TW408557B - Electroluminescent assemblies using blend systems - Google Patents
Electroluminescent assemblies using blend systems Download PDFInfo
- Publication number
- TW408557B TW408557B TW088104451A TW88104451A TW408557B TW 408557 B TW408557 B TW 408557B TW 088104451 A TW088104451 A TW 088104451A TW 88104451 A TW88104451 A TW 88104451A TW 408557 B TW408557 B TW 408557B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- cns
- ministry
- page
- scope
- patent application
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
- C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
- C07C211/54—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to two or three six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C217/00—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton
- C07C217/78—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton
- C07C217/94—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/326—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising gallium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
40S557 A7 B7____ 五、發明説明(1 ) 一種特色在施加電壓時形成電流放出光的電致發光(EL)裝 置。在工業界早已知道名如放光二極體(LED)之此種裝置。 光.始於正電善(尊與苻(電子光。 在電子或光學之放光成份的發展中,目前主_^_風於JUH 機半導體如辟ih藏。點陣形式之顯示元件可以此種物質為 基質來製造。但不可能製造大面積的裝置。 η 不同於半導體放光_二極體,以桌鑛低分子量有_機化合盤_為 基礎的電致發光裝置;|^知的(1;5-八4539507、1;3-Α4769262 、 US-A5077142 、 ΕΡ-Α406762 、 ΕΡ-Α278758 、 ΕΡ-Α278757)。 再者,曾描述以聚合物如聚(對-伸笨基)和聚(對-伸苯基-伸 乙稀基)(PPV)為電致發光聚合物:G, Leising等人,Adv. Mater. 4(1992),第 1 期;Friend 等人,J. Chem. Soc. Commun.32(1992) ; Saito 等人,Polymer,1990,第 31 卷, 1137 : Friend 等人,Physical Review B,第 42 卷,第 18 期, 11670或WO-A90/13148。其他PPV用在電致發光顯示器上 的實例描述在 EP-A443861、WO-A92/03490 和 WO-A92/003491 。 EP-A0294061揭示種以聚乙炔為基質的光學調整器。 本紙張尺度適用中困國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) I n n — 裝 111 訂— I i 11 I 線 (請先閱讀背面之注意事項異ΐ寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 406557 B7 五、發明説明(2 ) 為了製造可撓曲聚合物LED ,Heeger等人曾提出可溶性共 軛 PPV 衍生物(WO92/16023)。 (請先閲讀背面之注意事項真.舄本頁) 相似地已知各種纟且合物的聚合物摻混物:M. Stolka等人, Pure & Appl. Chem.,第 67 卷,第 1 期,175-182 頁,1995 ; Η. B技ssler 等人,Adv. Mater.丨 995,第 7 卷,第 6 期,551 ; K. NagJi 等人,Appl. Phys· Lett. 67(16),1995,2281 : EP-A532798 ° 有檄EL装置Γ %包含一層或多層有機電荷傳送化合物。基 本結構中各層次序如下: 1. 支持物,基板 2. 底部電極/陽極 3. 電洄放出層 4. 電洞傳送層 5. 放光層 6. 電子傳送層 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 7. 電子放出層 8. 頂部電極/陰極 9. 接點 10. 護套,包膠 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4*t格(2Ι0Χ297公嫠) 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 408557 A7 B7五、發明説明(3 ) 第3至7層代表電致發光元件。 此結構構成最普遍的例子,可藉去除各層將其簡化,因此 所得的一層可視其具多功能。在最,一 1EL 裝置包含兩個電極,其間有一個可完成所能包括放光 的有後層。此系統曾被描述於例如以聚(對-伸苯基-伸乙稀 基)為基'質的申請案WO-A90/13148中。 多層系統可ϋ_£泰鍍法或鑄造法製成,其中篆il法將各層依 序從氣相塗覆上去。由於鑄造程序的進行速度較高,敁較 隹。但是*在一些實例中,已塗覆層的部份溶解會造成欲 塗覆下一層於其上時的困難。 本發明垆目的是高量之電致發龙~裝f __,….其^中欲 塗覆的氣合物可囍鑄造方式塗覆。 已發現包含描述於下之摻混系統的電致發光裝置。在下 面,”區”一詞相當於”層"。 因此本發提供也佥玉^電尤性陰極 之雷Μ發光裝置,其中雷極中—至少一個在可見光譜區中 是透明或半透明的,而且電致發光元件可依次包」含, ---------^------ΐτ------# (請先聞讀背面之注意事項再,耗本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準< CNS ) Α4现格(2丨ΟΧ297公釐) 五、發明説明(4 408557 A7 B7 電洞放出區、電洞傳送區、電致發光區 '電子傳送區和電 子放出區,其特色在於電洞放出區包含一種式⑴之未帶電 烕」黃離子聚嗔吩,
S (I), 其中 (^和Q2代表,彼此獨立,氫、經取代或未經取代(Ci_C2〇). 烷基、CH2OH或(c6-cl4)-芳基或 ------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再i,寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 Q1和Q2 —起代表-(CH2)m-CH2-,其中m=0至12,較佳係 至„5 ’(C6_Ci4)_伸芳基,以及 η 代表從2至10,000,較佳係從5至5000的整數, 連之電洞傳j區包含一 吝稀芳、蜂 。較佳係經取代或未經取的三笨基胺化合1,特 後式i丨I)之丨,3,5-參(胺某芄臬作化士物a。 這些或一個位於電洞放出區和陰極之間的區域也可被視為 6 - 本紙張尺度逍用中SS家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 40S557 A7 B7 五、發明説明(5 ) 具'有..許-多...功能,即一個區域’例如可包含電洞傳..送、電致 發光、電王像遥和/或電子放出物質a 電致發光元件也可包含一種或多種透明聚合體黏合劑B ° 經取代或未經取代的參(胺基苯基)苯化合物A代表一 種通式(II)之芳族^級兹化奋梅 (請先閱讀背面之注意事項再+¾本頁) -裝· ,-1·
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 R 代声氫、經取代或未經取代的烷基或_素, R3和R4代表,彼此獨立,經取代或未經取代的(CrCi〇)-烷 基、(Ci-Cu))-烧氧基、經烧氡基幾基取代的(c^Cio)- 烷基或在各例中經取代或未經取代的芳基、芳烷基或 環烷基。 R3和R4較佳係代表,彼此獨立,(C|_C(i)·烷基,特別是曱 基/乙基、正-或異-丙基、正異_、第二-或第三_丁 本紙張用中SH家標準(CNS ) A4*U&· ( 2丨GX297公釐) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 408557 A7 B7 五、發明説明(6 ) 基,(CVC4)-烷氧基羰基-(CVC6)-烷基,例如甲氣基_、 乙氧基-、丙氧基-、丁氧基-羰基-(CrC4)-烷基,在各 例中未經取代或經(CrC4)-烷基和/或(CrC4)-烷氧基取 代的苯基-(CrC4)-烷基、萘基-(CrC4)-烷基、環戊基、 環己基、苯基或萘基或蒽醯基。 R3和R4特佳係代表,彼此獨立,未經取代的笨基或落基, 或者在各例中經從一個至三個曱基-,乙基-,正_、異_丙基, 甲氡基-,乙氧基正-和/或異-丙氧基取代基的笨基或萘 基。 R2較佳係代表氫、(CrC6)-烷基,如甲基、乙基、正_或異_ 丙基、正-、異-、第二-或第三_丁基或鹵素。 此種用於電子攝影技術之化合物和其製法是描述於US-A4923774並在此將此專利完整併入本發明描述中以為參 考。參-硝基苯化合物可藉,例如一般已知的催化氫化反應, 例如在Raney鎳的存在下被轉換成參-胺基苯化合物 (Houben-Weyl4/lC,14-102 ’ Lmmann(4)ll,135-148)。胺 基化合物與經取代的齒素苯是以一般已知的方式反應。 可能以實例方式提及下列化合物,其中在苯環上的取代可 能發生在胺氮上的鄰、間和/或對位: V. -8 - 本紙張家揉準(CNS ) ( 21GX297公釐) 裝 訂 線 ·(請先聞讀背面之注意事項再护、本頁} 406557 A7 B7 五、發明説明(7 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 張 紙 本
种衣 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再i禽本頁) _557五、發明説明(8 ) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製
I---------种衣------1T------0 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 本紙张尺度適用中國圉家標準(CNS > A4現格(210X297公釐) 408557 A7 B7 五、發明説明(9 ) C,H,
(請先聞讀背面之注意事項-?%寫本頁) 裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
訂 線 本紙張尺度適用中固國家橾準(CNS > A4規格(210X29"?公釐) 40S557 A7 B7 五、發明説明(10 )
本紙張尺度適用中國园家標準(CNS >八4現格(2ί〇χ297公釐) 408557 ^77 D / 五、發明説明(1 1 )
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 舰557 A7 B7
本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > A4規格(2丨OX297公釐) 五、發明説明(12 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40S557 a? B7 五、發明説日i ( 13 ) Η
(請先聞讀背面之注意事項再V. Η本頁) 本紙張尺度適用中圉國家標率(CNS > Α4規格(2丨Ο X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408557 A7 B7 五、發明説叻(14 )
-16 - --------— 装------1T------.^ (請先閲讀背面之注意事項声:舄本頁) - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公嫠) 五、發明説明(15 ) 40S557 at B7 H3c〇
OCH, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
17 本紙張KJ1適用中國國家標準(CNS )八4規洛(210X297公釐) 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再垓夂本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40S557 A7 B7 五、發明説明(丨6 ) Η
Η 2 c 〇
Η Η 專?-'-: 一蔡卞- (請先閲讀背面之注意事項再,i. b本頁) -裝. S11 8 本紙張尺度適用中國S家標準 ( CNS > Α4現格(210Χ297公釐) 40S557 A7 B7
本紙張尺度適用中國國家搮牟(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(丨7 ) 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 408557 A7 B7 五、發明説明(18 )
-20 - (請先閱讀背面之注意事項K,寫本頁) 本紙張尺度適用中國圉家標準(CNS > A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明(19 ) η9〇4〇 40S557 A7 B7
<y
J〇T 〇C4H9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Id? ·¥* 丨師人 ---------种衣------ΐτ------.^ (請先閱讀背面之注意事項再〆\本買) . 21 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS > Α4規格(210X297公釐) ΑΊ Β7 五、發明説明(2〇 )
本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS Μ4规格U丨〇 X 297公嫠) 408557 ΑΊ Β7 五、發明説明(21
尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4现格< 210X297公釐) 40G557 A7 B7 五、發明説明(22 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
c 5 Η
C Η5 -2 NIC 5 Η , : i 丁i蔡中曾 -*'- (請先聞讀背面之注意事項多._寫本頁) .裝 線 本紙張尺度適用中囷國家榡準(CNS >八4说格(2Ϊ0Χ297公釐) 40S557 A7 B7 五、發明説明(23 )
H3C
CH Η NIC
{請先閲讀背面之注意事項再/ Η本頁) -裝 丁 -0 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
本紙張又度適用中困固家橾準(CNS ) A4规格(210X297公嫠) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 408557 A7 B7 五、發明説明(24 ) OXCH,
---------------ΐτ------0 (請先閲讀背面之注意事項再r,iH本買) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 a〇〇557 at B7 五 '發明説明(25) 不同於^份A ’若想要也可能使用其他電洞導體,如以與成 份A之混合物的形式以組成電致發光元件。在此可使用一 種或多種各種結構之式(II)化合物,其包括異構物的混合物 或電洞傳送化合物與A化合物的混合物並且具通式(I)。 其他可能的電洞導體物質的名單是列於EP-A532798 « 在芳族胺混合物的例子中,這些化合物可以任何比例被使 用。" 可能提及的實例為: 蒽化合物如2,6,9,10-四異丙氧基蒽;噁二唑化合物,如2,5-雙(4_一乙基胺基本基1惡二β坐,三苯基胺化合物,如 1^山'-二苯基4小、二(3-甲基笨基)-1,1|-二苯基-4,4,-二胺;芳 族三級胺’如Ν-苯基咔嗤、Ν-異丙基咔唑和可用於電洞傳 送層之化合物’如日本專利申請案JP-A62-264692中所描述 的;以及吡咁化合物,如1·笨基_3-(對-二乙基胺基苯乙烯 基)-5-(對-二乙基胺基苯基)_2_吡啉;苯乙烯基化合物,如 9-(對-二乙基胺基苯乙稀基)_窟;腙化合物,如雙_(4_二甲基 胺基-2-甲基苯基)-苯基-曱院;ι,2-二苯乙綠化合物,如_(4_ 甲氧基苯基)-4-N,N-二苯基胺基-(4'-曱氧基)-丨,2-二笨乙 烯、烯胺化合物,如1,1-(4,4'-二乙氡基笨基)-队^(4,4,-二 -27 - 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS ) UIΟ X扣7公釐) I I I I I I I ^―. I 訂 I I — 線 (請先閲讀背面之注意事項再<舄本頁) 4085^7 ΑΊ --- Β7 五、發明説% ( 26 ) 曱氧基輦基)烯胺;金屬或非金屬酞花青和樸咁化合物。 較佳係二笨基胺化合物和/或芳族三級胺,特佳係以實例方 式提及的化合物。 具電洞導體性質且可使用純形式或可用於作為成份A之混 合搭配物的物質是,例如下列化合物,其中至χ6代表, 彼此獨立,Η、齒素、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基。 '(請先閱讀背面之注意事項再〆.f·,本页) 裝· 訂------嫁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 408557 A7 B7 五、發明説明(27 )
---------------ΐτ------.^ (請先閏讀背面之注意事項罗寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 406557 五、發明説明(28 )
-30 - ,(請先閲讀背面之注意事項再矽:本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 408557 A7 B7 五、發明説明(29 ) 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製
----------裝------訂------線 .(請先閱讀背面之注意事項v ..寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾率(CNS )六4規<格(210X297公釐)
40S55V A7 B7 五、發明説明(30 )
X3 Χ5, X 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) CH, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 D^ w XXCHs st
32 - 本紙張尺度適用中國固家樣率(CNS) Α4規格(2丨0Χ297公釐) 五、發明説明(31 ) ^06557 A7 B7
Dp-⑽ N _3,1皮ΐ
"J
Η c 〇 ---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再好;"本貢) 、-ρ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
線 e Μ 本紙張尺度適用中國國家揉準(CMS ) Α4规格(210 X 297公釐) 五、發明説明(32 ) A7 B7
e 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再玟丨本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國圉家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局負Η消費合作社印製
4〇δ557 Α7 五、發明説明(33 )
XX
Me=甲基 這些和其他實例是描述於j Phys Chem. 1993,97,6240-6248 和 Appl‘ Phys. Lett.,第 66 卷,第 22 期,2679-2681。 —般而言,可混合各種具不同基質結構和/或不同取代搭配 物之胺。 X1至X6較佳係代表,彼此獨立,氫 '氟、氯、溴、(Ct-Cw)- ’ 特別;RE:(C|-C4)-烧基或-燒氧基 '苯基、茶基、本氧基和/或 萘氧基。芳族環可藉一個或多個,相同或不同的χ1至X6 進行單取代'雙取代、三取代或四取代。 -35 - ( CNS-) ( 2|〇-^—----- ----------^------iT------^ (請先閲讀背面之注意事項'焉本頁) _557 A7 B7 五、發明説明(34 ) 結構中重複單位為式(I)之聚噻吩是已知的(參考EP_ A440958和339340)。根據本發明分散液或溶液的製備是揭 示於 EP-A440957 和 DE-A4211459。 分散離子形式,如,例如以 氧化劑處理未帶電的噻吩所獲得的 >慣用的氧化劑如過氧 硫酸氫鉀被用於氧化反應中。此氧化反應使聚噻吩帶正電 荷’此正電荷沒有表是在式中,因為無法精確地測得其數 目和位置。根據ΕΡ-Α339340,可將其直接製備在載體上。 式⑴中的Q1和Q2較佳係代表-(CH2)m-CH2-,其中 m:=l 至 4, 最佳係伸乙烯。 ---------t— (請先閱讀背面之注意事項再f 本頁 -•6 較佳的陽離子或未帶電聚二氧基噻吩可由式(Ia)或(Ib)之結 構單位構成 3 Q4
經 部 央 樣 準 局 貝 工 消. 費 合 作 社 印 掣 Q Ο Ο
(la), fl :璋.:卫 'm (lb), 線· 經濟部中央樣牟局員工消費合作社印聚 408557 A7 _B7______ 五、發明説明(35 ) 其中 Q3和Q4代表,彼此獨立,氫,經取代或未經取代(C]-C |8)-烷4,較佳係(Ci-Cw)-,特別是(CVC6)-烷基,(C2-C12)-烯基’較佳係(C2-C8)-烯基,(c3-c7)-環烷基,較佳係環 戊基、環己基’(C7-C]5)-芳烧基,較佳係笨基-(Cl-C4)-统基,(Ce-C 1〇)-芳基,較佳係.苯基、蓁基,(C]-Ci8)-烧· 氡基’較佳係(C!-C10)-烧氧基,例如曱氧基、乙氧基、 正-或異-丙氧基或(C2-Ci8)-烷氧基酯和 Q5和Q6代表,彼此獨立,但兩者不同時為氫,或(CrC^)-烷4,較佳係(crc1())-,特別是(cvg)-烷基,(c2-c】2)-烯基,較佳係(c2-c8)-烯基,(c3-c7)-環烷基,較佳係環 戊基、環己基,(c7-cl5)-芳烷基,較佳係苯基-(CVC4)-烷基,(C6-C10)-芳基,較佳係苯基、萘基,(CVCu)-烷 氧基,較佳係(crci0)-烷氧基,例如甲氧基、乙氧基、 正-或異-丙氧基或(C2-Ci 8)-院氧基醋,其可各被至少一 個磺酸根基取代,其中若Q5是氫,Q6則異於氫,反之 亦然, η 代表從2至10,000 ’較佳係從5至5000的整數。特佳係式(la-1)和(lb-1)之陽離子或未帶電的聚嘍吩> -37 - ----------种衣------、1T------線 ·(請先閱讀背而之注意事項再V ..本I ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(210Χ297公釐) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印«
A7 B7 五、發明説明(36 ) (Ia-1), Μ 'Μ 昇1 /、l ^ • - · - __/ (Ib-l), Q5和n的定義如上。 使用聚合體叛酸之陰離子如聚丙烯酸、聚曱基丙烯酸或聚 順式丁稀二酸以及聚合體磺酸如聚笨乙烯磺酸和聚乙烯磺 酸當作聚陰離子。這些聚羧酸和聚磺酸也可為乙烯羧酸和 乙稀確酸與其他可聚合單體如丙烯酸酯和苯乙烯的共聚 物。 特佳係聚苯乙烯磺酸的陰離子作為相反離子。 形成聚陰離子之聚酸的分子量最好是從1000至 , 2,000,000 ’特佳係從2000至500,000。聚酸或其鹼金屬鹽 類可商業獲得,如聚苯乙炼績酸和聚丙稀酸或其他可由已 -38 - 本紙張尺度適用中國國家操準(CNS >八4規格(2tOX297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 40咐7 A1 B7 五、發明説明(”) 知方法製得的(見,例如Houben-Wey卜Methoden der organischen Chemie,卷 E20,Makromolekulare Stoffe,第 2 部(1987),第1141和其後數頁)。 也可能使用聚酸的鹼金屬鹽和適量單酸之混合物以取代在 形成聚一氧基嚙吩和聚陰離子分散液中所需的游離酸。 在式(lb)和(Ib-Ι)之例子中,聚二氧基噻吩在其單體單位中帶 正和負電荷。 若想要電致發光元件可包含其他選自包含電洞放出和/或電 洞傳送物質、放光物質C和若想要包含電子傳送物質的官 能性化合物,其t電洞傳送區可包含不同於成份八之一種 或多種其他電洞傳送、電致發光、電子傳送和/或電子放出 化合物,其中至少有一區,可去除各區而所剩下的區域可 視為具有許多功能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ,ιτ 廉. 經濟部中央棣準局員工消費合作杜印黎 作為放光物質(成份α,其可能ϋ可呈it登^^^的物 質’即-螢光J110雷射染料,但也可使用金屬 物或無機毫微悉尺寸粒子。 螢光劑和雷射染料得實例是1,2-二苯乙烯、二(1,2_二笨乙 缚)、曱川染料、香豆靈、萘二曱醯胺、二萘嵌笨、紅蝥稀、 -39 - 冬紙敢尺度通用中國囷家搮隼ί CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(38 ) °奎p丫咬_、菲、蒽 '献花青等。其他實例則描述於EP-A532798 。 在金屬錯合物的例子中,可使用一般已知可形成螯合物之 單價、二價或三價金屬。 .此金屬可為單價 '二價或三價金屬,例如鐘、鈉、_、鎂、 的、删、銘、鎵、銦、稀土金屬。適合的無機毫微来尺寸 粒子是,例如半導體如CdS、CdSe、ZnS或Zn〇。 適合的成份 C)實例是 Al3+、Mg2+、In3+、Ga3+、Zn2+、Be2+、 Li+、Ca2+、Na+或參(5-甲基-8-羥基喳咁)鋁和參(5_氣_喳啡) 鎵之8-羥基喳啉錯合物。也可使用具稀土金屬的錯合物。 ----------装------訂------線 (请先閲请背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印笨 或 Al(qa)3、Ga(qa)3、In(qa)3 ' Zn(qa)2、Be(qa)2、Mg(qa)2 其中(qa)代表
Inq3 ' Gaq3、Znq3、Beq;; ' Mgq3, ------i 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規洛(21〇X297公釐} 經濟部中央梂率局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(39) 也可以使用帶不同基團的金屬錯合物,此種錯合物的實例 如 Alq2OR、Gaq2OR、Al(qa)2OR、Ga(qa)2〇R、Alqa2OCOR、 Ga(qa)2OCOR、Alq2X 和 Gaq2X 以及 Al(qa)2X 和 Ga(qa)2X, 其申X代表氫和在各例中R代表經取代或未經取代的烷 基 '芳基、方烧基和環烧基’在各例中較佳係經取代或經 鹵素-和/或氰基-取代的(Ci-Cn)-烷基,特別是(Ci-Cs)-烷 基、(CVC8)-環烷基,特別是苯基、萘基、苯基_(Ci_c4)_烷 基’其中環狀和芳族基團也可經(crc8)-院基所取代。 各例中的碳鏈是直鏈或經接枝的。 適合的金屬錯合物和電子傳送化合物的名單是列於EP- A525739、EP-A579151 和 EP-A757088。製備方法則描述於, 例如 US-A4769292 中。 也可使用不同金屬錯合物的混合物。 可使用聚合物和/或共聚物如聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚苯 乙烯、聚-α-甲基苯乙烯、苯乙烯的共聚物如san或苯乙烯 -丙烯酸酯、聚砜、以含乙烯基單體為基質的聚合物,如聚(甲 基)丙烯酸酯、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯咔唑、乙烯基醋 酸酯和乙稀基醇聚合物以及共聚物、聚烯煙、環狀稀烴共 ^«•物、本乳基樹脂等作為黏合劑B)。也可能使用各種聚合 -41 - 本紙浪尺度適用中國國家揉牟(CNS > A4規格(210X297公着> ----------^------,玎------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局負工消費合作社印製 40£5〇7a? B7 ------------· —- 五、發明説明(4〇) 物的混合物。聚合體黏合劑B)的分子量是從1000至200,000 克/莫耳,其是可溶和玎形成薄膜並且在可見光譜區中是透 明的。他們是被描述於,例如聚合物科學和工程百科全書, 第二版,A. Wiley-Interscience 出版中。 但是此成份也可位於不同層中。 電致發光元件中的各區可由溶液或從氣相或這兩種方法之 組合塗覆。 為了製造層結構’將成份,例如溶在適當|溶冑j中並以鱗 造、刮刀塗棣滅旋囍方式將其塗覆在適當 的基板上。此羞灰^,斜如^.極,..最 好是透明電極之塑膠物質。里遞^聚碳酸酯、 聚酯如聚乙烯致羞^、聚砜或 H胺膜。
適合的透明和半透明雷極I a) 金屬氧化物’如銦-錫氧化物(ITO)、氧化錫(MESA)、氧 化知、摻雜氧化錫、摻雜氧化鋅等, b) 寺:透金屬薄联,如Au、Pt、Ag、Cu等, -42 - 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(2丨Οχ 297公釐) 11 t ^ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明( 41 7 A7 B7 C) 導1:性聚洽琪如聚苯胺、聚嗔吩等 金屬氢化物電極和半透_明金屬薄膜電極是以如基餹、喷 鍵 '鉑化等技術塗覆成一層薄膜。導雷性聚会物薄膜是以 如旋轉塗層、鏤造、刮刀片塗層、塗抹等技術自溶液塗覆 而成。 透明或半透明電極的厚度是從3毫微米至數微米,較佳係 從10毫微米至500毫微米。 在一個較佳裝置中’電致發光元件是直接被^覆在_^栂 上。在另佳其體U1中,電致發光元件是直接被塗 覆在陰極所提供的載體上。 請 L· 閱 背 Sj 之 注 意 事 項 再I, 本 頁 裝 訂 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印策 電致發光元件的厚度一般是從〗0毫微米至5微米,較佳係 從20毫微米至1微米,特佳係從50毫微米至600毫微米。 適合的中間電層的名單列於ΕΡ-Α532798,其可為電 洞像道叙/或低分子量形式, 若想要可為摻混物。 聚合體黏合劑中低分子量化合物,即電洞放出、電洞傳送, 電致發光、電子傳送和電子放出物質的含量一般可在從2 至97重量%範圍中變化;其含量最好是從5至95重量% -43 - 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > Α4说格(210X297公羞) 4〇^55γ at __Β7 五、發明説明(42)— 特佳係從10至90重量%,特別是從10至85重量%。 也可使用純的(純度100%)可形成薄膜之低分子量化合物。 可形成薄膜之放射劑/電子導體相似地也可使用純形式(純 度 100%)。 ' 限於包含低分子量化合物之摻混物可從氣相中蒸鍍上去; 可藉旋轉塗層、鏤造、到刀片塗層、塗抹等方^容液鍍 上可溶並_!形成薄膜之,其土此摻混物險了低分子 量化合物之也還^包含黏合劑B)。 也可將不同層的放射和/或電子傳送物質塗覆在包含成份A 之電洞導體層上。也可將放射物質當作摻雜劑加入含化合 物A的薄及中並且可另外%霜一層雷子俾括物質。也jgi將 電致發光物質加入於電子放出和電子導體層中。 聚合體黏合劑中低分子量電子傳送物質的含量可在從2至 95重量%範圍中變化;其含量最好是從5至90重量%,特 佳係從10至85重量%。也可使用純的(純度1〇〇%)可形成 薄膜之電子導體。 與位於載體之電極相反之電極包含一種可能是透明的導電 物質,其較佳係包含金屬,如Ca、Al、Au、Ag、Mg、In 44 - 本纸張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公— (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 40S557 B7 五、發明説明(43 ) 等或合金及金屬氧化物,可藉如蒸鍍、喷鍍、鉑化、塗抹、 鑄造或刮刀片塗層等技術塗覆之導電聚合物。 可藉兩條電線裝詈(:如金屈線)讓_^明裝琶與兩電極接 觸。 當施予從0.1至100伏特之DC電壓時,此裝置會放出波長 從200至2000毫微米的光。 本發明裝置是適合用於製造照明和訊息顯示的元件。 -45 - 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > A4規格(210X297公嫠) 40S557 A7 B7 五、發明説明(44) 實例 實例1 在根據本發明架構有機發光二極體(OLED)中,使用下列步 驟: 1. 清理ITO基板 將 S 塗覆 ΪΤΟ 的玻璃(Merck Balzers AG,Principality of Lichtenstein,零件編號253674X0)裁成50釐米x50釐 米小塊(基板)。接著這些基板在超音波槽中以濃度為3% 之Mukasol水溶液清理15分鐘。然後以蒸餾水清洗基 板並在離心機中甩乾。重複此清洗和乾燥步驟1〇次。 2. 將Baytron®P層塗在IT0上 過濾(MilliporeHV’0.45微米)約1〇毫升濃度為約1,2% 之聚(伸乙基二氧基噻吩)聚磺酸溶液(BAYER AG, Leverkusen,德國,Baytron®P)。接著將基板放在旋轉 塗層器上並將已過遽的溶液分佈在基板上已塗覆丨TO 的一側。接著將此板以500rpm的速度旋轉3分鐘以甩 掉浮在表面上的溶液。然後將已經此法塗覆的基板放在 加熱板上於1〗0°C下乾燥5分鐘。此薄層厚度為6〇毫 微米(Tencor,Alphastep 200)。 -46 - 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) ' ----------¾------ΐτ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本'Κ ) 經濟部中央搮率局®:工消费合作社印製 406557 A7 B7 五、發明説明(45 ) 3. 塗覆電洞傳送層 過濾(Millipore HV,0.45微米)5毫升濃度為約1.5%之 二氣乙烷溶液並將其分佈在已乾燥的BaytronP層上, 其中二氣乙烷溶液包含一份重之聚乙烯咔唑(BASF, Ludwigshafen,德國,Luvican)和2份重之胺A。接著 將此板以800rpm的速度旋轉50秒以甩掉浮在表面上的 溶液。然後將已經此法塗覆的基板放在加熱板上於110 °C下乾燥5分鐘。薄層總厚度為150毫微米。 4. 塗覆放光/電子放出層 過濾(Millipore HV,0.45微米)5毫升濃度為約1.5%之 金屬錯合物1的曱醇溶液並將其分佈在已乾燥的電洞 導體層上。接著將此板以400rpm的速度旋轉30秒以甩 掉浮在表面上的溶液。然後將已經此法塗覆的基板放在 加熱板上於ll〇°C下乾燥5分鐘。薄層總厚度為200毫 微米。 5. 蒸鍍金屬陰極 將金屬電極蒸鍍在有機層系統上。為達此目的,將基板 以有基層系統朝下的方式放在已穿孔的遮蔽板中(孔洞 直徑5釐米)。來自兩個蒸鍍船的元素Mg和Ag在10_3 帕的壓力下汽化。Mg蒸鍍速率是28埃/秒,Ag則是2 -47 - 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 40S557 A7 -----------B7 五、發明説明.(46) 埃/秒。經蒸鍍過的金屬接點厚度為5〇〇毫微米。 有機LED的兩個電極是經由電線連至電壓源。正極是連接 到ITO電極和負極則是連接到Mg/Ag電極。 從只有3伏特的電壓,由光二極體(EG&GC3〇8〇9E)可測得 電致發光現象。在10伏特電壓下,每單位面積的電瘅是35 毫安摄/平方厘米並且已經可見到電致發光了。電致發光的 顏色是綠-雇。 實例2 根據本發明架構OLED的步驟如實例丨,但不同處如下: •過濾(吣11士0代1^,〇.45微米)5毫升濃度為1.0%之甲醇 溶液並將其分佈在已乾燥的電洞傳送層上,其中甲醇溶 液包含—份重之金屬錯合物1和0_02份重之螢光染料 F。接著將此板以400rpm的速度旋轉30秒以甩掉浮在 表面上的溶液。接著將已經此法塗覆的基板放在加熱板 上於110°C下乾燥5分鐘。 從只有3伏特的電壓,由光二極體(EG&GC3〇8〇9E)可測得 電致發光現象。在]0伏特電壓下,每單位面積的電流是180 見電致發了。電致發光的 -48 - 本紙张尺度“㈣ _㈣ < ΓΝ^) Λ4^ ( 210^ 297^^ )--- 408557 at 五、發明説明(47 ) 顏色是綠-藍。 實例3 根據本發明架構OLED的步驟如實例丨,但不同處如下: -過濾(MilliP〇reHV,0.45微米)5毫升濃度為i 〇%之金屬 錯合物2的甲醇溶液並將其分佈在已乾燥的電洞傳送層 上。接著將此板以250rpm的速度旋轉40秒以甩掉浮在 表面上的溶液。接著將已經此法塗覆的基板放在加熱板 上於H0°C下乾燥5分鐘。 從只有3伏特的電壓,由光二極體(EG&GC30809E)可測得 電致發光現象《在10伏特電壓下,每單位面積的電流是1〇〇 毫安培/平方厘米並且已經可見到電致發光了。電致發光的 顏色是綠-藍。 A胺 ----------^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袈 9 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS > A4祝格(210X297公釐) 舰557 A7 B7五、發明説明(48) 科^•部屮少行"1-?1.只τ,消仆合β"";;^
---------裝------訂------味 (誚先Μ讀背而之注意事項再磧寫本頁) -50 - 408557 A7 B7 實例4
五、發明説明(49) 螢光染料F : (Π奎P丫 D定酮) 基板:Baltracon255(Balzers) 電洞放出層:Baytron®P(Bayer AG,Leverkusen),濃度約 1.2%的溶液,在800rpm下塗覆,薄層厚度約70毫微米。 電洞傳送層:從溶於二氣乙烷溶劑之購自Aldrich,89555 Steinheim,德國的聚笨乙烯(目錄編號18, 242-7)(PS)+胺 A( 1 : 1),在800rpm下塗覆濃度為1 %的溶液,薄層厚度約 60毫微米。 電子傳導層:Alq3蒸鍍,在〗0·6毫巴下約60毫微米。聚苯 乙晞購自入1(!1:化11’的555以6|11116111,德國的(目錄編號18, 242-7) 陰極:Mg/Ag(10 : 1),蒸鍍(一起鍍),薄層厚度約200毫微 米。 在9技^^了,方厘米,光強度為 290Cd/平方龙。 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210χ297公釐) ---------裝------訂------味 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經滴部中决桴準局負工消费合竹社印54 A7 _ B7五、發明説明(50〉 實例5 基板:Baltracon255(Balzers) I 電洞放出層:Baytron®P(Bayer AG,Leverkusen),濃度約 1.2%的溶液,溶劑H20,在800i"pm下塗覆,薄層厚度約70 毫微米。 電洞傳送層:從溶於環己烷/THF(四氫呋喃)溶劑混合物(1:〗〇) 之PS+胺A(1 : 2),在800rpm下塗覆濃度為1%的溶液,薄 層厚度約60毫微米。 電子傳送層:金屬錯合物3’在300rpm下塗覆濃度為! %的 甲醇溶液,薄層厚度約30毫微米。 陰極:Mg/Ag( 1 〇 : 1) ’蒸鍍(一起鑛)’薄層厚度約2〇〇毫微 米。 在7伏特電壓下,電流是17毫安培/平方厘米,光強度為 210Cd/平方米。 放射光:藍-綠。 -52 - (谇先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 線 406557 A7 B7 經消部中央桴率局負工消费合作社印來 五、發明説明(51) 實例6 基板:Baltracon255(Balzers) 電洞放出層:Baytron®P(Bayer AG,Leverkusen),濃度約 1.2%的溶液,在800rpm下塗覆,薄層厚度約70毫微米。 電洞傳送層:從溶於二氣乙烷溶劑之摻雜紅螢烯之聚乙烯 咔唑+胺A(1 : 4),以固體含量為基準為2.5%,在800rpm 下塗覆濃度為1%的溶液,薄層厚度約60毫微米(聚乙烯咔 唾=Luvican EP,BASF AG,Ludwigshafen,德國)。 電子傳導層:Alq3,蒸鍍,在10·6毫巴下約60毫微米。 陰極:Mg/Ag(10 : 1),蒸鍍(一起鍍),薄層厚度約200毫微 米。 在9伏特電壓下,電流是54亮安接/平方i來’光強度為 1200Cd/平方米。 實例7 基板:Baltracon255(Balzers) 電洞放出層:Baytron®P(Bayer AG,Leverkusen) ’ 濃度約 1.2%的溶液,溶劑H20,在800rpm下塗覆,薄層厚度約7〇 毫微米。 -53 - 本紙乐尺度適用中國囤家標準(CNS ) Λ4规格(210X297公釐) ---------¾------1T------^ * _ · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 Ο δ 5 5 7 A7 _.'·_Β7_ 五、發明說明(52 ) 電洞傳送層:從溶於環己烷/THF溶劑混合物(1:10)之PS+胺 A(1 : 2),在800rpm下塗覆濃度為1%的溶液,薄層厚度約 60毫微米。 電子傳送層:金屬錯合物3,在300rpm下塗覆濃度為1%的 曱醇溶液,薄層厚度約30毫微米。 陰極:Mg/Ag(10 : 1),蒸鍍(一起鍍),薄層厚度約200毫微 米。 在9伏特電壓下,電流是21毫安培/平方厘米,光強度為 212Cd/^^-来。
基板:Baltracon255(Balzers) 電洞放出層:Baytron®P(Bayer AG,Leverkusen),濃度約 1 %的溶液,溶劑H20,在800rpm下塗覆,薄層厚度約70 -54 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裝--------訂---------線 » - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 40S557 A7 _ B7 五、發明說明(53 ) 毫微米。 電洞傳送層:從溶於環己烷/THF溶劑混合物(1:1〇)之聚乙稀 咔峻+胺A(1 : 2),在SOOrpm下塗覆濃度為1%的溶液,薄 層厚度約60毫微米。 電子傳送層:Alqs,蒸鍍’在1 〇_6毫巴下約6〇毫微米。 陰極:Mg/Ag(l 0 : 1)’蒸鍍(一起鑛),薄層厚度約2〇〇毫微 米。 Λ 在8伏特電壓下,電滴υ〇毫安培」平方厘米,光強度為 500Cd/平方米。 實例9 基板:Baltracon255(Balzers) ------------ - 裳.-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫<頁) 訂 經濟邨智慧財產局貝工消費合作社印製 電洞放出層:Baytron®P(Bayer AG,Leverkusen),濃度約 1.2%的溶液,溶劑出0,在800rpm下塗覆,薄層厚度約7〇 毫微米。 電洞傳送層:從溶於二氯乙烧溶劑之聚乙烯吟唑+胺B( i ·· 1) ’在800rpm下塗覆濃度為1 %的溶液,薄層厚度約毫 微米。 電子傳送層:Alqs,蒸鍍,在1 〇-6毫巴下約6〇毫微米。 陰極‘· Mg/Ag(l0 : 1),蒸鍍(一起鍍)’薄層厚度約2〇〇毫微 米。 55 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4現格(21〇x297公釐) 線 408557 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明(54) 在電塵下,電流是…公毫安培/平方厘米,光強度為 5 24^/半-方米。 實例10 基板:Baltracon255(Balzers) 電洞放出層:Baytron®P(Bayer AG,Leverkusen),濃度約 1.2%的溶液,溶劑H20,在800rpm下塗覆,薄層厚度約7〇 毫微米。 電洞傳送層:從溶於二氯乙烷溶劑之聚乙烯咔唑+胺c(l : 1),在800rpm下塗覆濃度為1 °/。的溶液,薄層厚度約60毫 微米。 電子傳送層:金屬錯合物3,在300rpm下塗覆濃度為1%的 甲醇溶液,薄層厚度約30毫微米。 陰極:Mg/Ag(10 : 1),蒸鍍(一起鍍)’薄層厚度約200毫微 米。 在Π伏特電壓下,電流是29毫安培/平方厘米,光強度為 315Cd/平方米。 放射光:藍-綠。 -56 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) --I-----------裳 ----I--訂·--------線 (請先閱讀背面之注§項再填寫本頁) 40δδ5 A7 B7
五、發明說明(55)胺B
OCH 3
胺C h Η
rj,丨 ------I---I--裝 *-------訂---- ---丨線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫私頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -57 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- B8 CS D8 六、申請專利範圍 '~- 1.包含基板、陽極、電激發光元件和陰極之電致發 置,其中兩電極中至少-個在可見光譜區令是透明或二 透明的’而且電致發光元件依特定次序包括一個或多個 選自包含電洞放出區、電洞傳送區、電激發光區、電子 傳送區和電子放出區的區域,其中各』所存在的區域也 可視為具有其他區域的功能,其特色在於電洞放出區包 含一種式(I)孓未帶電或陽離早聚咹吩,經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 Q】和Q2代表,彼此獨立,氫、經取代或未經取代 (Ci-C2〇)_烷基、CH2OH 或(c6-c]4)-芳基或 Q1和Q2 —起代表-(CH2)m-CH2-,其中m=0至12 ’較 佳係1至5,(C6-CM)-伸芳基,以及 η 代表從2至10,〇〇〇,較佳係從5至50〇〇的整數, 以各與^相連夕電洞复送區包.专二:稜^種 芳族_胺4匕合物A。 -58 - 本紙張尺度逍用tas家標率(CNS) A4規格(2丨0><297公着) 40S55? C8 ---------- D8 '申請專利範圍 2 •根據申請專利範圍第1項之電致發光裝置,其特色在於 —種或多種透明聚合體黏合劑B是存在的。 3·根據申請專利範圍第]項之電致發光裝置,其特色在於 至少一種選自下列通式(II)化合物 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 其 訂-經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R 代表氫、經取代或未經取代的烷基或i素》 R3和R4代表’彼此獨立,經取代或未經取代的(Crc1Qy 烧基、(Ci-C10)-烧氧基、經烧氧基羰基取代的 (C 1-C10)-院基’在各例中經取代或未經取代的芳 基、芳烧基或環燈基, 之化合物是存在的以作為芳族胺A。 4.根據申請專利範圍第3項之電致發光裝置,其特色在 於,在式(Π) ’ -59 - ( CNsT^M^ Γ21〇Χ297^ ) --- A8 &8 C8 D8 '申請專利範圍 R3和R4代表,彼此獨立,(Cl_c6)-烷基,(c!-c4)-烷氧 基羰基-(CrC6)-烷基,在各例中未經取代或經 (Ci-C4)-烷基和/或(C,-C4)-烷氧基取代的苯基-(c〗-c4)-烷基、萘基-(crC4)-烷基、環戊基、環己 基、笨基或茶基或anthracy丨和 ^ 代表氮、(Ci-C<5)-燒基或產素。 5'根據申請專利範圍第1項之電致發光裝置,其特色在於 芳族胺A是選自包含下列化合物: ---------t------II—Μ--.--Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -60 - 本紙張尺度適用中國國家橾半{ CNS )八4说格{ 2丨0X297公釐) 4QS557 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製---------^------訂'------Λ . . - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α*»規格(2Ι0Χ297公釐) 40S557 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 c3 Hc NCH Γ... η」 · rJ. p·-·' 一蔡中㈤一ί -'. tl. I—--1------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製CH 2 6 本紙張尺度適用中國®家標率< CNS ) A4规格(210X297公釐) 訂 泉 408557 S D8 六、申請專利範圍 c(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製NC Ο 5 2c ότ c 本紙張尺度適用中國國家榡隼(CNS >八4規格(210X297公釐) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 m 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製;jlv (诗先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家揉率(CNS ) A4規格(2丨0><297公釐) ABCD 4〇85o* 六、申請專利範圍(¾ η :?4 Ψ.!^ V; (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製n^Q 65 - ε〇ζΗ 本紙張尺度適用中國國家樣牟(CNS > A4規格(hOX297公釐) A8 B8 C8 D8 40S557 申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4085&7 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 c6hsΧ7 c6h5 N h5c6c6hs (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製-67 - 本紙張尺度逍用中國國家搮準(CNS ) 规格(210X297公釐) 408557 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製och3 -68 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(210X297公釐) (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 40S557 ABCD 申請專利範圍h3c〇N OCH, ! 丨津, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印髮-69 - 本紙張尺度適用中固國家揉準(CNS ) A4規格(2I0X297公釐) --------I —------1T-------^ (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 406557 ABCD 六、申請專利範圍 蘇〇c2hs (诗先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印毅-70 - 本紙張尺度適用中國國家橾率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8H7C3〇 XXoc3h7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) h7c3o 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製-71 - 本紙張尺度適用中國國家榡率(CNS } A4说格(2丨0X297公嫠) oc3h7 i'r i- Αβ Β8 C8 D8 408557 申請專利範圍 h7c3o丨中Ώ *·\·- I · V Γ ; ίί砰,、i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製72 - 本紙張尺度逋用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公嫠) 40S557 々、申請專利範圍 _ψή丨中利 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製-73 - 本紙張尺度逍用辛國國家標率(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 4 0 S 5 5 7 D8 々、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製-74 - (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中固國家揉率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4085^^ 申請專利範園 A8 B8 C8 D8 Wi丨叶π(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- S1T. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製-75 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 408557 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5 ΗΗ - 2 NIC 6 7 本紙張尺度逍用中國囷家橾隼(CNS > Α4規格(210Χ297公釐) ---------裝------訂------滚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消贄合作社印製 4〇B5^* μ D8 六、申請專利範園(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉车(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 408557申請專利範圍 A8 B8 C8 D8丨士 d丨曾-弋 卜丨U ϋ| 朽丨入I 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遄用_國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 408557 A8 B8 C8 D8 、$請專利範圍 根楗申請專利範圍第]項之電致發光裝置,其特色在於 不同於成份A之其他電洞傳送物質是存在的。 7.根據申請專利範圍第1項之電致發光裝置,其特色在於 聚噻吩可由式(la)和/或(lb)之結構單位構成⑽, Λ3 Λ1丨卞:·1 'M. i 肆Ί ij 印人I (Ib), 其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Q3和Q4代表,彼此獨立,氫,經取代或未經取代 (ci-c18)-烷基,(c2-c12)-烯基 ’(c3-c7)-環烷基, (c7-c15)-芳烷基 ’(c6_ClG)_芳基,(Ci_Ci8>烷氧 基或(CrCl8)-烷氧基酯和 Q5和Q6代表’彼此獨立,但兩者不同時為氫,或 79 - 本紙張U適用中困國家標準(CNS)从雜(21()><297公 ---------裝------訂j——_----—泉 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 5 5 8 ο 4 8888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、中請專利範園 (Ci C18)-院基,(C2-C]2)-晞基,(c3-C7)-環烧基, (C7,CI5)-芳炫基 ’(c6-c10)-芳基,坑氧 基或(C^-Cu)-烷氧基酯,其可各被至少一個磺酸 根基取代, η 代表從2至10,000。 8.根據申請專利範圍第1項之電致發光裝置,其特色在於 聚噻吩可由式(la-ι)和/或(Ib-I)之結構單位構成 (Ia‘l), Wi 中:鬥 丨曾.弋 丨師v、i —一 (Ib-l), 其中 Q5和η的定義如根據申請專利範圍第7項 -80 - 本紙張尺度適用中國囷家梂準(CNS ) Α4洗格(210X297公釐) ---------裝』---^----、1Τ--^---^——^ (請先聞讀背而之注意事項再填寫本頁) 408557 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、$請專利範圍 ' " — 根據申請專利範圍第1項之電致發光裝置,其特色在於 ^陰離子,較佳係聚合體羧酸和/或聚合體磺酸陰離子 是存在的。 10.根據申請專利範圍第9項之電致發光裝置,其特色在於 聚苯乙烯磺酸或其鹼土金屬鹽類是以聚陰離子形式存 在。 根據申請專利範圍第丨項之電致發光裝置,其特色在於 一種放光物質(成份c)是存在的。 12_根據申請專利範圍第】項^電反發置,装特色在於 一種可現象的物曾、金屬錯合物、螯合物或無 機毫微米尺寸粒子是存在的。 13. 根據申請專利範圍第〗項之電致發光裝置,其特色在於 他們包含至少一種選自包含丨,2-二笨乙烯、二(】,2_二苯 乙稀)、甲川染料、香豆靈、茶二甲醯胺、二茶散苯、 紅螢烯、喳吖啶酮、菲、蒽、酞花青、可形成螯合物之 單價、二價或三價金屬、無機毫微米尺寸粒子的化合 物。 14. 根據申請專利範圍第12項之電致發光裝置,其特色在 -81 - ^相 tSB家料(CNS ) ( 21GX297公釐) ~一^ i n ' II 各 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} B8 C8 D8 408557 六、申請專利範園 於金屬是選自包含羞、鈉、鉀、鎂、鈣、删、鋁、鎵 姻、稀土金^以及無機產麗米尺寸粒子選自包含Cds CdSe、ZnS 或 ZnO。 15.根據申請專利範圍第12項之,其特色在 於一種 Al3+、Mg2+、In3+、Ga3+ ' Zn2+、Be2+、Li+、Ca2+、 Na+或參(5-甲基-8-經基σ奎咐)紹、參d氣_喳4)嫁吱稀 錯合物是存在的。 16.根據申請專利範圍第12項之電致發光裝置,其特色在 於金屬錯合物是.選自下列化合物Inq3、Gaq3、Znq3、Beq3、Mgq3, 或-.‘Al(qa)3、Ga(qa)3、In(qa)3、Zn(qa)2、Be(qa)2、Mg(qa)2 是存在的,其中 ---------Μ------iT---^----泉 * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (qa)代表-82 - 本紙張尺度通用中囷國家栋率(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19812258A DE19812258A1 (de) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW408557B true TW408557B (en) | 2000-10-11 |
Family
ID=7861665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW088104451A TW408557B (en) | 1998-03-20 | 1999-04-02 | Electroluminescent assemblies using blend systems |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020110701A1 (zh) |
| EP (1) | EP0949695B1 (zh) |
| JP (1) | JPH11329738A (zh) |
| KR (1) | KR100712151B1 (zh) |
| AT (1) | ATE434270T1 (zh) |
| CA (1) | CA2266095A1 (zh) |
| DE (2) | DE19812258A1 (zh) |
| TW (1) | TW408557B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119804583A (zh) * | 2025-03-13 | 2025-04-11 | 吉林大学 | 一种脂阿拉伯甘露聚糖分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4827294B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2011-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置及び発光装置の作製方法 |
| JP4796685B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2011-10-19 | ケミプロ化成株式会社 | 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子 |
| US8206838B2 (en) * | 2000-06-12 | 2012-06-26 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Polymer matrix electroluminescent materials and devices |
| HK1054241B (zh) | 2000-06-12 | 2008-02-01 | 住友化学株式会社 | 聚合物基体电致发光材料及装置 |
| US6737293B2 (en) | 2001-02-07 | 2004-05-18 | Agfa-Gevaert | Manufacturing of a thin film inorganic light emitting diode |
| US6706551B2 (en) | 2001-02-07 | 2004-03-16 | Agfa-Gevaert | Thin film inorganic light emitting diode |
| EP1231251A1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | Agfa-Gevaert | Thin film inorganic light emitting diode |
| EP1231249A1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | Agfa-Gevaert | Manufacturing of a thin film inorganic light emitting diode |
| KR100495407B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2005-06-14 | 티디케이가부시기가이샤 | 유기el소자 및 그 제조방법 |
| DE10225826C1 (de) * | 2002-06-11 | 2003-07-03 | Bayer Ag | Pentakoordinierte Ga(III)-Carboxylatkomplexe mit blauer/blau-grüner Photo- und Elektrolumineszenz, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung |
| JP4096877B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 情報読み取り素子及びそれを用いた情報読み取り装置 |
| DE102004003784B4 (de) | 2004-01-23 | 2011-01-13 | Ormecon Gmbh | Dispersion intrinsisch leitfähigen Polyanilins und deren Verwendung |
| CA2558147A1 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Ormecon Gmbh | A composition comprising a conductive polymer in colloidal form and carbon |
| DE102004030388A1 (de) * | 2004-06-23 | 2006-01-26 | Ormecon Gmbh | Artikel mit einer Beschichtung von elektrisch leitfähigem Polymer und Verfahren zu deren Herstellung |
| US20060196375A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-09-07 | Seth Coe-Sullivan | Method and system for transferring a patterned material |
| JP2006135103A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Bando Chem Ind Ltd | 有機電子機能材料及びその利用 |
| EP1834945B1 (en) * | 2005-01-05 | 2014-07-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using same |
| DE102005010162B4 (de) | 2005-03-02 | 2007-06-14 | Ormecon Gmbh | Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie |
| DE102005039608A1 (de) | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Ormecon Gmbh | Zusammensetzung mit intrinsisch leitfähigem Polymer |
| WO2008031492A1 (en) | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Ormecon Gmbh | Article with a coating of electrically conductive polymer and precious/semiprecious metal and process for production thereof |
| JP2008063340A (ja) * | 2007-11-06 | 2008-03-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 非対称1,4−フェニレンジアミン誘導体、及びこれを用いた有機電界発光素子 |
| JP5766483B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-08-19 | 株式会社Joled | 反転印刷用インキ組成物、それを用いた印刷方法および表示装置の製造方法 |
| JP6083381B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2017-02-22 | 凸版印刷株式会社 | 有機el素子、有機el素子の製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0440957B1 (de) * | 1990-02-08 | 1996-03-27 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
| JP3534445B2 (ja) * | 1993-09-09 | 2004-06-07 | 隆一 山本 | ポリチオフェンを用いたel素子 |
| ATE228545T1 (de) * | 1994-05-06 | 2002-12-15 | Bayer Ag | Leitfähige beschichtungen |
| US5609970A (en) * | 1995-01-12 | 1997-03-11 | Polaroid Corporation | Electroluminescent device with polymeric charge injection layer |
| JPH08279626A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子およびその製造方法 |
| JPH09274990A (ja) * | 1996-04-08 | 1997-10-21 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| DE19627071A1 (de) * | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
| DE19627070A1 (de) * | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen |
| JP3651135B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2005-05-25 | 双葉電子工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用ドープ材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR19990009297A (ko) * | 1997-07-09 | 1999-02-05 | 윤종용 | 액정표시소자 모듈 구조 |
-
1998
- 1998-03-20 DE DE19812258A patent/DE19812258A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-03-12 US US09/267,441 patent/US20020110701A1/en not_active Abandoned
- 1999-03-12 DE DE59915037T patent/DE59915037D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 EP EP99104958A patent/EP0949695B1/de not_active Revoked
- 1999-03-12 AT AT99104958T patent/ATE434270T1/de active
- 1999-03-16 JP JP11070773A patent/JPH11329738A/ja active Pending
- 1999-03-17 CA CA002266095A patent/CA2266095A1/en not_active Abandoned
- 1999-03-19 KR KR1019990009297A patent/KR100712151B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-02 TW TW088104451A patent/TW408557B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119804583A (zh) * | 2025-03-13 | 2025-04-11 | 吉林大学 | 一种脂阿拉伯甘露聚糖分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE434270T1 (de) | 2009-07-15 |
| EP0949695A3 (de) | 2000-02-23 |
| DE59915037D1 (de) | 2009-07-30 |
| CA2266095A1 (en) | 1999-09-20 |
| EP0949695A2 (de) | 1999-10-13 |
| DE19812258A1 (de) | 1999-09-23 |
| JPH11329738A (ja) | 1999-11-30 |
| EP0949695B1 (de) | 2009-06-17 |
| KR100712151B1 (ko) | 2007-05-02 |
| KR19990078047A (ko) | 1999-10-25 |
| US20020110701A1 (en) | 2002-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW408557B (en) | Electroluminescent assemblies using blend systems | |
| TW419929B (en) | Electroluminescent assemblies containing boron chelates | |
| TW419928B (en) | Electroluminescent assemblies using azomethinemetal complexes | |
| JP5036810B2 (ja) | 発光デバイスおよび組成物 | |
| TW432897B (en) | Electroluminescent assemblies containing N-alkyl-2,2'-imino-bis-(8-hydroxy-quinoline)-metal complexes | |
| TW201134790A (en) | Organic electroluminescent element using pyrene derivative | |
| US6368731B2 (en) | Electroluminescent assemblies using boron chelates of 8-aminoquinoline derivatives | |
| TWI238183B (en) | Polymeric fluorescent substance and polymer light-emitting device | |
| TW515836B (en) | Electroluminescent assemblies containing thiophenecarboxylate-meta complexes | |
| US6316130B1 (en) | Electroluminescent assemblies using azomethine-metal complexes | |
| TW502059B (en) | Electroluminescent assemblies containing multinuclear metal complexes | |
| TW541854B (en) | Electroluminescent device | |
| TW200405750A (en) | Electroluminescent device | |
| TWI593695B (zh) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| TW502551B (en) | Polymeric fluorescent substance and polymer light-emitting device using the same | |
| TW201211100A (en) | Laminate structure, electronic device using the same, and aromatic compound and process for producing the compound | |
| KR20010073071A (ko) | 형광 염료에 결합된 금속 착화합물을 함유하는 전기장발광 장치 | |
| JP2000138096A (ja) | 8―アミノキノリン誘導体のホウ素キレ―トを用いた電界発光アセンブリ | |
| JP2002203684A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |