TW400590B - Microelectronics package - Google Patents
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Description
A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(彳) 相關專利案 本發明申請案係申請案第08/526535號之部分追加,其 係1995年11月7曰授予註冊5465008號專利之申請案第 08/1 34269號之追加。本中請案的案號是08/23 1492, 即案號08/1 34269之分割案,現在已授予註冊專利第 5448826號。 發明背景 發明範圍 本發明有關於適於高頻的微電子封裝,其使用極少的導 電材料與製造電子封裝之方法,尤其是本發明有關於一微 電子封裝設計以去除過多的導體且可當成高頻電子裝置與 元件的電子互連殼。 相關技藝銳明 微電子裝置封裝的關鍵是通過封裝置的導電互連的信號 要能夠使得該電氣互連在信號中產生極小的變化。但是很 困難製造出這種微電子封裝以便於高頻即大於2百億嚇茲 (2 0 GHz)中產生極小的信號變化。 傳統微電子封裝設計能在高達2 3 GHz的頻率下將信號 輸入封裝或將信號從封裝中輸出。此封裝有一金屬蓋子, 其必須在電路接地時維持相同電位以達成這種功能。但是 為了使蓋子接地必須作内部橋與外侧金屬化。此增加的金 屬與内部電路和導體緊靠著,以壓低及限制裝置的性能。 此外,傳統封裝有以下缺點如頻率範圍有限,過度的傳送 與反射損失,有限的輸入/輸出絕緣,高成本,與可靠性 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -^ ^^^1 In am m -in In TJ _ -4-
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 低’因而一般應用性不大。 因此需要有一種微電子封裝容 從非導電體中製造的結構封裝元供# 常數,具有高頻範圍,=1,及具有較-致的介電 製造。 而且在不犧牲可靠性之下以低成本 發明之概述. 用二7發明在說明—種微波電予封裝,其大致沒有因習 用的缺失以及受習祕制而產生_或多個問題。 :::說明本發明的額外特徵和優點,其中部分可以從 ^曰 目了然,或疋藉由實施本發明而學習得知。由 =明書’中請專利範與附圖所示的裝置與方法中將可更明 白本發明的目標與其它優點。 甘如本文的具體實例及廣泛的說明所示,4了完成這些與 其它優點並根據本發明的㈣,要體認本發明是—種適於 向頻電子裝置的微電子封裝1封裝包括—底座,且有至 少邵分導電性,其建立的接地平面並具有_上部與底部; 由陶製造之RF基體,並具有沈積於陶以基體表面之複數 個導電圖案;連接裝置,將陶RF基體接到底座之上部; :陶奸閉環基體,具有比第一空洞大之第二空洞;第二連 接裝置,將陶封閉環基體接到RF基體,第二連接裝置一 般與封閉環之大小匹配;及藉由—非導電之第三連接裝置 而接到陶封閉環基體之陶蓋。 另一方面,本發明是一種組裝陶微電子封裝之程序,該 封裝具有:一底座,由陶製造之RF基體,及一陶封閉環基 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部中央標準局—工消費合作社印製 ,各底座,RF基體與陶封閉環基體具有一上表面與一 下表面。該程序包含於111?基體上表面幕印刷一導電膠; 乾燥與燃燒該導電膠;用1^基體上表面之導電膠使導電 路瓜疋型,於RF基體上表面幕印刷第一封閉玻璃;乾燥 與使其光滑第一封閉玻璃層;於心基體下表面幕印刷第 二封閉玻璃;It燥與使其光滑第二封閉玻璃層;次組裝 RF基體與陶封閉環基體;及將底座上表面接到rf基體下 表面。 次组裝R F基體與陶封閉環基體之步驟包括以下子步 螺,將RF基體上表面與陶封閉環基體下表面鄰接以形成 :次組裝,加熱該次組裝,於㈣體下表面幕印刷-金 屬材料,及乾燥與燃燒該金屬材料。 將履厘表面接到^基體下表面之步驟包括以下子步 驟:將黏性材料施敷於底座上表面或以基體下表面,將 底厘上表面與汉?基體下表面鄭接以形成—组裝,用加 f费加壓或其它適合使用之封閉材料之其它方法而曬乾該 組裝。 逢接裝-罾本^月(第—替代具體實例中,陶封閉環,第三 裝置’與陶蓋都可以由封閉蓋取代。藉由第二連接裝 置將封閉羞直接接到RF基體之上。 閉蓋之陶微電子封裝之過程,包括於㈣ /幕印刷一導電膠;乾燥與燃燒該導電路徑圖.用 面I印刷Ύ 電路徑定型;料?基體上表 面幕印刷一層黏膠;乾燥與使其光滑第一封閉玻璃層;於 — I:---;----ΙΦ-------1T------© (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6-
A7五、發明説明( 4 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 γ基=下表面幕印刷—金屬材科;及乾燥與燃燒金屬材 科,及將底厘上表面接到尺^·基體下表面。 將底座上表面接到RF&體下表面之步驟包括以下子 驟二將黏性材科施敷於底座上表面或灯基體下表面,將 ^表面與㈣體下表面鄰接以形成—组裝,及加為 孩組裝。 *、 之替代具时財,剌線電氣接到 路徑。將這些引線成形以便從RF基 眩向外延伸以便於製造與封裝之必要電氣連接。 附圖之簡單說明. 由以下本發明較佳具體實例之詳細說明並配合附圖,即 可明了本發明’其中相同數字表示相同元件·· 圖1是根據本發明之陶微電子封裝之示意圖; 圖2Α是本發明封裝之上視圖,其中蓋已移開; 圖2Β是本發明封裝的蓋移開後,沿著圖2Α線2Β-2Β的 剖视圖; 圖3是形成於微電子封裝中的空洞示意圖,其中電磁波 在ζ -方向傳播; 圖4疋2的長方形波導中LSMt !與ΤΕ10模式截止頻率 圖形; 圖5是頻率的電氣傳送損失圖形; 圖6是頻率的反射損失圖形; 圖7疋根據本發明第—替代具體實例之微波電子封裝的 示意圖,其包括一封閉蓋; 請 先 閱ik 背 A 意 事 項 再 奢
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5 電 平 所 五、發明説明( 圖8 A疋本發明第—替代具體實例的封裝的上視圖,其 中封閉蓋已裝上; 圖8B是第一麸&田& 、 资代具體實例的封裝沿著圖8 Α的線8 Β - 8 Β 的剖視圖’其中去^關世 、^對閉蓋已裝上;及 _ f 9疋根據本發明第二替代具體實例的微波電子封裝的 不意圖’其包括從封裝向外延伸之引線。 發明之詳細說明 圖1顯不本發明的裝置的典型具體實例’如參考數字 1 0 0所示。 如圖1所不’本發明包括:一底座Γ 02,連接裝置104, RF基體106 ’而導電軌跡122已於上面定型,第二連接 裝置1 〇 8,陶封閉環基體1 1 0,非導電的第三連接裝置 112 ’及陶蓋114。將封裝100當成高頻(即超過1 GHz) 裝置與元件的電子互連殼使用,此封裝的詳情如以下所述。 底座102具有多種用途,包括:提供封裝100的機械安 裝在%路板或載體上,用於封裝中的微電子裝置與其它 氣兀件1 1 6的熱與電氣安裝,及一接地參考,或接地 面’作南頻導體與其它信號孰跡的互連使用.。如本文 述,底座可以從數種不同材料之一製造出來,第一,底座 可以是一種導電金屬如可法,英法,銅,銅鎢合金,銅鉬 合金,鉬,各金屬的優點如電氣與熱的傳導,結構強度, 熱脹係數低,與電板導體相容(例如鎳,銀,銀鉑合金, 銀免合金’黃金),這些金屬的選擇僅係舉例,一般熟於 此技術者將可了解的是其它金屬也可當成底座1〇2使用'、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -8 - A7
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、發明説明(7 導電圖案122,沈積於rf基體上的導電圖案122具有一特 疋形狀其設計成從導體的一端至另一端的一致特性阻抗。 藉由使用各種電氣模型與模擬軟體以及藉由實驗而完成該 »又计。如上述連接裝置丨〇 4所述,依底座工〇 2選擇的材料 而決定RF基體下表面將金屬施敷在其中以便brf基體接 到底座。 第二連接裝置1 〇 8是一種沈積於RF基體與封閉環基體上 或二者之一的玻璃材料(封閉玻璃),其形成後沈積SRF基 體上的玻璃大小會大致與封閉環基體匹配 封閉環基體1 1 0由一種與用KRF基體丨〇 6相同或類似 材料製成,如第二連接裝置丨0 8中所述,若封閉玻璃要 積於封閉%11 〇上,則將其施敷於封閉環基體層的底部, 而當熔入RF基體或熔入沈積於汉?基體上的玻璃時,即在 2個基之間產生封閉。為了得到正確的封閉與封閉環 ta和RF基體的層狀’當藉由燃燒封閉玻璃而將2個基體 起溶合時,即可以稱重量。空洞i 24形成於封閉環基 中,其大於形成於RF基體中的空洞。這可以由圖2二上 視圖與圖2B的剖視圖看出’作出的封閉環基體空洞⑴較 大以便各導體122的-部分暴露於空洞124中,如圖^所 二基體UG的外園大小會變化以暴露封裝1。。 邵上各導體122的一部分,如圖2A所示。這咏灯基# 體122的暴㈣分料柄裝巾電子裝置u6 = 一元件之間的連接點。 衣Γ 再參考圖1 ’陶蓋114由—種與用於RF基體1〇6與/或封 的 沈 基 體 上 外 導 次 - ' - * ---i~ - —1 n I n I !. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 --------- -10 木紙張尺度適用中而家標準(CNS) Α4規格 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(8 ) Γίί體11G相同或類似的材料製成。第三連接裝置,非 導電聚合物黏膠如環氣谢旰彳^ 非 , 衣乳樹^112則以窗框方式固定於陶蓋 的底邵以便將陶蓋〖丨4接到封 较j對閉銥基體11 0。或者第三連 =疋:!閉玻璃’可以在陶蓋"4的底部或上 邵皇上一種減少空洞共振的材料。 2100能在極小損失下收發信號並使用極少的導電盘 料,封裝也不必使用條形傳送到陶論的線路,封 二:二於單一材料的合併,而是能使用各種材料如 導㈣與介電氣,以產生適於高頻電子裝置的封裝。 藉由使用極小的導電材料而滿足適 :置微電子封裝的需求。第一,封裝滿足以下結構的需 f如抵抗:熱,機械振動,澄度,鹽分,搖動,加速並具 或許更f要的是龍提供了_。封裝也滿足 …电乳需求包括低寄生效應(即電感與電容),極小的不 連續感抗,低溢散損失,以及與四週裝置和 互動。 / 為了符合高頻饋人的需求,需要在封裝之外的裝置中作 f阻抗匹配低損失f連。如此即可不必調整裝置或調整的 極小以得到最佳性能。為了得到此需求封装必須於操作頻 帶上具有低氣插入損失(小於0.02 f(GHZ)dB)與高返回損 失(大於15 dB)。為了符合高頻饋人的需求,馈人結構應 、需^平面,以提供所有介面中電場與磁場的良好匹配,且 沿著信號路徑具有極小數目的變換,在接地路徑中具有極 ^數目的不連續,具有極小的饋入長度(但其長度足以減 11 - 本Λ張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(训/抓公董) iJJ -iJ—· I - -cl m In ...—衣-— - -r---1 f請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂-- »m fu · 經濟部十央標準局員工消費合作社印製 、發明説明(9 ) 少不連續之間的互動),及具有極小的接地電感。 身用上,馈入結構用微條的平面變換媒體至條線至微條 組成。微條傳送線由地面上的金屬導體組成,並由介電材 料分開。已知微條導體至低氣接地導體的位置和寬度,及 地面電氣長度,可決定特性阻抗。一條線傳送線由2個地 面之間的金屬導體组成,並由介電材料分開。饋入中的條 線區域由以下2種方式建構:i.將饋入插入金愚殼的孔, 在平面導體之上或之下產生一接地環境,2.用垂直金屬橋 與/或外部金屬而將導體上的金屬接到導體下的金屬。條 泉導體至上與下接地導體的位置和寬度,及地面電氣長 度,可決定特性阻抗。微條接點位置至地面的寬度決定其 特性阻抗。 封裝中的空洞(如由底座102,RF基體106 ,封閉環基 體1 1 0與蓋1 1 4形成)必須在不降低其性能下包著電子裝 置,且必須應付高頻饋入與D c _線。空洞的設計應該去除 波導模式傳播與空洞共振。在先前使用金屬封裝或使用具 有金屬牆與蓋的多層陶封裝的方式中,蓋114的接地是個 問碭,因為接地的蓋會改善饋入之間的絕緣以及使裝置不 受任何裱境影響。本發明的封裝空洞於設計上使得導引 T E ] 〇波導模式截止頻率大於極大的操作頻率。若達不到這 種情況,則可能是能量射入封裝中,其係由TEM模式摧帶 而耦合TE t 〇模式或任何其它由空洞支援的模式。在高頻 時,此模式變換影響封裝中的插入損失比饋入中的溢散損 失或阻抗不匹配更大。空洞大小不支援波導模式額外改善 I - - ΐ — m -si SI 1..... - ^m I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T .Hu -12- 五、發明説明( A7 B7 饋入之間的絕緣並防止過度的模式傳播。 如圖3所示,封裝空洞3〇2能當成η平介電板載結構3 〇〇 來使’其中電磁波在ζ _方向傳播。空洞中的導引波導模式 可以是準ΤΕ1()或LSMu(縱剖面磁性),這是依介電常數 與波導大小而定。 如圖4所不,準_ TE ! 〇與]L s M ^ !情況下的截止頻率(標號 fed),係垂直於在空的長方形波導中的TE 1 〇模式截止 (fc = c/2W,W是X-度空間),這是由以下公式決定: fed ^ ~ ⑴ I1好: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -昏. 經濟部中央襟準局員工消費合作衽印製 如圖3所不,在公式1中h , Η與er分別是基體厚度,蓋子 高度,與基體介電常數。 為了壓制波導截止模式,W/H要小於〇 5而h/H要小於 ο·ι。至於較重的封裝負載方面,則ΤΕι〇模式成為支配因 素,使得觀察到的截止頻率大為減少◊因此空洞與饋入設 計時必須很小心以避免產生這些模式。 若波導大小H<W<L,最低階的共振模式是LSMiii或 te1g1。這種大小的電場平面與x_y平面平行’而且最大 ,,中.心,而以正弦波的方式在波導的牆上減為〇。磁場 線疋平仃於x_z平面的封閉曲線,而磁場強度在牆上是極 大而在波導中心是極小。此配置的共振頻率由以下公式 得知:(2) fr 其中W的單位是公式分而f。是GH: -13-
訂 I I · 五、發明説明(n ) 由公式2可知最低氣共振頻率發生於大很多時,而 且可以由導幻模式中的截止頻率求出。共振也發生於當最 大尺寸等於半波導的波長時。 由圖^與6中可知,本發明高頻封裝咖的馈入的結果是 在上述高頻饋入的要求之中。 圖5說明本發明封裝1〇〇的電氣傳送損失的測量與模型 結果,其顯示該損失係是頻率函數。圖5也顯示封裝的ς 一饋入的模型或預測結果。第—曲線500與第二曲線 5 02 (分別如X與方塊所示)分別是封裝1〇〇的測量與模型結 果。測量由以下製成,即2個封裝饋入,2個帶狀鍵,―‘ 裝在由RF基體.106形成的空洞區域中的微條傳送線,封閉 環基體ho,與跨過該空洞全長度的陶蓋114等组成以連 接2個饋入。產生一電氣模式以表示所有的實體元件,並 調整模型以得到一測量回應,以分析重要的個別元件。在 圖5的例子中,分析微條,帶狀鍵,而饋入則單獨分析。 第二曲線5 0 4 (如菱形所示)表示獨立饋入的模型結果。這 種稱為去嵌入的方法常用於電子業。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖6顯示信號從一媒體傳播到另一媒體時它的反射損失 量。圖5中,第一曲線600與第二曲線602(分別如又與方 塊所示)分別是封裝丨〇 〇的測量與模型結果。第三曲緣 6〇4(如菱形所示)實單一饋入的模型結果。 製造程序-第一具體實例 本發明之另一特徵是指一種組裝一微電子封裝的程序, 該程序包括以下步驟:幕印刷一導電膠;乾燥與燃燒續導 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五 、發明説明( 12 電膠’·蝕刻以進一步界定導電膠中的導電路徑圖案;於 RF基體上表面幕印刷第—封閉玻璃;乾燥與使其光滑第 一封閉玻冑層;於RF基體下表面幕印刷第二封閉玻璃; 乾,與使其光滑第二封閉玻璃層;將^基體組裝至陶封 閉%基體,及將底座上表面接到RF基體下表面。 訂 程序開始前,要選擇!^基體1G6,陶封閉環基體】㈣ 陶蓋U4的完全燃燒的(硬化)陶。最好是選擇各元件的相 同陶。至於底座102 ’若它是由陶製成,則對於其它元件 也可以作相同的全燃燒陶選擇,或是若與RF基體相容則 可以是不同的陶材料,惟具有較佳的電氣或熱的特性。任 基體都可以是含有各種不同成分(如96%,996%)的 二氧化二鋁(八丨2〇3),氧化鈹(BeO),鈦酸鋇(BaTi〇3), 入二氧化梦(si〇2),或銘氮化物(A1N),而選擇的材料 要符合要组裝的產品的特別要求。例如氧化鈹與鋁氮化物 適用於高功率,熱溢散的應用 可以向陶性材料廠商購買完全燃燒的(硬化)陶,買來的 全燃燒陶基體一般是一英吋到45英吋的模板,並可根據 要组裝的產品與基望的產品量而選擇大小。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 RF基體106最好是96%的純鋁,是依以下方式製造:用 適於電子元件的清潔劑將R F基體作超音波清洗然後用去 離子水洗淨,接著加熱以燒去清潔劑中的任何雜質,最好 用亞可諾潔劑,但熟於此技術者也了解其它清潔劑也可使 用。 接著將導電膠幕印刷於RF基體106的上表面,第一種界 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇χ 297公釐 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____________Β7 五、發明説明(13 ) 定導電軌跡的方法是提供一種初步的導電圖案,其遠大於 ^電圖案122的期望最後大小。熟於此技術者將可了解的 疋也可用薄膜技術來沈積導電圖案。以下所述的照相石刻 /蝕刻順序也接著用於界定導電軌跡的最後大小。第二種 可能方法是用一種提供導電圖案丨22真實最後大小的幕來 幕印刷該導電膠,若選擇第二方法,則不必蝕刻步驟。 當導電膠印在基體上之後,它就乾了。接著根據導電膠 咸商提供的規格而將RF基體1〇6燃燒。 關於界疋導電圖案122的第一方法,形成初步導電圖案 的方法是使用業界常用的厚膜幕印刷技術,依應用以及使 用導體的種型而決定是否要期望重覆印刷順序至少一次以 待到較大的厚度與在一致的材料密度,而各印刷步驟之後 是乾燥與燃燒步驟。燃燒溫度,時間與條件是依使用的導 電材料種型而定,這可以由導電膠廠商提供適合的參數。 較佳地,本發明的印刷’乾燥與燃燒步驟要執行2次,第 二種界定導電圖案1 2 2的方法需要於導電膠印刷到RF基體 中之後作類似的處理。 可使用許多導電膠,而這種膠的選擇是依製造的產品而 疋’ /牛多膠是金與破璃的合成,而不同的成分則提供各種 封閉,線結合性,可焊性,可蝕刻性,及黏著。其它可能 的膠包括銀與銅,選擇期望產品品質的適當膠則屬於業者 的範圍。惟較佳地,本發明使用一種可蝕刻金導體,也依 此來說明較佳具體實例。 當一初步導電圖案置於尺?基體上而該圖案的尺寸大 -16- 本紙張尺度適财® H家標準(CNS ) Α4規格(21GX297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
發明説明( 的取後尺寸,則用照相石刻程序來更準確的定義導 體的大小,此後再執行姓刻以去除過多的導電材料。此定 型步驟在該程序之後己在薄職界著名,其中將一光阻 (PR)制在或塗在初步導電圖案表面上。將心曝曝於紫 外線光,且由帶有期望圖案的罩幕來調變,而未曝曬的 PR則用顯影劑洗去,下要蚀刻曝曬的區域。用於金 導體㈣刻落液是卸埃與琪的混合物。银刻後即將心去 除,而執行-洗淨/燃燒步驟以燒去蚀刻步驟後留下的任 何化學或有機物。用此技術來定義導電軌跡ΐ22的最後大 小,以確保所有的導體大小,包括厚度都是一致且在可靠 操作的期望裕度内。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 - 一 - 1 K I -n n Jn I— In III 衣 m HI . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 洗淨/燃燒步驟㈣將封閉破璃幕印刷於❹基體上表面 以形成第二連接裝置108,注意,封閉玻璃可以沈積於封 閉環基體與RF基體上或是其中之—。料閉玻璃要沈積 於RF基體之上,則可以將它定型到大致與封閉環基體ιι〇 的大小匹配’該基體110具有一個比RF基體大的空洞·因 此封閉玻璃不會完全遮蓋RF基體上表面,惟它可延伸以 部分遮蓋導電軌跡i22以強化_些應用時金屬的強度。可 以作多重封閉玻璃的印刷以得到期望的總厚度,而較佳具 體實例則包含3個這種印刷步騾。各印刷步驟後即將封閉 玻璃膠乾燥與使其光滑。因為RF基體1〇6也加入底座 1〇2,因此若底座是陶則可將封閉玻璃印刷到尺1?基體下表 面。如上所述,依底座102選擇的材料而決定是否要將rf 基體1 0 6的底侧金屬化或是將—層封閉玻璃施敷於其上。 17- 五、發明説明( 15 經 濟 部 中 標 準 員 工 消 費 合 作 社 印 製 選擇的使其光滑溫度要夠高以燒去玻璃中的揮發材料 (有機)疋不⑮南到使基體上的導體炫化或流動。該溫 度依使用的材料類型而定,而由玻璃製造商提供適當的溫 度範園。因為不同烤爐類型之間的變化而必須作溫度的梢 微調整。這種調整是屬於技術範圍。封閉玻璃的選擇則由 製造產品的類型而定。本發明的一種重要功能是選擇的封 閉玻瑪要具有熱脹係數(CTE)與介電常數,以儘可能的匹 配CTE與選擇用於該基體的陶的介電常數。cm的匹配 可消除多層結構的各層之間的微分熱應力。 在與RF基體1 〇6的製造分開之下來製造陶封閉環基體 1 1 0至於RF基fg,則選擇的陶材料要完全燃燒因此己硬 化了’而較佳的陶是96%的純銘。陶與選擇用於RF基體 的相同,在較佳具體實例中’將封閉環基體切下以便在其 中。產生工洞124。此匹配-般由使用⑶之雷射的雷射去 除來執4丁 ’而JL是工業標$的機械製造技術。其它可使用 的機械製造技術是超音波或割線。也可使用其它類型的 射。切入封閉環的空洞大於要切人以基體的對應空洞 如圖中所示。最後的陶封閉環基體則接著機械式去模以 除任何'留在基體上的雷射渣。 去除田射渣(右·需要)後,封閉環基體i丨〇則用清潔劑, 最好是亞可諾清潔劑,將封閉環基體11〇作超音波清洗然 後燃燒以去燒去清潔劑中的雜質。 如上所述因為第二連接裝置1〇8可藉由將封閉玻璃沈 於RF基體與封閉環基體上或沈積於其中之一而形成, 訂 雷
I 去 積 因 -18- 本紙張尺度適用中標準(CNS ) M規格(210X297^7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _________ B7 五、發明説明(16 ) 一 —^ s~-— 此僅若封閉玻璃沈積於封閉環的底部則執行以下步驟。 將一層封閉玻璃施敷於封閉環基體的底部,至於美 體106,則封閉玻璃層的應用需要幕印刷,乾燥與使其$ 滑’此步驟可執行多次,這是依使用的材料而定以得到 望的厚度。 ' 製造RF基體1 〇 6與封閉玻璃基體丨丨0時,將這2個基體 次組裝時需要數個步驟。第一將基體丨〇 6 ,丨丨〇對齊、匹 配以便作正確組裝,接著燃燒該次組裝,此時可以稱重或 夾在一起以提升正確的層狀並且在2個基體之間封閉。燃 燒後可期望檢查封閉的封閉。清潔並檢查次組裝接著用雷 射作機械加工以便在RF基體1〇6中產生中心空洞12〇,此 後再檢查然後將雷射渣刮掉。 第二,用適當的清潔劑作超音波清洗以去除任何油脂並 用去離子水洗淨,接著將次組裝燃燒以燒去清潔劑留下的 任何雜質。 第二,將導電膠施敷於次組裝的底部(即RF基體丨〇 6的 下表面),並接著如上所述的乾燥與燃燒該第二印刷導電 膠。再重覆一次’較佳的導電膠是金膠,並可以執行印刷 •乾燥方向步驟數次以完成期望的厚度。施敷.導電膠之 後’將次組裝鋸下’亦即各獨立次組裝與模板是分開的。 70成次組裝後’即執行封裝的最後組裝,必須先選擇適 田的底座,在較佳具體實例中,底座是由銅爲合金,可法 合金或其它適當的合金製成。於最後組裝前在次组裝上作 封閉檢查’並依需要作清洗。將底座1 〇 2接到次组裝前, -19-
本紙張又ϊϋ中國國家橾準(CNS》A4· ( 210-^^J - ' - - \)·, ! ~ !ί I I I 广 '。裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 訂
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基體下表面磨光以準備將次組裝作烊接。依使用的 私料種類而決疋準備技術。這些技術會影響烊料流動量, 1碉f生與組裝的目測品質。接著將底座i 〇 2與次組裝用 ^中的連接|置1()4將它們裝在—起’並將該裝好的組裝 ::燒。燃燒後作最後的封閉檢查,用丙酮或其它清潔劑清 /以去除設脂與其它雜f,並在樣本封裝上作電氣測試。 芫成封裝後即用業界熟知的模接技術將要於其中作封裝 的微電子電路連接。接著用非導電聚合物黏膠1 1 2如環氧 樹脂或是封閉玻璃將陶蓋接到封閉環11〇的上部,該封閉 破璃可以在夠低氣溫度作燃燒與使其光滑以避免破壞微電 子電路。使用非導電聚合物黏膠112的程序包含將聚合物 幕印刷到蓋1 1 4的底部,接著預烘烤蓋〖丨4以部分地製成 黏膠。一旦微電子電路裝在封裝中,則將蓋1 1 4與陶封閉 環110對齊,然後夹定位,此後在夠低氣溫度執行最後加 工以避免破壞微電子電路。 代具體實例 現在參考圖7,其中顯示本發明之第一替代具體實例, 且由參考數字700表示。 如圖7的具體實例所示,本發明包括:一底座1〇2,連 接裝置104,導電軌跡122定型於其上的RF基體1〇6,第 二連接裝置108,與封閉蓋126。封裝700與上述的封裝 1 〇〇相同是當成高頻(即20 GHz以上)裝置與元件的電子 互連破使用’此封裝7 〇 〇的詳情如以下所述。 底座102有多種用途,包含提供封裝1〇〇的機械安裝在 , 1 衣----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) n n ^ n I n n n 1( -20- 發明説明(
W 訂 %路板或載體上,用於封裝中的微電子裝置與其它電氣元 件116的熱與電氣安裝,及一接地參考,作高頻導體122 與其它信號軌跡的互連使用。如使文所述,底座1〇2可以 從數種不同材料之一製造出來,第一,底座可以是一種導 電金屬如可法,英法,銅,銅鎮合金,銅鉬合金,鉬。各 金屬的優點如電氣與熱的傳導,結構強度,熱脹係數低, 與電板導體相容(例如鎳,銀,銀鉑合金,銀鈀合金,黃 金),除了述的金屬外,底座1〇2也可由數種低擴張的鐵鎳 σ金製成其具有42-52 %的鎳含量,.其它部分則是鐵, 例如有一種稱為合金4 6的這種合金,其由4 6 %鎳與其它大 部刀疋鐵的合金組成,有數家這種合金讲應商如紐澤西州 的奥克蘭國家電子合金公司。有關合金46的冶金性質規則 可參考美國測試法協會(八8了^1)的公告1?3〇號。合金46是 低成本封裝700的主要材料,適於低功率裝置,其中熱散 溢並不重要,這些金屬的選擇僅係舉例,—般熟於此_ 者將可了解的是其它金屬也可當成底座1〇2使用。 、底座102也能由陶材料製成,其與封裝7〇〇中使用的其 它材料相容。惟使用這種陶底座需要某種施敷於某些區域 的金屬化,如裝置包裝’接地時的模子連接區域,或是底 座底部以便將封裝7〇〇接到電路板或載體。這種陶材 料的例子如銘氧化物,銘氫化物,鋇氧化物,福斯鐵,可 迪鐵’磁英,硬接,或其它陶,其中部分成分可以當 成封裝材料來使用。本文未述的其它陶材料,如能得提供 可接受的電氣與物理特性,則熟於此技術者也可使用。 -21 本紙張凡度適财gT國家標準(CNS )八4祕(公f A7
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五、發明説明(2〇 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 RF基體106由陶材料如上述底座1〇2所述的陶材料之一 所製成。此外RF基體106也可依電氣需求而從數種其它的 介電材料如玻璃’底成本電子級陶,與數種塑膠品等製 成。尤其是適於RF基體106的玻璃介電材料包括蘇打石灰 (浮動或燈 >包)’銘珍酸鹽’硼珍酸鹽(低電氣損失),與 99.5%的矽土,此外,塑膠介電材料可以是填充的或未填 充的。填充物可以是一種玻璃墊的形式(例如G丨〇印刷電 路板材料)。此外上述的陶可以當成粉末形式使用如塑中 的非結晶填充物。塑膠包括電氣應用中常用的任一種,如 環氧樹脂製模複合物與熱設定製模複合物。這種塑膠的特 定選擇如尼龍,樹脂,新拉克,酚,聚硫化物,聚乙烯 胺,與液晶塑膠。惟值得一提的是熟於此技術者將可了解 的是也可使用任何塑膠只要其能提供可接受的電氣與物理 性質。 RF基體1 06之中切出一塊空洞區域J 2〇,當接到底座 102,RF基體與底座即一起提供裝在底座上的裝置116 平面互連。此外RF基體106有數個沈積於其表面的導電 案122 ’沈積於RF基體上的導電圖案122具有一特定形 其設計成從導體的一端至另一端的一致特性阻抗。藉由 亞 的 圖 狀 ...使 用各種電氣模型與模擬軟體工具以及藉由實驗而完成它。 如上述連接裝置104所述,依底座1〇2選擇的材料而決定 RF基體下表面將金屬施敷在其中以便將基體接到底 座。 第一替代具體實例的第二連接裝置108是一種沈積於rf (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) --!-----訂------------ -23- 發明説明( 21 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 基體106與封閉蓋126上的環氧樹脂,若除部分要沈積於 RF基體上的RF基體上,則沈積krf基體上的除部分的大 小會大致與封閉蓋匹配。 封閉蓋丨26可以從一種材料製成,該材料與用krf基於 1〇6上的材料相同或類⑽,尤其是封閉蓋126可以從數種 介電材料製成包肖:玻璃,低成本電子級陶,肖數種塑膠 品。尤其是適於RF基體的玻璃介電材料包括蘇打石灰(浮 動或燈泡),鋁矽酸鹽,硼矽酸鹽(.低電氣損失),與 99·5%的矽土,此外,塑膠介電材料可以是填充的或未填 无的。填充物可以是一種玻璃墊的形式(例如Gi〇印刷電 路板材料)。此外上述的陶可以當成粉㈣式使用如塑膠 中的非結晶填充物。塑膠包括電氣應用中常用的任一種, 如環氧樹脂製模複合物與熱設定製模複合物。這種塑膠 特疋選擇如尼龍,樹脂,新拉克,酚,聚硫化物,聚乙 亞胺,與液晶塑膠。惟值得一提的是熟於此技術者將可』 解的是也可使用任何的塑膠只要其能提供可接受的電氣與 物理性質。 、八 如第二連接裝置108中所述,若封閉玻璃要沈積於封 蓋126上,則將其施敷於封閉蓋的底部,而當熔arf基 層或熔入沈積於RF基體層上的玻璃時,即在汉卩基體^ 與封閉蓋126之間產生封閉。為了得到正確的封閉與封 蓋和RF基體的層狀,當藉由燃燒封閉破璃而將2個表面 起熔合時,即可以稱重量。 封閉蓋1 2 6的外圍大小與圖i的種處理現基體丨丨〇相同 的 烯 了 閉 體 06 閉 --.-----I--ο裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -24- f紙張尺^用中國國家標準(CNS ) Α4· ( 210X 297公釐)_ 22 五、發明説明( 露封裝7。。外侧上各導體122的一部分。如圖 雨子W基料體1 22的這些暴露部分#成封裝内 % 6與位於封裝700外的次一元件的連接來 2。如圖8B所示,相蓋126和—室128 一起形成‘,其直 k比形成万'RF基體中的空洞大,這允許將封閉蓋直接置 入RF基體上表面並頂靠著,而同時允許各導體122的一部 分在室128中暴露。 ,根據本發明第—替代具體實例而組裝-微電子封裝的程 序包括以下步驟:KRF基體1〇6上幕印刷一導電路徑I〕〗 圖案;於底座102上幕印刷第一連接裝置1〇4 ;及將底座 的上表面接到RF基體的下表面。 _ 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 第一替代具體實例的組裝程序開始前,要選擇RF基體 1 0 6的材料。若RJ7基體由陶材料製成,則可以是磁完全燃 燒的陶,其與其它元件所選用的相同。任一陶基體都可以 是含有各種不同成分(如9 6 %,9 9.6 %)的三氧化二鋁 (ai2o3),氧化鈹(Be0),鈦酸鋇(BaTi〇3),熔入二氧化 矽(Si〇2),或鋁氮化物,而選擇的材料要符合要組 裝的產品的特別要求,而這屬於技術範園。例如氧化鈹與 紹氮化物適用於高功率,熱溢散的應用。 除了陶外,RF基體也可依電氣需求而從數種其它的介 電材料如玻璃’低成本電子級陶,與數種塑膠品等製成。 這些方向材料包括蘇打石灰(浮動或燈泡),鋁矽酸鹽,爛 碎酸鹽),與填充或未填充塑膠包括:尼龍,樹脂,新拉 克’酚,聚硫化物,聚乙烯亞胺,與液晶塑膠。 -25 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明( 23 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 莖JUH -第一替代具體會例 一替代的RF基體106是依以下方式製造:用適於電子元 件的清潔劑將RF基體作超音波清洗然後用去離子水洗 淨,接著加熱以燒去清潔劑中的任何雜質’最好用亞可諾 清潔劑,但熟於此技者也了解其它清潔劑也可使用。 接著將導電軌跡圖案形成於RF基體1〇6的上表面,即各 種方法來形成這種導電圖案。一種界定導電軌跡的方法是 用厚膜幕印刷技術來幕印刷初步導電圖案。此圖案遠大於 導電圖案1 2 2的期望最後大小。依應用與使用的導體來期 望重覆這種印刷序列至少一次以得到印刷材料之較大厚度 與更一致的签度,而各印刷步驟後則是乾燥與燃燒步驟。 當一初步導電圖案置於RF基體1〇6上而該圖案的尺寸大 於期望的取後尺寸’則用照相石刻程序來更準確的定義導 體的大小,此後再執行蝕刻以去除過多的導電材料。此定 型步驟在該程序之後已在薄膜業界著名,其中將一光阻 (PR)層灑在或塗在初步導電圖案表面上。將PR曝曬於紫 外線光’且由帶有期望圖案的罩幕來調變,而未曝曬的 P R則用顯影劑洗去,而留下要|虫刻曝曬的區域。接著將 RF基體浸於蚀刻溶液以便|虫刻。用於金導體的.此姓刻溶 液是卸破與破的混合物。蚀刻後即將p r去除,而執行— 洗淨/燃燒步驟以燒去蝕刻步驟後留下的任何化學或有機 物。用此技術來定義導電軌跡122的最後大小,以確保所 有的導體大小,包括厚度都是一致且在可靠操作的期望裕 度内。 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-----
、1T ----_ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(24 ) 另一種界定導電軌跡的可能方法是用一幕來幕印刷導電 膠丨以提供導電圖案122的最後大小。此法不必使用蝕^ 程序。導電膠印刷於基體後即乾燥了。接著根據導電膠製 造商提供的規格將RF基體i 〇 6燃後。 另一種當選擇了 RF基體的陶時界定導電軌跡的可能方 法是直接將金屬膜施敷於陶表面上”例如銅膜可以藉由— 種稱為直接黏合銅的程序而直接將銅膜黏在礬磁或其它陶 上。將銅膜黏合在陶後,即可如上所述用照相石刻/蝕刻 順序將銅膜蝕刻以界定導電軌跡的最後大小。 另一種界定導電軌跡的可能方法,特別適用於低成本封 裝,尚要實施印刷線路板工業的方法,此法將聚合物厚膜 印刷於基體上。使用此方.法即可能應用一種填充的聚合物 ^體材料,而非礬磁陶。這允許許多RF基體同時從單一 聚合物板形成。這些基體接著用導電圖案來印刷與/或蝕 刻以便於後對分離到單一RF基體。為了建立一個夠厚的 導也,印刷於聚合物基體上的厚膜可以用電板或無電板技 術而重覆。例如一種大量使用的方法是將銀聚合物厚膜印 刷於聚合物基體上,接著鍍鎳,再鍍金。 ^接著將第二連接裝置1〇8幕印刷於RF基體上表面,回想 第替代具體實例中的第二連接裝置1 〇 8,其中非導電聚 合物黏膠如環氧樹脂组成。注意,環氧樹脂可沈積於封閉 a與RF基上或是沈積於其中之一。若環氧樹脂沈積於 基體上部,則其大致匹配封閉蓋126的大小,而且可以 作多次環氧樹脂印刷以得到期望的總厚度。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本kc
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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___________ —__B7 五、發明説明(25 ) 封閉蓋126的製造是與RF基體1〇6的製造分開的,如上 所述,封閉蓋可以從數種介電材料中製造,包括蘇打石灰 (牙動或燈泡)’鋁矽酸鹽,硼矽酸鹽(低電氣損失),與 99.5%的碎土 ’此外,塑膠介電材料可以是填充的或未填 无的。填充物可以是一種玻璃墊的形式(例如Gi〇印刷電 路板材料)。此外上述的陶可以當成粉末形式使用如塑膠 中的非結晶填充物。塑膠包括電氣應用中常用的任一種, 如環氧樹脂製模複合物與熱設定製模複合物。這種塑膠的 特定選擇如尼龍,樹脂,新拉克,&、,聚硫化物,聚^缔 亞胺,與液晶塑膠。惟值得一提的是熟於此技術者將可了 解的是也可使用任何的塑膠只要其能提供可接受的電氣與 物理性質。 ' 芫成基體後,即執行封裝的最後组裝,先從上述材料中 選擇一適當的底座102,在第一替代具體實例中底座1〇2 是由合金5 2製成,最後組裝前則在次组裝上執行封閉檢 查;並依需要而作清洗與燃燒。將底座1 〇2接到RF基體 10ό底部前,可以將RF基體下表面滑光以方便連接。製備 技術則依使用的底座材料種類而定。 接著用其中的連接裝置1 〇4將底座1 〇 2與RF基體1 〇 6接 在一起,即第一替代具體實例的連接裝置丨04是有機黏 膠,這種黏膠或許是一種將RF基體1 〇 6接到底座1 〇 2的更 簡單方法,惟將可了解的是上述的任一種黏膠都可以操作 以使RF基體與底座102合在一起。 完成封裝後即用業界熟知的模接技術將要於其中作封裝 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) - ' ο、 1^1 „m e^n Jl -1—1 am ^ 」*Ran I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 五 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明説明(26 ) 的微電子電路連接。接著用非導電聚合 將封閉蓋120封閉到1^基|1&1()6 - > 口衣iU封脂 鉍私陬 I缸1 06的上郅,使用非導電聚人 物黏勝112的程序包本將奴眼莖< σ 却,.、— 斤匕σ將黏膠幕印刷到封閉蓋1 2 6的底 °接f預烘烤封閉蓋以部分地製一 踗举产1刀现表烕黏膠。一旦微電予電 ,在封裝700中,則將封閉蓋126與^基體1〇6對齊, 封閉蓋线位在基體的表面.,此後在夠低氣溫度執 仃取後加工以避免破壞微電子電路。 上述程序提供-種比習用程序序列.含有更多優點的方 ,,其中步驟數目減少達30%以上。此外使用的元件可以 疋廉價的材料,以使封裝更易於處理’而材料的需求更多 樣化。 里替代具體會例 在第一杈佳具體實例中,本發明的裝置如圖9中的數字 9〇〇所示。圖9中的裝置900具有數個從RF基體1〇6向外 f伸的引線1 3 0,這些引線由可法製成而在導體丨22的末 端接到基體。這種連接可以藉由焊接,合金焊接,或其它 業界適合的方法。惟值得一提的是熟於此技術者將可了解 的疋了使用多種引線合金包括鎳,鐵鎳,銅合金,只要其 能提供可接受的電氣與物理性質。 組裝本發明的第二替代具體實施例之過程減化第一替代 具體實施例之製程。但是在將RF基質1〇6接至基座102以 後’其聯合被載入於一引線可撓架上。此引線可撓架可維 持RF基質106與引線130間的特殊定位,而幫助引線13〇 連接至導體122的端部上。 -29 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇χ297公釐)
——-----訂--------4¾ (請先閲讀背面之注意事項#填寫本耳」
發明説明( 封基體後,即用業界熟知的模接技術將要 封裝在其中的微電子電路連接,接著如第—替代具 歹1用非導電聚合物黏膠如環氧樹脂 到RF基體1()6的上表面。 ^126^ 於此技術者將可了解的是只要不偏離本發明之精神盘 範圍’可對本發明之裝置與程序作各種修正及變化。因此 本發明(目的在涵蓋本發明之這些修正與變化,只要其在 附屬之申請專利範圍及其等效者之内。 , -.I Jui _ - n ^/r I _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本1·} 訂
經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 l -種料高頻電子裝置之微電子封裝,包含: :辰座,具有—上部與一底部,至少部分該底座 電性; ’具有第—空洞及沈積於該RF基體表面之 複數個導電圖案; :::接裝置,將該RF基體接至該底座之該上部; ::有:室之封閉蓋,該宣大於該第-空洞; 達:β 裝置’將眾封閉蓋接至該RF基體,該第二 連接係非導電性; 單座當成單一接地平面使用’而該封閉蓋與該 單接地平面係電氣絕緣。 2·根據申請專利範圍第丨 -導電金屬。 *予封裝,其中底座包含 3.=申請專利範圍第】項之微電予封裝,其中底座包各 -陶性材料而該底座之該上部係部分金屬化。. - Ία:範圍第1項之微電子封裳,其中底座包含 5 底座之該上部係部分金屬化。 5.根據申請專利範圍第}項之 合金-46。 "子封裳’其中底座包含 6·根據申請專利範圍第〗項之微 裝置包含-金屬銲接材料。子封裳’其中第一連接 7·=申請專利範圍第!項之微電子封装,其 裝置包含一有機黏膠。 接 8·根㈣請專利範園第Μ之微電子封裳,其中第一連接 -31 - (请先閲绩背面之注意事項异填寫本頁) — — I.--U----o^ — •I—ΐτ---------------------- 紙張尺度適用尹國囷家椟準(⑽)以驗(2獻撕公着)申請專利範圍 經濟部中央模隼局ec工消費合作衽印製 裝置包含一玻璃材料。 9· 2據中請專利範圍第η之微電子封裝,其中rf基踢且 -上表面及-底表面,該上表面接至封H = 孩複數個導電圖案沈積於RF基體之該上表面 /、肀 瓜根據申請專利範圍第9項之微電子封其^ 、 =使得沈積於RF|體之該上表面之複數個導電 刀暴露。 木' U·根據申請專利範圍第β之微電子封裝,其 陶性材料製成。 ’塌1 12·根據申請專利範圍第1項之微電子 塑膠材料製成。’其中封閉蓋 13·根據申請專利範圍第i項之微電子 U策,其中第一·彳鱼姐 裝置包含至少第-玻璃材料與第二破璃材料,該接 2材料施敷於RF_ ’而㈣:麵材料施敷於封 14.根據申請專利範圍第1項之微電予封裝 裝置係一非導電性聚合物黏膠。 15-根據申請專利範圍第!項之微電子姆裝 •陶製成。 16·根據申請專利範圍第1項之微電子斜裳 破璃材料製成。 17·根據申請專利範圍第1項之微電予封裳 塑膠材料製成。 18·根據申請專利範圍第i 7項之微電子电卞封裝,其中該塑 部 由 由 玻 閉 其中第二連接 其中RF基體由 其中RF基體由 其中RF基體# 膠幸 — I.---„----G裝! (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -訂' -32- ( CNS ) A4^ (21 OX297公釐) 六、申請專利範圍 料係填充式。 19. = ί申明專利範園第1項之微電子封裝,更包含複數個 、,电引’泉各該引線電氣接至沈積於該RF基體表面之各 〆導电圖案上’其中各該引線從該封裝延伸出去以接至 另一電氣裝置。 20. -種组裝-微電予封裝之程序,以保持一積體電路,該 封裝〃有底座與一 RF基體,各該底座與.RF基體具 有一上表面與一下表面,該程序包含: 於該RF基體之該上表面上形成一導電圖案; 於孩!^基體中切出一空洞,該空洞係大於該積體電路; 於該RF基體之該下表面上印刷一導電層; 連接孩底座之上表面至該111?基體之該下表面以形成 一組裝;及 ’ 燃燒該組裝。 21. 根據中請專利範圍第2()項之程序,其中連接該底座之該 上表:面至該RF基體之該下表面之步驟包含: 交替施敷一黏性材料至該底座之該上表面,或至該 RF基體之該下表面;及 將該底座之該上表面與該&!^基體之該下表面鄰接。 22. 根據申請專利範圍第21項之程序,其中從具有部分金屬 化之陶性材料中形成底座,而其中黏性材料包含熔在一 起之第Γ封閉玻璃與第二射閉玻璃,該第一封閉玻璃係 施敷於該底座之上部,而該第二封閉玻璃係施敷於該rf 基體之底部。 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(_CNS ) A4規格(210X297.公釐) ABCD 400590 六、申請專利範圍 23. 根據申請專利範圍第2 1項之程序,其中黏性材料包含一 有機黏膠。 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本瓦) 24. 根據申請專利範圍第20項之程序,其中形成一導電圖案 之步驟包含於該RF基體之該上表面上幕印刷一導電膠。 25. 根據申請專利範園第2 4項之程序,其中印刷一定圖案之 步驟更包含: 於該導電圖案之選取部分上形成光阻之保護罩幕;及 蝕刻以去除該導電圖案之未選取部分。 26. 根據申請專利範園第2 0項之程序,更包含用一非導電封 閉裝置將封閉蓋接至該RF基體之該上表面。 27. 根據申請專利範圍第2 6項之程序,該非導電封閉裝置包 含印刷之環氧樹脂。 28. —種適於高頻電子裝置之微電子封裝,包含: 一底座,具有一上部與一底部,至少部分該底座係電 氣導電性,其中該底座當成單一接地平面使用.; 一第一黏性_層,形成於該底座之.該上表面; 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 一 RF基體,該RF基體具有一上表面,一下表面,一 外圍,與一第一空洞,其在該上表面與該下表面之間延 伸,其中該第一黏性層使該RF基體之該下表面頂靠著該 底座之該上表面; 沈積於該RF基體之上表面之複數個導電圖案,各該 導電圖案從該第一空洞建立一電氣通路至該RF基體之該 外圍; 形成於該RF基體之該上表面之第二黏性層,該第二 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) 400590 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 黏性層係非導電;及 具有一室之封閉蓋,該封閉蓋之大小可包圍該RF基 體之該第一空洞,而其中該第二黏性層使該封閉蓋封閉 頂靠著該RF基體之該上表面,該封閉蓋與該單一接地平 面係電氣絕緣。 29.根據申請專利範圍第28項之微電子封裝,更包含複數個 導電引線,各該引線電氣接至沈積於該RF基體之該上表 面之各該導電圖案上,其中各該引線從該封裝延伸出去 以接至另一電氣裝置。 (請先閎讀背面之注意事頃再填寫本頁) 裝· 、1T 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 -35-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
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