TW423027B - Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection - Google Patents
Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection Download PDFInfo
- Publication number
- TW423027B TW423027B TW087111106A TW87111106A TW423027B TW 423027 B TW423027 B TW 423027B TW 087111106 A TW087111106 A TW 087111106A TW 87111106 A TW87111106 A TW 87111106A TW 423027 B TW423027 B TW 423027B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- processing
- wafer
- semiconductor
- robotic arm
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
4^3〇2
五、發明説明(1 ) 經辦部中央標卑局只工消贽合作社印 先前申請案之參照 此申請案已於1 997年8月1 8曰在美國被提出申請,專利 申請案號爲08/912,726。 發明頜域 本發明大體上係關於半導體製造,且更特別地關於在一 追跡系統上處理半導體晶圓,其中該追跡方式曝露晶圓之 背倒,因此容許至晶圓背面之粒子檢測路徑。 發明背景 當晶圓直徑隨著時間增加_,且微影特性大小隨時間減小 時’對一半導體晶圓之一背.迥上微粒子污染之控制變得重 大’需要此等控制係因微影積體電路(I C )之特性尺寸縮小 時’焦點之微影深度隨著此等較小特性之製造而變得更受 限制之事實所致,此外此焦點深度衍生之問題隨較大晶圓 而惡化’較大晶圓係難以保持在一平面位置,若該晶圓或 更特定地之該晶圓曝露領域因晶圓背侧污染於微影曝露之 間而热法保持一完全平面時,則微影機具無法均勻或正確 地曝露整個晶圓而導致小晶片被刮傷,因此存在—種需求 其中晶圓背側上之污染必須被嚴密地監視以便及時檢測並 修正,以便在往後數年間改良I C之製造。 4疋供第1 - 2圖以舉例説明晶圓背側之污染問題,第]圖中 之先前技藝舉例説明了 一半導體基質1 〇 (晶圓)經由使用一 種暂知之有機晶圓夾爪處理後之情形,如舉例説明於第1 圖中者,一污染記號1 4被遺留於基質1 〇之上,於—正常處 理循環中簡單籍由置放該晶圓1 〇與失爪接觸而轉送至該半 __-4- 本紙依尺度適用中囡国家榡率(CNS) A4規格(210><297公釐) I ^11^1 、\έ -- b (請先閱讀背*.v/注意事項存填寫本頁) A7 B7 42302 五、發明説明(2) 導體晶圓之一背側之上’第1圖中之污染係一夾爪已被置 放與該晶圓接觸且也被處理一段時間但仍舊沒有可爲作業 員檢查到之可見缺陷時所產生之污染,該各別的污染物/ 粒子1 2於晶圓1 0上形成該污染記號,已爲一先前技藝外型 雷射粒子系統所檢測而於第一圖中提供了舉例說明,當半 導體特性尺寸達到〇.25微米及更小時,於該半導體之一背 侧上之各別污染物1 2因焦點深度係隨I C技術之進步而持續 減少,而對於微影模式產出將具有一漸增地較大效應,因 晶圓背測之污染可導致晶圓之某些部分於微影曝露處理間 落於焦點外側,所以產生係.<過來會爲以前無害之晶圓背 側污染所衝擊。 - 爲了降低半導體晶圓基質1 0之背側上之污染量,陶竟或 其他之無機晶圓夾爪组件已被使用,第2圖中舉例説明了 一種如此之陶究晶圓夾爪之污染記號,第2圖中之一半導 體基質2 0於一正常處理週期中已被曝露於一陶资夾爪,第 2圖之該陶瓷夾爪係相當地新其中大約]〇〇個處理週期已發 生於晶圓2 0之污染量測前在第2圖中所利用到之陶究爽爪 之上’如第2圖中所舉例說明者,一顯著的污染記號2 4開 始發生於該晶圓20之上’即令該陶瓷夾爪係相對地未被使 用,易言之,該微粒子/污染物2 2仍藉由晶圓2 〇與陶瓷夹 爪間之簡單接觸而沉積於晶圓2 〇之背側,鈐蚨呤為衣 可降低背側之污染,該晶圓2。仍以類似於第: 機央爪處理晶圓丨0之一方式受到污染,由於晶圓背側之污 染物移動至裝置區域對後續處理產生之—結果與晶圓背倒 -5- 本纸張尺度適用中國^家標準(CNS ) A4規格(_ 2[OX297公釐) '---*-- 1 — i * ~~ H ~~1 ' ί I I ™訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經的部中央標翠而只工消资合作·社印策 4 i.fe經硭部中央標芈局只_x消货合作社印¾ ^3〇 2 7 A7 B7 五、 發明説明( 上之物質污染可影響小特性尺寸裝置之形成對於其對隹勢 深度之效應,嘗試去降低晶圓背側污染而超越第2圖中所 舉例説明者係很重要的,因此具有一原型方法與設備以 即時地於產出受到衝擊或橫越污染發生前檢出與修正半復 體基質上之背側污染係有優勢的。 ^ —先箾技蟄中監視半導體晶圓背侧污染之方法係去執疒 個別晶圓處理間處理區域之一視覺檢查,於該视覺檢Z 間,一個作業Μ可手動地檢查該晶圓夾爪,操縱器以及^ 他能污染晶圓之處理位置,-以決定在晶圓失爪上是否有: 何可見之污染物,此方法H顯限制係在於其爲非常主觀 之測試,因此結果令依個別作業員而變化,此測試更進一 步之限制係在於較小特性尺寸受開發時,檢測該污染之能 力係假設污染可在造成一問題之前發現,該產出降低之污 染並非總爲人眼可見,因此會反過來影響現行技藝之非常 微小粒子將不被檢出,例如,具有一 0 25微米或更少之小 特性尺寸裝置時一〇」或〇 2微米之晶圓背侧污染物可能會 導至焦域深度之—偏移而足夠反倒衝擊產出,此外,一加 成效果發生於較小粒子相互建立以實際產生會導致先前所 討論之污染議題之較大粒子時,此大小之一粒子將無法爲 人眼所檢測’因而對一丨C製造者造成相當之財務損失3 目視檢查製程之—最終限制在於其需要設計處理機具以 便使該處理失爪對作業員而言係實際可見之此一事實,於 工具上之此一限制,實際上而言許多機具並不容許如此之 一目視檢查之發生,更有甚者,一旦—單夹爪或晶圓受到 -6 - 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ί讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 i |裝_
-1T 料2袖神。6號專利德,本私八4 2 3 0 2 7 中文說明書修正頁月) 五、發明説明(4 亏5且未出時此晶圓或夹爪可污染許多其他之晶圓或 “因此會導致更為蔓延的污染,若未被檢出則一小面積 疋二染可蔓延至大面積切染(即橫越污染已發生 第一先則技藝中4 —執行污染檢查方法係於一機具中去 實際運作-測試晶圓經過一些處理步騾,a晶圓於每一個 別處理步驟中係被自機具移除,翻轉且於晶㈣側掃描, 且藉由外型雷射製程以決定由該製程引入之污染,為了針 對每&红▲作污染之監視’每一受處理晶圓將須要移 除,掃描以及再引入機具之内以測試機具中纟另—處理 1:,此製程(該限制係—測試晶圓將普遍地被使用且需自 孩處理機具移除該晶圓以檢測污染,1製程亦令反過來影 響產出且能及時檢出污染以避免不利的污染蔓延於機具之 中’正常的晶圓不能以此方式處理,因該晶圓之活性面於 晶圓在-粒子掃描機具夾爪上翻#時代表性地會受損壞, 整體而言此製程於一現代半導體製造環境而言係很慢,欠 缺效率,費工且高費用g 經濟部中失榡準局男工消费合作社印裝
Hr I I! I - n^p I , --- - 1^1 I -I— I ——.1^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現今習知的外型晶圓背側粒子檢測係無效或無效率,晶 圓背側5染威脅到由於缺乏立即㈣及修正以及在較大晶 圓且/或較小微影尺寸中積體電路上產出之降低,原型污 染疋一方法未被發展以在一多處理室機具内避免污染之蔓 延,於夕處理▲内之機具,使用外型技術確認此一"問題 處理室”係兴效率或不正確的,通常_旦一測試晶圓自一處 理機具檢測到污染,於已處理晶圓上之潛在產出損壞即已 造成,為了避免此等問題,許多製造設施通常惰化製造設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2[0X297公;t ) 4 2 3 Ο 2 7 Α7 Β7 五、發明説明(5 ) --------1装------訂 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本莧) 備且以頻繁之間隔手動清潔不同的處理室以避免不能容易 被檢出之一污染問題,此系統之”溫度維護"以避免晶圓背 側污染問題係高費用且令降低該製造設施之產出,甚若已 採取修正動作亦無任何現存之機構吾人可在不重覆製程下 藉驗證該修正是否有效。 因此,可有效率地檢出且修正一製程之内晶圓背側污染 之一自動方法將令有益處s 圖式簡單說明 須瞭解爲了舉例説明之簡1匕與清晰起見,具例説明於圖 式中之元件不須成比例繪製,’―例如該元件之某些尺寸相對 於其他元件係爲了清晰起見而被誇大,更有甚者此處視爲 適切之參照數字於該圖例之間係重覆以便指示相對應或類 似的元件。 第1和2圖舉例説明了於半導體晶圓背侧之記號: 第3圖係以平面圖舉例説明了支撑—半導體基質之一機械 臂: ' 第4圖係以橫剖面圖舉例說明了用於傳送半導體基質之一 機械臂: ~ 第5圖係以一平面圖舉例說明了如太双。 ^ i如本發明用於處理半導體 晶圓之一機具: 罘6圖係以一橫刹面圖舉例説明了當^ ” 元乃了弟五圖中之該機具: 弟7圖舉例説明了本發明之—實 β .芦'她具體實例之一流程圖: 弟8圖舉例説明了本發明之另—杂 «把具體實例之一流程 圖3 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS〉Λ4規格(21〇><297公酱 ^3〇 27 A7 B7 五 經济部中央標準局K工消费合作杜印繁 、發明説明(6 大體而言,本發明係關於一多處理室機具内所進行之肩 =步戰間對於-丰導體晶圓上之背側5染的監視方法,矛 ~第一形式内之一雷射源與—檢測器係安置於一機械臂身 上’或於-半㈣處理機具之内追跡,該雷射與檢測器尹 趙機械臂在處理室間搬動晶圓時係與機械臂—起移動,甘 處理室之間運送時’科㈣晶圓之背㈣藉由—位在摘 械臂上之雷射光束來掃描’因此雷射散射係由位在機械辟 上之-檢出器所檢出,該雷4與檢測器於機械臂運送中: /或孩機械臂係在處理程序-乞之處理室間靜止不動時,接 著掃福晶I®之背側,該絕對粒子計數與微分/増量財 係自一處理室接著處理室,❺圓接著晶圓,甚: 送接著運送之基礎上過之資料而被計算。 藉由在晶圓被引入-新機具或離開該機具時檢 即可監視污染之水準,此,亏仇式啟 ’’ 此〜或铽払子資料係由電腦听 子人。i ,且可用於在橫越污染發生與衝擊到I C產 立即驗證出一有問題之晶目,如此處所敎示之原 則 可立即決定污染源(即用於處理之該最後之處:心 即時檢測到污染’則晶圓背測污染可藉由—清互 製程而受到修正,不像先前技藝中所敎示之外 製 外當-晶圓被判定受到污染時,引起污染之該處理室二 持續污染需加以清洗,敎示於此之:: 千丑也強化產出,不會反過來衝擊 降低設備之停機時間,且可使未來朝降低特性尺寸之、佳可 ________ - 9 - 張尺度關相时辟( ---------裝------訂 <諳先聞讀背面之注意事項再填巧本頁) 4 2 3 0 2 7, 五、發明説明() 成爲可能而可增加晶圓尺寸。 另一具體實例係在用於晶_ 叫®背側粒子柃出夕夕南 内設計一特定區域,此區域不、 丁乙足夕處理室之 臂,其中該粒子檢測區係爲、a、接至如上所述之該機械 多處理室機具内之此粒子卜 < 且機械臂必須將晶圓帶至 出晶圓,於指定之粒子檢剛該機械臂自處理室取 測接著運送該晶圓至下—個^二&炙印圓背侧執行粒子檢 不會阻礙該機械臂之行動或使機===實例並 ,,^ _ 時間而稍擞降低了產出,费古 甚者,敎⑽此之原型粒子I描方法可設定僅 ^ 側之一指定區域,並中迚也^ 重抑彳田阳圓背 理機姆丄二::區:係最可能藉由-特定處 現在可變爲定量方式而容許==定量粒子檢查製程 人員ΐί王觀性,晶圓背側粒 ·' 用先則技藝中之技術係爲不可行或不可能,因此—= 在可從粒子掃描資料判定, %匆見 !_龙Η η ''阳圓3側污染超過規格時停 止處垤日3圓通過該特定之有 Ί處理至,且自動地開始修 正的動作,而自動確認該修正動作是否成功亦係可能。 紂辦部中央標卑局另工消贽合作社印災 I I 1 -I --I I —I- n I 士^〈 ^^^1 - -I ---I I II - ^ J- (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 該發明可參考第3-7圖更能被瞭解。 第^舉例說明了―機械臂UQ ’該機械臂川具有—環 =沖分1丨4,於一具體實例中之該環狀部分114在該手臂之 n開口’因此各別之半導體晶圓可自動地被拾取而 回4至料臂,該機械臂丨财具有插梢112位於環狀部分 底祁’可用於貫質地籍由重力握持/支撑該丰導 -10· 本紙張尺度適用中囡國家標準((;]^)六4規格(2】0><297公釐〉 4 <^3〇2 7 % A7 B7 五、發明説明( 8 .¾¾.部中戎標準局只工消贽合作社印发 體基質i20 ’須注意機械臂110係如此設計以便使該半導體 基質120之背側被打開且曝露於其下之物體,僅該晶圓12〇 之之少許重疊區域與插梢丨12未用於背測掃描/處理,— 該重疊之最小化可容許最大的被掃描之晶圓背側區域,第 3圖之舉例説明係該晶圓120之一晶圓背側梘圖,其中該晶 圓背側之一反側係爲一晶圓之活性區,其上可形成活性— ic電路,因此,該插梢112被具有延伸於半導體晶圓周 邊内一3公厘邊緣排除帶之内,於此受到處理之該晶圓係 以300公座晶圓爲佳’但可真任何大小之半導體晶$平 面板顯示器3 . 第4圖所示係爲一背側量測系統(BMS)或機械臂系鈇之 —側視圖,使用該背側量測系統以檢測於第3圖之機^ ^ 中所支撑之一半導體晶圓背侧之上的污染,像是粒予:: 背側量測系統包含-能量源220(較佳爲—雷射源) : 器2 10以及一控制器2 3 〇 => 該雷射爾作業中令產生—雷射光束⑵聚焦 - 基質丨20之一部分上,晶圓上雷射聚焦所呈之角 : 周知的係爲一入射离且被預先決定以容許在晶圓表… 什光學雷射光散射法而檢測污染,該檢測器2具有一= 測器部分可接收該反射或散射之雷射光束223 ?二二2 ㈣測器川所檢測之雷射反射模式,該控制器 疋否有一污染點存在於雷射光束所聚焦之處。 ^ 因爲該雷射光束可在任何時間被聚焦於— 要—二维表面之上的資料(非僅爲晶圓 :且而 M ^點),馬了檢 11 - <請先閏讀背面之注意事項再填鸿本頁} 1 -裝.
• —i— I 號專利申請案修正於t f 7 ί 中文邊明•書修正頁(趵年8月I辨充 ^ 五、發明说明(9 ) 測橫越一較大晶圓表面上之污染將需要相對於半導體晶圓 移動該雷射以及檢測器系統。 此雷射移動於一具體實例之内將可藉由相對於該較佳靜 止不動之檢測器與雷射而移動半導體基質12〇來達成,此雷 射之光栅知描可藉由相對於該檢測器與雷射來在X和γ抽上 移動該基質120,藉由旋轉該半導體晶圓,以及藉由調整半 導體晶圓之垂直成分或Z軸移動量來達成,此型態之光柵掃 描實質地針對污染來檢查所有該晶圓之背側,對於一熟習 於此技藝者將可明瞭當該基質在空間中保持靜止不動時亦 可移動該檢測器與雷射,以及該半導體基質,或可僅移動 該雷射與檢測器。 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 HI -1^^ In I ]· ί. . * _ -- 〆aJ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本育) 於一具體實例内之該檢出器與雷射將執行光柵掃描及/ 或需要可變之雷射光束22丨精確入射角之定位,而分別地顯 示被連接至該控制器/電腦230之一馬達控制部分212和 222,相反地顯示該控制器23〇係被連接至機械臂1丨〇 ’以 針對當檢測器和雷射未實際連接至第3圖之一具體實例内之 機械臂11 〇時相對於該雷射和檢測器控制半導體基質12〇表 面之目的,此外顯示了用於該檢測器與雷射兩者之連接部 分214與224,因此於另一具體實例中之該檢測器21〇和雷 射220可貫際地被剛性支撐或實際地被連接至第3圖之機械 淳1 i0,此具體實例其中該檢測器2丨〇、雷射22〇以及機械 臂110皆係為靜態連接而將於後續篇幅中相當詳盡地加以討 論。 因較大之半導體晶圓係於該半導體工業中變得更為平 _ ,12- 張;適用中國g家揉準(CNS } A4^ ( 21Qx297公慶 —----
Cj. 02 第87111106號專利申請案 中文說明書修正頁(89年8 id#充 A7 R7 經濟部中央橾隼局貝工消费合作杜印裝 五、發明説明(10 ) 常,則可預期一定量之彎曲將發生於受測試之半導體基質 上,所以將令需要藉控制器23〇之使用來針對此彎曲作補 償,通常該彎曲可被特性化具有一預定之成分,因此根據 被測試之半導體基質之特定點,為了保證該入射角和反射 角係為適當而能適切地由檢測器2丨〇所檢測起見,該機械臂 要能做調整·3 參考第1和2圖之先前技藝如前述之夾爪,其握持半導體 基質且傾向於具有一可重覆之污染記號,因此本發明亦因 各別處理夾爪之結果而期待有背側污染發生於一晶圓上, 其可執行一已修正資料之取得,因此僅有為人所知係污染 圮號部分之資料點或表面區域可實際用來測試污染,藉由 如此作法則可大大地改進該背側量測系統之所有產出,且 可使其更為正確β 第5圖舉例說明了一半導體處理站5〇〇之—平面視圖,其 包含顯示於第4圖中之背側量測副系統,特定地如第5圖中 位於一軌道550上之該機械臂機構11(),第5圖舉例說明了 茲二可能的舉例說明,—第一具體實例其中該背側量測副 系統被安置於機械臂機構ΠΟ之上且可與該機構一起移 動,该第二具體實例係該背測量測副系統為靜止不動於— 站2〇〇内,其中機構110必需可在處理室之間移動該站200 以在處理中當成特定點執行粒子檢測。 於 '"玄^赫之一端,用於背側量測系統之一站200係針對第 —具體實例而受到舉例說明,於此第二舉例說明中一半導 切·基質於藉著處理室51〇,52〇, 530或540之一而被移除 _____ - 13· 本紙張你)---- n n I I . 装 訂 丨 〆 (請先閱讀觜面之注意事項再填寫本頁) W3〇27 % A7 ____ B7 ^ 五、發明説明(11) 時,將籍該機械臂1 1 0延著該踪跡而運送至該停土不動背 側量測站200以便進行背側污染分析,於一第三具體實例 中之背側量測副系統100將實際地存在處理室5 10 - 540之 一的位置之上或之内’例如該處理室5 4 〇可實際地相當於 第5圖之背側量測站200,於第—具體實例中之機械臂系統 1 00係第4圖之系統包括該連接2 14與224以及控制器230, 因此該背侧量測副系統可隨該機械臂系統〖1()自一處理室 移動至另一處理室’於此結構中之粒子檢測與電腦粒子資 料貯存於晶圓在不同處理室5 1〇 _ 54〇之間被轉送時可被進 行且因而潛在地可增加產出_。 第5圖舉例説明了 一輸入或晶圓載具部分6〇〇,其具有自 身之機械臂系統】1〗類似於機械臂系統丨丨〇,其中之機械臂 系統11 1亦可使用上述三種具體實例之一來取得一背側量 測系統,該機械臂系統n i可自一晶圓載具輸入區610 _ 6:>0移動晶圓至包括處理室51〇 - 54〇之處理室環境。 經部中决標卑局只工消费合作.社印、" --------—裝------訂 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 第5圖亦舉例説明了包含不同於系統i 1〇和n丨之自身機 械臂系統之一微影處理室5〇5,該機械臂系統1 1〇與系統 305灸又換係經由一穿透區5〇2而發生,因而機械臂控制可 自一系統改變至另一系統,所以第5圖中舉例說明用於微 影處理晶圓之一多處理室處理機具之該系統係有能力執行 粒子檢測與電腦處理且咛存污染資枓, 第6圖舉例説明了包含—背側量測副系統之一處理系統的 —個橫剖面視圖,該第—具體實例連接該背側量測副系統 至如前述之可移動機械臂系統n 〇和n丨,圖6顯示如使用 ___ _ _ 14 _ ( CNsTMi^TTr^^Fj" —-- 、3〇2 7, A7
Ss. _ B/_ _ __ 五、發明説明(12) 於第二具體實例内存在於整個系統500之一較低部分之背 側量測副系統200,另於一第三具體實例中之—整個處理 室5 1 0 - MO主要地可被用來當成一量測處理室,於餘個系 統之一較低邱分提供該系統2 0 〇之一理由將係爲限制可到 達背側量測副系統之擴散光線之量,因該擴散光線之負荷 將影響雷射裝置之污染讀數’實際上無論位於機具内該背 側量測副系統之副系統位置爲何,限制擴散到該機具上之 光線的量係很重要的’這是較先前技藝爲佳之一優點,其 中該先前技藝需要特定地設計機具,該機具具有處理室系 統或機械臂系統’而係爲作_ t員可取得或可見以得以從事 目視檢查’此舉容許了該機具之類似設計,其係與先前技 藝相反更重視處理,因此該作業員友善之特性以便進行目 視檢查是很重要的3 圖7顯示使用本發明之—流程700,於流程700之步驟7 10 處,特定地材料(例如—晶圓基質)將使用一晶圓載具被運 送至一機具500該機械臂將於步驟71 2被用一半導體基質/ 晶圓來上料,於一具體實例中在被引入一處理室之前’判 定該半導體基質之背側是否於進入時得到一初始污染點而 受到污染係很有利的,因此於步驟7 14處之半導體晶圓將 被引入該背側量測系統,因而該量測系統可係一固定站而 需機械臂來通過該量測系统或該量測系統可爲前述機械臂 系統之部分。 根據由該處理機具所使用之特定製程,當檢測背側污染 時幾個事件之一可能會發生,當檢測到一背側污染條件時 __ - 15- ___ 本纸乐又度適州中國國家標準(CNS ) 現格(210X297公釐) —1 ! I. I — w J I 1 - .11r * -r. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 423027^ A7 B7 13, 五、發明説明( 沿著一流程730之一,,重製”製程之某些内部製程將會發 生’易言之’若一光卩且旋轉步驟會產生過多的背惻污染, 則該晶圓將被清洗且接著經由相同步驟被重新處理(再製) 以期獲得一較佳 < 背倒污染結果,該特別的”問題處理室” 亦可在執行再製前爲了清洗而被關掉以嘗試著増加一次成 功的再製之可能性,通常該清洗係爲一手動清洗步驟,如 此一再製條件可包括一背側溶解帶接著一再驗證步驟(例如 進灯更多(粒子檢測)以便判定是否該再製係爲成功,具代 表性之第一通過”再製”牽涉-到—或多次之去離子水浸潤或 一有機溶液噴霧或於該處項機_具内之浸浴。 。於該事件内之再製73〇之内部處理步驟係無法解決該議 喊 更積極&清洗步驟可發生(例如一外型超音波清洗, 使用大約加熱至攝氏丨20度之雙氧水與硫酸之—種腐蝕清 洗,或加熱至大約攝氏90度之一鹼,胺溶液清洗,此更: °:式:Ώ ’先〈-替代方式中之該晶圓可沿著-處理流程路徑 732受到處理,因此可通知該主手統與作業者,且於二 辛待一反應’該反應726可爲-處理室清洗製程或某此 ==帶入處理事規格内之維護工作,—良好的晶; .、中被檢出(即背側污染係位於—可接受上限之 内)μ叫圓可沿著一路徑U3來處理且被放進—處 後續—接著於步㈣處理該材 步物再次被放到機械臂機具之臂上, 之晶園條件了^時^側條件,將可對該前處理完成後 疋〇 4馬艮好或惡劣作一判定,當該條件係良 L----_ 16- ? HI - .1- --- i- -- -! n 1 I- si 1-- , -l_ I. «II 丁 -δ (靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 沒逆部中*'样準局乃Τ,消处合作社卬5ΐ A7 B7 14、 五、發明説明( =時,則處理繼續在其他處理室進行或是該處理流程可沿 著一路徑73 1前進直至完成該製程。 第8圖舉例説明了制本發明用在—微影製程_之一特 定方法,該流程800起始於自_外步源運送—材料至該處 理機具之步驟8H),通常該材料會包括含有各別欲處理半 導體晶圓之-晶圓摘帶裝置,其次於步驟8 ι〇已被運送至 該機具之—基質,纟步驟811時藉由一機械臂系統被放至 機械θ上,接著在步驟8】2將機械臂移至驗證該晶圓背側 餘件之仅置,再接下來於步骤8丨3時該半導體基質被放進 =税水烘培與黏接模组,接著在步驟813該機械臂將上料 4半導體晶圓il再次於處理機具闪移動以驗證是否已發生 背側污染= 接著判定a側,亏染之步螺8丨4,該機械臂將丰導體基質放 進另一處理罜,因此在步骤815應用一光阻覆層,其次於 步骤8 1 6該機械臂自牛κ _ χ β目步.¾ 8 1 5之覆蓋處理室上料該基質而再 次驗證是否已發咔普y丨^ , 王用測;了染,決足或驗證是否已發生背侧 '亏木〜每’骤(8】2, 814,816,,㈣,⑶,824 以及826 ),包括拉士』 ^由如—電腦或控制器之一資料處理系統
之資料蒐集,其可六,t L J 4存此資訊且與先前之資訊和基礎資訊 作比較以判定是;r、p, 。已發生污染,接著於步驟8 π該機械臂 將半導體晶圓故八由 、—處理室内以進行一軟烘焙製程,後續 地於步驟8 1 S該半进m t t 基質係被放置該機械臂之上且對於 是否半導體基質士 # ^ ' 〜牙側已受到污染作一判定,其次於步骤 8 1 9該基質S ] 9係戽, 楮由機械臂被運送至一處理室以使曝 . —裝------訂 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 經鍈部中央標準局負工消费合作社印¾ 本紙張尺度適用中园國家標準( -17- 2)0X297 公釐) 經济部中决標翠历κ τ-消赀合作社印-¾ 42302 7 A7 ______B7 五、發明説明(15) ' 露1¾基質於特定照相影像,後續地於步驟82〇該機械臂機 構將放上欲運送之基質以判定背側污染是否已於步驟8 W 間發生,其次於步驟821運送該半導體基質進入—處理室 以執行一後曝露烘焙,接下來於步驟822曝露烘焙處理室 移出半導體基質且再次被運送以驗證是否已發生背測、亏 染,於步騷823運送該半導體基質至—發展處理室,於步 驟824中自發展處理室移出半導體基質且再次被運送以判 定是否已發生背側污染,於步驟825運送該半導體基質至 一硬烘培處理室,後續地於步驟826藉由機械臂上料該半 導體基質且再次將之運送必.毛定是否已發生背側序染,於 一最後步骤82 7該機械臂運送欲自處—理機具下料之該半導 體基質。 須;主思於1¾成程8 0 0之内,可有複數個如參考第7圖所述 空態之判定步骤’因此該製程流程可依照—污染是否可爲 第8圖之被背側污染驗證步驟所檢出來加以中斷。 須注意此係較先前技藝爲佳之一流程’其中其可於—處 理室 <知著處理室之_基礎上容許對污染作即時檢測,易兮之 當—特定處理室開始污染一晶圓時,將可及早檢出該污 染’因而可認定該處理室係爲一污染源,此較先前技藝具 有一優勢即周期式之清洗步驟通常在—隨機處理之基礎上 貧作·-種預防措施而加以執行,本發明提供了監視晶圓和 處理室污染之一判定方法,積由在被污染之處理室内之預 防處理而最少化被污染之晶圓數,而且可確認已受到之處 理室以便清洗,籍由保存各別晶圓和處理室之污染水準的 ___ -18- 本紙張尺度適;轉(CMS ) A4祕(210X297公兹]~~" " '—' ~~~ ~~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ί |裝· </ ^2302 A7 B7 ------ 五、發明説明(16' 一個資料庫,則得以產生一 理室之品質。 纟4其可用於保證該晶圓和處 當本發明藉著參照特定具體實 於卟祛,® π Λ Μ句匕被舉例説明且敘述 所發現,步之修正改良與改進將爲熟悉於此技藝者 出二歹如除了微粒子之外的其他形式之污染可被檢 菸明/匕括7素與分子污染之化學污染,因此須瞭解此 m 不限不所平例説明之特殊用途且其意在於隨附申請 園中涵蓋所有m料發明之料與料之改良。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本育) i —裝. 訂 -19- 本紙張尺度適用中囤國家標半(CNS ) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- 423027 D8 中文?請專翁V正 申請專利範圍 1. ™種用以利用—半導體處理機具處理-半導體晶圓之方 法’該方法包含以下步驟: I ! - —9 ί I II I^n -I - I HI -I X (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 置故琢半導體晶圓於—半導體晶圓處理工具内 械臂之上; ^ 藉由移動該機械臂至該處理室而置放該半導體晶圓進 入丰導體處理機具之一處理室之内; &0Θ 於該處理室内處理該半導體晶圓; 使用機械臂將該半導體晶圓自該處理室移出,當該半 導體晶圓被置放於該機械臂上時,該機械臂曝露半導體 晶圓之一背側部分;以及 a 藉由以一能量源掃描半導體晶圓之背侧部分執行於該 半導體處理機具内之該半導體晶圓背侧部分之污染物掃 描,該污染物掃描可用於判定半導體晶圓之背侧部分是 否已在處理室内處理期問受到污染。 2,如申請專利範圍第丨項之方法,其中該能量源所提供之一 田射光束可自半導體晶圓被反射掉而由一檢測器檢出, 其中該能量源和檢測器係可於自動馬達控制之下移動以 便光柵掃描橫越該半導體晶圓之背侧部分。 經濟部中央標準局®::工消貧合作社印製 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該能量源係為一雷射 而其中之機械臂於該半導體晶圓之背側部分被用雷射照 射以便使半導體晶圓之背側部分之污染掃描得以進行時 來移動。 4-如申請專利範圍第1項之方法,更包含以下步驟: 判定晶圓背側部分上之污染是否係已超出規格;以及 本紙佚从咖t帥家鮮(CNS ) ( 210χ'297公釐)— 4 經濟部中央橾準局WC工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 23027 ^ 申請專利範圍 右阳圓音側部分之污染已超出規格時則清洗該晶圓。 5. 如申請專利範圍第卜員之方法,其中該半導禮晶圓處理機 具包含複數個機械臂,其中於該複數機械臂中之每一機 ,械臂曝露該半導體晶圓之—背侧以進行污染檢測。 6. 一種用以使用一丰導體處理機具來處理一半導體晶圓之 方法’該方法包括以下步驟: 自連接至該料體處理機具之一丨㈣晶圓載具移除 該半導體晶圓; 將该半導體晶圓置放入半導體處理機具之一第一處理 至,該半導體晶圓係於第一處理室内以光感應材料來覆 蓄 . iff* , 使用一機械臂系統自該第一處理室移除該半導體晶 圓;以及 使用該機械臂系統於該半導體晶圓之一被曝露的背側 上進行污染檢測。 7. 如申請專利範圍第6項之方法,更包含以下步驟: 一電腦可貯存依照執行污染檢測步驟量測所得之一污 染檢測資訊》 8·如申請專利範圍第7項之方法,更包含以下步驟: 根據該污染檢測資訊判定是否該半導體晶圓係受到污 染。 9. 一種半導體晶圓處理機具,包含: 複數個處理室; 一半導體晶圓載具區域; 表紙張尺度適用中國國家梯準(CNS )戍4規格(2丨〇 χ 297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本百) 訂 f 423027 A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局男工消費合作社印¾ 六、申請專利範圍 一機械臂系統’用於在該複數個處理室與丰導體晶圓 載具區域之間傳送半導體晶圓,該機械臂系統具有至少 一機械臂運動單元,包含: 一機械臂; 用以支撐連接至該機械臂之一半導體晶圓的裝置,使 得該機械臂於複數個處理室中之某些處理室機移動時使 該雷射跟隨該機械臂,該雷射係適於在半導體晶圓由支 撐裝置所支撐時,引導位於半導體晶圓之一背側處之一 雷射光束; 用於移動該雷射之雷射移動裝置,以沿著由支撐裝置 所支撐之一半導體晶圓之一背側掃描該雷射;以及 一檢測器,連接至該機械臂以便於機械臂在複數個處 理罜中足處理室之間移動時,使該檢測器跟隨該機械 臂’該檢測器係適於當半導體晶圓由支撐裝置所支撑 時,接收來自半導體晶圓之背側之雷射反射;以及 雷射裝置,連接至半導體晶圓處理機具,並藉由該檢 測器聍存與處理所檢測到之晶圓污染資料。 10. —種使用一半導體處理機具以處理一半導體晶圓之方 法’該方法包括以下步驟: 自連接至半導體處理機具之一半導體晶圓載具移除該 半導體晶圓; 使用一機械臂系統於該半導體晶圓之一被曝露的背側 上進行污染檢測; 將該半導體晶圓置放進入該半導體處理機具之一第一 本纸Iul 剌 t (加χ·2&着)---- ^^1 ^^^1 I -1! II - - I: n^— a^it 1 ml ι^ϋ - I 1 11 I— \~f (請先¾讀背面之注意^項再填寫本頁) 42302 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央榡準局Λ工消費合作、杜印裝 處理室,該半導體晶圓係位於該第一處理室之内的一黏 性提昇材料所覆蓋: 使用該機械臂系統自該第一處理室移除該半導體晶 圓; 使用該機械臂系統在半導體晶圓之一被曝露之背側上 進行污染檢測; 將該半導體晶圓放入半導體處理機具之一第二處理室 之内’該半導體晶圓係用位在第二處理室之内之感光材 料所覆蓋; 使用機械臂系統自該第二處理室移除該半導體晶圓; 使用機械臂系統於該半導體晶圓之一被曝露之背側上 進行污染檢測; 將該半導體晶圓放入該半導體處理機具之一第三處理 室之内’半導體晶圓係在第三處理室之内加以烘焙; 使用機械臂系統自第三處理室移除該半導體晶圓; 使用機械臂系統於該半導體晶圓之一被曝露之背側上 進行污染檢測; 將該半導體晶圓放入半導禮處理機具之一第四處理室 之内’半導體晶圓係在第四處理室之内被微影地曝光; 使用機械臂系統自第四處理室移除該半導體晶圓;以 及 使用機械臂系統於該半導體晶圓之一被曝露的背側上 進行污染檢測=> ( CNS j A4j^ ( 210x297^* '----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -I .衣 -11
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/912,726 US5963315A (en) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW423027B true TW423027B (en) | 2001-02-21 |
Family
ID=25432337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087111106A TW423027B (en) | 1997-08-18 | 1998-07-09 | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5963315A (zh) |
EP (1) | EP0898300B1 (zh) |
JP (1) | JPH11150168A (zh) |
KR (1) | KR100381316B1 (zh) |
CN (1) | CN1296972C (zh) |
DE (1) | DE69832131T2 (zh) |
HK (1) | HK1018123A1 (zh) |
SG (1) | SG67526A1 (zh) |
TW (1) | TW423027B (zh) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6658144B1 (en) * | 1997-05-23 | 2003-12-02 | Micron Technology, Inc. | Diffraction tomography for monitoring latent image formation |
KR100274596B1 (ko) * | 1997-06-05 | 2000-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 노광설비의 스테이지 홀더 상의 파티클 감지방법과 이를 이용한 감지장치 및 그 제어방법 |
FR2782384B1 (fr) * | 1998-08-11 | 2000-11-10 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de mesure de la taille de particules en deplacement, notamment pour des mesures pluviometriques |
US7012684B1 (en) * | 1999-09-07 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to provide for automated process verification and hierarchical substrate examination |
IL132314A0 (en) | 1999-10-11 | 2001-03-19 | Nova Measuring Instr Ltd | An apparatus for in-cassette monitoring of semiconductor wafers |
US7432634B2 (en) * | 2000-10-27 | 2008-10-07 | Board Of Regents, University Of Texas System | Remote center compliant flexure device |
EP1184724A1 (en) | 2000-08-29 | 2002-03-06 | Motorola, Inc. | Electronic device for a lithography mask container and method using the same |
US6696362B2 (en) * | 2001-02-08 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Method for using an in situ particle sensor for monitoring particle performance in plasma deposition processes |
US6909930B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process |
SG129992A1 (en) | 2001-08-13 | 2007-03-20 | Micron Technology Inc | Method and apparatus for detecting topographical features of microelectronic substrates |
US6634686B2 (en) * | 2001-10-03 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | End effector assembly |
US7045019B1 (en) * | 2001-12-21 | 2006-05-16 | Lam Research Corporation | Method for performing site-specific backside particle and contamination removal |
US6627466B1 (en) * | 2002-05-03 | 2003-09-30 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting backside contamination during fabrication of a semiconductor wafer |
US6900135B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Buffer station for wafer backside cleaning and inspection |
US6902647B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-06-07 | Asm International N.V. | Method of processing substrates with integrated weighing steps |
KR20040038783A (ko) * | 2002-10-30 | 2004-05-08 | 가부시기가이샤 산교세이기 세이사꾸쇼 | 산업용 로봇 |
KR100499176B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 오염 측정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
DE10332110A1 (de) * | 2003-07-09 | 2005-01-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur Streulichtinspektion optischer Elemente |
US7158221B2 (en) | 2003-12-23 | 2007-01-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for performing limited area spectral analysis |
US6909102B1 (en) | 2004-01-21 | 2005-06-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implanter system, method and program product including particle detection |
US20060154385A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Ravinder Aggarwal | Fabrication pathway integrated metrology device |
KR100629377B1 (ko) | 2005-02-01 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 하면의 파티클을 감지하는 웨이퍼 처리 방법 및 장치 |
TWI278910B (en) * | 2005-08-09 | 2007-04-11 | Powerchip Semiconductor Corp | System and method for wafer visual inspection |
US7268574B2 (en) | 2005-09-01 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for sensing obstructions associated with electrical testing of microfeature workpieces |
US7248975B2 (en) * | 2005-09-20 | 2007-07-24 | Tech Semiconductor Singapore Pte Ltd | Real time monitoring of particulate contamination in a wafer processing chamber |
US7659976B2 (en) * | 2005-12-12 | 2010-02-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Devices and methods for inspecting optical elements with a view to contamination |
KR100742279B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 장치 및 방법 |
KR100757349B1 (ko) | 2006-01-09 | 2007-09-11 | 삼성전자주식회사 | 기판 이송 로봇 및 이를 갖는 기판 세정 장치 |
WO2007124007A2 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Molecular Imprints, Inc. | Method for detecting a particle in a nanoimprint lithography system |
US20070247165A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Wafer backside particle detection for track tools |
US7572342B2 (en) * | 2006-06-02 | 2009-08-11 | Wafertech, Llc | Method and apparatus for cleaning semiconductor photolithography tools |
JP2008021967A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-01-31 | Fujitsu Ltd | 検査方法及び検査装置 |
US7740437B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-06-22 | Asm International N.V. | Processing system with increased cassette storage capacity |
US20100256811A1 (en) * | 2007-12-27 | 2010-10-07 | Yoshinori Fujii | Diagnosis system for transport robot |
US8009938B2 (en) | 2008-02-29 | 2011-08-30 | Applied Materials, Inc. | Advanced process sensing and control using near infrared spectral reflectometry |
US8095895B2 (en) * | 2009-01-14 | 2012-01-10 | Iyun Leu | Method for defect diagnosis and management |
US9689804B2 (en) | 2013-12-23 | 2017-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-channel backside wafer inspection |
WO2015133689A1 (ko) * | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 주식회사 아이엠티 | 웨이퍼의 배면 또는 에지 세정 장치 및 방법 |
US9829806B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Lithography tool with backside polisher |
US10216176B2 (en) * | 2014-04-29 | 2019-02-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
CN105699396A (zh) * | 2016-03-29 | 2016-06-22 | 同高先进制造科技(太仓)有限公司 | 基于光扫描的焊接激光头保护镜污染检测装置及方法 |
US9911634B2 (en) * | 2016-06-27 | 2018-03-06 | Globalfoundries Inc. | Self-contained metrology wafer carrier systems |
US10931143B2 (en) * | 2016-08-10 | 2021-02-23 | Globalfoundries U.S. Inc. | Rechargeable wafer carrier systems |
WO2019182913A1 (en) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | Tokyo Electron Limited | Self-aware and correcting heterogenous platform incorporating integrated semiconductor processing modules and method for using same |
US11164768B2 (en) | 2018-04-27 | 2021-11-02 | Kla Corporation | Process-induced displacement characterization during semiconductor production |
DE102019117021A1 (de) * | 2019-06-25 | 2020-12-31 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zum Lackieren eines Bauteils |
US11105978B2 (en) | 2020-02-04 | 2021-08-31 | Globalfoundries U.S. Inc. | Polarizers including stacked elements |
KR102333316B1 (ko) * | 2020-11-19 | 2021-12-02 | 주식회사 하이퓨리티 | 오픈패스 방식을 갖는 반도체 공정의 오염 모니터링 장치 |
US20230008072A1 (en) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | Applied Materials, Inc. | Method and mechanism for contact-free process chamber characterization |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4895446A (en) * | 1986-10-23 | 1990-01-23 | Inspex Incorporated | Particle detection method and apparatus |
US5274434A (en) * | 1990-04-02 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line |
JP3195200B2 (ja) * | 1994-12-09 | 2001-08-06 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置および異物検出方法 |
JPH09159617A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Sony Corp | 異物検査装置 |
US5780204A (en) * | 1997-02-03 | 1998-07-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Backside wafer polishing for improved photolithography |
-
1997
- 1997-08-18 US US08/912,726 patent/US5963315A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-09 TW TW087111106A patent/TW423027B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-16 SG SG1998001813A patent/SG67526A1/en unknown
- 1998-08-10 EP EP98114976A patent/EP0898300B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-10 DE DE69832131T patent/DE69832131T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-17 JP JP10247763A patent/JPH11150168A/ja active Pending
- 1998-08-17 CN CNB981183735A patent/CN1296972C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-18 KR KR10-1998-0033386A patent/KR100381316B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-06-23 HK HK99102696A patent/HK1018123A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69832131D1 (de) | 2005-12-08 |
EP0898300A2 (en) | 1999-02-24 |
EP0898300B1 (en) | 2005-11-02 |
US5963315A (en) | 1999-10-05 |
HK1018123A1 (en) | 1999-12-10 |
CN1208951A (zh) | 1999-02-24 |
CN1296972C (zh) | 2007-01-24 |
JPH11150168A (ja) | 1999-06-02 |
DE69832131T2 (de) | 2006-04-20 |
SG67526A1 (en) | 1999-09-21 |
EP0898300A3 (en) | 2001-08-22 |
KR19990023653A (ko) | 1999-03-25 |
KR100381316B1 (ko) | 2003-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW423027B (en) | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection | |
TW414919B (en) | Manufacture of mask inspection device and semiconductor device | |
US4569695A (en) | Method of cleaning a photo-mask | |
US9026240B2 (en) | Substrate treatment apparatus, method of transferring substrate, and non-transitory computer storage medium | |
TW201724305A (zh) | 基板之檢查方法、電腦記錄媒體及基板檢查裝置 | |
JP4471981B2 (ja) | リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の検査方法 | |
TW201716886A (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
CN101626841A (zh) | 去除光刻设备的元件上的沉积物的方法 | |
US8941809B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TW200928567A (en) | An immersion lithography apparatus | |
JPH0496314A (ja) | 半導体素子用パターンの形成または試験方法 | |
Bonam et al. | EUV mask and wafer defectivity: strategy and evaluation for full die defect inspection | |
JP2006228862A (ja) | 異物除去装置,処理システム及び異物除去方法 | |
JP2015079072A (ja) | 基板割れ処理システムを搭載した露光装置 | |
CN102468199B (zh) | 一种检测掩膜版雾状缺陷的方法 | |
Leavey et al. | Mask and wafer inspection and cleaning for proximity x-ray lithography | |
Ota et al. | Development of EUV mask handling technology at MIRAI-Selete | |
Gough et al. | Reticle haze: an industrial approach | |
Pacco et al. | Focus spot reduction by brush scrubber cleaning | |
JP2000049081A (ja) | 荷電粒子線投影露光装置 | |
JPS62263646A (ja) | ウエハ検査装置 | |
Hilton et al. | Glass wafer processing and inspection for qualification of reticles in a fineline wafer stepper production facility | |
KR100509826B1 (ko) | 웨이퍼 패턴 검사가 가능한 현상장치 및 방법 | |
Brux et al. | Challenges and solutions ensuring EUVL photomask integrity | |
CN114729904A (zh) | 板材缺陷检测方法及装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |