TW447034B - Device and method for treating substrates - Google Patents

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TW447034B
TW447034B TW088120491A TW88120491A TW447034B TW 447034 B TW447034 B TW 447034B TW 088120491 A TW088120491 A TW 088120491A TW 88120491 A TW88120491 A TW 88120491A TW 447034 B TW447034 B TW 447034B
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TW
Taiwan
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container
Prior art date
Application number
TW088120491A
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English (en)
Inventor
Wolfgang Kroeber
Joachim Pokorny
Andreas Steinrucke
Original Assignee
Steag Micro Tech Gmbh
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells

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Description

447034 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明(1.) 本發明係關於一種處理基板之裝置及方法,其以一有容 器壁之程序容器及一可在程序容器上運動之基板固持件處 理基板’尤其是半導體晶圓之裝置及方法,基板固持件將基 板定位於容器壁上。 此類之裝置用於半導體工業中各種不同之處理程序。在 此裝置,通常會導入處理流體至設置在基板固持件上之基板 上’此時’流體基本上是與基板表面垂直流向基抵。在一些 情況’尤其是當處理流體之出口較被流體沖流之基板表面為 低時,氣泡會被園封在基板下,此氣泡影響基板良好、均勻 之處理。此均勻之處理另外會因與程序容器有一段距離之基 板表面上之流動分離而受到干擾。 上述種類之裝置可參見例如US-A-5000827。在此裝置 中’ 一半導體晶圓由多個支承件支持,被固定在程序容器之 上’並被一處理流體從下向上沖流,此流體經程序容器之邊 緣,穿過基板與程序容器壁間乏間隙而流出。此處出現的問 題是’尤其是在與基板支承元件陵邊相鄰之範圍,會有氣泡 被圍封在基板下’此氣泡影響基板良好、均勻之處理。 本發明之任務是’保證基板有良好及均勻之處理。一特 別之任務是,在基板受處理之前及/或之時,隔離被園封在 基板下之氣泡。 依本發明’此任務藉一上述種類之裝置加以解決,此裝 置在容器壁向基板之邊緣設有向外擴張之内周面,藉此在容 器壁向基板之邊緣向外擴張之内周面,使處理流體之流動刻 意指向位於此邊緣範圍上之基板,以避免出現流動停滯之範 ----------------裝·1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. 線·
ΑΫ〇°33ΑΑ Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(2·) 圍’如此有較佳之氣泡驅離,而且即使在容器壁内部尺寸外 之範圍也會有良好、均勻之處理。 依一特別偏好之發明實施形式,基板與基板固持件可以 不同之距離’定位在容器壁邊緣上,使在基板與容器間,或 是在基板固持件與容器間所形成之流動通遒可加以改變。藉 改變此流動通道’可以簡單方式改變流動速度,並為驅離氣 泡增加流動速度》容器壁邊緣最好在指向基板固持件與基板 間接觸範圍之基板位置,以防止在此範圍出現相對較停滯之 流動。在此位置,基板及容器壁邊緣間之距離是最小距離, 也就是基板不可能再下降’以得到特別高之流動速度及較佳 之氣泡驅離。 容器壁之厚度最好向邊緣方向逐漸減小,使程序容器之 開口與位在其上之基板有最大可能之重疊,而同時在基板固 持件包圍容器壁邊緣之部份,及在此邊緣間仍形成足夠之流 動通道。此壁厚縮減最好是由容器壁外周面之輪廓設計而形 成’使基板固持件部分及容器壁間形成足夠之流動通道。此 容器壁外周面之輪廓設計最好與基板固持件載具環之内周 面形狀相配合,以防止在其間形成之流動通道有急遽變化, 使流動分離。 依一較偏好之發明實施形式’本裝置有一設置在程序容 器内之陽極元件,為促進處理過程,會在基板及陽極元件間 施加電壓。此陽極元件最好是由孔板或延伸柵構成。 為在基板及陽極元件間產生電壓,最好在基板固持件上 設計接觸元件,在一特別偏好之發明實施形式中,此元件與 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭 訂· 線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -7- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447034 五、發明說明(3* ) 基板面向程序容器之表面有電接觸。 為使程序容器内處理流體之流動較為均勻,程序容器有 一向基板擴張之漏斗形底部,在一實施形式中,此底部是由 一套件構成。另外,此漏斗形之底部也設計成具垂直容器壁 之單件。依一特別偏好之發明實施例,漏斗形之底部是容器 壁之一部分。 為使程序容器内處理流體之流動更為均勻,在程序容器 底部與程序容器面向基板之容器壁邊緣間至少設有一孔板。 在另一發明實施形式中,設有一包圍程序容器之溢流套 環,此溢流套環最好程序容器容器壁與溢流套環間形成一 向上開放之空間。藉此溢流套環,可以極簡單之方式,使處 理流體累積在程序容器外^此溢流套環最好較容器壁面向基 板之邊緣為高,使處理流體累積之液面高度’與容器壁面向 基板之邊緣尚度相同或更南。在溢流套環内最好設置一排放 口’以將累積在其内之處理流體排出。 為要收集所使用之處理流體’在一偏好之發明實施形式 中’另外設有一包圍程序容器之程序容器。此第二程序容器 可收集及必要時再生利用所使用之處理流體。 依一特別偏好之發明實施形式,此裝置被用為金屬鍍膜 裝置。 前述所提之任務,也藉一處理基板,尤其是半導體晶圓 之方法加以解決,在此方法,基板藉一基板固持件,被移送 至在程序容器容器壁上,而且有一段距離之第一位置,處理 流體被導入程序容器,升至基板面向程序容器之表面,其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) —^1 - ---- - 31 — - ---- {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
¢47034 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明(4.) 中’處理流體是經程序容器容器壁向外擴張之,面向基板之 内周面而流至基板外部範圍。如此,如前所述,防止在基板 邊緣範園出現相對之流動停滯,以確保能驅離氣泡。 依另一發明實施形式,基板最好被提升至與程序容器容 器壁邊緣另有一段距離之第二位置。將基板提升,一方面使 基板與基板載具間,另一方面使基板與程序容器間之流動通 道增大’如此在驅離氣泡後,準備繼續處理基板時,在基板 之内部及外部範圍有較小之流動速度,及較均勻之流動。 在一特別偏好之發明實施形式中,在程序容器内之陽極 元件及基板間施加電壓,以促進基板處理。此時,最好在面 向程序容器之基板表面有電接觸。為進行較佳之程序控制, 所施加之電壓會因基板之位置而變化。此時,基板在第二位 置時所施加之電壓’最好較在第一位置時為高,如此之好處 是’例如在第一位置時’ 一材料沈積到基板上,會因在第— 位置時之流動速度較在第二位置時為大而受到抑制。 在程序容器内被引導至基板上之流動,最妤被均勻化, 以產生均勻之流動,獲得良好及均勻之基板處理。此均勻化 最好藉一漏斗形狀之程序容器底部及/或至少一設置在程序 容器内之孔板達成。在第一位置驅離氣泡時,最好將包園程 序容器邊緣之溢流套環内之排放口開啟,使處理流體可自由 流出,而且使驅難氣泡之流動不受阻力。在基板之第二位 置,則最好將此排放口關閉,使處理流體可以累積。此時, 處理流體最好至少累積到被提升之基板之高度,以確保處理 流體與基板間有良好之接觸。 llilnllln- ------— — —— — — — I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
誅47034 A7 一 ― B7 五、發明說明(5.) 本發明之基礎任務,在一以一可以充填處理流體之容 器,一包圍此容器之溢流件,及一用以將基板定位在容器上 之基板固持件處理基板之裝置,以一控制裝置加以解決,此 控制裝置依基板固持件與容器之距離,控制在溢流件内處理 /瓦體之液面高度。此控制裝置使溢流件内處理流體之液面高 度永遠與基板高度相同,或在其上。如此可確保處理流體與 基板有良好之接觸,並阻止尤其是當基板與容器壁間有較大 距離時,指向基板之流動發生分離。 在一發明實施形式中’此控制單元在溢流件内有一可控 制之排放閥,藉之,可調整處理流體之液面高度。最好與此 溢流件相鄭,另外設置一溢流件,如此可以簡單方式,將在 溢流件内處理流體之高度’藉溢流邊緣到第二溢流件之高度 而加以限制。此時溢流邊緣之高度最好是可調式,如此以簡 單方式可在溢流件内得到不同之處理流體液面高度。 在一偏好之實施形式中,由一浮體提供溢流邊緣。此浮 體以其自然之浮力,提供極簡單之,調整溢流邊緣高度之可 能性。 在另一實施形式中,有一具溢流邊緣之滑板,以之調整 溢流邊緣高度。此滑板最好藉一彈簧向上施加預力,並可以 簡單方式調整此彈簧預力。 · 在浮體或滑板與基板固持件間最好設計一距離維持 件’其決定浮體或滑板與基板固持件間之距離。此元件造成 一極簡單之可能性,直接由基板固持件之運動調整溢流邊 緣’及處理流體液面之高度。尤其是如此可建立溢流邊緣高 ιίι — — —‘ - I (猜先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4現格(210 X 297公楚) -10- 447034 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6.) 度及基板固持件高度間固定之,基本上維持不變之關係。 在一以一處理流體處理基板之方法中,基板與基板固持 件被固定在被溢流件包圍之槽上,然後處理流體從下流入’ 所提出之任務是以下述方法解決;在溢流件内處理流體之液 面高度,依基板固持件與槽間之距離加以控制,以此方法雇 生上述諸多優點。 以下藉偏好之實施例,以圖式說明本裝置。各圖所示之 内容如下: 圖一:依本發明之用於處理基板之裝置之示意剖面圖; 本發明裝置之部分放大圖;及 本發明程序容器頂邊緣輪廓之部分放大圖; 依本發明之另一裝置實施例之示意剖面圖; 圖五及穴:依本發明之另一裝置實施例在不同處理位置之帝 意剖面圖。 圖七及八.依本發明之再又一裝置實施例在不同處理位置之 不意剖面圖。 圖一顯示一金屬鏡膜裝置1,尤其是銅鍍膜裝置,其具 一基板固持件2及一程序容器3。基板固持件2由一上頂蓋 5及一下環6組成,晶圓7被夾在二者之間。基板固持件2 可在程序容器3上垂直上昇及下降。從圖三可以看出,在環 6之一内周面上設有一密封9,其與晶圓7中心同心。密封 9將晶圓7之周邊範圍封閉。此晶圓7之周邊範園與多個接 觸彈簧11接觸,圖三中可見到其中一個接觸彈簧。 基板固持件之其他細節,可參見由與此申請案同一申請 圖二 ® — 圑二 圖四 私紙張尺度適財目國家標準(CNS>A4規格(21〇 X 297公楚) -11 - t請先聞讀背面之注意事項辟填寫本真) 裝 -線 447034 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(7.) 人於同一天提出之另一申請案,案號是198594674,名稱是 、'基板固持件〃’在此不再重複’此基板固持件申請案也被 用為此申請案之内容。 程序容器3具一底板15及侧壁16。在底板15内設計 有一管道18,其一端經開口 20與由侧壁構成之空間相連。 此管遒18經一與此管道18相連接之接頭22及未示出之管 道,與一液體電解液源相連接。管道18與開口 20有一段距 離之未端被一阻擋件24封閉,阻擋件則被固定在一桿26 上。藉阻擒件24之運動,管道18之未端可被開啟,且存於 管道18内之電解液可被排放至未示出之,包圍程序容器3 之容器内。 在侧壁16間’且與底板15有一段距離,設置有一漏斗 形元件30,其以適當方式,例如以螺栓固在側壁16上。在 底挺15及漏斗形元件30間形成一室32。漏斗形元件3〇有 一在中央朝向室32之具小直徑之開口 34。從此開口 34開 始,此漏斗形元件30形成一向上擴張漏斗形式之空間36。 在此漏斗形式空間36之上’設有一孔板38,其與漏斗形元 件30之上緣39接觸。此孔板38位於漏斗形元件之上緣39 上’且是以適當方式’例如藉螺栓4〇,固定在侧壁16上β 在側壁16上’與底板15對立之頂面42上固定有上壁件44» 此壁件44有開口 46,以穿過電接觸元件48 〇接觸元件48 與一在孔板38上之,且與孔板有一定距離之陽極板5〇接 觸’此陽極板被設計成孔板。陽極板5〇也可設計成延伸柵。 從圖二及三可以很清楚看出,壁件44有一具特定輪廓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4相银mn X 9Q7八毬、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 訂· 線· 12 ^47034 A7 Β7 五、發明說明(8·) 之内周面52 ^此内周面%在下部範圍與縱中心軸傾斜。在 下部範圍上之範圍,内周面52則與縱中心軸平行。在上部 邊緣範圍54 ’内周面52之周面,藉一向外傾斜之倒角55 而擴大。在壁件44之邊緣範圍54,壁件44之壁厚向上縮 小最後形成尖角56,在圖三中可清楚的看出。此縮小之壁 厚是藉在壁件44邊緣範圍54傾斜之外輪廓58達到。此外 輪廓58與基板固持件2密封9向内之輪廓互相配合。 在壁件44上裝有包圍壁件44之溢流套環60。溢流套 環60在其本身與壁件44間形成向上開放之空間62 ^在溢 流套環60之一側壁内設計有一可控制之排放口 64,其可被 開啟及/或關閉’以後會再加以描述。溢流套環6〇之侧壁較 壁件44最高之尖角56為高。 此發明裝置在操作時,首先讓基板固持件2儘量的下 降’直到晶圓7正好位於壁件44尖角56之上方。在此位置, 首先藉導入液體電解液,將因鐘形基板固持件而被圍封在基 板下之空氣驅離。此電解液例如是由水、硫酸、硫酸鋼、氯、 氯化鈉及有機添加物組成。此時,在尖角56及基板7間之 距離相對而言很小,以產生較高之流速。藉壁件44在邊緣 範圍54向外擴充之内周面,一部分之流體直接流向基板固 持件2密封層9及晶圓7間之轉換空間。藉外侧之輪廓58, 流動截面在壁件44尖角56後之一小段長度範圍儘可能的維 持均勻,以防止流動在此範圍内發生分離,進而確保空氣可 被完全驅離。在驅離空氣後,基板固持件2稍為上提,因為 在基板7及尖角56間之距離極小,在此範園金屬均勻沈積 本紙張尺細中國國(CNS)A4規格⑵0 χ 297公楚) -Π - __— — — ΙΙΙΙΙΙΙΙΙ * ! I (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) _ - 線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447034 A7 B7 五、發明說明(9· ) 在基板上之流速會高。在將基板固持件上提之同時,藉封開 溢流件64,液體電解質會聚積在溢流套環6〇内,因而頂絮 至少一部分是浸在液體内。此時,液體液面升至晶圓高度, 甚或超過之’以確保電解液及晶圓間之接觸不會因距離增加 而分離。基板7及尖角56間之距離,可依沈積所希望之流 動條件而調整。 在驅離空氣之同時’即在㉖極板50及面向陽極板之晶 圓7表面間加入少量液流。這是需要的,使之前塗在晶圓7 表面上之金屬薄膜不會被電解液除去或是溶解。此時,所施 加之電壓不足以造成足量之金屬沈積在晶圓7上。然後在基 板固持件提升之位置加大電流,使金屬沈積在晶圓7上。 圖四至圖六顯示另一金屬艘膜裝置100,其主要有三只 程序容器,在圖五及六中,簡化圖式,並未出所有的細節。 此裝置100有一漏斗元件102’ 一固定在一漏斗元件上之容 器壁104,及一收集容器106。 漏斗形元件102有一向上擴張之漏斗1〇8。此漏斗1〇8 之下開口 109被一連接元件110封住’處理流體經此連接元 件被導入漏斗内。連接元件110是藉例如焊接或一其他工程 上習知之方式及方法固定在漏斗108上。在漏斗1〇8外周 面,設有一至少是部分圍繞漏斗108之支持元件112。 漏斗108在上部範圍114之壁厚較大。在範圍114設有 至少一貫穿孔116,以安裝或置放接觸銷118。以下會再說 明此接觸銷。另外,在此範圍114内設有一貫穿孔120,在 此貫穿孔之下端裝有一連接元件122。在此範圍114内另外 本紙張尺度適用中賴家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ' -14- ---------------裝 i — f請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4470 34 A7 發明說明(IQ.) 設有一孔124 ’用以安裝固定螺絲126,以將容器壁104固 定在漏斗形元件1〇2上,以下會再詳細加以說明。 上容器壁104由内壁128及外溢流套環130構成。 内容器壁128之上邊緣範圍與容器壁44有相同之設計。 容器壁128在切緣方向有三加厚壁131,圖四可見其中 之一。在容器壁128之加厚壁131内設有孔132,以安裝調 整螺絲134 ’其伸進基板固持件2下環6之開口,並作為下 環6之支柱。調整螺絲丨34可準確調整或改變在程序頂蓋上 基板固持件2之高度及方向。除了調整螺絲,也可使用可伸 縮之缸、轴等β 在内表器壁128及溢套環130間形成一主要是υ形之, 向上開放之室140。溢流套環130包圍内容器壁128,且較 之為鬲。在室140底部設計有一開口 142,及一沈孔144用 以邵分承裝及鎖緊螺絲126。漏斗形元件1〇2及容器壁川斗 是藉螺絲126相互固定,螺絲穿過容器壁内之開口 144,並 伸進漏斗形元件内之開口 124。二開口 Η4及124相互對 準’以安裝螺絲126。開口 142及120也是相互對準,經連 接元件122形成室140之排放口。 在將漏斗形元件102及容器壁1〇4互相鎖緊時,孔板 150被夾緊在與之配合設計於二者間之缺口内。另外,在鎖 緊時’穿出漏斗108擴充範園114之銷118之上端,壓住陽 極板154接觸元件152之下端。如此,在程存容器内之陽極 板154,可藉此電接觸,與程序容器外部相連。在漏斗1〇8 擴張範圍114之外周面,例如藉焊接裝有收集容器1〇6。收 Κ紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2i〇497公楚) -15- — —!1·ί— — ·裳 i I ί ΐ閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --6 · ‘線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447034 A7 五、發明說明(11.) 集容器106包圍漏斗108之一部分及上容器壁1〇4,而收集 容器106之壁較容器壁1〇4溢流套環130為高。在容器壁 104之溢流套環130及收集容器1〇6間形成—主要是口形 之,向上開放之室160,此有一未進一步圖示之開口,開口 上裝有連接元件162。 以下藉圖5及6說明依此實施例裝置之操件過程。基板 固持件隨同在其内所固持之基板’被移送至圖5内所顯示之 位置’因而在基板固持件内被固持之基板,及容器壁128 上緣間’形成一細缝《隨後,經漏斗形元件1〇2導入流體電 解液’直到電解液經上述在基板及容器壁128上緣間之細縫 流入室140。由於缝相對而言很小,因鐘形基板固持件而被 圍对在基板下之空氣,如同第一實施例,會被驅離。一與室 140出口連接之閥no被開啟,以保證溢流之電解液能正常 流出,使上述細缝範圍内之流動不受到阻力。 隨後基板固持件被提升至圖六所顯示之位置,而且閥 170被封閉’使在室140内流動之電解液能累積。電解液累 積足夠之時間,直到超過外溢流套環13〇而流入外宣16〇。 如此’在室140内之處理流體液面會升高,直到到達被從下 沖流之基板高度。如此,可保證處理流體及基板間一定有接 觸’此接觸可能因基板固持件之提升而消失。 圖七及八顯示另一發明實施例。圖七及八中之實施例與 圖四至六内之實施例要點相同,因而以下使用相同之符號。 圖七及八顯示一金屬鍍膜裝置100,其如圖四至六所示 之實施例,程序容器主要有三部分。程序容器有一漏斗形元 本紙張尺度適用中麵家標準(CNS>A4規格(21G X 297公爱〉---- -16- ---------------裝·ί (請先0a讀背面之注意事項再填寫本頁) 灯· 線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447034 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(I2·) 件102,一固定其上之容器壁104,及一收集容器106。容 器壁104是由内壁128及外壁130組成,與圖四至六之實施 例相比,在圖四至六之實施例中’外壁130較内壁128為高’ 在圖七及八之實施例中,外壁130則較内壁128為低。在内 壁128及外壁130間形成主要是U形,向上開放之室140。 在室140内設置有一可調整高度之溢流元件。在圖7 及8中,顯示了二不同之溢流元件,亦即一在左侧設計成浮 體180之溢流元件,及在右侧設計成由彈簧施加預力之滑板 182。雖然在圖7及8中顯示了二不同之,可調高度之溢流 元件,要注意的是,在實際設計時會採用同一溢流元件,要 不就是浮體180,或者是由彈簧施加預力之元件182當然, 一設計為浮體之元件,額外可藉由彈簧施加預力。 以下更進一步說明浮體180。浮體180圍繞室140延 伸,並由外壁130之内周面導引。浮體180之截面主要是長 方形,而且有封閉之内室184。由室184封閉之體積,產生 此浮體180在流體内所需之浮力。浮體180有一向上伸出之 溢流凸緣186,其向上縮小形成溢流稜邊188。溢流凸緣186 有一内周面,其較基板載具2之外周面為大,因而基板載具 可被徑向置於溢流凸緣186内。 浮體180另外有一距離維持件190,其具隔片形式,被 設置在溢流凸緣186内周面内,並與基板載具2之底面接 觸,參見圖7及8。當處理流體注入室14〇時,浮體〖go浮 於室内,直到距離維持件190與基板载具2之底面接觸為 止。溢流凸緣186於徑向延伸包圍基板固持件2,並形成一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) -17- •/'_、 . 〇 ----!11111- iillln ^- — — ill — ΙΙ ^ II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447034 A7 ________B7 五、發明說明(13.) 溢流棱邊188 ’其與在基板固持件2内所置放之基板在近乎 相同之平面上。溢流棱邊188之高度較外容器壁130之上稜 邊為向,因而當閥170封閉時,流入室14〇之處理流體越過 溢流棱邊188而流入室160。 當基板載具由圖七中所示之位置運動提升至圖八中所 7F之位置浮體180也由於浮體180之浮力而隨同基板載具2 運動。如此,在室140内處理流體之液面,經常維持與在基 板載具2内之基板有相同之高度,因為浮體會依隨基板載具 而運動。如此,溢流稜邊188可依基板7及内容器壁128 間之距離’為室140簡單而連續的調整高度β雖然浮體18〇 是以具主要是封閉,空心室184之浮體表示出,浮體18〇 也可有其他形式,及由實心,具浮力之材料,例如聚苯乙晞 泡沫塑料設計而成。 以下說明可調高度溢流元件182之第二實施例,此元件 在圖七及八中位於右侧。溢流元件182有一本體192,具一 與外容器壁130内周面配合之外周面,而且被壁13〇導引, 可在主要是垂直方向移動。本體192有一縮小成溢流稜邊 194之上半部。在此縮小部位之下,此溢流元件182有一主 要是垂直的’在徑向向内延伸之支持凸緣196。此支持凸緣 196在徑向内末端以9〇。翻轉向下,形成一口袋,用以置放 彈簣198 ’此彈簧之功用以後再會詳細加以說明。從支持凸 緣196以一直角’向上伸出一距離維持件200,其如同距離 維持件190 ’使可調高度之溢流元件182,尤其是溢流棱邊 194與基板固持件2間維持一預定之距離。 本紙張尺度通用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -18- «0^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 矣--
五、發明說明(u.) ”彈簧198是—壓力彈簧,從圖七及人可以看出,此彈簧 是設置在室H0底面與支持凸緣196底端之間,並以適當之 方式加以固定。 彈簧198將溢施元件1幻推向上,直到距轉持件2〇〇 與基板固持件2之底端相細。若在程序容器上沒有基板固 持件’溢流元件向上之運動會被一未示出之凸耳限制住。當 距離維持件働與基板固持件2之底端接觸時,溢流棱邊 W之高度與在基板固持件2内所置放之基板高度約是相 同。當基板固持件2從圖七所示之位置運動至圖八所示之位 置,溢流元件182會因彈簧預力而跟隨基板固持件運動,因 而基板與溢流稜邊194間之高度關係可維持不變。 圖七及八裝置實施例之操件方式與圖四至六實施例者 基本上是相同的。基板首先被送至圖七中所示之位置,然後 從下導入處理流體,使處理洗體流入室14〇内。處理流體經 閥170被排出室140。然後閥170被關閉,使處理流體累積 在室140内。在應用浮體作為調整高度之溢流元件實施例 中,此浮體浮在液體上,直到浮體與基板載具接觸,如圖七 所示。在使用彈簧預力之溢流元件時’與基板載具之接觸, 在一開始即由向上之彈簧預力造成隨後基板載具2被向上 提升,以擴大基板及内容器壁128間之間隙。此時,高度調 整溢流元件180或182跟隨基板載具之運動,使溢流稜邊 188或194與基板載具2内所置放之基板有相同之高度。在 圖七及八所示之實施例中,可近乎連續,依基板載具2之位 置而調整溢流棱邊188或194。 >紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) -19- 447034 A7 _ B7 五、發明說明(15·) 以上藉偏好之實施例說明本裝置,而且並不限定於特別 顯示之形式。程序容器3可例如設計成單件,而且在漏斗形 元件3〇下之空間32可以省去。漏斗形元件及/或孔板3〇在 一定之應用中也可以略去。另外,此裝置也不限定在於晶圓 之金屬鍍麟。此裝置也適用於其他基板之鐘膜’或用於其他 處理程序β 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 尺 張 紙 本 \梯 21( /|\ 格 規 公- 70 292

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第咖20491號專利案申請專利簏圚條 1. 一種處理基板(7)之裝置(1),尤其是半導體晶圓,其以— 有容器壁(44)之程序容器(3)及一經由程序容器(3)而可 運動之基板固持件(2),基板固持件將基板以一定距離定 位在容器壁上,其特徵為,容器壁(44)向基板之邊緣有 —向外擴張之内周面》 ' 2. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置(丨”其特徵為,基 板(7)與基板固持件(2)—起可定位在容器壁(44)邊緣上 不同之距離處。 3. 根據申請專利範園第2項所述之裝置⑴,其特徵為,容 器壁(44)之邊緣,指向基板固持件與基板間接觸範園之 基板(7)位置。 4’根據申請專利範圍第3項所述之裝置(1),其特徵為,基 板(7)與容器壁(44)邊緣所在位置間之距離,為最小可能 ..之距離。 5’根據申請專利範園第1項所述之裝置⑴,其特徵為,容 器壁(44)之厚度向邊緣方向縮小。 6. 根據申請專利範圍第5項所述之裝置(1),其特徵為,壁 厚縮小是由容器壁(44)外周面(58)之輪廓設計而造成。 7. 根據申請專利範園第6項所述之裝置(1),其特徵為,容 器壁(44)外周面(58)之輪廓設計與基板固持件(2)載具環 (6)之内周面形狀相配合。 8. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置(1),其特徵為,在 x 297 公爱) -71 _ {請先閱讀背面之没意事項再填窝本頁)
    ABaD 447034 六、申請專利範圍 程序容器(3)内有陽極元件(50)。 9. 根據申請專利範圍第8項所述之裝置〇),其 a 極元件(50)是由一孔板構成。 ' “ % 10. 根據申請專利範圍第8項所述之裝置(1),其特徵 θ 極元件(50)是由一延伸栅構成。 陽 II,根據申請專利範圍第1項所述之裝置(1),其特徵為, 基板固持件(2)上有接觸設計。 -’在 根據申請專利範圍第11項所述之裝置⑴,其特徵為 經接觸設計’爾程序容器之基板⑺表面可有電接觸^ 13. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置⑴,其特徵為,^ 序容器(3)有向基板(7)擴張之,漏斗形之底部。 14. 根據申請專利範圍第13項所述之裝置〇),其特徵為, 漏斗形底部是由一嵌件(30)構成。 15. 根據申請專利範圍第π項所述之裝置(丨),其特徵為, 漏斗形底部是設計成具垂直容器壁(16)之單件。 16·根據申請專利範圍第I3項所述之裝置(1),其特徵為, 漏斗形底部構成容器壁之部分。 Π.根據申請專利範圍第1項所述之裝置(1),其特徵為,至 少有一孔板(38)在程序容器(3)之底部及程序容器(7)容 器壁(44)向基板(7)之邊緣間。 18·根據申請專%範圍第1項所述之裝置(1),其特徵為,有 一包園程序容器(3)之溢流套環(60)。 19.根據申請專利範圍第18項所述之裝置(1),其特徵為, 在程序容器(3)容器壁(44)與溢流套環(60)間有一向上開 良紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公釐) f請先閲請背面之注項再填窝本頁) , -' 裝--I------訂,·^--------線, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9.9 - Α8 ΒΒ CS D8 147034 六、申請專利範圍 放之空間。 20. 根據申請專利範圍第18項所述之裝置(1),其特徵為, 溢流套環(60)之高度較容器壁(44)向基板(60)之邊緣為 高。 21. 根據申請專利範園第18項所述之裝置,其特徵為,在溢 流套環(60)内有一排放口 (64)。 22. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置⑴,其特徵為,另 有一包圍程序容器(3)之程序容器⑶。 23_根據申請專利範園第1項所述之裝置(1),其特徵為,本 裝置用為金屬鍍膜裝置》 24. —種處理基板之方法’其以下述程序步驟處理基板,尤 其是半導體晶圓之方法: -藉基板固持件將基板⑺運動至程序容器(3)容器壁(44) 上,且有一定距離之第一位置; -導入處理流體,穿過程序容器,直到基板(7)面向程序 容器之表面’處理流體經程序容器(3)容器壁(44)面向 基板’且向外擴張之内周面’流向基板(7)之外部範園D 25. 根據申請專利範園第24項所述之方法,其特徵為,基板 ⑺被提升至距程序容器⑶容器壁(44)邊緣更遠距離之 第二位置。 26. 根據申請專利範園第24項所述之方法,其特徵為,在程 序容器(3)内之陽極元件及基板(7)間施加電墨。 根據申請專利範圍第26項所述之方法,其特徵為,基板 ⑺面向程序容器(3)之表面有一電接觸。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i - ^ ·、 、裝! t--訂·! * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    【47034 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 28. 根據申請專利範圍第26項所述之方法,其特徵為,依基 板(7)之位置改變施加之電壓。 29. 根據申請專利範圍第26項至第28項所述之方法,其特 徵為’在基板(7)之第二位置所施加之電壓較在第一位置 者為南。 30. 根據申請專利範圍第24項所逑之方法,其特徵為,在程 序容器(3)内導向基板(7)之流動被均勻化。 31. 根據申請專利範圍第3〇項所述之方法,其特徵為,均勻 化疋藉程序谷器(3)之漏斗形危部及/或至少一設置在程 序容器内之孔板(38)達成。 32. 根據申請專利範圍第24項所述之方法,其特徵為,當基 板(7)位於第一位置時’將包園程序容器邊緣之溢流套環 (60)内之排放口開啟。 33. 根據申請專利範圍第24項所述之方法,其特徵為,當基 板(7)位於第二位置時’將包圍程序容器逄緣之溢流套環 (60)内之排放口關閉。 34. 根據申請專利範圍第33項所述之方法,其特徵為,處理 流體在溢流套環(60)内累積,直到處理流體到達一高 度,其至少是基板⑺之高度。 35. —種處理基板之裝置(7),具一可充滿處理流體之容器 (3) ’ 一包圍此容器之溢流件(140),及一用於將基板⑺ 定位在容器(3)上之基板固持件(2),其特徵為,有一控 制裝置,依基板固持件距容器(3)之距離,控制在溢流件 (140)處理流體《液面南度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -24- (绩先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) M, -------^----------線,, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C3 D8 A、申請專利範圍 36‘根據申請專利範圍第35項所述之裝置,其特徵為,控制 單元在溢流件(140)内有一可控制之排放閥β 37·根據申請專利範圍第35項所述之裝置,其特徵為,設有 一在溢流件(140)旁之另一溢流件(160)。 根據申請專利範圍第35項所述之裝置,其特徵為,有一 可調高度之溢流邊緣(188, 194)。 39.根據申請專利範圍第38項所述之裝置,其特徵為,有一 具溢流邊緣(188)之浮體(180)。 4〇·根據申請專利範圍第38項所述之裝置,其特徵為,有一 具溢流邊緣(194)之滑板(182)。 41,根據申請專利範圍第40項所述之裝置,其特徵為,滑板 (I82)是藉一彈簧(198)而受向上預力。 42·根據申請專利範圍第35項所述之裝置,其特徵為,在浮 體(180)或滑板(182)及基板固持件(2)間有一距離維持件 (190; 200)。 43. —種以一處理流體處理基板之方法,在此方法中,基板 藉基板固持件被固定在被溢流件包圍之槽上,且被處理 流體從下向上沖流,其特徵為,在溢流件内處理流體之 液面高度是依基板固持件與槽間之距離而加以控制。 44. 根據申請專利範圍第43項所述之方法,其特徵為,處理 流體之液面高度是由一排放閥加以控制。 45. 根據申請專利範圍第43項所述之方法,其特徵為,處理 流體之液面高度是由一可調高度之溢流邊緣加以控制。 46. 根據申請專利範圍第45項所述之方法,其特徵為,溢流 本紙張Λ度適用中國國家標準(CNS)A4規袼(210 X 297公釐〉 -25· (諳先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) ,裝 -------矿·! ·線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4470 3 4 A8 B8 C8 DS 六、申請專利範圍 邊緣之高度是由基板固持件加以控制。 47.根據申請專利範圍第45項所述之方法,其特徵為,有一 具溢流邊緣之先件在向基板固持件方向被施以預力。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I— n i ft 一ffJ n n .^1 n n tt i 線、: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ氏張皮度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -26
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