TW413839B

TW413839B - High flow gas manifold for high rate, off-axis sputter deposition

Info

Publication number: TW413839B
Application number: TW085101839A
Authority: TW
Inventors: Dean Willett Face; Kirsten Elizabeth Myers
Original assignee: Du Pont
Priority date: 1995-02-14
Filing date: 1996-02-14
Publication date: 2000-12-01
Also published as: DE69605403D1; ATE187209T1; WO1996025531A1; DK0809717T3; ES2141490T3; GR3032184T3; KR100387557B1; PT809717E; KR19980702230A; SG38929A1; US5667650A; EP0809717B1; CA2208342A1; DE69605403T2; EP0809717A1; JPH11500184A

Description

413839 A7 '—______B7___j___ 五、發明説明（H ) 發明之領域本發明係關於藉濺鍍以製造氧化物薄膜之改良型裝置與製法，其包含使用一氣體流動歧管以引導電漿達離革巴材並朝向基質之...方向，而在大區域上產生較高沉積速率與更均勻之沉積速率。發明之背景南溫超導體由於彼等之轉移溫度可太於液態氮之滞點而爲最重要之.科技。高溫超導體材料，一般而言係鋼氧化物，.可製成各種形式，如，散劑，單晶體，等等。超導體材料之薄膜可應用於包含電磁學與電子學之多種應用。經濟部中央榇準局員工消費合作社印製沉積薄膜材料具有多種途徑。於製造較1微米薄之薄膜時，一般係採用蒸氣沉積法。此類方法之一係平面磁電管錢射。於此方法中，在接近靶材之表面處產生電漿，一大 (如，7.5公分直徑X 0‘75公分厚）碟型材料被沉積。典型之氬或另一惰性氣體被使用作爲濺射劑；於反應性濺射中，係利用反應性氣體之偏壓（氣體與靶材材料反應以形成欲沉積之預期化合物）。乾材被施加偏壓以使獲自電漿之離子被加速朝向i。離子以原子尺度撞擊靶材而使材料離除表面。由位於靶材後之永久性磁鐵所產生之磁場被利用以使接近靶材表面之電漿被局限並増強。排除之材料被收集在 —基質"上，其通常位於與靶材相反且相距某些距離處，典塑爲剛好超出電漿之程度。基質通常被加熱以提供被吸附原子足夠之表面流動性以使彼等配置進入晶格中。 ____2Z__ -4- 本紙張尺福中國國家標车7^·) A4規格（2ί〇χ29?:^---- 413839 經濟部甲央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 應用濺射技術以沉積氧化物薄膜並不直接。問題是氧離子（獲自陶瓷靶材或作爲形成氧化物超導體之必要性反應性氣體）亦由電漿所產生。負電荷性氧離子被加速遠離施加負偏壓之靶材並朝向成長膜。然後氧離子在膜成長乏時 "賤射’’離膜（負離子撞擊）◊此現象結合兩個問題：丨)薄膜之成長率明顯地減少，及2)於某挚狀況下’ mji，相對於多它元素母先濺射一元素而造成非m薄膜。如圖1A及1B所示之"離軸"濺射方法被開發以克服負離子撞擊問題。如圖1B所示此方法包括使基質i宅位於不朝向靶材-2，但位於與靶材大致垂直（約7〇至9〇。）之平面上，朝向電漿。如以上所述者，氬離子撞擊靶材（實線箭頭3 )產生一電衆。電浆包含在磁鐵組合4之範園内。於此狀況下，負離子並不直接朝向成長膜加速。不幸地，薄膜之成長速率實質上被減少，即使離除材料之動量係直接自靶材離出之最大値（虚線箭頭y。注意箭頭意義爲顯示整體之流動，而非個別原子之行爲。離出材料在垂直方向之擴散係視狀沉而定。典型爲於離軸濺射時使用較高之壓力。於形成夕種氧化銅超導體時較高壓力亦具重要性。一般而言除非於沉積晚i使用多重濺射源時旋轉基質，離軸濺射實際上產生犀度具太斜度之薄膜。戎乎全邵涪性"超導體薄膜電路之普通元件係丨⑽印以⑽接面（JJ)。Joseph.接面係一裝置，其係由經狹窄區域之非一超導體材料所分隔之兩區域超導體材料所組成。於超導體 -正常金屬-超導體（SNS) Josephson接面中，在正常金屬中感 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝· 訂本紙ifc尺度逋用申圃蔺定斑维f nxrc· S A 4 4S ·1Α t 公 413839 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（3 ) 應出超導體特性而使小量之超導電流在無電阻下流經金屬。當流經過JJ之電流超過"裝置之"極限電流"時，在裝置間產生一電壓。此非線性特性可被利用作爲電子電路之開關。 JJ之製造可藉於基質之尖銳基座上以與此基座呈—角度而影射之區域外而使超導體薄膜不連續地覆蓋基座沉積— 超導體薄膜而完成。由單一方向沉積薄膜之要求爲避免基質於沉積時旋轉或使用多重源材配置於基質周邊。 .使用離軸濺射於製造此類裝置之問題係源自裝置諸層之厚复強烈地影響裝置特性。本發明之氣體流動歧管明顯改良沉積之均勻性並增加整體成長速率。使用氣體流動歧管在例如，反應性濺鍍之薄膜製程中被熟知。若被反應材料之濺射速率低於未反應材料之速率，在革&材表面之反應物氣體之偏壓被維持在低程度，以使賤射速率維持在高程度，且同時接近基質之反應物氣體之偏壓被保持在高程度以使被沉積之材料完全反應◊於此一狀 ί兄下，反應性氣體可如同T. Jung及A. Westphal發表於"表面及塗覆技術"，第 59卷，1993，第 171-176頁或 S. Maniv，C. Miner，及 D. Westwood發表於 J. Vac. Sci. Technol。第 18卷，March 1981，第195-198頁之論文所述，可在盡可能接近基質上之成長薄膜下經由一氣體流動歧管被通入。另外，在盡可能接近靶材下導入非-反應性濺射氣體已經有商業產物，例如由住址爲 P.0. Box 246，809 Country Way, North Scituate,,MA 02060.之 AJA International公司所製之具完整氣體注入之AJA濺射檢之 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕

訂

K.J 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 413839 五、發明説明（_ 4 ) "A300" ° (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此濺鍍技術所需求之技術爲，可在大區域下產生均勻之高沉積速率，且適合於成長薄膜和階緣接面。本申請人等之發明提供此一沉積設備與製程。發明之概要本發明包括一種供離軸磁電管濺鍍無機皇J匕物化合物之改良型裝置，其具有濺射槍、靶材、基質、氣體流動治具與封閉室，其中之改善包._含定倬介於基質與靶材間之具有至少-一個氣體入口與_1少一也口開口於歧管上之中空氣體流動歧_管，該出口開口定位以引導氣體流體遠離靶材且朝向基質之方向。較佳歧管被定位於更接近靶材而非基質。裝置容許使用一極高之氣體流動速率以提供均勻之薄膜覆蓋於大區域基質。本發明另外包含供離軸平面磁電管濺鍍用之改良型製程，其中之改善包含利用上述裝置。該製程與裝置係特別 \—- 有用於超導體化合物薄膜之漉鍍。經濟部中央標準局員工消費合作社印製、圖示之簡短敘述圖1A係一典型實際之離軸平面磁電管濺射設備之圖示。圖1B係利用圖1A之設備之濺射製程之圖示。圖2係利用本發明之氣體流動歧管設備之離軸平面磁電管激射製程之圖示。圖3係呈圓環狀之本發明之氣體流動歧管設備之平面 — -7- ( CNS } Α4» ( 210X297-^¾ ) Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作.社印製五、發明説明（-5 ) 圖。圖4係呈圓環狀之另一本發·明之氣體流動歧管設備之平面圖。 … 圖5係階緣SNS Josephson接面之剖面圖。圖6係改良型階緣SNS Josephson接面之剖面圖，其在介於超導體與正常金屬間結合了絕緣層。圖7係YBa2Cu3〇7_x之平面圖，其中X係〇至〇·5之利用本發明之氣體流動歧管裝置藉離軸平面磁電管濺射所製得之樣本。k些數目代表在樣本之諸不同點上薄膜之沉積速率 (每分鐘毫微米）。圖8係YBa2Cii3〇7-x之平面圖，其中x係〇至q.5乏典型實際藉離轴平面磁電管濺射所製得之樣本。這些數.g代表在樣本之諸不同點上薄膜之沉積速率（每分鐘毫微米）。圖9係Ce〇2之平面圖，其係利用本發明之氣體流動歧管裝置藉離軸平面磁電管濺射所製得之樣本。這些數目代表在樣本之諸不同點上薄膜之沉積速率（每分鐘毫微米）。圖10係Ce〇2之平面圖，其保典型實際藉離軸平面磁電管濺射所製得^樣本。這些數目代表在樣本之諸不同點上薄膜:之沉積速率（每分鐘毫微米）。圖η係具有圖5結構且利用本發明之氣體流動歧管裝置藉離軸平面磁電管濺射所製得之一 8微米寬之階緣SNS万之電流-電壓特性。通經裝置之電流μΑ以裝置上之電壓μν爲函數作圖。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) H9 1 —^ϋ. •m 【裝--- 訂---- n S\E^ --......- -- > 413839 A7 B7 五、發明説明（· 6 ) 發明之詳細敘述本發明包含一改良型装置與供離軸磁電管濺鍍無機氧化物化合物成薄膜之製程。本發明之装置類型係具有含黑色空間罩之濺射槍，靶材，與氣體流治具以供在基質上沉積高達約10微米厚度之薄膜，全部配件係含蓋於可呈眞空狀態之密室内。典型爲，使用一幫浦以實施抽眞空。如圖1A 所示一個或多個磁電管濺射槍B在適當之電氣連接與水連接下（提供冷卻）藉在密室内之機械治具予以定位。靶材A 附著於槍B之前表面。槍之黑色空間罩G搭配整個靶材，遮蔽.諸邊緣，但使大多數靶材表面暴露出。基質C被定位於如所示槍之材之相對位置。若需要，基質C可利用機構D予以旋轉。氣體經由入口 E被供給入密室中。使用眞空幫浦F可在密室内產生眞空。特別地，本發明之改善包含定位介於基質與靶材間之中空氣體流動歧管。氣體流動歧管具有至少一個氣體入口，其被連接至一外部而與密室分隔之可控制之氣體源，及至少一個，較佳多個氣體出口。出口被定位以引導氣體流經歧管並遠離乾材及於基質之方向。經濟部中央標準局買工消費合作社印製 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之ά置之一種排列如圖2所顯示。氣體流動歧管 21 (以剖面圖顯示）被定位於使用於離軸平面磁電管:賤射之漱射槍（顯示部分）之黑色空間罩22之前。氬離子依黑色箭頭29所指示之方向撞擊革巴材25而造成材料自#巴材離出並產生被濺射材料之電漿。電漿之動量被氣體流動所引導。氣體流動，虚線箭頭23，攜帶濺射之材料，實線箭頭24，遠 —— -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）經濟部中央標準局員工消費合作社印製 413839 A7 B7 五、發明説明C7 ) 離靶材25而朝上朝向基質26。氣體流動歧管包含在歧管之底部具有單一入口 27或多重入口之中空歧管，且在歧管上具多個小出口開口 28。在本文中所使用之u開口 "項其意義爲任何幾何形狀之出口洞或槽，其包含，例如，圓形，長方形，或橢圓形。開口之間距與角度已由實驗予以決定以提供最均勻之薄膜沉積。較佳，歧管被定位以較接近於無材而非欲沉積化合物於其上之基質。歧管之最佳位置係與如圖2所示之被暴露之I巴材之開π週邊之濺射槍之黑色空間罩鄰接並接觸。歧-管被定位以使歧管之平面，其係平行於其圓周之平面，平行於祀材表面。在歧管面上之出口開口遠離輕材。基質被定位以使其表面係在相對於靶材表面自約45至約90 度之角度，且於垂直於基質表面之方向，自基質至最靠近已暴露之靶材部份之距離係自約1公分至約50公分，且於垂直於乾材表面之方向，自乾材至最靠近之基質邊緣之距離係自約1公分至約50公分。較佳，基質表面係在相對於靶材表面自約70至約90度之角度，且於垂直於基質表面之方向，自基質至最靠近已暴露之靶材部份之距離係自約1 公分至約25公分，且於.垂直於乾材表面之方向，自把材至最靠近之基質邊緣之距離係自約1公分至約25公分。最佳，此等距離係自約1.5至約3.5公分。歧管之可由在沉積所需之溫度下及氧氣存在下實質上不致分解之任何材料製得。較佳之材料係銅與不銹鋼。當材料被沉積時，基質溫度可高達1300 Κ。 __-10-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格Uiox 297公釐） Μ Ϊ -/,L.\. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 413839 Α7 Β7 五、發明説明（8 ) 氣體流動歧管之最佳參數，諸如開口之數目與尺寸與管路之内徑視沉積時密室内之壓力與氣體流動速率而定。諸參數提供與以下相關之氣體流動歧管被利用於典型離軸濺射中密室壓力介於100-200毫托之範圍内沉積材料。在較低壓下最有效地利用此一歧管，自出口開口之氣體速率較高且反之亦然。通經開口之氣體速率可藉減少開口之尺寸，及/或減少所提供之氣體流動之開口數目而被增加。另外，就所提供之開口結構而言，倘若氣體流動不受氣體流動歧管，或相對於供應氣體至歧管之管路之内徑所限制，氣體.之速率可藉增加氣體流動速率而被增加雖然本發明不受理論所限，咸信最小之可實施之氣體流動速率係大於擴散率除以介於靶材與基質間最大距離。擴散率=(1/3) cl，其中c係氣體分子之平均速率，與1係在操作壓力之平均自由路徑。經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 典型，氣體流動歧管之内部剖面係自約0.11平方公分至約1.3平方公分，較佳自約0.14平方公分至約0.22平方公分。歧管之剖面不一定爲圓形，可變更。典型爲氣體流動歧管具有10至20個直徑自約1.0至約1.6毫米之圓形出口開口而獲得整體開口剖面幾乎等於中空歧管之内部剖面。歧管之整體外形可隨濺射槍或靶材之外形而變。例如，' 歧管可爲圓形，長方形，兩個相平行之圓柱體形式及其他外形。較佳之歧管外形相當於所使用之乾材外形。於槍具有革e材之場合下，一圓形氣體流動環爲較佳。較佳，歧管之内徑幾乎等於濺射搶之黑色空間罩開口之直徑。 — -11 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（.2 ί 0 X 297公釐） 413839 A7 ______ B7 五、發明説明（9 ) 圖3描述呈圓環結構之本發明之歧管。圓環耵包含一氣體入口 32與兩群出口開口 33與34。群33開口在相對於平面自約80至約110度，較佳相對於歧管平面約9〇度，幾乎定位垂直於與歧管之平面，其係平行於歧管圓周之歧管平面。群 34開口疋位於與彼等群33相隔一距離，且相對於歧管平面自约30至约60度，較佳相對於歧管平面45度，且指向圓環之中心。第一群開口，群33,集中環繞在圓環上最接近基質之一點，且第二群，群34之開口被集中環繞在圓環上最遠離基質之一點。於圖3之裝置中，在每一群内之個別出口開.口係各自相離自約〇:9至約u公分。圓環之較低部份％之外形並不重要，且可選擇較易製造之外形。另一圓環之幾何形狀，可爲由不銹鋼所加工，如圖仏所示。此圓環具有四十個均勻分佈而環繞於圓環同一面之分抓開口 41。開口可插入—螺絲，或與如圖4Β所示之喷嘴42 搭配諸噴嘴具有薄壁不銹鋼管（各種直徑）43，其可彎曲至適當方向，及/或切割成較短之長度。 ·Μ濟部中央標準局員工消費合作社印製較佳爲氣體流動對稱性於圓環之兩邊^開口之結構與沉積 < 均句性，關聯性。僅在底部（4巧具開口之圓環產生接近槍疋冰積。在頂邵具有較小開口（ #6〇及#61鑽孔）之圓環 U好在每一開口疋前產生具較薄區域之薄膜（若氣體流動太间且將材料自彼等區域移除）。此等與沉積條件相關之觀察在諸實例中有所描述。另外，氣體流動歧管之相關尺寸’數目，與開口之位置，可針對不同氣體流動速率，壓力與基質位置而予以最佳化。圖4Α所示之圓環之一優勢本紙乐又度適用中ϊϋ家標準(CNS ) 413839 A7 -— ---- -B7_ 五、發明説明（10 ) 係其具有撓曲性而使其足具此類最佳化。較佳爲通流經歧管之氣體具對稱性。其較佳係對稱於一平面，該平面係藉在靶材之中心垂直於靶材表面之第一線與垂直於基質表面之第二線所定義且倘若此等兩線交叉則在區域之中心將發生沉積。適合應用在本文中之氣體包含氧及使用作爲濺射劑之惰性氣體’諸如氬，氖，氪或氙。較佳應用於本發明者係氬與氧之?昆合物。如以上所記，最有效之氣體流動速率係視密室中之壓力與出口開口之數目與尺寸而定。每分鐘約 200標準立方公分之最小氣體流動速率爲適當。較高之氣體流動速率，諸如每分鐘自約45〇至約650標準立方公分爲較佳。經濟部中央榇隼局員工消費合作社印製本發明之裝置與製程提供一方法以獲得高濺艘速率與均勻之化合物沉積之組合。所;增加之》賤射速率較無本發.明之歧管改善之相同裝置所獲者高2至4倍。供方向性沉積之先前技藝（例如，不利用多重槍或旋轉基質）藉利用高壓及低沉積速率已在基質上完成高達7,5公分直徑之均勻沉積。當達成較高速率而致均句性時，本發明提供一技術以達成具高濺鍍速率與所沉積之化合物具均勻厚度之方向性沉積具亦係有用於製備Josephson接面。圖5描述Josephson (JJ)接面。JJ之製造可藉沉積超導體薄膜 51於基質53之尖銳基座52上而被完成，其可選擇性地塗覆一缓衝層54 ’然後在超導體薄膜之上沉積,一正常金屬膜 55。超導體必需以一角度予以沉積以使基座陰影罩住其相二 13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 413839 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11 ) 鄰之區域且超導體膜在基座上爲不連續。正常金屬必需以使金屬充填於兩超導體槽之間隙之方式被沉積。自—方向沉積薄膜（方向.性沉積）之需求爲避免使基質於沉積時旋轉或利用配置多重源材於基質周邊。如圖6所顯示之改良型JJ結構，爲舉例説明，其中之改良包括除連面本身之外於元件之全區域介於超導體薄膜62與正常金屬63之間增加絕緣薄膜61，其中超導體與正常金屬必需爲電氣接續，且爲元件之接續焊墊。在具此額外之絕緣層下，流經過裝置之電流被局限於超導體層，除了接面處之外’如同與圖5之場合相反，其中電流可在廣大區域間流入正常金屬。在其他全爲相等下，圖6之裝置比圖5 之裝置具有較高之阻抗，故可產生更大之開關電壓。本發明之裝置與製程係適合應用於任—類型jj之製備。利用本發明之適合於沉積之化合物係無機氧化物化合物。較佳之氧化物係選自包括以下元素之氧化物，鉈 (如 ’ T120 ’ T1203，Tl3〇4等等），鉛（如，Pbo，Pb〇2，Pb3〇4，

Pb20 ’ Pb2〇3 等等），汞（如，Hg2〇，H2〇2，HgO，等等），坤 (如 ’ As203 ’ As2〇5，As204 ’ 等等），铯（如，Cs20，Cs203， Cs2〇2 ’ Cs〇2 ’ Cs〇3 ’ 等等），鱗（如，p2〇5，p2〇3，等等）’叙 (如，Li20，等等），鉀（如，κ2〇，KO，K02，等等），咖 (如，Rb203，RbO，Rb20，Rb02，等等），硒（如，Se02 ’

Se03，等等）’鈉（如，Na20，Na02，Na202，等等），硫（如， so2，so，so4，so3，等等），鎵（如，Ga2〇，Ga2〇3，等等）；鈹（如，BeO，B2〇3，等等），鎂（如，Mg〇，等等），鋁(；如，一. -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --^ -- .... - (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) Ητ

413839 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___ B7五、發明説明（12 ) A1203，等等），矽（如’ Si〇2，Si0，等等），鈣（如，Ca〇，等等），鉦（如，SC2〇3，等等），鈦（如，Ti〇2，Ti2〇3，等等），釩（如，V205，VO，ν〇2，等等），鉻（如，Cr〇2，Cr〇2， Cr203 ’等等）’錳（如’施〇，施2〇3，施3〇4，施仏，等等），鐵（如，FeO，Fe2〇3，Fe3〇4，等等），鈷（如，c〇〇， C〇2〇3 ’ C〇3〇4 ’ 等等）’鎳（如，Ni〇，Ni2〇3，等等），銅（如， CuO ’ Cu02 ’ Cu20 ’ Cu403，等等），總（如，SrO，Sr02，等等）’釔（如，Y2〇3，等等），錄（如，Zr〇2，等等），報（如， Nb205，NbO，Nb203，Nb02，等等），鉬（如，Mo〇3 , Mo〇2， Mo2Q3，Mo205，等等），釘（如，ru〇2，細，Ru2〇3，等等）， (如 ’ PdO ’ Pd〇2 ’ 等等），銀（如 ’ Ag2〇，Ag2〇3 ’ Ag3〇4，等等）’鎘（如，CdO，Cd02，等等），銦（如，in〇，in2〇3， Ιη2〇，等等）’錫（如，SnO，Sn02，Sn304 , Sn203 ,等等），銻 (如 ’ Sb2〇4 ’ Sb205，Sb203，等等），鋇（如，BaO ’ Ba02，等等），La (如，La203，等等），鈽（如，ce02，等等），镨 (如’ Pr203，Pr02，等等），敍（如，Ld203，等等），釤（如， Sm203，等等），銪（如，Eu203，等等），轧（如，Gd203，等寺），鐵（如，Tb2〇3 , Tb4〇7，等等），鏑（如，Dy2〇3，等等），鈥（如，Ho203，等等），餌（如，Er203，等等），鍅 (如，Tm203，等等），镱（如，Yb2〇3，等等），镏（如， Lu203，等等），铪（如，Hf〇2，等等），鈕（如，Ta205 ’等等），鎢（如，W03，W02，W205，等等），銖（如，Re〇2， Re207，Re03，等等），鐵（如，〇s〇2，等等），.級（如，ir〇2， &2〇3，等等），與鈾（如，U〇2，等等）^其被了解上列之氧 — -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 J —.Λ. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 413839 A 7 B7 五、發明説明（13 ) 化物可包含部份混合氧化物，但係仍然在應用於實施本發明之材料之範圍内β 適合於利用本發明之沉積用較佳化合物係超導體化合物。各種類型之超導體包含以下之範疇：REBaCuO (RE = Υ, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) 5 TIBaCaCuO ? TlPbSrCaCuO 5 BiSrCaCuO，HgBaCaCuO，LaSrCuO，LaBaCuO，BABiPbO，與 BaKBiO，其中被了解該範疇包含之化合物中被限制於元素之取代實質上不改變化合物之本質^適用於本文之特殊化合物包含：REBa2Cii3〇7-x (X = 〇至 0.5 ; RE = Y，

Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu)；

TlBa^Can-iCiinOh+s ’ 其中 ii= 1, 2，3 or4 ; TLBazCandCunC^n·^，其中n=l，2,3or4;

Tlo.sPbo.sSi^Ca^CunC^t^，其中 n=l,2,or3，及 HgBhCan-iCUnOM，其中 n = 1，2, 3。適合應用於本發明之基質，包含砂，以錯安定化之叙* ’ GaAs，LiNb〇3，a1203，NdGa03，MgO，SrTi03，LaA103，玻璃與其他。大於1平方公分之基質係適於在本文中使用，較佳爲大於2平方公分。使用於本文中之"基質，，項包含具有一中介層介於基質與沉積氧化物間之基質。此類層之實例係缓衝層。本發明之製程可被應用於連續沉積個別化合物。例如，特別較佳者係在氧化鈽之上端沉積氧化铈作爲第一層及超導體化合物作爲第二層。另外，第—層，諸如氧化铈，可藉傳統之技術被沉積，且超導體化合物藉利用本發明之裝 —Ml. __ - 16 - 氏張又度適用中國國CNS〉A4規格（21〇χ 297公釐） (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁)

413839 A7 __B7__ 五、發明説明（l4 ) 置與製程被沉積。本發明之裝置與製程係有用於沉積無機氧化物化合物薄膜。諸薄膜可爲超導體，半導體，導體，絕緣體，強介電性，或光學塗覆用或抗腐触塗農JS.之__暮篇.。超導體薄膜被使用作爲電子及通訊用之微波與_全_釐_波_裝_置+之..祖件。此類裝置之實例包含滯延線，過濾器，相位移器與Josephson接面。實例1 三对直徑（7.62公分）梦基質.（Virginia Semiconductor公司，1501 Powhaten St.，Fredericksburg, VA 22401)。在側面研磨後被放置入在底部具有四個小突塊以支撑晶圓之不錄鋼圓環。金屬圓環與矽基質被懸掛在眞空密室之頂端（L560 Deposition· System form Leybold Technologies Inc.，120 Post Rd., Enfield^ CT)以使基質面對密室之底部。經濟部中央標隼局員工消费合作社印製三叶（7,62公分）直徑平面磁電管濺射槍（1^1)〇1(1丁6£：1111〇1〇細3 Inc., 120 Post Rd, Enfield, CT)被定位以使其黑色空間罩之頂端爲距離矽晶圓之最近邊緣約平行0.5公分及垂直1公分且靶材之平面與表質表面成75。角。靶材係固定於銅杯之7.34公分直徑X 0.48公分厚度之YBa2Cu307陶瓷靶材（SSC公司，18916 North Creek Parkway, Suite 110, Bothell, WA 98011) ° 一塊外徑6.35毫米，.壁厚0.76毫米之軟銅”冷;東"管（Mueller Brass Co.，Fulton, MS)被彎曲製成如圖3所示之氣體流動圓環。圓瓖之一段31具有約7.06公分之内徑，恰好比藉以使靶材暴 —~ -17. 本紙張尺度逋用t國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 413839 A7 _ B7 五、發明説明（_ 15 ) 露之黑色空間罩之開口爲大。因爲氣體流動環之外型係手工製成，並非一完美之圓圈。圓環下段之功能單純地爲在圓環之兩侧提供對稱性之氣體流動。結構在結合"1/4忖 (0.64公分），Τ 型”揍頭 32後被完成（Swagelok Co·, Solon, 0Η 44139)。以#54鑽頭（1.30毫米）在圓環面上鑽取多個孔。在圓環之上端與中央左侧及右側.，配置5個相隔約1.1公分之孔洞且以約90。直接朝向圓環33之平面。在下段之每一面，自靠近圓環底部處延伸至侧面34之中心部位另外配置5個約相隔 0.9公-分之孔洞。此等孔洞鑽孔被鑽取成使彼等朝向圓環之中心且以約45。（相對於圓環平面）相向。銅環被附著於黑色空間罩上以使其如圖2所示平坦緊贴黑色空間罩而使諸孔洞與靶材面對相離。經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 密室首先用冷凍泵浦被抽眞空至約1χ1〇·5托（1.33xl(T3 巴）（On Board system by CTI Cryogenics, 9 Hampshire St·，Mansfield, ΜΑ 02048)。280 seem .(每分鐘標準立方公分）氬氣及280 seem氧氣之氣體流動，經由MKS之流量控制器（MKS, 6 Shattuck Rd·， Andover, ΜΑ 01810)與氣體流動圓環充填於密室内。一可變節流閥被使用J設定150毫托（19.95巴）之壓力。靶材先被"預濺射"以自其表面移除污染物。濺射槍係由 50 瓦 DC 電源供给器（型號 RFX-600，Advanced Energy Industries Inc.， 1600 Prospect Parkway, Fort Collins, CO 80525)供應以產生-72伏特之自偏壓（採用RF搭配網路及ATX-600轉換器，Advanced Energy Industries Inc.)並運轉數分鐘。然後75瓦DC電能被供給至具有 ‘ -18 - 本紙張尺度適用中國國家( CMS ) A4規格（210X 297公釐） 413839 A7 ______B7_ 五、發明説明（16 ) 第二電源供給器（型號 MDX-500, Advanced Energy Industries Inc.)之 ?賤射检。裝載秒晶圓之載具被旋轉至側面且進行120分鐘之沉積。在沉積之後，矽晶圓自密室移出並送往亞利桑那大學 (感謝 John Leavitt敎授，物理系，TUSC011i A2 85721)藉 Rutherford Backscattering (RBS)以分析成分》在基質上之不同位置所測得之薄膜之沉積速率，如圖7所示依每分鐘毫微米方式提供平板被置於最靠近濺射槍處）圖8顯示在類似條件之下，但在具更大之典型氣體流動速率*下，氬及氧各自爲85. seem且氣體被充填於密室之底部 (無氣體流動圓環），一樣本成長之薄膜沉積速率。此沉積延長進行至240分鐘。以使薄膜厚度及速率上之誤差，爲可比較性（約2%)。注意在接近及遠離槍之處其間在無氣體流動圓環下之沉積速率具有大於4之差異因素（圖8)。在具圓環下，此差異因素•小於2且整體沉積速率（五點數據之平均値）有超過兩倍之高（圖7)。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實例2 三吋直徑（7.62公分）矽基質如實施例1被配置於密室中。三对（7‘62公分）直徑平面磁電管濺射擒（Leybold Technologies Inc·)被定位以使其黑色空間罩之頂端爲距離矽晶圓之最近邊緣約平行2公分及垂直1.5公分且靶材之平面與基質表面成72°角。靶材係固定於銅杯之7.34公分直，徑X 3.18公分之 Ce〇2 陶竟乾材（sUperc〇ndiictive Components, Inc.，1145 Chesapeake Ave.， _二_-19- ._ 本紙張尺度適用中國國家榡準（CMS > Μ規格（210X297公釐） A7 B7 413839 五、發明説明（17 ) ·

Columbus, 0H 43212)。 . (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 實施例1之銅氣體流動環被附著於黑色空間罩上以使其平坦緊貼黑色空間罩而使諸孔洞與靶材面對相離。密室首先被抽眞空至約lxl〇_5托（1.33X10—3巴）（On Board system by CTI Cryogenics) 〇2〇48)。280 seem (每分鐘標準立方公分）氬氣及280 seem氧氣之氣體流動，經由MKS之流量控制器（MKS， ’6 Shattuck Rd., Andover, MA 01810)與氣體.流動圓環充填於密室内。一可變節流閥被使用以設定150毫托（19.95巴）之壓力。靶材先被"預濺射"以自其表面移除污染物。濺射槍係由 100 瓦 DC 電源供給器（型號 RFX-600, Advanced Energy Industries Inc. 供應以產生-228V之自偏壓（採用RF搭配網路及ATX-600轉換器 ’ Advanced Energy Industries Inc.)並運轉 30分鐘，其間自.偏壓降至-230V »裝載矽晶圓之載具被旋轉至侧面且進行180分鐘之沉積。經濟部中央標準局員工消費合作社印製在沉積之後，矽晶圓自密室移出並送往亞利桑那大學 (感謝 John Leavitt敎授，物理系，Tuscon, AZ 85721)藉 Rutherford Backscattering (RBS)以分析成分。在基質上之不同位置所測得之薄膜之沉積速率，如圖9所示依每分鐘毫微米方式提供。（平板被置於最靠近濺射槍處）。圖10顯示在相同條件之卡，但氣體被充填於密室之底部（無氣體流動圓環）下， —樣本成長之薄膜沉積速率。此沉積延長進行至300分鐘。以使薄膜厚度及速率上之誤差，爲可比較性（約6%)。注意在接近及遠離槍之處其崎在無氣體流動圓環下之沉積速率具有大於2.5之差異因素（圖1〇)。在具圓環下，此差異 20- 本紙張尺度適用( CNS } ( 210X297^ ) 413839 B7 五、發明説明（18 ) 因素小於I,4且整體沉積速率（五點數據之平均値）幾乎達兩倍之高（圖9)。 (請先聞讀背面之注意事項再镇寫本頁) 實例3 階緣Josephson接面（圖5)藉以_下之製程在5公分直徑之基質上之多重位置被製得。首先5.08公分直徑用釔安定化之锆（YSZ)基（Zirmat, N. MlericA ΜΑ 01862)被塗覆12〇毫微米厚之鈦薄膜。0.5微米 ΑΖ 5206正光技劑（Hoechst Celanese Corp·, 70 Meister Ave·，Somerville, NJ 〇8876)薄膜以4,000rpm在3〇秒内被旋轉塗覆在樣本上。光阻劑於空氣中在90°C下硬化25分鐘。欲移除之光阻劑區域被暴露在強度約100 mJ/平方公分之紫外線下。樣本被浸入 AZ 422MIF顯影液中（Hoechst Celanese公司）經60秒以移除被紫外線照射之光阻劑。然後被照射區域之鈦薄膜經由反應性離予蚀刻法（RIE)予以# 劑。REE 系統（C71/3MT by Cooke Vacuum Products, 13 Menit St，Norwalk, CT 06854)係傳統之 13.56 MHz * 具電源供給至底部電極之平行板反應器。樣本，在-50V之DC自偏壓下被蝕刻，基質溫度爲30°C，5 seem SF6之氣體流動，與60毫托（7,“巴）之壓力。密室壓力在蝕刻循環下藉利用一自動節流閥改變幫浦速度而保持不變。此等蝕刻條件提供極平滑之側壁具有一異向性蝕刻之外形。覆蓋鈦薄膜之其餘光阻劑用丙酮將之移除。圖型包含七個原模與兩個測試正方區〇每一原模區域被中心基座所分割一邊低，另一邊高》圖型經由鈦光罩藉標 _^ -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ),A4規格（210X297公釐） 4138S9 經濟.邵中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____B7 五、發明説明（_ 19 ) 準氬+離子速研磨被移轉至YSZ基質。離子研磨系統（Mllatron by Commonwealth Scientific Cop., 500 Pendleton St., Alexandria, VA 22314) 係在具6 seem氧及6 seem氬之氣體流動而獲得約2xlCT4托 (2.66xlCT2)之壓力.下操作。400 eV離子速以45。角入射於水-冷卻之樣本上並持續18分鐘20秒。然後剩餘之鈦光罩藉SF6RIE 將之移除。基座研磨入YSZ之深度爲120毫微米。在以丙酮與異丙醇洗滌並在氧RIE洗淨製程暴露10分鐘之後，將YSZ基質之圖型朝下放置於在底部具有四個小突塊以支撑晶圓'之不銹鋼環。金屬環與YSZ基質被懸掛於眞空室之-頂端（L560 Deposition System from Leybold Technolo运es Inc.)。密室配備有兩個三吋（7.62公分）直徑之平面磁電管濺射槍及一個電子束蒸發源（全部購自Leybold Technologies Inc., 120 Post Rd.，Enfield, CT)。" Ce02槍"如實例2被定位且如實施例2 配備有相同之Ce02靶材。"YBa2Cu307_x，其中X係〇至0.5之槍” 如實施例1被定位於且如實例1配置有相同之YBa2Cu307-x，其中X係0至0.5之靶材。兩個濺射槍在基質平面上彼此呈約90。予以定位。電子束蒸發源係在密室底部離基質中心24 公分以下與偏移10公分水平。電子束源材料係99.99%純金柱粒（材料研究公司，Orangeburg, NY)。實施例1之銅氣體流動圓環被附著於” YBa2Cu307.x其中X係 0至0.5之槍H之黑色空間罩上，以使其平坦配置在黑色空間罩上且諸孔洞朝向乾材而與之相離。無氣體流動圓環附著於"CeCM^ ”之黑色空間罩。密室首先被抽眞空至約4χ1〇·5托（5.32xlCT3巴）（On Board system 一· -22- 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 ij. I . I i I —---I - If 1- - ! I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

_J 經濟部中央標準局男工消費合作社印製 413839 A7 ____B7__ 五、發明説明（20 ) by CTI Cryogenics)。280 seem (每分鐘標準立方公分）氬氣及280 seem氧氣之氣體流動，經由MKS之流量控制器（MKS, 6 Shattuck Rd.，Andover，ΜΑ 01810)與"YBa2Cu307_x，其中 x 係〇至 0 5之槍"氣體流動圓環充填於密室内。一可變節流閥被使用以設定 150毫托（19.95巴）之壓力。在"YBa2Cu307.x，其中X係0至0.5之槍"前面（亦在氣體流動圓環前面）之開關被打開且靶材被預濺射以自其表面移除污染物。濺射槍係由50瓦DC電源供給器（型號RFX-600, Advanced Energy Industries Inc.)供應以產生-78伏特之自偏壓（採用 RF搭.配網路及 ATX-600轉換器，Advanced Energy Industries Inc.)並運轉十分鐘。然後在"YBa2Cu307_x，其中x係0至0.5之槍"前面之開關被關閉。然後” Ce02”槍前面之開關被打開且靶材被孩濺射以其表面移除污染物。濺射槍係由100瓦DC電源供給器（型號 RPX-600, Advanced Energy Industries Inc.)供應以產生 -143伏特之自偏壓（採用RF搭配網路及ATX-600轉換器， Advanced Energy Industries Inc.)並運轉十分鐘。然後 11 ce〇2"槍前面之開關被關閉。在基質前面之下一開關被打開。兩個石英_素燈（1500 W， Ushio America Inc.，60 Walnut Ave·，Clark, NJ 07066)，被利用以使輕射加熱YSZ基質係使用於使用於輕射之熱ysZ基質（利用 DuPont專利申請書CR-8928-B之方法）。於此實施例所記下之諸溫度係在位於石英加熱燈附近而非接觸下以κ-型熱電偶予以記綠。溫度以15 C/分鐘之速率劇升至8001。當溫度達到如〇。〇 T： -23- 本紙張尺度適用中ί國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X 297公嫠] ' --- (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁)

413839 A7 B7 五、發明説明（21 ) 時，Ce02槍前面之開關被打開。節流閥被打開以降低密室壓力至108毫托（14,36巴）。Ce〇2槍在100瓦RF下操作60分鐘。基質於氧化鈽沉積時被旋轉。在〇6〇2沉積之後，遇度於15°C /分鐘下劇升至890°C。在調整溫度時，Ce02開關被關閉且YBa2Cu307_x，其中X係0至0.5槍之開關打開。節流閥被調整以提供密室内150毫托（19.95巴）壓力。關閉基質旋轉且使基質對齊以使在每一原模内之基座之高側更接近於YBa2Cu307_x，其中X係0至0.5之槍；’例如，基座面對YBa2Cu307_x而與之相離，其中X係0至0.5來源。因爲不·易觀察到基質内之圖型，晶圓之誤對位約爲10°。在溫度達890°C時，YBa2Cu307_x，其中X係0至0.5開始被沉積。75瓦DC電能被供給至具有第二電源供給器（型號 MDX-500, Advanced Energy Industries Inc.)之濟;射搶。以產生-140伏特之自偏壓及0.547A電流。進行102分鐘之沉積。經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 在YBa2Cu307_x，其中X係0至0.5之沉積結束.時，氣·體流動被停止，凝固點閥關閉，且密室回填至200托（2.66xl04巴）之壓力（在兩分鐘内）。然後溫度在5 °C /分鐘之速率下被劇升至高達150°C。此時關掉電加熱器，及切斷密室之抽眞空。電子束被使用以蒸發200毫微米厚之黃金薄膜。在黃金沉積結束時，溫度約爲90°C。密室以氧氣再回填並使其冷卻。然後晶圓被自沉積密室移除並藉標準二層級光微影蝕刻術製程與氬+離子束研磨製成圖型。二層級製程首先以分子量爲KTI 496k之固形份9%之標準聚曱基甲基丙烯酸， -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 413839 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 A7 B7 五、發明説明（22 (PMMA) ( OCG Microelectronic Materials Inc., 3 Garret Moxmtain Plaza, W. Paterson, NJ 07424)塗覆晶圓。經旋轉塗佈之薄膜厚度約爲i 2 微米。PMMA在170°C下於眞空烘箱中硬化30分鐘。然後 PMMA以正光阻劑AZ5214塗覆至厚度爲1.4微米。光阻劑90°C 下於空氣中硬化25分鐘。光阻劑區域被暴露在強度約 100 mJ/平方公分紫外線下。樣本被浸入AZ 422MTF顯影液中 (Hoechst Celanese公司）經150秒以移除暴露於紫外線之光阻劑。然後樣本被暴露於低能氧氣電漿（"除金屬殘雜質”）a 於開放區域之聚曱基丙烯酸甲酯被暴露於使用強.度爲10J/ 平本公分之平行化高能紫外線（220-260 nm)源。經暴露之聚甲基丙烯酸曱酯在曱苯中顯影4分鐘。利用氬+離子束以75。斜角研磨以移轉圖型至金與YBa2Cu307_x，其中X係〇至〇.5之層中。當YBa2Cu3〇7-x ’其中X係〇至0.5層冗全地被移除且諸元件隔離時利用測量兩點阻抗加以測定。光阻劑與聚甲基丙烯酸甲酯藉置於YES CV-100電漿系統中 (Yield Engineering Systems, 2119 Oakland Rd.，San Jose, CA 95131)之氧氣電漿處理經3分鐘而予以移除。電漿系統係在500瓦電能及1.2托（160巴）壓力與15(TC之基質溫度下運轉之傳統之 2.45 GHz圓筒i蝕刻器。然後晶圓被用聚甲基丙晞酸甲酯及如上述之正光阻劑塗覆，除了光阻劑係 Shipley 1400-37 (Shipley Company Inc.，500 Nickerson Rd，Marlboro，ΜΑ 01752)之外且兩材料在 2000 rpm 下被旋轉塗佈。然後晶圓被切割成原模且用丙酮與異丙醇將塗覆層移除。 -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A视格（21〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

413839 • A7 B7 五、發明説明（-23 ) 個別原模固定於測試探針測裝置上在5K下量測電氣性質。YBa2Cu307_x，其中X係0至0.5之薄膜係具超導體特性；原模#3,3之上半及下半之測試線各自具有15 raA至11 mA之極限電流。圖11顯示相同原模之一8微米寬SNS接面之非-線性電流-電壓特性。自相同之死。水以μΑ計之電流作爲以 μΑ計之電壓之函數製圖。此裝置之IcRn乘積約爲ΙΙμΑ。實例4 —改良型蜡緣SNS Josephson接面在藉類似於實例3之製程及如圖6所示增加氣體流動圓環附著於Ce02槍及在 YBa2Cu307_x，其中X係0至0.5與金層間增加Ce02層沉積在5公分直徑基質上之多重位置被製得。氣體流動圓環使得在廣大區域形成如圖6所需求之均勻而具方向性之Ce02沉積之結構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局d貝工消費合作社印製 -26- 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

B8 煩绩f 一皆在纥是泛變史原賞質内容經濟部中央標隼局貝工消費合作社印裝 f 85 1〇..18^IWt 請案中文申請專利範f!修正本(86年7月）六、申請專利範圍 1. 一種供離軸磁電管濺鍍無機氧化物用之改良型裝置，其具有濺射槍、靶材'基質、氣體流動治具與封閉室，其中之改良包括定位在基質與靶材間之具有至少—彳固氣體入口與至少一個出口開口於歧管上之中空氣體流動歧管，該出口開口係經定位以引導氣體流體遠離靶材且朝向基質之方向3 2. 根據申請專利範園第1項之裝置，其中歧管係被定位於較欲沉積化合物於其上之基質更爲接近靶材之位置處。 3. 根據申請專利範園第2項之裝置，其中歧管係被定位於鄰接並與濺射搶之黑色空間罩接觸且環繞著經過其間暴露出靶材之開口，以使歧管之平面平行於靶材表面。 4. 根據申請專利範圍第i項之裝置，其中出口開口係被定位於面向遠離靶材之歧管表面上。 5. 根據申請專利範圍第4項之裝置，其另外包含螺絲或可撓性噴嘴，經裝入至少一個出口開口中，以個別阻斷氣 .體流動或引導氣體流動。 6. 根據申請專利範園第4項之装置，其中歧管之出口開口係褪定位成.兩群，以使於第一群中之開口係被定位在相對於歧管平面自約80至約110度之歧管表面上，且於第二群中之開口係被定位在相對於歧管平面自約3〇至約6〇度之歧管表面上，該第一群開口_係以相隔距離與第二群開口相離。 7·拫據申請專利範圍第6項之裝置，其中第—群開口係被 & ^在相對於歧管表面約90度之位置，且第二群開口係 B8 煩绩f 一皆在纥是泛變史原賞質内容經濟部中央標隼局貝工消費合作社印裝 f 85 1〇..18^IWt 請案中文申請專利範f!修正本(86年7月）六、申請專利範圍 1. 一種供離軸磁電管濺鍍無機氧化物用之改良型裝置，其具有濺射槍、靶材'基質、氣體流動治具與封閉室，其中之改良包括定位在基質與靶材間之具有至少—彳固氣體入口與至少一個出口開口於歧管上之中空氣體流動歧管，該出口開口係經定位以引導氣體流體遠離靶材且朝向基質之方向3 2. 根據申請專利範園第1項之裝置，其中歧管係被定位於較欲沉積化合物於其上之基質更爲接近靶材之位置處。 3. 根據申請專利範園第2項之裝置，其中歧管係被定位於鄰接並與濺射搶之黑色空間罩接觸且環繞著經過其間暴露出靶材之開口，以使歧管之平面平行於靶材表面。 4. 根據申請專利範圍第i項之裝置，其中出口開口係被定位於面向遠離靶材之歧管表面上。 5. 根據申請專利範圍第4項之裝置，其另外包含螺絲或可撓性噴嘴，經裝入至少一個出口開口中，以個別阻斷氣 .體流動或引導氣體流動。 6. 根據申請專利範園第4項之装置，其中歧管之出口開口係褪定位成.兩群，以使於第一群中之開口係被定位在相對於歧管平面自約80至約110度之歧管表面上，且於第二群中之開口係被定位在相對於歧管平面自約3〇至約6〇度之歧管表面上，該第一群開口_係以相隔距離與第二群開口相離。 7·拫據申請專利範圍第6項之裝置，其中第—群開口係被 & ^在相對於歧管表面約90度之位置，且第二群開口係 A8 B8 CS D8 經濟部中央榇準局貝工消費合作社印裳 413839 六、申請專利範園被定位在相對於歧管表面約45度之位置。 8. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中歧管係呈中空環形環之形狀〇 ' 9. 根據申請專利範圍第6項之裝置，其中歧管係呈中空環形環之形狀，且其中第一群開口係集中環繞於該環上最靠近欲進行沉積之區域中心之點，且第二群開口係集中環繞於最遠離欲進行沉積之區域中心之點。 10. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中氣體流動被提供在整個歧管對稱於一平面，·該平面係藉在靶材之中心垂直於Ifc材表面之第一線與垂直於基質表面之第二線所定義且倘若此等兩線交又則在區域之中心將發生沉積。 11. 根據申讀專利範圍第10項之裝置，其中諸開口係對稱定位環繞於該平面。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規路（210X297公釐）