TW421857B - Fabricating process and structure of lower electrode for capacitor - Google Patents

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經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 4 21857 A7 B7五、發明説明（I ) 本案係有蘭於一種電容下電極之製程與結構，特別是 指一種應用於動態隨機存取記憶體（D R AM)中之電容下電 極之製程舆結構。 以目前製造動態隨機存取記憶體（DRAM)之半導體製 程爲例’電容量之大小悠關動態隨機存取記憶體（DRAM) 品賓最甚，因此，如何增加動態隨機存取記憶體之電容 量，即成爲首要之硏究課題* 而於目前習用之技術中’其爲增加電容表面積，通常 係藉由幾種方式達成，而爲進一步說明習知作法，請參閱 第一圖至第三圖所示之三種習知作法，俾以僚解習知形成 電容結構之製程流程示意圖，於其中： 第一圖（a )係包括下列步驊： 以化學汽相沈積法（Chemical Vapor Deposition， CVD)或低超化.學汽相沈積法（Lower Pressure Chemical. Vapor Depo.sition，LPCVD)，形成一內層介電 層（Inter Layer Dielectric，ILD)11 於一砍基板（Si Substrate>10上方； 以光學微影技術（Photo丨ithography>定義一接 觸窗（Contact Window)圖案，且餓刻部扮該內層介電層 (I.nter Layer Die 丨 ectric，ILD)11，以形成該接觸窗 12; 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成一具厚度爲 10001之已摻雜複晶矽層（1)〇卩《<1?〇丨781丨〖<：〇1〇13於該 內層介電層（ILD>11上方與該接觸窗12中；以及 n·— i I t— n n i Lf n n n I n I T I n I n n 1« U3 - i 销 (請先M讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4*?#· ( 21 〇 X 297公釐} 4 21857 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五 '發明説明（〆） 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成一具厚度爲 8 5 Ο A之不平坦狀複晶砂層（RUgged P(o|y)1.4於該已接雜 複晶.砍層（Doped Polysilicon)13上方；其中1該不平 坦狀複晶矽層（Rugged Poly )14所構成之表面積係供作 爲電容表面積之用； 第一圓（b )係包括下列步驟： 以光學微影技術（P_lioto lithography)定義電容 區域*並蝕刻部份該不平坦狀複晶矽層（Rugged P〇丨)〇14 與該已摻雜複晶矽層 （ΐν〇ρβ<| Po丨ysilicon)13，以顯雳出該內層介電層（ILD>11之部 份區域1 i 1 ; 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成一氧化物-氮化物-氧化物層（0$ide - ON - Nitride - ON - Oxid«， ONO)15於該不平坦狀複晶矽層（Rugged Po丨y>14舆該 內層介電層<ILD>11之上方；以及 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成另一已摻雜 複晶砂層（Doped Polysilicon)16於該氧化物-氮化物-氧化物層（ONO)IS上方；俾完成習用之電容結構之製程* 而另一種習知作法請參見下列所述，於其中： 第二圖（a )係包括下列步媒： 以化學汽相沈積法（C“mica丨Vapor Deposition， CVD·)形成一內層介電層（I-irfei· Layer Dielectri-c， 1LD)21 於一砍基板（S i S u b s t r a t e ) 2 0 上方； c請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 4 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS } A4規格（210XW7公釐） 4 2 185 7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（々） 以化學汽相沈積法（ChenHca丨Vapor Deposition， CVD>形成一氮矽化合物層（SiNx)22於該內層介電層 (ILD>21上方；其中，該氮矽化合物層（SiNx)22之厚度 係可爲1CT0A〜300A，且該氮矽化合物層（SiNx}22係作爲 一蝕刻終止層之用； 以化學汽相沈積法_(Ch.emica丨Vapor D'eposition， CVD)形成一犧牲氧化層（Sacrificial Oxide>23於該氮 矽化合物層<SiNx>22上方； 以光學微影技術（Photolithograpliy>S義一接 觸窗（Contact Window)圖案，且蝕刻部份該內層介電層 (Inter Layer Dielectric，ILD}21、該氣砂化合物層 <SiNx)2 2 與該犧牲氧化層（Sacrificial Oxide>23，以 形成該接觸窗24 ;以及 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成一具厚度爲 1 0 0 0 A之已接雜複晶砂層（Doped Po丨ysilicou)25於該 犧牲氧化層（Sacrificia丨Oxide)23上方與該接觸窗24 中； 第二圖（b)係包括下列步驟： 以光學微影技術_( Photolithography)定義電容 區域，並蝕刻部份該已摻雜複晶矽層（Doped Polysilicon)2S > 以一含有氫氟酸（Hydrof丨uoric Acid，HF)之 Β.Ο.Ε·蝕刻溶液，遂行蝕刻該犧牲氧化層（Sacrificial Oxid〇23，以顯露出該氮矽化合物層（SiNx)22 ; 5 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本炅) 裝· ·1Τ 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 ^ 2 1 8 5 ^ Α7 Α7 _ Β7五、發明説明（<) 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成一氧化物-氮化物-氧化物層（Oxide - ON - Nitride - ON - Oxide， 〇N〇)26於該氮矽化合物層（SiNx>22上方i該已摻雜複晶 砂層（Doped Po丨ysilic.on)2S上方及側壁；以及 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成另一已摻雜 複晶砂層（0<^«<11>〇丨)^丨丨1€〇|1)27於該氧化物-氣化物· 氧化物層（〇NO)26上方；俾完成習用之電容結構之製程》 再者，另一«習知作法請參見下列所述，於其中： 第三圖（a )係包括下列步驟： 以化學汽相沈積法（Chemical Vap0r'Deposition， C"VD)形成一內層介電層（inter Layer Dielectric ILD>31 於一砂基板（Si Substrat:e)30 上方； 以化學汽相沈積法（Chemica丨Vapor Deposition， CVD)形成一氮矽化合物層（SiNx)32於該內層介電層 (ILD)31上方；其中，該氮矽化合物層（SiNx>32之厚度 係可爲100A〜30()A，且該氮矽化合物層（SiNx)32係作爲 一蝕刻終止層之用； 以化學汽相沈積法（Chemical Vapor Deposition.， CVD}形成一第一犧牲氧化層（Sacrificia丨Oxide>33於 該氮矽化合物層（SiNx)32上方； 以光學微影技術<?1»_0丨〇1丨41|〇8^91|7)定義一接 觸窗（Contact Window)圖案，且蝕刻部份該內層介電層 (Inter Layer D[e 丨、ectric * ILD>31，該氮较化合物層 I I I I I I I —裝— I 1 I I I、·1τ— ^ n ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 21857 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____B7______五、發明説明（，） (SiNx>32與該第一犧牲氧化層（Sacrificial Οϊί“）33，以彤成該接觸窗34 ; 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成一具厚度爲 1 Ο 〇 Ο A之已摻雜複晶砂層（Doped Po丨ysilicon)35於該 犧牲氧化層（Sacrificia丨OxicJe)33上方與該接觸窗34 中；以及 以化學汽相沈積法（Chemical Vapor Deposition， CVD)形成一第二犧牲氧化層（Sacrificial Ox id e>36於 該已接雜複晶砍層（Doped Po丨ysi丨ico.n)35上方； 第三圖（b)係包括下列步驟： 以光學微影技術（Photolithography)定義電容 區域，並蝕刻部份該第二犧牲氧化層（Sacrificial 〇xide)36 、 該已摻雜複晶矽層（Doped Pol ysilicon)35 與該第一犧牲氧化層（Sacrificial Oxide)33;以及 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成一具厚度爲 1000 A之已摻雜複晶矽層（Doped Polys mcon>37於該 第二犧牲氧化層（Sacrificia丨Oiide)36上方與該第二犧 牲氧化層（Sacrificial Oxide)36、該已摻雜複晶矽層 (Doped Po丨ysilicoi〇3S與該第一犧牲氧化層 (Sacrificia丨Oxide)33之側壁，以及該氮较化合物層 (SiNx>32上方； 第三圖（c)係包括下列步驟： (祷先閲讀背*之注意事項再填寫本頁) 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 4 2 1857 A7 B7 五、發明説明（厶） 經濟部中央樣準局f工消費合作社印策 以一乾式蝕刻方式，等向性蝕刻該已摻雜複晶矽 層（Doped Polysi丨iC0nM7，以顯露出該第二犧牲氧化 層（SacrificUl 0xide)36與該氮矽化合物層（SiNx)32 之部分區域； 第三圖（d )係包括下列步驟·· 以一含有氫謂I 酸（H y d r 〇 f I u 〇 r I c A c i d，H F }之 B.O.E.蝕刻溶液’遂行蝕刻該第二锇牲氧化層 (SacHfUUl 〇xide)36 t以顯露出該已摻雜複晶矽層 (Doped Poly siIicon)35 ； 以低壓化學汽相沈積法（LI* CVD)形成一氧化物· 氮化物-氧化物層（Oxide - ON - Nitride - ON - Oxide， ΟΝΟ )38於該氮矽化合物層（SiNx)32上方、該已摻雜複晶 砂層（Doped P〇丨ySmcon)37側壁以及該已摻雜複晶矽 層（Doped Polysi“con)3S上方；以及 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD)形成另一已摻雜 複晶砂層（Doped Po丨ysilicon>39於該氧化物-氮化物 氧化物層（ONO)38上方；俾完成習用之電容結構之製程· 然而，上述習知作法之缺失即在於： 1 ♦於第一圖Ca ) 、（b)所示之作法中，由 於在固定之電容區域中，僅藉由該不平坦狀複晶矽層 (Rugged Poly)以增加電容表面積，其形成數目之密度顯 然無法大幅增加，是以，一般而言習知以不平坦狀複晶矽 層作爲增加電容表面積之作法，其僅最多可將電容量增至2 8 本紙張尺度逋用中圃國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） --II---- —v.\ 裝-- (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁)

II 4 2 18 5 7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 A7 B7____五、發明説明（；？） 倍1且其極易造成斷落現象，是以，顯亦將造成動態德機 存取記憶體（DRAM)元件之良率（yield)無法改善； 2*於第二圖（a) 、（b)所示之作法中，藉 由形成該犧牲氧化層（Sacrificja丨Oxide)，並蔣該犧牲 氧化層（Sacrificial Oxide)加以鈾刻去除後，雖可增加 部份之有效電容表面積，但其所能增加之電容表面積十分 有限；以及 3 *於第三圖（a)〜（d)所示之作法中，藉 由圓柱狀已接雜複晶砂層（Doped Po丨ysil icon)之結構， 雖可增加電容之有效表面積•但由第三圖（d )中將可明 顯發現，画柱狀之已接雜複晶砍層（Doped Polysili con) 上方於沈積該氧化物-氮化物-氧化物層以及該另一已摻雜 複晶砍層（Doped Po丨ysilicon)而所完成之電容結構，其 表面將呈現極大凹凸狀，而致使半導體後續製程中之不平 坦現象趨於明顯。 職是之故，本發明鑑於習知技術之缺失，乃經悉心地 試驗，並一本鍥而不捨之硏究精神，終發展出本案之『電容 下電極之製程與結構』。 本案之主要目的，即在於提供一種可有效提高電容表 面積，且應用於高密度記憶單元中之電容下電極之製程與 結構》 本案之次要目的，即在於提供一種可使半導體製程更 爲平坦化，而提高製程良率（yield)之電容下電極之製程與 結構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 2 丨857 A7 _B7五、發明説明（ί ) 經濟部t央樣隼局貝工消費合作社印策 根據本案之上述目的，其構想一方面在於提供一種電 容下電極之製程，其係可應用於一半導體基板上方具一介 電層，且於該介電層上方具一蝕刻終止層之記憶單元中， 其中該製程之步媒係可包括：（a)形成一犧柱層於該蝕 刻終止層上方；（b)去除該犠牲層、該蝕刻終止靥以及 該介電層之部分區域，以形成一接觸窗；（c)形成一第 一非晶矽層於該犧牲層上方與該接觸窗之側壁及底部； (d )去除部份該第一非晶矽層與該犧牲層，以暴露出該 犧牲層之部分區域；< e )形成一第二非晶矽層於該第一 非晶矽層上方及側壁、以及該搛牲層之部分區域上方及側 壁；（f )去除部份該第二非晶矽層，以保留該第二非晶 矽層之部分區域，以及去除該犧牲層，以暴霹出該蝕刻終 止層；（g)形成一第三非晶矽餍於該第一非晶矽層及該 第二非晶矽層下方區域內之該第一非晶矽層、該第二非晶 矽層及該蝕刻終止靥之表面上方；以及（h)形成一半球 狀複·晶较層(bemis.pherica 量 grained Si ， HSG> 於該 第一非晶矽層、該第二非晶矽層及該第三非晶矽層之表面 上方，以完成一電容下電極之製程；俾得以藉由該半球狀 複晶矽層所耩成之表面積，供作爲電容表面積之用。 依據上述構想，其中該半導體基板係可爲一矽基板（Si Substrate)。 依據上述構想，其中形成該介電層之方法係可爲一化 學汽相沈稹法{Chemical Vapor Deposition，CVD)。 10 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1^- I - ·ί ^^1 t^i n ^^^1 it (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 42ί857 r Α7 Β7五、發明説明（巧） 依據上述構想，其中該介電層係可爲一未摻雜矽玻璃 層（Nondoped Silicon Glass，NSG)，且該未接雜砂 玻璃層（NSG)之厚度係可爲1000A〜 3000A。 依據上述構想，其中形成該蝕刻終止層之方法係可爲 —化學汽相沈積法（Chemica丨 Vapor Deposition，C V D )。 依據上述構想，其中該蝕刻終止層係可爲一氮矽化合 物層（SiNx)，且該氮矽化合物層之厚度係可爲100A〜300 A。 依據上述構想，其中該記憶單元係可爲一動態隨機存 取記憶體（DRAM)» 依據上述構想，其中於該步驟（a)中，形成該犧牲 層（Sacrificia丨Layer)之方法係可爲一化學氣相沈積法 (Chemi-cal Vapor Deposition，CVD)。 依據上述構想，其中於該步騄（a )中，該犧牲層 (Sacrificial Layer)係可爲一犧牲氧化層（Sacrificial Oxide)，且該犧牲氧化層之厚度係可至少爲6000A*· 依據上述構想，其中於該步驟（b )中，形成該接觸 窗（Contact Window)之方法係可以一光學微影及蝕刻技 術爲之* 依據上述構想，其中於該步驟（c )中，形成該第一 非晶砂層（Amorphous Si丨icon)之方法係可爲一化學氣 相沈積法（Chemical Vapor Deposit i. on，CVD) * 依據上述構想，其中於該步驟（c )中，該第一非晶 矽層之厚度係可爲1〇ί)〇Α〜3000A。 11 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家樣隼（CNS ) Λ4规格U丨0X297公嫠） 4 21857 A7 __B7五、發明説明（β ) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 依據上述構想，其中於該步驟（d)中，去除部份該 第一非晶矽層與該犧牲層之方法係可以一光拳微影茇蝕刻 技術爲之。 依據上述構想，其中於該步驟（e )中，形成該第二 非晶矽層（Amorphous Silicon)之方法係可爲一化學氣 相沈積法（Chemical Vapor Deposition，CVD>。 依據上述構想，其中於該步驟（e )中，該第二非晶 矽層之厚度係可爲1000 A〜3 000 A。 依據上述構想，其中於該步驟（f )中，係可包含步 驟：（f 1 )蝕刻部份該第二非晶矽層，以保留位於該第 一非晶矽層及該犧牲層側壁之部分該第二非晶矽層；以及 (f 2 )完全蝕刻該犧牲層，以暴露出該蝕刻終止層》 依據上述構想，其中於該步驟（f 1 )中，蝕刻部份 該第二非晶矽層之方法係可爲一乾式蝕刻法<Dry Etchirig)，俾以等向性蝕刻該第二非晶矽層之部分區域。 • · 依據上述構想，其中於該步驟（f 2 )中，遂行蝕刻 該犧牲層之方法係可爲一濕式蝕刻法（Wet Etching}，且 於遂行該濕式蝕刻法時，係可以一含有氫氟酸 (Hydrofluoric Acid，HF}之 P.O.E.餓刻溶液予以遂 行之，俾以完全去除該犧牲層。 依據上述構想，其中於該步驟（g)中，係可包含步 驟：（g 1 )形成該第三非晶砂層（Amorphous Sili. con) 於該第一非晶矽層、該第二非晶矽層及該蝕刻終止層之表 面上方；以及（g 2 )蝕刻部份該第三非晶.砍層，俾以保 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） I I 動裝 · 〔11^ (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 4 2)857 A7 _B7五、發明説明（J ) 留位於該第一非晶矽層及該第二非晶矽層下方區域內之該 第一非晶矽層、該第二非晶矽層及該蝕刻終止層表面上方 之部分該第三非晶矽層》 依據上述構想，其中於該步驟（g 1 )中，形成該第 三非晶矽層之方法係可爲一化學氣相沈積法（Chemical Vapor Deposition ’ CVD>，且該第三非晶矽層之厚度 係可爲3 0 0 A〜8.0 0 A。 依據上述構想’其中於該步驟（g2)中，去除部份 該第三非晶矽層之方法係可爲一乾式蝕刻法》 依據上述構想*其中於該步驟（h)中，彤成該半球 狀複晶.较層（hemisph. erical grained Si，HSG)之步 驟係可爲遂行一回火（annea丨）程序，以使該第一非晶妙 層、該第二非晶矽層以及該第三非晶矽層表面形成一呈半 球狀表面之半球狀複晶砂層< hemispherical grained Si，HSG> ;其中，於遂行該回火程序時之操作溫度係可控 制在580eC~620 °C之間· 依據上述構想，其中於該步媒（h )中，更可於形成 該半球狀複晶矽層之後，遂行一磷酸（Phosphoric Acid，Η3Ρ0〇處理程序，俾以加強該半球狀複晶矽層之 不平坦現象* 依據上述構想，其中於該步驟（h )之後更可包括下 列步驟：（i)形成另一介電層於該蝕刻終止層以及該半 球狀複晶矽層之表面上方；以及（j)形成一複晶矽層於 該另一介電層上方，俾以完成一電容之製程。. I 裝 - 訂"~ ^ ί請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210Χ297公嫠） 經濟部中央禚準局貝工消費合作社印製 421857 A7 __________B7_ 五、發明説明（fX) 依據上述構想，其中於該步練（i )及（j )中，形 成該另一介電層或該複晶矽層之方法係可爲一低壓化學汽 相沈稹法（LPCVDi · 依據上述構想，其中於該步騄（i )中，該另一介亀 層係可爲一氧化物-氮化物-氧化物層（〇3^(^-〇1^-Nitride -ON - Oxide，ΟΝΟ)，且該另一介電層之厚度 係可爲S〇A~2 0〇A。 依據上述構想，其中於該步驟（j)中，該複晶矽層 係可爲一已接雜之複晶较層（Doped Polysili..c. on)。 根據本案之上述目的，其構想另一方面在於提供一植 電容下電極之結構，其係可應用於一半導體基板上方具一 介電層，且於該介電層上方具一蝕刻終止層之記憶單元 中’其中該電容下電極之結構係可包括··一接觸窗 (contact window)，其係分佈於該蝕刻終止層以及該介 電層中；一第一導電層，其係分佈於該接觸窗底部及側壁 中，且向上延伸而彤成一蕈狀結構；一第二導電層，其係 分佈於該接觸窗周圍之該蝕刻終止層上方，以及分佈於該 第一導電層之內側表面上；以及一第三導電層，其係分佈 於該第一導電層及該第二導電層之表面上方，俾以藉由該 第一導電層、該第二導電層以及該第三導電層供作爲一電 容下電極結構，且藉由該第三導電層所構成之表面積供作 爲電容表面積之用。 依據上述構想，其中該半導體基板係可爲一矽基板（Si Substrate) ° 14 本紙張尺度遥用申國國家標準（CNS ) A4^格（210X297公釐） (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 218 5 7 A7 B7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印策 五、發明説明（/>) 依據上述構想，其中該介電層係可爲一未摻雜矽玻璃 層（Nondoped Silicon Glass * NSG>，且該未摻雜矽 玻璃層（NSG>之厚度係可爲ΐ〇〇〇Α~300〇Α» 依據上述構想，其中該蝕刻終止層係可爲一氮矽化合 物層（SiNx> .且該氮矽化合物層之厚度係可爲1〇〇 Α〜300 A。 依據上述構想，其中該記憶單元係可爲一動態隨機存 取記憶體（DRAM)" 依據上述構想，其中該第一導電層係可爲一非晶矽層 (Amorphous Silicon)。 依據上雄構想，其中該第二導電層係可爲一非晶矽層 (Amorphous Silicon)，且該第二導電層之厚度係可爲 3 0 0 A〜8 0 0 A。 依據上述構想，其中該第三導電層係可爲一半球狀複 晶砂層（h e m i s p h e r i c a 1 grained Si · H S G )。 依據上述構想，其中於該電容下電極結構上方更包 含：另一介電層，其係分佈於該第三導電層之表面上方； 以及一第四導電層，其係分佈於該另一介電層之上方，俾 以作爲一電容上電極之用。 依據上述構想，其中該另一介電層係可爲一氧化物-氮 化物-氧化物層（Oxide - ON Nitride - ON - Oxide， ΟΝΟ)，且該另一介電層之厚度係可爲SOA〜200A， 依據上述構想，其中該第四導電層係可爲一已摻雜之 複晶矽層（D 〇 p e d P 〇丨y s i丨i c 〇 n ) > 15 ------------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 21857 a? _B7五、發明説明（$ ) 因此，藉由上述電容之製程步驟所完成之電容結構， 將可提供簡單之製程流程以及嶄新之電容結構，並確實能 大幅增加電容之有效表面積。 本案以及其進一步目的與其功效，將參閲一較佳實施 例之詳細說明與所附之圖式，俾得一更深入之了解* 第一圖（a)〜（b):其係爲習知形成電容結構之 製程流程示意圖。 第二圖（a)〜（b) ··其係爲另一習知彤成電容結 構之製程流程示意圖· 第三圖（a)〜（d):其详爲又一習知形成電容結 構之製程流程示意圖。 第四圖（a)〜（g):其係爲本案之一較佳實施例 之電容結構製程流程示意圖。 第一圓圖號簡單說明： I II!— 裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 10 ........砍基板（SlSubstrat.e} 11 ........內層介電層（iLD> 12 ........接觸窗 13 .......•已摻雜複晶矽層 14 ........不平坦狀複晶砍層（R U g g e d Ρ ο I y ) 15 ........氧化物-氮化物-氧化杨層<ONO> 1 6........已摻雜複晶矽層 第二圖圖號簡單說明： 16 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 21857 A7 B7 五、發明説明（κ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 2 0........砂基板（Si Substrate} 21 ........內層介電層（ILD> 22 ........氮矽化合物層（SiNjt) 23 .......•犧牲氧化層（Sacri f i c i a 1 Ο X i d 〇 2 4........接觸窗（Con tact Window) 2 5........已摻雜複晶矽層 2 6........氧化物-氮仡物-氧化物層（ΟΝΟ) 2 7........已摻雜複晶矽層 第三圖圖號簡單說明： 3 0........砂基板（Si Substrate) 31 . *......內層介電層（ILD> 32 ........氮矽化合物層<5iNx) 33 ........第一犧牲氧化層 3 4........接觸窗（C ο n t a c t W i n d 〇 w ) 3 5·^.....•已摻雜複晶矽層 3 6........第二犧牲氧化層 3 7.......•已摻雜複晶矽層 3 8........氧化物-氮化物-氧化物層（〇Ν0> 3 9........已摻雜複晶矽層 第四圖圖號簡單說明·· 4 0 0 .......砂基板（Si Substrate) 4 0 2 .......內層介電層（ILD> 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210XW7公釐） (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) -裝· 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 4 2185 7 at B7 __------- 五、發明説明（/〇 4 0 4* •.·.·蝕刻終止層 4 0 6·' •...·犧牲氧化層 4 0 7*· .·· * ·犧拄氧化層之部分區域 4 0 8·· • · * ·，接觸窗（C 〇 n t a c t W i n d 〇 w ) 4 10·* .·.·第一非晶矽層 4 12·· .....第二非晶矽層 4 13·· ..，·，第二非晶矽層之部分區域 4 14*· •....第三非晶矽層 4 16·· .....半球狀複晶矽層 4 18·· .....氧化物-氮化物·氧化物層（P NO) 4 2 0· · .....複晶矽磨 首先，煩請 貴審査委員參閱第四圖（a)〜 (g)，其係爲本案之一較佳實施例之製程流程示意圖， 於其中： 第四圖（a )係包括下列步媒： 以電漿蝕刻化學汽相沈積法（PECVD)或低壓化學 汽相沈積法（LPCVD)，形成一內層介電層（Inter Layer Dielectric，ILD>402於一矽基板400上方；其中該內層 介電層4 0 2.係可爲一未接雜砂玻璃層（Nondoped S丨丨re?11 Glass，NS<；>402，且該未摻雜矽玻璃層（NSG)40 2之厚 度係可爲1000 A〜300 0 A; 以化學汽相沈積法（CVD)形成一蝕刻終止靥404於該 內層介電層402上方；其中該蝕刻終止層404.係可爲一箅矽 \ 18 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X：297公釐） ----------^------1T---------<.4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 21857 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（) 化合物層（SiNx)4 04，且該氮矽化合物層404之厚度係可 爲100人〜300人；以及 以化學氣相沈積法（CVD)形成一犧牲氧化層 (Sacrificial Oiide)406於該該蝕刻終止層404上方， 且該犧牲氧化層4〇6之厚度係可爲8000A; 第四圖（b )係包括下列步驟： 以光學微影技術（Photo丨ithography)定義一接 觸窗（Contact Window>圖案，且触刻部份該犧柱氧化層 4〇6、該蝕刻終it層4〇4以及該內層介電層402，以形成該 接觸窗408 ;以及 以低壓化學汽相沈積法（LPCVD>B成一具厚度爲 20 0 0 A之第一非晶矽層410於該犧牲氧化層4 06上方與該接 觸窗408之側壁及底部中； 第四圖（c )係包括下列步驟： 以一光學微影及蝕刻技術，以去除部份該第一非 晶矽層410及該犧牲氧化層4〇6，以暴餺出該犧牲氧化層之 部分區域40 7 ; 第四圖（d )係包括下列步驟： 以一化學氣祖沈積法（CVD)，形成一第二非晶砂 層412於該第一非晶矽層410之上方及惻壁，以及該犧牲氧 化層之部分區域4〇7上方及該犧牲氧化層40 6之側壁；其φ 該第二非晶矽層412之厚度係可爲2000A; 第四圖（e )係包括下列步驊： I 裝 -I. I 一訂 紙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 4 2 185 7 A7 B7 五、發明説明（/ί ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 以一乾式蝕刻法（Dry Etching)，俾以等向性蝕 刻該第二非晶矽層412之部分區域，以保留位於該第一非晶 矽層410及該犧牲氧化層4〇6側壁之部分該第二非晶矽層 413 ;以及 以一濕式蝕刻法(Wet Etching)，俾以完全蝕刻 該犧牲氧化層4〇6，以暴餺出該蝕刻終止層404 ;其中於遂 fT該濕式触刻法時，係可以一含有氣氣酸（Hydro f.luoric Acid，HF)之Β.Ο.Ε·蝕刻溶液予以遂行之，俾以完全去 餘該犧牲氧化層406 ; 第四圖（f )係包括下列步驟： 以化學氣相沈積法（CVD) *形成一第三非晶矽層 414於該第一非晶矽層410、該第二非晶矽層413及該鈾刻 終止層4〇4之表面上方；其中該第三非晶矽層41 4之厚度係 可爲30〇A〜80〇A; 第四圓（g )係包括下列步驟： 以一乾式蝕刻方式，去除部份該第三非晶矽層 414，俾以保留位於該第一非晶矽層41〇及該第二非晶矽層 41 3下方區域內，而位於該第一非晶矽層410、該第二非晶 矽層413及該蝕刻終止層404表面上方之部分該第三非晶矽 層 414 ; 遂行一回火（annea丨）程序，以使該第一非晶矽層 410、該第二非晶矽層413及該第三非晶矽層414之表面彤 成一呈半球狀表面之半球狀複晶矽層（hemispherical grained Si ’ HSG>416 ;其中，於遂行該回火程序時之 20 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐) ----------^-- <請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

A 經濟部中央標隼局we：工消費合作社印裝 421857 A7 __ _B7________五、發明説明（ί/) 操作溫度係可控制在580 °C〜620 °C之間，且於形成該半球 狀複晶砂層410之後，更可遂行一碟酸（Ph〇s_phoric Acid，H3P〇4)處理程序，俾以加強該半球狀複晶矽層 4 1 6表面之不平坦現象，而增加有效電容表面積；俾以完成 —電容下電極製程； 再以一低壓化學汽相沈積法（LPCVD)，形成另一 介電層418於該蝕刻終止層4 04及該半球狀複晶層416之表 面上方；其中該另一介電層418係可爲一氧化物-氮化物-氧 化物層（Oxide - ON - Nitride - ON ~ Oii<M ， ΟΝΟ)41δ，且該另一介電層418之厚度係可爲5〇A~ 100 A;以及 以低壓化學汽相沈積法，形成一複晶矽 層42〇於該另一介電層418上方；其中該複晶矽層420係可 爲一已摻雜之複晶矽層（Doped PolysiHcon>420 ;俾以 完成本案之一較佳實施例之電容之製程。 而藉由上述步驟所完成之電容製程，不僅製程步驟簡 單，且更能大幅提昇電容之有效表面積；更甚者，藉由上 述製程步驟更能完成極具特徵之電容結構；其中》煩請參 閱第四圖（g )所示"並參見下列詳細說明： 其中該矽基板400上方係具有該內層介電層40 2及 該触刻終止層404，而該接觸窗（c0ntact window)408 係分佈於該餓刻終止層4〇4以及該內層介電層402中；而該 第一非晶矽層410分佈於該接觸窗408底部及側壁中，且向 上延伸並結合該第二非晶矽層4 13而形成一覃狀結構，則該 21 I I I I I I —^ ! I-訂 I I n (J I (#先聞讀背面之注項再填寫本頁) 本纸張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 42 丨 857 at B7五、發明説明（V ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 第一非晶矽層410結合該第二非晶矽層413係親爲一第一導 電層； 而該第三非晶矽層414分佈於該接觭窗408周圍之該餓 刻終止層404上方，以及分佈於該第一導電層（410，413) 之內側表面上，則視爲一第二導電層；再者，該半球狀複 晶砍層（hemispherical grained Si，HSG>416 分佈 於該第一導電層（410，4 13)及該第二導電層4 14之表面上 方，則視爲一第三導電層416 ;俾以藉由該第一導電層、該 第二導電層以及該第三導電層供作爲一電容下電極結.構· 且藉由該第三導電層所構成之表面積供作爲電容表面積之 用* 而於完成該電容下電棰結構之後，更包含該氧化物-氮 化物-氧化物層（Oxiile - ON - Nitride - ON - Oxide， ONO>418，分佈於該第三導電層416之表面上方；而該己 摻雜之複晶矽靥420分佈於該氧化物-氮化物-氧化物層418 上方，則視爲一第四導電靥4 20，以作爲一電容上電極之 甩；俾以完成一電容結構。 而其中，該第一導電層中所包含之該非晶矽層410， 413係結合成一蕈狀結構，而再結合同樣爲一非晶矽層之該 第二導電層4 14，而形成一導電層；其中於該第一導電層及 該第二導電層之表面上方，則分佈該半球狀複晶矽層4 16 , 更可提昇電容之有效表面積。 而藉由本案所提供之蕈狀電容結耩，配合表面分佈半 球狀複晶矽層，不僅可大幅增加電容之有效表面積；榕 22 本紙張尺度通用中國國家樣隼（CNS > Α4規格（210X297公釐） I— I * 裝 訂 / C請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 421857 Α7 Β7 五、發明説明（>i) 者，所提供之蕈狀結構於遂行電容上電極之製程後，所呈 現之電容結構頂面平整，更有助於半導體葎續製程中之平 坦化考量。 因此*藉由本案上述較佳實施例中當可得知，僅需透 過簡單之製程流程，即可輕易地增加電容表面積；至於需 多少電容値，則可視應用而彈性調整犧牲氧化層之高度及 蝕刻深度，即可達到調整電容表面積所增加電容値之目 標，是以，本案當顯較目前存在之各種習知技術爲優《 綜上所述，透過本案之作法，顯可避免如習知m法般 所可能引起之缺失，不僅一倂解決習知作法中增加電容表 面積之電容量不足問題，更提烘一獨特之電容結構，由此 可知，本案實爲一極具產業價値之作。 本案得由熟習本技藝之人士任施匠思而爲諸般修飾， 然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。 ----------裝-- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) ，訂 ▲ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 23 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 4 21857 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 1·—種電容下電極之製程，其係可應用於一半導雔基板 上方具一介電層，且於該介電餍上方具一蝕刻終止層之記 tt單元中，其中該製程之步驟係可包括： a)形成一犧牲層舲該蝕刻終止層上方； b )去除該犧牲層、該触刻終止層以及該介電層之部 分區域，以形成一接觸窗； c)彤成一第一非晶矽層於該犧牲層上方與該接觸窗 之側壁及底部； " d )去除部份該第一非晶矽層與該犧牲層，以暴露出 該犧牲層之部分區域； e)形成一第二非晶矽層於該第一非晶矽層上方及側 壁、以及該犧牲層之部分區域上方及側壁； f )去除部份該第二非晶矽層，以保留該第二非晶矽 層之部分區域，以及去除該犧牲層，以暴露出該蝕刻終止 曆t g)彤成一第三非晶矽層於該第一非晶矽層及該第二 非晶矽層下方區域內之該第一非晶矽層、該第二非晶矽層 及該蝕刻終止層之表面上方；以及 h )形成一半球狀複晶砂層（hemisph.erical grained Si ’ HSG)於該第一非禺矽層、該第二非晶矽層 及該第三非晶矽層之表面上方，以完成一電容下電極之製 程；俾得以藉由該半球狀複晶矽層所構成之表面積，供作 爲電容表面積之用。 24 本紙張尺度逍用中囷固家梯準（CNS >A4規格（210x297公釐） I) I n n n I n n Ml i ^-n n I I ^ (請先聞讀背面之注意事項再s本炅) 4 2 18 5^ H C8 D8 六、申請專利範圍 2 ·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程，其 中該半導體基板係可爲一矽基板（Si Substrate)。 i 3 ·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程，其 中形成該介電層之方法係可爲一化學汽相沈積法（Clwmical Vapor Deposition r CVD) · 4 ·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程，其 中該介電層係可爲一未摻雜矽玻璃層（Non doped Silicon Glass，NSG)，且該未摻雜矽玻璃層（NSG)之 厚度係可爲100〇A〜300〇A。 5 *如申請專利範壊第1項所述之電容下電極之製程，其 中彤成該蝕刻終止層之方法係可爲一化學汽相沈積法 (Chemical Vapor Deposition » CVD) ° 6 ·如申請專利範圍第l項所述之電容下電極之製程，其 中該蝕刻終止層係可爲一氮矽化合物層（SiNx)，且該氮矽 化合物層之厚度係可爲100 A〜300A。 7 *如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程，其 中該記憶單元係可爲一動態隨機存取記憶體（DRAM) » 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 裝— 1 ^ —""訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 *如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程*其 中於該步璨（a )中，形成該犧牲層（Sacrificial Layer)之方法係可爲一化學氣相沈積法（Chemical Vapor Deposition 5 CVD) ° 9 ·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程，其 中於該步驟（a )中，該犧牲層（Sacri. ficia丨Layer}係 25 氏張尺度逋用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210X297公釐y 4 21857 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 (請先聞讀背面之注意事項再填窝本頁) 可爲一犧牲氧化層（Sacrificial Oxide)，且該银牲氧fc 層之厚度係可至少爲6000人。 1 0，如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（b)中，形成該接觭窗（Contact Window)之方法係可以一光學微影及蝕刻技術爲之》 11·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（c )中，形成該第一非晶矽層 (Amorphous Silicon)之方法係可爲一化學氣相沈積法 (Chemicai Vapor Deposition » CVD)* 1 2 *如申請専利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（c )中，該第一非晶矽層之厚度係可爲 100〇Α〜300〇Α。 1 3 *如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（d )中，去除部份該第一非晶矽層與該犧 牲層之方法係可以一光學微影及蝕刻技術爲之。 經濟部中央標準局貝工消合作社印11 14. 如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（e )中，形成該第二非晶矽層 (Amorphous Silicon)之方法保可爲一化學.氣相沈積法 (Chemical Vapor Deposition ’ CVD)。 15. 如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步媒（e )中，該第二非晶矽層之厚度係可爲 1 00 0 A〜3 0 00 A。 16·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驊（f )中，係可包含步驟： 26 本紙沬尺度埴用中國國家梯準（CNS ) A4规格（h〇X297公羞) T 5 8 8 S 8 8 ABCD 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 κ、申請專利範園 f 1 )蝕刻部份該第二非晶矽層，以保留位於該第一 非晶砂層及該犧牲層側壁之部分該第二非晶矽層；以及 f 2)完全蝕刻該犧牲層，以暴露出該蝕刻終止層， 1 7 *如申請專利範圍第1 6項所述之電容下電極之製 程’其中於該步驟（f i )中，鈾刻部份該第二非晶矽層 之方法係可爲一乾式、餓刻法（D I* y Etching)，俾以等向性 蝕刻該第二非晶矽層之部分區域* 1 8 ·如申請專利範圍第16項所述之電容下電極之製 程’其中於該步驟（f 2)中，遂行蝕刻該犧牲層之方法 係可爲一濕式蝕刻法（Wet Etching)，且於遂行該濕式敏 刻法時’係可以一含有氫氣酸_.(Hydiv〇f丨uoric Acid， HF>之Β·〇·Ε.蝕刻溶液予以遂行之，俾以完全去除該犧牲 層。 19·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（g)中，係可包含步驊： g 1 )形成該第三非晶政層i(Amorplioiis Si丨icon} 於該第一非晶矽層、該第二非晶矽層及該蝕刻終止層之表 面上方，以及 g 2 )蝕刻部份該第三非晶矽層，俾以保留位於該第 一非晶矽層及該第二非晶矽層下方區域內之該第一非晶矽 層、該第二非晶矽層及該蝕刻終止層表面上方之部分該第 三非晶矽層。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項所述之電容下電極之製 程，其中於該步驟（g 1 )中，形成該第三非晶砍層之方 27 本紙張尺度適用中國興家揉準（CNS)A4規格（210X297公釐) ---------^----；--1T-------^ (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 421857 鉍 C8 __ D8 六、申請專利範圍 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁} 法係可爲一化學氣相沈積法（Chemica丨Vapor Deposition，CVD)，且該第三非晶矽層之厚度保可爲 30〇A〜80〇A。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之電容下電極之製 程，其中於該步驟（g 2)中，去除部份該第三非晶矽層 之方法係可爲一乾式餓刻法" 2 2 ·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步騍（h)中*形成該半球狀複晶矽層 (h e m i s p h e r i c a 丨 g I* a i n e d S i，H S G )之步琛係可爲遂 行一回火（annea〖）程序，以使該第一非晶矽層、該第二非 晶矽層以及該第三非晶矽層表面形成一呈半球狀表面之半 球狀複晶砂層（hemispherical grained Si，_ HSG); 其中*於遂行該回火程序時之操作溫度係可控制在SWC〜 6 2 0 °C之間。 23·如申請專利範圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（h )中，更可於形成該半球狀複晶矽層之 後，遂行一磷酸（P h 〇 s p h 〇 r i c A c i d，Η 3 Ρ Ο > 處理程 序，俾以加強該半球狀複晶矽層之不平坦現象* 蛵濟部中央榡率局貝工消費合作社印策 2 4 ·如申請專利菊圍第1項所述之電容下電極之製程， 其中於該步驟（h)之後更可包括下列歩驟： i)形成另一介電層於該蝕刻終止層以及該半球狀複 晶矽層之表面上方；以及 j )形成一複晶矽層於該另一介電層上方，俾以完成 一電容之製程。 28 本紙張尺度遑用中國两家揉準（CNS > A4規格（210X297公釐） 4 21857 is8 C8 D8六、申請專利範圍 經濟部中央榇準局負工消費合作社印製 2 5 *如申請專利範圍第2 4項所述之電容下電極之製 程，其中於該步驊（i )及（j )中，形成該另一介電層 或該複晶矽層之方法係可爲一低壓化學汽相沈積法 (LPCVD)« 2 6 ·如申請專利範圃窠2 4項所述之電容下電極之製 程，其中於該步驟（i )中，該另一介電層係可爲一氧化 物-氮化物-氧化物靥（〇»1“-〇1^-1^11^<!6-〇«-Oxide，ΟΝΌ)，且該另一介電層之厚度係可爲50 A〜200 A。 2 7 ·如申請專利範圍第2 4項所述之電容下電極之製 程，其中於該步驟（j )中，該複晶矽層係可爲一已摻雜 之複晶砂層{Doped Polysilicon)。 2 8 · —種電容下電極之結構*其係可應用於一半導體基 板上方具一介電層，且於該介電層上方具一蝕刻終止層之 記憶單元中，其中該電容下電極之結構係可包括： 一接觸窗（contact window)，其係分佈於該独刻終 止層以及該介電層中； 一第一導電層，其係分佈於該接觭窗底部及側壁中， 且向上延伸而形成一蕈狀結構； 一第二導電層，其係分佈於該接觸窗周圍之該蝕刻終 止層上方，以及分佈於該第一導電層之內側表面上；以及 一第三導電層，其係分佈於該第一導電靥及該第二導 電層之表面上方，俾以藉由該第一導電層、該第二導電層 29 本紙張尺度速用中國圃家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標嗥局員工消費合作社印装 4 2185 7 as __S 六、申請專利範圍 以及該第三導電層供作爲一電容下電極結構，且藉由該第 三導電層所構成之表面積供怍爲電容表面積之用。 2 9 *如申請專利範圍第2 8項所述之電容下電極之結 構’其中該半導體基板係可爲一矽基板（Si Substrate) β 3 Ο *如申請專利範圍窜2 8項所述之電容下電極之結 構，其中該介電層係可爲一未摻雜矽玻璃層（Nondoped Silicon Glas?，NSG)，且該未摻雜矽玻璃層（NSG>之 厚度係可爲1〇〇〇Α〜 300〇Α· 31·如申請專利範圍第28項所述之電容下電極之結 構，其中該蝕刻終止層係可爲一氮矽化合物層（Si Nx)，且 該氮矽化合物詹之厚度係可爲Γ0〇Α~3Ο〇Α。 3 2 ·如申請専利範圍第2 8項所述之電容下電極之結 構’其中該記憶單元係可爲一動態隨機存取記憶體 (DRAM) » 3 3 *如申請專利範圍第2 8項所述之電容下電極之結 構，其中該第一導電層係可爲一非晶矽層（Amorphous Silicon)0 3 4 ·如申請專利範圍第2 8項所述之電容下電極之結 構，其中該第二導電層係可爲一非晶矽層<Amorphou$ Silicon)，且該第二導電層之厚度係可爲3 00A〜800h 3 5 ·如申請專利範圍第2 8項所述之電容下電極之結 構，其中該第三導電層係可爲一半球狀葆晶矽層 (hemispherical grained Si · Ή S G )。 30 本紙張尺度適用中國國家揉準（Cns ) A4規格（210X297公釐） -I I IH 1 H ΙΊ t— IH 故 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 BS C8 D8 4 21857 六、申請專利範囷 3 6 ·如申請専利範圍第2 8項所述之電容下電極之結 構’其中更包含： 另一介電層，其係分佈於該第三導電層之表面上方； 以及 —第四導電層，其係分佈於該另一介電層之上方，俾 以作爲一電容上電極之用- 3 7 ·如申請專利範圍第3 6項所述之電容下電極之結 構’其中該另一介電靥係可爲一氧化物-氮化物-氧化物層 (Ο X i d e - 〇 N - N i t r i d e Ο N - Ο X i d e，Ο Ν Ο ) * 且該 另一介電層之厚度係可爲soA〜200 3 8 *如申請專利範圍第3 6項所述之電容下電極之結 構，其中該第四導電層係可爲一已摻雜之複晶矽層（Doped Polysilicon) ° 11 — — — — — —、裝 11 I.IT.4. (請先W讀背面之注^K項再填寫本VO 經濟部中央輮隼局員工消费合作社印製 3 一| tw一用 |嘈 公 97 2