TW439137B - Method for storing carrier for polishing wafer - Google Patents
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Description
五、發明說明(1) I明背景 本發明係關係到用於拋光矽晶圓之載具的儲存方法,於 ~些拋光製程中該晶圓的兩表面係同時地加以拋光。 近年來已對於矽晶圓的拋光投入關注,特別係在於同時 抛光晶圓的兩面,然而在拋光期間於該矽晶圓上所發生的 刮傷係為一個嚴重的問題。 形成如此刮傷的主要原因乃歸因於一載體以及用於驅動 該載體之一插梢套’如此的一種載體插梢的配置係在日本 專利申請案8-096166號中加以揭露,已在這些元件上從事 改良以減少到傷的發生率。 然而隨著不斷地改良,可容許到傷的規格已變得更為受 限,只容許更少且更小的刮傷,因此需要更進一步的改良 以便更為嚴格地控制該載體具。 迄今載體係以一乾式條件(例如圖3中所顯示者般)加以 儲存此處的載體3係為水平地加以置放於一儲藏室1内的 數個在輥子4上所配置之載體設置器2上。 已發現因為如此之乾式儲存會持續地產生线接受的刮 傷水準,更有甚者乃係一矽晶圊上的刮起數目隨著在拋光 製曰中冑體的使用次數而增加’據信該到傷係由污染物 (像疋當一載體係以一受儲存者加以取代而該載體容納欲 1口以拋12石夕曰曰圓時’在該載體上的殘餘研磨液)所造 成,>5染物亦可造成 风需使用一全新的載體的結果。 有鑑於前面提到的問顳士 ]超本發明之目的在於提供用於儲 存一晶圓抛光載體的方法 —„ 万法該栽體係以一種方式加以儲存
第4頁 43' 五、發明說明(2) ,該方法可以減少在拋光期間於— 刮傷’特別係在同時拋光晶圓 f曰曰圓表面上所產生的 發明概要 兩表面時更為明顯》 本發明提供了用於拋光一矽晶 圓上產生較少的到傷;t玄方法方法’其可以在矽晶 拋光設備來加以利用,提供—箱^在不大幅地變更現在的 及提供一種用於同時拋光一晶:二經濟使用的方法’以 方法。 圓兩側之晶圓拋光製程上的 本發明提供了用於拋光矽晶圊 法包括在-晶圓拋光步驟内與一曰^具,儲存方法,該方 地被浸於含有去離子水之液體中::體起使用前儲存完全 。,、他的目的'、特Ji 係至為明顯而部份將被指出於後 圖示簡單說明 ^係為一概要說明圓示顯* 了本㈣用於儲存 之方法的一個具體實例; 趙 圖2係為一概要說明圖示顯示了本發明用於儲存一 之方法的另一個具體實例; 圖3係為一概要說明圖示顯示了習知用於儲存一載體 一個具體實例; 圖4係為一圖表顯示了拋光數與刮痕發生率間的相互關 係。 對應的參考字指示了全部圖式的數個視圖之對應零件。 元件對照#
第5頁 五,發明說明(3) I repository 儲藏室 2 setter 設置器 3 carrier 載體 4 roller 挺子 5 arm 臂 6 groove 槽 7 stopper 停止器 8 supporting portion 支推部 9 circulation pump 循環泵 10 fi Iter過濾器 II water-suction port 吸水璋 12 water-supply port 供水淳 13 vesse1 容器 14 rack-shaped repository shelf 格架型儲存棚架 16 wire 線 1 8 wi nch means 絞盤裝置 輕佳具體實例的詳細説明 本發明提供了一方法用於儲存拋光製程的矽晶圓抛光步 驟期間所使用之一載體’該晶圓最好同時地在兩表面上加 以拋光,該方法包括在拋光步驟中使用前儲存完全地被浸 於一儲存液體(像是去離子水或包括去離子水之一液體混 合物)的該載體。 最好該儲存液體在儲存該載體期間係處在約攝氏2〇度至 8〇度溫度範圍内之一溫度下,最好該儲存液體在該載體儲 存期間係被施加過濾循環清洗,然而可想像該儲存液體除 了在該載體儲存期間或取代的時機下亦可加以清洗。
7 五、發明說明(4) 根據本發明,此處提供了用於儲存一載體以同時地在矽 晶,的兩表面上加以拋光之另一方法’其特徵在於該载體 係完全地被浸於一儲存液體(包括一液體的混合物與含有 受分解固體之一或多種液體)中加以儲存,該儲存液體的 主要成份係為去離子水。 最好將隨後的成份加至去離子水以便獲得該液體混合物 而且加入以去離子水重量所指示的量: 表面活性劑(去離子水重量的百分之〇. 1至5 ); 氨水及雙氧水;以及
至=面活性劑(去離子水加氨水及雙氧水重量的百分之〇· J 該氨水及雙氧水可為一可溶解的固體。 儲該儲存液體最好具有7至12的邱值,此外該 儲存液體最好施加以過濾器循環清洗。 -:中,一載體與用於清潔研磨拋光墊之 條體與-刷子完全地被浸入在儲存液趙中的 全ίίϊίίίΚ::存一載體m,-载體係完 加以清潔的條件下加以儲存及自儲存下 在該載且開始被:乐物不易被允許在載體上乾燦且即另 容易地:以黏著至該載體之故所以可以 隨著刮傷的數目而降低。先期間會造成刮傷的污染物會 第7頁 43 9t 37 五、發明說明(5) 本發明的方法不僅可應用至先前提及之載體而用於抛光 ’亦可應用於一刷子而用在清洗一研磨抛光塾。 被使用在本發明中的去離子水最好係藉由使用一電氣恢 復式離子交換器加以淨化的超級去離子水,該離子交換器 中一離子交換樹脂與一離子交換膜係組合地加以使用或以 一逆滲透裝置加以淨化。 本發明的液體混合物最好藉著在該產生的混合物中加入 去離子水大約百分之0. 1至5重量(不含水)之一表面活性劑 來加以準備。 此舉可將清洗被黏著至該載體之污染物(特別是粒子)的 一個效應分給儲存液體而接著藉由過濾加以移除,通常說 水比(:)雙氧水比(:)去離子水的一個體積比係被控制在 大約1:1:10至1:1:200的大概範圍内。 可使用在本發明中的一個表面活性劑係從陰離子表面活 性劑,陽離子表面活性劑,非離子的表面活性劑與含酸的 表面活性劑中加以選擇,最好使用非離子的表面活性劑與 含酸的表面活性劑來移除污染物。 其次本發明用於儲存一載艚夕__ r 秋篮之方法係詳細地加以敘述 圖1係為一概要說明圖示顯示了本發明用 之方法的一個具體實例。 二Ξ 1中所祐顯不之一用於儲存一載體的容器13係以儲存 的液體加以填充,該液體最好首先加以過濾清潔。 -部份的前面提到之去離子水或液體混合物(儲存液體)
第8頁
係藉由使用〜循環泵9從_個被配置在容器底部的吸 11加以導入至一過满器1 , ώ .套 垃“。士外- 濾0加以以過濾清潔而 持續地經由該容器13的上部内所配給的一個供 供應至該容器13 〇 ^ ^ u 至於該過濾器10最好使用〇 〇5至1〇微米過濾能 個過遽器。 如上述因為去離子水或液體混合物係常時地在容器内循 環導致就算粒子在一載體從該容器置入或移除期間加以導 入至該容,實質上沒有粒子會黏著至一載體,一載體應在 使用後乾燥削加以置放於該容器内以便幫助粒子自該載體 處移除,因該粒子不是乾燥所以其不會立即黏著至載體且 即令粒子黏著至該載體時亦然,故該載體可以簡單地在使 用或再次使用之前加以清除。 最好一載想係藉由使用例如圖1中所顯示的一個臂5於用 在儲存一載體的容器中加以取出及置放。 該臂5包括數個槽6各用於在握持一載體3,一停止器7在 該臂5係加以定位而用於移除或導入一載體的期間固定該 臂5 ’以及一支撐部份8可以該臂5 (或支撐部份8)可向上及 向下移動的一個方式將該臂5支撐在容器13的預定部份處 該載體3可被導入用於儲存被浸入在儲存液内之載體的 谷器内,例如一載體可自一格架型儲存棚架14處加以懸掛 ’該棚架係在容器13中以一線16(該線亦被連接至一絞盤 裝置18)加以懸掛以便將該棚架可操作地向上與下移動至
第9頁 43 91^7 五、發明說明(7) ' ---—- 圈2中所顯示之容器13中的預定位置。 最好該線16係由具有低沾塵特性的一種材料) 例如尼龍(nylon)或類似之物適於用作該種材料’ 關於儲存一載體的該容器13,最好該容器 通常在載體儲存期間加以密閉以避免室 器13中,該容器13亦最好加以配置在像是一鉦j 清潔空氣環境内。 …' 、本發明係在實施例的基礎上更為詳細地加以彳 並不意味著本發明係為此等實施例所限制。 每一矽晶圓的刮傷發生率(每sl的計數)係在 由使用具有一10的5次方勒克斯(105lux)昭明度 以及決定由污染物所引起之可觀察到的到傷藉 施以肉眼觀察所獲致。 -載體3係藉由使用圖"所顯示的容器以加』 以如此之一方式完全地浸在一液體混合物中,^ 為攝氏40度之一溫度而循環由一過濾器1〇 (1 〇 能力的過濾器)所清潔的去離子水。 接著藉由使用前面提及之載體同時地(以正常 一矽晶圓的兩表面數次。 以製成, 9 開放上部 被導入容 室的一個 述,然而 暗房中藉 丨照準光 對矽晶圓 儲存,其 混合物係 支米濾清 Ϊ"式)拋光 的一個關 儲存,其 混合物係 濾器1 0 該晶圓上拋光步驟的數目以及刮傷的發生率間 係係在圖4中加以顯示。 -載體3係藉由使用圖【中所顯示的容器i 3加以 以如此之一方式完全地浸在一液體混合物中,該 為攝氏40度之一溫度與約為1〇的"值而藉由一遥
五、發明說明(8) (1. 〇微米濾清能力的過濾器)循環一過濾器清潔混合液體 〇 該液體混合物藉由加入(巴斯夫(BASF)公司所製)百分之 0.5重量的L-64當作一表面活性劑’百分之〇·5重量的30% 氦水與百分之0.5重量的30%雙氧水(基於所產生的混合物 中去離子水的總重)至去離子水。 接著藉由使用前面提及之載體同時地(以正常方式)抛光 —發晶圓的兩表面數次。 該晶圓上抛光步驟的數目以及刮傷的發生率間的一個關 係係在圖4中加以顯示。 一載體3藉著使用一個用來儲存圖3中所顯示的—個載想 之容器1以一種乾式條件加以儲存。 藉由使用該載體同時地(以正常方式)拋光一 ♦晶圓的兩 表面數次。 該晶圓上拋光步驟的數目以及刮傷的發生率間的一 係係在圖4中加以顯示。 關 如圖4所顯示者般,一矽晶圓上到傷的發生 較的實施例而言乃在實施例1與2中被降低。 权於比 更進一步在實施例2中在一梦晶圓上刮傷的發纟 於僅使用去離子水的案例,#由將一種表面活性劑率相較 與雙氧水加入至去離子水可降低的最多β 氨水 從以上的敘述可以相當的清楚根據本發明可以將 儲存在-個清潔的條件了,而在同時地 =艘 表面期間在-發晶圓上所經歷的刮傷可加以達:曰:圓的兩
第11頁 五,發明說明(9) 當介紹本發明的元件或其之較佳具體實例時,該冠詞 ,,a" ,”anH ,nthe"以及nsaid”意圖表示該元件之一或多個 元件的意義,該術語"包含","包括"與"具備"係意圖視為 包含且意咮著除了以上所列示的元件外還有額外的元件。 因為可在不偏離該發明的範疇之下於以上的架構中作成 無數改變,故所有包含在以上說明或附圖中所顯示的所有 事項係意圖加以詮釋為舉例說明而非限制的意味。
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 u ~種用於儲存拋光一矽晶圓中所使用之一載體之方 法,其特徵在於:在一晶圓拋光步驟中與一晶圓一起使用 則’儲存完全地被浸於含有去離子水之液體中的載體D 2·如申請專利範圍第1項之方法,其特徵在於該液體具 有約择氏20度至80度溫度範圍内之一溫度。 3·如申請專利範圍第2項之方法’其特徵在於該液體受 到過濾循環清洗。 4.如申請專利範圍第3項之方法,其特徵在於該液體實 質上整個係為去離子水。 _5_如申請專利範圍第4項之方法,其特徵在於該晶圓係 同時地在兩表面上加以抛光。 6.如申請專利範圍第1項之方法,其中該液體係為包括 實質部份係為去離子水之一混合物。 .7.如申請專利範圍第6項之方法’其中該混合物包括該 ,合物中之去離子水的總重量約百分之〇1至5範圍内之一 表面活性劑》 8·如申請專利範圍第6項之方法其中該該混合物包括 氨水與過氧化氫。 9 ·如申請專利範圍第6項之方法其中該混合物包括氨 η , 於化氮與該混合物中之去離子水的總重量約百分之 0.1至5範圍内之表面活性劑。 納匕19如申請專利範圍第8項之方法,其中該混合物具有 約7至12之一酸鹼度(⑽值)。 11.如中請專利範圍第9項之方法,其中該混合物具有4391 37 六、申請專利範圍 約7至12之一酸鹼度(pH值)。 12. 如申請專利範圍第6項之方法,其中該混合物具有 約攝氏20度至80度溫度範圍内之一溫度。 13. 如申請專利範圍第12項之方法,其中該混合物受到 過濾循環清洗。第14頁
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