TW451209B - Integrated memory with redundance - Google Patents

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451 209 A7 B7 五、發明說明（ 本發明係關於一種具有備用元件之積體記憶體。 記憶體之有缺陷的記憶胞是由備用之記憶胞所取代且 以此種方式來修復記憶體，這通常已爲人所知》備用之 記憶胞因此是沿著備用之字元線或備用之位元線而配 置。在US55 68432A中例如描述一種具有備用位元線之 積體記憶體，備用之位元線是用來取代正常之位元線， 正常之記憶胞是沿著正常之位元線而配置。正常之位元 線配屬於一種讀出放大器，此種讀出放大器在記憶胞讀 出時使儲存在記憶胞中之資訊放大而往記憶體外部傳 送。在備用情況（即*正常之位元線由備用之位元線取 代之後）時 > 備用-寫入電路須使備用之位元線取代正常 之位元線而與其讀出放大器相連接。 此外，在US 5 5 68 43 2 A中描述另一種備用之槪念，此 份文件中一個備用之讀出放大器配屬於一條備用之位元 線，此種備用之讀出放大器是除了正常位元線之正常之 讀出放大器之外另外存在的》在備用情況時，具有缺陷 之正常位元線及其正常之讀出放大器是由備用之位元線 及其備用之讀出放大器所取代。 本發明之目的是提供一種積體記憶體，其具有位元 線，這些位元線連接至讀出放大器，其中各缺陷之修復 是以其它方式來進行。 上述目的是以申請專利範圍第1項之積體記憶體來達 成。申請專利範圍第7項所述之修復方法可有利地在此 種記憶體中進行。本發明有利之其它形式敘述在申請專 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 © 之 注 1 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451209 A7 B7 五、發明說明（ 利範圍各附屬項中。 本發明之積體記憶體具有：一種正常之位元線以便使 連接至其上之正常之記憶胞中之資料被接收或發出；一 種正常之讀出放大器，其一方面經由一條導線而與正常 之位元線相連接且另一方面與資料線相連接且其是用來 放大此種由正常之記憶胞所讀出之資料。此外，此積體 記憶體具有一種備用之讀出放大器以便在備用情況時取 代正常之讀出放大器。此種備用之讀出放大器同樣是一 方面與該條導線相連接且另一方面與資料線相連接以及 在備用情況時用來放大此種由正常記憶胞所讀出之資 料。 本發明涉及以下之認知：在讀出時經由正常之位元線 所辨認之缺陷絕大部份是由於位元線本身之缺陷或此種 連接至位元線之正常記憶胞之缺陷所造成，但即使此種 與位元線相連接之正常之讀出放大器有缺陷時，位元線 及與其相連接之記憶胞仍然是完好的。在此種情況下， 完好之位元線由備用之位元線來取代對記憶體之成功修 復是不會有助益的。反之，若有缺陷之讀出放大器及與 其相連接之位元線是由備用之元件所取代，則雖然只有 正常之讀出放大器有缺陷，相對於此處所建議之解法而 言仍會造成一種太大之費用。本發明可使有缺陷之正常 之讀出放大器由備用之讀出放大器所取代，其中此種與 有缺陷之讀出放大器相連接之正常位元線不必同時被備 用之位元線所取代。若只有正常之讀出放大器有缺陷（但 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 512 0 A7 B7 五、發明說明（々） 正常之位元線是完好的），則經由備用之讀出放大器在 備用情況時仍可存取（access)正常之位元線。 依據本發明之其它形式，此種積體記憶體具有一種備 用之位元線，其用來取代正常之位元線且同樣是與該條 導線相連接。在正常位元線被備用位元線所取代之情況 下，資料傳送至這些與備用之位元線相連接之備用之記 憶胞或由這些備用之記憶胞而來之資料傳送是藉由正常 或備用之讀出放大器來進行。這是由下述情況而定：正 常之讀出放大器是否亦由備用之讀出放大器所取代。 這樣所具有之優點是：正常之讀出放大器之缺陷可由 備用之讀出放大器之使用而修復，且正常之位元線之修 復可由備用之位元線之使用而修復，此二種過程是互相 獨立的。這樣即可確保一種較大之彈性。此外，現有之 備用之資源（備用之讀出放大器及備用之位元線）能以 最有效之方式來使用。 除了剛才所述之實施例以外，此種積體記憶體可依據 其它形式而具有另一備用之位元線，其是用來取代正常 之位元線且經由另一備用之讀出放大器而與資料線相連 接=於是正常之讀出放大器之缺陷可由備用之讀出放大 器來修復，正常之位元線之缺陷可藉由該正常位元線及 其正常之讀出放大器由上述另一備用之位元線及另一備 用之讀出放大器來取代而修復。 依據其它形式，此種積體記憶體具有一種可程式化之 連接元件，導線可經由此種連接元件而與正常之讀出放 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項#-·#寫本頁) -----— —訂 * — 1·!1111 ^^ . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 大器相連接；另有一種可程式化之連接元件，導線可經 由此種連接元件而與備用之讀出放大器相連接，其中這 些連接元件是依據其程式化狀態而成爲導電性或非導電 性。除了這些連接元件之外，此種積體記憶體可依據其 它形式而具有一種可程式化之連接元件，經由此種連接 元件使正常之讀出放大器可與資料線相連接，另有一種 可程式化之連接元件，經由由此種連接元件使備用之讀 出放大器可與資料線相連接，其中這些連接元件依據其 程式化狀態同樣可成爲導電性或非導電性的。這些連接 元件藉由適當之程式化可使正常或備用之讀出放大器在 電性上與該導線或資料線相隔開，這是由備用情況是否 存在來決定。於是可防止一些錯誤功能且可使已驅動之 讀出放大器所受到之電容性負載最小化。 若這些可程式化之連接元件可反向地（reversible)被程 式化，使其程式化可被消除，則此種情況是特別有利的。 這樣在本發明之修護方法之範圍中在第一步驟時即可試 驗性地取代正常之讀出放大器或取代正常之位元線，且 隨後在確定仍存在一種缺陷時可將此種修復動作取消。 因此，現在已被定位之缺陷即可使用此種目前爲止尙未 使用之備用方式而被修復。 .本發明以下將依據顯示在圖式中之實施例作詳.述。圖 式簡單說明： 第1圖本發明積體記憶體之第一實施例。 第2圖本發明之修復方法之第一實施例。 -6^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) ------I ^--I -----J—·41--I ,--!!線一I {請先閱讀背面之注意事項I填寫本頁) 4g1209 A7 B7 五、發明說明（，） 第3圖本發明之修復方法之第二實施例。 第4圖積體記憶體之第二實施例。 第5圖可程式化之連接元件之實施例。 第1圖是本發明積體記憶體之實施例》此積體記憶體 是一種DRAM，雖然本發明亦可使用在其它記憶體（其 具有一種與位元線相連接之讀出放大器），例如可用在 FRAMs或FeRAMs (鐵電質記憶體）中。此記憶體具有 4個正常之讀出放大器SAi及一個備用之讀出放大器 RSA1這些正常之讀出放大器SAi分別經由二個第一可 程式化之連接元件（其形式是F 1 1至F 1 4之雷射熔絲） 而與導線對（pair)Li相連接。DRAM具有1-電晶體-1-電 容器型式之記憶胞MC (其具有一個選擇電晶體及一 個記憶電容器C % )。選擇電晶體T M之閘極是與字元線 WL相連接。記憶電容器以其一個電極而與接地相連接 且其另一個電極是經由選擇電晶體T %之可控制之區段 而與位元線BL相連接。此記憶體實際上具有許多字元 線WL和記憶胞MC，但在第i圖中只舉例式地各別列 出幾個而已。這些記憶胞是以矩陣形式配置在字元線和 位元線之相交點處。第1圖顯示4組，其分別具有4對（P air) 位元線BL。每一組之每一對（pair)位元線BL經由η-通 道型式之第一電晶體Τ1而與導線對（Li)中之一相連接。 每一組之第一電晶體T1之閘極是由一個共同之行 (column)選擇信號CSLi來控制。同一個時間點這些行選 擇信號CSLi中只有一個是驅動性的（active)，因此這些 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項系填寫本頁) - 訂— 1：------線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 51 2 0 9 A7 B7 五、發明說明ο ) 組中只有一組之位元線對BL是與4對導線Li相連接。 此外，4個正常之讀出放大器SAi經由η通道型式之 第二電晶體Τ2以及第二可程式化之連接元件（其形式 是F1至F4所示之熔絲）而分別與資料線對（pair)DQi栢 連接。 讀出放大器SAi，RSA1是一種差動式讀出放大器。本 發明亦可用在另一種記憶體（其讀出放大器不是以差動 方式來操作）中，此種讀出放大器只與一條位元線相連 接而不是與一對位元線相連接。 此外，第1圖中之記憶體具有一種備用之讀出放大器 RSA1，其經由數對第三可程式化之連接元件（其是雷射 熔絲彤式之/F 1 1至/F 1 4 )而與導線對L i相連接且經由數 對第四可程式化之連接元件（其是雷射熔絲形式之/F 1 至/F4 )以及一對連接於這些雷射熔絲之前的第四電晶體 T4而分別與資料線對D〇i:中之一相連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖中之積體記憶體另外具有備用之位元線對 RBL，其在本發明之其它實施例中亦可省略。此4個備 用之位元線對RBL是與多個備用之記憶胞RMC相連接， 其中第1圖只舉例式地顯示一些。記憶胞是與備用之位 元;線對之一之一條備用之位元線相連接》備用之記憶胞 RMC之構成方式與正常之記憶胞MC者相同且具有一個 選擇電晶體T w和一個記憶電容器c _。備用記憶胞RMC 之選擇電晶體T服是以其閘極來和字元線WL中之一相 連接。每一備用之位元線對RB L是經由相對應之第三電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 20 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 晶體而與導線對Li中之一相連接。第三電晶體T3之閘 極是與備用之行選擇信號RCSL相連接。 若第1圖中所示之記憶體沒有缺陷，則第一連接元件 F11至F14以及第二連接元件F1至F4不會斷開，而第 三連接元件/F1I至/FI4以及第四連接元件/F1至/F4則 斷開。於是該備用之讀出放大器RSA1完全與導線對Li 和資料線對DQi相隔開（de-coupled)且不再影響記憶體 之操作。但若確定正常之讀出放大器SAi中之一個有缺 陷，例如，第1圖中最左邊之正常之讀出放大器SA1有 缺陷時，則與其相連接之第一連接元件F11和第二連接 元件F1斷開，而在備用之讀出放大器SA1中這些連接 元件/F2至/F4以及/F12至/F14斷開，但連接元件/F1和 /F 11不斷開。由於第二電晶體T2和第四電晶體T4之閘 極經由一個共同之選擇信號SW來控制，則備用之讀出 放大器RSA1以此種方式可完全取代正常之讀出放大器 SA1。若其它正常之讀出放大器SA2至SA4中之一個有 缺陷，但第一個正常之讀出放大器SA是完好的，則此 時電性上之連接元件以相對應之方式斷開*以便進行修 復。 此外，由於在第1圖之記憶體中存在一些備用之位元 線對RBL，則修復此4組中之一組之一對或多對位元線 BL中之缺陷亦是可能的。爲了此一目的，則有缺陷之此 組（group)經由其行選擇信號CSLi所受到之驅動是不允 許的1反之，備用之一組位元線經由其備用之行選擇信 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再爹寫本頁) ，裘 ----訂---^------線、 A7 451209 ___B7_ 五、發明說明（方） 號RCS L而受到驅動。第1圖中所示之記憶體因此具有 下述可能性：可修復其讀出放大器SAi中之一之缺陷， 且可互相獨立地藉助於備用之讀出放大器RSA1或備用 之位元線RBL來修復其位元線組（group)中之一組之內部 中之缺陷。+ 若第1圖中所示之可程式化之連接元件F1至/F14是 可逆式（reversible)可程式化元件，則這樣是有利的。於 是例如在此種積體記憶體之基本狀態時可依據其製法首 先使連接元件F1至F14導通且使連接元件/F1至/F14不 導通以及依據記憶體測試範圍中所確定之缺陷來進行一 種相對應之程式化切換。第5圖顯示此種可逆式可程式 化之連接元件Fi ; /Fi，其具有一種η-通道-電晶體T， 其可控制之通道區段在第1圖之實施例中是配置成可取 代該處所示之雷射-熔絲。其閘極是與可程式化之暫存器 L之輸出端相連接，暫存器L中可選擇性地儲存一種高 電位或低電位。若暫存器L中儲存一種高電位，則此種 可程式化之連接元件Fi在電性上是導通的。反之，則其 在電性上是不導通的。 第4圖是積體記憶體之另一實施例，其中一對正常之 位元線BL經由第一電晶體T1而與導線對（Pai〇Ll相連 接。一種行選擇信號CSL 1傳送至第一電晶體T 1之閘極。 導線對L 1經由可程式化之連接元件F 1 1 ,/F 1 1而一方面 與正常之讀出放大器SA1相連接且另一方面與備用之讀 出放大器RSA1相連接。正常之讀出放大器SA1經由一 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------I I ^----7^"裝--------訂---Ί-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 51 2 Ο £ Α7 Β7 五、發明說明（9 .接 -1 1 目 f 件 元 接 a 之 Q J D 化 對式 線程 料可 資對 與一 而由 F1經 件A1 元RS 接器 連大 之放 化出 式讀 程之 可用 對備 對 線 料 資 與 而 4 晶 第電 在五 體第 憶Μ 記二 此由Α2 ，經RS 外其器 此 > 大 。“放 Β 接 R 出 連對謓 相線之 Q1元用 纟位備 之舾 用一 備另 有與 具而 中Τ5 團體 五 餐 ο 接 I 遵 目 式 L S 程 C R 可 號對 信一 擇由 選經 行Α2 之RS 用器 備大 與放 是出 極讀 閘之 之用 Τ5備 體一 晶另 電該 相 接 之 匕 /1 件 元 接 a 2 F 之 件化 元式 接程 接 -i- 逋 相 1 Q D 對 線 料 資 與 而

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缺 有 胞 憶 記 之 常 正⑴器 2是大 接h放 連1T出 相SA讀 其器之 與大常 或放正 陷出-是 缺讀：而 有之—— BL常代 對正取 線則來 元 ’A1 位陷RS 器 大位 放一之 出常 讀正 之和 用A1 ry·! 備 由 是 不 用然 備 。 一 代 另取 由來 ._- 2 同 L RW 共 R 須對 B 線動 對元驅 線位到 元之受 上 ft πνπ 驅 須 時 同 且 器 大 放 出 讀 之 用 備 和 鋪 R 信號 擇信 選擇 行選 上 ί 了 /i 禁之 須用 後備 逑 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) 451209 A7 B7 五、發明說明（^) 在此情況下此連接元件F2 1持續地切換成導通狀態且連 接元件F1，/F1，F11和/FI1切換成非導通狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 上述之實施例所具有之優點是：正常之讀出放大器SAi 中之一缺陷可由備用之讀出放大器RS A 1所修復而不必 使用備用之位元線RBL2。正常位元線BL之使用可藉由 備用之讀出放大器RSA1之使用來達成。因此可使用備 用之位元線RBL2來修復正常位元線BL之缺陷，正常 之位元線BL是與另一正常之讀出放大器SAi相連接（未 顯示在第4圖中）。須注意：特別是第4圖只顯示實際 記憶體之很小之一部份，實際之記憶體事實上具有很多 正常之讀出放大器SAi»第4圖因此不能解釋成：一個 各別之備用之讀出放大器RSA1 (不具有任何備用之位 元線）和另一各別之備用之讀出放大器RSA2 (具有備 用之位元線RBL2)配屬於每一正常之位元線對BL且因 此亦屬於與其相連接之正常之讀出放大器SA1。反之， 備用之讀出放大器RSA1實際上配屬於多個正常之讀出 放大器SAi，這就像例如由第1圖中可推知者一樣。另 一備用之讀出放大器RSA2同樣可配屬於多個正常之讀 出放大器SAi(其具有所屬之正常之位元線對BL)，RSA2 可取代這些SAi中之一。 在前述之記憶體中進行一種記憶體測試是可能的，其 中資料經由資料線對DQ 1及正常之讀出放大器SAi，導 線對Li以及正常之位元線對BL而寫入記憶胞MC中且 @後由記憶胞中又以相反方向讀出。因此若確定有缺陷 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 4 51 20 9 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 且可測定此種缺陷是否和正常之讀出放大器SAi中之一 或正常之位元線對BL中之一有關時，則可依據此種測 試結果適當地使相關之正常之讀出放大器SAi由備用之 讀出放大器RSA1所取代或依據相關之缺陷使正常之依 元線對BL或4對位元線BL之所有各組位元線由相對應 之備用之位元線RBL所取代。 第2圖顯示第1圖之積體記憶體用之修復方去之實施 例，該記憶體具有第5圖之可逆式可程式化之連接元件 F1至/F 14。首先使資料經由正常之讀出放大器SAi而寫 入及讀出以便對記憶胞MC進行測試=若確定無缺陷， 則結束此種測試且此記憶體被視爲完好。反之，若確定 有缺陷，則並不淸楚此種缺陷是否屬於相關之正常之讀 出放大器SAi或屬於位元線BL中之一或屬於此種與位 元線相連接之記憶胞MC，此時相關之正常之讀出放大 器SAi須由備用之讀出放大器RSA1所取代。然後對這 些先前已確定有缺陷存在之記憶胞重複地檢查。若因此 可去除這些缺陷，則此種缺陷事實上位於該已被取代之 正常之讀出放大器SAi中而可結束此種修復方法。但若 此種缺陷位於其它地方，則正常之讀出放大器SAi不可 藉由備用之讀出放大器RSA1來修復，而是這些與此正 常之.睛.出放大器S A i相連接之疋常之位元線B L須由備 用之位元線RBL來取代。然後結束此種修復方法，因爲 此種缺陷很明顯地不是位於正常之讀出放大器SAi中， 而是位於其所屬位元線B L中之一之中》 -13- 閱 讀 背 之 注 項 再. 填 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 45Ί 2 A7 B7 五、發明說明) 第3圃顯示第1圖之記億體用之其它修復方法。各記 億胞亦藉由資料之寫入和謓出而以上述方式來測試。若 確定有缺陷存在，且不清楚是否正常之讓出放大器SAi 中之一個有缺陷或與其相連接之正常之位元線BL有缺陷 時，則在本方法中首先使相對應之正常之位元線BL由備 用之位元線RBL·來取代。 然後對這些在先前之測試中己確定有缺陷之記憶胞言 測試。因此，若確定未存在任何缺陷，則此種修復顯然 已成功且此種缺陷事實上是位於已被取代之正常之位元 線中之一條中。但若確定其它地方存在一種缺陷，則不 需修復這些位元線而是使相對應之正常之讀出放大器 SAi由備用之讀出放大器RSA1所取代。已確定之缺陷 依據情況顯然只會由於已被取代之正常之讀出放大器 S Ai而存在。因此結束此種修復方法。 在第2和第3圖之修復方法中，須依據各別已進行之 修復來對可程式化之連接元件F 15 ... ,/F 1 4進行程式化。 這些連接元件可保存一種較佳是可逆式可程式化型式 (例如顯示在第5圖中者）之修復。這些連接元件之程 式化在進行上述之修復方法時可能須改變很多次。 符號說明 SAi…正常之讀出放大器 .....RSAlsRSA2，··備用之讀出放大器 .. TM，TW…選擇電晶體 …記憶電容器 WL…字元線 -1 4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項¢1株寫本頁) 裝--------訂i—Ί-----線}「 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 451209 _B7_ 五、發明說明（3 ) F1~F4,F11〜F14…可程式化之連接元件或雷射熔絲 MC…記憶胞 RMC…備用之記憶胞 BL…位元線 RBL，RBL2…備用之位元線對 Li…導線 T，T1,T2ST3，T4，T5 …電晶體 DQi…資料線對 L…暫存器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -I線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 451209 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   六、申請專利範圍 1. 一種積體記憶體，其特徵爲包括： —一種正常之位元線（BL)，以傳送資料至連接於其上之 正常之記憶胞（MC)或使資料反向地由正常之記憶胞 (MC)傳送至正常之位元線（BL)， 一正常之讀出放大器（SA1)，其一方面經由導線（L1)而與 正常之位元線（BL)相連接且另一方面與資料線（DQi) 相連接以及用來放大此種由正常之記憶胞（MC)所讀出 之資料， 一備用之讀出放大器（RSA1)，其在備用情況時用來取代 正常之讀出放大器（SA1)，SA1同樣一方面與導線（L1) 相連接且另一方面與資料線（DQi)相連接以及在備用 情況時用來放大此種由正常之記憶胞（MC)所讀出之資 料。 2 ·如申請專利範圍第1項之積體記憶體，其中 —具有一種備用之位元線（RBL)，其用來取代正常之位元 線（BL)且同樣是與導線（L1)相連接， 一在正常之位元線（BL)由備用之位元線（RBL)所取代之情 況下，資料由此種與備用之位元線（RBL)相連接之 備用之記憶胞（RMC)發出或傳送至此種備用之記憶胞 (RMC)時是藉由正常之讀出放大器（S A 1)或備用之讀出 放大器（RSA1)來進行。 3 .如申請專利範圍第1項之積體記憶體，其中具有另一 備用之位元線（RBL2)，其用來取代正常之位元線（BL) 且經由另一備用之讀出放大器（RSA2)而與資料線 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） r 衣--------訂，---Ί.-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 451209 A8 B8 C8 _ DS 六、申請專利範圍 (DQ1)相連接。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 4.如申請專利範圍第1項之積體記憶體’其中 一具有一種可程式化之連接元件（F11)，導線（L1)經由F11 而與正常之讀出放大器（S A I)相連接’ —具有一種可程式化之連接元件讲1’1)/，導線（L 1)經由/F 1 1 而與備用之讀出放大器（RSA 1)相連接， 一各連接元件依據其本身之程式化狀態而成爲非導電性 或導電性》 5 .如申請專利範圍第1項之積體記憶體，其中 —具有一種可程式化之連接元件（F1)，正常之讀出放大 器（SA〗）經由F1而與資料線（DQ1)相連接， —具有一種可程式.化之連接元件（/F1) >備用之讀出放大 器（RSA1)經由/F1而與資料線（DQ1)相連接， 一各連接元件依據其本身之程式化狀態而成爲非導電性 或導電性。 6·如申請專利範圍第4或第5項之積體記憶體，其中這 些可程式化之元件（？11，/1?11/1，/^1)是可逆式可程式化 的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7. —種積體記憶體之修復方法，該積體記憶體包括： ——種正常之位元線（BL)，以傳送資料至連接於其上之 正常之記憶胞（MC)或使資料反向地由正常之記憶胞 (MC)傳送至正常之位元線（BL)， 一正常之讀出放大器（S A 1)，其一方面經由導線（L1)而與 正常之位元線（BL)相連接且另一方面與資料線（D Q 1) -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮〉 4 51 2 0 9 ABCD 六、申請專利範園 相連接以及用來放大此種由正常之記憶胞（MC)所讀出 之資料， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 一備用之讀出放大器（RS A 1)，其在備用情況時用來取代 正常之讀出放大器（SA1)，SA1同樣一方面與導線（L1) 相連接且另一方面與資料線（DQ1)相連接以及在備用 情況時用來放大此種由正常之記憶胞（MC)所讀出之資 料， ——種備用之位元線（RBL)，用來取代正常之位元線 (BL)- 其特徵爲具有以下各步驟： 一正常之讀出放大器（S A】）和正常之位元線（BL)是利用這 些連接於其上之正常之記憶胞（MC)來測試， 一正常之讀出放大器（S A 1)有缺陷時是由備用之讀出放大 器（FLS A 1)所取代且正常之位元線（BL)或正常之記憶胞 (MC)有缺陷時是由備甩之位元線（RBL)來取代。 8 .如申請專利範圍第7項之修復方法，其中備用之位元 線（RBL)同樣是與導線（L1)相連接，其具有以下各步 驟. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —正常位元線（BL)之正常之記憶胞（MC)是藉由正常之讀 出放大器（S A 1)之寫入和讀出來測試， 一在有缺陷時正常之位元線（BL)藉由備用之位元線（RBL) 來取代， —備用之位元線（RBL)之備用之記憶胞（RMC)是藉由正常 之讀出放大器（S A 1)之寫入和讀出來測試， -1 8- 本紙張尺度適用t國國家標準（CMS ) A4規格（2]0X297公釐） 451209 as B8 C8 D8 .…' ~ 1 ' 11六、申請專利範園 一因此若須重新確定一種缺陷’則正常之位元線（BL)不 須由備用之位元線（RBL)來取代而正常之讀出放大器 (SA1)須由備用之讀出放大器（RSA1)來取代。 9.如申請專利範圍第7項之修復方法，其中具有以下各 步驟： 一正常位元線（BL)之正常之記憶胞（MC)是藉由正常之讀 出放大器（SA1)之寫入和讀出來測試， 一在有缺陷時正常之讀出放大器（SA1)是藉由備用之讀出 放大器（RSA1)來取代， 一正常位兀線（BL)之正常記憶胞（MC)是藉由備用之讀出 放大器（RSA1)之寫入和讀出來測試， 一因此若須重新確定一種缺陷，則正常之讀出放大器（SA) 不須由備用之讀出放大器（RS A 1)來取代而正常之位元 線（BL)是由備用之位元線（RBL)來取代。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -紙 本 準 家 國 國 中 用 I適 I釐 公 7 9 2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)