TW421724B - Tantala doped waveguide and method of manufacture - Google Patents

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Evelyn Mcgee Deliso
Deborah Lynn Marlatt
Michelle Diane Pierson
Christine Louise Hoaglin
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Description

421724
421724 經濟郎中九入隐隼Γί对令i PI 纖。因為錯每一公斤大約 1000美元
A7 B7 五、發明説明（ 發明領域： 、一本^明係關方；般具有高折射率之光學波導玻璃及製 造泛種光學波導翻方法，更制地關於—種方法將光 學波導玻璃獅Ta^產生不含結晶之光料導纖維。 β同時本發明摘使用—些粉塵收集及雜技技術，特 別疋能触合細外職相沉積法⑽），以及將特別著 +重這方面之說明。 發明的背景 通訊傳輸領域急速地擴張下，存在需要一種在短時間 内月b傳送大量數據之系統，自S，在光電領域内，更需要 新縣料祕及_歧導元件崎合«統之需求。 又而。光波導光纖構造包含心蕊，其由包層材料 Ί，包層材料折射率低於心蕊折射率。言亥光學波導纖 維^岭石所構成，其選擇性摻雜-種摻雜劑例如為錯 ° ^然:鍺為最廣泛被使用的主要摻雜物，其他摻雜劑例 ::站【、硼及铒等亦常被用到。李矽石中二氧化鍺為最 吊破使用’其主要由於低㈣及高折射率所致。 /·甘雜物包括二氧化錯在内’都有缺點因而限制著 用if 有效性。因而，當技術得到改善以及新的應 ΡI時’賴符合這些翻新穎的學波導之規格亦 二沾ΐ t求提供誘因以考慮應用新的摻雜劑及新的摻雜
二枯維之方法以符合這些新的需求。除此，競爭性 也驅使研究者繼續發展低價的光S 月b夠提供較向折射率而高於二氧化鍺同時較為 (〇阳）八4規格（210/297公楚） Φ (請先閲锖背面之注意事項再填寫本頁)
4 2.1 72 4 A7 B7 五、發明説明（>) 便宜的摻雜劑以及使用較少量該摻雜劑為理想的。 像這樣的具有高折射率之摻雜劑，其中一種為钽。實 際上，Taps薄膜已被廣泛用在薄膜波導‘鏡及妙晶片太 陽電池上之抗折射塗膜。由於在集體光學裝置之薄膜上， TasOs為極具吸引力，因而引起許多研究者在這領域上積 極投。在含有1：和〇5薄膜光裝置上一般製造是利用噴塗技 術，結果所測得損耗約為〇. 。在薄膜領域中，人們 相信高損耗係由於噴塗後接續之薄膜熱處理所致。人們發 現熱處理會導致薄膜由雜晶職祕晶形。該缺陷假如 形成於光學波導轉射，其賴賴操储性有負面 響以及使該光齡鱗波導齡彡絲法發輝功能。 •平面裝置曾經使用Ta205製造出。這種裝置之TaA_ Si02'c>'蕊玻璃是糊電子流汽相沉積法沉積出。這種裝置 的最低損耗已發現為〇· 15 db/_15，_細拙。對鉍 波導纖維而言，損耗目標值為小於1 dB/kni。因此，薄膜或 平面光學I置均不建議使射錄，石作為光學波導纖維 基於先職明，存在-種限量雜劑之需求，其能夠 在光學波導纖維中產生高心蕊折射率^此外，仍需要一種 好非線性特性之摻雜劑而不會對摻雜劑所存在之光 :波=纖維機械性質有負面影響，同時顯現有細放大特 ^製造驗對光學波導_提轉 較低需要的。和二氡化鍺相比較下氧化组為 幸又低W及!^折射率的，因而使它成為該捧雜劑。 影 學 (請先M讀背面之注意事項再填讳本頁) 訂 ; .产" . 本紙張尺 (CNS ) { 2IOX 29Τ^^γ 4.21 72 4
A*7 B 4 五、發明説明（2 ) 經濟部中央標毕局負Η消费合作社印裂 發明大要： 本獅_製造料高折_心紐損耗之光 學波導’其藉由提供TaA以及Si〇2粉塵毛胚，將粉塵毛胚 在適合防止含冑了响-吨賴軸如之制1下固結以 形成玻璃桿，以及將玻璃桿抽拉為光纖。 本發明另外—項係關於-種光纖，其藉由配製出至少 包含TaA以及Si〇2之粉塵毛胚，以及將粉塵毛胚在適合防 止含有TaA-Sl〇2玻璃形成結晶之條件下固結以形成玻璃 桿以及將 +玻璃桿抽拉為光纖。 本發㈣外〜項侧於—種雄，其具有高純度玻璃 包層，以及由包層®繞著之高折射率麵心蕊。玻璃心蕊 包含2至5%重量比城，使得光纖中在下光線衰減 小於1. 8dB/km。 本發明另外-項係關於1使用於光學波導心蕊中之 玻璃，其包含Si02,以'在固結後為2%至5%|㈣TaA,其 以氧化物重量百分比為基準。 ， , 本兔Θ麵以及方法具有許乡的_而優於先前技術 之:、他玻璃。財最吸人注目之特徵為本發明在玻璃中使 用氧化组具有高折射率，據報導在632· 8咖下為2, 2。當然 、在本教9月破璃中能夠利用添加相當低含量％〇5即可達 用GeG2能夠達成之折射率。更甚者，由於練錯便宜 序多，因此選擇氧化㈣摻雜劑可明顯地節省費用。 ^外.項優點為TaA-SiC»2玻璃為高黏滯性，其由於氡 化組高炫點所致。Ta離點為庸c，而抓及㈣炼點 —Fn-國家梂^Γ (請先閲讀背面之注意事項再樓』％本頁) 訂 t.. 421724 五、發明説明（今） 經濟部中夾螵隼^pi 刀別為1715C及1116C。因而，具有高黏滞性鈕石夕酸鹽玻 填構成本發明黏滯性相匹配之破璃。 另一項發明的優點是組氧化物在化學上非常穩定.而且 不/容於水，.含組玻璃熱膨脹遠低於含鍺坡璃，以及本發明 在衣ia光學波$過程中貫質地在含有丁32〇5-&〇2玻璃中去 除結晶。後者優點導致得到改善之光學特‘性。 本發明其他特性以及優點將詳細陳述如下；其中一部 份技巧很明顯可從敘述中顯現出來或藉由實施本發明下列 詳細說明，申請專利範圍以及附圖而得認知^ 人們了解先前一般說明以及下列詳細說明僅是本發明 之範例以及提供作為概念或架構以了解本發明之原理以及 特徵。 所包含附圖提供更進一步了解本發明以及合併構成本 發明說明書之一部份。附圖顯示出本發明一個或多個實施 例，以及隨同說明作為解釋本發明原理以及操作。 附圖簡單說明： • 、 第一圖（圖1)為依據本發明製造出光纖之透視圖。 弟·一.圖（圖2)為圖1沿者2_2線展開之斷面圖。 第三圖（圖3)為本發明氣氣反應器之斷面圖。 第四圖（圖4)為依據本發明形成粉塵毛胚汽相傳送系統 之示意圖。 弟五圖（圖5)為本發明，固結尚溫爐第一優先實施例之斷 面示意圖。 * 弟六圖（圖6)為本發明固結面溫爐第二優先實施例之斷 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 "! (CNS ) ΜίΙΜ- ( 210X 297/,-!) 42.1 72 4 A7 ____ _B7 五、發明説明（Γ ) 6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 面示意圖。 第七圖（圖7)為在氦氣中1450°C下固結之摻雜Ta205心 蕊玻璃顯微圖。 第八圖（圖8)為在氦氣中i 450°C下固結之摻雜Ta205心 蕊玻璃顯微圖。 -第九圖（圖9)顯示出在氦氣中1450°C下固結之摻雜Ta2〇5 心蕊玻璃之心蕊包層界面顯微圖。 第十圖（圖10)為在氦氣中1550°C下固結之摻雜Ta205心 • I 蕊玻璃顯微圖。 第十一圖（圖11)為在氦氣中1550°c下固結之摻雜Ta205 心蕊玻璃顯微圖。 第十二圖（圖12)為在氦氣中1550°C下固結之摻雜Ta205 心蕊玻璃顯微圖。 . 第十三圖（圖13)為在真空中丨450。(：下固結之摻雜Ta205 心蕊玻璃顯微圖。 第十四圖（圖14)為在真空中155CTC下固結之摻雜Ta205 心蕊玻璃顯微圖。 第十五圖（圖15)為在氦氣中1550°C下固結之摻雜Ta205 心蕊玻璃顯微圖。附圖數字，號說明： 光學波導纖維20;包層22;心蕊24;反應器26;擴散 器28;預熱區域30;反應區域32;氧化钽34;傳輸系統 36;燃燒葶組件38;粉塵42;粉塵毛胚44;心軸46;固結 高溫爐48;氣體50;外圍氣體52;真空環境54;泵56; 本纸張尺•適用中國國家標準（CNS ) ΑΊ见格（2ΐ〇χ297公梦） (请先"讀背面之注意事項再填寫本頁) -----------—— 訂 7• 421724 • A.. ~~:----~~-__：_ 五、發明説明（b ) 經濟部中央拔準局男工消费合作社印裂 光纖區段60;包層62;心 優先實施例詳細說明： …本發明特別地考慮製造單模光學波導纖維，多模光學 波導纖維，以及平面波導，其並不受限於任何特定說明附 圖，或範例。除此，人們可預期本發明實施可連同任何已知 的光學波導處理雕技術例如㈣氣相_&(_，& 學氣相沉積法(MCVD)，垂直軸向沉積法(VAD)，電漿化學 沉積法(P⑽及溶縣進賴作，岭本發不受限於 這些技術。不過，為了作為規範用途，在此所說明以及附圖 所顯不之钽矽酸鹽粉塵以及毛胚係對使用〇VD製造技術進 行說明。 現在對本發明優先實施例詳細加以說明，其範例顯示 於附圖中。在整個附圖中相同參考數字儘可能地表示相同 或類似元件。本發明光學波導範例性實施例顯示於圖1中， 以及以參考數字20表示。 本發明光學波導纖維20包含高蜂度玻璃包層22以及高 折射率玻璃心蕊24由包層2‘2包覆著。在圖1及2中，高純度 玻璃包層22主要為矽石，以及心蕊24包含摻雜所需要比例 氧化组之矽石。在固結後光學波導纖維2〇包含2至5%重量 比Ta205,該光學波導纖維已證實在155〇nm下呈現出損耗小 於1，8dB/km。在優先實施例中，光學波導纖維2Q在1550· 下光線衰減小於0. 25dB/km。 製造低損耗具有高折射率心蕊光學波導方法之優先實 施例包含下列步驟：形成包含乜2〇5以及5丨〇2粉塵毛胚，將 64;界面區域6g。 ^紙ί:(尺度適用中國國私德辛（CNS ) A4規格（2丨OX 2974·[) 9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
421724 ' A7 —------ B7 五’、發明説明（·γ ) … 粉塵毛胚固結以形成玻璃桿，其所在條件將足以防止Ta2〇5 結晶，以及將玻璃桿抽拉為光纖。τ%〇5能夠使用業界所熟 知化學汽相沉積法傳輸或藉由液態傳輸。Si〇2同樣地能夠 使用已知的化學汽相沉積法傳輸或藉由液態傳輸。 利用化學汽相沉積法所使用反應器之範例性實施例顯 示於圖3中。反應器26包含擴散器28,預熱區域30,以及反 應區域32 °在操作時，部份氧化钽封閉於反應器26預熱區 域30内以及氯氣流經擴散器28以及部份氧化钽34上於反應 .器26内。反應器26包含預熱區域30以及反應區域32之兩個 分離加熱線圈（並未顯示出）。當在反應區域中加熱至350 °C或更高溫度時，充份數量丁 ac 15氣體在反應器26中形成以 在粉塵中產生所需要數量之Ta2〇5。 如圖4所顯示，TaCl5氣體由汽化傳輸系統36傳送至燃 燒器組件38。在燃燒火焰中TaCl5轉化為Ta205,其依據下 列反應進行： 4TaCl5(g) + % 〇2(g) -> 2Ta205 +^10Cl2(g) . 含有被細分離非晶質Ta2〇5粉塵42由火焰喷出，其將被捕捉, 以及作更進一步處理。在優先實施例中，粉塵42被捕捉於 旋轉心軸46上以形成粉塵毛胚44。捕捉於粉塵毛胚44上 之Ta/)s數量由燃燒器組件38沿著粉塵毛胚44長度側向通 過次數以及氯氣通過反應器26之流量決定。 使用OVD法製造出二氧化鍺石夕酸鹽之毛胚進行固結所 用固結高溫爐通常提供之溫度在l〇〇〇t與1450°C之間。經 由试驗，可發現該向溫爐並不會產生所必需之加熱以進行 本紙張尺度通几中國國家標準（〇防）六4規格（2]0\297公/,|) (〇 8 (請先閲讀背面之注.意事項再填?ΐ本頁)' ,ιτ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 421724 · 9 五、發明説明（g ) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 固結步驟而不會在含有Ta2〇5-s i 〇2玻璃中形成結晶，此為 本發明所需要的特性。因而能夠達到超過1450°C溫度之改 良固結高溫爐為本發明所需要的。該固結高溫爐優先實施 例示意性地顳示於圖5及6中。 圖5描繪出製造具有高折射率心蕊之低損耗光學波導 方法之固結步驟第一優先實施例。粉塵毛胚44保持於固結 南溫爐48内，在其中毛胚暴露於氣體5〇中。並非作為限制 用途之氣體例如為氣氣，氦氣，以及氧氣或其組合氣體能夠 傳送至固、轉高溫爐48以在其中形成外圍氣體52。目前優先 使用氦氣流經粉塵毛胚44同時在固結高溫爐48内溫度優先 地提高至160CTC或更高。高溫爐48維持這些條件持續到 Ta2〇rSi〇2心蕊玻璃溫度保持為i6Q(Tc或更高並歷時一段 適當時間促使燒結以及玻璃化。進行業界所熟知製造光纖 之其他處理步驟後，所形成桿件抽拉為光纖。人們預期由 含有2至5% Ta^s之Si〇2粉塵毛胚，以及在流動氦氣中加熱 '至溫度160(TC或更高溫度處理所製缚出光纖在155〇nm下衰 減小於0· 25 dB/km。在優先實施例中，溫度範圍為i6〇〇°c 至 1700°C.。 圖6描繪出固結高溫爐48第二優先實施例，其支撐著粉 塵毛胚44。在該實施例中，粉塵毛胚44在真空環境中加熱。 在此所謂真空環境係指小於大氣壓之環境。如圖6所描繪， 泵56或其他減小壓力裝置將由固結高溫爐仙内去除空氣， 因而使其中壓力減小。粉塵毛胚44能夠在溫度低於16〇(rc 下作熱處理使粉塵毛胚44燒結以及玻ί离化。通常，粉塵毛 本紙&尺度適用中國國家榡卒（CNS) Ai)規格（2〗〇χ29Μ /( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 丁 -3 421724 Α7 Β7 10 經濟部中央標準局貝工消费合作社印袈 五、發明説明 胚44在真空環境中加熱至溫度界於1500°C與1600°C之間使 得Ta2Os-Si〇2心蕊玻璃溫度達到丨50crc與丨6〇(rc之間並歷 時充份的時間足以形成清澈不含結晶之玻璃。在優先實施 例中，固結高溫爐48内之真空環境54呈現壓力低於nr4托 。接續其他處理步驟為光纖製造業界所熟知，所形成玻璃 桿柚拉為光纖。由含有Si〇2以及2至5%重量比丁七％粉塵毛 胚44以及在低於1〇-4托壓力之真空環境中溫度界於15〇〇。〇 與1600°C之間進行熱處理所製造出光纖預期在155〇_下.呈 現出哀減為小於〇. 25dB/km。 -本發明方法之顯著優點在於含有Ta205粉塵毛胚無結 晶地固結。下列範例顯示出本發明方法之效用。 範例1: 藉由沉積100回合含有5. 55%重量比Ta205-Si02以及接. 續177回合Si02而製造出心蕊毛胚。所形成粉塵預製件試 樣被切§!]為25_長以及直徑約為5〇至6〇_斷面之晶片。試 樣在流動氦氣t溫度為1450°C下煆燒，如圖7-9所示。心蕊
• V 材料與在心蕊-包層界面下心蕊材料之掃描電子顯微圖（SEMs )(圖7及8)顯示出主要結晶為含有Ta2〇5—Si〇2玻璃。在圖9 光纖區段60清楚地顯示出，當包層62固結為清澈非晶質玻 璃時矽石包層62很容易與含有Ta205-Si(Vd64區別。心 蕊包層之界面區域66可清楚地看見位於包層62與心蕊64之 間。 範例2: 先前對範例1所說明粉塵預製件試樣之其他切片在 本纸乐尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（2丨〇,κ 公沒） (請先閱讀背面之注意亊項—填寫本頁) ,-*
4 2.172 4 A7 B7 五、發明説明（γ) .… 流動氛氣中加熱至1550°C。該試驗結果顯示於圖1〇及11中 。在圖10及11中SEM再次地顯示出含有Ta205心蕊玻璃含有 許多結晶。實際上，結晶如此多因而與範例1比較，溫度提 高大於100X但是並不會呈現出使結晶減少。 .範例3: 先前對範例1所說明粉塵預製件試樣之其他切片在流 動氛氣中加熱至1650°C。如圖12所顯示，心蕊試樣固結為 清澈玻璃，其並不具有明顯的結晶。 .範例4: 先對抵例1所說明粉塵預製件試樣之其他切片在ΐχ i〇-4托真空中分別在1450°c，1550°c以及1650°C中煆燒。 如圖13所示，SEM顯示出在14 5 (TC下作熱處理後在含有Ta2〇5 心說玻租中存在結晶。不過在1550 C以及1650°C溫度作熱 處理，在圖14及15之SEM中顯示在含有Ta205-S i 〇2心蕊玻璃 中並不產生結晶。 為了作其他測試，單模階躍折射率光纖由其他心蕊毛 胚抽拉出，其配製類似先前對範例卜4所說明之方式。含有 .不同重量f分比Ta205光纖之△%以及衰減顯示於下列表1 中。 (請先閲讀背面之注.意事項再填』?!;本頁)
，1T 砂... 經濟部中央摞準局勇工消赀合作社印製 本纸法尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（釐） 12 4 2.1724 at B7 五、發明説明（|j) _ 試樣# 表1 %重量比 Ta205 △(%) 在1310nm 衰減 在1380nm 在1550nm 衰;咸 衰減 1 2.0 0.25 15.6 29.5 4.3 2 2.0- 0.25 33.3 40.6 12.4 3 2.0 0.25 26.7 38.8 11.3 4 2.9 0.31 3. 6 16.4 2.25 5 2.9 0, 30 2.89^ 7.26 1.73 6 3. 1· 0. 34 4.3 $ 21.5 2.21 7 4.5 0.50 212.7 175.2 82.4 (锖先閲讀背.¾之注意事項再填寫本頁) .0 使用對_表1所列光纖作熱處理之固結高溫爐為標準高 溫爐，其共同地使用將Ge〇2-Si02光纖預製件固結。因而 可使用作為固結之最rfj溫度為1450 C。因而，使用1450°C 最高溫度以固結表1所列之每一心蕊毛胚。所得到最小損. 耗之心蕊毛胚具有2. 9%重量比Ta205。在I550nm下衰減為 1. 73dB/km。這些結果確認對於含有Ta205-Si0#纖使用 高於145CTC固結溫度為十分地重的。.基於這些訊息以及上 述所說明之試驗丨至4,當這些光纖之粉塵毛胚在溫度能夠 維持大於1500°C固結高溫爐中進行固結時可預期含有Ta2〇5 一Sl〇2光纖在1550nm下呈現出之損耗低於〇. 25dB/km。 熟知此技術者能夠對本發明作出許多變化及改變，但 疋並不會脫離本發明精神與範圍。這些變化及改變均含蓋 於下列之本發明申請專利範圍内。 ’ 冬纸張尺度適用中國国家榇準（CNS ) A41# ( 2 10X297么、 訂 經濟部中央榇卒局男Η消费合作杜印製

Claims (1)

  1. 4 2 17 2 4:、 ABCD 3 六、申請專利範園 經濟部中失搮华局员工消f合作社印装 1. -種製造低祕光學波.紐，該光學波導具有高折 射率心蕊，該方法包含下列步驟： 形成由Ta2〇s以及Si〇2所構成之粉塵毛胚； . 在能夠防止毛麟晶之情況下將粉塵毛胚聽以形成玻 璃桿；以及將毛胚抽拉為光纖。 2. 依據巾請專繼圍幻項之方法，其帽粉塵毛關结之 步驟包含下列步驟： ， 將粉塵毛胚暴露於由氦氣賴成環境巾；以及將粉塵毛 胚加熱至溫度高於155〇。{：。 3·依據申請專利制幻奴方法，其帽健毛胚固結之 步驟包含下列步驟： 將粉塵毛胚暴露於真空環境下，以及 將粉塵毛胚加熱至溫度大於145(TC。 4. 依據f料娜Μ1項之方法，其巾真Μ境為壓力低 於10 4托（torr) 。 _ 5. 依據㈣專觸®第2項之方法，其帽境域氣及氧氣 所構成。 6_㈣申請專·圍第1項之方法，其中形成粉塵毛胚步驟 包含粉塵毛轉齡·挪重纽了响幻.爾纽乜此間 之步驟。 2 5 八依據_ ^專彳彳範圍第1項之方法，其巾形成及固結步驟包 含4择適當的參紐得形成光齡1刷⑽下呈現i低於!. 8 dB/Km損耗。 盧申1 f利範圍第1項之方法，其中形成及固結步驟包 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 尽絲尺度賴 ) A4C^ { 210X297^-17 421724 A8 B8 CS D8 14 申請專利範圍 含選擇適當的參數使得形成光纖在 0,25 dB/Km損耗。. 兄K低於 =據申請專利範圍第δ項之方法’其中固結粉塵毛 包含i .. 將=塵毛縣H於由域·叙職；从將粉塵毛 胚加熱至溫度大於丨55〇。〇 10.依據申請專利範圍第8項之方法，其中固結粉塵毛 驟包含： 將粉塵毛胚暴露於真空環境；以及將粉塵毛胚加埶至溫 度大於1450°c。 … U.依據申請專利範圍第1項之方法，其中更進-步包含下. 列步驟:外包覆毛胚以形成由S102所構成之包層。 12.依據申請專利範圍第1項之方法，其中形成粉塵毛胚之 步驟包含下列步驟： 將氯氣流至溫度大於350t氯氣反應器内之仏上以形成 TaCl5; 將TaCis傳送至〇聰燒器以形成由了峨所構成之粉塵丨 經濟部中夬標準局男工消贫合作枉印製 以及 將粉塵沉積於旋轉心轴上以形成粉塵毛胚。 13·依據申請專利範園第1項之方法，其中該方法將製 光纖。 14. 一種光纖，其包含： 高純度破璃包層；以及 玻璃心遂，其由包層圍繞著，該玻璃心蕊具有較高折射率 造出 (請先g讀背面之注意寧項再壤寫本育)
    衣紙張尺度通;Ϊ]中囯囯家標準（CNS )六衫尤格（21〇X：297公釐） 2 4 4 2 ABCD 鲤濟部中央標準局負工消资合作社印製 六、申請專利範園 _ 而高於包層，該玻璃心蕊在固結後包含2-5%重量比Ta205, 以及在1550nm下光纖之光線叙減小於1. 8dB/Km。 15.依據申請專利範圍第丨4項之光纖，其中玻璃心蕊更進一 '步包含Si02以及其中光纖不含結晶。 16 依據申請專利範圍第丨5項之光纖，其中在丨55 〇nra下光纖 之光線衰減為0. 25 dB/Km。 Π. —種玻璃，該破璃使用於光學波導中，該玻璃包含： Si02;以及 在固結後以氧化物重量百分比為基準，其包含2%非晶質 Ta205至诚非，晶質Ta2〇5。 18. 依據申請專利範圍第丨7項之玻璃，其中心蕊玻璃在氦氣 環境中固結，其溫度界於1600°C至200(TC之間。 19. 依據申請專利範圍第18項之玻璃，其中心蕊玻璃在氦氣 環境中固結，其溫度界於16〇(Tc至180(TC之間。 20. 依據申請專利範圍第19項之玻璃，其中心蕊玻璃在氦氣 環境中固結，其溫度界於16〇(TC至1651TC之間。 21. 依據申請專利範圍第17項之玻璃，其中心蕊玻璃在真空 環境中固結，其溫度大於U50t：。 22. 依據申請專利範圍第17項之玻璃，其中心蕊玻璃由&〇2 所構成之包層圍繞著以形成光纖，以及其中在155〇nm下光 纖之光線衰減為小於1. 8dB/Km。 23. 依據申請專利範圍第22項之玻璃，其中在i550nm下光纖 之光線衰減為小於0. 25dB/Km « 本纸a尺度通用中國國家標準（CNS )八4规格（2!0 X 29 7公々） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 5
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