TW434872B - Method of fabricating a semiconductor device - Google Patents
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Description
43 4 Ο Α7 Β7 五、發明說明(/ ) 發明背景 發明領域^ 本發明族有關一種半導體裝置之製法,旦特別是有關 --種具有ί呆險絲盒和使用一站刻停止薄膜,所Μ留在保險 绦盒上之絕緣薄膜可具有一固定厚度的半導體裝置之製法 先前技藝之說明 一般,半導體裝置之的製程產垄在製造外線取代行與 列線時而被改良Κ避免當一個電池在半導體裝置中的列行 線故障時而整個晶片故障。該製程產率也可藉由提供具有 複數保險练之複數画保險绦盒取代較差的線,和利用藉由 切斷連接到相當線的保險绦而連接到新線之修理方法而被 改:良 另一方面,在半導體装置中彫成多層的情況,厚絕緣 薄膜籍由下列方法可在谣險絲盒上豚成。一般,保險絲藉 由,例如,在半導體底材上所形成的字元線或字線遇接。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝 丨訂· -------蜂!! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為接 體的 片 因連 導上 晶 , 線 半盒 在 需障 據綠 其 必故 根險 據 是與 數保 椐 度 tB,a, 厚 後 之果 厚 定之 層结 的 固 試 多。 膜 的測 的加 薄 膜 片 層增 緣 ~ 薄晶。線而 絕-3 緣的法配出 之 絕置方屬成 上 的裝if金集 :M 上體切中 高 加絲 面 0. 行其較增險 表半 執-成度 保 盒和 確.外變 M. 茌 ¾法精之地的, 險方绦此漸膜者 保成險除逐M再 持完保 置錄 雄在的 裝絕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(V ) 中之位置而不同。厚度之差異使得在修復過程期間不可能 精確地切斷在保險绦盒之保險絳。 圖1顯示一般保險絲盒之線路圖,其中複數個保險絲 '2排列在保險絲盒4中。 圖2為顯τκ保險絲盒之狀態的截面圖,在完成根據先 前技藝之半導體裝置之後,其棍據圖1之線A ~ A顯示。 提供一種作為在下絕緣薄膜1 G上之保險絲1 1的導電層 。上絕緣薄膜1 3藉由下列方法將變厚,且除去在保險絲盒 上所形成之上絕緣薄膜1 3K進行修復方法直到在保險絲上 之上絕緣緣薄膜1 3保持固定之厚度B。此外,如果保險綠 11暴露在大氣中,其將被腐蝕;因此,保險絲之表面必須 具有固定厚度之絕緣薄膜。 因此,如果在整個晶片中保險絲上之絕緣薄膜保持均 勻則不會有問題發生,但是當製造半導體裝置之方法產率 減少時,則會產生問題,其因其甲保險练沒有完全窃斷之 較差塔復方法而發生。因為厚度之差異視晶片之位置而定 ,餘留絕緣薄_不完全被除去。 發明之概逑 因此,本發明之一目的為解決包括在製造半導體裝置 的W初方法中之上述問題和提供一種半導體裝置之製法, K此方法在保險絲盒上彤成訑刻停止薄__,及完成半導體 裝置之方法‘:在最後步驟中,保險絲上之絕緣薄_藉由除 r: mm和uug ± m m_z触刻方法保持固定厚度 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·' -線 434S72 A7 B7 五、發明說明(1 ) 拫據本發明之一觀點,提供一種製造具有用於修復保 險絲之半導體裝置的方法,包括該等步驟: (請先閱讀背而之法意事項再填寫本頁) 在包含禝數個其中提供有複數個保險絲的保險絲盒之 整腫结構上形成中間絕緣薄膜; 在保險絲盒上的該中間絕緣薄膜形成蝕刻停止薄膜圖 彤; 彤成上絕緣薄膜; 蝕刻在該保瞼絲盒上的該上絕緣薄膜K桌露該鈾刻停 止薄膜圖彫;和 除去暴露之該蝕刻停止薄膜圖形,藉肋該具有固定厚 度的中間絕緣薄膜保留在各保險絲盒。 蝕刻停止薄膜由導奮性層或或具有與中間絕緣薄膜不 同之蝕刻比的絕緣薄膜所組成。 本發明的另一画特徵為形成在保險练盒上之飽刻停止 薄膜。 圖式的簡S說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明其他目的和覲點將從下列具體實拖洌之說明與 參考圖式變為顯而易知: 圖1為先前技Μ所使用的保險絲盒的設計圖C· 圖2為根據圖1的媒A - Α之截面圖。 圖3至圖6為顯示根據本發明的方法製造半導體装置 之步域的截而圖_ 闔7為使用於本發明的照險絲盒的設針鬪, 一 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297 ϋ ) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 3 4 8 7 2 ' A7 _B7 五、發明說明(+ ) 圖 式 符 :號 簡 要 Μ 明 2 , 1 '1 , 1 保 險 絲 4 薛 m 絲 盒 1 0 1 ‘Z 0 下 絕 緣 薄 膜 1 » 2 τ* 上 絕 緣 m 膜 t π 中 間 m 緣 薄 膜 2 5 蝕 刻 停 止 薄 膜 5 a Λ^, g虫 刻 停 止 薄 tfii m 圖 形 3 0 > 4 0 光 阻 劑 薄 膜 Teal 函 形 5 0 複 數 涸 保 咖 絲 6 0 厶4» 5虫 刻 停 止 薄 膜 圖 形 ry 〇 保 險 絲 盒 較 佳 具 3Μ 體 實 拖 洌 詳 细 說 明 κ 下 » — 種 根 據 本 發 明 的 半 導 體 装 置 之 製 法 將 會 裉 據 所 附 圖 式 詳 细 地 被 解 釋 im 至 圖 為 顯 一 種 根 據 本 發 明 製 造 半 導 體 3士 Π33 M. 之 方 法 的 觀 商 画 卿 7 為 使 m 於 本 發 明 的 保 σ.^· m 绦 合 HTL 的 設 計 圖 > 其 表 示 複 數 個 保 險 5 0 > ί呆 m 盒 7 0 > 和蝕刻停止薄膜圖形6 0 t > 如 _ 3 所 示 t 截 面 Γ&η m 表 示 甶 在 下 絕 緣 薄 膜 2 0 上 的 導 m 層 製 造 之 保 m 絲 2 1 , 中 間 絕 緣 薄 膜 2 3 t 和 包 含 導 電 簿 膜 或 與 下 絕 m m m Z 3 之 蝕 刻 比 例 不 同 的 Μ m 薄 膜 1 * 蝕 刻 停 止 薄 膜 2 5 } 在 其 上 Ϊ® 塗 m -一 層 光 阻 m 薄 膜 1 和 甩 於 m 由 暴 /ff? 1?S 和 -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-l· — —-----線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
A7 _B7_ 五、發明說明(S ) 顯影方法之轴刻停止薄膜圖肜的光阻劑薄膜圔彫3 0。 另一方商,四乙基原矽酸鹽,Τ E 0 S,可用以作為蝕刻 停止薄膜2 5。此舛,在製造字元線或字線時,可同時製造 保臉,¾ 2 1。 參考圖4,使用先阻劑薄膜圖形3 Q Μ蝕刻暴露的蝕刻 停止薄膜2 5,形成蝕刻停止薄膜圖形2 5 Α。 在除去光阻劑 薄瞑圖形;3Q之後,上絕緣薄膜27被形成在蝕刻停止薄膜圖 形2 δ _4上。在此時,上絕緣薄膜2 7可包含複數個在下一個 過程所彤成的絕緣薄膜。 此'外,一般顯示光姐劑薄膜塗覆上絕緣薄膜上。光姐 劑薄膜圖瑕4 0係在暴露和顯影方法中藉由利用保險線盒光 罩形成。 任何的材料*例如,S3 P S G (溴-磷-矽石-玻璃),P3G ( 鱗-δ;^石-玻璃),B S G (漠-砂石-披璃),或S 0 G (在玻璃上旋 轉)> 其具高於蝕刻停止薄膜2 5之蝕刻比作為上絕緣薄膜 2 7使用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -一〆 ---- 訂L — f------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 置 鬪 阻可 光 膜 光23 新薄 去膜 , 止 除簿 定 停 由緣 而 刻 藉絕 境蝕 Μ 間 環露 所中 視暴 度有 s Μ 厚只 但27定 A , 膜 固25。 置薄 持形上 先 緣 維圖ώι 板絕 示膜¾ 圼。上 顯薄險 可盒去 般 止 保 罩絲除 一停的 光險, -刻盒 盒 保 5 6 蝕絲 絲成圖 圖和險 險.形考。考40保 保來參 h 參 形在 用25__ 在 可 彩 劑留 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21CU297公釐) 4 4 ^ ώ Α7 _B7_ 五、發明說明(& ) 在此時,中間絕緣薄膜之厚度在每條保險绦上保持不 變。因此 >'所需要的保險絳可在修理過程期間正確地使屈 雷射切斷。 如上所述,根據本發明的方法,在保險綠盒上彩成中 間薄_,及在其上彫成蝕刻淳止薄膜,及藉由下一屆方法 形成上.絕瞑。其後,上絕緣薄韃和保險絲盒上的蝕刻 淳止薄膜在半導體装置之最後過程中除去。结果,半導體 裝置的生產率可被改良。 雖然本發明的較佳具體實施例已因說明之目的而揭示 ,該等讅熟該技藝者將會認知各種修正,加成和取代是可 能的,而沒有離開如後附申請專利範園所掲示之本發明的 軍G圍和精神。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -IV- 裝--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS)A4規格(210x 297公釐)
Claims (1)
- ABCD 1申請專利範圍 1 . 一種具有S於丄® j复之保險銳,半導體装置之製法,包括 該等步驟 在®含複數個其中提供有複數個保險絲的保險绦盒之整 倨结構上形成中間絕綠薄腾; 在保險線盒上的該中間絕緣薄膜形成触刻停止薄暖圖形 ,該蝕刻停止薄膜由與該中間絕緣薄膜之蝕刻比例不同 之絕綠薄膜锻成; 形成上絕緣薄p ; 鲑刻.在該保險絲盒上的該上絕緣薄膜K暴露該轴刻停止 薄膜圖瑕;和 除去暴露之該蝕刻停止薄膜圖彤,藉此該具有固定厚度 的中間絕緣薄膜保留在各保險絲盒。 2 .根據申請專利範圍第1項之方法,其中該蝕刻停止薄膜 為導電層,> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 卜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A-丨規格(210 X 297公®)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |