1 0 2，1 1 2，1 2 14 0 包層 脈波寬度 (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 1 14 2 4 11 4 12 芯線之周邊 14 4 等折射率線

λ F〇Μ MM 非圓形芯線 圓形包層 折射率 徑向坐標 操作波長 優質圖 多模 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 發明詳細說明 第1圖顯示具有α型芯線折射率之典型的MM光纖折 射率輪廓。在第1圖中，η爲折射率，r爲徑向坐標， 1 1爲芯線折射率n ( r ) ，1 2爲包層折射率η ω .w，以 及1 3爲芯線/包層介面u典型地，氧化矽基光纖係藉聚 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS)A4规格（2〗0 X 297公釐） -11 - ^•52 6 6 Λ7 07 五、發明說明（9 ) 合物包層予以接觸性地包層，此一包層並未在此申請案扮 演角色，且將不進一步地解說。 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將理解的是，習知Μ Μ透射性光纖具有本質上無關於 方位角及縱向光纖坐標之結構而以偏離自方位角及/或，縱 向恆量爲所不企望之製造缺陷。然而，具有縱向變化結Μ 之光纖係熟知而顯示方位角變化之光纖亦係熟知的，前者 例如美國專利第5 2 9 8 0 4 7號，其揭示引入永久之自 旋於光纖內以用於降低偏光模式色散：後者假如偏光維持 之光纖，例如參閱D. N. Payne等人之IEEE Journal of Quantum E丨ectrοnics ( I E E E 量子電子期刊），第 Q E _ 1 8 ( 4 )冊，1 9 8 2年4月號，第4 7 7頁，大致地 ，該兩形式之光纖爲單模光纖。 經濟部智慧財產局員工湞费合作社印製 根據本發明方法之重要特性係引入微擾於該Μ Μ光雄 內’使得實質的模混合發生於光纖之操作期間，亦即，在 操作波長λ之電磁輻射之傳輸期間。企望地，該模混合包 含在所給定模群內之模態的混合以及該等模群之混合，例 如芯線直徑之變動爲縱向坐標之函數易於產生模耦合於模 群內，而在光纖中之微彎則易於產生模耦合於模群之間。 用於解說Μ Μ光纖中之模耦合可參閱例如R. 〇丨shansky之" Reviews of Model-n Physics (現代物理槪觀）# ，第 5 1 ( 2 )册，第 3 4 1 至 3 6 7 頁（1 9 7 9 年）。 第2圖概略地顯示習知技術之預成型或光纖，以 數2 1至2 5來分別指7τ<芯線，包層，徑向坐標，方位 角坐標及縱向坐標。 本紙張尺度適用中[S國家標準（CNS)A.:1規格（2.10 X 297公爱） 4 52 66;

五、發明說明（10 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買)

在氧化矽基Μ Μ光纖中透過模混合來達成高帶寬之目 標可以以任何適當方式藉導入適用之微擾於該光纖內而達 成。然而，許多用於製作具有模耦合微擾之Μ Μ光纖之熟 知技術係難以執行於製造環境中，及/或難以結合於目前 所使用之光纖製造過程中。因此，需要一種引入微擾於 ΜΜ光纖內之方法，其可執行於製造環境中且可易於結合 於習知之用以製作Μ Μ光纖之內，而該方法係揭示於本文 中C 引入此等微擾之適用方式係a )執行預成型崩解而維 持降低之壓力（例如0.1大氣壓力或Η少）於預成管之 內部使得崩解之預成型呈現非圓形橫截面而隨之在抽出自 該預成型之期間給予旋向性於光纖之上，以及b )去除玻 璃自習知之預成型棒，使得所製成之成形的預成型具有非 圓形（例如多邊形）之橫截面，然後以足夠高之抽引溫度 從該成形的預成型抽出光纖，使得該光纖之外部呈實質地 圓形而芯線則呈非圓形。在從該預成型抽出光纖之期間， 係給與旋向性於光纖。

經濟部智慧財產局員工消費合作社印W 第3圖槪略地描繪崩解之非圓形光纖預成型（或抽出 自該崩解之預成型的光纖），而以數宇3 1及3 2來指示 芯線材料及包層材料。典型地，該預成型係藉M C V D以 習知方式製造。在芯線材料（及典型地若千包層材料）之 沈積後，圓形橫截面之管狀預成型崩解爲固體玻璃棒。在 崩解期間，條件係選擇使得至少部分之管狀體呈現非圓形 之形狀，典型地此係藉至少部分之崩解時間維持降低之壓 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A.l規格（210 X 297公釐〉 經濟部智慧財產局員工消f合泎社, 5266； Λ7 ____D7_ 五、發明說明（11 ) 力於該管狀預成型之內。在完成崩解之後，所產生之玻璃 體係安裝於抽引塔中且抽引光纖。該光纖相對於預成型而 扭轉或該預成型相對於該光纖而扭轉，使得所產生之光纖 具有旋向性結構’典型地沿著該光纖之縱軸具有方位角及 徑向之微擾。 用以製成具有非圓形芯線橫剖面之Μ Μ光纖的另一代 表性技術包含製作習知之Μ Μ預成型及以習知之方式來崩 解該預成型，接著成形所產生之圓形對稱之玻璃棒使得該 棒不再具有圓形之對稱性，例如該棒可藉硏磨或利用電漿 噴炬予以成形而具有多邊形（例如六邊形）橫截面，或具 有實質卵形之橫截面。第4 Α圖槪略地顯示一部分之具有 卵形橫截面的預成型|數字4 1及4 2分別地指示（圓形 對稱之）芯線及包層。 在該成形操作完成之後，該成形之預成型係安裝於抽 引塔中而從該預成型抽出光纖，熱區之溫度典型地將相當 地高（例如在2 1 0 0至2 4 0 0 °C之範圍中），選擇使 得光纖之外部呈實質地圆形之形狀（由於表面張力）而芯 線則呈非圓形，此係顯示於第4 B圖中，其中數字4 1 1 及4 2 2分別地指示非圓形之芯線及實質圓形之包層。不 僅是光纖抽出於相當高之溫度處而且旋向性係在光纖抽引 期間赋予在光纖上，此係典型地藉扭轉光纖相對於預成型 或藉扭轉預成型相對於光纖而完成，所產生之光纖沿著該 光纖之縱向坐標典型地具有方位角及徑向之微擾。 給與旋向性於光纖上可以以任何適當之方式來達成’ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線. 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ 14- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印奴 5266 Λ7 ___ B7___五、發明說明（彳2 ) 例如在抽引爐中之預成型可繞其軸而自旋，例如參閱美國 專利第4 5 0 4 3 0 0號。在目前較佳實施例中，該光纖 係交互地順時針及反時針地扭轉，參閱美國專利第 5 2 9 8 0 4 7號’其特別地顯示一種可利用振盪之導輕 來交互地順時針及反時針地扭轉光纖之抽引塔，該交互之 扭轉會調變重複之長度而典型地產生強化之模混合。 根據本發明之Μ Μ光纖係有利地使用於高速光纖通信 系統中，典型地LAN。第5圖槪略地顯示典型上之光纖 通信系統5 0，該系統5 0包含發射器5 1 ，接收器5 2 及信號傳輸地連接發射器與接收器之Μ Μ光纖5 3。 實例 習知之管狀多模預成型係形成且在崩解前畫分爲兩部 分’該兩部分之一係以習知方式崩解，男一則在真空下崩 解’從各該兩崩解之預成型所抽出者係不具有扭轉之光纖 長度以及具有扭轉之類似長度。接著執行差動之模延遲測 量於個別光纖之3 0 0米長度上，真空崩解及接著之光纖 抽引會造成1 3 · 9 %之芯線卵形率，然而不具有真空崩 解之芯線卵形率則爲4 . 6 %，抽引速率及扭轉係選擇以 產生3 0扭轉/米。 第6至9圖分別地屬於無真空崩解且無扭轉之光纖， 無真空崩解而具有扭轉之光纖，具有真空崩解而無扭轉之 光纖’以及具有真空崩解且具有扭轉之光纖。 該等圖示顯示脈波振幅爲時間之函數以用於所發出脈 本纸張瓦度適用中®國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -15- (請先開讀背面之注意事項再填寫本頁) I .. 訂： -線 5266; A7 _______B7__ 五、發明說明（13 ) 波之不同偏移，各圖示顯示9個偏移之脈波振幅（〇， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ± 5微米，土 1 ◦微米，士 1 5微米，及± 2 0微米）， 從底部至頂部。爲即時定性解說之目的，無需識別具有相 對應之正及負偏向之脈波。第6至9圖之檢視顯示出第9 圖（真空崩解，在抽引期間扭轉）之脈波具有實質地比其 他圖之脈波更小的脈波寬度而指出該真空崩解及扭轉之 Μ Μ光纖的更大帶寬，第9圖之該等脈波亦具有比第6至 8圖之脈波更小的結構，亦指出更高的帶寬。此外，第9 圖之相當自由結構零偏移之脈波指出降低之（大致存在之 中心折射率傾角的效應。 第1 0至1 3圖顯示脈波中心差動模態色散（分別地 爲參考數字1〇1 ，1 1 1 ，1 2 1及1 3 1 )及脈波寬 度（分別地爲參考數字1 〇 2 ，1 1 2 ，1 2 2及1 3 2 )上相對應之資料爲橫向偏移之函數，該脈波寬度資料屬 於右手坐標（以微微秒），而脈波中心相對延遲則屬於左 手坐標（以微微秒/米）。 經濟部智慧財產局邑工消費合作社印Κ 第1 0至1 3圖之檢視顯示真空崩解之扭轉的光纖（ 第1 3圖）具有比其他光纖更低的脈波寬度及更低之差動 模態色散而指出真空崩解及扭轉光纖之更大的帶寬。 在本發明另一代表性之實施例中，預成型係製成使得 芯線具有圓形周邊但具有在從周邊（其中卵形率典型地爲 零）到芯線中心之卵形率中增加之折射率輪廓，此係描繪 於第1 4圖中，其中數字1 4 0及1 4 1分別地指示包層 及芯線之周邊，而數字1 4 2至1 4 4則指示等折射率線 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSU4規格（210 X 297公釐） 4 526Γ Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消f合作社印*'1代 五、發明說明（14 ) 。根據第1 4圖之預成型係代表製成使得至少一部分之預 成型會具有非圓形構成之預成型。將理解的是，第1 4圖 亦代表抽出自預成型之光纖而該光纖之芯線具有非圓形橫 截面。 優質圖（F ◦ Μ )係界定如下：假設所有該等脈波測 量於Μ Μ光纖之3 〇 〇米長度上；將脈波在最大半功率點 處之前緣及後緣之抵達時間製成表：計算前緣最早抵達時 間與後緣最後抵達時間之時間中的最大差異，此參數係指 定爲Τ⑴l ;接著’界定該F 0 Μ爲F Ο Μ = Τ s / ρ ，其中p = 2 / 3乘以位兀週期。在s亥實例中，p = 6 7 微微秒。 F 0M= 1意指該等脈波之總自旋與該位元週期之2 / 3 —致，而F 〇 Μ = 1 0意指該等脈波之總自旋係1 〇 乘以該位元週期之寬度。大致地，小的F Ο Μ係相結合於 大的帶寬。 確定了上述四種Μ Μ光纖之F Ο Μ且發現該F 〇 Μ降 低自無真空崩解/無扭轉（F Ο Μ = 7 · 〇 )到無真空崩 解/扭轉（F Ο Μ = 5 . 4 )到真空崩解/無扭轉（ F Ο Μ = 4 . 8 )到真空崩解/扭轉（F Ο Μ = 2 . 7 ) 〇 將理解的是，上述程序及結果係代表性的，而本發明 之實施並不需要凼相同管狀預成型來形成不同的光纖形式 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .. 丨線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17 -

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印M 沒 5 2 6 6〔 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種氧化矽基多模光纖之製造方法，該光纖具有 芯線及接觸性地包圍該芯線之包層’該芯線具有徑向變化 之折射率，該方法包含下列步驟： Sk a) 提供氧化矽基光纖預成型；以及 b) 從該預成型抽出該光纖： 其特徵爲： c )步驟a )包含成形至少一部分之該預成型爲非圓 形構成；以及 d )步驟b )包含從至少該部分之預成型抽出光纖使 得該光纖之芯線具有非圓形之橫截面’及使得旋向性結構 利用在該光纖上，藉此，該多模光纖具有高的帶寬。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中成形該預成 型包含在從至少一部分之預成型崩解期間施加降低之壓力 於該預成型之內部，使得在該崩解之預成型中之至少一部 分該芯線爲非圓形。 ‘ 3.如申請專利範圍第1項之方法，其中成形該預成 型包含從該崩解之預成型的外部去除材料，使得該崩解之 預成型具有圓形芯線及非圓形包層。 4 ·如申請專利範園第2項之方法，其中成形該預成 型包含從該崩解之預成型的外部去除材料，使得該崩解之 預成型具有圓形芯線及非圓形包層。 5 .如申請專利範圍第1項之方法，其中利用旋向性 結構在該光纖上包含當該光繊抽出自該預成型時，交互順 時針及逆時針地扭轉該光纖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tSJ -線. ^52 66： A8 BS C3 ____ D8 六、申請專利範圍 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中重複長度係 與該旋向性結構相結合，該重複長度爲1 0公分或更小。 7 . —種包含一長度之氧化矽基多模光纖之物品，該 光纖包含芯線及接觸性地包圍該芯線之包層，其特徵爲： 至少一部分該芯線具有非圓形橫截面，以及該光纖具 有旋向性結構，該旋向性結構具有1 0公分或更小的重複 長度。 8 .如申請專利範圍第7項之物品，其中該物品爲光 纖通信系統，該光纖通信系統包含發射器，接收器，及信 號傳輸性地連接該發射器與該接收器之氧化矽基多模光纖 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -線 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印M 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） :19 :