JPH0496314A - 半導体素子用パターンの形成または試験方法 - Google Patents
半導体素子用パターンの形成または試験方法Info
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- JPH0496314A JPH0496314A JP2214603A JP21460390A JPH0496314A JP H0496314 A JPH0496314 A JP H0496314A JP 2214603 A JP2214603 A JP 2214603A JP 21460390 A JP21460390 A JP 21460390A JP H0496314 A JPH0496314 A JP H0496314A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
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- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的〕
（産業上の利用分１！Ｆ）
本発明は光または電子ビーム（Ｂｅａｍ）リソグラフィ
（Ｌｉ ｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術を利用する半導体
素子用パターンの形成または試験方法の改良１コ係わる
ものである。
（Ｌｉ ｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術を利用する半導体
素子用パターンの形成または試験方法の改良１コ係わる
ものである。
（従来の技術）
半導体素子の製造に当たっては光または電子ビームリソ
グラフィ技術が利用されているが、集積度が増大するに
つれてパターン（Ｐａｔｔｅ−ｒｎ）形成精度やパター
ン検査精度か重要になってきている。このため半導体素
子に光または電子ビームリソグラフィ技術を施す際には
温度１．１″よるガラスマスク（ＧＱａｓｓ Ｍａｓ
ｋ）や被処理半導体基板の変形がバター７−ンの形成精
度や検査精度への彫りを誠らずべく、恒温化された装置
内に放置１−で温度を調整する方式が採られている。
グラフィ技術が利用されているが、集積度が増大するに
つれてパターン（Ｐａｔｔｅ−ｒｎ）形成精度やパター
ン検査精度か重要になってきている。このため半導体素
子に光または電子ビームリソグラフィ技術を施す際には
温度１．１″よるガラスマスク（ＧＱａｓｓ Ｍａｓ
ｋ）や被処理半導体基板の変形がバター７−ンの形成精
度や検査精度への彫りを誠らずべく、恒温化された装置
内に放置１−で温度を調整する方式が採られている。
（発明が解決しようとする課題）
恒温装置内に被処理￥−導体ウつ−ハ（Ｗａ−ｆｅｒ）
または半導体素子用パターンが描かれているガラスマス
ク（以後ガラスマスクと２馴する）を放置することによ
って変形をなくして、パターンの形成精度や検査精度の
向」二を図ってきたが、個々の定量化がなされていない
ために温度や温度分布が検知できず、ひいてはパターン
の形成精度や検査精度が悪化する原因となっていた。こ
のような変形をより効果的とするために恒温装置内の放
置時間も必要量」−に長く、生産のスルーブツト（Ｔｈ
ｒｏｕｇ：ｈ Ｐｕｔ）が低下する難点があった。本
発明はこのような事情により成されたらので、特に、高
精度なパターン形成またはパターン検査が可能な半導体
素子用パターンの形成または試験方法を提供することを
目的とするものである。
または半導体素子用パターンが描かれているガラスマス
ク（以後ガラスマスクと２馴する）を放置することによ
って変形をなくして、パターンの形成精度や検査精度の
向」二を図ってきたが、個々の定量化がなされていない
ために温度や温度分布が検知できず、ひいてはパターン
の形成精度や検査精度が悪化する原因となっていた。こ
のような変形をより効果的とするために恒温装置内の放
置時間も必要量」−に長く、生産のスルーブツト（Ｔｈ
ｒｏｕｇ：ｈ Ｐｕｔ）が低下する難点があった。本
発明はこのような事情により成されたらので、特に、高
精度なパターン形成またはパターン検査が可能な半導体
素子用パターンの形成または試験方法を提供することを
目的とするものである。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
半導体基板またはガラスマスクの基板温度か温度分布を
測定して一定の温度か温度分布に達したことを検知した
後に露光工程を施すこと点に本発明に係わる半導体素子
用パターンの形成または試験方法の特徴がある。
測定して一定の温度か温度分布に達したことを検知した
後に露光工程を施すこと点に本発明に係わる半導体素子
用パターンの形成または試験方法の特徴がある。
（作用）
ところで半導体素子の開発は大量生産より２世代先行し
て行われると言われており、日経マイクロデバイス（Ｍ
ｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅ１９８９−８ ）に記載され
た半導体素子の量産開始時期から開発に着手する時期を
推定して第１表に示した。即ち４ＭＤ （Ｍｅｇａ
Ｄｙｎａｍｉｃ）−ＲＡＭ（Ｒｕｎｄｕｍ Ａｃｃｅ
ｓｓ Ｍｅ−ｍｏ ｒ ｙ）の生産が開始可能となっ
た１９８９年には６４ＭＤ−ＲＡＭの開発がスタート（
Ｓｔ−ａｒｔ）していることになる。第１表にはマスク
に必要な精度と材料温度の関係を示しているが、半導体
素子のデザインルール（Ｄｅｓｉ−ｎｅ ＲｕＱｅ）
の５倍をレティクル（Ｒｅｔ−ｉｃＱｅ）の最小寸法と
しており２寸法は日経マイクロデバイス（Ｍｉｃｒｏ
Ｄｅｖｉｃｅ１９８９−８ ）より抜粋した。表中の
長寸法精度はガラスマスクでの設計１００ｍｍに対する
実パターンの位置精度を表している。
て行われると言われており、日経マイクロデバイス（Ｍ
ｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅ１９８９−８ ）に記載され
た半導体素子の量産開始時期から開発に着手する時期を
推定して第１表に示した。即ち４ＭＤ （Ｍｅｇａ
Ｄｙｎａｍｉｃ）−ＲＡＭ（Ｒｕｎｄｕｍ Ａｃｃｅ
ｓｓ Ｍｅ−ｍｏ ｒ ｙ）の生産が開始可能となっ
た１９８９年には６４ＭＤ−ＲＡＭの開発がスタート（
Ｓｔ−ａｒｔ）していることになる。第１表にはマスク
に必要な精度と材料温度の関係を示しているが、半導体
素子のデザインルール（Ｄｅｓｉ−ｎｅ ＲｕＱｅ）
の５倍をレティクル（Ｒｅｔ−ｉｃＱｅ）の最小寸法と
しており２寸法は日経マイクロデバイス（Ｍｉｃｒｏ
Ｄｅｖｉｃｅ１９８９−８ ）より抜粋した。表中の
長寸法精度はガラスマスクでの設計１００ｍｍに対する
実パターンの位置精度を表している。
（以下余白）
光りソグラフイにより対応できなくなるとレティクルか
らＸ線マスクへ変更することが必要になり、光りソグラ
フイでは前記のように半導体素子のデザインルールの５
倍のレティクルが要るのに対してＸ線マスクでは等倍と
なる。
らＸ線マスクへ変更することが必要になり、光りソグラ
フイでは前記のように半導体素子のデザインルールの５
倍のレティクルが要るのに対してＸ線マスクでは等倍と
なる。
次に温度と精度の関係を表２に示す。
このμｍ／１００ｍｍ”ｃとは１℃昇温すると１００ｍ
ｍに対してどの住良寸法でアップ（Ｕｐ）するかを意味
しており、シリコンペレット（ＰｅＱＱ−ｅｔ）を今後
シリコン基板と記載する。次に長寸法精度による材料別
の許容温度差を表３に示す。
ｍに対してどの住良寸法でアップ（Ｕｐ）するかを意味
しており、シリコンペレット（ＰｅＱＱ−ｅｔ）を今後
シリコン基板と記載する。次に長寸法精度による材料別
の許容温度差を表３に示す。
表−３
このように露光工程または検査工程におＩｊる使用部品
材料の熱的特性が明らかにされているが、これだけの比
較によると１ノテイクルはデザインルールの５倍のパタ
ーンを形成すれば良いので、温度に伴うパターン精度の
変動防止には周辺雰囲気による温度管理で十分である。
材料の熱的特性が明らかにされているが、これだけの比
較によると１ノテイクルはデザインルールの５倍のパタ
ーンを形成すれば良いので、温度に伴うパターン精度の
変動防止には周辺雰囲気による温度管理で十分である。
しかＩ７．２５６Ｍ Ｄ −、−ＲＡ Ｍ以降の世代で
は等倍パターンとなるＸ線リソグラフィに変更されると
想定すると許容温度差が小さくなって、レティクルの局
部的な温度差も問題になると考えられる。
は等倍パターンとなるＸ線リソグラフィに変更されると
想定すると許容温度差が小さくなって、レティクルの局
部的な温度差も問題になると考えられる。
１、かも、実際の露光工程における精度に及ぼす温度の
影譬即ち長寸法精度は使用材料の綿膨脂係数に比例する
ものでない。例えばガラスマスクが金属製クランプ（Ｃ
Ｑａｍｐ）によりチタン製カセットに保持される場合、
夫々の材料が膨脂した際ガラスマスクにかかる応力の分
布が変わり、梓膨脂係数以上の影響がでると判断される
。
影譬即ち長寸法精度は使用材料の綿膨脂係数に比例する
ものでない。例えばガラスマスクが金属製クランプ（Ｃ
Ｑａｍｐ）によりチタン製カセットに保持される場合、
夫々の材料が膨脂した際ガラスマスクにかかる応力の分
布が変わり、梓膨脂係数以上の影響がでると判断される
。
一方、恒温放置によりパターン精度への影響を防止する
方法ではスルーブツトに問題が発生ずる。
方法ではスルーブツトに問題が発生ずる。
と言うのは厳密に恒温化した装置ではある時間以上放置
するとガラスマスクも恒温化される。しかし、放γ前の
温度、カセットやガラスマスクの熱伝導率などにバラツ
キがあるために夫々が熱的に平衡になるにもバラツキが
ある。即ち、すべての場合に一定にならず、各部品には
好適の放置時間があることに問題がある。
するとガラスマスクも恒温化される。しかし、放γ前の
温度、カセットやガラスマスクの熱伝導率などにバラツ
キがあるために夫々が熱的に平衡になるにもバラツキが
ある。即ち、すべての場合に一定にならず、各部品には
好適の放置時間があることに問題がある。
これに加えて、熱的変動の発生時にも問題がある。恒温
化した装置にガラスマスクを放置した場合何らかの熱的
変動があった場合！こ問題がづ二する。
化した装置にガラスマスクを放置した場合何らかの熱的
変動があった場合！こ問題がづ二する。
これは温度モニター （Ｍｏｎ ｉ ｔ ｅ ｒ）手段
はガラスマスクに直接設豚されておらず周辺機器に股。
はガラスマスクに直接設豚されておらず周辺機器に股。
置されているためにモニタリング（Ｍｏｎｉｔｅｒｉｎ
ｇ）されるべきガラスマスクを設Ｗ１．．ている基板温
度が不明となるためである。このように周辺雰囲気の恒
温化手段によるガラスマスクなどを０．１℃オーダー
（Ｏｄｅｒ）の管理では完全でないことが判明した。
ｇ）されるべきガラスマスクを設Ｗ１．．ている基板温
度が不明となるためである。このように周辺雰囲気の恒
温化手段によるガラスマスクなどを０．１℃オーダー
（Ｏｄｅｒ）の管理では完全でないことが判明した。
本発明はこのような知見を基（ご完成されたもので、半
導体基板またはガラスマスクの基板に対１２て直接測定
できる温度センサー （Ｓｅｎｓｏｒ）を設置ｊ７て１
／］、ＯＯオーダの温度または温度分布を制御して半導
体基板またはガラスマスクの熱変形に伴うパターン形成
精度やパターン検査精度の向上、を目指すものである。
導体基板またはガラスマスクの基板に対１２て直接測定
できる温度センサー （Ｓｅｎｓｏｒ）を設置ｊ７て１
／］、ＯＯオーダの温度または温度分布を制御して半導
体基板またはガラスマスクの熱変形に伴うパターン形成
精度やパターン検査精度の向上、を目指すものである。
これによりバッチ（Ｂａｔｃｈ）処理時においても個々
に変形がなくなるので同様な結果が得られる。
に変形がなくなるので同様な結果が得られる。
（実施例）
本発明の実施例を第１図及び第２図を参照して説明する
が、その適用範囲について先ず触れる。
が、その適用範囲について先ず触れる。
即ち、本発明方法を実施する雰囲気としてはエレクトロ
ンビーム（ＥＱｅｃｔｒｏ口 Ｂｅａｍ以下ＥＢと記載
する）、少なくとも１０−６トール（Ｔｏ ｒ ｒ）以
下のいわゆる高真空領域そＩ７て照射光雰囲気であり、
製造装置と１−では描画装置、ステッパー （Ｓ ｔ
ｅｐｐｅ ｒ）縮小露光投影装置更には光電子ビームに
より長寸法を測定するバタン検貞装贋に適用できる。ま
た本発明方法で使用する露光用の半導体ウェーハとは能
動素子、受動素子及び抵抗などの回路用成分からなる群
から選定された一種または複数種を造り込むものが相当
する。、し、かも、電子ビーム描画装置や縮小賊光投影
装置から構成されるパターン形成装置における具体的な
露光工程前にはガラスマスク用保持台、試料台または資
料ボルダ−（ＨｏＱ ｄｅ ｒ）に試料であるガラスマ
スクまたは半導体ウェーハを設置後、ガラスマスク用保
持台、試料台または資料ホルダーの中の一種または複数
種と試料の温度と温度差を測定後、・一定の温度、温度
差に達（７た。ことを検知する。
ンビーム（ＥＱｅｃｔｒｏ口 Ｂｅａｍ以下ＥＢと記載
する）、少なくとも１０−６トール（Ｔｏ ｒ ｒ）以
下のいわゆる高真空領域そＩ７て照射光雰囲気であり、
製造装置と１−では描画装置、ステッパー （Ｓ ｔ
ｅｐｐｅ ｒ）縮小露光投影装置更には光電子ビームに
より長寸法を測定するバタン検貞装贋に適用できる。ま
た本発明方法で使用する露光用の半導体ウェーハとは能
動素子、受動素子及び抵抗などの回路用成分からなる群
から選定された一種または複数種を造り込むものが相当
する。、し、かも、電子ビーム描画装置や縮小賊光投影
装置から構成されるパターン形成装置における具体的な
露光工程前にはガラスマスク用保持台、試料台または資
料ボルダ−（ＨｏＱ ｄｅ ｒ）に試料であるガラスマ
スクまたは半導体ウェーハを設置後、ガラスマスク用保
持台、試料台または資料ホルダーの中の一種または複数
種と試料の温度と温度差を測定後、・一定の温度、温度
差に達（７た。ことを検知する。
更に半導体パターン検査装置では、検査前に半導体ウェ
ーハまたはガラスマスクの温度や温度分布を測定（−で
、一定の感度か温度分布にＪ Ｌ、たことが検知されて
から半導体パターン検査工程に移打する。ｌ−かも、更
にまた、ガラスマスク用保持台、試料台または資料ホル
ダーの中の一種に、試料であるガラスマスクまたは半導
体ウェーハを設置後、半導体ウェーハ、ガラスマスク用
保持台、試料台または資料ボルダ−の中の一種または複
数種と試料間の温度か温度差をＩＩＩｊ、で一定値に達
したことを確認後パターン検査を実施する。その上、前
記パターン検査方法はデータ（Ｄａｔａ）比較検査装置
・パターン比較装置装置やパターン位置精度検査装置に
も適用可能である。
ーハまたはガラスマスクの温度や温度分布を測定（−で
、一定の感度か温度分布にＪ Ｌ、たことが検知されて
から半導体パターン検査工程に移打する。ｌ−かも、更
にまた、ガラスマスク用保持台、試料台または資料ホル
ダーの中の一種に、試料であるガラスマスクまたは半導
体ウェーハを設置後、半導体ウェーハ、ガラスマスク用
保持台、試料台または資料ボルダ−の中の一種または複
数種と試料間の温度か温度差をＩＩＩｊ、で一定値に達
したことを確認後パターン検査を実施する。その上、前
記パターン検査方法はデータ（Ｄａｔａ）比較検査装置
・パターン比較装置装置やパターン位置精度検査装置に
も適用可能である。
前記パターン検査方法は半導体ウェー／％またはガラス
マスクを収容する試料ホルダーを複数種備えた検査装置
にも適用でき、試料ホルダー毎に温度または温度差を測
定して一定値に達つした半導体ウェーハまたはガラスマ
スクを選択的に測定することもできる。
マスクを収容する試料ホルダーを複数種備えた検査装置
にも適用でき、試料ホルダー毎に温度または温度差を測
定して一定値に達つした半導体ウェーハまたはガラスマ
スクを選択的に測定することもできる。
前記温度または温度差を測定する温度センサーとしては
例えば一対の熱電対やサーモカメラ（Ｔｈｅｒｍｏ
Ｃａｍｅｒａ）などが適用できる。
例えば一対の熱電対やサーモカメラ（Ｔｈｅｒｍｏ
Ｃａｍｅｒａ）などが適用できる。
次に概略を第１図及び第２図に示した電子ビーム描画装
置による実施例を説明する。即ち、第１図には電子ビー
ム描画装置の要部断面図が明らかにており、１０−６ト
ールに維持した試料室１に配置するステージ（Ｓｔａｇ
ｅ）２には試料ホルダー３を載置し、ここに被処理試料
であるガラスマスクか半導体ウェーハ４を配置する。こ
のガラスマスクか半導体ウェーハ３に対向して静電、偏
向及び収束レンズ群５・・・が配置されると共にその最
上部にガン（Ｇｕｎ）６を設置する。また試料室１には
ガラスマスク４か半導体ウエーノ＼４をストック（Ｓｔ
ａｃｋ）するストッカー（Ｓｔｏｃ−ｋｅｒ）７が設置
されている。しかも、前記の測定を実施する熱電対８が
ロボットアーム（Ｒｏ−ｂｏｔ Ａｒｍ）９により被
処理試料であるガラスマスク４か半導体ウエーノ＼４に
接触させるか試料ホルダー４に接触して各々の温度と温
度差が一定レベルになってから描画して高精度のパター
ンが形成できる。なお、ロボット自体ならびに設置位置
に関する記述は本発明に直接関係がないので割愛する。
置による実施例を説明する。即ち、第１図には電子ビー
ム描画装置の要部断面図が明らかにており、１０−６ト
ールに維持した試料室１に配置するステージ（Ｓｔａｇ
ｅ）２には試料ホルダー３を載置し、ここに被処理試料
であるガラスマスクか半導体ウェーハ４を配置する。こ
のガラスマスクか半導体ウェーハ３に対向して静電、偏
向及び収束レンズ群５・・・が配置されると共にその最
上部にガン（Ｇｕｎ）６を設置する。また試料室１には
ガラスマスク４か半導体ウエーノ＼４をストック（Ｓｔ
ａｃｋ）するストッカー（Ｓｔｏｃ−ｋｅｒ）７が設置
されている。しかも、前記の測定を実施する熱電対８が
ロボットアーム（Ｒｏ−ｂｏｔ Ａｒｍ）９により被
処理試料であるガラスマスク４か半導体ウエーノ＼４に
接触させるか試料ホルダー４に接触して各々の温度と温
度差が一定レベルになってから描画して高精度のパター
ンが形成できる。なお、ロボット自体ならびに設置位置
に関する記述は本発明に直接関係がないので割愛する。
ストッカー７に設置される被処理ガラスマスク４か被処
理半導体ウェーハ４は試料ホルダー３と共に配置されて
おり、半導体ウエーノ＼用の被処理ガラスマスク４の寸
法は１２７ｍｍ角であり、大きいものでは１６０ｍｍ角
のものも使われている。
理半導体ウェーハ４は試料ホルダー３と共に配置されて
おり、半導体ウエーノ＼用の被処理ガラスマスク４の寸
法は１２７ｍｍ角であり、大きいものでは１６０ｍｍ角
のものも使われている。
被処理ガラスマスク４の材質としては合成石英、ソーダ
ライム（Ｓｏｄａ Ｌｉｍｅ）更にリチウム（Ｌｉｔ
ｉｕｍ）系材料が利用されている。
ライム（Ｓｏｄａ Ｌｉｍｅ）更にリチウム（Ｌｉｔ
ｉｕｍ）系材料が利用されている。
第２図に明らかにしたパターン位置精度検査装置におけ
る半導体素子用パターンの試験方法について説明するが
、試料室１０に設置したステージ１１に、試料ホルダー
１２に重ねた被処理ガラスマスク１３を配置し、これに
対応して光学系長寸法測定器１４を設けて所定のパター
ン位置精度検査を行う。一方試料室１０にはストッカー
１５を設置して試料ホルダー１２に重ねた被処理ガラス
マスク１３・・・をストックすると共に両者の温度また
は温度差測定をロボットアーム１６に取付けた熱電対１
７により行う。この測定結果が一定のレベル（Ｌｅｖｅ
Ｑ）を示した時にストッカー内の試料ホルダー１２に重
ねた被処理ガラスマスク１３を選択的にステージ１１に
送り所定のパターン検査を行って高精度の測定結果が得
られ、更にスルーブッが向上する。
る半導体素子用パターンの試験方法について説明するが
、試料室１０に設置したステージ１１に、試料ホルダー
１２に重ねた被処理ガラスマスク１３を配置し、これに
対応して光学系長寸法測定器１４を設けて所定のパター
ン位置精度検査を行う。一方試料室１０にはストッカー
１５を設置して試料ホルダー１２に重ねた被処理ガラス
マスク１３・・・をストックすると共に両者の温度また
は温度差測定をロボットアーム１６に取付けた熱電対１
７により行う。この測定結果が一定のレベル（Ｌｅｖｅ
Ｑ）を示した時にストッカー内の試料ホルダー１２に重
ねた被処理ガラスマスク１３を選択的にステージ１１に
送り所定のパターン検査を行って高精度の測定結果が得
られ、更にスルーブッが向上する。
［発明の効果］
本発明方法では被処理半導体ウェーハまたはガラスマス
クの熱変形に伴う精度低下を克服し、高精度なパターン
形成かパターン検査が可能になった。またバッチ処理時
には一定の温度や温度差が得られた被処理半導体ウェー
ハまたはガラスマスクから選択的にパターン形成かパタ
ーン検査を行い、従来技術より高精度な結果が得られる
かスルーブツトの向上が計れた。
クの熱変形に伴う精度低下を克服し、高精度なパターン
形成かパターン検査が可能になった。またバッチ処理時
には一定の温度や温度差が得られた被処理半導体ウェー
ハまたはガラスマスクから選択的にパターン形成かパタ
ーン検査を行い、従来技術より高精度な結果が得られる
かスルーブツトの向上が計れた。
第１図は本発明方法を適用する電子ビーム描画装置の概
略を示す断面図、第２図も本発明方法を適用するパター
ン位置精度検査装置の要部を明らかにする断面図である
。 １．１０：試料室、 ２．１１：ステージ、３．１２
：ホルダー ４．１３：被処理半導体ウェーハまたはガラスマスク、 ５：レンズ群、 ６：ガン、 ８．１７：熱電対、 ９．１６：ロボットアーム。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 ト ｑフ
略を示す断面図、第２図も本発明方法を適用するパター
ン位置精度検査装置の要部を明らかにする断面図である
。 １．１０：試料室、 ２．１１：ステージ、３．１２
：ホルダー ４．１３：被処理半導体ウェーハまたはガラスマスク、 ５：レンズ群、 ６：ガン、 ８．１７：熱電対、 ９．１６：ロボットアーム。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 ト ｑフ
Claims (1)
- 半導体基板またはガラスマスクの基板温度か温度分布を
測定して一定の温度か温度分布に達したことを検知した
後に露光工程または検査工程を施すことを特徴とする半
導体素子用パターンの形成または試験方法
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214603A JP2907971B2 (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 半導体素子用パターンの形成または試験方法 |
| KR1019910013468A KR960015517B1 (ko) | 1990-08-14 | 1991-08-03 | 반도체소자용 패턴의 형성 또는 시험방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214603A JP2907971B2 (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 半導体素子用パターンの形成または試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496314A true JPH0496314A (ja) | 1992-03-27 |
| JP2907971B2 JP2907971B2 (ja) | 1999-06-21 |
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ID=16658449
Family Applications (1)
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| JP2214603A Expired - Fee Related JP2907971B2 (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 半導体素子用パターンの形成または試験方法 |
Country Status (3)
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|---|---|
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| JP2008261679A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Nikke Kikai Seisakusho:Kk | 形状検査装置 |
| JP2011119483A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
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| JP2012137323A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Nikke Techno System Co Ltd | 計測装置 |
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| US5915231A (en) | 1997-02-26 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method in an integrated circuit (IC) manufacturing process for identifying and redirecting IC's mis-processed during their manufacture |
| US5856923A (en) | 1997-03-24 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing |
| JP2967755B2 (ja) * | 1997-04-17 | 1999-10-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5907492A (en) | 1997-06-06 | 1999-05-25 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (IC's) have undergone, such as repairs, to select procedures the IC's will undergo, such as additional repairs |
| US7120513B1 (en) * | 1997-06-06 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (ICS) have undergone, such as repairs, to select procedures the ICS will undergo, such as additional repairs |
| US6049624A (en) * | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Non-lot based method for assembling integrated circuit devices |
| JP5356114B2 (ja) | 2009-05-29 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 露光用マスク及び半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
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| JPH0274027A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Jeol Ltd | パターン描画方法 |
| JPH02134811A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nec Corp | パターン露光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3998639A (en) * | 1974-11-19 | 1976-12-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Methods for determining feature-size accuracy of circuit patterns |
| US4864356A (en) * | 1987-04-21 | 1989-09-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Exposure device for image recording apparatus |
| JPH0276212A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 多重露光方法 |
| US5044750A (en) * | 1990-08-13 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | Method for checking lithography critical dimensions |
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1990
- 1990-08-14 JP JP2214603A patent/JP2907971B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-03 KR KR1019910013468A patent/KR960015517B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-08-13 US US07/744,517 patent/US5217834A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920005329A (ko) | 1992-03-28 |
| KR960015517B1 (ko) | 1996-11-15 |
| JP2907971B2 (ja) | 1999-06-21 |
| US5217834A (en) | 1993-06-08 |
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|---|---|---|---|
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